DE112021004935T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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die pad
semiconductor element
terminal
input
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DE112021004935.6T
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Hiroaki Matsubara
Yoshizo OSUMI
Tomohira Kikuchi
Shingo Matsumaru
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist ein leitendes Trägerelement mit ersten und zweiten Die-Pads, ein erstes Halbleiterelement auf dem ersten Die-Pad, ein zweites Halbleiterelement auf dem zweiten Die-Pad zur Bildung einer ersten ausgangsseitigen Schaltung und ein Dichtungsharz auf. Das erste Halbleiterelement weist einen Schaltungsteil auf, der eine eingangsseitige Schaltung bildet, und einen isolierenden Teil, der ein Signal zwischen der eingangsseitigen und der ersten ausgangsseitigen Schaltung überträgt, während er eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen und der ersten ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt. Das Dichtungsharz weist eine erste und eine zweite Seitenfläche auf, die in x-Richtung voneinander beabstandet sind, sowie eine dritte Seitenfläche, die senkrecht zu einer y-Richtung verläuft. Das leitende Trägerelement weist eingangsseitige Terminals auf, die aus der ersten Seitenfläche herausragen, und erste ausgangsseitige Terminals, die aus der zweiten Seitenfläche herausragen. Das leitende Trägerelement ist an der dritten Seitenfläche nicht freiliegend.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil, das in einem einzigen Gehäuse bereitgestellt wird, in dem Signale zwischen einer Vielzahl von Halbleiterelementen über ein isolierendes Teil oder Isolations-Teil übertragen werden.
  • HINTERGRUND
  • Wechselrichter-Vorrichtungen („inverter devices“) werden üblicherweise in Haushaltsgeräten und elektronischen Fahrzeugen (einschließlich Hybridfahrzeugen, was auch im Folgenden gilt) eingesetzt. Beispielsweise weist eine in ein elektronisches Fahrzeug eingebaute Wechselrichter-Vorrichtung eine Vielzahl von Leistungshalbleitern, wie beispielsweise Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) und Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), und ein weiteres Halbleiterbauteil (einschließlich eines Steuerelements und eines Antriebselements) auf. Für den Betrieb der Wechselrichter-Vorrichtung wird ein Steuersignal von einer Motorsteuereinheit (ECU) in das Steuerelement des Halbleiterbauteils eingegeben. Das Steuerelement wandelt das Steuersignal in ein Pulsweitenmodulationssignal (PWM) um und gibt das resultierende Signal an das Antriebselement weiter. Basierend auf dem PWM-Steuersignal steuert das Ansteuerungselement das Schalten der Vielzahl von (z.B. sechs) Leistungshalbleitern zu einem geeigneten Zeitpunkt. Wenn die sechs Leistungshalbleiter zu entsprechenden Zeitpunkten ein- und ausgeschaltet werden, wird die von einer im Fahrzeug montierten Batterie gelieferte Gleichspannung in eine für den Antrieb des Motors geeignete dreiphasige Wechselspannung gewandelt. Patentschrift 1 offenbart ein Halbleiterbauteil (eine Ansteuerschaltung) zur Verwendung in einer Motorantriebsvorrichtung.
  • In einem Beispiel sind das Steuerelement und das oben beschriebene Antriebselement in einem einzigen Gehäuse ausgewiesen. In einigen Fällen sind die für das Steuerelement und das Antriebselement erforderlichen Quellenspannungen unterschiedlich. In dieser Hinsicht ist es wünschenswert, eine erhöhte Spannungsisolierung zwischen dem Leitungspfad zum Steuerelement und dem Leitungspfad zum Antriebselement zu haben.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2014-155412
  • KURZZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösendes Problem
  • In Anbetracht der oben beschriebenen Umstände kann die vorliegende Offenbarung darauf abzielen, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das zur Erhöhung der Spannungsisolierung geeignet ist.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird eine Halbleiterbauteil bereitgestellt, das ein leitendes Trägerelement, ein erstes Halbleiterelement, ein zweites Halbleiterelement und ein Dichtungsharz aufweist. Das leitende Trägerelement weist ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad auf, das von dem ersten Die-Pad in einem ersten Sinne einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung beabstandet ist und auf einem Potential gehalten wird, das sich von dem des ersten Die-Pads unterscheidet. Das erste Halbleiterelement ist auf dem ersten Die-Pad montiert. Das zweite Halbleiterelement ist auf dem zweiten Die-Pad montiert, um zusammen mit dem zweiten Die-Pad eine ausgangsseitige Schaltung zu bilden. Das Dichtungsharz deckt zumindest einen Abschnitt des leitenden Trägerelements, des ersten Halbleiterelement und des zweiten Halbleiterelementn ab. Das erste Halbleiterelement weist auf: einen Schaltungsteil, der zusammen mit dem ersten Die-Pad eine eingangsseitige Schaltung bildet; und einen isolierenden Teil, der ein Signal zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung überträgt, während er eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt. Das leitende Trägerelement weist auf: eine Vielzahl von Eingangs-Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei zumindest eines aus der Vielzahl der Eingangs-Terminals elektrisch mit der eingangsseitigen Schaltung verbunden ist; und eine Vielzahl von Ausgangs-Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei zumindest eines aus der Vielzahl der Ausgangs-Terminals elektrisch mit der ausgangsseitigen Schaltung verbunden ist. Das Dichtungsharz weist auf: eine erste Seitenfläche, die in einem ersten Sinn einer zweiten Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung versetzt ist, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals von der ersten Seitenfläche vorsteht; eine zweite Seitenfläche, die in einem zweiten Sinn der zweiten Richtung versetzt ist, wobei die Vielzahl der ausgangsseitigen Terminals von der zweiten Seitenfläche vorsteht; eine dritte Seitenfläche, die in dem ersten Sinn der ersten Richtung versetzt ist und mit der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche verbunden ist; und eine vierte Seitenfläche, die in einem zweiten Sinn der ersten Richtung versetzt ist und mit der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche verbunden ist. Das leitende Trägerelement ist an der dritten Seitenfläche nicht freiliegend.
  • Vorteile der Erfindung
  • Entsprechend der oben beschriebenen Ausgestaltung weist das erste Halbleiterelement den isolierenden Teil auf, der ein Signal zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung überträgt und der eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt. Dies dient der Erhöhung der Spannungsisolation zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung. Entsprechend der oben beschriebenen Ausgestaltung liegt das leitende Trägerelement zudem nicht an der dritten Seitenfläche des Dichtungsharzes frei. Dies dient dazu, den Isolationsabstand (Kriechstrecke, „creepage distance“) zwischen der Vielzahl der eingangsseitigen Terminals und der Vielzahl der ausgangsseitigen Terminals zu erhöhen. Dies dient des Weiteren zur Erhöhung der Spannungsisolation.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden durch die nachstehende detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen deutlicher.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist ein Halbleiterbauteil wie das in 1 dargestellte Halbleiterbauteil, wobei das Dichtungsharz transparent dargestellt ist.
    • 3 ist eine Vorderansicht des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
    • 4 ist eine Rückansicht des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
    • 5 ist eine Ansicht der linken Seite des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
    • 6 ist eine Ansicht von der rechten Seite des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII der 2.
    • 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VIII-VIII von 2.
    • 9 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 2.
    • 10 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 2.
    • 11 ist eine Draufsicht, in der ein Verfahren zur Herstellung des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils gezeigt ist.
    • 12 ist eine Draufsicht, in der ein Verfahren zur Herstellung des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils gezeigt ist.
    • 13 ist eine Draufsicht, in der ein Verfahren zur Herstellung des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils gezeigt ist.
    • 14 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Sofern nicht anders vermerkt, schließen die in der vorliegenden Offenbarung verwendeten Ausdrücke wie „ein Objekt A ist in einem Objekt B ausgebildet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B ausgebildet“ die Ausdrücke „das Objekt A ist in direktem Kontakt mit dem Objekt B ausgebildet“ und „das Objekt A ist auf dem Objekt B ausgebildet, wobei ein weiteres Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. In ähnlicher Weise, sofern nicht anders vermerkt, schließen die Formulierungen wie „ein Objekt A ist in einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“ die Formulierungen „das Objekt A ist in direktem Kontakt mit dem Objekt B angeordnet“ und „das Objekt A ist auf dem Objekt B angeordnet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. In ähnlicher Weise, sofern nicht anders vermerkt, schließt die Formulierung „ein Objekt A ist auf einem Objekt B platziert“ die Formulierung „das Objekt A ist in direktem Kontakt mit dem Objekt B platziert“ und „das Objekt A ist auf dem Objekt B platziert, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B platziert ist“ mit ein. Darüber hinaus, sofern nicht anders vermerkt, schließt die Formulierung „ein Objekt A überlappt mit einem Objekt B, wenn es in einer bestimmten Richtung betrachtet wird“ „das Objekt A überlappt mit dem gesamten Objekt B, wenn es in der Richtung betrachtet wird“ und „das Objekt A überlappt mit einem Abschnitt des Objekts B, wenn es in der Richtung betrachtet wird“ mit ein.
  • Die 1 bis 10 zeigen ein Beispiel für ein Halbleiterbauteil entsprechend einer ersten Ausführungsform. Das Halbleiterbauteil A10 ist ein verpacktes Produkt, das ein erstes Halbleiterelement 11, ein zweites Halbleiterelement 12, ein drittes Halbleiterelement 13, ein leitendes Trägerelement 2, eine Vielzahl von Drähten 61, 62, 63 und 64 und ein Dichtungsharz 7 aufweist. Das leitende Trägerelement 2 weist ein erstes Die-Pad 3, ein zweites Die-Pad 4a, ein drittes Die-Pad 4b, eine Vielzahl von eingangsseitigen Terminals 51, eine Vielzahl von ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und eine Vielzahl von zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 auf. Das Halbleiterbauteil A10 kann zur Oberflächenmontage auf einer Verdrahtungsplatte eines Wechselrichters eines Elektrofahrzeugs ausgebildet sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Das heißt, das Halbleiterbauteil A10 kann auch andere Verwendungen und/oder andere Funktionen haben. Das Halbleiterbauteil A10 ist in einem Small Outline Package (SOP) enthalten, es können jedoch auch andere Gehäusetypen verwendet werden.
  • 1 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A10. 2 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A10, wobei der Umriss des Dichtungsharzes 7 in einer virtuellen Linie (zweipunktig-gestrichelte Linie) dargestellt ist. 3 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A10. 4 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils A10. 5 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils A10 von der linken Seite. 6 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils A10 von der rechten Seite. 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII der 2. 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VIII-VIII von 2. 9 ist eine vergrößerte Ansicht von 2 (sie zeigt einen Abschnitt um einen zweiten Bond 6b eines Drahtes 61c, der später beschrieben wird). 10 ist eine vergrößerte Ansicht von 2 (sie zeigt einen Abschnitt um einen zweiten Bond 6b eines Drahtes 61a, der später beschrieben wird).
  • Das Halbleiterbauteil A10 hat in der Dickenrichtung gesehen eine rechteckige Form (in Draufsicht). Der Einfachheit halber wird die Dickenrichtung des Halbleiterbauteils A10 als z-Richtung bezeichnet. Die Richtung, die senkrecht zur z-Richtung und parallel zu den kürzeren Seiten des Halbleiterbauteils A10 verläuft, wird als x-Richtung bezeichnet. Die Richtung, die senkrecht zur z- und x-Richtung verläuft, wird als y-Richtung bezeichnet. Darüber hinaus wird die Seite in einem ersten Sinn (bzw. einer ersten Richtung) der z-Richtung als zl-Seite bezeichnet, während die Seite in einem zweiten Sinn (bzw. in einer zweiten Richtung) der z-Richtung als z2-Seite bezeichnet wird. Ähnliche Definitionen gelten für die x- und y-Richtung. Die x- und y-Richtungen können als „erste Richtung“ bzw. „zweite Richtung“ (oder umgekehrt) bezeichnet werden. Die Formen und Abmessungen des Halbleiterbauteils A10 sind nicht speziell begrenzt.
  • Das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 sind wesentlich für die Funktionalität des Halbleiterbauteils A10.
  • Wie in 2 gezeigt, ist das erste Halbleiterelement 11 auf einem Abschnitt des leitenden Trägerelements 2 (auf einem ersten Die-Pad 3, das später beschrieben wird) angebracht und in der Mitte des Halbleiterbauteils A10 in x- und y-Richtung angeordnet. Das erste Halbleiterelement 11 hat eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist als in z-Richtung gesehen. Das erste Halbleiterelement 11 weist ein Substrat (nicht dargestellt) auf, das aus Si besteht, und weist auch einen Schaltungsteil 111 und einen isolierenden Teil 112 auf, die auf dem Substrat ausgebildet sind, wie in 2 gezeigt.
  • Der Schaltungsteil 111 ist innerhalb des ersten Halbleiterelements 11 in Richtung der x1-Seite in x-Richtung versetzt und weist eine Schaltung zum Wandeln eines von einer ECU eingegebenen Steuersignals in ein PWM-Steuersignal und eine Übertragungsschaltung zum Übertragen des PWM-Steuersignals an das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 auf. Bei dieser Ausführungsform empfängt der Schaltungsteil 111 Steuersignale für High-Side und Low-Side und überträgt ein High-Side-PWM-Steuersignal an das zweite Halbleiterelement 12 und ein Low-Side-PWM-Steuersignal an das zweite Halbleiterelement 12.
  • Der isolierende Teil 112 ist innerhalb des ersten Halbleiterelements 11 in Richtung der x2-Seite in der x-Richtung versetzt und implementiert die Übertragung von PWM-Steuersignalen in einem isolierten Zustand bzw. Bedingung. Der isolierende Teil 112 ist elektrisch mit dem Schaltungsteil 111 im ersten Halbleiterelement 11 verbunden, um PWM-Steuersignale von der Übertragungsschaltung des Schaltungsteils 111 zu empfangen, und implementiert eine isolierte Übertragung der PWM-Steuersignale an das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13. Insbesondere überträgt der isolierende Teil 112 Signale zwischen dem Schaltungsteil 111 und dem zweiten und dritten Halbleiterelement 12 und 13, während er auch eine elektrische Isolierung zwischen dem Schaltungsteil 111 und den zweiten/dritten Halbleiterelementen 12, 13 bereitstellt. In einem Beispiel ist der isolierende Teil 112 von induktiver Art. Bei dieser Ausführungsform kann der isolierende Teil 112 ein Isolier-(oder Isolations-) Transformator („transformer“) sein, der durch induktives Koppeln einer Vielzahl von Induktoren (Spulen) aus z.B. Cu, die auf dem Substrat ausgebildet sind, hergestellt wird, um so eine isolierte Übertragung von elektrischen Signalen zu realisieren. Die Vielzahl von Induktoren („inductors“) weist einen sendeseitigen Induktor und einen empfangsseitigen Induktor auf, die in Dickenrichtung (z-Richtung) des ersten Halbleiterelements 11 übereinander gestapelt sind. Zwischen dem sendeseitigen Induktor und dem empfangsseitigen Induktor ist eine dielektrische Schicht, z.B. aus SiO2, eingefügt. Diese dielektrische Schicht isoliert den sendeseitigen Induktor und den empfangsseitigen Induktor elektrisch. Obwohl der isolierende Teil 112 bei dieser Ausführungsform vom induktiven Typ ist, kann der isolierende Teil 112 auch vom kapazitiven Typ sein. Ein Kondensator („capacitor“) ist ein Beispiel für einen Isolator vom kapazitiven Typ.
  • Das erste Halbleiterelement 11 überträgt die vom Schaltungsteil 111 übertragenen PWM-Steuersignale über den isolierenden Teil 112 an das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13.
  • Das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 weisen jeweils eine Schaltung zum Empfangen eines PWM-Steuersignals und eine Schaltung (Gate-Treiber bzw. - Ansteuerung) zum Schalten eines Schaltelements (wie bspw. IGBT oder MOSFET) basierend auf dem empfangenen PWM-Steuersignal auf. Wie in 2 dargestellt, ist das zweite Halbleiterelement 12 auf einem Abschnitt des leitenden Trägerelements 2 (auf einem zweiten Die-Pad 4a, das später beschrieben wird) angebracht und in y-Richtung relativ zum ersten Halbleiterelement 11 auf der y1-Seite angeordnet. Das zweite Halbleiterelement 12 steuert ein High-Side-Schaltelement an. Wie in 2 dargestellt, ist das dritte Halbleiterelement 13 auf einem Abschnitt des leitenden Trägerelements 2 (auf einem dritten Die-Pad 4b, das später beschrieben wird) angebracht und auf der y2-Seite in y-Richtung relativ zum ersten Halbleiterelement 11 angeordnet. Das dritte Halbleiterelement 13 steuert ein Low-Side-Schaltelement an.
  • Das erste Halbleiterelement 11 kann andere Signale als die PWM-Steuersignale an das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 übertragen. Beispielsweise können das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 Signale an das erste Halbleiterelement 11 übertragen, wie z.B. Sensorsignale, die von einem in der Nähe des Motors angeordneten Temperatursensor erkannt werden.
  • Im Allgemeinen handelt es sich bei einer Motortreiber- bzw. Motoransteuerschaltung, die in einer Wechselrichter-Vorrichtung für ein Elektrofahrzeug verwendet wird, um ein Halbbrückenschaltelement, das aus einem Low-Side-Schaltelement und einem High-Side-Schaltelement besteht, die durch eine Totem-Pol-Ausgestaltung verbunden sind. Bei einer Ansteuerung mit isoliertem Gate ist zu einem beliebigen Zeitpunkt nur eines von dem Low-Side-Schaltelement und dem High-Side-Schaltelement eingeschaltet. Im Hochspannungsbereich sind die Source des Low-Side-Schaltelements und die Referenzspannung des isolierten Gate-Treibers zur Ansteuerung des Low-Side-Schaltelements mit Masse verbunden, so dass sich die Einstellung der Gate-an-Source-Spannung auf die Masse bezieht. Andererseits sind die Source des High-Side-Schaltelements und die Referenzspannung des isolierten Gate-Treibers zur Ansteuerung des High-Side-Schaltelements mit dem Ausgangsknoten der Halbbrückenschaltung verbunden. Das Potenzial am Ausgangsknoten der Halbbrückenschaltung ändert sich je nachdem, ob das Low-Side-Schaltelement oder das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, so dass sich auch das Bezugspotenzial des High-Side-Isolier-Gate-Treibers ändert. Wenn das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, entspricht das Bezugspotenzial der an den Drain des High-Side-Schaltelements angelegten Spannung (z. B. 600 V oder höher). In dem Halbleiterbauteil A10 wird das zweite Halbleiterelement 12 als isolierter Gate-Treiber zur Ansteuerung eines High-Side-Schaltelements verwendet. Das zweite Halbleiterelement 12 und der Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 sind mit unterschiedlichen Massen verbunden, um die Isolierung zu gewährleisten, und das zweite Halbleiterelement 12 kann einer transienten Spannung von 600 V oder mehr gegenüber der Masse des Schaltungsteils 111 ausgesetzt sein. Angesichts einer solch großen Potentialdifferenz, die zwischen dem Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 auftritt, weist das erste Halbleiterelement 11 des Halbleiterbauteils A10 den isolierenden Teil 112 auf, der derart ausgebildet ist, dass er die eingangsseitige Schaltung, die den Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 aufweist, und die erste ausgangsseitige Schaltung, die das zweite Halbleiterelement 12 aufweist, elektrisch voneinander isoliert. Das heißt, der isolierende Teil 112 des ersten Halbleiterelements 11 sorgt für eine elektrische Isolierung zwischen der auf niedrigerem Potential gehaltenen eingangsseitigen Schaltung und der auf höherem Potential gehaltenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Darüber hinaus kann das dritte Halbleiterelement 13 des Halbleiterbauteils A10 auch als isolierte Gate-Treiber bzw. Gate-Ansteuerung für ein High-Side-Schaltelement verwendet werden. Der isolierende Teil 112 des ersten Halbleiterelements 11 kann auch für eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung, die den Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 aufweist, und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung, die das dritte Halbleiterelement 13 aufweist, sorgen.
  • Das erste Halbleiterelement 11 ist mit einer Vielzahl von Elektroden auf der oberen Fläche/Oberseite (der Fläche auf der zl-Seite) ausgestattet. Diese Elektroden sind elektrisch mit der im ersten Halbleiterelement 11 gebildeten Schaltung verbunden. In ähnlicher Weise ist das zweite Halbleiterelement 12 mit einer Vielzahl von Elektroden auf der oberen Fläche (der Fläche auf der zl-Seite) ausgestattet. Diese Elektroden sind elektrisch mit der im zweiten Halbleiterelement 12 ausgebildeten Schaltung verbunden. Das dritte Halbleiterelement 13 ist auf der oberen Fläche/Oberseite (der Fläche auf der zl-Seite) mit einer Vielzahl von Elektroden ausgestattet. Diese Elektroden sind elektrisch mit der in dem dritten Halbleiterelement 13 ausgebildeten Schaltung verbunden.
  • Das leitende Trägerelement 2 bildet den Leitungspfad, der das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 des Halbleiterbauteils A10 mit der Verdrahtungsplatte einer Wechselrichtervorrichtung verbindet. Das leitende Trägerelement 2 kann aus einer Legierungszusammensetzung bestehen, die z. B. Cu enthält. Das leitende Trägerelement 2 ist aus einem Leiterrahmen („leadframe“) 81 gebildet, der später beschrieben wird. Das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 sind auf dem leitenden Trägerelement 2 montiert. Wie in 2 gezeigt, weist das leitende Trägerelement 2 ein erstes Die-Pad 3, ein zweites Die-Pad 4a, ein drittes Die-Pad 4b, eine Vielzahl von eingangsseitigen Terminals 51, ein erstes ausgangsseitiges Terminal 52 und eine Vielzahl von zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 auf.
  • Das erste Die-Pad 3 ist in der Mitte des Halbleiterbauteils A10 in x- und y-Richtung angeordnet. Das zweite Die-Pad 4a ist von dem ersten Die-Pad 3 in y-Richtung zur Seite y1 hin beabstandet. Das dritte Die-Pad 4b ist von dem ersten Die-Pad 3 in y-Richtung zur Seite y2 hin beabstandet.
  • Wie in den 2, 7 und 8 gezeigt, ist das erste Halbleiterelement 11 auf dem ersten Die-Pad 3 montiert. Das erste Die-Pad 3, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden ist, ist eine Komponente der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Das erste Die-Pad 3 kann z.B. in z-Richtung gesehen im Wesentlichen rechteckig sein. Das erste Die-Pad 3 hat eine erste Vorderseite 31 und eine erste Rückseite 32. Wie in den 7 und 8 dargestellt, sind die erste Vorderseite 31 und die erste Rückseite 32 in z-Richtung voneinander beabstandet. Die erste Vorderseite 31 ist an der zl-Seite und die erste Rückseite 32 an der z2-Seite angeordnet. Die erste Vorderseite 31 und die erste Rückseite 32 sind im Wesentlichen flach. Das erste Halbleiterelement 11 ist mit der ersten Vorderseite 31 mit einem elektrisch leitenden Bondingmaterial (wie Lötmittel, Metallpaste oder Sintermetall) verbunden, das in den Figuren nicht dargestellt ist.
  • Wie in den 2 und 8 gezeigt, ist das zweite Halbleiterelement 12 auf dem zweiten Die-Pad 4a montiert. Das zweite Die-Pad 4a, das elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden ist, ist eine Komponente der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Das zweite Die-Pad 4 kann z.B. in z-Richtung gesehen im Wesentlichen rechteckig sein. Wie in den 2 und 8 dargestellt, ist das dritte Halbleiterelement 13 auf dem dritten Die-Pad 4b montiert. Das dritte Die-Pad 4b, das elektrisch mit dem dritten Halbleiterelement 13 verbunden ist, ist eine Komponente der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Das dritte Die-Pad 4b kann z.B. in z-Richtung gesehen im Wesentlichen rechteckig sein. Das zweite Die-Pad 4a und das dritte Die-Pad 4b haben jeweils eine zweite Vorderseite 41 und eine zweite Rückseite 42. Wie in 8 dargestellt, sind die zweite Vorderseite 41 und die zweite Rückseite 42 in z-Richtung voneinander beabstandet. Die zweite Vorderseite 41 ist an der zl-Seite und die zweite Rückseite 42 an der z2-Seite angeordnet. Die zweite Vorderseite 41 und die zweite Rückseite 42 sind im Wesentlichen flach. Das zweite Halbleiterelement 12 ist mit einem elektrisch leitenden Bondingmaterial, das in den Figuren nicht dargestellt ist, an die zweite Vorderseite 41 des zweiten Die-Pads 4a gebondet. Das dritte Halbleiterelement 13 ist mit einem elektrisch leitenden Bondingmaterial, das in den Figuren nicht dargestellt ist, an die zweite Vorderseite 41 des dritten Die-Pads 4b gebondet.
  • Die eingangsseitigen Terminals 51 bilden leitende Pfade, die das Halbleiterbauteil A10 mit der Verdrahtungsplatte einer Wechselrichtervorrichtung verbinden, wenn sie mit der Verdrahtungsplatte verbunden sind. Die eingangsseitigen Terminals 51, die bei Bedarf elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden sind, sind Komponenten der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Wie in den 1, 2 und 5 dargestellt, sind die eingangsseitigen Terminals 51 in y-Richtung voneinander beabstandet. Die eingangsseitigen Terminals 51 sind in x-Richtung auf der x1-Seite relativ zum ersten Die-Pad 3 angeordnet und ragen aus dem Dichtungsharz 7 (von der später beschriebenen ersten Seitenfläche 73) in x-Richtung zur x1-Seite hin heraus. Die eingangsseitigen Terminals 51 weisen ein leistungseingangsseitiges Terminal zum Empfangen von Versorgungsspannung, ein masseseitiges Terminal, eingangsseitige Terminals zum Empfangen von zwei verschiedenen Signalen, ein eingangsseitiges Terminal zum Empfangen eines Sperrsignals und einen Dummy-Terminal auf. Das Halbleiterbauteil A10 dieser Ausführungsform weist acht eingangsseitige Terminals 51 auf, ist aber nicht auf diese beschränkt. Jedes eingangsseitige Terminal 51 weist ein Anschluss-Segment 511 und ein Pad-Segment 512 auf.
  • Das Anschluss-Segment 511 hat eine rechteckige Form, die sich in x-Richtung erstreckt. Das Anschluss-Segment 511 hat einen Abschnitt, der aus dem Dichtungsharz 7 herausragt, und einen Abschnitt, der mit dem Dichtungsharz 7 abgedeckt ist. Wie in 7 gezeigt, ist der Abschnitt des Anschluss-Segments 511, der aus dem Dichtungsharz 7 herausragt, in einem knickflügelförmigen Profil („gull-wing“) gebogen. Der aus dem Dichtungsharz 7 freiliegende Abschnitt des Anschluss-Segments 511 kann einem Plattierungsverfahren unterzogen werden. Bei dem Plattierungsverfahren wird eine Schicht, z. B. aus einer Sn-haltigen Legierung wie bspw. Lötmittel, gebildet, um den aus dem Dichtungsharz 7 freiliegenden Abschnitt zu beschichten. Die Plattierungsschicht verbessert die Haftung des Lötmittels an dem freiliegenden Abschnitt und verhindert die Erosion des freiliegenden Abschnitts, die mit dem Löten assoziiert ist, wenn das Halbleiterbauteil A10 durch Löten mit der Verdrahtungsplatte einer Wechselrichtervorrichtung verbunden wird.
  • Das Pad-Segment 512 ist mit dem Anschluss-Segment 511 verbunden und hat eine rechteckige Form, die in y-Richtung breiter ist als das Anschluss-Segment 511. Die obere Fläche/Oberseite (die Fläche auf der zl-Seite) des Pad-Segments 512 kann einem Galvanisierungsprozess unterzogen werden. Bei dem Plattierungsverfahren wird eine Schicht aus z. B. Ag-haltigem Metall gebildet, mit der die obere Fläche des Pad-Segments 512 beschichtet wird. Die Plattierungsschicht dient dazu, die Bonding-festigkeit der später beschriebenen Drähte 61 zu erhöhen und auch den Leiterrahmen 81 (später beschrieben) vor mechanischen Stößen zu schützen, die beim Bonden der Drähte 61 zu erwarten sind, wie später noch beschrieben wird. Der gesamte Abschnitt des Pad-Segments 512 ist mit dem Dichtungsharz 7 abgedeckt. Das Pad-Segment 512 ist im Wesentlichen flach.
  • Die eingangsseitigen Terminals 51 weisen die eingangsseitigen Terminals 51a, 51b, 51c und 51d auf. Wie in 2 gezeigt, ist das eingangsseitige Terminal 51a das äußerste Terminal in y-Richtung zur Seite y1. Das eingangsseitige Terminal 51a ist ein Beispiel für ein „eingangsseitiges erstes Terminal“. Das eingangsseitige Terminal 51b befindet sich neben dem eingangsseitigen Terminal 51a, wie in 2 gezeigt. Das eingangsseitige Terminal 51b ist ein Beispiel für ein „eingangsseitiges zweites Terminal“. Das eingangsseitige Terminal 51c grenzt an das in 2 gezeigte eingangsseitige Terminal 51b an. Das eingangsseitige Terminal 51c ist über das Pad-Segment 512 mit dem Ende des ersten Die-Pads 3 auf der x1-Seite in x-Richtung von der y1-Seite in y-Richtung verbunden. Das eingangsseitige Terminal 51d ist das äußerste Terminal auf der y2-Seite in y-Richtung, wie in 2 gezeigt. Das eingangsseitige Terminal 51d ist über das Pad-Segment 512 mit dem Ende des ersten Die-Pads 3 auf der x1-Seite in x-Richtung von der y2-Seite in y-Richtung verbunden. Die eingangsseitigen Terminals 51c und 51d sind somit Träger des ersten Die-Pads 3. Das eingangsseitige Terminal 51d ist ein Beispiel für ein „Träger-Terminal“, und das eingangsseitige Terminal 51c ist ein Beispiel für ein „zweites Träger-Terminal“. Die eingangsseitigen Terminals 51 mit Ausnahme der eingangsseitigen Terminals 51c und 51d sind nicht mit dem ersten Die-Pad 3, dem zweiten Die-Pad 4a und dem dritten Die-Pad 4b verbunden und stellen Beispiele für ein „separates Terminal“ dar. Die eingangsseitigen Terminals 51 sind nicht auf bestimmte Formen beschränkt.
  • Wie die eingangsseitigen Terminals 51 bilden auch die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 Leitungspfade, die das Halbleiterbauteil A10 mit der Verdrahtungsplatte einer Wechselrichtervorrichtung verbinden, wenn sie mit der Verdrahtungsplatte gebondet sind. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die bei Bedarf elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden sind, sind Komponenten der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in den 1, 2 und 6 dargestellt, sind die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 in y-Richtung voneinander beabstandet. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 sind auf der x2-Seite in x-Richtung relativ zum zweiten Die-Pad 4a angeordnet und ragen aus dem Dichtungsharz 7 (von der später beschriebenen zweiten Seitenfläche 74) in Richtung der x2-Seite in x-Richtung heraus. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 weisen ein leistungseingangsseitiges Terminal zum Empfangen von Versorgungsspannung, ein masseseitiges Terminal, ein ausgangsseitiges High-Side-Terminal und ein Dummy-Terminal auf. Das Halbleiterbauteil A10 dieser Ausführungsform weist vier erste ausgangsseitige Terminals 52 auf, ist aber nicht darauf beschränkt. Jeder erste ausgangsseitige Terminal 52 weist ein Anschluss-Segment 521 und ein Pad-Segment 522 auf.
  • Das Anschluss-Segment 521 hat eine rechteckige Form, die sich in x-Richtung erstreckt. Das Anschluss-Segment 521 hat einen Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 7 freigelegt ist, und einen Abschnitt, der mit dem Dichtungsharz 7 abgedeckt ist. Wie in 7 gezeigt, ist der Abschnitt des Anschlusses 521, der aus dem Dichtungsharz 7 herausragt, in einem knickflügelförmigen Profil gebogen. Wie beim Anschluss-Segment 511 kann der aus dem Dichtungsharz 7 freiliegende Abschnitt des Anschluss-Segments 521 plattiert werden (z.B. mit einer Sn-haltigen Legierung, wie Lötmittel).
  • Das Pad-Segment 522 ist mit dem Anschluss-Segment 521 verbunden und ist in y-Richtung breiter als das Anschluss-Segment 521. Die Form des Pad-Segments 522 in z-Richtung gesehen ist nicht speziell begrenzt. Wie die obere Fläche/Oberseite des Pad-Segments 512 kann auch die obere Fläche/Oberseite (die Fläche auf der zl-Seite) des Pad-Segments 522 beschichtet sein (z.B. mit einer Ag-haltigen Legierung, wie bspw. Lötmittel). Der gesamte Abschnitt des Pad-Segments 522 ist mit dem Dichtungsharz 7 abgedeckt. Das Pad-Segment 522 ist im Wesentlichen flach. Bei dieser Ausführungsform ist das äußerste erste ausgangsseitige Terminal 52 zur y2-Seite hin ohne ein Pad-Segment 522.
  • Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 weisen ein erstes ausgangsseitiges Terminal 52a auf. Wie in 2 gezeigt, ist das erste ausgangsseitige Terminal 52a das dritte von der y1-Seite in y-Richtung. Das erste ausgangsseitige Terminal 52a ist über das Pad-Segment 522 mit dem Ende des zweiten Die-Pads 4a auf der x2-Seite in x-Richtung verbunden und trägt somit das zweite Die-Pad 4a. Das erste ausgangsseitige Terminal 52a ist ein Beispiel für ein „Träger-Terminal“. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 mit Ausnahme des ersten ausgangsseitigen Terminals 52a sind nicht mit dem ersten Die-Pad 3, dem zweiten Die-Pad 4a und dem dritten Die-Pad 4b verbunden und sind Beispiele für ein „separates Terminal“. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 sind nicht auf bestimmte Formen beschränkt.
  • Wie die eingangsseitigen Terminals 51 bilden auch die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 Leitungspfade, die das Halbleiterbauteil A10 mit der Verdrahtungsplatte einer Wechselrichtervorrichtung verbinden, wenn sie mit der Verdrahtungsplatte verbunden sind. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, die bei Bedarf elektrisch mit dem dritten Halbleiterelement 13 verbunden sind, sind Komponenten der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in den 1, 2 und 6 dargestellt, sind die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 in y-Richtung voneinander beabstandet. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 sind in x-Richtung auf der x2-Seite relativ zum dritten Die-Pad 4b angeordnet und ragen aus dem Dichtungsharz 7 (von der später beschriebenen zweiten Seitenfläche 74) in x-Richtung zur x2-Seite hin heraus. Relativ zu den ersten ausgangsseitigen Terminals 52 sind die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 weisen ein eingangsseitiges Leistungs-Terminal zum Empfangen von Versorgungsspannung, ein masseseitiges Terminal, ein ausgangsseitiges Low-Side-Terminal und ein Dummy-Terminal auf. Das Halbleiterbauteil A10 dieser Ausführungsform weist vier zweite ausgangsseitige Terminals 53 auf, ist aber nicht darauf beschränkt. Jedes zweite ausgangsseitige Terminal 53 weist ein Anschluss-Segment 531 und ein Pad-Segment 532 auf.
  • Das Anschluss-Segment 531 hat eine rechteckige Form, die sich in x-Richtung erstreckt. Das Anschluss-Segment 531 hat einen Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 7 freigelegt ist, und einen Abschnitt, der mit dem Dichtungsharz 7 abgedeckt ist. Wie in 3 gezeigt, ist der Abschnitt des Anschluss-Segments 531, der aus dem Dichtungsharz 7 herausragt, in einem knickflügelförmigen Profil gebogen. Wie beim Anschluss-Segment 511 kann der aus dem Dichtungsharz 7 freiliegende Abschnitt des Anschluss-Segments 531 plattiert werden (z.B. mit einer Sn-haltigen Legierung, wie bspw. Lötmittel).
  • Das Pad-Segment 532 ist mit dem Anschluss-Segment 531 verbunden und ist in y-Richtung breiter als das Anschluss-Segment 531. Die Form des Pad-Segments 532 in z-Richtung gesehen ist nicht speziell begrenzt. Wie die obere Fläche/Oberseite des Pad-Segments 512 kann auch die oberer Fläche/Oberseite (die Fläche auf der zl-Seite) des Pad-Segments 532 beschichtet sein (z.B. mit einer Ag-haltigen Legierung, wie bspw. Lötmittel). Der gesamte Abschnitt des Pad-Segments 532 ist mit dem Dichtungsharz 7 abgedeckt. Das Pad-Segment 532 ist im Wesentlichen flach. Bei dieser Ausführungsform ist das äußerste zweite ausgangsseitige Terminal 53 zur y1-Seite hin ohne ein Pad-Segment 532.
  • Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 weisen ein zweites ausgangsseitiges Terminal 53a auf. Wie in 2 gezeigt, ist das zweite ausgangsseitige Terminal 53a das zweite von der y1-Seite in y-Richtung. Das zweite ausgangsseitige Terminal 53a ist über das Pad-Segment 532 mit dem Ende des dritten Die-Pads 4b auf der x2-Seite in x-Richtung verbunden und trägt somit das dritte Die-Pad 4b. Das zweite ausgangsseitige Terminal 53a ist ein Beispiel für ein „Träger-Terminal“. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 mit Ausnahme des zweiten ausgangsseitigen Terminals 53a sind nicht mit dem ersten Die-Pad 3, dem zweiten Die-Pad 4a und dem dritten Die-Pad 4b verbunden und sind Beispiele für ein „separates Terminal“. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 sind nicht auf bestimmte Formen beschränkt.
  • In dem Halbleiterbauteil A10 kann an das zweite Halbleiterelement 12 oder das dritte Halbleiterelement 13 eine transiente Spannung von 600 V oder höher relativ zur Masse des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 angelegt werden. Dies kann dazu führen, dass zwischen den ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden sind, oder den zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, die elektrisch mit dem dritten Halbleiterelement 13 verbunden sind, und den eingangsseitigen Terminals 51, die elektrisch mit dem Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 verbunden sind, eine erhebliche Potentialdifferenz auftritt.
  • Wie in 2 dargestellt, bilden die Drähte 61, 62, 63 und 64 zusammen mit dem leitenden Trägerelement 2 Leitungspfade. Die Leitungspfade dienen dazu, dass das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 vorbestimmte Funktionen ausführen. Jeder der Drähte 61, 62, 63 und 64 kann aus einem Au, Cu oder Al enthaltenden Metall hergestellt sein.
  • Die Drähte 61 bilden Leitungspfade, die den Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 mit den eingangsseitigen Terminals 51 verbinden, wie in 2 dargestellt. Die Drähte 61 verbinden den Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 elektrisch mit zumindest einem der eingangsseitigen Terminals 51. Die Drähte 61 sind Komponenten der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Wie in 2 dargestellt, ist jeder Draht 61 mit einer Elektrode des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 und mit dem Pad-Segment 512 eines eingangsseitigen Terminals 51 verbunden. Die Drähte 61 weisen die Drähte 61a, 61b und 61c auf.
  • Der Draht 61a ist mit einer Elektrode des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 und mit dem Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51a gebondet. Folglich ist der Draht 61a relativ lang und erstreckt sich in z-Richtung gesehen durch einen Bereich in der Nähe des zweiten Halbleiterelements 12. Der Draht 61b ist mit einer Elektrode des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 und auch mit dem Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51b gebondet. Somit ist auch der Draht 61b relativ lang. Darüber hinaus erstreckt sich der Draht 61a in z-Richtung gesehen zwischen dem zweiten Halbleiterelement 12 und dem Draht 61b. Der Draht 61a ist ein Beispiel für einen „ersten Draht“, und der Draht 61b ist ein Beispiel für einen „zweiten Draht“.
  • Der Draht 61c ist mit einer Elektrode des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 und auch mit dem Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51d gebondet. Da das Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51d mit dem ersten Die-Pad 3 verbunden ist, trägt das eingangsseitige Terminal 51d das erste Die-Pad 3. Der Draht 61c ist ein Beispiel für einen „Träger-Terminal-Draht“. Die Drähte 61 mit Ausnahme des Drahtes 61c sind Beispiele für einen „separates-Terminal-Draht“.
  • Jeder Draht 62 bildet einen Leitungspfad, der den isolierenden Teil 112 des ersten Halbleiterelements 11 mit dem zweiten Halbleiterelement 12 oder dem dritten Halbleiterelement 13 verbindet, wie in den 2 und 8 gezeigt. Die Drähte 62 verbinden den isolierenden Teil 112 des ersten Halbleiterelements 11 elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 und auch mit dem dritten Halbleiterelement 13. Jeder mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbundene Draht 62 ist eine Komponente der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung, und jeder mit dem dritten Halbleiterelement 13 verbundene Draht 62 ist eine Komponente der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in 2 gezeigt, ist jeder Draht 62 mit einer Elektrode des isolierenden Teils 112 des ersten Halbleiterelements 11 und auch mit einer Elektrode des zweiten Halbleiterelements 12 oder des dritten Halbleiterelements 13 gebondet.
  • Die Drähte 63 bilden Leitungspfade, die das zweite Halbleiterelement 12 mit den ersten ausgangsseitigen Terminals 52 verbinden, wie in 2 gezeigt. Die Drähte 63 verbinden das zweite Halbleiterelement 12 elektrisch mit mindestens einem der ersten ausgangsseitigen Terminals 52. Die Drähte 63 sind Komponenten der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in 2 dargestellt, ist jeder Draht 63 mit einer Elektrode des zweiten Halbleiterelements 12 und mit dem Pad-Segment 522 eines ersten ausgangsseitigen Terminals 52 verbunden. Die leitungsgebundenen Drähte 63 weisen einen Draht 63a auf.
  • Der Draht 63a ist mit einer Elektrode des zweiten Halbleiterelements 12 und auch mit dem Pad-Segment 522 des ersten ausgangsseitigen Terminals 52a gebondet. Da das Pad-Segment 522 des ersten ausgangsseitigen Terminals 52a mit dem zweiten Die-Pad 4a verbunden ist, trägt das erste ausgangsseitige Terminal 52a das zweite Die-Pad 4a. Der Draht 63c ist ein Beispiel für einen „Träger-Terminal-Draht“. Die Drähte 63 mit Ausnahme des Drahtes 63a sind Beispiele für einen „separates-Terminal-Draht“.
  • Die Drähte 64 bilden Lietungspfade, die das dritte Halbleiterelement 13 mit den zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 verbinden, wie in 2 gezeigt. Die Drähte 64 verbinden das dritte Halbleiterelement 13 elektrisch mit zumindest einem der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53. Die Drähte 64 sind Komponenten der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in 2 gezeigt, ist jeder Draht 64 mit einer Elektrode des dritten Halbleiterelements 13 und auch mit dem Pad-Segment 532 eines zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 verbunden. Die Drähte 64 weisen einen Draht 64a auf.
  • Der Draht 64a ist mit einer Elektrode des dritten Halbleiterelements 13 und auch mit dem Pad-Segment 532 des zweiten ausgangsseitigen Terminals 53a verbunden. Da das Pad-Segment 532 des zweiten ausgangsseitigen Terminals 53a mit dem dritten Die-Pad 4b verbunden ist, trägt das zweite ausgangsseitige Terminal 53a das dritte Die-Pad 4b. Der Draht 64a ist ein Beispiel für einen „Träger-Terminal-Draht“. Die Drähte 64 mit Ausnahme des Drahtes 64a sind Beispiele für einen „separates-Terminal-Draht“.
  • Wie in 9 dargestellt, weist der Draht 61c ein Draht-Segment 6a, einen zweiten Bond 6b und einen Sicherheitsbond 6c auf. Der Draht 61c weist auch einen ersten Bond auf, der in der Figur nicht dargestellt ist. Der erste Bond ist ein Abschnitt des Drahtes, der an einer Elektrode des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 befestigt ist. Der zweite Bond 6b (so genannter „Halbmond“ („crescent“)) ist ein Abschnitt, der am Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51d befestigt ist (ein Pressrest („pressed residue“)). Das Draht-Segment 6a ist ein Hauptabschnitt (ein Linien-Abschnitt), der mit dem ersten Bond und mit dem zweiten Bond 6b verbunden ist. Der Sicherheitsbond 6c ist auf dem zweiten Bond 6b ausgebildet, um den zweiten Bond 6b zu schützen, und hat in z-Richtung gesehen eine kreisförmige Form. Das Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51d weist eine Delle („dent“) 6d in der Fläche auf, an die der Draht 61c gebondet ist (die Fläche auf der zl-Seite in z-Richtung und im Folgenden als „Bondfläche“ bezeichnet). Die Delle 6d ist eine kreisförmige Vertiefung in z-Richtung gesehen, die beim zweiten Bonding zu Herstellung des Drahtes 61c gebildet wird.
  • Bei dieser Ausführungsform hat der Sicherheitsbond 6c den Mittelpunkt C auf der gegenüberliegenden Seite des Drahtabschnitts 6a in Bezug auf den zweiten Bond 6b, gesehen in z-Richtung. Mit anderen Worten, die Bondfläche weist einen bandförmigen Bereich auf (in 9 diagonal schraffiert), der einem virtuellen Draht-Segment entspricht, das sich vom Draht-Segment 6a aus über den zweiten Bond 6b hinaus erstreckt. Der Mittelpunkt C ist innerhalb dieses bandförmigen Bereichs angeordnet. Darüber hinaus deckt (enthält) der Sicherheitsbond 6c die gesamte Grenze zwischen dem Draht-Segment 6a und dem zweiten Bond 6b ab. Außerdem überschneidet sich der Sicherheitsbond 6c in z-Richtung gesehen mit der Delle 6d. In dem dargestellten Beispiel ist ein Abschnitt der Delle 6d von dem Sicherheitsbond 6c freigelegt. Auf diese Weise deckt der Sicherheitsbond 6c den zweiten Bond 6b in geeigneter Weise ab, schützt ihn und verbessert so die Bondingsicherheit des Drahtes 61c mit der Bondfläche. Auch die Drähte 63a und 64a sind derart ausgebildet wie der Draht 61c.
  • Unter Bezugnahme auf 10 weist der Draht 61a ein Draht-Segment 6a und einen zweiten Bond 6b auf. Der Draht 61a weist auch einen ersten Bond auf, der in der Figur nicht dargestellt ist. Der erste Bond ist ein Abschnitt des Drahtes, der an einer Elektrode des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 befestigt ist. Der zweite Bond 6ba ist ein Abschnitt, der an dem Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51a befestigt ist. Wie der oben beschriebene Draht 61c hat auch der zweite Bond 6b in z-Richtung gesehen eine Halbmondform. Das Draht-Segment 6a ist ein Abschnitt, der eine Drahtschleife/-schlaufe zwischen dem ersten Bond und dem zweiten Bond 6b bildet. Das Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51a weist eine Delle 6d in einer Fläche auf, an die der Draht 61a gebondet ist (die Fläche auf der zl-Seite in z-Richtung und im Folgenden als „Bondfläche“ bezeichnet) . Bei der Delle 6d handelt es sich um eine kreisförmige Vertiefung in z-Richtung, die zum Zeitpunkt der Durchführung deszweiten Bondingverfahrens entsteht. Der Draht 61a ist derart ausgebildet wie der Draht 61c, mit der Ausnahme, dass der Draht 61a nicht mit einem Sicherheitsbond wie der Sicherheitsbond 6c bereitgestellt ist. Die Drähte 61, 63 und 64 , anders als die Drähte 61c, 63a und 64a, haben ebenfalls derart ausgebildete Ausgestaltungen wie der oben beschriebene Draht 61a.
  • Wie in 1 gezeigt, bedeckt das Dichtungsharz 7 das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12, das dritte Halbleiterelement 13, das erste Die-Pad 3, das zweite Die-Pad 4a, das dritte Die-Pad 4b, die Drähte 61 bis 64, einen Abschnitt jedes eingangsseitigen Terminals 51, einen Abschnitt jedes ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und einen Abschnitt jedes zweiten ausgangsseitigen Terminals 53. Das Dichtungsharz 7 ist elektrisch isolierend. Das Dichtungsharz 7 kann aus einem Material bestehen, das z. B. ein schwarzes Epoxidharz enthält. In z-Richtung betrachtet, hat das Dichtungsharz 7 eine rechteckige, in y-Richtung verlängerte Form.
  • Wie in den 3 bis 6 gezeigt, weist das Dichtungsharz 7 eine Oberseite 71, eine Unterseite 72, eine erste Seitenfläche 73, eine zweite Seitenfläche 74, eine dritte Seitenfläche 75 und eine vierte Seitenfläche 76 auf.
  • Die Oberseite 71 und die Unterseite 72 sind in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Oberseite 71 und die Unterseite 72 weisen in z-Richtung voneinander weg. Die Oberseite 71 ist in z-Richtung auf der zl-Seite angeordnet, und die Unterseite 72 ist in z-Richtung auf der z2-Seite angeordnet. Sowohl die Oberseite 71 als auch die Unterseite 72 sind im Wesentlichen flach.
  • Jede der ersten Seitenfläche 73, der zweiten Seitenfläche 74, der dritten Seitenfläche 75 und der vierten Seitenfläche 76 sind mit der Oberseite 71 und der Unterseite 72 verbunden und zwischen der Oberseite 71 und der Unterseite 72 in z-Richtung angeordnet. Die erste Seitenfläche 73 und die zweite Seitenfläche 74 sind in x-Richtung voneinander beabstandet. Die erste Seitenfläche 73 und die zweite Seitenfläche 74 weisen in x-Richtung voneinander weg. Die erste Seitenfläche 73 ist in x-Richtung auf der x1-Seite angeordnet, und die zweite Seitenfläche 74 ist in x-Richtung auf der x2-Seite angeordnet. Die dritte Seitenfläche 75 und die vierte Seitenfläche 76 sind in y-Richtung voneinander beabstandet und jeweils mit der ersten Seitenfläche 73 und der zweiten Seitenfläche 74 verbunden. Die dritte Seitenfläche 75 und die vierte Seitenfläche 76 weisen in y-Richtung voneinander weg. Die dritte Seitenfläche 75 ist in y-Richtung auf der y1-Seite angeordnet, und die vierte Seitenfläche 76 ist in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet.
  • Wie in 1 gezeigt, ragt ein Abschnitt jedes eingangsseitigen Terminals 51 aus der ersten Seitenfläche 73 heraus. Auch ein Abschnitt jedes ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und ein Abschnitt jedes zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 ragen aus der zweiten Seitenfläche 74 heraus. Kein Abschnitt des leitenden Trägerelements 2 liegt an der dritten Seitenfläche 75 und der vierten Seitenfläche 76 frei.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist die erste Seitenfläche 73 einen ersten Bereich 731, einen zweiten Bereich 732 und einen dritten Bereich 733 auf. Der erste Bereich 731 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Oberseite 71 und mit dem anderen Ende mit dem dritten Bereich 733 verbunden. Der erste Bereich 731 ist gegenüber der Oberseite 71 geneigt bzw. angeschrägt. Der zweite Bereich 732 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Unterseite 72 und mit dem anderen Ende mit dem dritten Bereich 733 verbunden. Der zweite Bereich 732 ist gegenüber der Unterseite 72 geneigt bzw. angeschrägt. Der dritte Bereich 733 ist mit einem Ende in z-Richtung mit dem ersten Bereich 731 und mit dem anderen Ende mit dem zweiten Bereich 732 verbunden. Der dritte Bereich 733 erstreckt sich parallel zur z-Richtung und zur y-Richtung. In z-Richtung gesehen, ist der dritte Bereich 733 relativ zur Oberseite 71 und zur Unterseite 72 außen angeordnet. Ein Abschnitt jedes eingangsseitigen Terminals 51 liegt auf dem dritten Bereich 733 frei.
  • Wie in den 3, 4 und 6 gezeigt, weist die zweite Seitenfläche 74 einen vierten Bereich 741, einen fünften Bereich 742 und einen sechsten Bereich 743 auf. Der vierte Bereich 741 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Oberseite 71 und mit dem anderen Ende mit dem sechsten Bereich 743 verbunden. Der vierte Bereich 741 ist gegenüber der Oberseite 71 geneigt. Der fünfte Bereich 742 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Unterseite 72 und mit dem anderen Ende mit dem sechsten Bereich 743 verbunden. Der fünfte Bereich 742 ist gegenüber der Unterseite 72 geneigt. Der sechste Bereich 743 ist mit einem Ende in z-Richtung mit dem vierten Bereich 741 und mit dem anderen Ende mit dem fünften Bereich 742 verbunden. Der sechste Bereich 743 erstreckt sich parallel zur z-Richtung und zur y-Richtung. In z-Richtung gesehen ist der sechste Bereich 743 relativ zur Oberseite 71 und zur Unterseite 72 außen angeordnet. Ein Abschnitt jedes ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und ein Abschnitt jedes zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 liegen in dem sechsten Bereich 743 frei.
  • Wie in den 4 bis 6 dargestellt, weist die dritte Seitenfläche 75 einen siebten Bereich 751, einen achten Bereich 752 und einen neunten Bereich 753 auf. Der siebte Bereich 751 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Oberseite 71 und mit dem anderen Ende mit dem neunten Bereich 753 verbunden. Der siebte Bereich 751 ist gegenüber der Oberseite 71 geneigt. Der achte Bereich 752 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Unterseite 72 und mit dem anderen Ende mit dem neunten Bereich 753 verbunden. Der achte Bereich 752 ist gegenüber der Unterseite 72 geneigt. Der neunte Bereich 753 ist mit einem Ende in z-Richtung mit dem siebten Bereich 751 und mit dem anderen Ende mit dem achten Bereich 752 verbunden. Der neunte Bereich 753 erstreckt sich parallel sowohl zur z-Richtung als auch zur x-Richtung. In z-Richtung gesehen ist der neunte Bereich 753 relativ zur Oberseite 71 und zur Unterseite 72 außen angeordnet.
  • Wie in 4 gezeigt, weist die dritte Seitenfläche 75 eine erste Gate-Markierung („gate mark“) 791 auf. Die erste Gate-Markierung 791 weist eine größere Oberflächenrauheit auf als die anderen Bereiche der dritten Seitenfläche 75. Die erste Gate-Markierung 791 wird während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10, wie später beschrieben, durch Entfernen von Harzgraten gebildet, die bei der Bildung des Dichtungsharzes 7 an der Seite eines ersten Gates 891 verbleiben. Wie in 1 gezeigt, ist die erste Gate-Markierung 791 an einer Verlängerungslinie L des Drahtes 61a in z-Richtung gesehen angeordnet.
  • Wie in den 3, 5 und 6 gezeigt, weist die vierte Seitenfläche 76 einen zehnten Bereich 761, einen elften Bereich 762 und einen zwölften Bereich 763 auf. Der zehnte Bereich 761 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Oberseite 71 und mit dem anderen Ende mit dem zwölften Bereich 763 verbunden. Der zehnte Bereich 761 ist gegenüber der Oberseite 71 geneigt. Der elfte Bereich 762 ist mit einem Ende in z-Richtung mit der Unterseite 72 und mit dem anderen Ende mit dem zwölften Bereich 763 verbunden. Der elfte Bereich 762 ist relativ zur Unterseite 72 geneigt. Der zwölfte Bereich 763 ist mit einem Ende in z-Richtung mit dem zehnten Bereich 761 und mit dem anderen Ende mit dem elften Bereich 762 verbunden. Der zwölfte Bereich 763 erstreckt sich parallel sowohl zur z-Richtung als auch zur x-Richtung. In z-Richtung gesehen ist der zwölfte Bereich 763 relativ zur Oberseite 71 und zur Unterseite 72 außen angeordnet.
  • Wie in 3 gezeigt, weist die vierte Seitenfläche 76 eine zweite Gate-Markierung 792 auf. Die zweite Gate-Markierung 792 weist eine größere Oberflächenrauhigkeit auf als die anderen Bereiche der vierten Seitenfläche 76. Die zweite Gate-Markierung 792 wird während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10, wie später beschrieben, durch Entfernen von Harzgraten gebildet, die bei der Bildung des Dichtungsharzes 7 an der Stelle eines zweiten Gates 892 verbleiben. Wie in 1 gezeigt, ist die zweite Gate-Markierung 792 in z-Richtung gesehen auf der Verlängerungslinie L des Drahtes 61a angeordnet.
  • Im Folgenden wird ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 unter Bezugnahme auf die 11 bis 13 beschrieben. Die 11 bis 13 sind Draufsichten, die jeweils einen Prozess des Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 darstellen.
  • Wie in 11 gezeigt, wird ein Leiterrahmen (Leadframe) 81 vorbereitet. Der Leiterrahmen 81 ist im Wesentlichen eine Platte. Bei dieser Ausführungsform ist das Grundmaterial des Leiterrahmens 81 Cu. Der Leiterrahmen 81 kann aus einer Metallplatte durch Ätzen oder Stanzen hergestellt werden. Der Leiterrahmen 81 hat eine Vorderseite 81A und eine Rückseite 81B, die in z-Richtung voneinander beabstandet sind. Der Leiterrahmen 81 weist einen äußeren Rahmen („frame“) 811, ein erstes Die-Pad 812A, ein zweites Die-Pad 812B, ein drittes Die-Pad 812C, eine Vielzahl von ersten Anschlüssen 813, eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen 814, eine Vielzahl von dritten Anschlüssen 815 und eine Dammleiste („dam bar“) 816 auf. Der äußere Rahmen 811 und die Dammleiste 816 werden nicht zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 verwendet. Das erste Die-Pad 812A wird das erste Die-Pad 3 bilden. Das zweite Die-Pad 812B wird das zweite Die-Pad 4a bilden. Das dritte Die-Pad 812C bildet das dritte Die-Pad 4b. Die ersten Anschlüsse 813 bilden die eingangsseitigen Terminals 51. Die zweiten Anschlüsse 814 bilden die ersten ausgangsseitigen Terminals 52. Die dritten Anschlüsse 815 bilden die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53.
  • Als nächstes wird, wie in 12 gezeigt, das Die-Bonden ausgeführt, um das erste Halbleiterelement 11 mit dem ersten Die-Pad 812A, das zweite Halbleiterelement 12 mit dem zweiten Die-Pad 812B und das dritte Halbleiterelement 13 mit dem dritten Die-Pad 812C zu verbinden. Nach diesen Schritten wird das Draht-Bonden ausgeführt, um eine Vielzahl von Drähten 61 bis 64 zu bilden.
  • Der Draht 61a wird unter Verwendung einer Kapillare gebildet, beginnend mit dem Absenken der Kapillare in Richtung des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11, um die Spitze eines Drahtes in Kontakt mit einer Zielelektrode zu bringen. In diesem Zustand wird die Drahtspitze durch die kombinierte Aktion des Gewichts der Kapillare, der von der Kapillare erzeugten Ultraschallschwingungen usw. mit der Elektrode gebondet. Dann wird die Kapillare angehoben, während der Draht kontinuierlich zugeführt wird. Damit ist der erste Bond an der Elektrode hergestellt. Anschließend wird die Kapillare in eine Position direkt über dem Abschnitt des ersten Anschlusses 813 bewegt, in dem das Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51a gebildet wird. Die Kapillare wird dann abgesenkt, um die Spitze der Kapillare gegen die Bondfläche zu drücken. Dadurch wird der Draht zwischen der Kapillarspitze und der Bondfläche eingeschlossen, und der gegen die Bondfläche gepresste Abschnitt des Drahtes bildet einen Bond. Zu diesem Zeitpunkt bildet sich die Delle 6d auf der Bondfläche. Anschließend wird die Kapillare wieder angehoben, um den Draht zu brechen. Damit ist der zweite Bond 6b auf der Bondfläche abgeschlossen. Der zweite Bond 6b hat in z-Richtung gesehen eine Halbmondform, die durch den Abdruck der auf den Draht drückenden Kapillarspitze entsteht. Durch die oben genannten Schritte wird der Draht 61a gebildet. Die Drähte 61, mit Ausnahme des Drahtes 61c, werden durch ähnliche Schritte gebildet.
  • Der Draht 61c wird auf die gleiche Weise geformt wie der Draht 61a, bis der zweite Bond 6b gebildet ist. Das heißt, das Verfahren zur Bildung des Drahtes 61c beinhaltet des Weiteren das Absenken der Kapillare in Richtung des zweiten Bonds 6b, um die Drahtspitze gegen den zweiten Bond 6b und die Bondfläche zu drücken. In diesem Zustand wird die Drahtspitze durch die kombinierte Aktion des Gewichts der Kapillare, der durch die Kapillare erzeugten Ultraschallschwingungen usw. gebondet. Dann wird die Kapillare wieder angehoben, um den Draht zu brechen. Damit ist der Sicherheitsbond 6c auf dem zweiten Bond 6b abgeschlossen.
  • Das Verfahren zur Bildung jedes Drahtes 62 besteht darin, den ersten Bond auf einer Elektrode des isolierenden Teils 112 des ersten Halbleiterelements 11 und den zweiten Bond 6b auf einer Elektrode des zweiten Halbleiterelements 12 oder des dritten Halbleiterelements 13 herzustellen. Das Verfahren zum Bilden jedes Drahtes 63 beinhaltet das Herstellen des ersten Bonds an einer Elektrode des zweiten Halbleiterelements 12 und des zweiten Bonds 6b an dem Abschnitt des zweiten Anschlusses 814, an dem das Pad-Segment 522 eines ersten ausgangsseitigen Terminals 52 gebildet werden wird. Des Weiteren beinhaltet das Verfahren zur Bildung des Drahtes 63a die Herstellung des Sicherheitsbonds 6c auf dem zweiten Bond 6b. Das Verfahren zur Bildung jedes Drahtes 64 beinhaltet die Herstellung des ersten Bonds an einer Elektrode des dritten Halbleiterelements 13 und des zweiten Bonds 6b an dem Abschnitt des dritten Anschlusses 815, an dem das Pad-Segment 522 eines zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 gebildet wird. Des Weiteren beinhaltet der Prozess der Bildung des Drahtes 64a die Herstellung des Sicherheitsbonds 6c auf dem zweiten Bond 6b.
  • Anschließend wird ein Dichtungsharz 7 gebildet. Das Dichtungsharz 7 wird durch Transfermolding gebildet. Wie in 13 dargestellt, weist dieses Verfahren das Einlegen des Leiterrahmens 81 in eine Form auf, die eine Vielzahl von Hohlräumen 88 definiert. Der Leiterrahmen 81 wird so angeordnet, dass sich jeder Abschnitt des leitenden Trägerelements 2, der später mit dem Dichtungsharz 7 eines hergestellten Halbleiterbauteils A10 abgedeckt werden soll, in einem entsprechenden der Hohlräume 88 befindet. Dann wird das geschmolzene Harz aus einem Topf 86 durch Kanäle („runner“) 87 in die Hohlräume 88 eingeleitet. Der Topf 86 ist mit einem Kolben (nicht dargestellt) gekoppelt. Durch die Aktion des Kolbens wird das im Topf 86 geschmolzene Harz gezwungen, in die Kanäle 87 zu fließen.
  • Jeder Hohlraum 88 ist mit einem ersten Gate 891 und einem zweiten Gate 892 ausgestattet. Das erste Gate 891 jedes Hohlraums 88 ist ein Einlass für das geschmolzene Harz. Das erste Gate 891 ist in z-Richtung gesehen auf einer Verlängerungslinie des Drahtes 61a angeordnet (siehe 12). Das zweite Gate bzw. Anschnitt 892 jedes Hohlraums 88 ist ein Auslass für das geschmolzene Harz. Das zweite Gate 892 ist ebenfalls an der Verlängerungslinie des Drahtes 61a in z-Richtung angeordnet. Bei dieser Anordnung neigt das geschmolzene Harz in jedem Hohlraum 88 dazu, in der Richtung entlang des Drahtes 61a zu fließen, aber nicht in der Richtung, die den Draht 61a kreuzt.
  • Das in jeden Hohlraum 88 eingespritzte geschmolzene Harz verfestigt sich zum Dichtungsharz 7, und außerhalb des Hohlraums 88 verbleibende Harzgrate werden z. B. durch Anwendung eines Hochdruckwasserstrahls entfernt. Das Entfernen der Harzgrate von der Stelle des ersten Gates 891 hinterlässt die erste Gate-Markierung 791 auf dem Dichtungsharz 7. In ähnlicher Weise hinterlässt das Entfernen von Harzgraten an der Stelle des zweiten Gates 892 die zweite Gate-Markierung 792 auf dem Dichtungsharz 7. Die Bildung des Dichtungsharzes 7 wird durch die oben genannten Schritte abgeschlossen. In einem alternativen Beispiel kann das zweite Gate 892 als Einlass für das geschmolzene Harz und das erste Gate 891 als Auslass verwendet werden.
  • Anschließend wird ein Dicing zur Trennung der einzelnen Chips ausgeführt, so dass das erste Die-Pad 812A, das zweite Die-Pad 812B, das dritte Die-Pad 812C, die ersten Anschlüsse 813, die zweiten Anschlüsse 814 und die dritten Anschlüsse 815 in geeigneter Weise von dem äußeren Rahmen 811 und der Dammleiste 816 getrennt werden. Damit ist die Herstellung des Halbleiterbauteils A10 abgeschlossen.
  • Im Folgenden werden Vorteile des Halbleiterbauteils A10 beschrieben.
  • Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform weist das erste Halbleiterelement 11 den isolierenden Teil 112 auf, der Signale zwischen dem Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 oder dem dritten Halbleiterelement 13 überträgt, wobei der Schaltungsteil 111, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 elektrisch isoliert sind. Obwohl zwischen dem Schaltungsteil 111 und dem zweiten Halbleiterelement 12 oder dem dritten Halbleiterelement 13 eine erhebliche Potentialdifferenz entstehen kann, kann die vorliegende Ausführungsform die Durchschlagsfestigkeit („dielectric Strength“) zwischen der eingangsseitigen Schaltung, die den Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 aufweist, und der ersten und zweiten ausgangsseitigen Schaltung, die das zweite Halbleiterelement 12 bzw. das dritte Halbleiterelement 13 aufweisen, erhöhen.
  • Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform weist das leitende Trägerelement 2 zusätzlich das erste Die-Pad 3, das zweite Die-Pad 4a, das dritte Die-Pad 4b, die eingangsseitigen Terminals 51, die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 auf. Die eingangsseitigen Terminals 51 liegen auf der ersten Seitenfläche 73 frei, und die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 liegen auf der zweiten Seitenfläche 74 frei. Im Gegensatz dazu liegt kein Abschnitt des leitenden Trägerelements 2 an der dritten Seitenfläche 75 und der vierten Seitenfläche 76 frei. Mit anderen Worten: In einem Bereich, in dem eine signifikante Potentialdifferenz zwischen den eingangsseitigen Terminals 51 und den ersten und zweiten ausgangsseitigen Terminals 52 und 53 entsteht, liegt kein Metallteil aus dem Dichtungsharz 7 frei. Durch diese Anordnung kann somit der Isolationsabstand zwischen den eingangsseitigen Terminals 51 und den ersten und zweiten ausgangsseitigen Terminals 52 und 53 (die Kriechstrecke entlang der Oberfläche des Dichtungsharzes 7 zwischen den freiliegenden Teilen der eingangsseitigen Terminals 51 und den freiliegenden Teilen der ersten und zweiten ausgangsseitigen Terminals 52 und 53) erhöht werden. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher eine größere Durchschlagsfestigkeit im Vergleich zu einer Ausgestaltung erreichen, bei der das leitende Trägerelement 2, wie z. B. ein Trägeranschluss, auf der dritten Seitenfläche 75 oder der vierten Seitenfläche 76 freiliegt. Da kein Abschnitt des Trägeranschlusses auf der dritten Seitenfläche 75 freiliegt, erhöht sich außerdem die Flexibilität der Konstruktion bei der Festlegung des Ortes des ersten Gates 891, das einen Einlass für geschmolzenes Harz für den Prozess der Bildung des Dichtungsharzes 7 darstellt. Ähnlich, da an der vierten Seitenfläche 76 kein Abschnitt des Trägeranschlusses freiliegt, erhöht sich die Flexibilität der Konstruktion bei der Festlegung des Ortes des zweiten Gates 892, das einen Auslass für geschmolzenes Harz für den Prozess der Bildung des Dichtungsharzes 7 darstellt.
  • In der Halbleiterbauteil A10 kann an das zweite Halbleiterelement 12 oder das dritte Halbleiterelement 13 eine transiente Spannung von 600 V oder höher relativ zur Masse des Schaltungsteils 111 des ersten Halbleiterelements 11 angelegt werden. In Anbetracht einer solchen signifikanten Potentialdifferenz, die zwischen dem zweiten Halbleiterelement 12 oder dem dritten Halbleiterelement 13 und dem Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 verursacht werden kann, ist es wünschenswert, die Durchschlagsfestigkeit zusätzlich zu der durch den isolierenden Teil 112 bereitgestellten Erhöhung für die Zuverlässigkeit des Halbleiterbauteils A10 weiter zu erhöhen.
  • Gemäß dieser Ausführungsform weist die erste Seitenfläche 73 des Dichtungsharzes 7 die erste Gate-Markierung 791 auf, die eine größere Oberflächenrauhigkeit aufweist als die anderen Bereiche der ersten Seitenfläche 73. Die erste Gate-Markierung 791 wird als Ergebnis des Prozesses der Bildung des Dichtungsharzes 7 (siehe 13) während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 an der Stelle des ersten Gates 891 gebildet, durch den geschmolzenes Harz in den Hohlraum 88 injiziert wird. Wie in 1 dargestellt, ist die erste Gate-Markierung 791 in z-Richtung gesehen an einer Verlängerungslinie L des Drahtes 61a angeordnet. Durch diese Anordnung wird bei der Bildung des Dichtungsharzes 7 der Vorteil erreicht, dass das in den Hohlraum 88 injizierte geschmolzene Harz dazu neigt, in Richtung entlang des Drahtes 61a zu fließen, aber nicht in Richtung quer zum Draht 61a. Ein solcher Harzfluss kann die Möglichkeit verringern, dass der Draht 61a näher an das zweite Halbleiterelement 12 oder den Draht 61b geschoben wird.
  • Gemäß dieser Ausführungsform weist die zweite Seitenfläche 74 des Dichtungsharzes 7 die zweite Gate-Markierung 792 auf, die eine größere Oberflächenrauhigkeit aufweist als die anderen Bereiche der zweiten Seitenfläche 74. Die zweite Gate-Markierung 792 wird als Ergebnis des Prozesses der Bildung des Dichtungsharzes 7 (siehe 13) während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 an der Stelle des zweiten Gates 892 gebildet, durch das geschmolzenes Harz in den Hohlraum 88 injiziert wird. Wie in 1 dargestellt, ist die zweite Gate-Markierung 792 in z-Richtung gesehen auf der Verlängerungslinie L des Drahtes 61a angeordnet. Durch diese Anordnung wird bei der Bildung des Dichtungsharzes 7 der Vorteil erreicht, dass die in den Hohlraum 88 injizierte geschmolzene Harz dazu neigt, in Richtung entlang des Drahtes 61a zu fließen, aber nicht in Richtung, die den Draht 61a kreuzt. Ein solcher Harzfluss kann die Möglichkeit verringern, dass der Draht 61a näher an das zweite Halbleiterelement 12 oder den Draht 61b geschoben wird.
  • Der Draht 61a ist mit dem Schaltungsteil 111 des ersten Halbleiterelements 11 verbunden und damit eine Komponente der eingangsseitigen Schaltung, die auf einem relativ niedrigen Potential gehalten wird. Das zweite Halbleiterelement 12 hingegen ist eine Komponente der ersten ausgangsseitigen Schaltung, die auf einem relativ hohen Potential gehalten wird. Wenn der Draht 61a vom zweiten Halbleiterelement 12 ferngehalten wird, trägt dies zur Erhöhung der Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauteils A10 bei.
  • Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform weist der Draht 61c den Sicherheitsbond 6c auf, der den zweiten Bond 6b schützt, der mit dem Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51d verbunden ist. Das Pad-Segment 512 des eingangsseitigen Terminals 51d ist mit dem ersten Die-Pad 3 verbunden, auf dem das erste Halbleiterelement 11 montiert ist. Der lineare Ausdehnungskoeffizient des ersten Halbleiterelements 11 ist anders als der des leitenden Trägerelements 2. Das heißt, der zweite Bond 6b des Drahtes 61c ist in der Nähe von drei verschiedenen Materialien mit unterschiedlichen linearen Ausdehnungskoeffizienten angeordnet (nämlich dem ersten Halbleiterelement 11, dem leitenden Trägerelement 2 und dem Dichtungsharz 7). Folglich wäre die Beeinträchtigung durch Wärmezyklen in dem Draht 61c größer als in den anderen Drähten 61, wodurch ein dünnerer Abschnitt anfälliger für Risse wäre. Der Draht 61c weist jedoch den Sicherheitsbond 6c auf dem zweiten Bond 6b auf und hat daher eine größere Gesamtdicke, die dazu dient, Risse in dem zweiten Bond 6b zu verhindern. Auf diese Weise wird die Bondzuverlässigkeit des Drahtes 61c verbessert. Die Bondzuverlässigkeit des Drahtes 61c wird auch dadurch verbessert, dass der Sicherheitsbond 6c in z-Richtung gesehen den Abschnitt (den dünneren Abschnitt) des Sicherheitsbonds 6b, der anfälliger für Risse ist, in geeigneter Weise abdeckt. Jeder der Drähte 63a und 64a ist ebenfalls mit dem Sicherheitsbond 6c bereitgestellt, der die Zuverlässigkeit des Bonds verbessert.
  • Gemäß dieser Ausführungsform sind die erste Gate-Markierung 791 und die zweite Gate-Markierung 792 in z-Richtung gesehen auf der Verlängerungslinie L des Drahtes 61a angeordnet, aber die Orte sind nicht auf diese beschränkt. Beispielsweise können die erste Gate-Markierung 791 und die zweite Gate-Markierung 792 in der Mitte in x-Richtung angeordnet sein. Mit anderen Worten, das erste Gate 891 und das zweite Gate 892 können an allen geeigneten Orten für den Prozess der Bildung des Dichtungsharzes 7 bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 angeordnet sein. Darüber hinaus können die Orte des ersten Gates 891 und des zweiten Gates 892 mit größerer Flexibilität angeordnet werden, ohne dass ein Abschnitt des Trägeranschlusses auf der dritten Seitenfläche 75 und der vierten Seitenfläche 76 freiliegt.
  • Das leitende Trägerelement 2 dieser Ausführungsform ist an der dritten Seitenfläche 75 und der vierten Seitenfläche 76 nicht freiliegend, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht auf diese Ausgestaltung beschränkt. Beispielsweise kann der Trägeranschluss einen Abschnitt aufweisen, der an der dritten Seitenfläche 75 oder der vierten Seitenfläche 76 freiliegt.
  • Obwohl bei dieser Ausführungsform der Sicherheitsbond 6c nur an den Drähten 61c, 63a und 64a bereitgestellt wird, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf diese Ausgestaltung beschränkt. Beispielsweise können alle Drähte 61 bis 64 mit einem Sicherheitsbond 6c bereitgestellt werden, oder jeder der Drähte 61 bis 64 kann ohne den Sicherheitsbond 6c sein.
  • 14 ist eine Ansicht eines Halbleiterbauteils A20 entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 14 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A20 und entspricht 1. In 14 sind die Elemente, die mit denen der vorangehenden Ausführungsform identisch oder ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen. Das Halbleiterbauteil A20 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von dem der ersten Ausführungsform dadurch, dass das Dichtungsharz 7 Nuten bzw. Einkerbungen/Rillen („grooves“) aufweist.
  • Das Dichtungsharz 7 dieser Ausführungsform weist eine Nut 75a und eine Nut 76a auf. Die Nut 75a ist von der dritten Seitenfläche 75 in y-Richtung ausgenommen und erstreckt sich in z-Richtung. Die Nut 76a ist von der vierten Seitenfläche 76 in der y-Richtung ausgenommen und erstreckt sich in der z-Richtung.
  • Das Halbleiterbauteil A20 dieser Ausführungsform weist den isolierenden Teil 112 im ersten Halbleiterelement 11 auf, der es ermöglicht, die Durchschlagsfestigkeit zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ersten und zweiten ausgangsseitigen Schaltung zu erhöhen. Außerdem kann das Halbleiterbauteil A20 bei dieser Ausführungsform den Isolationsabstand (Kriechstrecke) zwischen den eingangsseitigen Terminals 51 und den ersten und zweiten ausgangsseitigen Terminals 52 und 53 erhöhen, ohne dass ein Abschnitt des leitenden Trägerelements 2 an der dritten Seitenfläche 75 und der vierten Seitenfläche 76 freiliegt. Folglich kann die Durchschlagsfestigkeit im Vergleich zu einer Ausgestaltung erhöht werden, bei der das leitende Trägerelement 2, z. B. ein Trägeranschluss, auf der dritten Seitenfläche 75 oder der vierten Seitenfläche 76 freiliegt. Darüber hinaus kann bei dieser Ausführungsform mit dem Dichtungsharz 7, das die Nut 75a auf der dritten Seitenfläche 75 und die Nut 76a auf der vierten Seitenfläche 76 aufweist, der Isolationsabstand zwischen den eingangsseitigen Terminals 51 und den ersten und zweiten ausgangsseitigen Terminals 52 und 53 weiter erhöht werden. Dies erhöht des Weiteren die Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauteils A20.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorstehend Ausführungsform beschränkt. Verschiedene Konstruktionsänderungen können an der spezifischen Ausgestaltung jedes Teils des Halbleiterbauteils entsprechend der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden.
  • Klausel 1. Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist:
    • ein leitendes Trägerelement, das ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad aufweist, das von dem ersten Die-Pad in einem ersten Sinn einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung beabstandet ist und auf einem Potential gehalten wird, das sich von einem Potential des ersten Die-Pads unterscheidet
    • ein erstes Halbleiterelement, das auf dem ersten Die-Pad montiert ist;
    • ein zweites Halbleiterelement, das auf dem zweiten Die-Pad montiert ist und zusammen mit dem zweiten Die-Pad eine ausgangsseitige Schaltung bildet; und
    • ein Dichtungsharz, das zumindest einen Abschnitt des leitenden Trägerelements, des ersten Halbleiterelements und des zweiten Halbleiterelements abdeckt, wobei
    • das erste Halbleiterelement aufweist:
      • einen Schaltungsteil, der zusammen mit dem ersten Die-Pad eine eingangsseitige Schaltung bildet; und
      • einen isolierenden Teil, der ein Signal zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung überträgt und eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt,
      • das leitende Trägerelement aufweist:
    • eine Vielzahl von eingangsseitigen Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei zumindest eines aus der Vielzahl der eingangsseitigen Terminals elektrisch mit der eingangsseitigen Schaltung verbunden ist; und
    • eine Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei zumindest eines der Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit der ausgangsseitigen Schaltung verbunden ist, und
    • das Dichtungsharz aufweist: eine erste Seitenfläche, die in einem ersten Sinn einer zweiten Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung versetzt ist, wobei die Vielzahl von eingangsseitigen Terminals von der ersten Seitenfläche vorsteht; eine zweite Seitenfläche, die in einem zweiten Sinn der zweiten Richtung versetzt ist, wobei die Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals von der zweiten Seitenfläche vorsteht; eine dritte Seitenfläche, die in dem ersten Sinn der ersten Richtung versetzt und mit der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche verbunden ist; und eine vierte Seitenfläche, die in einem zweiten Sinn der ersten Richtung versetzt und mit der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche verbunden ist, und
    • das leitende Trägerelement auf der dritten Seitenfläche nicht freiliegt.
  • Klausel 2. Halbleiterbauteil Vorrichtung nach Klausel 1, ferner aufweisend ein drittes Halbleiterelement, wobei das leitende Trägerelement aufweist:
    • ein drittes Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in der zweiten Richtung der ersten Richtung beabstandet ist und auf einem von dem ersten Die-Pad verschiedenen Potential gehalten wird; und
    • eine Vielzahl von zweiten ausgangsseitigen Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und von der zweiten Seitenfläche vorstehen,
    • das dritte Halbleiterelement auf dem dritten Die-Pad montiert ist und zusammen mit dem dritten Die-Pad eine zweite ausgangsseitige Schaltung bildet,
    • der isolierende Teil ein Signal zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung überträgt und eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt,
    • zumindest eines der Vielzahl von zweiten ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit der zweiten ausgangsseitigen Schaltung verbunden ist, und
    • das leitende Trägerelement an der vierten Seitenfläche nicht freiliegt.
  • Klausel 3. Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das Dichtungsharz ferner aufweist
    eine erste Nut, die von der dritten Seitenfläche in der ersten Richtung ausgenommen ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt, und
    eine zweite Nut, die von der vierten Seitenfläche in der ersten Richtung ausgenommen ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt.
  • Klausel 4. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 3, wobei die dritte Seitenfläche eine erste Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauhigkeit aufweist als ein anderer Bereich der dritten Seitenfläche, und
    die vierte Seitenfläche eine zweite Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauhigkeit als ein anderer Bereich der vierten Seitenfläche aufweist.
  • Klausel 5. Halbleiterbauteil nach Klausel 4, ferner aufweisend einen ersten Draht, wobei
    die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges erstes Terminal aufweist, das ein äußerstes der Vielzahl der eingangsseitigen Terminals in der ersten Richtung der ersten Richtung ist,
    der erste Draht mit dem eingangsseitigen ersten Terminal und mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und
    die erste Gate-Markierung auf einer Verlängerungslinie des ersten Drahtes in der Dickenrichtung angeordnet ist.
  • Klausel 6. Das Halbleiterbauteil nach Klausel 5, ferner aufweisend einen zweiten Draht, wobei
    die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges zweites Terminal aufweist, das an das eingangsseitige erste Terminal angrenzt,
    der zweite Draht mit dem eingangsseitigen zweiten Terminal und mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und
    der erste Draht in der Dickenrichtung gesehen zwischen dem zweiten Halbleiterelement und dem zweiten Draht angeordnet ist.
  • Klausel 7. Halbleiterbauteil nach Klausel 5 oder 6, wobei die zweite Gate-Markierung in Dickenrichtung gesehen auf der Verlängerungslinie angeordnet ist.
  • Klausel 8. Das Halbleiterbauteil nach Klausel 2 oder 3, des Weiteren aufweisend einen Träger-Terminal-Draht, wobei
    die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein Träger-Terminal aufweist, das mit dem ersten Die-Pad verbunden ist, und
    der Träger-Terminal-Draht mit dem Träger-Terminal und dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, wobei der Träger-Terminal-Draht einen zweiten Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem Träger-Terminal verbunden ist, und einen Sicherheitsbond, der auf dem zweiten Bond gebildet ist.
  • Klausel 9. Halbleiterbauteil nach Klausel 8, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein zweites, mit dem ersten Die-Pad verbundenes Träger-Terminal aufweist,
    das Träger-Terminal mit einem Ende des ersten Die-Pads verbunden ist, das in dem zweiten Sinn der ersten Richtung versetzt ist, und
    das zweite Träger-Terminal mit einem Ende des ersten Die-Pads verbunden ist, das in dem ersten Sinn der ersten Richtung versetzt ist.
  • Klausel 10. Halbleiterbauteil nach Klausel 2 oder 3, das ferner einen Träger-Terminal-Draht aufweist, wobei
    die Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals ein Träger-Terminal aufweist, das mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist, und
    der Draht des tragenden Anschlusses mit dem tragenden Terminal und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei der Träger-Terminal-Draht einen zweiten Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem Träger-Terminal verbunden ist, und einen Sicherheitsbond, der auf dem zweiten Bond gebildet ist.
  • Klausel 11. Halbleiterbauteil nach Klausel 2 oder 3, das ferner einen Träger-Terminal-Draht aufweist, wobei
    die Vielzahl der zweiten ausgangsseitigen Terminals einen Träger-Terminal aufweist, das mit dem dritten Die-Pad verbunden ist, und
    der Träger-Terminal-Draht mit dem Träger-Terminal und dem dritten Halbleiterelement verbunden ist, wobei der Träger-Terminal-Draht einen zweiten Bond aufweist, die ein Abschnitt ist, der mit dem Träger-Terminal verbunden ist, und einen Sicherheitsbond, der auf dem zweiten Bond ausgebildet ist.
  • Klausel 12. Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 8 bis 11, wobei der Träger-Terminal-Draht ferner ein mit dem zweiten Bond verbundenes Draht-Segment aufweist,
    das Träger-Terminal eine Bondfläche aufweist, an die der Träger-Terminal-Draht gebondet ist, und
    in Dickenrichtung gesehen, der Sicherheitsbond eine Mitte aufweist, die in einem Bereich der Bondfläche angeordnet ist, der sich von dem Draht-Segment weg über den zweiten Bond hinaus erstreckt.
  • Klausel 13. Halbleiterbauteil nach Klausel 12, wobei der zweite Bond und das Draht-Segment in Dickenrichtung gesehen eine Grenze definieren, die innerhalb des Sicherheitsbonds enthalten ist.
  • Klausel 14. Halbleiterbauteil nach Klausel 12 oder 13, wobei das Träger-Terminal eine Delle in der Bondfläche aufweist, und
    der Sicherheitsbond in der Dickenrichtung gesehen mit der Delle überlappt.
  • Klausel 15. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 8 bis 14, ferner aufweisend einen separates-Terminal-Draht, der mit einem separaten Terminal verbunden ist, wobei das separate Terminal eines der Terminals des leitenden Trägerelements ist und nicht mit einem der ersten Die-Pads, dem zweiten Die-Pad und dem dritten Die-Pad verbunden ist, wobei
    der separates-Terminal-Draht einen zweiten separater-Terminal-Draht-Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem separaten Terminal verbunden ist, und
    kein Sicherheitsbond an dem zweiten separater-Terminal-Draht-Bond ausgebildet ist.
  • Klausel 16. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 15, wobei der isolierende Teil von einem induktiven Typ ist.
  • Klausel 17. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 16, wobei das leitende Trägerelement aus einer Cu-haltigen Legierung hergestellt ist bzw. besteht.
  • Klausel 18. Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 17, wobei das Dichtungsharz aus einem elektrisch isolierenden Epoxidharz hergestellt ist.
  • Bezugszeichenliste
    • A10, A20
    Halbleiterbauteil
    11
    Erstes Halbleiterelement
    111
    isolierender Teil
    112
    Schaltungsteil
    12
    Zweites Halbleiterelement
    13
    Drittes Halbleiterelement
    2
    Leitendes Trägerelement
    3
    Erstes Die-Pad
    31
    Erste Vorderseite
    32
    Erste Rückseite
    4a
    Zweites Die-Pad
    4b
    Drittes Die-Pad
    41
    Zweite Vorderseite
    42
    Zweite Rückseite
    51, 51a, 51b, 51c, 51d
    Eingangsseitiges Terminal
    511
    Anschluss-Segment
    512
    Pad-Segment
    52, 52a:
    Erstes ausgangsseitiges Terminal
    521
    Anschluss-Segment
    522
    Zweites Terminal
    53,53a
    Pad-Segment ausgangsseitiges
    531
    Anschluss-Segment
    532
    Pad-Segment
    61, 61a, 61b, 61c, 62, 63, 63a, 64, 64a
    Draht
    6a
    Draht-Segment
    6b
    Zweiter Bond
    6c
    Sicherheitsbond
    6d
    Delle („Dent“)
    7
    Dichtungsharz
    71
    Oberseite
    72
    Unterseite
    73
    Erste Seitenfläche
    731
    Erster Bereich
    732
    Zweiter Bereich
    733
    Dritter Bereich
    74
    Zweite Seitenfläche
    741
    Vierter Bereich
    742
    Fünfter Bereich
    743
    Sechster Bereich
    75
    Dritte Seitenfläche
    751
    Siebter Bereich
    752
    Achter Bereich
    753
    Neunter Bereich
    75a
    Nut
    76
    Vierte Seitenfläche
    761
    Zehnter Bereich
    762
    Elfter Bereich
    763
    Zwölfter Bereich
    76a
    Nut („groove“)
    791
    Erste Gate-Markierung („gate mark“)
    792
    Zweite Gate-Markierung („gate mark“)
    81
    Leiterrahmen
    81A
    Vorderseite
    81B
    RückseiteÄußerer
    811
    Rahmen
    812A
    Erstes Die-Pad
    812B
    Zweites Die-Pad
    812C
    Drittes Die-Pad
    813
    Erster Anschluss
    814
    Zweiter Anschluss
    815
    Dritter Anschluss
    816
    Dammleiste („dam bar“)
    86
    Topf
    87
    Kanal („runner“)
    88
    Hohlraum
    891
    Erstes Gate
    892
    Zweites Gate
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2014155412 A [0004]

Claims (18)

  1. Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist: ein leitendes Trägerelement, das ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad aufweist, das von dem ersten Die-Pad in einem ersten Sinn einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung beabstandet ist und auf einem Potential gehalten wird, das sich von einem Potential des ersten Die-Pads unterscheidet; ein erstes Halbleiterelement, das auf dem ersten Die-Pad montiert ist; ein zweites Halbleiterelement, das auf dem zweiten Die-Pad montiert ist und zusammen mit dem zweiten Die-Pad eine ausgangsseitige Schaltung bildet; und ein Dichtungsharz, das zumindest einen Abschnitt des leitenden Trägerelements, des ersten Halbleiterelements und des zweiten Halbleiterelements abdeckt, wobei das erste Halbleiterelement aufweist: einen Schaltungsteil, der zusammen mit dem ersten Die-Pad eine eingangsseitige Schaltung bildet; und einen isolierenden Teil, der ein Signal zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung überträgt und eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt, wobei das leitende Trägerelement aufweist: eine Vielzahl von eingangsseitigen Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei zumindest eines der Vielzahl von eingangsseitigen Terminals elektrisch mit der eingangsseitigen Schaltung verbunden ist; und eine Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei zumindest einer aus der Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit der ausgangsseitigen Schaltung verbunden ist, und das Dichtungsharz aufweist: eine erste Seitenfläche, die in einem ersten Sinn einer zweiten Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung versetzt ist, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals von der ersten Seitenfläche vorsteht; eine zweite Seitenfläche, die in einem zweiten Sinn der zweiten Richtung versetzt ist, wobei die Vielzahl der ausgangsseitigen Terminals von der zweiten Seitenfläche vorsteht; eine dritte Seitenfläche, die in dem ersten Sinn der ersten Richtung versetzt ist und mit der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche verbunden ist; und eine vierte Seitenfläche, die in einem zweiten Sinn der ersten Richtung versetzt ist und mit der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche verbunden ist, und das leitende Trägerelement auf der dritten Seitenfläche nicht freiliegt.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, ferner aufweisend ein drittes Halbleiterelement, wobei das leitende Trägerelement aufweist: ein drittes Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad in dem zweiten Sinn der ersten Richtung beabstandet ist und auf einem von dem ersten Die-Pad verschiedenen Potential gehalten wird; und eine Vielzahl von zweiten ausgangsseitigen Terminals, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und von der zweiten Seitenfläche vorstehen, das dritte Halbleiterelement auf dem dritten Die-Pad montiert ist und zusammen mit dem dritten Die-Pad eine zweite ausgangsseitige Schaltung bildet, der isolierende Teil ein Signal zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung überträgt und eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung bereitstellt, zumindest eines der Vielzahl von zweiten ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit der zweiten ausgangsseitigen Schaltung verbunden ist, und das leitende Trägerelement an der vierten Seitenfläche nicht freiliegt.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das Dichtungsharz ferner aufweist: eine erste Nut, die von der dritten Seitenfläche in der ersten Richtung ausgenommen ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt, und eine zweite Nut, die von der vierten Seitenfläche in der ersten Richtung ausgenommen ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt.
  4. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die dritte Seitenfläche eine erste Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauhigkeit aufweist als ein anderer Bereich der dritten Seitenfläche, und die vierte Seitenfläche eine zweite Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauhigkeit als ein anderer Bereich der vierten Seitenfläche aufweist.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, ferner aufweisend einen ersten Draht, wobei die Vielzahl von eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges erstes Terminal aufweist, das ein äußerstes der Vielzahl von eingangsseitigen Terminals in dem ersten Sinn der ersten Richtung ist, der erste Draht mit dem eingangsseitigen ersten Terminal und mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und die erste Gate-Markierung auf einer Verlängerungslinie des ersten Drahtes in der Dickenrichtung angeordnet ist.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, ferner aufweisend einen zweiten Draht, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges zweites Terminal aufweist, das an das eingangsseitige erste Terminal angrenzt, der zweite Draht mit dem eingangsseitigen zweiten Terminal und mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und der erste Draht in der Dickenrichtung gesehen zwischen dem zweiten Halbleiterelement und dem zweiten Draht angeordnet ist.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5 oder 6, wobei die zweite Gate-Markierung in Dickenrichtung gesehen auf der Verlängerungslinie angeordnet ist.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2 oder 3, ferner aufweisend einen Träger-Terminal-Draht, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein Träger-Terminal aufweist, das mit dem ersten Die-Pad verbunden ist, und der Träger-Terminal-Draht mit dem Träger-Terminal und dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, wobei der Träger-Terminal-Draht einen zweiten Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem Träger-Terminal verbunden ist, und einen Sicherheitsbond, der auf dem zweiten Bond gebildet ist.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, wobei die Vielzahl von eingangsseitigen Terminals ein zweites Träger-Terminal aufweist, das mit dem ersten Die-Pad verbunden ist, das Träger-Terminal mit einem Ende des ersten Die-Pads verbunden ist, das in dem zweiten Sinn der ersten Richtung versetzt ist, und das zweite Träger-Terminal mit einem Ende des ersten Die-Pads verbunden ist, das in dem ersten Sinn der ersten Richtung versetzt ist.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2 oder 3, ferner aufweisend einen Träger-Terminal-Draht, wobei die Vielzahl von ausgangsseitigen Terminals ein Träger-Terminal aufweist, das mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist, und der Träger-Terminal-Draht mit dem Träger-Terminal und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei der Träger-Terminal-Draht einen zweiten Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem Träger-Terminal verbunden ist, und einen Sicherheitsbond, der auf dem zweiten Bond gebildet ist.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2 oder 3, ferner aufweisend einen Träger-Terminal-Draht, wobei die Vielzahl der zweiten ausgangsseitigen Terminals einen Träger-Terminal aufweist, das mit dem dritten Die-Pad verbunden ist, und der Träger-Terminal-Draht mit dem Träger-Terminal und dem dritten Halbleiterelement verbunden ist, wobei der Träger-Terminal-Draht einen zweiten Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem Träger-Terminal verbunden ist, und einen Sicherheitsbond, der auf dem zweiten Bond ausgebildet ist.
  12. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei der Träger-Terminal-Draht ferner ein mit dem zweiten Bond verbundenes Draht-Segment aufweist, das Träger-Terminal eine Bondfläche aufweist, an die der Träger-Terminal-Draht gebondet ist, und in Dickenrichtung gesehen, der Sicherheitsbond eine Mitte aufweist, die in einem Bereich der Bondfläche angeordnet ist, der sich von dem Draht-Segment über den zweite Bond hinaus erstreckt.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei der zweite Bond und das Draht-Segment, in Dickenrichtung gesehen, eine Grenze definieren, die innerhalb des Sicherheitsbonds enthalten ist.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12 oder 13, wobei das Träger-Terminal eine Delle in der Bondfläche aufweist, und der Sicherheitsbond in Dickenrichtung gesehen mit der Delle überlappt.
  15. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 8 bis 14, ferner aufweisend einen mit einem separaten Terminal verbundenen separater-Terminal-Draht, wobei das separate Terminal einer der Terminals des leitenden Trägerelements ist und nicht mit einem des ersten Die-Pads, des zweiten Die-Pads und des dritten Die-Pads verbunden ist, wobei der separater-Terminal-Draht einen zweiten separater-Terminal-Draht-Bond aufweist, der ein Abschnitt ist, der mit dem separaten Terminal verbunden ist, und kein Sicherheitsbond an dem zweiten separater-Terminal-Draht-Bond ausgebildet ist.
  16. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der isolierende Teil von einem induktiven Typ ist.
  17. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei das leitende Trägerelement aus einer Cu-haltigen Legierung hergestellt ist.
  18. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei das Dichtungsharz aus einem elektrisch isolierenden Epoxidharz hergestellt ist.
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