CN112684682B - 处理盒和使用其的电子照相设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及处理盒和使用其的电子照相设备。提供可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，该处理盒包括电子照相感光构件和充电构件，其中充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，基质的体积电阻率是域的体积电阻率的1.0×105倍以上，在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd在预定的范围内，电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，并且当测量保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk、负荷长度比率Mr2、和Sd/Rvk各自在预定的范围内。

Description

处理盒和使用其的电子照相设备
技术领域
本公开涉及处理盒和使用其的电子照相设备。
背景技术
迄今，已经广泛进行了对改善当长期使用电子照相设备或处理盒时的图像品质的研究。
举例来说，日本专利申请特开No.2002-003651公开了包括橡胶组合物和由橡胶组合物形成的弹性体层的充电构件，橡胶组合物包含包括以下的海岛结构：由主要包含固有体积电阻率为1×1012Ω·cm以下的原料橡胶A的离子导电性橡胶材料形成的聚合物连续相，和由通过将导电性颗粒与原料橡胶B混合来获得并且由此具有导电性的电子导电性橡胶材料形成的聚合物颗粒相。
日本专利申请特开No.2002-003651中公开的充电构件包括由包含海岛结构的橡胶组合物形成的弹性体层，所述海岛结构中包含离子导电性橡胶材料和电子导电性橡胶材料，使得充电构件具有均匀的电阻。因此，充电构件的电特性随时间稳定，不受例如温度和湿度等环境变化的影响。
另外，日本专利申请特开No.2014-157308公开了具有通过将充电构件的表面粗糙度Rz和表面电阻rs、以及充电构件的表面和芯金属之间的部分的体积电阻rv设定至特定的范围而改善的充电能力的充电装置。
在日本专利申请特开No.2018-025707中公开了，经由连续的曝光历史，负电荷在电荷产生层和中间层之间的界面处累积，并且电子照相感光构件的感光度由此降低，并且在电子照相感光构件包括保护层的情况下，正电荷在保护层和电荷输送层之间的界面处残留和累积，并且电子照相感光构件的感光度由此进一步降低。
另外，在日本专利申请特开No.2018-025707中还公开了，在进行随后打印时的曝光之后，已经受到连续曝光历史的潜像形成部的电位相对于背景部的电位降低，导致图案存储(pattern memory)的发生。
将日本专利申请特开No.2018-025707中公开的电子照相感光构件用作用于抑制图案存储的单元，其能够通过经由电荷输送层以适当的量吸引存在于界面处的正电荷来将在保护层和电荷输送层之间的界面处累积的正电荷适度地分散在电荷输送层中，并且由此抑制感光度的降低以改善中间层的电子保持性。
发明内容
根据本发明人进行的研究，发现在日本专利申请特开No.2002-003651、2014-157308、和2018-025707中公开的构成中，对于在低温低湿环境下抑制图案存储还有改善的余地。
图案存储是这样的现象：其中，当将具有实心黑带部的图像图案在鼓的圆周方向上重复输出至输出图像的一部分，然后输出没有实心黑带部的整个半色调图像时，原本是具有实心黑带部的图像图案的实心黑带部的部分在整个半色调图像中以薄的状态输出。
这是因为，由于电子照相感光构件的实心黑带部的电位上升大，在随后的打印中，在进行整个半色调图像的输出时电位不会返回，并且调色剂浓度由此降低，结果，在整个半色调图像中产生图像的浓度小的部分。作为关注电子照相感光构件和充电构件的结果，本发明人发现，通过改善充电构件的充电性，并且进一步改善电子照相感光构件中残留电荷的清除，即使在低温低湿环境下输出具有实心黑带部的图像图案，也可以抑制电位的上升。
本公开的一个方面涉及提供能够在低温低湿环境下抑制图案存储的发生的处理盒。此外，本公开的另一个方面涉及提供能够形成高品质电子照相图像的电子照相设备。
根据本公开的一个方面，提供至少一体地支承电子照相感光构件和充电构件、并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，
其中充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在支承体的外表面上的导电层，
导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在基质中的域，
域包含第二橡胶和电子导电剂，
至少一部分域露出充电构件的外表面，
充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，
当将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0×105倍以上，
在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
保护层含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
当测量保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
Sd/Rvk为1以上且100以下。
根据本公开的另一个方面，提供包括电子照相感光构件和充电构件的电子照相设备，
其中充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在支承体的外表面上的导电层，
导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在基质中的域，
域包含第二橡胶和电子导电剂，
至少一部分域露出充电构件的外表面，
充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，
当将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0×105倍以上，
在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
保护层含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
当测量保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
Sd/Rvk为1以上且100以下。
参照附图，从以下示例性实施方案的描述，本公开的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
图1是根据本公开的实施方案的处理盒中包括的充电构件在垂直于充电构件的长度方向的方向上的截面图。
图2是根据本公开的实施方案的处理盒中包括的充电构件的外表面的示意图。
图3示出根据本公开的实施方案的电子照相设备的示意性构成的实例。
图4示出用于研磨根据本公开的实施方案的处理盒中包括的电子照相感光构件的装置的实例。
具体实施方式
以下，将参照优选的实施方案详细描述本公开。
根据本公开的实施方案，提供至少一体地支承电子照相感光构件和充电构件、并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，
其中充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在支承体的外表面上的导电层，
导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在基质中的域，
域包含第二橡胶和电子导电剂，
至少一部分域露出充电构件的外表面，
充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，
当将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0×105倍以上，
在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
保护层含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
当测量保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
Sd/Rvk为1以上且100以下。
本发明人推测，为何即使在低温低湿环境下也可以通过该处理盒抑制图案存储的发生的理由如下。
在该处理盒中包括的充电构件中，导电层具有域-基质结构，所述域-基质结构具有其中预先配置许多填充有大量电荷的部分的作为导电相的域，和作为绝缘相的基质。通过该构成，电荷在域中移动并且到达充电构件的表面，使得在整个充电构件中，电荷可以大量且集中地在域中存在。因此，即使通过放电消耗电荷，也会从相邻的域供给电荷。结果，抑制充电构件中的放电缺陷。
在接收从充电构件释放的电荷的电子照相感光构件(以下，也称为“感光构件”)中，产生与充电构件的域-基质结构相对应的电荷分布。在该情况下，从充电构件的域释放电荷，几乎不发生放电缺陷，并且在各个方向上向感光构件释放电荷。因此，感光构件的保护层的表面具有在本公开的范围内的粗糙度，使得从充电构件向其上形成有粗糙度的保护层的表面的各个壁面、谷部、和顶部有效地释放电荷。即，具有在本公开的范围内的粗糙度的感光构件有效地接收各个方向上从域释放的电荷。
结果，考虑到感光层的保护层的表面上的电荷密度提高，使得容易清除感光构件中残留的电荷，并且抑制感光构件的电位上升，由此抑制图案存储。
以下，将描述具体的构成。
根据本公开的实施方案的处理盒中包括感光构件和充电构件，由于要求从充电构件的表面向感光构件的表面放电，要求基质和域的体积电阻率之间具有预定的差，或者要求域-基质结构中的域具有微细结构。
在将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd的情况下，当Rcm是Rcd的1.0×105倍以上时，从充电构件向感光构件的放电稳定地进行。当Rcm小于Rcd的1.0×105倍时，容易发生放电缺陷，并且由此从充电构件向感光构件的放电不稳定地进行。
由于来自域的电荷的供给是重要的，域的圆当量直径的平均值Sd也是重要的。即，当在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下时，在充电构件中，可以限制电荷在域-基质结构中通过其移动的路径。另外，由于域的表面积与域的体积的比大，在露出充电构件的外表面的域的界面处更有效地释放电荷。即，在各个方向上从域向感光构件释放电荷，使得感光构件的表面上的电荷密度提高，并且抑制图案存储的发生的效果由此增大。当域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下时，不会发生从充电构件向感光构件的放电的不均匀，并且保护层的表面上的电荷密度提高。因此，充分地发挥抑制图案存储的发生的效果。另外，也可以抑制图像不均匀的发生。
域的圆当量直径的平均值Sd更优选为0.1μm以上且1.0μm以下。在该范围内，可以减小域本身的电阻，并且由此提高单次放电量。
另外，在测量根据本公开的实施方案的处理盒中包括的感光构件的保护层的表面粗糙度的情况下，当突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下时，感光构件可以有效地接收从具有露出域的表面的充电构件释放的电荷，所述域具有在上述范围内的域的圆当量直径的平均值Sd。
当Rvk小于0.01μm时，感光构件不能有效地接收电荷，使得保护层的表面上的电荷密度无法提高。因此，抑制图案存储的发生的效果减小。另外，当Rvk大于0.10μm时，保护层的表面粗糙度的突出谷部的深度增加，因此，无法充分地进行放电，并且保护层的表面上的电荷密度无法提高。结果，抑制图案存储的发生的效果减小。
更优选地，当Rvk为0.01μm以上且0.05μm以下时，抑制图案存储的发生的效果增大。
另外，当Sd/Rvk为1以上且100以下时，实现了其中感光构件有效地接收电荷的最佳构成，并且抑制图案存储的发生的效果增大。更优选地，当Sd/Rvk为5以上且80以下时，实现了其中感光构件有效地接收电荷的最佳构成，并且抑制图案存储的发生的效果增大。
例如，当域的圆当量直径的平均值Sd为5μm并且保护层的表面的突出谷部Rvk为0.01μm时，Sd/Rvk为500，这不满足本公开的要求。这是因为当域的圆当量直径的平均值Sd相对于保护层的表面粗糙度的值过大时，保护层的表面上的电荷密度不能提高，并且抑制图案存储的发生的效果由此减小。
另外，当域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm并且保护层的表面的突出谷部Rvk为0.11μm时，Sd/Rvk为0.9，这不满足本公开的要求。这是因为保护层的表面上的电荷密度提高，但是发生图像不均匀，并且保护层的表面上的电荷密度的均匀性劣化。因此，抑制图案存储的发生的效果减小。
另外，当Mr2小于75％时，突出谷部的数量少，并且保护层的表面上的电荷密度由此无法提高。
另外，当Mr2大于85％时，由于突出谷部的数量多，保护层的表面上的电荷密度提高，但是，作为不利的影响，调色剂或外部添加至调色剂的外部添加剂滑出，并且由此污染充电构件的表面。另外，也发生图像不均匀。
此外，当保护层的凹凸的平均间隔Sm为10μm以上且40μm以下时，感光构件可以更有效地接收电荷。因此，可以进一步提高电荷密度并且可以由此更加抑制图案存储的发生。
此外，当在充电构件的外表面上观察到的域和相邻的域的壁面之间的距离的平均值Dms为0.2μm以上且6μm以下时，进一步确保域之间的导电性并且释放至感光构件的表面的电荷的密度进一步提高，并且由此可以进一步抑制图案存储的发生。
另外，当保护层至少含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有三芳基胺结构的化合物时，更有效地输送电荷并且容易清除感光构件中残留的电荷，并且由此可以更加抑制图案存储的发生。
另外，当电子照相感光构件和充电构件之间的接触宽度为500μm以上且800μm以下时，根据本公开的构成具有其中感光构件有效地接收电荷的最佳构成，并且由此可以更加抑制图案存储的发生。
接着，将详细描述根据本公开的一个方面的充电构件。
<充电构件>
将参照图1以具有辊形状的充电构件(以下，也称为“充电辊”)为例描述充电构件。图1为充电辊3在垂直于沿着充电辊3的轴的方向(以下，也称为“长度方向”)上的截面图。充电辊3包括圆柱状的导电性支承体3B和在支承体3B的外周上、即支承体的外表面上形成的导电层3A。
<支承体>
作为构成支承体的材料，可以适当地选择和使用在电子照相用导电性构件的领域中公知的材料或者可以用作导电性构件的材料。材料的实例可以包括铝、不锈钢、具有导电性的合成树脂、例如铁和铜合金等的金属或合金。
另外，可以对这些材料进行氧化处理或者用铬或镍的镀覆处理。作为镀覆的种类，可以使用电镀或化学镀。从尺寸稳定性的观点，化学镀是优选的。此处，所使用的化学镀的种类的实例可以包括镍镀、铜镀、金镀、和用其它各种合金镀覆。
镀层的厚度优选为0.05μm以上，并且考虑到工作效率和防锈能力之间的平衡，优选的是镀层的厚度为0.10μm至30.00μm。支承体的圆柱形状可以是实心圆柱状或中空圆柱状(圆筒状)。另外，支承体的外径优选在3mm至10mm的范围内。
当支承体和导电层之间存在中间电阻层或绝缘层时，在一些情况下，在通过放电消耗电荷之后，电荷不能迅速地供给。因此，优选的是将导电层直接设置在支承体上，或者仅经由例如底漆等作为薄膜并且由导电性树脂层形成的中间层将导电层设置在支承体的外周上，中间层介于支承体和导电层之间。
作为底漆，可以取决于导电层形成用橡胶材料、和支承体的材料等来选择公知的底漆。底漆的材料的实例可以包括热固性树脂和热塑性树脂，并且其具体的实例可以包括例如酚系树脂、聚氨酯系树脂、丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、聚醚系树脂、和环氧系树脂等公知的材料。
<导电层>
导电层具有基质和域。
<基质>
基质含有第一橡胶。
<第一橡胶>
第一橡胶是导电层形成用橡胶混合物中以最大混合比混合的组分，并且导电层的机械强度取决于第一橡胶交联产物。因此，将在交联之后显示电子照相设备用充电构件所需要的导电层的强度的橡胶用作第一橡胶。
第一橡胶的优选实例可以包括但不限于以下。
第一橡胶的实例可以包括天然橡胶(NR)、异戊二烯橡胶(IR)、丁二烯橡胶(BR)、苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)、丁基橡胶(IIR)、乙烯-丙烯橡胶(EPM)、乙烯-丙烯-二烯三元共聚橡胶(EPDM)、氯丁二烯橡胶(CR)、丙烯腈-丁二烯橡胶(NBR)、氢化NBR(H-NBR)、环氧氯丙烷均聚物或环氧氯丙烷-环氧乙烷共聚物、环氧氯丙烷-环氧乙烷-烯丙基缩水甘油醚三元共聚物、和硅橡胶。
<增强剂>
在不影响基质的导电性的程度上，可以在基质中含有增强剂。增强剂的实例可以包括导电性低的增强性炭黑。增强性炭黑的具体实例可以包括FEF、GPF、SRF、和MT碳。
另外，如果需要，可以将通常用于橡胶配合剂的填料、加工助剂、硫化助剂、硫化促进剂、硫化促进助剂、硫化延迟剂、抗氧化剂、软化剂、分散剂、和着色剂等添加至形成基质的第一橡胶。
<域>
域包含第二橡胶和导电性颗粒。
<第二橡胶>
可以用作第二橡胶的橡胶的具体实例可以包括但不限于以下。
第二橡胶的实例可以包括天然橡胶(NR)、异戊二烯橡胶(IR)、丁二烯橡胶(BR)、苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)、丁基橡胶(IIR)、乙烯-丙烯橡胶(EPM)、乙烯-丙烯-二烯三元共聚橡胶(EPDM)、氯丁二烯橡胶(CR)、丙烯腈-丁二烯橡胶(NBR)、氢化NBR(H-NBR)、硅橡胶、和聚氨酯橡胶(U)。
<导电性颗粒>
可以通过相对于域中的第二橡胶适当地选择导电性颗粒的量和种类，并且将导电性颗粒的导电性设定为预定的值来确定域的体积电阻率。
导电性颗粒的材料的实例可以包括离子导电剂；例如导电性炭黑或石墨等碳材料；例如氧化钛或氧化锡等金属氧化物；例如Cu或Ag等金属；和例如具有用金属氧化物或金属涂覆的表面以导电化的颗粒等电子导电性颗粒。这些导电性颗粒可以以其两种以上的适当组合来使用。
其中，作为导电性颗粒的材料，优选使用导电性炭黑。导电性炭黑的具体实例可以包括但不限于以下。导电性的炭黑的实例可以包括气炉黑、油炉黑、热炭黑、灯黑、乙炔黑、和科琴黑。
其中，特别地，可以适当地使用邻苯二甲酸二丁酯(DBP)吸收量为40cm3/100g以上且80cm3/100g以下的炭黑。DBP吸收量(cm3/100g)表示可以吸附至100g炭黑的邻苯二甲酸二丁酯(DBP)的体积，并且根据日本工业标准(JIS)K 6217-4:2017(橡胶用炭黑，基本特性，第4部分：油吸收量的计算方法(包括压缩样品))来测量。
通常，炭黑具有其中平均粒径为10nm以上且50nm以下的一次颗粒聚集的簇状高级结构。将簇状高级结构称为结构，并且其程度通过DBP吸收量(cm3/100g)定量化。
在DBP吸收量在以上范围内的导电性炭黑的情况下，由于结构不发达或欠发达，炭黑的聚集少并且橡胶的分散性良好。因此，域中填充的导电性颗粒的量增多，并且域的体积电阻率的调节范围变宽。
<域-基质结构的形成方法>
将描述导电层中的域-基质结构的具体形成方法。
导电相的域和绝缘相的基质的结构可以通过在不损害本公开的效果的范围内使导电材料和绝缘材料相分离或分散的方法来获得。
为了使电子照相设备用充电构件与其它构件接触并且稳定地显示它的功能，充电构件的导电层需要具有弹性层，所述弹性层具有域-基质型相分离结构，在所述域-基质型相分离结构中，包含具有绝缘特性的第一橡胶的基质的相和包含具有导电特性的第二橡胶的域的相是分离的。
域-基质型相分离结构的形成方法的实例可以包括通过将不相容的两种橡胶材料混炼来形成相分离结构的方法。
表示相容/不相容的参数的实例包括SP值。SP值是分子的凝聚能量密度的平方根，并且表示分子之间的凝聚力(分子间凝聚力)的大小。因此，优化两者分子之间的SP值的差，使得可以控制混合(相容)状态并且由此可以控制相分离结构。可以通过选择材料或者选择具有极性基团的链段的共聚比来调节橡胶的SP值。
为了形成域-基质结构，两种橡胶材料之间的SP值的差优选为5.0以下。SP值更优选为2.0以下，并且在该情况下，可以形成包括更小尺寸的域的域-基质结构。另外，可以通过使用SP值已知的材料制作校准曲线来精确地计算SP值。作为已知的SP值，可以使用原材料制造商的目录值。
具体地，例如，可以通过包括以下步骤(i)至(iv)的方法来形成域-基质结构：
步骤(i)：包含导电性颗粒和第二橡胶的域形成用橡胶混合物(以下，也称为“CMB”)的制备步骤；
步骤(ii)：包含第一橡胶的基质形成用橡胶混合物(以下，也称为“MRC”)的制备步骤；
步骤(iii)：通过将CMB和MRC混炼来制备具有域-基质结构的橡胶混合物的步骤；和
步骤(iv)：通过在导电性支承体的外表面上形成步骤(iii)中制备的橡胶混合物并且使橡胶混合物层固化来形成充电构件的导电层的步骤。
<域-基质结构的确认方法>
导电层中域-基质结构的形成的有无可以通过以下方法来确认。
充电构件的导电层中域-基质结构的形成的有无可以通过以下方法来确认。
使用刀片切出切片(厚度为500μm)使得可以观察与充电构件的导电层的长度方向正交的截面。另外，还切出切片使得可以观察充电构件的外表面。接着，对各切片进行铂气相沉积，并且用扫描电子显微镜(SEM)(商品名：S-4800，由Hitachi High-TechnologiesCorporation制造)以1,000至5,000的倍率来拍摄切片的图像，由此获得图像。
如图2所示，优选的是在拍摄的图像中，多个域3b分散在基质3a中，并且域彼此不接触地彼此独立地存在。同时，优选的是基质在图像中为连续状态并且域被基质分隔。
为了将拍摄的截面图像定量化，通过使用图像处理软件(商品名：ImageProPlus，由Media Cybernetics,Inc.制造)进行8位灰度化来获得通过用SEM观察获得的图像的256灰阶单色图像。接着，进行白黑图像反转处理使得图像中的域变白，并且对于图像的亮度分布，基于大津判别分析法的算法设定二值化阈值，然后获得二值化图像。
如上所述，通过二值化图像的计数功能，计算相对于存在于50μm见方的区域中并且与二值化图像的边界没有接触点的域的总数的、彼此不连接且孤立的域的个数的百分比K。
从通过将充电构件(充电辊)的导电层在长度方向上均等地五等分、并且将导电层在圆周方向上均等地四等分来获得各个区域的任意一个点获得20个点，从总计20个点制备切片，然后计算当进行测量时的K的算术平均值(个数％)。
当K的算术平均值(个数％)为80以上时，可以将域-基质结构评价为“有”，并且当K的算术平均值(个数％)小于80时，可以将域-基质结构判断为“无”。
<基质的体积电阻率Rcm>
基质的体积电阻率Rcm优选为1.0×107Ω·cm以上且1.0×1017Ω·cm以下，并且在该情况下，基质能够抑制导电性域之间电荷转移的扰乱。另外，当将偏压施加至导电性支承体和带电构件之间的部分时，充电构件向带电构件的放电可以平稳的进行。
<基质的体积电阻率Rcm的测量方法>
在将充电构件薄片化后，可以用显微探针测量基质的体积电阻率Rcm。用于薄片化的装置的实例可以包括锋利的刀片、切片机、和聚焦离子束(FIB)。
在薄片的制备中，需要排除域的影响，并且仅测量基质的体积电阻率。因此，需要制备厚度比预先用SEM、或透射电子显微镜(TEM)等测量的域之间的距离小的薄片。因此，作为用于薄片化的装置，例如切片机等能够制备非常薄的样品的装置是优选的。
在基质的体积电阻率的测量中，首先，将薄片的一个表面接地，然后通过可以用扫描探针显微镜(SPM)、或原子力显微镜(AFM)等测量基质和域各自的体积电阻率或硬度分布的装置来确定基质和域在薄片中的位置。接着，使探针与基质接触并且将10V至50V的直流(DC)电压施加至基质5秒，并且测量接地电流值的5秒间的算术平均值，并且除以电压，由此计算电阻值。另外，优选通过使用薄片的厚度将电阻值换算为体积电阻率。在该情况下，在例如SPM或AFM等也可以测量薄片的形状的装置的情况下，可以测量薄片的厚度，并且也可以测量体积电阻率，这是优选的。
<域的体积电阻率Rcd>
当将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0×105倍以上。另外，域的体积电阻率Rcd优选为1.0×104Ω·cm以下。由于将域的体积电阻率设定为较小，可以抑制基质中电荷的移动，并且可以将电荷的输送路径限定至域。
<域的体积电阻率Rcd的测量方法>
除了将测量的位置改变为对应于域的位置，并且将当测量电流值时施加的电压改变为1V以外，可以以与基质的体积电阻率的测量方法相同的方法来测量域的体积电阻率Rcd。
具体地，除了在超薄切片中的对应于域的位置进行测量并且将测量电压设定为1V以外，以与基质的体积电阻率的测量方法相同的方法来测量域的体积电阻率。
<在导电层的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd>
在导电层的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下。
<在导电层的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd的测量方法>
在导电层的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd的测量中，域的圆当量直径(＝(4S/π)0.5)从当观察充电构件的导电层的外表面时露出的域的平面面积的算术平均值Ss来计算。
具体地，当将导电层在长度方向上的长度定义为L时，使用切片机(商品名：LeicaEM FCS，由Leica Microsystems制造)分别从位于导电层在长度方向上的中央、和对应于从导电层的两端至导电层的中央L/4的两个部位的三个部位切出包括导电层的外表面的样品。将样品的厚度设定为1μm。
对与导电层的外表面对应的样品的表面进行铂的气相沉积。在样品的各个铂气相沉积表面上选择任意三个部位，并且其图像用扫描电子显微镜(SEM)(商品名：S-4800，由Hitachi High-Technologies Corporation制造)以1,000至5,000的倍率拍摄。使用图像处理软件(商品名：ImageProPlus，由Media Cybernetics,Inc.制造)将九个拍摄的图像中的每一个二值化，通过计数功能将二值化的图像定量化，并且计算各个拍摄的图像中包括的域的平面面积的算术平均值Ss。接着，由从各个拍摄的图像计算的域的平面面积的算术平均值Ss计算域的圆当量直径(＝(4S/π)0.5)。接着，计算各个拍摄的图像中域的圆当量直径的算术平均值，然后，当观察作为测量对象的导电层的外表面时，获得域的圆当量直径的平均值Sd。
<域的圆当量直径的平均值Sd的控制方法>
域的圆当量直径的平均值Sd的控制方法如下。
针对当将两种不相容的聚合物熔融混炼时的分散粒径(D)，提出由下式(a)表示的Taylor的式、由下式(b)和(c)表示的Wu的经验式、和由下式(d)表示的Tokita的式。
·Taylor的式
D＝[C·σ/ηm·γ]·f(ηm/ηd) 式(a)
·Wu的经验式
γ·D·ηm/σ＝4(ηd/ηm)0.84·ηd/ηm>1 式(b)
γ·D·ηm/σ＝4(ηd/ηm)-0.84·ηd/ηm<1 式(c)
·Tokita的式
在式(a)至(d)中，D表示分散粒径，C表示常数，σ表示界面张力，ηm表示基质的粘度，ηd表示域的粘度，γ表示剪切速度，η表示混合体系的粘度，P表示碰撞聚结概率，表示域的相体积，并且EDK表示域相切割能量。
如上式所示，分散粒径D可以主要通过以下4点来控制，并且也可以控制在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd。
(1)域和基质之间的界面张力差
(2)域的粘度与基质的粘度的比
(3)混合期间的剪切速度/剪切期间的能量
(4)域的体积分数
由于界面张力与域和基质之间的SP值的差相关，可以通过基质和域各自的原料橡胶等的选择来控制界面张力。
另外，由于域的粘度与基质的粘度比(ηd/ηm)更接近1，可以减小域的圆当量直径的平均值Sd。可以通过选择原料橡胶的门尼粘度、或者待添加的填料的种类或量来调整域的原料橡胶的粘度与基质的原料橡胶的粘度的比。另外，也可以在不阻碍相分离结构的形成的程度上添加例如石蜡油等增塑剂。此外，可以通过调整混炼期间的温度来调整粘度比。由于混合期间的剪切速度/剪切期间的能量大，域的圆当量直径的平均值Sd可以减小并且在混炼条件下调节。可以将域的体积分数调节在充电构件所需的电阻区域的范围内。
<导电层的外表面上的域的壁面之间的距离的平均值Dms>
从释放至感光构件的电荷的密度的观点，导电层的外表面上的域的壁面之间的距离的平均值Dms优选为0.2μm以上且6μm以下。本文中使用的术语“相邻的域”是指最接近某些域的域。
域的壁面之间的距离的平均值Dms更优选为0.2μm以上且2μm以下。在该范围内，可以降低域本身的电阻，并且由此可以增加单次放电量。
<导电层的外表面上的域的壁面之间的距离的平均值Dms的测量方法>
在域的壁面之间的距离的平均值Dms的测量中，可以以与域的圆当量直径的平均值Sd的测量方法相同的方式来评价域的壁面之间的距离的平均值Dms。
即，计算二值化图像上域和相邻的域的壁面之间的距离的分布，并且将通过计算该分布的算术平均值获得的值定义为域的壁面之间的距离的平均值Dms。在该情况下，域的壁面之间的距离为域和相邻的域的壁面之间的最短距离。
<导电层的外表面上的域的壁面之间的距离的平均值Dms的控制方法>
域的壁面之间的距离的平均值Dms可以通过域的圆当量直径的平均值Sd的控制方法来均匀地控制。
接着，将详细描述根据本公开的实施方案的处理盒中包括的电子照相感光构件。
[电子照相感光构件]
在电子照相感光构件中，导电层、感光层、和保护层依次堆叠在支承体上。
电子照相感光构件的制造方法的实例可以包括其中制备用于后述的层的涂布液，并且以期望的层的顺序涂布，并且使涂布的层干燥的方法。在该情况下，涂布液的涂布方法的实例可以包括浸渍涂布、喷雾涂布、喷墨涂布、辊涂、模涂、刮刀涂布、帘涂、线棒涂布、和环涂。其中，从效率性和生产性的观点，浸渍涂布是优选的。
以下，将描述各层。
<支承体>
支承体优选为具有导电性的支承体。另外，支承体的形状的实例可以包括圆柱状、带状、和片状。其中，圆柱状支承体是优选的。另外，可以对支承体的外表面进行例如阳极氧化等电化学处理以形成氧化覆膜，并且可以进行喷砂处理、或切削处理。作为支承体的材料，金属、树脂或玻璃是优选的。
金属的实例可以包括铝、铁、镍、铜、金、和不锈钢，或其合金。其中，由铝形成的铝支承体是优选的。更优选地，支承体具有用氧化覆膜涂覆的外表面并且由铝合金形成。在支承体具有氧化覆膜的情况下，由于可以抑制来自支承体的电荷注入，带电稳定性高。
另外，可以经由例如将树脂或玻璃用导电性材料混合或涂覆等的处理来赋予树脂或玻璃导电性。
<导电层>
导电层可以设置在支承体上。通过设置导电层，可以掩蔽支承体的表面的擦伤或凹凸，或者可以控制支承体的表面上的光的反射。
导电层优选含有导电性颗粒和树脂。
导电性颗粒的材料的实例可以包括金属氧化物、金属、和炭黑。
金属氧化物的实例可以包括氧化锌、氧化铝、氧化铟、氧化硅、氧化锆、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化锑、和氧化铋。金属的实例可以包括铝、镍、铁、镍铬合金、铜、锌、和银。
其中，优选将金属氧化物用于导电性颗粒。特别地，更优选将氧化钛、氧化锡、或氧化锌用于导电性颗粒。
在将金属氧化物用于导电性颗粒的情况下，金属氧化物的表面可以用硅烷偶联剂等处理，或者金属氧化物可以用例如磷或铝等元素或其氧化物掺杂。
另外，导电性颗粒可以具有层压结构，所述层压结构具有芯材颗粒和覆盖颗粒的覆盖层。芯材颗粒的材料的实例可以包括氧化钛、硫酸钡、和氧化锌。覆盖层的材料的实例可以包括例如氧化锡等金属氧化物。
另外，在将金属氧化物用于导电性颗粒的情况下，其体积平均粒径优选为1nm以上且500nm以下，并且更优选3nm以上且400nm以下。
树脂的实例可以包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、丙烯酸系树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、和醇酸树脂。
另外，导电层可以进一步含有例如硅油、树脂颗粒、或氧化钛等掩蔽剂。
导电层的平均厚度优选为1μm以上且50μm以下，并且特别优选3μm以上且40μm以下。
可以通过制备含有各材料和溶剂的导电层用涂布液，形成其涂膜，并且使涂膜干燥来形成导电层。涂布液中使用的溶剂的实例可以包括醇系溶剂、亚砜系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂、和芳香族烃系溶剂。用于将导电性颗粒分散在导电层用涂布液中的方法的实例可以包括使用油漆搅拌器、砂磨机、球磨机、和液体碰撞型高速分散机的方法。
<底涂层>
底涂层可以设置在支承体或导电层上。通过设置底涂层，可以提高层间的粘接功能，以赋予电荷注入-阻止功能。
底涂层优选含有树脂。另外，可以通过含有具有聚合性官能团的单体的组合物的聚合来将底涂层形成为固化膜。
树脂的实例可以包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、丙烯酸系树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯基酚醛树脂、醇酸树脂、聚乙烯醇树脂、聚环氧乙烷树脂、聚环氧丙烷树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、和纤维素树脂。
在具有聚合性官能团的单体中包括的聚合性官能团的实例可以包括异氰酸酯基、封端的异氰酸酯基、羟甲基、烷基化羟甲基、环氧基、金属醇盐基、羟基、氨基、羧基、硫醇基、羧酸酐基、和碳-碳双键基团。
另外，底涂层可以进一步含有电子输送物质、金属氧化物、金属、和导电性高分子等，以便提高电特性。其中，可以优选使用电子输送物质或金属氧化物。
电子输送物质的实例可以包括醌化合物、酰亚胺化合物、苯并咪唑化合物、亚环戊二烯基化合物、芴酮化合物、氧杂蒽酮化合物、二苯甲酮化合物、氰基乙烯基化合物、卤化芳基化合物、噻咯化合物、和含硼化合物。可以将具有聚合性官能团的电子输送物质用作电子输送物质，并且与具有聚合性官能团的单体共聚，以形成作为固化膜的底涂层。
金属氧化物的实例可以包括氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化钛、氧化锌、氧化铝、和二氧化硅。金属的实例可以包括金、银、和铝。
另外，底涂层可以进一步含有添加剂。
底涂层的平均厚度优选为0.1μm以上且50μm以下，更优选0.2μm以上且40μm以下，并且特别优选0.3μm以上且30μm以下。
可以通过制备含有各材料和溶剂的底涂层用涂布液，形成其涂膜，并且使涂膜干燥和/或固化来形成底涂层。涂布液中使用的溶剂的实例可以包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂、和芳香族烃系溶剂。
<感光层>
电子照相感光构件的感光层设置在支承体、导电层、或底涂层上，并且主要分为(1)层压型感光层和(2)单层型感光层。(1)层压型感光层包括含有电荷产生物质的电荷产生层和含有电荷输送物质的电荷输送层。(2)单层型感光层包括含有电荷产生物质和电荷输送物质二者的感光层。
(1)层压型感光层
层压型感光层包括电荷产生层和电荷输送层。
(1-1)电荷产生层
电荷产生层优选含有电荷产生物质和树脂。
电荷产生物质的实例可以包括偶氮颜料、苝颜料、多环醌颜料、靛蓝颜料、和酞菁颜料。其中，偶氮颜料或酞菁颜料是优选的。在酞菁颜料中，氧钛酞菁颜料、氯镓酞菁颜料、或羟基镓酞菁颜料是优选的。
电荷产生层中电荷产生物质的含量相对于电荷产生层的总质量优选为40质量％以上且85质量％以下，并且更优选60质量％以上且80质量％以下。
树脂的实例可以包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、丙烯酸系树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯醇树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、和聚氯乙烯树脂。其中，聚乙烯醇缩丁醛树脂是更优选的。
另外，电荷产生层可以进一步含有例如抗氧化剂或紫外线吸收剂等添加剂。其具体实例可以包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫磺化合物、磷化合物、和二苯甲酮化合物。
电荷产生层的平均厚度优选为0.1μm以上且1μm以下，并且更优选0.15μm以上且0.4μm以下。
可以通过制备含有各材料和溶剂的电荷产生层用涂布液，形成其涂膜，并且使涂膜干燥来形成电荷产生层。涂布液中使用的溶剂的实例可以包括醇系溶剂、亚砜系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂、和芳香族烃系溶剂。
(1-2)电荷输送层
电荷输送层优选含有电荷输送物质和树脂。
电荷输送物质的实例可以包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、烯胺化合物、联苯胺化合物、三芳基胺化合物，和具有源自这些物质的基团的树脂。其中，三芳基胺化合物或联苯胺化合物是优选的，以提高黑点的发生的抑制效果。
电荷输送层中电荷输送物质的含量相对于电荷输送层的总质量优选为25质量％以上且70质量％以下，并且更优选30质量％以上且55质量％以下。
作为具体的实例，电荷输送物质由各个结构式(C-1)至(C-6)表示。
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树脂的实例可以包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂、和聚苯乙烯树脂。其中，聚碳酸酯树脂或聚酯树脂是优选的。作为聚酯树脂，聚芳酯树脂是特别优选的。
电荷输送物质与树脂的含量比优选为4:10至20:10并且更优选5:10至12:10。
另外，电荷输送层也可以含有例如抗氧化剂、紫外线吸收剂、增塑剂、流平剂、润滑性赋予剂、和耐磨耗性改善剂等添加剂。
其具体实例可以包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫磺化合物、磷化合物、二苯甲酮化合物、硅氧烷改性的树脂、硅油、氟树脂颗粒、聚苯乙烯树脂颗粒、聚乙烯树脂颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、和氮化硼颗粒。
电荷输送层的平均厚度优选为5μm以上且50μm以下，更优选8μm以上且40μm以下，并且特别优选10μm以上且30μm以下。
可以通过制备含有各材料和溶剂的电荷输送层用涂布液，形成其涂膜，并且使涂膜干燥来形成电荷输送层。涂布液中使用的溶剂的实例可以包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂、和芳香族烃系溶剂。在这些溶剂中，醚系溶剂或芳香族烃系溶剂是优选的。
(2)单层型感光层
可以通过制备含有电荷产生物质、电荷输送物质、树脂、和溶剂的感光层用涂布液，形成其涂膜，并且使涂膜干燥来形成单层型感光层。电荷产生物质、电荷输送物质、和树脂的材料的实例是与“(1)层压型感光层”中相同的材料。
<保护层>
保护层至少含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有可聚合基团的化合物。
保护层也可以含有例如抗氧化剂、紫外线吸收剂、增塑剂、流平剂、润滑性赋予剂、耐磨耗性改善剂、和聚合反应引发剂等添加剂。
其具体实例可以包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫磺化合物、磷化合物、二苯甲酮化合物、硅氧烷改性的树脂、硅油、氟树脂颗粒、聚苯乙烯树脂颗粒、聚乙烯树脂颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、氮化硼颗粒、氧化钛、氧化锌、氧化锡、和氧化铟。
另外，可以将酚醛树脂、环氧树脂、硅氧烷树脂、或电荷输送物质添加至保护层。电荷输送物质的实例可以包括三芳基胺化合物、腙化合物、二苯乙烯化合物、吡唑啉化合物、噁唑化合物、噻唑化合物、和三烯丙基甲烷化合物。
保护层中使用的具有可聚合基团的化合物的实例可以包括具有例如丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、或苯乙烯基等链聚合性官能团的化合物，和具有例如羟基、烷氧基甲硅烷基、或异氰酸酯基等顺次聚合性官能团的化合物。在电荷输送物质的情况下，优选使用具有上述电荷输送物质或上述电荷输送物质的骨架的可聚合单体/低聚物。其实例可以包括具有例如丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、或苯乙烯基等链聚合性官能团的化合物，和具有例如羟基、烷氧基甲硅烷基、或异氰酸酯基等顺次聚合性官能团的电荷输送物质。从电荷输送能力的观点，更优选使用在一个分子中具有电荷输送性结构和丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基二者的化合物。作为电荷输送性结构，从电荷输送能力的观点，三苯胺结构是优选的。
作为具体的实例，具有丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基的三苯胺化合物由结构式(OCL-1)至结构式(OCL-8)的任一项表示。
/>
保护层的平均厚度优选为0.5μm以上且10μm以下，并且更优选1μm以上且7μm以下。
可以通过制备含有各材料和溶剂的保护层用涂布液，形成其涂膜，并且使涂膜固化来形成保护层。涂布液中使用的溶剂的实例可以包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、亚砜系溶剂、酯系溶剂、和芳香族烃系溶剂。
聚合反应的实例可以包括热聚合反应、光聚合反应、和辐射聚合反应。
此外，为了提高保护层的拒水性，或者为了抑制由带电引起的放电生成物的附着，优选的是保护层含有具有硅氧烷结构或氟基的化合物，或该化合物的聚合物。考虑到当保护层含有具有疏水性的硅氧烷结构或氟基的化合物、或者该化合物的聚合物时，可以减少水分或放电生成物向保护层中的侵入。
当涂布各层的涂布液时，可以使用例如浸渍涂布法(浸涂法)、喷雾涂布法、旋涂法、珠涂法、刮刀涂布法、或束涂法等涂布方法。
<保护层上粗糙度的形成方法>
使用研磨片、形状转印型构件、玻璃珠、或氧化锆珠对保护层的表面进行表面处理。另外，也可以通过使用涂布液的构成材料在表面上形成凹凸。
例如，如图4所示，将研磨片101设置在圆筒状的轴106上，将研磨片101拉出并且设置在引导辊102a和引导辊102b上，将研磨片101进一步经由支承辊103设置在引导辊102c和引导辊102d上，然后配置研磨片101，使得将其拉出至卷绕装置105并且围绕卷绕装置105卷绕。其后，安装电子照相感光构件104，并且使用马达等以期望的研磨片101和电子照相感光构件104的旋转速度进行研磨。
<保护层的表面粗糙度的测量方法>
在保护层的表面粗糙度中，为了提高保护层的表面上的电荷密度，要求满足突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下。
另外，从最佳构成的观点，要求Sd/Rvk满足1以上且100以下，并且更优选5以上且80以下。
此外，当保护层的凹凸的平均间隔Sm为10μm以上且40μm以下时，感光构件可以更有效地接收电荷，使得可以进一步提高电荷密度。因此，可以增大抑制图案存储的发生的效果。
在以下条件下测量Rvk、Mr2、和Sm。
粗糙度测量装置：SE3500(由Kosaka Laboratory Ltd.制造)
截止值(Cutoff value)：0.08mm
预备长度(Preliminary length)：截止×1
滤波器特性：2CR
评价长度：2.5mm
纵倍率：10,000
横倍率：50
进给长度：0.1mm/秒
流平：直线(整个区域)
JIS B 0601-1982
整个评价长度处理：将间隔评价长度8,000等分
λs滤波器：无
极性：正常(normal)
将感光构件在长轴方向上分为三个区域，测量各个区域的中央的三个点，并且将平均值分别定义为Rvk、Mr2、和Sm。
<感光构件和充电构件之间的接触宽度的调节方法>
可以通过改变固定至充电构件的构件的硬度和弹簧压力来调节接触宽度。
<感光构件和充电构件之间的接触宽度的测量方法>
接触宽度的测量方法的实例包括使用碳压敏纸的方法。
使用碳压敏纸的接触宽度的测量方法的实例包括以下测量方法：其中，当在处理盒中安装感光构件和充电构件时，将约25μm的碳压敏纸夹持在感光构件和充电构件之间的接触部分中，将充电构件在长度方向上分为五份，测量对应于分割部位的变色部分的宽度，并且将测量的宽度的平均值定义为接触宽度。在通过碳压敏纸测量接触宽度之后，将感光构件和充电构件一次从处理盒取出，并且再次将感光构件和充电构件安装在处理盒中。
[处理盒和电子照相设备]
根据本公开的一个方面的处理盒包括上述电子照相感光构件和充电构件，所述处理盒一体地支承选自由显影单元和清洁单元组成的组中的至少一个单元，并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体。
另外，根据本公开的一个方面的电子照相设备包括至少包括电子照相感光构件和充电构件的处理盒，以及选自由曝光单元、显影单元、和转印单元组成的组中的至少一个。
图3示出处理盒21和包括处理盒21的电子照相设备的示意性构成的实例。
圆筒状电子照相感光构件11围绕轴12在箭头方向上以预定的周速度旋转驱动。通过充电单元13使电子照相感光构件11的表面带电，以具有预定的正或负电位。在本实施方案中，充电单元13可以采用使用辊型充电构件的辊充电方式。用从曝光单元(未示出)发射的曝光光14照射带电的电子照相感光构件11的表面，并且在电子照相感光构件11的表面上形成对应于目标图像信息的静电潜像。通过供给储存在显影单元15中的调色剂使在电子照相感光构件11的表面上形成的静电潜像显影，并且在电子照相感光构件11的表面上形成调色剂图像。通过转印单元16将在电子照相感光构件11的表面上形成的调色剂图像转印在转印材料17上。将其上转印有调色剂图像的转印材料17输送至定影单元18，进行用于使调色剂图像定影的处理，并且打印至电子照相设备的外部。电子照相设备也可以包括用于除去例如转印后的电子照相感光构件11的表面上残留的调色剂等附着物的清洁单元19。清洁单元优选为由聚氨酯树脂形成的清洁刮板。另外，可以使用构造为通过显影单元等除去附着物的所谓的无清洁器系统，而不单独设置清洁单元。电子照相设备也可以包括用于通过来自预曝光单元(未示出)的预曝光光20的电子照相感光构件11的表面的除电处理的除电机构。另外，可以设置用于将根据本公开的一个方面的处理盒21可拆卸地安装至电子照相设备的主体的例如导轨等引导单元22。
根据本公开的一个方面的电子照相感光构件可以在例如，激光打印机、LED打印机、复印机、传真机、和其复合机中使用。
根据本公开的一个方面，可以获得即使在低温低湿环境中也能够抑制图案存储的发生的处理盒。此外，根据本公开的一个方面，可以获得能够形成高品质电子照相图像的电子照相设备。
实施例
以下，将通过使用实施例和比较例更详细地描述根据本公开的处理盒和电子照相设备。应当注意到本公开不限于以下实施例所体现的构成。此外，在以下实施例的描述中，除非另有说明，否则术语“份”以质量为基准。
<充电构件1的制造>
1.域形成用未硫化橡胶混合物(CMB)的制备
使用6升加压捏合机(商品名：TD6-15MDX，由Toshinsha Co.,Ltd.制造)将表1中所示的各个材料以表1中所示的混合量彼此混合，由此获得CMB。在填充率为70vol％、叶片转速为30rpm、和混合时间为20分钟的混合条件下进行混合。
表1
2.基质形成用橡胶混合物(MRC)的制备
使用6升加压捏合机(商品名：TD6-15MDX，由Toshinsha Co.,Ltd.制造)将表2中所示的各个材料以表2中所示的混合量彼此混合，由此获得MRC。在填充率为70vol％、叶片转速为30rpm、和混合时间为16分钟的混合条件下进行混合。
表2
3.导电层形成用未硫化橡胶混合物的制备
使用6升加压捏合机(商品名：TD6-15MDX，由Toshinsha Co.,Ltd.制造)将获得的CMB和MRC以表3中所示的混合量彼此混合。在填充率为70vol％、叶片转速为30rpm、和混合时间为16分钟的混合条件下进行混合。
表3
4.导电层形成用橡胶混合物的制备
接着，将表4中所示的硫化剂和硫化助剂以表4中所示的混合量添加至100质量份导电层形成用未硫化橡胶混合物，并且使用辊直径为12英寸的开放式辊进行混合，由此制备导电层形成用橡胶混合物。在前辊转速为10rpm、后辊转速为8rpm、和辊间隙为2mm的混合条件下进行总计20次左右的翻动，并且以0.5mm的辊间隙进行10次薄通，由此获得导电层形成用橡胶混合物1。基质的体积电阻率和域的体积电阻率如表9中所示。
表4
5.充电构件1的制备
·具有导电性外表面的支承体
作为具有导电性外表面的支承体，制备具有由不锈钢(SUS304)形成并且进行化学镀镍的表面、总长度为252mm和外径为6mm的圆棒。
·导电层的形成
将内径为10.0mm的模具安装至配备有支承体的供给机构和未硫化橡胶辊的排出机构的十字头挤出机的前端，将挤出机和十字头的温度设定为80℃，并且将支承体的输送速度调节至60mm/秒。在这些条件下，从挤出机供给导电层形成用橡胶混合物1，以在十字头中用导电层形成用橡胶混合物1覆盖支承体的外周部分，由此获得未硫化橡胶辊。
接着，将未硫化橡胶辊投入在160℃下的热风硫化炉中，以通过进行加热60分钟来使导电层形成用橡胶混合物硫化，由此获得具有形成在支承体的导电性外表面上的导电层的辊。其后，将导电层的两端部各自切除10mm，以将导电层在长度方向上的长度设定为232mm。
最后，用旋转磨石研磨导电层的表面。通过这样做，获得在对应于从中央部至接近两端部侧各自约90mm的位置的直径为8.44mm、并且在中央部的直径为8.5mm的冠形充电构件1。
<充电构件2至10的制造>
除了通过使用表5至7中所示的材料制备表8中所示的未硫化基质橡胶组合物和未硫化域橡胶组合物，并且通过使用这些组合物制备表9中所示的导电层形成用橡胶组合物以外，以与充电构件1的制造中相同的方式制造充电构件2至10。
表5
材料简称 材料名 商品名 制造商名
#7360 导电性炭黑 TOKABLACK#7360SB Tokai Carbon Co.,Ltd.
#5500 导电性炭黑 TOKABLACK#5500 Tokai Carbon Co.,Ltd.
科琴 导电性炭黑 科琴黑EC600JD LION SPECIALTY CHEMICALS CO.,LTD.
LV70 季铵盐 Adeka cizer LV70 ADEKA CORPORATION
表6
表7
表8
关于表8中所示的门尼粘度，原料橡胶的值是各个制造商的目录值。另外，未硫化域橡胶组合物的值是基于JIS K6300-1:2013的门尼粘度ML(1+4)，并且是在当将构成CMB的所有材料混炼时的橡胶温度下测量的值。
表9
<评价>
[1]域-基质结构的确认
导电层中域-基质结构的形成的有无通过以下方法来确认。
使用刀片切出切片(厚度为500μm)使得观察与充电构件的导电层的长度方向正交的截面。另外，还切出切片使得观察充电构件的外表面。接着，对各切片进行铂气相沉积，并且用扫描电子显微镜(SEM)(商品名：S-4800，由Hitachi High-Technologies Corporation制造)以1,000的倍率来拍摄切片的图像，由此获得截面图像。
在实施例中，如图2所示，在截面图像中，在从导电层切出的切片中观察到的域-基质结构显示其中多个域3b分散在基质3a中、并且域彼此不接触地彼此独立地存在的形态。同时，基质在图像中为连续状态并且域被基质分隔。
为了将拍摄的截面图像定量化，通过使用图像处理软件(商品名：ImageProPlus，由Media Cybernetics,Inc.制造)进行8位灰度化来获得通过用SEM观察获得的截面图像的256灰阶单色图像。接着，进行白黑图像反转处理使得截面中的域变白，并且对于图像的亮度分布，基于大津判别分析法的算法设定二值化阈值，然后获得二值化图像。
如上所述，通过二值化图像的计数功能，计算相对于存在于50μm见方的区域中并且与二值化图像的边界没有接触点的域的总数的、彼此不连接且孤立的域的个数的百分比K。
具体地，设定图像处理软件的计数功能，使得不对在二值化图像的四个方向上的端部的边界处具有接触点的域进行计数。
从通过将充电构件的导电层在长度方向上均等地五等分、并且将导电层在圆周方向上均等地四等分获得的各个区域的任意一个点获得20个点，从总计20个点制备切片，然后计算当进行测量时的K的算术平均值(个数％)。
当K的算术平均值(个数％)为80以上时，将域-基质结构评价为“有”，并且当K的算术平均值(个数％)小于80时，将域-基质结构判断为“无”。在本公开中，与长度方向正交的截面的切片的K的算术平均值(个数％)和在其上观察外表面的切片的K的算术平均值(个数％)彼此相同。
[2]基质的体积电阻率Rcm的测量
如下测量包括在导电层中的基质的体积电阻率Rcm。
以接触模式操作扫描探针显微镜(SPM)(商品名：Q-Scope 250，由QuesantInstrument Corporation制造)。
首先，使用切片机(商品名：Leica EM FCS，由Leica Microsystems制造)在-100℃的切削温度下从充电构件的导电层切出厚度为1μm的超薄切片。
基于输送用于放电的电荷的方向，在垂直于充电构件的长度方向的截面的方向上切出超薄切片。
接着，在温度为23℃和湿度为50％RH的环境下，将超薄切片设置在金属板上，选择直接与金属板接触的部位，并且使SPM的悬臂与对应于基质的部位接触。接着，将50V的电压施加至悬臂5秒，测量电流值，并且计算5秒间的算术平均值。
用SPM观察测量切片的表面形状，并且从获得的高度特征计算测量部位的厚度。另外，由表面形状的观察结果来计算与悬臂的接触部位的凹部面积。由厚度和凹部面积来计算体积电阻率，并且将其定义为基质的体积电阻率。
从通过将充电构件的导电层在长度方向上五等分、并且将导电层在圆周方向上四等分获得各个区域的任意一个点来获得20个点，通过制备从总计20个点获得的切片来进行测量。将20个点的算术平均值定义为基质的体积电阻率Rcm。
评价结果在表9中示出为基质的“体积电阻率Rcm”。
[3]域的体积电阻率Rcd的测量
除了在超薄切片中的对应于域的部位进行测量，并且将测量电压设定为1V以外，以与基质的体积电阻率Rcm的测量中相同的方法来测量域的体积电阻率Rcd。评价结果在表9中示出为域的“体积电阻率Rcd”。
[4]在导电层的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd的测量如下测量域的圆当量直径的平均值Sd。
当将导电层在长度方向的长度定义为L时，使用切片机(商品名：Leica EM FCS，由Leica Microsystems制造)分别从位于导电层在长度方向上的中央、和对应于从导电层的两端至导电层的中央L/4的两个部位的三个部位切出包括导电层的外表面的样品。将样品的厚度设定为1μm。
对与导电层的外表面对应的样品的表面进行铂的气相沉积。在样品的各个铂气相沉积的表面上选择任意三个部位，并且其图像用扫描电子显微镜(SEM)(商品名：S-4800，由Hitachi High-Technologies Corporation制造)以5,000的倍率拍摄。使用图像处理软件(商品名：ImageProPlus，由Media Cybernetics,Inc.制造)将九个拍摄的图像中的每一个二值化，通过计数功能将二值化的图像定量化，并且计算各个拍摄的图像中包括的域的平面面积的算术平均值Ss。接着，由从各个拍摄的图像计算的域的平面面积的算术平均值Ss计算域的圆当量直径(＝(4S/π)0.5)。接着，计算各个拍摄的图像中域的圆当量直径的算术平均值，然后，当观察作为测量对象的导电层的外表面时，获得域的圆当量直径的平均值Sd。评价结果在表9中示出为“圆当量直径Sd”。
[5]导电层的外表面上域的壁面之间的距离的平均值Dms的测量
当将充电构件的导电层在长度方向上的长度定义为L时，使用刀片分别从位于导电层在长度方向上的中央、和对应于从导电层的两端至导电层的中央L/4的两个部位的三个部位切出样品，使得样品中包括充电构件的外表面。样品的尺寸在导电层的圆周方向和长度方向为2mm，并且导电层的厚度为1mm。
在所得三个样品的每一个中，在对应于导电层的外表面的表面的任意三个部位设置各自具有50μm见方的分析区域，并且用扫描电子显微镜(商品名：S-4800，由HitachiHigh-Technologies Corporation制造)以5,000的倍率拍摄三个分析区域的图像。使用图像处理软件(商品名：LUZEX，由NIRECO CORPORATION制造)将获得的总计九个拍摄图像二值化。
使用图像处理软件(商品名：LUZEX，由NIRECO CORPORATION制造)将获得的总计九个拍摄图像二值化。如下进行二值化过程。通过进行8位灰度化获得各个拍摄图像的256灰阶单色图像。然后，进行白黑图像反转处理，进行二值化，并且获得拍摄图像的二值化图像，使得拍摄图像中的域变白。接着，对于九个二值化图像中的每一个，计算域的壁面之间的距离，并且计算其算术平均值。另外，计算从九个用于评价的图像获得的域的壁面之间的距离的平均值并且定义为域的壁面之间的距离的平均值Dms。评价结果示出为基质的“外表面上的域的壁面之间的距离的平均值Dms”。
评价结果在表9中示出为域的“壁面之间的距离的平均值Dms”。
[6]SP值的测量方法
通过使用SP值已知的材料制作校准曲线来计算SP值。作为已知的SP值，使用原材料制造商的目录值。使用热解气相色谱(Py-GC)和固体NMR分析构成基质和域的橡胶中丙烯腈或苯乙烯的含量比，并且由从SP值已知的材料获得的校准曲线来计算SP值。另外，在1,2-聚异戊二烯、1,3-聚异戊二烯、3,4-聚异戊二烯、顺-1,4-聚异戊二烯、或反-1,4-聚异戊二烯的异构体结构中确定异戊二烯橡胶的SP值。因此，类似于SBR和NBR，通过借助Py-GC和固体NMR分析异构体的含量比，从SP值已知的材料来计算SP值。
[7]门尼粘度ML(1+4)的测量方法
作为域形成用橡胶混合物或基质形成用橡胶混合物各自的粘度，基于JIS K6300-1:2013，在混炼混合物时的橡胶温度下测量门尼粘度ML(1+4)。
<电子照相感光构件的制造>
将直径为24mm和长度为257.5mm的铝圆筒(JIS-A3003，铝合金)用作支承体。
接着，将214份作为金属氧化物颗粒的用缺氧型氧化锡(SnO2)涂覆的氧化钛(TiO2)颗粒(平均一次粒径：230nm)、132份作为粘结材料的酚醛树脂(酚醛树脂的单体/低聚物)(商品名：Plyophen J-325，由Dainippon Ink and Chemicals Inc.制造，树脂固成分：60质量％)、和98份作为溶剂的1-甲氧基-2-丙醇放入砂磨机中，使用450份直径为0.8mm的玻璃珠，并且在转速为2,000rpm、分散处理时间为4.5小时、和冷却水设定温度为18℃的条件下进行分散处理，由此获得分散液。用筛网(开口：150μm)从分散液中除去玻璃珠。
其后，将表面粗糙度赋予材料添加至分散液，使得其含量相对于分散液中金属氧化物颗粒和粘结材料的总质量为10质量％。将硅酮树脂颗粒(商品名：Tospearl 120，由Momentive Performance Materials Inc.制造，平均粒径：2μm)用作表面粗糙度赋予材料。另外，将作为流平剂的硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)添加至分散液，使得硅油的含量相对于分散液中金属氧化物颗粒和粘结材料的总质量为0.01质量％。
接着，将其中甲醇和1-甲氧基-2-丙醇(质量比：1:1)彼此混合的溶剂添加至分散液，使得分散液中金属氧化物颗粒、粘结材料、和表面粗糙度赋予材料的总质量(即，固成分的质量)相对于分散液的质量为67质量％。通过搅拌该混合物来制备导电层用涂布液。
通过浸渍涂布将导电层用涂布液涂布在支承体上，并且在140℃下进行加热1小时，由此形成厚度为30μm的导电层。
通过搅拌将100份金红石型氧化钛颗粒(商品名：MT-600B，平均一次粒径：50nm，由TAYCA Corporation制造)与500份甲苯混合，将4.5份乙烯基三甲氧基硅烷(商品名：KBM-1003，由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)添加至其中，并且将混合物搅拌8小时。其后，通过在减压下蒸馏除去甲苯，并且在120℃下干燥3小时，由此获得用乙烯基三甲氧基硅烷进行表面处理的金红石型氧化钛颗粒。
将18份用乙烯基三甲氧基硅烷进行表面处理的金红石型氧化钛颗粒、4.5份N-甲氧基甲基化尼龙(商品名：Toresin EF-30T，由Nagase ChemteX Corporation制造)、和1.5份共聚尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由Toray Co.,Ltd.制造)添加至其中90份甲醇和60份1-丁醇彼此混合的溶剂，由此制备分散液。通过使用直径为1.0mm的玻璃珠用立式砂磨机将分散液分散5小时，由此制备底涂层用涂布液。通过浸渍涂布将底涂层用涂布液涂布在导电层上以形成涂膜，并且使获得的涂膜在100℃下干燥10分钟，由此形成厚度为2.0μm的底涂层。
将10份在通过CuKα特性X射线衍射获得的图中在7.5°和28.4°的位置处具有峰的结晶性羟基镓酞菁、和5份聚乙烯醇缩丁醛树脂(商品名：S-LEC BX-1，由Sekisui ChemicalCo.,Ltd.制造)添加至200份环己烷，并且使用直径为0.9mm的玻璃珠用砂磨机装置将混合物分散6小时。
将150份环己酮和350份乙酸乙酯进一步添加至其中并且稀释，由此获得电荷产生层用涂布液。通过浸渍涂布将获得的电荷产生层用涂布液涂布在底涂层上以形成涂膜，然后在95℃下使涂膜干燥10分钟，由此形成厚度为0.20μm的电荷产生层。
在以下条件下进行X射线衍射的测量。
[粉末X射线衍射测量]
使用的测量机器：X射线衍射仪RINT-TTRII，由Rigaku Corporation制造
·X射线管球：Cu
·管电压：50KV
·管电流：300mA
·扫描方法：2θ/θ扫描
·扫描速度：4.0°/分钟
·采样间隔：0.02°
·起始角度(2θ)：5.0°
·停止角度(2θ)：40.0°
·附件：标准样品架
·滤光器：不使用
·入射单色光：使用
·单色计数器：不使用
·发散狭缝：开放
·发散纵向限制狭缝：10.00mm
·散射狭缝：开放
·光接收狭缝：开放
·平板单色器：使用
·计数器：闪烁计数器
将5份由结构式C-2表示的电荷输送物质、5份由结构式C-3表示的电荷输送物质、10份聚碳酸酯(商品名：IUPILON Z400，由Mitsubishi Engineering-PlasticsCorporation制造)、和0.02份分别具有由式D-1表示的结构和由式D-2表示的结构的聚碳酸酯树脂(x/y＝0.95/0.05，粘度-平均分子量＝20,000)溶解在其中25份邻二甲苯、25份苯甲酸甲酯、和25份二甲氧基甲烷彼此混合的溶剂中，由此制备电荷输送层用涂布液。通过浸渍涂布将电荷输送层用涂布液涂布在电荷产生层上以形成涂膜，并且在125℃下使获得的涂膜干燥30分钟，由此形成厚度为18μm的电荷输送层。
(保护层用涂布液的制备)
·保护层用涂布液1的制备
将21.7份由结构式OCL-6表示的化合物、9.3份由结构式OCL-2表示的化合物、和0.2份硅氧烷改性的丙烯酸系化合物(商品名：BYK-3550，由BYK-Chemie Japan制造)与其中含有20.7份1-丙醇和48.3份环己烷的溶剂混合，并且搅拌混合物，由此制备保护层用涂布液1。
(保护层用涂布液2的制备)
将30份由结构式OCL-2表示的化合物、10份二氧化硅细颗粒(商品名：QSG-100，由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)、0.2份硅氧烷改性的丙烯酸系化合物(商品名：BYK-3550，由BYK-Chemie Japan制造)与其中72份2-丙醇和8份四氢呋喃彼此混合的溶剂混合，并且搅拌混合物，由此制备保护层用涂布液2。
(保护层用涂布液3的制备)
将10份由结构式OCL-1表示的化合物、2.5份由结构式(L-1)表示的化合物、1份由结构式(I)表示的1-羟基环己基苯基酮、0.2份硅氧烷改性的丙烯酸系化合物(商品名：BYK-3550，由BYK-Chemie Japan制造)与其中72份2-丙醇和8份四氢呋喃彼此混合的溶剂混合，并且搅拌混合物，由此制备保护层用涂布液3。
/>
(保护层用涂布液4的制备)
将30份酚醛树脂(酚醛树脂的单体/低聚物)(商品名：Plyophen J-325，由Dainippon Ink and Chemicals Inc.制造，树脂固成分：60质量％)和0.2份硅氧烷改性的丙烯酸系化合物(商品名：SYMAC US-270，由TOAGOSEI CO.,LTD.制造)与其中含有15.7份1-甲氧基-2-丙醇和43.3份环己烷的溶剂混合，并且搅拌混合物，由此制备保护层用涂布液4。
(保护层的制造方法)
保护层的制造方法1
通过浸渍涂布将保护层用涂布液涂布在电荷输送层上以形成涂膜，并且将获得的涂膜在40℃下干燥5分钟。其后，在氮气氛下，在加速电压为57kV和束电流为5.0mA的条件下，在以300rpm的速度旋转被照射物体的同时用电子束照射涂膜1.6秒。表面位置处的剂量为15kGy。其后，在氮气氛下，将涂膜的温度升高至117℃。从电子束照射至随后的加热处理的氧浓度为10ppm。接着，在大气中使涂膜自然冷却直至涂膜的温度为25℃，然后在其中将涂膜的温度升高至120℃的条件下对涂膜进行加热处理30分钟，由此形成厚度为1.5μm的保护层。
保护层的制造方法2
通过浸渍涂布将保护层用涂布液涂布在电荷输送层上以形成涂膜，并且使获得的涂膜在50℃下干燥6分钟。其后，使用无极灯“H BULB”(由Heraeus K.K.制造)在灯强度为0.6W/cm2的条件下，在以300rpm的速度旋转被照射物体的同时用紫外线照射涂膜10秒。接着，使涂膜自然冷却直至涂膜的温度为25℃，然后在其中将涂膜的温度升高至125℃的条件下对涂膜进行加热处理30分钟，由此形成厚度为1.5μm的保护层。
保护层的制造方法3
通过浸渍涂布将保护层用涂布液涂布在电荷输送层上以形成涂膜，并且对获得的涂膜在145℃下进行加热处理30分钟，由此形成厚度为1.5μm的保护层。
<保护层上粗糙度的赋予方法>
使用图4中所示的装置，使表10中示出的片状摩擦构件(摩擦片)与制造的电子照相感光构件的表面压力接触。其后，通过相对于电子照相感光构件的表面移动摩擦片在表10所示的时间内进行保护层的摩擦，以赋予保护层粗糙度，由此制造电子照相感光构件。摩擦条件如下。制造的电子照相感光构件的保护层的Rvk、Mr2、和Sm如表10中所示。在表10中所示的摩擦片中，“#4000”是指由Ref-lite制造的GC#4000、“#3000”是指由Ref-lite制造的GC#3000、和“#2800”是指由Ref-lite制造的GC#2800。
摩擦片：商品名：GC#4000(由Ref-lite制造)
摩擦片进给速度：500mm/秒
电子照相感光构件的转速：150rpm
摩擦片的侵入量：1.7mm
<保护层的表面粗糙度的测量方法>
在以下条件下测量Rvk、Mr2、和Sm。
粗糙度测量装置：SE3500(由Kosaka Laboratory Ltd.制造)
截止值：0.08mm
预备长度：截止×1
滤波器特性：2CR
评价长度：2.5mm
纵倍率：10,000
横倍率：50
进给长度：0.1mm/秒
流平：直线(整个区域)
JIS B 0601-1982
整个评价长度处理：将间隔评价长度8,000等分
λs滤波器：无
极性：正常
将感光构件在长轴方向上分为三个区域，测量各个区域的中央的三个点，并且将平均值分别定义为Rvk、Mr2、和Sm。
<感光构件和充电构件之间的接触宽度的测量方法>
通过使用碳压敏纸的方法如下测量接触宽度。
当将感光构件和充电构件安装在处理盒中时，将约25μm的碳压敏纸夹持在感光构件和充电构件之间的接触部分中，将充电构件在长度方向上分为五份，测量对应于分割部位的变色部分的宽度，并且将测量的宽度的平均值定义为接触宽度。在通过使用碳压敏纸测量接触宽度之后接触宽度改变的情况下，通过改变支承充电构件的构件的硬度或弹簧压力来获得在各个实施例和比较例中的期望的接触宽度。测量接触宽度，将感光构件和充电构件取出，并且再次将感光构件和充电构件安装在处理盒中，并且进行其它评价。
[实施例1]
将上述方法应用于感光构件的电荷输送层的制造过程。其后，通过使用表10中所示的保护层用涂布液1通过保护层的制造方法1在电荷输送层上制造保护层，并且用表10中所示的摩擦片和研磨时间赋予保护层粗糙度，由此制造感光构件。
作为电子照相设备，使用激光打印机(商品名：改造的HP Color LaserJetEnterpriseM653dn，由The Hewlett-Packard Company制造)。改造用于评价的电子照相设备，以调节和测量图像曝光量、从充电辊向电子照相感光构件的支承体流动的电流量(以下，称为“总电流”)、和施加至充电构件1的电压。
首先，将电子照相设备、充电构件1、和制造的电子照相感光构件在温度为15℃和湿度为10％RH的环境下放置24小时以上，然后安装在电子照相设备的青色处理盒中。
接着，将施加的电压设定为-500V，在A4尺寸的普通纸上用单一青色进行实心图像输出，并且使用分光光度计(商品名：X-Rite 504，由X-Rite,Incorporated制造)设定图像曝光量，使得纸上的浓度为1.45。
接着，用单一青色将五张宽度为10mm和长度为285mm的图像连续输出至A4尺寸的纸的一部分(垂直于感光构件的圆筒轴方向的图像)。随后，当用单一青色输出五张半色调图像时，评价先前输出的宽度为10mm和长度为285mm的图像中是否产生空白。
评价等级如下。结果示出在表10中。
A：在第一张半色调图像中没有观察到重影。
B：在第一张半色调图像中观察到轻微的重影，但是在第二张半色调图像中消失。
C：在第一张和第二张半色调图像中观察到轻微的重影，但是在第三张半色调图像中消失。
D：在第一张至第三张半色调图像中观察到轻微的重影，但是在第四张半色调图像中消失。
E：在所有五张半色调图像中都观察到具有清晰的浓度的细纵线重影，并且重影的浓度在第六张半色调图像中降低。
F：在所有六张半色调图像中都观察到具有清晰的浓度的细纵线重影。
另外，改造处理盒，使得测量感光构件的表面电位。具体地，取出显影机，并且在显影位置安装电位探针(商品名：model 6000B-8，由Trek Japan制造)。其后，使用表面电位计(商品名：model 344，由Trek Japan制造)测量电子照相感光构件的中央部(对应于距离支承体的端部约120mm的位置)的电位。安装本公开的鼓，并且将鼓的第一旋转的表面电位V1的绝对值与鼓的第二旋转的表面电位V2的绝对值的差定义为ΔV。当ΔV大时，产生调色剂的浓度差，并且图案存储倾向于显著。
[实施例2至14和比较例1至8]
用表10中所示的充电构件、表10中所示的保护层用涂布液、和保护层的制造方法来制造保护层，并且使用通过用表10中所示的摩擦片和研磨时间赋予保护层粗糙度来制造的感光构件，以与实施例1中相同的方式进行评价。结果示出在表10中。
表10
尽管已经参照示例性实施方案描述了本发明，应当理解本发明不限于公开的示例性实施方案。所附权利要求的范围符合最宽泛的解释，以涵盖所有此类修改以及等同的结构和功能。

Claims (12)

1.一种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，所述处理盒包括电子照相感光构件和充电构件，
其特征在于，所述充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在所述支承体的外表面上的导电层，
所述导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在所述基质中的域，
所述域包含第二橡胶和电子导电剂，
至少一部分域露出所述充电构件的外表面，
所述充电构件的外表面至少由所述基质和至少一部分域构成，
当将所述基质的体积电阻率定义为Rcm并且将所述域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0×105倍以上，
在所述充电构件的外表面上观察到的所述域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
所述电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
所述保护层含有如下组合物的聚合物：所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
当测量所述保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
Sd/Rvk为1以上且100以下。
2.根据权利要求1所述的处理盒，其中所述电子照相感光构件的所述保护层的凹凸的平均间隔Sm为10μm以上且40μm以下。
3.根据权利要求1所述的处理盒，其中Sd/Rvk为5以上且80以下。
4.根据权利要求1所述的处理盒，其中在所述充电构件的外表面上观察到的所述域和相邻的域的壁面之间的距离的平均值Dms为0.2μm以上且6μm以下。
5.根据权利要求1所述的处理盒，其中所述保护层至少含有如下组合物的聚合物：所述组合物包含具有三芳基胺结构的化合物。
6.根据权利要求1所述的处理盒，其中所述电子照相感光构件和所述充电构件之间的接触宽度为500μm以上且800μm以下。
7.一种电子照相设备，其包括电子照相感光构件和充电构件，
其特征在于，所述充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在所述支承体的外表面上的导电层，
所述导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在所述基质中的域，
所述域包含第二橡胶和电子导电剂，
至少一部分域露出所述充电构件的外表面，
所述充电构件的外表面至少由所述基质和至少一部分域构成，
当将所述基质的体积电阻率定义为Rcm并且将所述域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0×105倍以上，
在所述充电构件的外表面上观察到的所述域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
所述电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
所述保护层含有如下组合物的聚合物：所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
当测量所述保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
Sd/Rvk为1以上且100以下。
8.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中所述电子照相感光构件的所述保护层的凹凸的平均间隔Sm为10μm以上且40μm以下。
9.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中Sd/Rvk为5以上且80以下。
10.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中在所述充电构件的外表面上观察到的所述域和相邻的域的壁面之间的距离的平均值Dms为0.2μm以上且6μm以下。
11.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中所述保护层至少含有如下组合物的聚合物：所述组合物包含具有三芳基胺结构的化合物。
12.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中所述电子照相感光构件和所述充电构件之间的接触宽度为500μm以上且800μm以下。
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