DE102005049687B4 - Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102005049687B4
DE102005049687B4 DE102005049687A DE102005049687A DE102005049687B4 DE 102005049687 B4 DE102005049687 B4 DE 102005049687B4 DE 102005049687 A DE102005049687 A DE 102005049687A DE 102005049687 A DE102005049687 A DE 102005049687A DE 102005049687 B4 DE102005049687 B4 DE 102005049687B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
electrode
electrically conductive
flat conductor
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102005049687A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005049687A1 (de
Inventor
Michael Dipl.-Ing. Bauer
Angela Dr. Kessler
Wolfgang Dr. Schober
Alfred Dr. Haimerl
Joachim Dr. Mahler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102005049687A priority Critical patent/DE102005049687B4/de
Priority to US11/581,678 priority patent/US8013441B2/en
Publication of DE102005049687A1 publication Critical patent/DE102005049687A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005049687B4 publication Critical patent/DE102005049687B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37025—Plural core members
    • H01L2224/3703—Stacked arrangements
    • H01L2224/37032—Two-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8485—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Leistungshalbleiterchip (2), wobei der Leistungshalbleiterchip (2) mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6) aufweist, wobei sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode (5) und der Oberseitenelektrode (3) ausbildet, und wobei die Rückseitenelektrode (5) auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert ist und die Oberseitenelektrode (3) über ein Verbindungselement (9) mit mindestens einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch in Verbindung steht, wobei das Verbindungselement (9) eine elektrisch leitende Folie (11) auf einer der Oberseitenelektrode (3) zugewandten Oberfläche (17) aufweist und wobei sich die elektrisch leitende Folie (11) von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Leistungshalbleiterchip, wobei der Leistungshalbleiterchip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite aufweist. Dabei bildet sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode aus. Bei der Flachleitertechnik ist die Rückseitenelektrode des Leistungshalbleiterchips auf einer Flachleiter-Chipinsel eines Flachleiterrahmens oberflächenmontiert. Die Oberseitenelektrode steht über eine Verbindungsleitung oder ein Verbindungselement, auch "Clip" genannt, mit mindestens einem Innenflachleiter des Flachleiterrahmens elektrisch in Verbindung.
  • Ein derartiges Leistungshalbleiterbauteil ist aus der Druckschrift US 2003/0 162 330 A1 bekannt. Bei dem bekannten Leistungshalbleiterbauteil mit einem Leistungshalbleiterchip ist jedoch keine großflächige Elektrode auf der Oberseite des Leistungshalbleiterchips vorgesehen, sondern vielmehr ist diese großflächige Elektrode in Kontaktstreifen aufgeteilt. Die Kontaktstreifen der Oberflächenelektrode sind über Bonddrähte mit einer Sammelschiene verbunden, die ihrerseits auf einem isolierten Sockel angeordnet ist und in einen Flachleiter übergeht. Die großflächige Rückseitenelektrode ist direkt auf einer Chipinsel eines Flachleiterrahmens befestigt und steht elektrisch mit einem Außenflachleiter in Verbindung.
  • Ein Nachteil dieses Leistungshalbleiterbauteils ist es, dass die Oberflächenelektrode in schmale Streifen aufgeteilt ist, die ihrerseits in Bonddrähte übergehen. Das hat den Nachteil, dass die zulässige Strombelastung durch die Summe der Querschnitte der Bonddrähte begrenzt wird. Folglich muss der Strom in Abhängigkeit von den Durchmessern der Bonddrähte begrenzt werden, um ein Durchschmelzen der Bonddrähte des Leistungshalbleiterbauteils zu verhindern.
  • Aus der Druckschrift DE 10 2004 006 440 A1 ist ein Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich bekannt, dessen Sensorbereich mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf einem Substrat über Verbindungsleitungen gewährleistet wird, wobei diese Verbindungsleitungen entweder Bondbänder, Bonddrähte oder Flachkabel sein können.
  • Wird eine Mehrzahl von Bonddrähten für das Leistungshalbleiterbauteil eingesetzt, so begrenzen diese den maximal möglichen Strom bzw. die maximal mögliche Strombelastung durch das Leistungshalbleiterbauteil, wie es bereits aus der Druckschrift US 2003/0 162 330 A1 bekannt ist. Schließlich gibt es auch Lösungen, bei denen Flachkabel die großflächige Elektrode mit entsprechenden breiten Kontaktanschlussflächen eines Innenflachleiters verbinden. Doch auch bei diesen relativ flachen Kabeln besteht das Problem, eine zuverlässige, stoffschlüssige Verbindung zu der großflächigen Oberseitenelektrode herzustellen.
  • Aus der Druckschrift US 2005/0 127 532 A1 ist bekannt, zur Kontaktierung einer großflächige Elektrode auf der Oberseite eines Leistungshalbleiterchips für ein Leistungshalbleiterbauteil neben einer Mehrzahl von Bonddrähten Bondstreifen oder Bondbänder aus Metall zu benutzen. Dabei besteht der Nach teil, dass aufgrund der für die hohe Strombelastung erforderlichen Dicke der Streifen oder Bänder eine sichere Bondverbindung nicht gewährleistet ist.
  • In den Druckschriften US 4 766 479 A und US 6 459 147 B1 wird ebenfalls die Verwendung von elektrisch leitenden Streifen zur Kontaktierung einer großflächige Elektrode auf der Oberseite eines Leistungshalbleiterchips für ein Leistungshalbleiterbauteil mittels Löten oder eines leitfähigen Epoxids offenbart. Dabei besteht die Gefahr eines verschlechterten Kontaktes aufgrund von Verunreinigungen durch den Einsatz von Flussmittel beim Lötvorgang beziehungsweise aufgrund des sogenannten Kleberbleeds.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Leistungshalbleiterchip zu schaffen, wobei der Leistungshalbleiterchip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite aufweist und wobei sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode ausbildet, und eine höhere Stromdichte zugelassen werden kann. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden und ein Verbindungselement anzugeben, das ohne Risiko auch Hochleistungsströme von einer großflächigen Oberseitenelektrode zu mindestens einer entsprechenden Kontaktanschlussfläche auf einem Innenflachleiter zulässt.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Leistungshalbleiterchip geschaffen. Dazu weist der Leistungshalbleiterchip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite auf. Zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode bildet sich beim Betrieb des Leistungshalbleiterbauteils ein vertikaler Strompfad aus. Dazu ist die Rückseitenelektrode auf einer Flachleiter-Chipinsel oberflächenmontiert und die Oberseitenelektrode über ein Verbindungselement mit einem Innenflachleiter eines Flachleiterrahmens verbunden. Dieses Verbindungselement weist eine elektrisch leitende Folie auf einer der Oberseitenelektrode zugewandten Oberfläche auf, wobei sich die elektrisch leitende Folie von der Oberseitenelektrode zu dem Innenflachleiter erstreckt.
  • Dieses Leistungshalbleiterbauteil hat den Vorteil, dass die Stromleitfähigkeit nicht durch den Querschnitt von Bonddrähten limitiert wird und auch nicht durch den Querschnitt eines Verbindungselements begrenzt ist, sondern vielmehr durch ein Verbindungselement mit einer elektrisch leitenden Folie auf einer der Oberseitenelektrode zugewandten Oberfläche verbessert wird, wobei sich die elektrisch leitende Folie von der Oberseitenelektrode zu dem Innenflachleiter erstreckt und aufgrund hoher Stromleitfähigkeit die Stromleitfähigkeit des Verbindungselements vergrößert. Während das Verbindungselement als formstabile selbsttragende Bauteilkomponente ein Material geringer Stromleitfähigkeit aufweisen kann, um die mechanische Stabilität des Leistungshalbleiterbauteils durch beispielsweise eine Eisen-Chrom-Nickellegierung zu erhöhen, kann die elektrisch leitende Folie Metallpartikel mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit aufweisen.
  • Die hohe Stromleitfähigkeit wird in vorteilhafter Weise durch die elektrisch leitende Folie zur Verfügung gestellt. Da die elektrisch leitende Folie zwischen dem Verbindungselement und der Oberseitenelektrode bzw. dem Innenflachleiter angeordnet ist, wird der Betriebsstrom vorrangig über die elektrisch leitende Folie mit hoher Stromleitfähigkeit geleitet, ohne dass ein weniger gut leitendes Material des mechanischen Verbindungselements in Form eines "Clips" dazwischen liegt. Darüber hinaus ist es von Vorteil, dass das Leistungshalbleiterbauteil mit wesentlich höheren Stromspitzen belastet werden kann als die bisher bekannten Leistungshalbleiterbauteile mit gleicher oder ähnlicher Technologie und bekannten „Clips" bzw. Chipmaterialien.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die elektrisch leitende Folie mit dem Verbindungselement stoffschlüssig verbunden. Die elektrisch leitende Folie erreicht dadurch in vorteilhafter Weise die Stabilität des Verbindungselementes und ist selber durch die stoffschlüssige Verbindung mit dem Verbindungselement für die Funktion eines "Clips" in einem Leistungshalbleiterbauteil einsetzbar. Da üblicher Weise das Verbindungselement selbst aus einem Metall oder einer Metallplatte hergestellt wird, kann es zur Stromführung beitragen, so dass es für die elektrische Verbindung der Oberseitenelektrode mit mindestens einem Innenflachleiter vorteilhaft ist, wenn die stoffschlüssige Verbindung durch einen elektrisch leitenden Klebstoff oder durch eine Lötschicht sichergestellt wird.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die elektrisch leitfähige Folie ein mit Silberpartikeln hoch gefülltes Kunststoffmaterial auf. Dabei liegt der Füllstoffgrad vorzugsweise zwischen 92 Vol.% und 98 Vol.%. Da Silber die höchste spezifische Leitfähigkeit von Metallen aufweist, wird die elektrische Leitfähigkeit des Gesamtverbundes aus elektrisch leitfähigen Silberpartikeln und dem Material des Verbindungselementes einen bisher nicht erreichten geringen Leitungswiderstand aufweisen.
  • Das Folienmaterial kann vorzugsweise auch ein Metall aufweisen, das eine höhere Leitfähigkeit besitzt, als das mechanisch stabilisierende Verbindungselement. Insbesondere wenn das Verbindungselement beispielsweise aus einer Eisen-Nickel-Chrom-Verbindung besteht, ist es von Vorteil, wenn die elektrisch leitende Folie eine Goldfolie oder eine Goldlegierungsfolie aufweist. Dieses hat zwei Vorteile, der eine liegt darin, dass Gold eine höhere spezifische Leitfähigkeit aufweist, als Blech- oder Stahlplatten. Außerdem besitzt Gold die Eigenschaft, dass der Kontaktübergangswiderstand äußerst gering ist zu anderen Metalloberflächen, und schließlich ist Gold ein Metall, das nicht oxidiert und seine hervorragenden Kontakteigenschaften über lange Zeit beibehält. Schließlich besitzen Gold und Goldlegierungen die Eigenschaften, mit beispielsweise einer Oberseitenelektrode aus Aluminium eine niedrig schmelzende eutektische Verbindung einzugehen, so dass eine innige Verbindung einer Oberflächenelektrode des Leistungshalbleiterchips aus Aluminium möglich wird.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die elektrisch leitende Folie eine Silberfolie oder eine Silberlegierungsfolie auf. Silber ist bekanntermaßen ein Metall, dass die höchste spezifische elektrische Leitfähigkeit aufweist. Eine Silberfolie erfüllt somit die besten Voraussetzungen, um einen weniger gut elektrisch leitenden metallischen "Clip" in seinen elektrischen Verbindungseigenschaften zu verbessern. Außerdem kann Silber mit anderen Metallen Silberlot bilden, dass bei niedrigen Temperaturen stoffschlüssig, beispielsweise mit der Oberseitenelektrode des Leistungshalbleiterchips verbindbar ist. Gleiches gilt natürlich auch für die Kontaktanschlussfläche auf dem Innenflachleiter, zu dem die elektrisch leitende Folie sich erstreckt.
  • Um geometrisch eine exakte Verbindung zwischen der großflächigen Oberseitenelektrode des Leistungshalbleiterchips und der strukturierten Kontaktanschlussfläche eines Innenflachleiters zu bewirken, weist in einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die elektrisch leitende Folie eine flächige Struktur auf, die der des Innenflachleiter und der flächigen Struktur der Oberseitenelektrode angepasst ist.
  • Häufig ist der Innenflachleiter bei derartigen Leistungshalbleiterbauteilen in mehrere einzelne Innenflachleiter aufgeteilt, die mit entsprechenden Außenflachleitern elektrisch in Verbindung stehen. In diesem Fall weist die flächige Struktur der elektrisch leitenden Folie elektrisch leitende Streifen auf, die den Abstand zwischen der Oberseitenelektrode des Leistungshalbleiterchips und den Innenflachleitern überbrücken und gleichzeitig eine Kontaktierung mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf den Innenflachleitern ermöglichen.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist zwischen der Oberseitenelektrode und der elektrisch leitenden Folie eine elektrisch leitende Fügeschicht angeordnet. Gleiches gilt auch für die Kontaktanschlussflächen des mindestens einen Innenflachleiters und der elektrisch leitenden Folie. Diese elektrisch leitende Fügeschicht kann durch eine Diffusionslotschicht, durch eine Legierungslotschicht und/oder wie oben bereits erwähnt, durch eine elektrisch leitende Klebstoffschicht erreicht werden.
  • Im Falle der elektrisch leitenden Klebstoffschicht ist zwischen der Oberseitenelektrode und der elektrisch leitenden Folie eine Schicht eines Leitklebers angeordnet. Derartige Leitkleber weisen elektrisch gut leitende Metallpartikel aus Silber oder Silberlegierungen auf, so dass sie kompatibel mit beispielsweise einer Silberfolie sind und damit auch hervorragende Kontakteigenschaften entwickeln.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass der Leistungshalbleiterchip auf seiner Oberseite eine Steuerelektrode aufweist, die mit einem weiteren Innenflachleiter über einen Bonddraht elektrisch in Verbindung steht. Derartige Steuerelektroden führen nur einen geringen Schaltstrom, der verglichen mit dem eigentlichen Strompfad äußerst minimal ist, so dass eine einfache Bonddrahtverbindung ausreicht, um eine ausreichende Strombelastbarkeit für die Steuersignale zur Verfügung zu stellen. Andererseits erfordern Bonddrahttechniken einen weiteren Produktionsschritt, in dem Herstellungsverfahren derartiger Leistungshalbleiterbauteile, was den Fertigungsprozess durchaus verteuern kann.
  • Somit wird in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ein derartiger Bonddraht dadurch vermieden, dass die elektrisch leitende Folie voneinander isolierte Strukturen aufweist, die jedoch auf dem Verbindungselement angeordnet sind, so dass mit einem einzigen Verbindungs- oder Fügeschritt sowohl die Verbindung zwischen Steuerelektrode und weiterem Innenflachleiter, als auch die Verbindung zwischen großflächiger Oberseitenelektrode und dem großflächigen Innenflachleiter ausgeführt werden kann.
  • Dazu ist es erforderlich, dass zumindest im Bereich eines elektrisch leitenden Steifens der elektrisch leitenden Folie eine Isolationsschicht zwischen Verbindungselement und elektrisch leitender Folie existiert. Somit dient das Verbindungselement für das Verbinden der Steuerelektrode mit einem weiteren Innenflachleiter lediglich als mechanische Stütze oder mechanische Brücke, während das Verbindungselement für die elektrische Verbindung zwischen Oberseitenelektrode des Leistungshalbleiterchips und großflächigem Innenflachleiter durchaus zur Stromführung beitragen kann, in dem in diesem Bereich die elektrisch leitende Folie keine Isolationsschicht zum Verbindungselement hin aufweist.
  • Die Präparation einer derartigen Folie erfordert zwar eine größere Sorgfalt, weil Teilbereiche der elektrisch leitenden Folie mit dem Verbindungselement elektrisch in Verbindung stehen und andere Teilbereiche, wie sie für die Steuerelektrode erforderlich sind von dem Verbindungselement zu isolieren sind, dennoch können derartige Strukturen mit geringen Kosten für eine elektrisch leitende Folie eingebracht werden, die geringer sind, als die Kosten für einen extra Bondschritt zum Anbringen eines Bonddrahtes.
  • Vorzugsweise werden die erfindungsgemäßen Verbindungselemente mit elektrisch leitender Folie für Leistungshalbleiterbauteile verwendet, die unter dem Sammelbegriff Kompensations-Leistungshalbleiterbauteile bekannt sind, wie Leistungshalbleiterdioden mit einer Kathode als Rückseitenelektrode und einer Anode als Oberseitenelektrode oder einem sog. "Cool-MOS", der auf seiner Rückseite eine großflächige Drainelektrode und auf seiner Oberseite eine großflächige Sourceelektrode aufweist, zwischen denen der Strompfad ausgebildet wird, sobald an der oberseitig gelegenen, relativ kleinflächigen Gate-Elektrode ein entsprechendes Potential angelegt wird. Darüber hinaus können mit den erfindungsgemäßen Verbindungselementen mit elektrisch leitender Folie Leistungshalbleiterbauteile, wie IGBT-Bauteile oder PN–N+-Dioden ausgestattet werden, wobei einerseits der Durchlasswiderstand vermindert und die mechanische Stabilität erhöht wird, sowie andererseits die Gefahr der Überhitzung der Verbindungselemente verringert wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Leistungshalbleiterbauteile in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch eine Leistungshalbleiterchip weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden Leistungshalbleiterchips mit mindestens einer großflächigen Oberseitenelektrode und mindestens einer großflächigen Rückseitenelektrode hergestellt, wobei die flächige Erstreckung der Rückseitenelektrode der Größe der Rückseite selbst entspricht. Ferner werden Flachleiterrahmen mit einer Flachleiter-Chipinsel und mindestens einem Innenflachleiter, der von der Flachleiter-Chipinsel beabstandet ist, in mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen des Flachleiterrahmens bereitgestellt. Die Leistungshalbleiterchips werden in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen des Flachleiterrahmens unter stoffschlüssigem Verbinden der Rückseitenelektroden mit den Flachleiter-Chipinseln des Flachleiterrahmens aufgebracht.
  • Um die Oberseitenelektrode mit dem mindestens einen Flachleiter zu verbinden wird zunächst ein stoffschlüssiges Verbinden einer elektrisch leitende Folie mit einem Verbindungselement durchgeführt, wobei die flächige Struktur des Verbindungselements der Oberseitenelektrode und dem Innenflachleiter in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen angepasst ist. Anschließend wird das in dieser Weise präparierte Verbindungselement mit elektrisch leitender Folie auf die Oberseitenelektrode und den mindestens einen Innenflachleiter des Flachleiterrahmens aufgebracht. Nach diesem Aufbringen kann nun der Leistungshalbleiterchip mit den Verbindungselementen in einer Kunststoffgehäusemasse in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen verpackt werden. Danach erfolgt ein Trennen des Flachleiterrahmens in einzelne Leistungshalbleiterbauteile.
  • Ein derartiges Verfahren hat die nachfolgenden Vorteile.
    • 1. Durch das vorbereitende Zusammenfügen, auch "preassembly" genannt, der elektrisch leitenden Folie auch "tage" genannt, auf die Rückseite des Verbindungsele ments bzw. "Clips" wird ein Laminat geschaffen, das als Verbindungselement verwendet werden kann.
    • 2. Außerdem wird eine bessere Prozesssicherhit erreicht, zumal im Vergleich zum Kleben und Löten die Verbindung mit Hilfe des verbesserten Verbindungselements starrer ist, und dadurch der "Clip" besser positioniert werden kann.
    • 3. Ein weiterer Vorteil liegt in der niedrigen Prozesstemperatur, die niedriger ist, als beim Löten und dennoch kein Aufschmelzen der Verbindung bei Erreichen einer Temperatur von 260 Grad bewirkt, die beim Auflöten derartiger Leistungshalbleiterbauteile auf eine übergeordnete Schaltungsplatine auftreten.
    • 4. Die Verunreinigungsgefahr, wie sie durch Lötpasten zum Beispiel auftreten kann, ist bei dem erfindungsgemäßen Verbindungsprozess vermindert.
    • 5. Ferner wird eine zuverlässigere Kontaktierung zwischen dem Oberseitenkontakt und einem Verbindungselement über die elektrisch leitende Folie erreicht, da kein "Kleberbleed" und "Lotsplash" entsteht.
    • 6. Durch Strukturieren der elektrisch leitenden Folie, indem Bereiche hoher und sehr geringer Leitfähigkeit mit beispielsweise gezielter Verteilung von Silberpartikeln in einer Folie, oder durch Streifenbildung von Silberplatierungsfolien oder Goldplatierungsfolien vorgesehen werden, kann die Folie auch als Umverdrahtung für die oben erwähnte Steuerelektrode eingesetzt werden, so dass auf einen Drahtbondprozess bei einem Leistungshalblei terbauteil vollständig verzichtet werden kann. Dazu wird vorzugsweise der Leistungshalbleiterchip auf seiner Oberseite eine Steuerelektrode aufweisen, die mit einem weiteren Innenflachleiter über einen isoliert angeordneten, elektrisch leitenden Streifen der elektrisch leitenden Folie des Verbindungselement verbunden wird.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
  • 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil, einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt eine schematische Untersicht auf eine elektrisch leitenden Folie eines Verbindungselements für das Leistungshalbleiterbauteil gemäß 1;
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Verbindungselement mit elektrisch leitender Folie gemäß 2;
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Leistungshalbleiterbauteil gemäß 1;
  • 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil, einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 6 zeigt eine schematische Unterschicht auf eine strukturierte elektrisch leitende Folie eines Verbindungselements für das Leistungshalbleiterbauteil gemäß 5;
  • 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Verbindungselement mit elektrisch leitender Folie;
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Leistungshalbleiterbauteil gemäß 5.
  • 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil 1, einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Zur Verdeutlichung des Aufbaus des Leistungshalbleiterbauteils 1 ist die Kunststoffgehäusemasse 20 lediglich mit einer strichpunktierten Linie 16 gekennzeichnet. Derartige Kunststoffgehäusemassen 20 sind üblicher Weise nicht transparent und nicht durchsichtig. Außerdem sind sie zur Verminderung des Ausdehnungskoeffizienten mit keramischen Füllstoffpartikeln gefüllt.
  • Diese Draufsicht zeigt ein Verbindungselement 9, das auf einer Oberseitenelektrode 3 eines Leistungshalbleiterchips 2 angeordnet ist. Dieses Verbindungselement 9 weist fingerförmige Streifen 24 auf, die sich von der großflächigen Oberseitenelektrode 3 und dem dazu angepassten Bereich des Verbindungselements 9 zu drei Innenflachleitern 10 erstrecken, wobei die fingerförmigen Streifen 24 des Verbindungselements 9 mit den Innenflachleitern 10 elektrisch in Verbindung stehen. Diese Innenflachleiter 10 gehen in drei Source-Außenflachleiter S über.
  • Auf der Oberseite 4 des Leistungshalbleiterchips 2 ist neben der großflächigen Oberseitenelektrode 3, die hier eine Source-Elektrode ist, eine kleinflächige Elektrode 23 angeordnet, die eine Steuerelektrode 13 aufweist, wobei die Steuerelektrode 13 über einen Bonddraht 14 mit einem Durchmesser d auf einer Kontaktanschlussfläche 25 eines weiteren Innenflachleiters 15 elektrisch verbunden ist. Dabei geht dieser Innenflachleiter 15 in einen Gate-Außenflachleiter G über. Um einen niedrigen Übergangswiderstand von dem Verbindungselement 9 auf die Innenflachleiter 10 zu gewährleisten, weist das Verbindungselement 9 auf seiner zu der Oberflächenelektrode 3 zugewandten Oberfläche 17 eine elektrisch leitende Folie 11 auf, die in 2 gezeigt wird.
  • 2 zeigt eine schematische Untersicht auf eine elektrisch leitenden Folie 11 eines Verbindungselements 9 für das Leistungshalbleiterbauteil 1 gemäß 1. Diese elektrische Verbindungsfolie 11 ist bei dieser ersten Ausführungsform der Erfindung aus einem mit Silberpartikeln gefüllten Kunststoff hergestellt. Dabei beträgt der Füllstoffgrad zwischen 92 Vol.% ≤ f ≤ 98 Vol.%. Durch diesen hohen Füllstoffgrad wird erreicht, dass die elektrisch leitende Folie 11 eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist. Die Breite B im Bereich der großflächigen Oberseitenelektrode 3 ist in ihrer flächigen Erstreckung der Source-Elektrode des Leistungshalbleiterchips angepasst, während die fingerförmigen Streifen 24 der elektrisch leitenden Folie 11 in ihrer Breite b der Breite der Innenflachleiter angepasst sind. Außerdem weist die Struktur der elektrisch leitenden Folie 11 eine Aussparung 26 auf, in der die kleinflächige Steuerelektrode 13 auf der Oberseite 4 des Leistungshalbleiterbauteils 2 angeordnet ist.
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Verbindungselement 9 mit elektrisch leitender Folie 11 gemäß 2. Dazu ist die elektrisch leitende Folie 11 stoffschlüssig auf der Oberfläche 17 des Verbindungselementes 9 angeordnet und weist eine Oberseite 12 auf, die einerseits auf die Oberseitenelektrode 3 aufgebracht werden kann und anderer seits auf den Innenflachleitern 10 positioniert werden kann. Dazwischen ist das Verbindungselement 9 leicht gewölbt, um den Abstand zwischen den Innenflachleitern 10 und dem Leistungshalbleiterchip 2 zu überbrücken.
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Leistungshalbleiterbauteil 1 gemäß 1. Dieser Querschnitt zeigt nun, wie das Verbindungselement 9 als "Clip" auf die Oberseite 4 bzw. die Oberseitenelektrode 3 des Leistungshalbleiterchips 2 stoffschlüssig aufgebracht ist und gleichzeitig auf dem Innenflachleiter 10 mit der elektrisch leitenden Folie 11 fixiert ist. Dabei wird der Abstand a zwischen Innenflachleiter 10 und Leistungshalbleiterchip 2 durch das Verbindungselement 9 überbrückt.
  • Die elektrisch leitende Folie 11 übernimmt bei dieser Überbrückung die Hauptstrombelastung, da ihre Stromleitfähigkeit größer ist, als die Stromleitfähigkeit des Materials des Verbindungselements 9. Dazu kann eine Goldfolie auf die Oberfläche 17 des Verbindungselements 9 plattiert sein, oder eine Silberfolie plattiert werden, wobei die Silberfolie die höchste spezifische elektrische Leitfähigkeit der Metalle aufweist. Die einzelnen Komponenten, wie der Drain-Außenkontakt D auf der Unterseite 21 des Leistungshalbleiterbauteils 1, der Source-Außenflachleiter S, der Leistungshalbleiterchip 2, das Verbindungselement 9 und die elektrisch leitende Folie 11 sind in eine Kunststoffgehäusemasse 20 verpackt, die das Leistungshalbleiterbauteil 1 vor Beschädigungen schützt.
  • Dabei ragen die Source-Außenflachleiter S und die Drain-Außenkontakte D und der hier nicht gezeigte Gate-Außenflachleiter auf der Unterseite 21 des Leistungshalbleiterbauteilgehäuses aus der Kunststoffgehäusemasse 20 heraus. Auch eine Kontaktierung der Außenflachleiter an den Randseiten 27 und 28 des Leistungshalbleiterbauteils 1 ist möglich.
  • 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil 30, einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • In 5 ist nicht nur die Kunststoffgehäusemasse weggelassen und durch eine strichpunktierte Linie 16 gekennzeichnet, sondern auch das Verbindungselement ist zunächst nicht gezeigt, sondern lediglich eine elektrisch leitende, strukturierte Folie 22, welche die großflächige Oberseitenelektrode 3 des Leistungshalbleiterchips 2 mit entsprechenden Innenflachleitern 10 elektrisch verbindet.
  • Dazu weist die elektrisch leitende Folie 22 Bereiche auf, die durch eine hohe Füllung von Silberpartikeln elektrisch leitend sind und andere Bereiche, die aufgrund von Nichtbefüllen mit elektrisch leitenden Partikeln isolierend sind. Dadurch ist es möglich, eine strukturierte elektrisch leitende Folie 22 zur Verfügung zu stellen, die nicht nur die großflächige Oberseitenelektrode 3 mit den Innenflachleitern 10 elektrisch verbindet, sondern isoliert davon die kleinflächige Elektrode 23 der Steuerelektrode 13 des Leistungshalbleiterbauteils 30 mit einem weiteren Innenflachleiter 15 elektrisch verbinden kann, ohne dass es zu Kurzschlüssen zwischen dem elektrisch leitenden Folienstreifen 19 für die kleinflächige Elektrode 23 und den fingerförmigen Streifen 24 für die großflächige Elektrode 3 kommt.
  • 6 zeigt eine schematische Untersicht auf eine strukturierte elektrisch leitende Folie 22 eines Verbindungselements 9 für das Leistungshalbleiterbauteil 30 gemäß 5. Auch hier wird deutlich, dass diese strukturierte elektrisch leitende Folie 22 keine Aussparung für den sogenannten Gate-Anschluss benötigt, sondern vielmehr einen elektrisch leitenden Folienstreifen 19 in der Breite b aufweist, der anstelle eines Bonddrahtes, wie er in der ersten Ausführungsform der Erfindung gezeigt wird, nun die kleinflächige Elektrode 23 mit einem entsprechenden Gate-Außenflachleiter G, wie er in 5 gezeigt wird, verbinden kann.
  • 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Verbindungselement 9 mit strukturierter, elektrisch leitender Folie 22. Der Unterschied zu dem Verbindungselement 9 der ersten Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass dieses Verbindungselement 9 nun vollständig eben ausgeführt werden kann, da es gleichzeitig auch die kleinflächige Elektrode 23 mit einem entsprechenden weiteren Flachleiter 15 verbinden kann.
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Leistungshalbleiterbauteil 30 gemäß 5, wobei die Kunststoffgehäusemasse 20 in dieser Ausführungsform der Erfindung derart angeordnet ist, dass eine großflächige Elektrode S auf der Oberseite 29 des Leistungshalbleiterbauteils 30 frei zugänglich ist und gleichzeitig über den Innenflachleiter 10 ein Source-Anschlussflachleiter S auf der Unterseite 21 des Leistungshalbleiterbauteils 30 geschaffen wird. Der Drainaußenkontakt D hingegen kontaktiert eine großflächige Elektrode 5 auf der Rückseite 6 des Leistungshalbleiterchips 2, indem der Drainanschlußkontakt D gleichzeitig eine Flachleiter- Chipinsel 7 des ursprünglichen Flachleiterrahmens 8 bildet, auf welcher der Leistungshalbleiterchip 2 fixiert ist.
    • 1
    Leistungshalbleiterbauteil (1. Ausführungsform)
    2
    Leistungshalbleiterchip
    3
    großflächige Elektrode auf der Oberseite des Leistungshalbleiterchips
    4
    Oberseite des Leistungshalbleiterchips
    5
    großflächige Elektrode auf der Rückseite des Leistungshalbleiterchips
    6
    Rückseite des Leistungshalbleiterchips
    7
    Flachleiter-Chipinsel
    8
    Flachleiterrahmen
    9
    Verbindungselement
    10
    Innenflachleiter
    11
    elektrisch leitende Folie
    12
    Oberseite der elektrisch leitenden Folie
    13
    Steuerelektrode
    14
    Bonddraht
    15
    weiterer Innenflachleiter
    16
    strichpunktierte Linie
    17
    Oberfläche des Verbindungselementes
    18
    flächige Struktur
    19
    elektrisch leitender Folienstreifen
    20
    Kunststoffgehäusemasse
    21
    Unterseite des Halbleiterbauteils
    22
    strukturierte, elektrisch leitende Folie
    23
    kleinflächige Elektrode auf der Oberseite des Leistungshalbleiterchips
    24
    Streifen des Verbindungselements
    25
    Kontaktanschlussfläche
    26
    Aussparung der elektrisch leitenden Folie
    27
    Randseite des Leistungshalbleiterbauteils
    28
    Randseite des Leistungshalbleiterbauteils
    29
    Oberseite des Leistungshalbleiterbauteils
    30
    Leistungshalbleiterbauteil (2. Ausführungsform)
    a
    Abstand
    b, B
    Breite des elektrisch leitenden Folienstreifens
    d
    Bonddrahtdurchmesser
    D
    Drain-Außenkontakt
    G
    Gate-Außenflachleiter
    S
    Source-Außenflachleiter

Claims (12)

  1. Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Leistungshalbleiterchip (2), wobei der Leistungshalbleiterchip (2) mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6) aufweist, wobei sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode (5) und der Oberseitenelektrode (3) ausbildet, und wobei die Rückseitenelektrode (5) auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert ist und die Oberseitenelektrode (3) über ein Verbindungselement (9) mit mindestens einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch in Verbindung steht, wobei das Verbindungselement (9) eine elektrisch leitende Folie (11) auf einer der Oberseitenelektrode (3) zugewandten Oberfläche (17) aufweist und wobei sich die elektrisch leitende Folie (11) von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt.
  2. Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Folie (11) eine mit Silberpartikeln gefüllte Kunststofffolie ist, wobei der Füllstoffgrad f 92 Vol.% ≤ f ≤ 98 Vol.% ist.
  3. Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Folie (11) eine Goldplattierungsfolie oder eine Goldlegierungsfolie aufweist.
  4. Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Folie (11) eine Silberplattierungsfolie oder eine Silberlegierungsfolie aufweist.
  5. Leistungshalbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Folie (11) eine flächige Struktur (18) aufweist, die der flächigen Struktur (18) des Innenflachleiters (10) und der flächigen Struktur der Oberseitenelektrode (3) angepasst ist.
  6. Leistungshalbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Oberseitenelektrode (3) und der elektrisch leitenden Folie (11) eine elektrisch leitende Fügeschicht angeordnet ist.
  7. Leistungshalbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Oberseitenelektrode (3) und der elektrisch leitenden Folie (11) eine Schicht eines Leitklebers angeordnet ist.
  8. Leistungshalbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiterchip (2) auf seiner Oberseite (4) eine Steuerelektrode (13) aufweist, die mit einem weite ren Innenflachleiter (15) über einen Bonddraht (14) elektrisch in Verbindung steht.
  9. Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiterchip (2) auf seiner Oberseite (4) eine Steuerelektrode (13) aufweist, die mit einem weiteren Innenflachleiter (15) über eine strukturierte, elektrisch leitenden Folie (22) des Verbindungselements (9) in Verbindung steht, wobei die Folie (22) derart strukturiert ist, dass ein elektrisch von dem Verbindungselement (9) isolierter Folienstreifen (19) in Breite und flächiger Erstreckung der Steuerelektrode (13) und dem weiteren Innenflachleiter (15) angepasst ist.
  10. Verfahren zur Herstellung mehrerer Leistungshalbleiterbauteile (1) in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Leistungshalbleiterchip (2), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen von Leistungshalbleiterchips (2) mit einer großflächigen Oberseitenelektrode (3) und einer großflächigen Rückseitenelektrode (5), wobei die flächige Erstreckung der Rückseitenelektrode (5) der Größe der Rückseite (6) entspricht, – Bereitstellen eines Flachleiterrahmens (8) mit einer Flachleiter-Chipinsel (7) und mindestens einem Innenflachleiter (10) beabstandet zu der Flachleiter-Chipinsel (7) in mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen; – Aufbringen der Leistungshalbleiterchips (2) in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen unter stoffschlüssigem Verbinden der Rückseitenelektroden (5) mit den Flachleiter-Chipinseln (7) des Flachleiterrahmens (8); – stoffschlüssiges Verbinden einer elektrisch leitende Folie (11) mit einem Verbindungselement (9), dessen flächige Struktur der Oberseitenelektrode (3) und dem Innenflachleiter (10) in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen angepasst ist; – Aufbringen des Verbindungselements (9) mit elektrisch leitenden Folie (11) auf die Oberseitenelektrode (3) und den Innenflachleiter (10); – Verpacken der Leistungshalbleiterchips (2) mit den Verbindungselementen (9) in einer Kunststoffgehäusemasse (20) in den Leistungshalbleiterbauteilpositionen; – Trennen des Flachleiterrahmens (8) in einzelne Leistungshalbleiterbauteile (1).
  11. Verfahren nach Anspruch 10 dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiterchip (2) auf seiner Oberseite (4) eine Steuerelektrode (13) aufweist, die mit einem weiteren Innenflachleiter (15) über einen Bonddraht (14) elektrisch verbunden wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiterchip (2) auf seiner Oberseite (4) eine Steuerelektrode (13) aufweist, die mit einem weiteren Innenflachleiter (15) über einen isoliert angeordneten, elektrisch leitenden Folienstreifen der elektrisch leitenden Folie (11) des Verbindungselements (9) verbunden wird.
DE102005049687A 2005-10-14 2005-10-14 Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung Expired - Fee Related DE102005049687B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005049687A DE102005049687B4 (de) 2005-10-14 2005-10-14 Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung
US11/581,678 US8013441B2 (en) 2005-10-14 2006-10-16 Power semiconductor device in lead frame employing connecting element with conductive film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005049687A DE102005049687B4 (de) 2005-10-14 2005-10-14 Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005049687A1 DE102005049687A1 (de) 2007-04-26
DE102005049687B4 true DE102005049687B4 (de) 2008-09-25

Family

ID=37905136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005049687A Expired - Fee Related DE102005049687B4 (de) 2005-10-14 2005-10-14 Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8013441B2 (de)
DE (1) DE102005049687B4 (de)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006060484B4 (de) * 2006-12-19 2012-03-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
US7705436B2 (en) * 2007-08-06 2010-04-27 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with semiconductor chip and method for producing it
DE102008002954A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Schott Solar Gmbh Löt-Stützstelle für Solarmodule und Dünnschichtsolarmodule
US8110912B2 (en) * 2008-07-31 2012-02-07 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
JP2011014871A (ja) * 2009-06-01 2011-01-20 Elpida Memory Inc 半導体装置
DE102009024385B4 (de) * 2009-06-09 2011-03-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung
US8586414B2 (en) * 2010-12-14 2013-11-19 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Top exposed package and assembly method
JP5473733B2 (ja) * 2010-04-02 2014-04-16 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
CN102315186A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 万国半导体股份有限公司 一种通过印刷粘接材料封装的半导体器件及其制造方法
US9105562B2 (en) 2011-05-09 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package and packaging methods
US9269685B2 (en) 2011-05-09 2016-02-23 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package and packaging methods
US9425116B2 (en) 2011-05-09 2016-08-23 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package and a method for manufacturing an integrated circuit package
DE102012112328A1 (de) * 2011-12-15 2013-06-20 Infineon Technologies Ag Integrierter-Schaltkreis-Gehäuse und Häusungsverfahren
US8786111B2 (en) 2012-05-14 2014-07-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages and methods of formation thereof
US9123708B2 (en) * 2013-03-01 2015-09-01 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor chip package
US10283699B2 (en) * 2016-01-29 2019-05-07 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Hall-effect sensor isolator
CN111316428B (zh) * 2017-10-26 2023-10-20 新电元工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
DE102018206482B4 (de) * 2018-04-26 2024-01-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Verbundwerkstoffclip aus Verbundmaterial
KR101982555B1 (ko) 2018-11-27 2019-05-27 제엠제코(주) 복합 클립 구조체 및 이를 이용한 반도체 패키지
CN112595908B (zh) * 2020-11-25 2023-11-17 四川金湾电子有限责任公司 引线框架检测系统及检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766479A (en) * 1986-10-14 1988-08-23 Hughes Aircraft Company Low resistance electrical interconnection for synchronous rectifiers
US6459147B1 (en) * 2000-03-27 2002-10-01 Amkor Technology, Inc. Attaching semiconductor dies to substrates with conductive straps
US20030162330A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US20050127532A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-16 Leeshawn Luo Inverted J-lead package for power devices
DE102004006440A1 (de) * 2004-02-09 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich und Verfahren zur Herstellung desselben

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3877401B2 (ja) * 1997-03-10 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6040626A (en) 1998-09-25 2000-03-21 International Rectifier Corp. Semiconductor package
KR20000057810A (ko) * 1999-01-28 2000-09-25 가나이 쓰토무 반도체 장치
DE10027243A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Abb Research Ltd Hochtemperatursupraleiteranordnung
JP4102012B2 (ja) * 2000-09-21 2008-06-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3563387B2 (ja) * 2001-01-23 2004-09-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置用導電性硬化樹脂及び半導体装置
CN1630946A (zh) * 2001-07-12 2005-06-22 株式会社日立制作所 电子电路部件
JP2003110077A (ja) * 2001-10-02 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6798046B1 (en) * 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
DE10208635B4 (de) * 2002-02-28 2010-09-16 Infineon Technologies Ag Diffusionslotstelle, Verbund aus zwei über eine Diffusionslotstelle verbundenen Teilen und Verfahren zur Herstellung der Diffusionslotstelle
DE10328265A1 (de) 2003-06-23 2005-01-27 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil und Nutzen zu seiner Herstellung
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US20050121806A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 White Electronic Designs Corporation Method for attaching circuit elements
DE102004036905A1 (de) 2004-07-29 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Vertikales Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
JP4468115B2 (ja) * 2004-08-30 2010-05-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
DE102005039165B4 (de) 2005-08-17 2010-12-02 Infineon Technologies Ag Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766479A (en) * 1986-10-14 1988-08-23 Hughes Aircraft Company Low resistance electrical interconnection for synchronous rectifiers
US6459147B1 (en) * 2000-03-27 2002-10-01 Amkor Technology, Inc. Attaching semiconductor dies to substrates with conductive straps
US20030162330A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US20050127532A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-16 Leeshawn Luo Inverted J-lead package for power devices
DE102004006440A1 (de) * 2004-02-09 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich und Verfahren zur Herstellung desselben

Also Published As

Publication number Publication date
US20070085201A1 (en) 2007-04-19
DE102005049687A1 (de) 2007-04-26
US8013441B2 (en) 2011-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005049687B4 (de) Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung
DE102006037118B3 (de) Halbleiterschaltmodul für Bordnetze mit mehreren Halbleiterchips, Verwendung eines solchen Halbleiterschaltmoduls und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006050291B4 (de) Elektronische Baugruppe und Verfahren, um diese zu bestücken
DE102005039478B4 (de) Leistungshalbleiterbauteil mit Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006015447B4 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit einem Leistungshalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006008632B4 (de) Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005054872B4 (de) Vertikales Leistungshalbleiterbauelement, Halbleiterbauteil und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007027378B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005039165B4 (de) Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006060484B4 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006021959A1 (de) Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005034485A1 (de) Verbindungselement für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2840514A1 (de) Leistungssteuergeraet und verfahren zum anbringen desselben
DE102006031405A1 (de) Halbleitermodul mit Schaltfunktionen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007007142A1 (de) Nutzen, Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102007036841B4 (de) Halbleiterbauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006012007B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit oberflächenmontierbaren flachen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben und dessen Verwendung
DE102008058003B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul
DE10124141B4 (de) Verbindungseinrichtung für eine elektronische Schaltungsanordnung und Schaltungsanordnung
DE102004036905A1 (de) Vertikales Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10357789B4 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE102020208360B4 (de) Formdraht, Leiterplatte, Leistungselektronik und Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte
DE102009044933B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit mindestens zwei verbundenen Schaltungsträgern und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit mindestens zwei verbundenen Schaltungsträgern
DE102007044046B4 (de) Verfahren zur internen Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls
DE10139985B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee