DE102017206603A1 - Anpassbare geformte Leiterrahmenbaugruppe und entsprechendes Verfahren - Google Patents

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Heny Lin
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Abstract

Eine Halbleiterbaugruppe weist Folgendes auf: wenigstens eine Halbleitervorrichtung, die sich auf einer Leiterrahmeninsel befindet, wenigstens eine erste Zuleitung, die von einer ersten Seite der Halbleiterbaugruppe vorsteht und dafür ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zu wenigstens einem Anschluss der wenigstens einen Halbleitervorrichtung bereitzustellen, wenigstens eine zweite Zuleitung, die von einer zweiten Seite der Halbleiterbaugruppe vorsteht und dafür ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zu dem wenigstens einen Anschluss der wenigstens einen Halbleitervorrichtung bereitzustellen, und eine kontinuierliche leitende Struktur, die dafür ausgelegt ist, eine Leiterbahn zwischen der wenigstens einen ersten Zuleitung, der wenigstens einen zweiten Zuleitung und dem wenigstens einen Anschluss der wenigstens einen Halbleitervorrichtung durch die Leiterrahmeninsel bereitzustellen, so dass die wenigstens eine Halbleitervorrichtung nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung weiter funktioniert.

Description

  • HINTERGRUND
  • Eine Leiterrahmenanordnung, die häufig einen Leiterrahmen (Leadframe) und einen oder mehrere Halbleiter-Dies aufweist, kann den Schaltungsentwurf vereinfachen, Kosten verringern und eine größere Effizienz und eine verbesserte Leistungsfähigkeit bereitstellen, indem die entsprechenden und davon abhängigen Schaltungskomponenten in unmittelbarer Nähe gehalten werden. Auch kann eine Leiterrahmenanordnung die Anwendungsintegration und eine höhere elektrische und thermische Leistungsfähigkeit gegenüber der Verwendung einer getrennten Baugruppenbildung für verschiedene Schaltungskomponenten erleichtern.
  • Herkömmliche Leiterrahmenanordnungen können entweder in einer Single-in-Line-Baugruppe (SIP), wobei alle Zuleitungen (Leads) von einer Seite der Baugruppe vorstehen, oder in einer Dual-in-Line-Baugruppe (DIP), wobei alle Zuleitungen von zwei Seiten der Baugruppe vorstehen, ausgelegt sein. Wenn von einer Dual-in-Line-Baugruppe zu einer Single-in-Line-Baugruppe gewechselt wird, müssen die Halbleiterkomponenten und die elektrischen Wegleitungen (Routing) einem kompletten Neuentwurf unterzogen werden, was die Rekonfiguration der gesamten Baugruppe (Package) erforderlich macht, wodurch die Herstellungskosten, der Zeitaufwand und die Komplexität erhöht werden.
  • Dementsprechend besteht ein Bedarf daran, die Nachteile und Mängel im Stand der Technik zu überwinden, indem eine stark anpassbare Leiterrahmenbaugruppe (Leadframe Package) bereitgestellt wird, die eine einfache Umwandlung von einer Dual-in-Line-Baugruppe in eine Single-in-Line-Baugruppe ermöglicht.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine anpassbare geformte (engl. molded) Leiterrahmenbaugruppe und ein entsprechendes Verfahren, wie im Wesentlichen in Zusammenhang mit wenigstens einer der Figuren dargestellt und/oder beschrieben ist und wie in den Ansprüchen dargelegt ist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Es zeigen:
  • 1A eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer anfänglichen Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 1B eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Zwischenverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 1C eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Endverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 2A eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer anfänglichen Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 2B eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Zwischenverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 2C eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Zwischenverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 2D eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Endverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 2E eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer optionalen Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe,
  • 3A eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 3B eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 3C eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 3D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 4A eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 4B eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 4C eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 4D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 5A eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 5B eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 5C eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 5D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 6A eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 6B eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 6C eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung,
  • 6D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung und
  • 7 ein schematisches Diagramm einer als Beispiel dienenden Mehrphaseninverterschaltung einer Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Beschreibung enthält spezifische Informationen, welche Implementationen in der vorliegenden Offenbarung betreffen. Die Zeichnungen in der vorliegenden Anmeldung und ihre anliegenden detaillierte Beschreibung richten sich lediglich auf als Beispiel dienende Implementationen. Sofern nichts anderes erwähnt wird, können gleiche oder entsprechende Elemente unter den Figuren durch gleiche oder entsprechende Bezugszeichen angegeben werden. Überdies sind die Zeichnungen und Darstellungen in der vorliegenden Anmeldung im Allgemeinen nicht maßstabsgerecht und sollen nicht tatsächlichen relativen Abmessungen entsprechen.
  • 1A zeigt eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer anfänglichen Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe (Halbleiterpackage). Beispielsweise umfasst die anfängliche Verarbeitungsaktion das Anordnen wenigstens einer Halbleitervorrichtung auf einer kontinuierlichen leitenden Struktur, welche eine Leiterrahmeninsel aufweist, die mit einer ersten und einer zweiten Zuleitung gekoppelt ist.
  • Wie in 1A dargestellt ist, weist die Struktur 180 einen Leiterrahmen 130 mit kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 und Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a, die sich auf der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 befinden, eine Halbleitervorrichtung 108b, die sich auf der kontinuierlichen leitenden Struktur 112 befindet, eine Halbleitervorrichtung 104b, die sich auf der kontinuierlichen leitenden Struktur 114 befindet, und eine Halbleitervorrichtung 106b, die sich auf der kontinuierlichen leitenden Struktur 116 befindet, auf.
  • Wie in 1A dargestellt ist, weist jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 eine Leiterrahmeninsel und ein Paar von Zuleitungen (Leads), die auf entgegengesetzten Seiten davon mit der Leiterrahmeninsel gekoppelt sind, auf. Beispielsweise weist die kontinuierliche leitende Struktur 110 Zuleitungen 110b und 110c auf, die mit einer Leiterrahmeninsel 110a gekoppelt sind, wobei sich die Zuleitungen 110b und 110c von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 110a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für wenigstens eine der Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a zu bilden. Die kontinuierliche leitende Struktur 112 weist Zuleitungen 112b und 112c auf, die mit einer Leiterrahmeninsel 112a gekoppelt sind, wobei sich die Zuleitungen 112b und 112c von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 112a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für die Halbleitervorrichtung 108b zu bilden. Die kontinuierliche leitende Struktur 114 weist Zuleitungen 114b und 114c auf, die mit einer Leiterrahmeninsel 114a gekoppelt sind, wobei sich die Zuleitungen 114b und 114c von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 114a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für die Halbleitervorrichtung 104b zu bilden. Die kontinuierliche leitende Struktur 116 weist Zuleitungen 116b und 116c auf, die mit einer Leiterrahmeninsel 116a gekoppelt sind, wobei sich die Zuleitungen 116b und 116c von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 116a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für die Halbleitervorrichtung 106b zu bilden. Ähnlich weisen die kontinuierlichen leitenden Strukturen 120, 122 und 124 jeweils eine Leiterrahmeninsel (beispielsweise Leiterrahmeninseln 120a, 122a bzw. 124a) und ein Paar von Zuleitungen (beispielsweise Zuleitungen 120b und 120c, Zuleitungen 122b und 122c bzw. Zuleitungen 124b und 124c), die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel erstrecken, auf. Bei einer Implementation weisen die kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 des Leiterrahmens 130 jeweils ein leitendes Material in der Art von Kupfer oder einer Kupferlegierung auf.
  • Wie in 1A dargestellt ist, befinden sich die Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a auf der Leiterrahmeninsel 110a der kontinuierlichen leitenden Struktur 110. Bei einer Implementation weisen die Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a jeweils wenigstens einen Anschluss (in 1A nicht explizit dargestellt) auf ihren jeweiligen oberen Flächen und wenigstens einen Anschluss (in 1A nicht explizit dargestellt) auf ihren jeweiligen unteren Flächen auf. Beispielsweise sind die jeweiligen unteren Anschlüsse der Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a jeweils elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 110a der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 gekoppelt, welche eine Leiterbahn zwischen der Zuleitung 110b, der Zuleitung 110c und den unteren Anschlüssen durch die Leiterrahmeninsel 110a bereitstellt. Der Aufbau der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 ermöglicht es, dass die Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a selbst dann weiter funktionieren, wenn eine der Zuleitungen 110b und 110c aus der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 entfernt (beispielsweise getrimmt) wird.
  • Wie in 1A dargestellt ist, befindet sich die Halbleitervorrichtung 108b auf der Leiterrahmeninsel 112a der kontinuierlichen leitenden Struktur 112. Die Halbleitervorrichtung 108b weist wenigstens einen Anschluss auf ihrer unteren Fläche auf, der elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 112a der kontinuierlichen leitenden Struktur 112 gekoppelt ist, wodurch eine Leiterbahn zwischen der Zuleitung 112b, der Zuleitung 112c und dem unteren Anschluss durch die Leiterrahmeninsel 112a bereitgestellt ist. Die Halbleitervorrichtung 104b befindet sich auf der Leiterrahmeninsel 114a der kontinuierlichen leitenden Struktur 114. Die Halbleitervorrichtung 104b weist wenigstens einen Anschluss auf ihrer unteren Fläche auf, der elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 114a der kontinuierlichen leitenden Struktur 114 gekoppelt ist, wodurch eine Leiterbahn zwischen der Zuleitung 114b, der Zuleitung 114c und dem unteren Anschluss durch die Leiterrahmeninsel 114a bereitgestellt ist. Die Halbleitervorrichtung 106b befindet sich auf der Leiterrahmeninsel 116a der kontinuierlichen leitenden Struktur 116. Die Halbleitervorrichtung 106b weist wenigstens einen Anschluss auf ihrer unteren Fläche auf, der elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 116a der kontinuierlichen leitenden Struktur 116 gekoppelt ist, wodurch eine Leiterbahn zwischen der Zuleitung 116b, der Zuleitung 116c und dem unteren Anschluss durch die Leiterrahmeninsel 116a bereitgestellt ist. Ähnlich der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 ermöglichen die kontinuierlichen leitenden Strukturen 112, 114 und 116, dass die jeweiligen Halbleitervorrichtungen 108b, 104b und 106b selbst dann weiter funktionieren, wenn eine ihrer jeweiligen Zuleitungen entfernt (beispielsweise getrimmt) wird.
  • Wie in 1A dargestellt ist, sind die Anschlüsse der jeweiligen oberen Flächen der Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a durch Bonddrähte elektrisch mit der Zuleitung 114b, der Zuleitung 116b bzw. der Leiterrahmeninsel 112a gekoppelt. Die Anschlüsse auf den jeweiligen oberen Flächen der Halbleitervorrichtungen 104b, 106b und 108b sind durch Bonddrähte elektrisch mit den jeweiligen Leiterrahmeninseln 122a, 124a und 120a gekoppelt. Bei einer Implementation ist wenigstens eine der Halbleitervorrichtungen 104a, 104b, 106a, 106b, 108a und 108b ein Leistungshalbleiterschalter in der Art eines Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT), eines Transistors mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) (beispielsweise ein Galliumnitrid- oder Siliziumcarbid-HEMT) oder einer Diode.
  • 1B zeigt eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Zwischenverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe. Beispielsweise beinhaltet die Zwischenverarbeitungsaktion das Einkapseln der wenigstens einen Halbleitervorrichtung und der kontinuierlichen leitenden Struktur, so dass die erste Zuleitung aus einer Seite der Halbleiterbaugruppe vorsteht und die zweite Zuleitung aus der anderen Seite der Halbleiterbaugruppe vorsteht.
  • Wie in 1B dargestellt ist, weist eine Struktur 182 eine Verkapselung 150 auf, welche die Halbleitervorrichtungen 104a, 104b, 106a, 106b, 108a und 108b und die kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 bedeckt. Beispielsweise bedeckt die Verkapselung 150 die Leiterrahmeninseln 110a, 112a, 114a, 116a, 120a, 122a und 124a der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124. Die Verkapselung 150 bedeckt auch Abschnitte der Zuleitungen 110b, 112b, 114b, 116b, 120b, 122b und 124b auf einer Seite des Leiterrahmens 130 und Abschnitte der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c auf der anderen Seite des Leiterrahmens 130.
  • Bei der vorliegenden Implementation weist die Verkapselung 150 eine Formmischung (engl. mold compound) in der Art eines Kunststoffs mit einem geringen Biegemodul auf. Bei einer Implementation kann die Verkapselung 150 eine stark wärmeleitende Formmischung aufweisen, um eine Hochspannungsisolation zu erreichen. Es sei bemerkt, dass während des Formungsprozesses der Leiterrahmen 130 über beiden Seiten der Struktur 182 suspendiert ist. Durch Zuleitungen, die auf beiden Seiten suspendiert sind, kann die Stabilität des Leiterrahmens 130 während des Formungsprozesses verbessert werden, wodurch eine bessere Steuerung der Dicke der Verkapselung 150 ermöglicht wird.
  • Es sei bemerkt, dass nach der Einkapselung die Struktur 182 eine Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe in der Art einer geformten Dual-in-Line-Leiterrahmenbaugruppe ist. Wie in 1B ersichtlich ist, durchläuft in der Struktur 182 jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 die gesamte Breite der Halbleiterbaugruppe und weist Zuleitungen auf, die von entgegengesetzten Seiten der Halbleiterbaugruppe vorstehen, um elektrische Verbindungen zu entsprechenden Halbleitervorrichtungen auf beiden Seiten bereitzustellen. Beispielsweise weist die kontinuierliche leitende Struktur 110 Zuleitungen 110b und 110c auf, die von entgegengesetzten Seiten der Verkapselung 150 der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe vorstehen. Die Zuleitung 110b ist dafür ausgelegt, eine elektrische Verbindung zu wenigstens einer der Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a auf einer Seite der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe bereitzustellen. Die Zuleitung 110c ist dafür ausgelegt, eine elektrische Verbindung zu wenigstens einer der Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a auf der anderen Seite der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe bereitzustellen. Der Aufbau der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 ermöglicht es, dass wenigstens eine der Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a auf der Leiterrahmeninsel 110a selbst dann weiter funktioniert, wenn eine der Zuleitungen 110b und 110c aus der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 entfernt (beispielsweise getrimmt) wird. Ähnlich weist jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 112, 114, 116, 120, 122 und 124 auch Zuleitungen auf, die von entgegengesetzten Seiten der Verkapselung 150 der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe vorstehen. Demgemäß ermöglichen es die kontinuierlichen leitenden Strukturen 112, 114 und 116, dass die jeweiligen Halbleitervorrichtungen 108b, 104b und 106b selbst dann weiter funktionieren, wenn eine ihrer jeweiligen Zuleitungen entfernt (beispielsweise getrimmt) wird.
  • 1C zeigt eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer abschließenden Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe. Beispielsweise schließt die abschließende Verarbeitungsaktion das Entfernen einer von der ersten und der zweiten Zuleitung von der Halbleiterbaugruppe, beispielsweise durch Trimmen, ein.
  • Wie in 1C dargestellt ist, werden Abschnitte der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c, die von einer Seite der Struktur 182 in 1B vorstehen, beispielsweise durch Trimmen oder Schneiden, entfernt. Weil die kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 jeweils zwei Zuleitungen aufweisen, die elektrisch mit einer Leiterrahmeninsel gekoppelt sind und sich davon erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für ihre entsprechenden Halbleitervorrichtungen zu bilden, können die Halbleitervorrichtungen nach dem Trimmen der Zuleitungen auf einer Seite der Halbleiterbaugruppe weiter funktionieren, indem die restlichen Zuleitungen auf der entgegengesetzten Seite der Halbleiterbaugruppe für die elektrische Verbindung verwendet werden.
  • Wie in 1C dargestellt ist, wird ein Teil der Zuleitung 110c der kontinuierlichen leitenden Struktur 110, der aus der Verkapselung 150 vorsteht, entfernt und optional durch eine Isolationskappe 148a isoliert, so dass von außerhalb der Halbleiterbaugruppe keine elektrische Verbindung zur Zuleitung 110c gebildet werden kann. Weil die kontinuierliche leitende Struktur 110 noch die Zuleitung 110b aufweist, die elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 110a gekoppelt ist und sich davon erstreckt, können sich die Halbleitervorrichtungen 104a, 106a und 108a auf die Leiterrahmeninsel 110a und die Zuleitung 110b für die elektrische Verbindung verlassen und nach dem Trimmen der Zuleitung 110c weiter richtig funktionieren. Ähnlich kann sich die Halbleitervorrichtung 104b auf die Leiterrahmeninsel 114a und die Zuleitung 114b der kontinuierlichen leitenden Struktur 114 für die elektrische Verbindung verlassen und nach dem Trimmen der Zuleitung 114c weiter richtig funktionieren, kann sich die Halbleitervorrichtung 106b auf die Leiterrahmeninsel 116a und die Zuleitung 116b der kontinuierlichen leitenden Struktur 116 für die elektrische Verbindung verlassen und nach dem Trimmen der Zuleitung 116c weiter richtig funktionieren und kann sich die Halbleitervorrichtung 108b auf die Leiterrahmeninsel 112a und die Zuleitung 112b der kontinuierlichen leitenden Struktur 112 für die elektrische Verbindung verlassen und nach dem Trimmen der Zuleitung 112c weiter richtig funktionieren.
  • Bei einer Implementation haben nach dem Trimmen die getrimmten Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c jeweils eine freiliegende Oberfläche. Bei einer anderen Implementation, wie in 1C dargestellt ist, werden nach dem Trimmen von Abschnitten der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c Isolationskappen 148a, 148b, 148c, 148d, 148e, 148f und 148g optional auf den freiliegenden Oberflächen der jeweiligen getrimmten Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c angeordnet, so dass von außerhalb der Halbleiterbaugruppe keine elektrische Verbindung zu den getrimmten Zuleitungen gebildet werden kann.
  • Es sei bemerkt, dass nach dem Trimmen eine Struktur 184 von der in 1B dargestellten Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe in eine Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe in der Art einer geformten Single-in-Line-Leiterrahmenbaugruppe umgewandelt wird, deren Zuleitungen nur von einer Seite der Struktur 184 vorstehen. Wie in 1C ersichtlich ist, bleiben bei der Struktur 184 nach dem Trimmen der Abschnitte der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c, die aus der Verkapselung 150 vorstehen, die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c, die von der Verkapselung 150 bedeckt sind, in der Struktur 184 intakt, welche bei herkömmlichen SIP-Baugruppen nicht vorhanden wären. Der Grund, aus dem die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c bei herkömmlichen SIP-Baugruppen nicht vorhanden wären, besteht darin, dass herkömmliche SIP-Baugruppen nur Zuleitungen benötigen, die von einer Seite der Baugruppe vorstehen. Demgemäß würde sich von einer leitenden Struktur nur eine Zuleitung erstrecken und von einer Seite der herkömmlichen SIP-Baugruppe vorstehen und würde nicht die gesamte Breite der herkömmlichen SIP-Baugruppe durchlaufen. Dagegen durchläuft bei der vorliegenden Implementation, wobei die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c vorhanden sind, jede der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 die gesamte Breite der Halbleiterbaugruppe und weist Zuleitungen auf, die für die elektrische Verbindung von einer Seite der Halbleiterbaugruppe vorstehen. Unter anderen Vorteilen weisen die kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 jeweils Zuleitungen auf, die sich von zwei entgegengesetzten Seiten einer Leiterrahmeninsel erstrecken und eine leichte Umwandlung von einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe in eine Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe ermöglichen, ohne die innere Struktur (beispielsweise Anordnungen der Halbleiterkomponenten oder entsprechender elektrischer Leiterbahnen) der Leiterrahmenbaugruppe zu rekonfigurieren, wodurch die Herstellungszeit, die Kosten und die Komplexität erheblich verringert werden.
  • Wenngleich 1C das Trimmen von Abschnitten der Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c zeigt, die von einer Seite des gekapselten Leiterrahmens 130 vorstehen, ist zu verstehen, dass das Trimmen bei einer anderen Implementation auf der entgegengesetzten Seite der Struktur 184 ausgeführt werden kann (beispielsweise durch Entfernen von Abschnitten der Zuleitungen 110b, 112b, 114b, 116b, 120b, 122b und 124b, die vom gekapselten Leiterrahmen 130 vorstehen), wobei es noch ermöglicht wird, dass die Struktur 184 als eine SIP-Baugruppe funktioniert, indem sich auf die ungetrimmten Zuleitungen 110c, 112c, 114c, 116c, 120c, 122c und 124c für die elektrische Verbindung verlassen wird.
  • 2A zeigt eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer anfänglichen Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe. Beispielsweise beinhaltet die anfängliche Verarbeitungsaktion das Anordnen eines ersten hochseitigen (highside) Leistungsschalters eines Mehrphaseninverters auf einem ersten hochseitigen Abschnitt eines Leiterrahmens und das Anordnen eines ersten niederseitigen (low-side) Leistungsschalters auf einem ersten niederseitigen Abschnitt des Leiterrahmens.
  • Wie in 2A dargestellt ist, weist eine Struktur 280 einen ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a, einen zweiten hochseitigen Leistungsschalter 206a und einen dritten hochseitigen Leistungsschalter 208a, die sich auf einer ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 des Leiterrahmens 230 befinden, einen ersten niederseitigen Leistungsschalter 204b, der sich auf einer ersten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 214 des Leiterrahmens 230 befindet, einen zweiten niederseitigen Leistungsschalter 206b, der sich auf einer zweiten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 216 des Leiterrahmens 230 befindet, und einen dritten niederseitigen Leistungsschalter 208b, der sich auf einer dritten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 212 des Leiterrahmens 230 befindet, auf. Die Struktur 280 weist auch einen integrierten Treiberschaltkreis (IC) 202 auf, der sich auf einer kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 218 des Leiterrahmens 230 befindet. Bei einer Implementation kann die Struktur 280 Teil eines Hochspannungs(HV)-Mehrphaseninverters sein.
  • Bei der vorliegenden Implementation sind der erste hochseitige Leistungsschalter 204a und der erste niederseitige Leistungsschalter 204b (nachstehend gemeinsam als U-Phasen-Leistungsschalter 204 bezeichnet), der zweite hochseitige Leistungsschalter 206a und der zweite niederseitige Leistungsschalter 206b (nachstehend gemeinsam als V-Phasen-Leistungsschalter 206 bezeichnet) und der dritte hochseitige Leistungsschalter 208a und der dritte niederseitige Leistungsschalter 208b (nachstehend gemeinsam als W-Phasen-Leistungsschalter 208 bezeichnet) Leistungshalbleitervorrichtungen, die den Halbleitervorrichtungen 104a, 104b, 106a, 106b, 108a und 108b in den 1A–1C entsprechen können. Bei einer Implementation ist wenigstens einer von den U-Phasen-Leistungsschaltern 204, von den V-Phasen-Leistungsschaltern 206 und von den W-Phasen-Leistungsschaltern 208 ein Leistungshalbleiterschalter in der Art eines Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT), eines Transistors mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit (HEMT) (beispielsweise ein Galliumnitrid- oder Siliziumcarbid-HEMT) oder einer Diode. Bei einer Implementation kann wenigstens einer der U-Phasen-Leistungsschalter 204, der V-Phasen-Leistungsschalter 206 und der W-Phasen-Leistungsschalter 208 ein Gruppe-IV-Halbleitermaterial in der Art von Silizium oder ein Gruppe-III-V-Halbleitermaterial in der Art von Galliumnitrid (GaN) aufweisen.
  • Bei der vorliegenden Implementation weist der erste hochseitige Leistungsschalter 204a einen Leistungsanschluss 238a (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 240a (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen anderen Leistungsanschluss (beispielsweise einen Drain-Anschluss), der in 2A nicht explizit dargestellt ist, auf seiner unteren Fläche auf. Der zweite hochseitige Leistungsschalter 206a weist einen Leistungsanschluss 238b (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 240b (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen anderen Leistungsanschluss (beispielsweise einen Drain-Anschluss), der in 2A nicht explizit dargestellt ist, auf seiner unteren Fläche auf. Der dritte hochseitige Leistungsschalter 208a weist einen Leistungsanschluss 238c (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 240c (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen anderen Leistungsanschluss (beispielsweise einen Drain-Anschluss), der in 2A nicht explizit dargestellt ist, auf seiner unteren Fläche auf.
  • Der erste niederseitige Leistungsschalter 204b weist einen Leistungsanschluss 238d (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 240d (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen anderen Leistungsanschluss (beispielsweise einen Drain-Anschluss), der in 2A nicht explizit dargestellt ist, auf seiner unteren Fläche auf. Der zweite niederseitige Leistungsschalter 206b weist einen Leistungsanschluss 238e (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 240e (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen anderen Leistungsanschluss (beispielsweise einen Drain-Anschluss), der in 2A nicht explizit dargestellt ist, auf seiner unteren Fläche auf. Der dritte niederseitige Leistungsschalter 208b weist einen Leistungsanschluss 238f (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 240f (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen anderen Leistungsanschluss (beispielsweise einen Drain-Anschluss), der in 2A nicht explizit dargestellt ist, auf seiner unteren Fläche auf.
  • Bei der vorliegenden Implementation kann der Treiber-IC 202 ein Hochspannungs-IC (HVIC) zum Ansteuern eines Hochspannungs(HV)-Mehrphaseninverters sein, wobei der HV-Mehrphaseninverter eine U-Phase mit einem ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a und einem ersten niederseitigen Leistungsschalter 204b, eine V-Phase mit einem zweiten hochseitigen Leistungsschalter 206a und einem zweiten niederseitigen Leistungsschalter 206b und eine W-Phase mit einem dritten hochseitigen Leistungsschalter 208a und einem dritten niederseitigen Leistungsschalter 208b aufweist. Der Treiber-IC 202 ist beispielsweise dafür ausgelegt, den jeweiligen Gates der U-Phasen-Leistungsschalter 204, V-Phasen-Leistungsschalter 206 und W-Phasen-Leistungsschalter 208 Treibersignale bereitzustellen.
  • Wie in 2A dargestellt ist, weist jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 eine Leiterrahmeninsel und ein Paar von Zuleitungen, die auf entgegengesetzten Seiten mit der Leiterrahmeninsel gekoppelt sind, auf. Beispielsweise weist die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 210 des Leiterrahmens 230 eine Leiterrahmeninsel 210a und Zuleitungen 210b und 210c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 210a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für zumindest einen vom ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a, vom zweiten hochseitigen Leistungsschalter 206a und vom dritten hochseitigen Leistungsschalter 208a zu bilden, auf. Die erste niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 214 des Leiterrahmens 230 weist eine Leiterrahmeninsel 214a und Zuleitungen 214b und 214c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 214a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für den ersten niederseitigen Leistungsschalter 204b zu bilden, auf. Die zweite niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 216 des Leiterrahmens 230 weist eine Leiterrahmeninsel 216a und Zuleitungen 216b und 216c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 216a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für den zweiten niederseitigen Leistungsschalter 206b zu bilden, auf. Die dritte niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 212 des Leiterrahmens 230 weist eine Leiterrahmeninsel 212a und Zuleitungen 212b und 212c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 212a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für den dritten niederseitigen Leistungsschalter 208b zu bilden, auf. Die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 218 des Leiterrahmens 230 weist eine Leiterrahmeninsel 218a und Zuleitungen 218b und 218c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 218a erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für den Treiber-IC 202 zu bilden, auf. Zusätzlich weist die kontinuierliche leitende Struktur 220 eine Leiterrahmeninsel 220a und Zuleitungen 220b und 220c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 220a erstrecken, auf. Die kontinuierliche leitende Struktur 222 weist eine Leiterrahmeninsel 222a und Zuleitungen 222b und 222c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 222a erstrecken, auf. Die kontinuierliche leitende Struktur 224 weist eine Leiterrahmeninsel 224a und Zuleitungen 224b und 224c, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel 224a erstrecken, auf. Bei einer Implementation weisen die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 210, die erste niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 214, die zweite niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 216, die dritte niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 212, die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 218 und die kontinuierlichen leitenden Strukturen 220, 222 und 224 des Leiterrahmens 230 jeweils ein leitendes Material in der Art von Kupfer oder einer Kupferlegierung auf.
  • Der erste hochseitige Leistungsschalter 204a, der zweite hochseitige Leistungsschalter 206a und der dritte hochseitige Leistungsschalter 208a sind beispielsweise unter Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 210a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 verbunden. Der erste niederseitige Leistungsschalter 204b ist beispielsweise unter Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 214a der ersten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 214 verbunden. Der zweite niederseitige Leistungsschalter 206b ist beispielsweise unter Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 216a der zweiten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 216 verbunden. Der dritte niederseitige Leistungsschalter 208b ist beispielsweise unter Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 212a der dritten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 212 verbunden.
  • Bei der vorliegenden Implementation befinden sich der erste hochseitige Leistungsschalter 204a, der zweite hochseitige Leistungsschalter 206a und der dritte hochseitige Leistungsschalter 208a auf der Leiterrahmeninsel 210a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210. Bei einer anderen Implementation können sich der erste hochseitige Leistungsschalter 204a, der zweite hochseitige Leistungsschalter 206a und der dritte hochseitige Leistungsschalter 208a auf getrennten kontinuierlichen leitenden Strukturen (beispielsweise einer ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur, einer zweiten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur und einer dritten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur) des Leiterrahmens 230 befinden.
  • Weil die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 210, die erste niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 214, die zweite niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 216, die dritte niederseitige kontinuierliche leitende Struktur 212, die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 218 und die kontinuierlichen leitenden Strukturen 220, 222 und 224 jeweils eine Leiterrahmeninsel und zwei Zuleitungen, die sich von entgegengesetzten Seiten der Leiterrahmeninsel erstrecken, aufweisen, können elektrische Verbindungen auf beiden Seiten des Leiterrahmens 230 für wenigstens einen Anschluss jedes Leistungsschalters und Treiber-ICs gebildet werden. Beispielsweise können die Zuleitungen 210b und 210c der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 mit einer Busspannung VBUS gekoppelt werden, um den jeweiligen Drains des ersten hochseitigen Leistungsschalters 204a, des zweiten hochseitigen Leistungsschalters 206a und des dritten hochseitigen Leistungsschalters 208a eine Busspannung zuzuführen. Die Zuleitungen 214b und 214c der ersten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 214 können mit einem geschalteten Knoten zwischen dem ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a und dem ersten niederseitigen Leistungsschalter 204b gekoppelt werden. Die Zuleitungen 216b und 216c der zweiten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 216 können mit einem geschalteten Knoten zwischen dem zweiten hochseitigen Leistungsschalter 206a und dem zweiten niederseitigen Leistungsschalter 206b gekoppelt werden. Die Zuleitungen 212b und 212c der dritten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 212 können mit einem geschalteten Knoten zwischen dem dritten hochseitigen Leistungsschalter 208a und dem dritten niederseitigen Leistungsschalter 208b gekoppelt werden. Die Zuleitungen 218b und 218c der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 218 können mit einem Eingang EINGANG für den Treiber-IC 202 gekoppelt werden. Die Zuleitungen 220b und 220c der kontinuierlichen leitenden Struktur 220, die Zuleitungen 222b und 222c der kontinuierlichen leitenden Struktur 222 und die Zuleitungen 224b und 224c der kontinuierlichen leitenden Struktur 224 können jeweils mit entsprechenden Source-Anschlüssen des dritten hochseitigen Leistungsschalters 208b, des ersten niederseitigen Leistungsschalters 204b und des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 206b gekoppelt werden.
  • Der Aufbau der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 ermöglicht es, dass zumindest einer der hochseitigen Leistungsschalter 204a, 206a und 208a selbst dann weiter funktioniert, wenn eine der Zuleitungen 210b und 210c aus der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 entfernt (beispielsweise getrimmt) wird. Ähnlich ermöglichen es die kontinuierlichen leitenden Strukturen 212, 214, 216 und 218, dass die jeweiligen niederseitigen Leistungsschalter 208b, 204b und 206b und der Treiber-IC 202 selbst dann weiter funktionieren, wenn eine ihrer jeweiligen Zuleitungen entfernt (beispielsweise getrimmt) wird. Wie nachstehend detailliert mit Bezug auf die 2C und 2D erörtert wird, kann der Leiterrahmen 230 eine einfache Umwandlung von einer DIP- in eine SIP-Baugruppe ermöglichen.
  • Mit Bezug auf 2B sei bemerkt, dass eine Struktur 282 eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Zwischenverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe zeigt. Beispielsweise beinhaltet die Zwischenverarbeitungsaktion das Koppeln des ersten hochseitigen Leistungsschalters mit dem ersten niederseitigen Leistungsschalter.
  • Wie in 2B dargestellt ist, weist eine Struktur 282 einen ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a, einen zweiten hochseitigen Leistungsschalter 206a und einen dritten hochseitigen Leistungsschalter 208a, die sich auf einer ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 des Leiterrahmens 230 befinden, einen ersten niederseitigen Leistungsschalter 204b, der sich auf einer ersten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 214 des Leiterrahmens 230 befindet, einen zweiten niederseitigen Leistungsschalter 206b, der sich auf einer zweiten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 216 des Leiterrahmens 230 befindet, und einen dritten niederseitigen Leistungsschalter 208b, der sich auf einer dritten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 212 des Leiterrahmens 230 befindet, auf. Die Struktur 282 weist auch den Treiber-IC 202 auf, der sich auf der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 218 des Leiterrahmens 230 befindet.
  • Wie in 2B dargestellt ist, ist der Treiber-IC 202 mit der Leiterrahmeninsel 218a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 218 gekoppelt, um beispielsweise ein Eingangssignal zu empfangen. Der Treiber-IC 202 ist auch durch jeweilige Bonddrähte 244a, 244b, 244c, 244d, 244e und 244f mit den Steueranschlüssen 240a, 240b, 240c, 240d, 240e und 240f des jeweiligen ersten hochseitigen Leistungsschalters 204a, des zweiten hochseitigen Leistungsschalters 206a, des dritten hochseitigen Leistungsschalters 208a, des ersten niederseitigen Leistungsschalters 204b, des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 206b und des dritten niederseitigen Leistungsschalters 208b gekoppelt.
  • Wie in 2B dargestellt ist, ist der Leistungsanschluss 238a (beispielsweise ein Source-Anschluss) des ersten hochseitigen Leistungsschalters 204a durch einen Bonddraht 246a elektrisch mit der Zuleitung 214b der ersten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 214 gekoppelt, während die Zuleitung 214b elektrisch und mechanisch mit einem Leistungsanschluss (beispielsweise einem Drain-Anschluss) des ersten niederseitigen Leistungsschalters 204b gekoppelt ist. Dadurch sind der erste hochseitige Leistungsschalter 204a und der erste niederseitige Leistungsschalter 204b in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden und bilden eine Phase (beispielsweise eine U-Phase) eines Mehrphaseninverters. Wie in 2B dargestellt ist, ist der Leistungsanschluss 238b (beispielsweise ein Source-Anschluss) des zweiten hochseitigen Leistungsschalters 206a durch einen Bonddraht 246b elektrisch mit der Zuleitung 216b der zweiten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 216 gekoppelt, während die Zuleitung 216b elektrisch und mechanisch mit einem Leistungsanschluss (beispielsweise einem Drain-Anschluss) des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 206b gekoppelt ist. Dadurch sind der zweite hochseitige Leistungsschalter 206a und der zweite niederseitige Leistungsschalter 206b in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden und bilden eine Phase (beispielsweise eine V-Phase) des Mehrphaseninverters. Wie in 2B dargestellt ist, ist der Leistungsanschluss 238c (beispielsweise ein Source-Anschluss) des dritten hochseitigen Leistungsschalters 208a durch einen Bonddraht 246c elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 212a der dritten niederseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 212 gekoppelt, während die Leiterrahmeninsel 212a elektrisch und mechanisch mit einem Leistungsanschluss (beispielsweise einem Drain-Anschluss) des dritten niederseitigen Leistungsschalters 208b gekoppelt ist. Dadurch sind der dritte hochseitige Leistungsschalter 208a und der dritte niederseitige Leistungsschalter 208b in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden und bilden eine Phase (beispielsweise eine W-Phase) des Mehrphaseninverters.
  • Wie in 2B dargestellt ist, ist der Leistungsanschluss 238d (beispielsweise ein Source-Anschluss) des ersten niederseitigen Leistungsschalters 204b durch einen Bonddraht 246e elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 222a der kontinuierlichen leitenden Struktur 222 gekoppelt. Der Leistungsanschluss 238e (beispielsweise ein Source-Anschluss) des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 206b ist durch einen Bonddraht 246f elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 224a der kontinuierlichen leitenden Struktur 224 gekoppelt. Der Leistungsanschluss 238f (beispielsweise ein Source-Anschluss) des dritten niederseitigen Leistungsschalters 208b ist durch einen Bonddraht 246d elektrisch mit der Leiterrahmeninsel 220a der kontinuierlichen leitenden Struktur 220 gekoppelt.
  • Bei der vorliegenden Implementation können die Bonddrähte 244a–244f, 246a–246f und 252 ein leitendes Material in der Art von Aluminium, Gold oder Kupfer aufweisen. Die Bonddrähte 244a–244f und 252 können jeweils einen Durchmesser in einem Bereich zwischen 1,3-2 Millizoll (mils) (d.h. 10–3 Zoll (inches)) aufweisen. Die Bonddrähte 246a–246f können jeweils einen Durchmesser in einem Bereich zwischen 2–20 Millizoll (d.h. 10–3 Zoll) aufweisen. Bei einer anderen Implementation können die Bonddrähte 244a–244f, 246a–246f und 252 im Interesse einer verbesserten Stromführungskapazität die Form leitender Bänder annehmen.
  • Mit Bezug auf 2C sei bemerkt, dass eine Struktur 284 eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Zwischenverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe zeigt. Beispielsweise beinhaltet die Zwischenverarbeitungsaktion das Abdecken des ersten hochseitigen Leistungsschalters und des ersten niederseitigen Leistungsschalters mit einer Verkapselung. Bei der vorliegenden Implementation ist die Struktur 284 eine Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe in der Art einer geformten Dual-in-Line-Leiterrahmenbaugruppe mit Zuleitungen, die von zwei entgegengesetzten Seiten der Struktur 284 vorstehen. Wie in 2C ersichtlich ist, läuft bei der Struktur 284 jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 über die gesamte Breite der Halbleiterbaugruppe und weist Zuleitungen auf, die zur elektrischen Verbindung von entgegengesetzten Seiten der Halbleiterbaugruppe vorstehen. Demgemäß bietet die Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe einen Zugang zu verschiedenen Eingängen und Ausgängen auf zwei Seiten der Struktur 284.
  • Wie in 2C dargestellt ist, weist die Struktur 284 eine Verkapselung 250 auf, die den ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a, den zweiten hochseitigen Leistungsschalter 206a, den dritten hochseitigen Leistungsschalter 208a, den ersten niederseitigen Leistungsschalter 204b, den zweiten niederseitigen Leistungsschalter 206b und den dritten niederseitigen Leistungsschalter 208b bedeckt. Die Verkapselung 250 bedeckt die Leiterrahmeninseln 210a, 212a, 214a, 216a, 218a, 220a, 222a und 224a des Leiterrahmens 230. Die Verkapselung 250 bedeckt auch Abschnitte der Zuleitungen 210b, 212b, 214b, 216b, 218b, 220b, 222b und 224b auf einer Seite des Leiterrahmens 230 und Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c auf der anderen Seite des Leiterrahmens 230. Zusätzlich bedeckt die Verkapselung 250 auch die Bonddrähte 244a–244f, 246a–246f und 252. Bei der vorliegenden Implementation weist die Verkapselung 250 eine Formmischung (engl. mold compound) in der Art eines Kunststoffs mit einem geringen Biegemodul auf. Bei einer Implementation kann die Verkapselung 250 eine stark wärmeleitende Formmischung aufweisen, um eine Hochspannungsisolation zu erreichen. Es sei bemerkt, dass während des Formungsprozesses der Leiterrahmen 230 über beiden Seiten der Struktur 284 suspendiert ist. Durch Zuleitungen, die auf beiden Seiten suspendiert sind, kann die Stabilität des Leiterrahmens 230 während des Formungsprozesses verbessert werden, wodurch eine bessere Steuerung der Dicke der Verkapselung 250 ermöglicht wird.
  • Mit Bezug auf 2D sei bemerkt, dass eine Struktur 286 eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer Endverarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe zeigt. Beispielsweise beinhaltet die Endverarbeitungsaktion das Entfernen einer oder mehrerer Zuleitungen, die von einer Seite der Halbleiterbaugruppe vorstehen.
  • Wie in 2D dargestellt ist, werden Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c, die von einer Seite des gekapselten Leiterrahmens 230 in 2C vorstehen, beispielsweise durch Trimmen oder Schneiden entfernt. Wie in 2D dargestellt ist, wird die Struktur 286 nach dem Trimmen von der in 2C dargestellten Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe in eine Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe in der Art einer geformten Single-in-Line-Leiterrahmenbaugruppe umgewandelt, wobei die Zuleitungen nur von einer Seite der Struktur 286 vorstehen. Wie in 2D ersichtlich ist, bleiben bei der Struktur 286 nach dem Trimmen der Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c, die aus der Verkapselung 250 vorstehen, die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c, die von der Verkapselung 250 bedeckt sind, in der Struktur 286 intakt, welche bei herkömmlichen SIP-Baugruppen nicht vorhanden wären. Der Grund, aus dem die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c bei herkömmlichen SIP-Baugruppen nicht vorhanden wären, besteht darin, dass herkömmliche SIP-Baugruppen nur Zuleitungen benötigen, die von einer Seite der Baugruppe vorstehen. Demgemäß würde sich von einer leitenden Struktur nur eine Zuleitung erstrecken und von einer Seite der herkömmlichen SIP-Baugruppe vorstehen und würde nicht die gesamte Breite der herkömmlichen SIP-Baugruppe durchlaufen. Dagegen durchläuft bei der vorliegenden Implementation, wobei die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c vorhanden sind, jede der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 die gesamte Breite der Halbleiterbaugruppe und weist Zuleitungen auf, die für die elektrische Verbindung von einer Seite der Halbleiterbaugruppe vorstehen. Weil die kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 jeweils zwei Zuleitungen aufweisen, die elektrisch mit einer Leiterrahmeninsel gekoppelt sind und sich davon erstrecken, um eine kontinuierliche Leiterbahn für ihre entsprechenden Halbleitervorrichtungen zu bilden, können die Halbleitervorrichtungen nach dem Trimmen der Zuleitungen auf einer Seite der Halbleiterbaugruppe auch weiter funktionieren, indem sich auf die restlichen Zuleitungen auf der entgegengesetzten Seite der Halbleiterbaugruppe für die elektrische Verbindung verlassen wird. Wie in 2D dargestellt ist, läuft nach dem Trimmen jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 über die gesamte Breite der Halbleiterbaugruppe und weist jeweilige Zuleitungen 210b, 212b, 214b, 216b, 218b, 220b, 222b und 224b auf, die zur elektrischen Verbindung von einer Seite der Halbleiterbaugruppe vorstehen. Unter anderen Vorteilen ermöglichen die kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224, die jeweils Zuleitungen aufweisen, die sich von zwei entgegengesetzten Seiten einer Leiterrahmeninsel erstrecken, eine einfache Umwandlung von einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe in eine Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe, ohne die innere Struktur (beispielsweise Anordnungen der Halbleiterkomponenten oder entsprechender elektrischer Leiterbahnen) der Leiterrahmenbaugruppe zu rekonfigurieren, wodurch die Herstellungszeit, die Kosten und die Komplexität erheblich verringert werden. Es sei bemerkt, dass die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c in 2D ohne elektrische Isolation freiliegend gelassen sind.
  • Wenngleich 2D das Trimmen von Abschnitten der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c zeigt, die von einer Seite des gekapselten Leiterrahmens 230 vorstehen, ist zu verstehen, dass das Trimmen bei einer anderen Implementation auf der entgegengesetzten Seite der Struktur 286 ausgeführt werden kann (beispielsweise durch Entfernen von Abschnitten der Zuleitungen 210b, 212b, 214b, 216b, 218b, 220b, 222b und 224b, die vom gekapselten Leiterrahmen 230 vorstehen), wobei es noch ermöglicht wird, dass die Struktur 286 als eine SIP-Baugruppe funktioniert, indem sich auf die ungetrimmten Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c für die elektrische Verbindung verlassen wird.
  • Mit Bezug auf 2E sei bemerkt, dass eine Struktur 288 eine Draufsicht eines Abschnitts einer gemäß einer optionalen Verarbeitungsaktion gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung verarbeiteten Halbleiterbaugruppe zeigt. Beispielsweise beinhaltet die optionale Verarbeitungsaktion das elektrische Isolieren der einen oder der mehreren Zuleitungen auf der einen Seite der Halbleiterbaugruppe.
  • Wie in 2E dargestellt ist, sind die freiliegenden Abschnitte der Zuleitungen 210c, 212c, 214c, 216c, 218c, 220c, 222c und 224c auf einer Seite des geformten Leiterrahmens 230 durch jeweilige Isolationskappen 248a, 248b, 248c, 248d, 248e, 248f, 248g und 248h elektrisch isoliert. Bei einer Implementation können die Isolationskappen 248a, 248b, 248c, 248d, 248e, 248f, 248g und 248h ein isolierendes Material in der Art eines dispensierten Epoxidharzes, einer Pulverbeschichtung oder einer dielektrischen Beschichtung aufweisen. Dabei können elektrische Verbindungen nur durch die Zuleitungen 210b, 212b, 214b, 216b, 218b, 220b, 222b und 224b auf der entgegengesetzten Seite der Halbleiterbaugruppe gebildet werden.
  • Mit Bezug auf die 3A, 3B, 3C und 3D sei bemerkt, dass jede der 3A, 3B, 3C und 3D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung zeigt. Beispielsweise kann die Schnittansicht in jeder der 3A, 3B, 3C und 3D dem Querschnitt der Struktur 182 entlang der Linie 3-3 in 1B gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung entsprechen. In den 3A, 3B, 3C und 3D können eine Halbleitervorrichtung 304a, eine kontinuierliche leitende Struktur 310 und eine kontinuierliche leitende Struktur 314 der Halbleitervorrichtung 104a, der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 des Leiterrahmens 130 bzw. der kontinuierlichen leitenden Struktur 114 des Leiterrahmens 130 in 1B entsprechen.
  • Wie in den 3A, 3B, 3C und 3D dargestellt ist, weisen jeweilige Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppen 382A, 382B, 382C und 382D jeweils die Halbleitervorrichtung 304a auf, die sich auf einer Leiterrahmeninsel 310a der kontinuierlichen leitenden Struktur 310 befindet und durch einen Bonddraht mit einer Zuleitung 314b der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 gekoppelt ist. Die Halbleitervorrichtung 304a weist einen Anschluss 338a auf ihrer oberen Fläche und einen Anschluss 342a auf ihrer unteren Fläche auf. Der Anschluss 338a der Halbleitervorrichtung 304a ist durch einen Bonddraht elektrisch mit der Zuleitung 314b der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 verbunden. Der Anschluss 342a der Halbleitervorrichtung 304a ist beispielsweise unter Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 310a der kontinuierlichen leitenden Struktur 310 verbunden. Eine Verkapselung 350 bedeckt die Halbleitervorrichtung 304a, die Leiterrahmeninsel 310a der kontinuierlichen leitenden Struktur 310 und Abschnitte der Zuleitungen 310c und 314b, während die restlichen Abschnitte der Zuleitungen 310c und 314b von entgegengesetzten Seiten der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe vorstehen.
  • Wie in 3A dargestellt ist, weisen sowohl die kontinuierliche leitende Struktur 310 als auch die kontinuierliche leitende Struktur 314 über ihre gesamte Länge eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke auf. Bei einer Implementation können die kontinuierliche leitende Struktur 310 und die kontinuierliche leitende Struktur 314 jeweils eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke in einem Bereich zwischen 0,2 bis 2 mm (d.h. 10–3 Meter) aufweisen.
  • Wie in 3B dargestellt ist, weist die Zuleitung 314b der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 einen heruntergesetzten Abschnitt auf, der dafür ausgelegt ist, infolge des verringerten Abstands (beispielsweise 0,3 bis 1 mm) zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Zuleitung 314b und der unteren Fläche der Verkapselung 350 den thermischen Widerstand der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppen 382B zu verringern.
  • Wie in 3C dargestellt ist, weist die Zuleitung 314b der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Zuleitung 314b die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 behält, während die restlichen Abschnitte der Zuleitung 314b einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 des Leiterrahmens behalten. Der Volldickenabschnitt der Zuleitung 314b kann durch den verringerten Abstand zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der Zuleitung 314b und der unteren Fläche der Verkapselung 350 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppen 382C verbessert wird.
  • Wie in 3D dargestellt ist, weist die Zuleitung 314b der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Zuleitung 314b die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 behält, während die restlichen Abschnitte der Zuleitung 314b einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 des Leiterrahmens behalten. Der Volldickenabschnitt der Zuleitung 314b kann durch den verringerten Abstand zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der Zuleitung 314b und der unteren Fläche der Verkapselung 350 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppen 382D verbessert wird. Auch weist, wie in 3D dargestellt ist, die Zuleitung 314b der kontinuierlichen leitenden Struktur 314 einen heruntergesetzten Abschnitt auf, der infolge des weiter verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Zuleitung 314b und der unteren Fläche der Verkapselung 350 den thermischen Widerstand der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppen 382D weiter verringern kann. Wenngleich in den 3B–3D nur gezeigt ist, dass die kontinuierliche leitende Struktur 314 einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweist, ist zu verstehen, dass jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 des Leiterrahmens 130 in 1B einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen kann.
  • Bei einer anderen Implementation kann die Leiterrahmeninsel 310a der kontinuierlichen leitenden Struktur 310 in den 3A–3D, worauf sich die Halbleitervorrichtung 304a befindet, auch einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt (engl. dual gauge) aufweisen, um die thermische Funktionsweise der Halbleitervorrichtung 304a zu verbessern. Ähnlich kann auch jede der Leiterrahmeninseln 112a, 114a und 116a der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 112, 114 und 116 in 1B einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise der jeweiligen sich darauf befindenden Halbleitervorrichtungen 108b, 104b und 106b zu verbessern.
  • Mit Bezug auf die 4A, 4B, 4C und 4D sei bemerkt, dass jede der 4A, 4B, 4C und 4D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung zeigt. Beispielsweise kann die Schnittansicht in jeder der 4A, 4B, 4C und 4D dem Querschnitt der Struktur 184 entlang der Linie 4-4 in 1C gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung entsprechen. In den 4A, 4B, 4C und 4D können eine Halbleitervorrichtung 404a, eine kontinuierliche leitende Struktur 410 und eine kontinuierliche leitende Struktur 414 der Halbleitervorrichtung 104a, der kontinuierlichen leitenden Struktur 110 des Leiterrahmens 130 bzw. der kontinuierlichen leitenden Struktur 114 des Leiterrahmens 130 in 1C entsprechen.
  • Wie in den 4A, 4B, 4C und 4D dargestellt ist, weisen jeweilige Single-in-Line-Halbleiterbaugruppen 484A, 484B, 484C und 484D jeweils die Halbleitervorrichtung 404a auf, die sich auf einer Leiterrahmeninsel 410a der kontinuierlichen leitenden Struktur 410 befindet und durch einen Bonddraht mit einer Zuleitung 414b der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 gekoppelt ist. Die Halbleitervorrichtung 404a weist einen Anschluss 438a auf ihrer oberen Fläche und einen Anschluss 442a auf ihrer unteren Fläche auf. Der Anschluss 438a der Halbleitervorrichtung 404a ist durch einen Bonddraht elektrisch mit der Zuleitung 414b der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 verbunden. Der Anschluss 442a der Halbleitervorrichtung 404a ist beispielsweise unter Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 410a der kontinuierlichen leitenden Struktur 410 verbunden. Die Verkapselung 450 bedeckt die Halbleitervorrichtung 404a, die Leiterrahmeninsel 410a der kontinuierlichen leitenden Struktur 410 und Abschnitte der Zuleitungen 410c und 414b, während der restliche Abschnitt der Zuleitung 414b von einer Seite der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe vorsteht. Es sei bemerkt, dass ein Abschnitt der Zuleitung 410c der kontinuierlichen leitenden Struktur 410 von der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe entfernt wurde und durch die optionale Isolationskappe 448a elektrisch isoliert wurde.
  • Wie in 4A dargestellt ist, haben sowohl die kontinuierliche leitende Struktur 410 als auch die kontinuierliche leitende Struktur 414 über ihre gesamte Länge eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke. Bei einer Implementation können die kontinuierlichen leitenden Strukturen 410 und 414 jeweils eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke in einem Bereich zwischen 0,2 bis 2 mm (d.h. 10–3 Meter) aufweisen.
  • Wie in 4B dargestellt ist, weist die Zuleitung 414b der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 einen heruntergesetzten Abschnitt auf, der dafür ausgelegt ist, infolge des verringerten Abstands (beispielsweise 0,3 bis 1 mm) zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Zuleitung 414b und der unteren Fläche der Verkapselung 450 den thermischen Widerstand der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 484B zu verringern.
  • Wie in 4C dargestellt ist, weist die Zuleitung 414b der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Zuleitung 414b die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 behält, während die restlichen Abschnitte der Zuleitung 414b einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 des Leiterrahmens behalten. Der Volldickenabschnitt der Zuleitung 414b kann durch den verringerten Abstand zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der Zuleitung 414b und der unteren Fläche der Verkapselung 450 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe 484C verbessert wird.
  • Wie in 4D dargestellt ist, weist die Zuleitung 414b der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Zuleitung 414b die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 behält, während die restlichen Abschnitte der Zuleitung 414b einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 des Leiterrahmens behalten. Der Volldickenabschnitt der Zuleitung 414b kann durch den verringerten Abstand zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der Zuleitung 414b und der unteren Fläche der Verkapselung 450 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 484D verbessert wird. Auch weist, wie in 4D dargestellt ist, die Zuleitung 414b der kontinuierlichen leitenden Struktur 414 einen heruntergesetzten Abschnitt auf, der infolge des weiter verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Zuleitung 414b und der unteren Fläche der Verkapselung 450 den thermischen Widerstand der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 484D weiter verringern kann. Wenngleich in den 4B–4D nur gezeigt ist, dass die kontinuierliche leitende Struktur 414 einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweist, ist zu verstehen, dass jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 110, 112, 114, 116, 120, 122 und 124 des Leiterrahmens 130 in 1C einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen kann.
  • Bei einer anderen Implementation kann die Leiterrahmeninsel 410a der kontinuierlichen leitenden Struktur 410 in den 4A–4D, worauf sich die Halbleitervorrichtung 404a befindet, auch einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise der Halbleitervorrichtung 404a zu verbessern. Ähnlich kann auch jede der Leiterrahmeninseln 112a, 114a und 116a der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 112, 114 und 116 in 1C einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise der jeweiligen sich darauf befindenden Halbleitervorrichtungen 108b, 104b und 106b zu verbessern.
  • Mit Bezug auf die 5A, 5B, 5C und 5D sei bemerkt, dass jede der 5A, 5B, 5C und 5D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung zeigt. Beispielsweise kann die Schnittansicht in jeder der 5A, 5B, 5C und 5D dem Querschnitt der Struktur 284 entlang der Linie 5-5 in 2C gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung entsprechen. In den 5A, 5B, 5C und 5D können ein erster hochseitiger Leistungsschalter 504a, eine erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 510, ein Treiber-IC 502 und eine kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 518 dem ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a, der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 des Leiterrahmens 230, dem Treiber-IC 202 bzw. der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 218 des Leiterrahmens 230 in 2C entsprechen.
  • Wie in den 5A, 5B, 5C und 5D dargestellt ist, weisen die jeweiligen Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppen 584A, 584B, 584C und 584D jeweils den ersten hochseitigen Leistungsschalter 504a, der sich auf einer Leiterrahmeninsel 510a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 510 befindet, und den Treiber-IC 502, der sich auf einer Leiterrahmeninsel 518a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 befindet, auf. Der erste hochseitige Leistungsschalter 504a weist auf seiner oberen Fläche einen Leistungsanschluss 538a (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 540a (beispielsweise einen Gate-Anschluss) und auf seiner unteren Fläche einen Leistungsanschluss 542a (beispielsweise einen Drain-Anschluss) auf. Der Steueranschluss 540a des ersten hochseitigen Leistungsschalters 504a ist durch einen Bonddraht 544a elektrisch mit dem Treiber-IC 502 verbunden. Der Leistungsanschluss 542a des ersten hochseitigen Leistungsschalters 504a ist beispielsweise durch die Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 510a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 510 verbunden. Wenngleich dies in 5A nicht explizit dargestellt ist, ist der Leistungsanschluss 538a des ersten hochseitigen Leistungsschalters 504a durch den Bonddraht 246a und die Zuleitung 214b, wie in 2C dargestellt ist, elektrisch mit einem Leistungsanschluss (beispielsweise einem Drain-Anschluss) eines ersten niederseitigen Leistungsschalters in der Art des ersten niederseitigen Leistungsschalters 204b verbunden. Die Verkapselung 550 bedeckt den ersten hochseitigen Leistungsschalter 504a, den Treiber-IC 502, die Leiterrahmeninsel 510a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 510 und die Leiterrahmeninsel 518a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens. Die Verkapselung 550 bedeckt auch einen Abschnitt der Zuleitung 510c der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 510 und einen Abschnitt der Zuleitung 518b der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens, während die restlichen Abschnitte der Zuleitung 510c der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 510 und der Zuleitung 518b der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 von entgegengesetzten Seiten der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe 584A vorstehen.
  • Wie in 5A dargestellt ist, haben sowohl die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 510 als auch die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 518 über ihre gesamte Länge eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke. Bei einer Implementation können die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 510 und die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 518 jeweils eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke in einem Bereich zwischen 0,2 bis 2 mm (d.h. 10–3 Meter) aufweisen.
  • Wie in 5B dargestellt ist, weist die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 518 die Leiterrahmeninsel 518a auf, die gegenüber der Zuleitung 518b der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 heruntergesetzt ist. Der heruntergesetzte Abschnitt unter dem Treiber-IC 502 kann infolge des verringerten Abstands (beispielsweise 0,3 bis 1 mm) zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Leiterrahmeninsel 518a und der unteren Fläche der Verkapselung 550 den thermischen Widerstand der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe 584B verringern.
  • Wie in 5C dargestellt ist, weist die Leiterrahmeninsel 518a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Leiterrahmeninsel 518a direkt unter dem Treiber-IC 502 die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens beibehält, während die restlichen Abschnitte der Leiterrahmeninsel 518a einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens beibehalten. Der Volldickenabschnitt der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 direkt unter dem Treiber-IC 502 kann infolge des verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 und der unteren Fläche der Verkapselung 550 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe 584C verbessert wird.
  • Wie in 5D dargestellt ist, weist die Leiterrahmeninsel 518a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Leiterrahmeninsel 518a direkt unter dem Treiber-IC 502 die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens beibehält, während die restlichen Abschnitte der Leiterrahmeninsel 518a einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 des Leiterrahmens beibehalten. Der Volldickenabschnitt der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 direkt unter dem Treiber-IC 502 kann infolge des verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 und der unteren Fläche der Verkapselung 550 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe 584D verbessert wird. Auch ist, wie in 5D dargestellt ist, die Leiterrahmeninsel 518a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 gegenüber der Zuleitung 518b der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 518 heruntergesetzt. Der heruntergesetzte Abschnitt unter dem Treiber-IC 502 kann infolge des weiter verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Leiterrahmeninsel 518a und der unteren Fläche der Verkapselung 550 den thermischen Widerstand der Dual-in-Line-Halbleiterbaugruppe 584D weiter verringern. Wenngleich in den 5B–5D nur dargestellt ist, dass die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 518 einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweist, ist zu verstehen, dass jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 des Leiterrahmens 230 in 2C einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen kann.
  • Bei einer anderen Implementation kann die Leiterrahmeninsel 510a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 510 in den 5A–5D, worauf sich der erste hochseitige Leistungsschalter 504a befindet, auch einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise des ersten hochseitigen Leistungsschalters 504a zu verbessern. Ähnlich können die jeweiligen Leiterrahmeninseln 212a, 214a und 216a der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 212, 214 und 216 in 2C auch einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise der jeweiligen sich darauf befindenden niederseitigen Leistungsschalter 208b, 204b und 206b zu verbessern.
  • Mit Bezug auf die 6A, 6B, 6C und 6D sei bemerkt, dass jede der 6A, 6B, 6C und 6D eine Schnittansicht eines Abschnitts einer Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung zeigt. Beispielsweise kann die Schnittansicht in jeder der 6A, 6B, 6C und 6D dem Querschnitt der Struktur 288 entlang der Linie 6-6 in 2E gemäß einer Implementation der vorliegenden Anmeldung entsprechen. In den 6A, 6B, 6C und 6D können ein erster hochseitiger Leistungsschalter 604a, eine erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 610, ein Treiber-IC 602 und eine kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 618 dem ersten hochseitigen Leistungsschalter 204a, der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 210 des Leiterrahmens 230, dem Treiber-IC 202 bzw. der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 218 des Leiterrahmens 230 in 2E entsprechen.
  • Wie in den 6A, 6B, 6C und 6D dargestellt ist, weisen die jeweiligen Single-in-Line-Halbleiterbaugruppen 688A, 688B, 688C und 688D jeweils den ersten hochseitigen Leistungsschalter 604a, der sich auf einer Leiterrahmeninsel 610a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 610 befindet, und den Treiber-IC 602, der sich auf einer Leiterrahmeninsel 618a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 befindet, auf. Der erste hochseitige Leistungsschalter 604a weist einen Leistungsanschluss 638a (beispielsweise einen Source-Anschluss) und einen Steueranschluss 640a (beispielsweise einen Gate-Anschluss) auf seiner oberen Fläche und einen Leistungsanschluss 642a (beispielsweise einen Drain-Anschluss) auf seiner unteren Fläche auf. Der Steueranschluss 640a des ersten hochseitigen Leistungsschalters 604a ist durch einen Bonddraht 644a elektrisch mit dem Treiber-IC 602 verbunden. Der Leistungsanschluss 642a des ersten hochseitigen Leistungsschalters 604a ist beispielsweise durch die Verwendung von Lot oder eines leitenden Klebstoffs elektrisch und mechanisch mit der Leiterrahmeninsel 610a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 610 verbunden. Wenngleich dies in 6A nicht explizit dargestellt ist, ist der Leistungsanschluss 638a des ersten hochseitigen Leistungsschalters 604a durch den Bonddraht 246a und die Zuleitung 214b, wie in 2E dargestellt ist, elektrisch und mechanisch mit einem Steueranschluss (beispielsweise einem Drain-Anschluss) eines ersten niederseitigen Leistungsschalters in der Art des ersten niederseitigen Leistungsschalters 204b verbunden. Die Verkapselung 650 bedeckt den ersten hochseitigen Leistungsschalter 604a, den Treiber-IC 602 und die Leiterrahmeninsel 610a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 610 und die Leiterrahmeninsel 618a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618. Die Verkapselung 650 bedeckt auch Abschnitte der Zuleitungen 610c und 618b, während der restliche Abschnitt der Zuleitung 618b von einer Seite der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe vorsteht. Es sei bemerkt, dass ein Abschnitt der Zuleitung 610c von der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe entfernt ist und durch eine optionale Isolationskappe 648a elektrisch isoliert ist.
  • Wie in 6A dargestellt ist, haben sowohl die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 610 als auch die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 618 über ihre gesamte Länge eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke. Bei einer Implementation können die erste hochseitige kontinuierliche leitende Struktur 610 und die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 618 jeweils eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke in einem Bereich zwischen 0,2 bis 2 mm (d.h. 10–3 Meter) aufweisen.
  • Wie in 6B dargestellt ist, weist die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 618 die Leiterrahmeninsel 618a auf, die gegenüber der Zuleitung 618b der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 heruntergesetzt ist. Der heruntergesetzte Abschnitt unter dem Treiber-IC 602 kann infolge des verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Leiterrahmeninsel 618a und der unteren Fläche der Verkapselung 650 den thermischen Widerstand der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 688B verringern.
  • Wie in 6C dargestellt ist, weist die Leiterrahmeninsel 618a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Leiterrahmeninsel 618a direkt unter dem Treiber-IC 602 die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 des Leiterrahmens beibehält, während die restlichen Abschnitte der Leiterrahmeninsel 618a einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 des Leiterrahmens beibehalten. Der Volldickenabschnitt der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 direkt unter dem Treiber-IC 602 kann infolge des verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 und der unteren Fläche der Verkapselung 650 den thermischen Widerstand verringern, wodurch die thermische Funktionsweise der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 688C verbessert wird.
  • Wie in 6D dargestellt ist, weist die Leiterrahmeninsel 618a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 des Leiterrahmens einen Doppelmaßabschnitt auf, wobei ein Abschnitt der Leiterrahmeninsel 618a direkt unter dem Treiber-IC 602 die volle Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 des Leiterrahmens beibehält, während die restlichen Abschnitte der Leiterrahmeninsel 618a einen Bruchteil (beispielsweise halbgeätzt oder viertelgeätzt) der vollen Dicke der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 des Leiterrahmens beibehalten. Der Volldickenabschnitt der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 direkt unter dem Treiber-IC 602 kann infolge des verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des Volldickenabschnitts der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 und der unteren Fläche der Verkapselung 650 den thermischen Widerstand der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 688D verringern. Auch ist, wie in 6D dargestellt ist, die Leiterrahmeninsel 618a der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 gegenüber der Zuleitung 618b der kontinuierlichen leitenden Treiber-IC-Struktur 618 heruntergesetzt. Der heruntergesetzte Abschnitt unter dem Treiber-IC 602 kann infolge des weiter verringerten Abstands zwischen der unteren Fläche des heruntergesetzten Abschnitts der Leiterrahmeninsel 618a und der unteren Fläche der Verkapselung 650 den thermischen Widerstand der Single-in-Line-Halbleiterbaugruppe 688D weiter verringern. Wenngleich in den 6B–6D nur dargestellt ist, dass die kontinuierliche leitende Treiber-IC-Struktur 618 einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweist, ist zu verstehen, dass jede der kontinuierlichen leitenden Strukturen 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222 und 224 des Leiterrahmens 230 in 2E einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen kann.
  • Bei einer anderen Implementation kann die Leiterrahmeninsel 610a der ersten hochseitigen kontinuierlichen leitenden Struktur 610 in den 6A–6D, worauf sich der erste hochseitige Leistungsschalter 604a befindet, auch einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise des ersten hochseitigen Leistungsschalters 604a zu verbessern. Ähnlich können die jeweiligen Leiterrahmeninseln 212a, 214a und 216a der jeweiligen kontinuierlichen leitenden Strukturen 212, 214 und 216 in 2E auch einen heruntergesetzten Abschnitt und/oder einen Doppelmaßabschnitt aufweisen, um die thermische Funktionsweise der jeweiligen sich darauf befindenden niederseitigen Leistungsschalter 208b, 204b und 206b zu verbessern.
  • 7 zeigt ein schematisches Diagramm einer als Beispiel dienenden Mehrphaseninverterschaltung einer Halbleiterbaugruppe. In 7, wobei ähnliche Bezugszeichen ähnliche Merkmale wie in den 2A–2E repräsentieren, weist eine Halbleiterbaugruppe 700 einen integrierten Treiberschaltkreis (IC) 702 und einen Mehrphaseninverter 760 auf. Der Mehrphaseninverter 760 weist eine U-Phase mit einem ersten hochseitigen Leistungsschalter 704a und einem ersten niederseitigen Leistungsschalter 704b, eine V-Phase mit einem zweiten hochseitigen Leistungsschalter 706a und einem zweiten niederseitigen Leistungsschalter 706b und eine W-Phase mit einem dritten hochseitigen Leistungsschalter 708a und einem dritten niederseitigen Leistungsschalter 708b auf.
  • In der U-Phase des Mehrphaseninverters 760 sind der erste hochseitige Leistungsschalter 704a und der erste niederseitige Leistungsschalter 704b in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden. Wie in 7 dargestellt ist, ist die Drain-Elektrode des ersten hochseitigen Leistungsschalters 704a an einem Anschluss 710 elektrisch mit einer Busspannung VBUS gekoppelt. Die Source-Elektrode des ersten hochseitigen Leistungsschalters 704a ist an einem geschalteten Knoten 714 elektrisch mit der Drain-Elektrode des ersten niederseitigen Leistungsschalters 704b gekoppelt. Die Source-Elektrode des ersten niederseitigen Leistungsschalters 704b ist elektrisch mit einem Anschluss 722 gekoppelt. Der Treiber-IC 702 stellt der Gate-Elektrode des ersten hochseitigen Leistungsschalters 704a ein erstes hochseitiges Gate-Signal H1 und der Gate-Elektrode des ersten niederseitigen Leistungsschalters 704b ein erstes niederseitiges Gate-Signal L1 bereit.
  • In der V-Phase des Mehrphaseninverters 760 sind der zweite hochseitige Leistungsschalter 706a und der zweite niederseitige Leistungsschalter 706b in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden. Wie in 7 dargestellt ist, ist die Drain-Elektrode des zweiten hochseitigen Leistungsschalters 706a an einem Anschluss 710 elektrisch mit der Busspannung VBUS gekoppelt. Die Source-Elektrode des zweiten hochseitigen Leistungsschalters 706a ist an einem geschalteten Knoten 716 elektrisch mit der Drain-Elektrode des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 706b gekoppelt. Die Source-Elektrode des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 706b ist elektrisch mit einem Anschluss 724 gekoppelt. Der Treiber-IC 702 stellt der Gate-Elektrode des zweiten hochseitigen Leistungsschalters 706a ein zweites hochseitiges Gate-Signal H2 und der Gate-Elektrode des zweiten niederseitigen Leistungsschalters 706b ein zweites niederseitiges Gate-Signal L2 bereit.
  • In der W-Phase des Mehrphaseninverters 760 sind der dritte hochseitige Leistungsschalter 708a und der dritte niederseitige Leistungsschalter 708b in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden. Wie in 7 dargestellt ist, ist die Drain-Elektrode des dritten hochseitigen Leistungsschalters 708a an einem Anschluss 710 elektrisch mit der Busspannung VBUS gekoppelt. Die Source-Elektrode des dritten hochseitigen Leistungsschalters 708a ist an einem geschalteten Knoten 712 elektrisch mit der Drain-Elektrode des dritten niederseitigen Leistungsschalters 708b gekoppelt. Die Source-Elektrode des dritten niederseitigen Leistungsschalters 708b ist elektrisch mit einem Anschluss 720 gekoppelt. Der Treiber-IC 702 stellt der Gate-Elektrode des dritten hochseitigen Leistungsschalters 708a ein drittes hochseitiges Gate-Signal H3 und der Gate-Elektrode des dritten niederseitigen Leistungsschalters 708b ein drittes niederseitiges Gate-Signal L3 bereit.
  • Der Treiber-IC 702 kann verschiedene Schaltungskomponenten in der Art von Eingangslogiken, Pegelschiebern, Überspannungsund Unterspannungs-Schutzschaltungen, Vergleichern, Latches, hochseitigen Treibern, niederseitigen Treibern, Kondensatoren und Bootstrap-Dioden aufweisen, die in 7 nicht explizit dargestellt sind. Der Treiber-IC 702 ist dafür ausgelegt, ein oder mehrere Eingangssignale EINGANG von einem oder mehreren Eingangsanschlüssen 718 zu empfangen und Gate-Signale den Leistungsschaltern im Mehrphaseninverter 760 bereitzustellen, wie vorstehend beschrieben wurde.
  • Es sei bemerkt, dass, wenngleich eine Halbleiterbaugruppe mit einem Mehrphaseninverter und einem Treiber-IC als eine Implementation der vorliegenden Anmeldung dargestellt wurde, andere Implementationen der vorliegenden Anmeldung eine Halbleiterbaugruppe mit einem Einzelphaseninverter und mit einem Treiber-IC oder ohne diesen aufweisen können.
  • Implementationen der vorliegenden Anmeldung bieten Kunden mehrere Baugruppenoptionen mit einem sehr anpassbaren Leiterrahmen (beispielsweise Leiterrahmen 130 in den 1A–1C und Leiterrahmen 230 in den 2A–2E), welche in mehrere endgültige Baugruppenplattformen in der Art von SIP, DIP und Oberflächenmontierte-Vorrichtung(SMD)-Baugruppen umgewandelt werden können. Der Umwandlungsprozess von einer Baugruppenplattform in eine andere kann ohne Rekonfigurieren der inneren Struktur (beispielsweise Anordnungen der Halbleiterkomponenten oder entsprechender elektrischer Leiterbahnen) der Leiterrahmenbaugruppe erfolgen, wodurch die Werkzeugeinrichtungskosten erheblich verringert werden und die Herstellungsgeräte-Umwandlungszeit auch verringert wird. Überdies verbessern Implementationen der vorliegenden Anmeldung die Herstellungsstraßeneffizienz, indem während der Herstellung mehrere Änderungen der Prozesseinrichtung vermieden werden.
  • Anhand der vorstehenden Beschreibung ist ersichtlich, dass verschiedene Techniken zur Implementation der in der vorliegenden Anmeldung beschriebenen Konzepte verwendet werden können, ohne vom Umfang dieser Konzepte abzuweichen. Überdies werden Durchschnittsfachleute auf dem Gebiet erkennen, dass Änderungen an der Form und den Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne vom Umfang dieser Konzepte abzuweichen, wenngleich die Konzepte unter spezifischem Bezug auf bestimmte Implementationen beschrieben wurden. Dabei sind die beschriebenen Implementationen in allen Hinsichten als erläuternd und nicht als einschränkend anzusehen. Es sei auch bemerkt, dass die vorliegende Anmeldung nicht auf die bestimmten hier beschriebenen Implementationen beschränkt ist, sondern dass viele Umordnungen, Modifikationen und Substitutionen möglich sind, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims (20)

  1. Halbleiterbaugruppe, umfassend: wenigstens eine Halbleitervorrichtung, die sich auf einer Leiterrahmeninsel befindet, wenigstens eine erste Zuleitung, die von einer ersten Seite der Halbleiterbaugruppe vorsteht und dafür ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zu wenigstens einem Anschluss der wenigstens einen Halbleitervorrichtung bereitzustellen, wenigstens eine zweite Zuleitung, die von einer zweiten Seite der Halbleiterbaugruppe vorsteht und dafür ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zu dem wenigstens einen Anschluss der wenigstens einen Halbleitervorrichtung bereitzustellen, und eine kontinuierliche leitende Struktur, die dafür ausgelegt ist, eine Leiterbahn zwischen der wenigstens einen ersten Zuleitung, der wenigstens einen zweiten Zuleitung und dem wenigstens einen Anschluss der wenigstens einen Halbleitervorrichtung durch die Leiterrahmeninsel bereitzustellen, so dass die wenigstens eine Halbleitervorrichtung nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung weiter funktioniert.
  2. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 1, wobei das Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung das Entfernen eines Abschnitts der wenigstens einen ersten Zuleitung umfasst, so dass von außerhalb der Halbleiterbaugruppe keine elektrische Verbindung zur wenigstens einen ersten Zuleitung hergestellt wird.
  3. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 1 oder 2, wobei die wenigstens eine Halbleitervorrichtung nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung weiter funktioniert, indem die wenigstens eine zweite Zuleitung verwendet wird, um die zweite elektrische Verbindung aus der Halbleiterbaugruppe heraus auszubilden.
  4. Halbleiterbaugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung die Halbleiterbaugruppe eine Dual-in-Line(DIP)-Baugruppe umfasst.
  5. Halbleiterbaugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung die Halbleiterbaugruppe eine Single-in-Line(SIP)-Baugruppe umfasst.
  6. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 5, ferner umfassend eine auf einer Fläche der getrimmten wenigstens einen ersten Zuleitung angeordnete Isolationskappe.
  7. Halbleiterbaugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine Halbleitervorrichtung ein Leistungsschalter ist, der aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Folgendem besteht: einem Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einem Transistor mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit (HEMT), und einer Diode.
  8. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 7, wobei der HEMT wenigstens einen von einem Galliumnitrid(GaN)- oder Siliziumcarbid-HEMT umfasst.
  9. Halbleiterbaugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine Halbleitervorrichtung mit einem integrierten Treiberschaltkreis (IC) gekoppelt ist, der sich auf einer anderen kontinuierlichen leitenden Struktur befindet.
  10. Halbleiterbaugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterbaugruppe eine Oberflächenmontierte-Vorrichtung(SMD)-Baugruppe umfasst.
  11. Geformte Leiterrahmenbaugruppe, umfassend: eine kontinuierliche leitende Struktur mit einer Leiterrahmeninsel, die mit wenigstens einer ersten Zuleitung und wenigstens einer zweiten Zuleitung gekoppelt ist, wenigstens einen Halbleiterleistungsschalter, der mit der kontinuierlichen leitenden Struktur gekoppelt ist, wobei die wenigstens eine erste Zuleitung von einer ersten Seite der geformten Leiterrahmenbaugruppe vorsteht und dafür ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zu dem wenigstens einen Halbleiterleistungsschalter bereitzustellen, wobei die wenigstens eine zweite Zuleitung von einer zweiten Seite der geformten Leiterrahmenbaugruppe entgegengesetzt zur ersten Seite vorsteht und dafür ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zu dem wenigstens einen Halbleiterleistungsschalter bereitzustellen, wobei der wenigstens eine Halbleiterleistungsschalter nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung oder der wenigstens einen zweiten Zuleitung weiter funktioniert.
  12. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach Anspruch 11, wobei beim Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung ein Abschnitt der wenigstens einen ersten Zuleitung entfernt wird, so dass von außerhalb der geformten Leiterrahmenbaugruppe keine elektrische Verbindung zur wenigstens einen ersten Zuleitung gebildet wird.
  13. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach Anspruch 11 oder 12, wobei der wenigstens eine Halbleiterleistungsschalter nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung weiter funktioniert, indem die wenigstens eine zweite Zuleitung verwendet wird, um die zweite elektrische Verbindung aus der geformten Leiterrahmenbaugruppe heraus auszubilden.
  14. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei vor dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung die geformte Leiterrahmenbaugruppe eine Dual-in-Line(DIP)-Baugruppe umfasst.
  15. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei nach dem Trimmen der wenigstens einen ersten Zuleitung die geformte Leiterrahmenbaugruppe eine Single-in-Line(SIP)-Baugruppe umfasst.
  16. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach Anspruch 15, ferner umfassend eine auf einer Fläche der getrimmten wenigstens einen ersten Zuleitung angeordnete Isolationskappe.
  17. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei der wenigstens eine Halbleiterleistungsschalter aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Folgendem besteht: einem Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einem Transistor mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit (HEMT), und einer Diode.
  18. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach Anspruch 17, wobei der HEMT wenigstens einen von einem Galliumnitrid(GaN)- oder Siliziumcarbid-HEMT umfasst.
  19. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach einem der Ansprüche 11 bis 18, wobei der wenigstens eine Halbleiterleistungsschalter mit einem integrierten Treiberschaltkreis (IC) gekoppelt ist, der sich auf einer anderen kontinuierlichen leitenden Struktur befindet.
  20. Geformte Leiterrahmenbaugruppe nach einem der Ansprüche 11 bis 19, wobei die geformte Leiterrahmenbaugruppe eine oberflächenmontierte Vorrichtungs(SMD)-Baugruppe umfasst.
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