CN112684681B - 处理盒和电子照相设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及处理盒和电子照相设备。提供在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进的处理盒。处理盒包括：包括第一支承体、最下层和感光层的电子照相感光构件；和包括第二支承体和导电层的充电构件。在当通过在使交流电压变化的同时对最下层施加交流电压来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_OPC(Hz)表示的情况下，并且在当通过在使交流电压变化的同时对充电构件施加交流电压来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_C(Hz)表示的情况下，f_OPC和f_C各自具有在一定范围内的值。

Description

处理盒和电子照相设备

技术领域

本公开涉及包括电子照相感光构件和充电构件的处理盒和电子照相设备。

背景技术

与电子照相感光构件(下文中有时简称为"感光构件")有关的电子照相过程主要包括充电、曝光、显影和转印四个过程，并且根据需要包括例如清洁和预曝光等过程。其中，充电过程和曝光过程是对于形成静电潜像至关重要的过程，其包括控制感光构件的电荷分布以将感光构件表面设定为期望的电位分布。充电过程包括从充电构件(充电单元)向电子照相感光构件产生放电，由此使感光构件表面带电。在该情况下，在没有适当地设计感光构件和充电构件的电特性以及电特性的频率依赖性时，发生放电变得过度而引起感光构件的介质击穿的现象(下文中有时称为"泄漏")和由放电的不稳定引起的带电不良现象，由此造成问题。因此，直接在感光构件的支承体上与感光层分开地形成具有受控制的电阻的层(下文中称为"最下层")从而电遮蔽由支承体的表面上的毛刺等引起的凹凸，由此抑制泄漏和带电不良。

当从电阻的观点考虑感光构件特性时，从抑制泄漏和通过提高带电能力来抑制带电不良的观点，期望电阻是高的。然而，当电阻过度增大时，光敏度在曝光过程中劣化。特别地，当通过使用具有高电阻的感光构件反复进行图像打印时，电荷除去不令人满意，因此，通过长期使用，电荷在感光构件内部累积。因此，使亮区电位逐渐上升(下文中有时称为"电位变动")，并且使得与暗区电位的对比度减小。因此，当考虑曝光过程时，优选感光构件具有低的电阻。

迄今为止，考虑到频率依赖性，通过基于阻抗设计最下层和感光构件的电特性来优化电特性。这样，对于取决于例如充电过程或曝光过程等电子照相过程而变化的特征时间尺度，根据各过程来优化对应于各时间常数的频带中的电特性，由此解决上述问题。

同时，作为在充电过程中构成为将电荷施加至感光构件的充电构件，迄今为止主要使用电晕型充电构件和辊型充电构件等。其中，电晕型充电构件需要比辊型充电构件的施加电压高的施加电压，因此所需的电源的尺寸和成本造成问题。相比之下，辊型充电构件需要低的施加电压，因此可以将电源的尺寸和成本抑制为小的。然而，辊型充电构件的问题在于，带电的均匀性和稳定性差于电晕型充电构件的带电的均匀性和稳定性。

此外，在辊型充电构件(下文中有时称为"充电辊")中，使充电辊与感光构件彼此直接接触。因此，由于对感光层的异物污染和由对感光层的冲击引起的凹痕，感光构件被局部损坏直至最下层的表面，或者在其中形成孔，结果是使在局部区域施加至感光构件的电压极大地分压至最下层。在这样的情况下，大电流通过所述区域从感光构件的表层侧流向支承体侧。于是，电荷向充电辊的供给变得不足，并且无法充分地进行向感光构件表面的放电，结果是沿充电辊的长度方向发生线状带电不良。当在该状态下打印图像时，输出具有沿感光构件的长度方向绘制在其上的黑线的图像(下文中称为"横向行进图像(lateralrunning image)")。由于不能完全控制异物污染和由冲击引起的凹痕(dent)的发生，因此该现象(下文中称为"横向行进")成为问题。

在日本专利申请特开No.H10-268541中，记载了在表面具有氧化铝膜的铝基体(base)上包括含有光导电性材料的感光层的感光构件。通过控制氧化铝膜的阻抗，抑制由局部带电不良引起的起雾。

在日本专利申请特开No.2016-139052中，记载了包括其中复阻抗分量(compleximpedance component)变为最大时的角频率ω_max(rad)满足2≤ω_max≤10的底涂层的感光构件。当将底涂层的阻抗控制在上述范围内时，抑制在充电过程中由电荷在底涂层中的过度移动引起的异常放电的发生，并且抑制具有低的图像浓度的图像中的条纹状图像缺陷。

在日本专利申请特开No.2002-3651中，记载了具有海-岛结构的橡胶组合物以及包括由该橡胶组合物形成的弹性体层的充电构件，所述海-岛结构包括由包含体积固有电阻率为1×10¹²Ω·cm以下的原料橡胶A作为主要组分的离子导电性橡胶材料制成的聚合物连续相、和由通过将导电颗粒与原料橡胶B配混从而使原料橡胶B导电来获得的电子导电性橡胶材料制成的聚合物颗粒相。当离子导电性橡胶材料和电子导电性橡胶材料形成海-岛结构时，充电构件的电阻稳定性是优异的。

根据由本发明人进行的研究，在日本专利申请特开No.H10-268541、日本专利申请特开No.2016-139052和日本专利申请特开No.2002-3651中记载的电子照相感光构件和充电构件中，难以在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进。

发明内容

本公开的一个方面涉及提供能够在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进的处理盒。此外，本公开的另一方面涉及提供能够形成高品质电子照相图像的电子照相设备。

根据本公开的一个方面，提供一种处理盒，其包括：电子照相感光构件和充电构件，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其中所述电子照相感光构件包括具有圆筒形状的第一支承体、直接形成在所述第一支承体上的最下层、和形成在所述最下层上的感光层，其中所述充电构件为包括具有圆柱形状的第二支承体和形成在所述第二支承体上的第二导电层的电子照相用充电构件，其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基质和分散在所述基质中的多个域，其中所述多个域各自包含第二橡胶和电子导电剂，其中所述基质的体积电阻率ρ_M为所述多个域各自的体积电阻率ρ_D的1.0×10⁵倍以上，并且其中，在当通过使交流电压在频率1.0×10^-2(Hz)至1.0×10⁶(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述最下层来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_OPC(Hz)表示的情况下，并且在当通过使交流电压在频率1.0×10^-2(Hz)至1.0×10⁶(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_C(Hz)表示的情况下，所述f_OPC和所述f_C满足下式(D1)和下式(D2)中的一者的关系：

10≤f_OPC/f_C≤10,000 式(D1)

0.0001≤f_OPC/f_C≤0.1 式(D2)。

根据本公开的另一方面，提供一种电子照相设备，其包括：电子照相感光构件和充电构件，其中所述电子照相感光构件包括具有圆筒形状的第一支承体、直接形成在所述第一支承体上的最下层、和形成在所述最下层上的感光层，其中所述充电构件为包括具有圆柱形状的第二支承体和形成在所述第二支承体上的第二导电层的电子照相用充电构件，其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基质和分散在所述基质中的多个域，其中所述多个域各自包含第二橡胶和电子导电剂，其中所述基质的体积电阻率ρ_M为所述多个域各自的体积电阻率ρ_D的1.0×10⁵倍以上，并且其中，在当通过使交流电压在频率1.0×10^-2(Hz)至1.0×10⁶(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述最下层来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_OPC(Hz)表示的情况下，并且在当通过使交流电压在频率1.0×10^-2(Hz)至1.0×10⁶(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_C(Hz)表示的情况下，所述f_OPC和所述f_C满足下式(D1)和下式(D2)中的一者的关系：

10≤f_OPC/f_C≤10,000 式(D1)

0.0001≤f_OPC/f_C≤0.1 式(D2)。

参考附图，本公开的进一步特征将从以下示例性方面的描述变得显而易见。

附图说明

图1为用于示出具有包括电子照相感光构件和充电构件的处理盒的电子照相设备的示意性构成的实例的图。

图2为本公开中的充电构件的海-岛结构的示意图。

图3为示出本公开所需的阻抗特性的说明图。

图4为示出本公开的实施例5中的阻抗特性的说明图。

图5为示出本公开的实施例7中的阻抗特性的说明图。

图6为示出本公开的比较例4中的阻抗特性的说明图。

图7为示出本公开的比较例1中的阻抗特性的说明图。

图8为示出本公开的比较例6中的阻抗特性的说明图。

图9为示出本公开的实施例17中的阻抗特性的说明图。

图10为其中在实施例中生产的充电辊上形成有测量电极的状态的示意图。

图11为其中在充电辊上形成有测量电极的状态的截面图。

图12为阻抗测量系统的示意图。

图13为生产充电构件的方法的说明图。

图14为泄漏试验装置的示意图。

具体实施方式

以下通过示例性方面的方式来详细地描述本公开。

本发明人进行研究，结果发现，仅通过优化现有技术的感光构件中的氧化铝膜和底涂层各自的阻抗不能显示在维持令人满意的电位变动的同时抑制上述由异物污染和凹痕引起的横向行进的效果。

鉴于前述，本发明人发现，为了优化感光构件和充电构件的组合以解决上述问题，如下所述来分别设计感光构件和充电构件，并且进一步优化其组合，由此能够在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进。

<感光构件的设计>

本发明人发现，需要在感光构件中在圆筒状支承体(感光构件的支承体在下文中称为"第一支承体")上形成最下层。当在感光构件中发生异物污染和凹痕时，最下层用于防止第一支承体完全露出。

<充电构件的设计>

此外，本发明人发现，需要充电构件为包括在圆柱状支承体(充电构件的支承体在下文中称为"第二支承体")上形成的导电层(充电构件的导电层在下文中称为"第二导电层")的充电构件，第二导电层具有海-岛结构(参见图2)，并且进一步，海部与岛部相比具有一定程度以上的电阻。

本文中，如图2中所示，第二导电层的"海-岛结构"是指包括对应于包含第一橡胶的海部的基质6a和对应于分散在基质6a中的多个岛部的域6b、并且其中域6b各自包含第二橡胶和电子导电剂6c的结构。此外，短语"海部与岛部相比具有一定程度以上的电阻"具体意指例如，基质6a的体积电阻率ρ_M(Ω·cm)与域6b的体积电阻率ρ_D(Ω·cm)的比ρ_M/ρ_D为1.0×10⁵以上。

<感光构件和充电构件的组合的优化>

在本公开中，当将感光构件和充电构件彼此组合时，需要感光构件的反应频率和充电构件的反应频率彼此分开一定程度以上(being apart from each other by acertain level or more)但不彼此分开阈限值以上。

如本文中所使用的"反应频率"意指当通过使交流电压在频率1.0×10^-2(Hz)至1.0×10⁶(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至感光构件或充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率。感光构件的反应频率由f_OPC(Hz)表示，并且充电构件的反应频率由f_C(Hz)表示。此外，短语"彼此分开一定程度以上"意味着感光构件的反应频率f_OPC与充电构件的反应频率f_C的比为一位数(digit)以上，即，比f_OPC/f_C为10以上或0.1以下。此外，如本文中所使用的短语"不彼此分开阈限值以上"意味着感光构件的反应频率f_OPC与充电构件的反应频率f_C的比为四位数以下，即，比f_OPC/f_C为10,000以下或0.0001以上。具体地，比f_OPC/f_C满足下式(D1)和下式(D2)中的一者的关系。

10≤f_OPC/f_C≤10,000 式(D1)

0.0001≤f_OPC/f_C≤0.1 式(D2)

在图4、图5、图6、图7、图8和图9中的每一者中，示出本公开的实施例或比较例的构成中的感光构件的最下层和充电构件的阻抗的测量结果。在图4、图5和图6中的每一者中，示出当对于同一充电构件改变最下层时阻抗的测量结果。在图4和图5中的每一者中，最下层的反应频率f_OPC和充电构件的反应频率f_C彼此分开一定程度以上但不彼此分开阈限值以上，因此发挥本公开的效果。同时，在图6中，最下层的反应频率f_OPC和充电构件的反应频率f_C彼此过度接近，因此不发挥本公开的效果。在图7、图8和图9中，示出当分别改变图4、图5和图6中的充电构件时阻抗的测量结果。在图7中，两个反应频率，即，最下层的反应频率f_OPC和充电构件的反应频率f_C彼此过度分开，因此不发挥本公开的效果。在图8中，两个反应频率彼此过度接近，因此不发挥本公开的效果。同时，在图9中，两个反应频率之间的比落在所需范围内，因此发挥本公开的效果。

现在，描述阻抗与反应频率之间的关系。

当测量样品的阻抗时，等效电路基本上可以由对应于电阻成分的电阻R(Ω)和对应于电容成分的静电电容C(Ω)的并联电路(下文中有时称为"RC并联电路")表示。样品的阻抗Z(Ω)和阻抗的绝对值|Z|(Ω)分别由下式(E1)和(E2)表示：

在式(E1)和(E2)中，"i"表示虚数单位，并且"f"表示频率(Hz)。

此外，当考虑Z的极坐标显示时，Z可以通过使用相位θ由下式(E3)来表示。

Z＝|Z|e^iθ (E3)

当由上式将相位θ表示为频率"f"的函数时，导出下式(E4)。

θ＝tan^-1(2πfRC) (E4)

在图3中，示出式(E4)的f-θ图。在图3中示出的RC并联电路模型的情况下，R和C为各样品固有的常数。因此，当θ＝0°时，导出f＝0。在该情况下的阻抗中，电阻成分变得占主导地位。同时，当θ＝90°时，导出f→∞。在该情况下的阻抗中，电容成分变得占主导地位。θ＝45°时的RC并联电路处于电阻R和静电电容C的两个成分的过渡期，并且具有高的反应性。在本公开中，对应于θ＝45°的频率称为"反应频率"。如本文中所使用的短语"具有高的反应性"是指如下特性：其中，例如，当由导电性异物对感光构件表面的刺穿(sticking)和其凹痕等引起的局部低电阻部分冲进(plunges into)充电处理部中并且使施加至感光构件的分担电压(shared voltage)急剧变化时，伴随分担电压的急剧变化，大的电负荷施加至充电构件或感光构件。

本发明人推测感光构件和充电构件的组合在维持令人满意的电位变动的同时对于抑制横向行进有效的原因如下所述。

首先，当感光构件包括最下层时，即使在发生导电性异物对感光层的刺穿和其凹痕而局部地损坏感光层时，也可以抑制第一支承体的完全露出。因此，在充电过程中穿过局部受损部分在感光构件的第一支承体与充电辊之间产生的大电流被最下层阻止，结果是可以抑制横向行进。

第二，由于第二导电层的其中基质与域相比具有一定程度以上的电阻的海-岛结构，在充电过程中，主要从所述域进行向感光构件表面的放电。此外，多个域中的放电通过基质而电分离，因此抑制通过各放电的组合导致的放电的增长。这样，即使在感光构件被局部损坏从而使电阻减小时，也抑制大电流流入其中。结果，抑制由对充电辊不足的电荷供给引起的对感光构件表面的放电不足，结果是抑制沿充电辊的长度方向的线状带电不良，即，横向行进。

第三，当将感光构件的反应频率f_OPC和充电构件的反应频率f_C设定为彼此分开一定程度以上时，可以抑制在充电过程中以相同的时间常数对感光构件和充电构件同时施加大的电负荷。当伴随充电辊的旋转使感光构件表面接近感光构件与充电辊之间的接触部(下文中有时称为"辊隙")时，在辊隙附近的微小空隙发生放电。当由导电性异物对感光构件表面的刺穿和其凹痕等引起的局部低电阻部分冲进充电处理部时，容易在感光构件表面上急剧产生大电流，同时，容易使分担电压在充电构件的对应于低电阻部的表面上急剧增大。因此，本发明人认为，当感光构件的反应频率f_OPC和充电辊的反应频率f_C彼此接近时，存在可能使感光构件和充电辊二者的电负荷同时增大从而产生大电流的高的风险。当将感光构件的反应频率f_OPC和充电辊的反应频率f_C设定为彼此分开一定程度以上时，可以避免大电流向充电辊和感光构件的流动。结果，抑制横向行进。

另一方面，当设定反应频率f_OPC和反应频率f_C以使不彼此偏离阈限值以上时，当在充电过程中发生从充电构件放电时的例如感光构件的电阻和静电电容等阻抗特性在一定程度上变化。结果，使通过之前的例如曝光和转印等过程而累积在感光构件内的各种存储(memories)减少。因此，进行通过均匀且稳定的放电的高品质充电，并且可以维持令人满意的图像品质。

如上所述，横向行进不是通过感光构件的最下层和充电构件的第二导电层的各电阻来控制行进，而是通过优化感光构件和充电构件的反应频率的组合来控制行进。因此，容易独立地控制用于实现令人满意的电位变动的电阻。此外，根据上述机理感光构件内的存储减少的高品质充电也有助于令人满意的电位变动的实现。

(电子照相感光构件)

本公开中的电子照相感光构件具有包括最下层和形成在最下层上的感光层的特征。本文中，最下层意指直接层压在第一支承体上并且通过对第一支承体的表面进行电化学处理等来形成的表面处理层、底涂层或导电层(电子照相感光构件的导电层在下文中有时称为"第一导电层")。稍后描述第一支承体的表面上的表面处理层和第一导电层。从由长期使用引起的劣化的观点，优选形成最下层的材料为无机物。

当测量最下层的阻抗时的反应频率f_OPC(Hz)优选为5(Hz)以上，特别优选100(Hz)以上。当反应频率f_OPC增大时，可以使每次放电的放电量减小，并且可以使放电次数增多。因此，也使横向行进和电位变动令人满意。

此外，优选在f_OPC/10(Hz)下最下层的每单位面积的阻抗z_OPC为3.0×10⁵(Ω·cm²)以上，并且特别地，更优选为1.0×10⁹(Ω·cm²)以下。

反应频率f_OPC和阻抗z_OPC通过例如形成最下层的树脂的材料、金属氧化物和金属氧化物的表面处理、厚度以及树脂与金属氧化物的混合比和分散状态等各种参数来控制。例如，反应频率f_OPC可以通过时间常数τ＝RC来控制。在本文中，R表示最下层的电阻，并且C表示最下层的静电电容。通常，当R增大时，阻抗测量中的相位的变化区域移向低频侧，因此可以使反应频率f_OPC减小。此外，当静电电容C增大时，也获得同样的效果。

生产这样的电子照相感光构件的方法为例如包括如下的方法：制备用于后述各层的涂布液；以期望的层的顺序来涂布液体；和将液体干燥。在该情况下，涂布液的涂布方法的实例包括浸渍涂布、喷涂、喷墨涂布、辊涂、模涂、刮涂、帘式涂布、线棒涂布和环涂。其中，从效率性和生产性的观点，浸渍涂布是优选的。

现在描述各层。

<第一支承体>

第一支承体优选为具有导电性的导电性支承体。此外，第一支承体的形状的实例包括圆筒状、带状和片状。其中，圆筒状是优选的。此外，可以对第一支承体的表面进行例如喷砂处理或切削处理以形成表面处理层。

优选金属、树脂或玻璃等作为第一支承体的材料。

金属的实例包括铝、铁、镍、铜、金、不锈钢及其合金。其中，使用铝的铝制支承体是优选的。

此外，可以通过包括例如将树脂或玻璃与导电性材料混合或者用导电性材料来涂覆树脂或玻璃的处理来对树脂或玻璃赋予导电性。

可以通过在包含氧化剂的酸性液体中对第一支承体的表面进行阳极氧化而在第一支承体上形成表面处理层。在该情况下，在阳极氧化处理中，例如，可以使用如硫酸或铬酸等无机酸和如草酸或磺酸等有机酸作为电解液。可以根据电解液的种类和厚度来选择例如施加电压、电流密度、处理温度和时间等条件。此外，要用于本公开的电子照相感光构件的进行了阳极氧化的表面处理层，可以在进行电解处理之后进行封孔处理。作为用于封孔处理的方法，可以使用热水处理、水蒸气处理、或使用例如乙酸镍和氟化镍等各种封孔剂的处理，但是优选进行能够有效地密封微细孔的使用乙酸镍的处理。

特别地，将通过在适当的条件下对铝制第一支承体的表面进行阳极氧化而形成的表面处理层称为"耐酸铝层"，并且通过适当地控制上述处理条件，可以使用耐酸铝层作为本公开的最下层。

例如，当使第一支承体的阳极氧化时间延长以增加耐酸铝层的电阻R时，可以使反应频率f_OPC减小。

<第一导电层>

可以在第一支承体上设置导电层(感光构件的导电层在下文中称为"第一导电层")。第一导电层的设置可以遮蔽第一支承体的表面的伤和凹凸，并且控制光在第一支承体的表面上的反射。第一导电层优选包含导电性颗粒和树脂。

特别地，通过选择导电性颗粒和树脂并且控制其配混比和导电性颗粒在第一导电层用涂布液中的分散方法等，可以使用导电层作为本公开的最下层。

导电性颗粒的材料为例如金属氧化物、金属或炭黑。

金属氧化物的实例包括氧化锌、氧化铝、氧化铟、氧化硅、氧化锆、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化锑、和氧化铋。金属的实例包括铝、镍、铁、镍铬合金、铜、锌和银。

其中，优选使用金属氧化物作为导电性颗粒，并且特别地，更优选使用氧化钛、氧化锡和氧化锌。

当使用金属氧化物作为导电性颗粒时，可以用硅烷偶联剂等来处理金属氧化物的表面，或者金属氧化物可以掺杂有例如磷或铝等元素或者其氧化物。作为用于掺杂的元素及其氧化物，给出磷、铝、铌和钽等。

当通过改变导电性颗粒的表面处理方法或要使用的金属氧化物来控制导电性颗粒的相对介电常数以由此使第一导电层的静电电容C增大时，可以使反应频率f_OPC减小。

此外，各导电性颗粒可以为具有核颗粒和涂覆所述颗粒的涂覆层的层压构成。核颗粒的实例包括氧化钛、硫酸钡和氧化锌。涂覆层为例如金属氧化物，例如氧化锡或氧化钛。

此外，当使用金属氧化物作为导电性颗粒时，它们的体积平均粒径优选为1nm以上且500nm以下，更优选3nm以上且400nm以下。

树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、丙烯酸系树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。

此外，第一导电层可以进一步包含遮蔽剂例如硅油、树脂颗粒或氧化钛。

第一导电层的平均厚度优选为1μm以上且50μm以下，特别优选3μm以上且40μm以下。

可以通过制备包含上述各材料和溶剂的第一导电层用涂布液、形成其涂膜并且将涂膜干燥来形成第一导电层。要用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、亚砜系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。作为用于使导电性颗粒分散在第一导电层用涂布液中的分散方法，给出使用油漆搅拌器、砂磨机、球磨机和液体碰撞型高速分散机的方法。

<底涂层>

可以在第一支承体或第一导电层上设置底涂层。底涂层的设置可以提高层间的粘接功能以赋予电荷注入阻止功能。

底涂层优选包含树脂。此外，可以通过使包含具有聚合性官能团的单体的组合物聚合使底涂层形成为固化膜。

树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、丙烯酸系树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯基酚醛树脂、醇酸树脂、聚乙烯醇树脂、聚环氧乙烷树脂、聚环氧丙烷树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、和纤维素树脂。

具有聚合性官能团的单体的聚合性官能团的实例包括异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、羟甲基、烷基化羟甲基、环氧基、金属醇盐基团、羟基、氨基、羧基、硫醇基、羧酸酐基团、和碳-碳双键基团。

此外，为了提高电特性的目的，底涂层可以进一步包含电子输送物质、金属氧化物、金属、和导电性高分子等。其中，优选使用电子输送物质和金属氧化物。

电子输送物质的实例包括醌化合物、酰亚胺化合物、苯并咪唑化合物、亚环戊二烯基化合物、芴酮化合物、呫吨酮化合物、二苯甲酮化合物、氰基乙烯基化合物、卤代芳基化合物、噻咯化合物和含硼化合物。具有聚合性官能团的电子输送物质可以用作电子输送物质并且与上述具有聚合性官能团的单体共聚以形成作为固化膜的底涂层。

金属氧化物的实例包括氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化钛、氧化锌、氧化铝和二氧化硅。金属的实例包括金、银和铝。

此外，底涂层可以进一步包含添加剂。

底涂层的平均厚度优选为0.1μm以上且50μm以下，更优选0.2μm以上且40μm以下，特别优选0.3μm以上且30μm以下。

可以通过制备包含上述各材料和溶剂的底涂层用涂布液、形成其涂膜并且将涂膜干燥和/或固化来形成底涂层。要用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。

<感光层>

将电子照相感光构件的感光层主要分类为(1)层压型感光层和(2)单层型感光层。(1)层压型感光层具有包含电荷产生物质的电荷产生层和包含电荷输送物质的电荷输送层。(2)单层型感光层具有包含电荷产生物质和电荷输送物质二者的感光层。

(1)层压型感光层

层压型感光层包括电荷产生层和电荷输送层。

(1-1)电荷产生层

电荷产生层优选包含电荷产生物质和树脂。

电荷产生物质的实例包括偶氮颜料、苝颜料、多环醌颜料、靛蓝颜料和酞菁颜料。其中，偶氮颜料和酞菁颜料是优选的。在酞菁颜料中，氧钛酞菁颜料、氯镓酞菁颜料和羟基镓酞菁颜料是优选的。

电荷产生层中的电荷产生物质的含量相对于电荷产生层的总质量优选为40质量％以上且85质量％以下，更优选60质量％以上且80质量％以下。

树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、丙烯酸系树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯醇树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂和聚氯乙烯树脂。其中，聚乙烯醇缩丁醛树脂是优选的。

此外，电荷产生层可以进一步包含例如抗氧化剂或UV吸收剂等添加剂。其具体实例包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫化合物、磷化合物和二苯甲酮化合物。

电荷产生层的平均厚度优选为0.10μm以上且1.00μm以下，更优选0.15μm以上且0.40μm以下。

可以通过制备包含上述各材料和溶剂的电荷产生层用涂布液、形成其涂膜并且将涂膜干燥来形成电荷产生层。要用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、亚砜系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。

(1-2)电荷输送层

电荷输送层优选包含电荷输送物质和树脂。

电荷输送物质的实例包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、烯胺化合物、联苯胺化合物、三芳基胺化合物、和具有源自这些物质中的每一者的基团的树脂。其中，三芳基胺化合物和联苯胺化合物是优选的。

电荷输送层中的电荷输送物质的含量相对于电荷输送层的总质量优选为25质量％以上且70质量％以下，更优选30质量％以上且55质量％以下。

树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂和聚苯乙烯树脂。其中，聚碳酸酯树脂和聚酯树脂是优选的。作为聚酯树脂，聚芳酯树脂是特别优选的。

电荷输送物质与树脂的含量比(质量比)优选为4:10至20:10，更优选5:10至12:10。

此外，电荷输送层可以包含添加剂例如抗氧化剂、UV吸收剂、增塑剂、流平剂、滑动性赋予剂或耐磨耗性改善剂。其具体实例包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫化合物、磷化合物、二苯甲酮化合物、硅氧烷改性树脂、硅油、氟树脂颗粒、聚苯乙烯树脂颗粒、聚乙烯树脂颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒和氮化硼颗粒。

电荷输送层的平均厚度优选为5μm以上且50μm以下，更优选8μm以上且40μm以下，特别优选10μm以上且30μm以下。

可以通过制备包含上述各材料和溶剂的电荷输送层用涂布液、形成其涂膜并且将涂膜干燥来形成电荷输送层。要用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。在这些溶剂中，醚系溶剂或芳香族烃系溶剂是优选的。

(2)单层型感光层

可以通过制备包含电荷产生物质、电荷输送物质、树脂和溶剂的感光层用涂布液、形成其涂膜并且将涂膜干燥来形成单层型感光层。电荷产生物质、电荷输送物质和树脂的实例与章节"(1)层压型感光层"中的那些材料相同。

<保护层>

在本公开中，可以在感光层上设置保护层。保护层的设置可以改善耐久性。

保护层优选包含导电性颗粒和/或电荷输送物质、和树脂。

导电性颗粒的实例包括例如氧化钛、氧化锌、氧化锡和氧化铟等金属氧化物的颗粒。

电荷输送物质的实例包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、烯胺化合物、联苯胺化合物、三芳基胺化合物、和具有源自这些物质中的每一者的基团的树脂。其中，三芳基胺化合物和联苯胺化合物是优选的。

树脂的实例包括聚酯、丙烯酸系树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、酚醛树脂、三聚氰胺树脂和环氧树脂。其中，聚碳酸酯、聚酯和丙烯酸系树脂是优选的。

此外，可以通过使包含具有聚合性官能团的单体的组合物聚合来使保护层形成为固化膜。作为在该情况下的反应，给出例如热聚合反应、光聚合反应和放射线聚合反应。具有聚合性官能团的单体的聚合性官能团的实例包括丙烯酸系基团和甲基丙烯酸系基团。可以使用具有电荷输送能力的材料作为具有聚合性官能团的单体。

保护层可以包含添加剂例如抗氧化剂、UV吸收剂、增塑剂、流平剂、滑动性赋予剂或耐磨耗性改善剂。其具体实例包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫化合物、磷化合物、二苯甲酮化合物、硅氧烷改性树脂、硅油、氟树脂颗粒、聚苯乙烯树脂颗粒、聚乙烯树脂颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、和氮化硼颗粒。

保护层的平均厚度优选为0.5μm以上且10μm以下，更优选1μm以上且7μm以下。

可以通过制备包含上述各材料和溶剂的保护层用涂布液、形成其涂膜并且将涂膜干燥和/或固化来形成保护层。要用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、亚砜系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。

<测量最下层的阻抗的方法>

可以通过以下方法来测量最下层的阻抗。

为了在阻抗测量中排除最下层与测量电极之间的接触电阻的影响，存在包括如下的方法：通过使用沉积在最下层的表面上的具有低电阻的薄膜作为电极并且使用具有导电性的第一支承体作为接地电极，用两个端子来测量阻抗。作为形成薄膜的方法，可以给出例如金属气相沉积、溅射、金属糊剂的涂布和金属带的粘贴等形成金属膜的方法。

然而，当通过这些过程在特定的最下层上直接形成电极时，担心电极和其中分散有电极的溶剂可能会污染最下层。从该观点，期望最下层表面的接地为用于使针电极抵接最下层表面的过程。将针电极连接至阻抗测量装置，并且将第一支承体侧连接至阻抗测量装置的接地侧。这样，阻抗测量装置可以适当地获取来自最下层的电信号，由此可以进行阻抗测量。

仅需要阻抗测量装置为能够测量高达1.0×10⁶Hz的频带的阻抗的装置，例如阻抗分析仪、网络分析仪或光谱分析仪。其中，阻抗分析仪优选用于测量来自最下层的电阻区域的阻抗。

描述阻抗的测量条件。通过使用阻抗测量装置来测量1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的频带中的阻抗。优选在温度为23℃且相对湿度为50％的环境下进行测量，并且设置每个频率位数(frequency digit)5个以上的测量点以减小测量变动。

关于测量电压，考虑到施加至电子照相设备内的最下层的分担电压，可以在施加直流电压的同时进行测量。具体地，优选在10V以下的直流电压和振荡电压的重叠施加下进行测量以将电荷的输送和累积的特性量化。

在本公开的实施例中，将直径为1mm的针电极安装至在阻抗测量装置(由Solartron制造的Solartron 1260和Solartron 1296)的高电压侧的导线的前端，并且使针电极垂直地抵接暴露于适当的溶剂等的最下层。将导电性夹具安装至在阻抗测量装置的接地侧的导线，并且夹持其中第一支承体的芯材露出的部分以获得电导通。根据需要，将第一支承体的表面用锉刀来研磨以获得充分的电导通。在-8V的直流电压和振幅为1Vpp的交流电压的重叠施加下、在1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的频率下进行测量(当频率变化一位数时，分别对10个点进行测量)。

(充电构件)

本公开中的充电构件可以为例如包括第二导电层的充电辊。

可以例如通过包括以下工序(1)至(4)的生产方法来形成充电辊。

工序(1)：制备包含电子导电剂和第二橡胶的域形成用橡胶混合物(下文中有时称为"CMB")的工序。

工序(2)：制备包含第一橡胶的基质形成用橡胶混合物(下文中有时称为"MRC")的工序。

工序(3)：通过将CMB和MRC捏合来制备具有基质-域结构的橡胶混合物的工序。

工序(4)：直接地或经由其它层在具有导电性的第二支承体的表面上形成在工序(3)中制备的橡胶混合物的层、并且将橡胶混合物的层固化以形成本公开的第二导电层的工序。

<第二支承体>

优选第二支承体为具有导电性的导电性支承体。此外，作为第二支承体的形状，给出圆柱状、带状和片状等。其中，圆柱状是优选的。

作为第二支承体的材料，金属、树脂或玻璃等是优选的。

金属的实例包括铝、铁、镍、铜、金、不锈钢、及其合金。此外，可以分别对这些金属进行氧化处理或者使用铬或镍等的镀覆处理。作为镀覆的种类，可以使用电镀和化学镀中的任一者，但是从尺寸稳定性的观点，化学镀是优选的。作为这里要使用的化学镀的种类，可以给出镀镍、镀铜、镀金和其它各种合金的镀覆。镀层的厚度优选为0.05μm以上，并且，考虑到作业效率与防锈能力之间的平衡，镀层的厚度优选为0.1μm至30μm。第二支承体的圆柱状的形状可以为实心圆柱状或中空圆柱状(圆筒状)。第二支承体的外径优选落在3mm至10mm的范围内。

<中间层>

可以在第二支承体和第二导电层之间形成中间层。当形成中间层时，层间的粘接功能提高，并且可以控制电荷供给能力。

从在充电过程中在通过放电消耗电荷之后迅速地供给电荷以由此使带电稳定的观点，中间层优选为例如底漆等薄的导电性树脂层。

作为底漆，可以根据用于形成第二导电层的橡胶材料和第二支承体的材料等选择已知的底漆来使用。作为底漆的材料，给出例如酚醛系树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸系树脂、聚酯树脂、聚醚树脂和环氧树脂等热固性树脂和热塑性树脂。

<第二导电层>

第二导电层形成在第二支承体的外表面上，并且包括包含第一橡胶的基质和分散在基质中的多个域。所述域各自包含第二橡胶和电子导电剂，并且基质的体积电阻率ρ_M为域的体积电阻率ρ_D的1.0×10⁵倍以上。当基质的体积电阻率ρ_M和域的体积电阻率ρ_D具有上述关系时，显示使电荷暂时地停留在基质与域之间的界面处的功能。这样，使电荷在域内大量地累积以使累积量增加，因此提高域间的电荷转移的效率。具体地，当使域的体积电阻率ρ_D与基质的体积电阻率ρ_M的差增大时，提高导电层内的响应性。因此，使反应频率移向高频侧。

此外，从进一步明确与海-岛结构相对应的感光构件上的电荷对比度的观点，优选基质的体积电阻率ρ_M为1.0×10¹²(Ω·cm)以上。

当将基质的体积电阻率ρ_M设定为1.0×10¹²(Ω·cm)以上时，显著地抑制从基质部的放电和电荷的流入，并且在充电过程中放电区域中的放电对比度和辊隙区域中的电流对比度增大。结果，可以进一步明确与充电辊的海-岛结构相对应的充电过程后的感光构件上的电荷对比度。此外，优选在f_C/10(Hz)下充电构件的每单位面积的阻抗z_C为1.0×10⁶(Ω·cm²)以上。

对导电层的厚度没有特别限定，只要获得充电构件的预期的功能和效果即可，但是厚度优选为1.0mm以上且4.5mm以下。

<测量充电构件的阻抗的方法>

可以通过以下方法来测量充电构件的阻抗。

为了在阻抗测量中排除充电构件与测量电极之间的接触电阻的影响，通过使用沉积在充电构件的表面上的具有低电阻的薄膜作为电极并且使用具有导电性的第二支承体作为接地电极，用两个端子来测量阻抗。

作为形成薄膜的方法，可以给出例如金属气相沉积、溅射、金属糊剂的涂布和金属带的粘贴等形成金属膜的方法。其中，从降低与导电性构件的接触电阻的观点，优选使用例如铂或钯等金属薄膜的气相沉积以形成电极。

当在充电构件的表面上形成金属薄膜时，考虑到简便和薄膜的均匀性，优选使用设置有能够保持充电构件的机构并且对于截面具有圆柱形状的导电性构件进一步设置有旋转机构的真空气相沉积装置。

在截面具有例如圆形形状等曲面的充电构件例如圆柱状充电构件的情况下，难以连接用作上述测量电极的金属薄膜和阻抗测量装置，因此优选使用以下方法。具体地，仅需要沿充电构件的长度方向形成宽度为约10mm至约20mm的金属薄膜电极，使金属片材围绕所得物卷绕而没有任何间隙，并且使金属片材与从阻抗测量装置突出的测量电极彼此连接以进行测量。这样，阻抗测量装置可以适当地获取来自充电构件的第二导电层的电信号，由此可以进行阻抗测量。仅需要在阻抗的测量中，金属片材为具有与阻抗测量装置的连接线缆的金属部相等的电阻值的金属片材，并且例如，可以使用铝箔或金属带等。

仅需要阻抗测量装置为能够测量高达1.0×10⁶Hz的频带的阻抗的装置，例如阻抗分析仪、网络分析仪和光谱分析仪。其中，阻抗分析仪优选用于测量来自充电构件的电阻区域的阻抗。

在阻抗的测量中，通过使用阻抗测量装置来测量1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的频带中的阻抗。在温度为23℃且相对湿度为50％的环境下进行测量。优选设置每个频率位数5个以上的测量点以减小测量变动。

关于测量电压，考虑到施加至电子照相设备内的充电构件的分担电压，可以在施加直流电压的同时进行测量。具体地，优选在10V以下的直流电压和振荡电压的重叠施加下进行测量以将电荷的输送和累积的特性量化。

在本公开的实施例中，首先，作为预处理，通过使所生产的充电构件旋转的同时对该充电构件进行真空铂气相沉积来生产测量电极。在该情况下，通过使用掩蔽带来生产具有沿长度方向的宽度为1.5cm的带形状并且沿圆周方向均匀的电极。通过电极的形成，可以通过导电性构件的表面粗糙度来尽可能排除测量电极与导电性构件之间的接触电阻的影响。接下来，使铝片围绕电极卷绕而没有任何间隙，以由此形成在导电性构件侧的测量电极。

在图10中，示出其中在充电辊上形成有测量电极的状态的示意图。在图10中，示出具有导电性的第二支承体111、具有基质-域结构的第二导电层112、铂气相沉积层113和铝片114。

在图11中，示出其中在充电辊上形成有测量电极的状态的截面图。示出具有导电性的第二支承体121、具有基质-域结构的第二导电层122、铂气相沉积层123和铝片124。如图11中所示，重要的是使具有基质-域结构的第二导电层122夹持在具有导电性的第二支承体121和测量电极之间。

在图12中，示出上述测量系统的示意图。将铝片124连接至阻抗测量装置125(例如，由Solartron制造的Solartron 1260和Solartron 1296)侧的测量电极。通过使用具有导电性的第二支承体121和铝片124作为用于测量的阻抗测量装置125的两个电极来进行阻抗测量。

在阻抗的测量中，使充电构件在温度为23℃且相对湿度为50％的环境下放置48小时以由此使充电构件的水分量饱和。

在温度为23℃且相对湿度为50％的环境下，使用振幅为1Vpp的交流电压在1×10^{- 2}Hz至1.0×10⁶Hz的频率下测量阻抗(当频率变化一位数时，分别对五个点进行测量)，以由此获得阻抗测量值。

<控制体积电阻率ρ_D和ρ_M以及域-基质结构的方法>

为了控制本公开的第二导电层的域的体积电阻率ρ_D(Ω·cm)、基质的体积电阻率ρ_M(Ω·cm)和域-基质结构，仅需要选择要用于上述生产充电辊的各工序(1)至(4)的材料的种类及其含量并且调整生产条件。

首先，可以通过CMB中的电子导电剂的量来控制域的体积电阻率ρ_D。

例如，假定使用邻苯二甲酸二丁酯吸油量(DBP吸油量)为40(cm³)/100(g)以上且170(cm³)/100(g)以下的导电性炭黑作为电子导电剂。在该情况下，通过制备CMB以使CMB以基于CMB的总质量为40质量％以上且200质量％以下的量包含导电性炭黑，可以将体积电阻率ρ_D控制为1.0×10¹(Ω·cm)以上且1.0×10⁴(Ω·cm)以下。

作为用于域的橡胶材料，可以使用包含用于基质的橡胶组分的橡胶组合物。从容易形成海-岛结构的观点，用于域的橡胶材料与形成基质的橡胶材料的SP值的差优选为0.4((J/cm³)^0.5)以上且5.0((J/cm³)^0.5)以下，更优选0.4((J/cm³)^0.5)以上且2.2((J/cm³)^0.5)以下。

可以通过适当地选择电子导电剂的种类及其添加量来调整域的体积电阻率。作为要配混至域中的电子导电剂，给出例如炭黑、石墨、例如氧化钛和氧化锡等氧化物、和通过用例如Cu或Ag等金属或者其金属氧化物来覆盖表面而使其导电的颗粒。此外，根据需要，可以将这些导电剂中的两种以上以适当的量配混来使用。

在上述电子导电剂中，优选使用具有大的与橡胶的亲和性并且容易控制电子导电剂之间的距离的导电性炭黑。要配混至域中的炭黑的实例包括但不限于气炉黑、油炉黑、热裂炭黑、灯黑、乙炔黑和科琴黑。

其中，从能够对域赋予高的导电性的观点，可以优选使用DBP吸油量为40(cm³)/100(g)以上且170(cm³)/100(g)以下的导电性炭黑。

优选例如导电性炭黑等电子导电剂以相对于100质量份的域中包含的橡胶组分为20质量份以上且150质量份以下的量配混至域中。特别优选的配混比为50质量份以上且100质量份以下。在以这些比例配混导电剂时，与一般的电子照相用充电构件相比，优选以更大的量配混导电剂。

此外，根据需要，可以将通常用作橡胶的配混剂的填料、加工助剂、交联助剂、交联促进剂、防老剂、交联促进助剂、交联延迟剂、软化剂、分散剂或着色剂等添加至用于域的橡胶组合物至不损害本公开的效果的程度。

接下来，可以通过MRC的组成来控制基质的体积电阻率ρ_M。

例如，要用于MRC的第一橡胶的实例包括各自具有低的导电性的天然橡胶、丁二烯橡胶、丁基橡胶、丙烯腈-丁二烯橡胶、聚氨酯橡胶、硅橡胶、氟橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、乙烯-丙烯橡胶和聚降冰片烯橡胶。

此外，可以根据需要将填料、加工助剂、交联剂、交联助剂、交联促进剂、交联促进助剂、交联延迟剂、防老剂、软化剂、分散剂或着色剂添加至MRC。

同时，优选在MRC中不包含例如炭黑等电子导电剂，以满足ρ_M/ρ_D≥10⁵和ρ_M≥1.0×10¹²。

最后，可以通过调整以下四个条件(a)至(d)来有效地控制域-基质结构。

(a)CMB和MRC的表面张力σ之差。

(b)CMB的粘度η_D与MRC的粘度η_M的比η_D/η_M。

(c)充电辊的生产工序(3)中CMB和MRC捏合时的剪切速率γ和剪切时的能量E_DK。

(d)充电辊的生产工序(3)中相对于MRC的CMB体积分数。

现在，描述各步骤。

(a)CMB与MRC的界面张力差

通常，当将两种不相容的橡胶彼此混合时，发生相分离。其原因如下所述。相同高分子之间的相互作用比异种高分子之间的相互作用强，因此相同高分子彼此聚集以降低自由能，由此使其稳定。使相分离结构的界面与异种高分子接触，因此其自由能变得高于由于相同高分子之间的相互作用而稳定的内部的自由能。结果，产生用于使与异种高分子接触的面积减小的界面张力，以降低界面的自由能。当界面张力小时，即使是异种高分子也倾向于彼此均匀地混合以使熵增大。均匀混合的状态是指溶解，并且用作溶解度的量度的溶解度参数(下文中称为"SP值")和界面张力倾向于彼此相关。

具体地，认为CMB和MRC的表面张力σ之差与CMB和MRC中包含的橡胶的SP值差相关。优选的是，作为MRC中的第一橡胶和CMB中的第二橡胶，选择SP值的绝对值的差为0.4((J/cm³)^0.5)以上且5.0((J/cm³)^0.5)以下、特别是0.4((J/cm³)^0.5)以上且2.2((J/cm³)^0.5)以下的橡胶。在这些范围内，可以形成稳定的相分离结构，此外，可以使CMB的各个域直径减小。

本文中，可以用于CMB的第二橡胶的具体实例包括天然橡胶(NR)、异戊二烯橡胶(IR)、丁二烯橡胶(BR)、苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)、丁基橡胶(IIR)、乙烯-丙烯橡胶(EPM、EPDM)、氯丁二烯橡胶(CR)、丁腈橡胶(NBR)、氢化丁腈橡胶(H-NBR)、硅橡胶、和聚氨酯橡胶(U)。

(b)CMB与MRC的粘度比

当CMB与MRC的粘度比η_D/η_M更接近1时，可以使域的最大费雷特直径减小。具体地，优选粘度比η_D/η_M满足1.0≤η_D/η_M≤2.0。可以通过选择要用于CMB和MRC的原料橡胶的门尼粘度并且选择填料的种类和配混量来调整粘度比η_D/η_M。此外，还可以通过添加例如石蜡油等增塑剂至不妨碍相分离结构形成的这样的程度来调整粘度比η_D/η_M。此外，还可以通过调整捏合时的温度来调整粘度比η_D/η_M。通过根据JIS K 6300-1:2013在捏合时的橡胶温度下测量门尼粘度ML(1+4)来获得域形成用橡胶混合物和基质形成用橡胶混合物的各自的粘度。

(c)CMB和MRC捏合时的剪切速率以及剪切时的能量

当CMB和MRC捏合时的剪切速率γ较高时并且当剪切时的能量E_DK较大时，可以使域间距离减小。

可以通过使捏合机的例如叶片或螺杆等搅拌构件的内径增大来减小从搅拌构件的端面至捏合机的内壁的间隙或者通过增加搅拌构件的转数来提高剪切速率γ。此外，可以通过增加搅拌构件的转数或者通过增大CMB中的第二橡胶和MRC中的第一橡胶各自的粘度来提高能量E_DK。

(d)相对于MRC的CMB体积分数

CMB相对于MRC的体积分数与CMB的碰撞聚结概率相关。具体地，当CMB相对于MRC的体积分数降低时，CMB的碰撞聚结概率下降。即，当在其中获得所需的导电性的范围内使CMB相对于MRC的体积分数减小时，可以使域间距离减小。从该观点，优选CMB相对于MRC的体积分数为15％以上且40％以下。

可以通过在通过使用上述方法控制体积电阻率ρ_D和ρ_M的同时形成海-岛结构来获得满足ρ_M/ρ_D≥10⁵且ρ_M≥1.0×10¹²的第二导电层。

<确认海-岛结构的方法>

可以通过从第二导电层生产薄片并且观察在薄片中形成的断裂面的详细情况来确认第二导电层中的海-岛结构的存在。

作为用于形成薄片的装置，给出例如锋利的剃刀、切片机和聚焦离子束(FIB)。此外，为了更准确地观察海-岛结构，可以对用于观察的薄片进行例如染色处理或气相沉积处理等使得能够适当地获得域和基质之间的对比度的预处理。

可以通过用激光显微镜、扫描型电子显微镜(SEM)、透射型电子显微镜(TEM)观察根据需要进行预处理的、其上形成有断裂面的薄片的断裂面来确认海-岛结构的存在。从可以简便地且准确地确认海-岛结构的观点，优选用SEM观察海-岛结构。

通过上述过程来获得第二导电层的薄片，并且以1,000倍至10,000倍的倍率来观察薄片的表面以获得图像。此后，通过使用图像处理软件(商品名：Image-Pro Plus，由Media Cybernetics Inc.制造)等将图像转换为8-位灰度级图像，以由此获得256灰度的单色图像。然后，对图像进行黑/白反转处理以使断裂面内的域变为白色。此后，对于图像的亮度分布，基于Otsu's判别分析法的算法设定二值化阈值，以由此获得二值化图像。最后，仅需要基于进行图像处理至其中通过二值化使域和基质彼此区分的状态的分析图像来判断基质-域结构的有无。

当分析图像如图2中所示包括其中多个域6b在基质6a中以孤立状态存在的结构时，可以确认海-岛结构在第二导电层中的存在。仅需要域6b的孤立状态为其中将各域6b配置为不连接至其它域6b并且基质6a在图像内连续从而域6b通过基质6a而彼此分离的状态。具体地，当假定分析图像内50(μm)见方的区域为分析区域时，将其中以如上所述孤立状态存在的域的个数相对于与分析区域的框边界没有接触点的域群的总数为80个数％以上的状态定义为具有海-岛结构的状态。

仅需要通过如下来进行上述确认：将导电性构件的第二导电层沿长度方向等分为五个区域，将各区域沿圆周方向等分为四个区域，从总计20个点制作切片(其中从各区域任意地获得一个切片)，并且进行上述测量。

在本公开的实施例中，通过使用剃刀切出切片以使得能够观察与第二导电层的长度方向垂直的截面。对切片进行铂气相沉积，并且通过使用扫描型电子显微镜(SEM)(商品名：S-4800，由Hitachi High-Technologies Corporation制造)以1,000倍的倍率来拍摄所得物，从而获得断面图像。

随后，在本公开的实施例中，在通过使用上述图像处理软件和方法获得的二值化图像中，通过计数功能来计算孤立而不彼此连接的域6b相对于在50μm见方的区域内存在的并且与二值化图像的框边界没有接触点的域6b的总数的个数％K。在该情况下，如图2中所示，确认到其中多个域6b分散在基质6a中并且以域6b不彼此连接的这样的独立状态存在、同时基质6a在图像内连续的域群。

最后，在本公开的实施例中，如下所述来判定海-岛结构的有无。具体地，将第二导电层沿长度方向等分为五个区域，并且将各区域沿圆周方向等分为四个区域。从总计20个点制作切片(其中从各获得的区域任意地获得一个切片)，并且进行上述测量。然后，当由此获得的算术平均值K(个数％)为80以上时，评价为海-岛结构"存在"。当算术平均值K(个数％)小于80时，评价为海-岛结构"不存在"。

<测量域的体积电阻率ρ_D的方法>

可以通过从第二导电层形成薄片并且用微小探针测量其体积电阻率ρ_D来测量域的体积电阻率ρ_D。作为用于形成薄片的装置，给出例如锋利的剃刀、切片机和聚焦离子束(FIB)。

当形成薄片时，需要排除基质的影响并且仅测量域的体积电阻率。因此，需要形成具有小于预先用扫描型电子显微镜(SEM)或透射型电子显微镜(TEM)等测量的域间距离的厚度的薄片。因此，作为用于形成薄片的装置，例如切片机等能够生产非常薄的样品的装置是优选的。

如下所述测量体积电阻率。首先，将薄片的单面接地，然后，确定薄片中的基质和域的位置。可以通过例如扫描探针显微镜(SPM)或原子力显微镜(AFM)等能够测量基质和域的体积电阻率或硬度的分布的装置来确定位置。然后，使探针与基质接触，并且将1(V)的直流电压施加至基质5秒以测量接地电流值的5秒间的算术平均值。将施加电压除以测量值以计算电阻值。最后，仅需要通过使用薄片的厚度将电阻值转换为体积电阻率。在该情况下，例如SPM和AFM等能够进行形状测量的装置是优选的，这是因为也可以与电阻值同时地测量薄片的厚度。

可以通过如下来测量圆柱状充电构件的体积电阻率ρ_D：从通过将第二导电层沿圆周方向等分为四个区域并且将各区域沿长度方向等分为五个区域而获得的各区域切出一个薄片样品、获得上述测量值、然后计算总计20个样品的体积电阻率的算术平均值。

在实施例中，通过使用切片机(商品名：Leica EM FCS，由Leica Microsystems制造)在-100℃的切削温度下从第二导电层切出厚度为1μm的超薄切片。当将长薄切片切出时，考虑到电荷被输送用于放电的方向，沿与充电构件的长度方向垂直的截面的方向进行切割。

接下来，在实施例中，在温度为23℃且相对湿度为50％的环境下，将超薄切片放置在金属板上，并且选择与金属板直接接触的区域。然后，使扫描探针显微镜(SPM)(商品名：Q-Scope 250，由Quesant Instrument Corporation制造)的悬臂与对应于域的部位接触。将1V的电压施加至悬臂5秒以测量电流值，以由此计算5秒间的算术平均值。

随后，在本公开的实施例中，用SPM观察测量切片的表面形状，并且从获得的高度轮廓计算测量部位的厚度。此外，由表面形状的观察结果，计算悬臂的接触部的凹部面积。由厚度和凹部面积计算体积电阻率。

最后，在本公开的实施例中，上述测量通过如下来进行：从总计20个点制作切片，其中从通过将第二导电层沿长度方向等分为五个区域并且将各区域沿圆周方向等分为四个区域而获得的各区域任意地制作一个切片。将其平均值定义为域的体积电阻率ρ_D。

在本公开的实施例中，使用SPM以接触模式进行扫描。

<测量基质的体积电阻率ρ_M的方法>

除了将测量部位改变为与基质对应的部位并且将在测量电流值时的施加电压改变为50V以外，可以通过与上述<测量域的体积电阻率ρ_D的方法>相同的方法来测量基质的体积电阻率ρ_M。

在本公开的实施例中，除了将测量部位改变为与基质对应的部位并且将在测量电流值时的施加电压改变为50V以外，通过与上述<测量域的体积电阻率ρ_D的方法>中本公开的实施例中的方法相同的方法来测量基质的体积电阻率ρ_M。

<测量SP值的方法>

可以通过借助使用具有已知SP值的材料来创建校准曲线以令人满意的精度计算SP值。作为已知的SP值，也可以使用材料制造商的目录值。例如，NBR和SBR的SP值各自基本上基于丙烯腈和苯乙烯的各自的含有比率而不取决于分子量来确定。因此，通过使用例如热解气相色谱法(Py-GC)或固体核磁共振(NMR)光谱法等分析过程，对于形成基质和域的橡胶，分析丙烯腈或苯乙烯的含有比率，并且可以基于含有比率与从具有已知SP值的材料获得的校准曲线来计算SP值。此外，异戊二烯橡胶的SP值由例如1,2-聚异戊二烯、1,3-聚异戊二烯、3,4-聚异戊二烯、顺-1,4-聚异戊二烯和反-1,4-聚异戊二烯等异构体结构来确定。因此，以与SBR和NBR中相同的方式，通过Py-GC或固体NMR光谱法等来分析异构体含有比率，并且可以基于异构体含有比率与从具有已知SP值的材料获得的校准曲线来计算SP值。通过汉森溶解度球法来求出具有已知SP值的材料的SP值。

(处理盒和电子照相设备)

本公开的处理盒具有一体化地支承前述电子照相感光构件和充电构件并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体的特征。根据本公开的处理盒可以一体化地支承选自由显影单元、转印单元和清洁单元组成的组中的至少一种单元。

此外，本公开的电子照相设备具有包括前述电子照相感光构件和充电构件以及曝光单元、显影单元和转印单元的特征。

优选的是，在本公开的处理盒中包括的感光构件和充电构件中，感光构件的反应频率f_OPC(Hz)与充电构件的反应频率f_C(Hz)的关系f_OPC/f_C满足下式(D3)和下式(D4)中的一者。

30≤f_OPC/f_C≤3,000 式(D3)

0.0003≤f_OPC/f_C≤0.03 式(D4)

此外，从通过实现感光构件与充电构件之间的电阻的平衡来抑制横向行进的观点，优选在f_OPC/10(Hz)下最下层的每单位面积的阻抗z_OPC(Ω·cm²)和在f_C/10(Hz)下充电构件的每单位面积的阻抗z_C(Ω·cm²)满足下式(D5)的关系。

(z_OPC×z_C)≥1.0×10⁶ 式(D5)

包括具有电子照相感光构件和充电构件的处理盒的电子照相设备的示意性构成的实例在图1中示出。

使圆筒状电子照相感光构件1围绕轴2沿由箭头指示的方向以预定的圆周速度旋转驱动。通过充电构件3将电子照相感光构件1的表面充电至预定的正电位或负电位。如图1中所示，本公开的充电构件具有基于辊型充电构件的辊充电系统。用来自曝光单元(未示出)的曝光光4照射电子照相感光构件1的带电表面，由此在其上形成对应于目标图像信息的静电潜像。使用容纳在显影单元5内的调色剂使形成在电子照相感光构件1的表面上的静电潜像显影，并且在电子照相感光构件1的表面上形成调色剂图像。将形成在电子照相感光构件1的表面上的调色剂图像通过转印单元6转印至转印材料7上。将其上转印有调色剂图像的转印材料7输送至定影单元8，进行用于使调色剂图像定影的处理，并且打印至电子照相设备的外部。电子照相设备可以包括用于将例如残留在转印后的电子照相感光构件1的表面上的调色剂等附着物除去的清洁单元9。此外，可以使用构成为用显影单元等除去附着物而不另外设置清洁单元的所谓的无清洁器系统。电子照相设备可以包括构成为用来自预曝光单元(未示出)的预曝光光10对电子照相感光构件1的表面进行除电处理的除电机构。此外，可以设置例如导轨等引导单元12用于将本公开的处理盒11可拆卸地安装至电子照相设备的主体。

可以在例如激光束打印机、LED打印机、复印机、传真机、及其多功能外围设备中使用电子照相感光构件。

根据本公开的一个方面，可以获得能够在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进的处理盒。此外，根据本公开的另一方面，可以获得能够形成高品质电子照相图像的电子照相设备。

实施例

以下通过实施例和比较例的方式更详细地描述本公开。本公开绝不限于以下实施例，并且在不偏离本公开的要旨的情况下可以作出各种修改。在以下实施例中的描述中，除非另有说明，"份"以质量计。

实施例和比较例中的每一者的电子照相感光构件的除了电荷产生层以外的各层的厚度通过使用涡电流式厚度计(商品名：Fischerscope，由Fischer Instruments K.K.制造)的方法或包括从每单位面积的质量进行比重换算的方法来求出。通过借助使用预先由通过将分光浓度计(商品名：X-Rite 504/508，由X-Rite Inc.制造)按压至感光构件表面上测得的麦克白浓度值和通过截面SEM图像观察获得的厚度测量值获得的校准曲线来换算感光构件的麦克白浓度值来测量电荷产生层的厚度。

<电子照相感光构件的生产>

通过下述方法生产第一支承体、第一导电层、底涂层、电荷产生层和电荷输送层以生产电子照相感光构件。所生产的感光构件中的表面处理层、第一导电层和底涂层的组合在表1中示出。

<第一支承体的生产>

通过热挤出获得直径为且长度为257mm的铝圆筒(JIS-A3003，铝合金)。如果需要，通后述方法来生产表面处理层以获得第一支承体。

(表面处理层1的生产)

通过使用金刚石烧结切削工具对第一支承体进行切削加工。

在洗涤工序中，对圆筒依次进行脱脂处理、在2wt％氢氧化钠溶液中蚀刻处理1分钟、中和处理、和进一步的使用纯水的洗涤。

接下来，将所得物在14wt％硫酸溶液中、在20V的直流电压下进行阳极氧化10分钟，以由此在圆筒的表面上形成阳极氧化膜。然后，在用水洗涤之后，将所得物在0.8wt％乙酸镍溶液中、在72℃的温度下浸渍15分钟，以由此进行封孔处理。此外，进行使用纯水的洗涤和干燥处理以获得表面处理层1。

(表面处理层2的生产)

通过使用金刚石烧结切削工具对第一支承体进行切削加工。

在洗涤工序中，对圆筒依次进行脱脂处理、在2wt％氢氧化钠溶液中蚀刻处理1分钟、中和处理、和进一步的使用纯水的洗涤。

接下来，将所得物在10wt％硫酸溶液中、在15V的直流电压下进行阳极氧化20分钟，以由此在圆筒的表面上形成阳极氧化膜。然后，在用水洗涤之后，将所得物在1wt％乙酸镍溶液中、在80℃的温度下浸渍15分钟，以由此进行封孔处理。此外，进行使用纯水的洗涤和干燥处理以获得表面处理层2。

(表面处理层3的生产)

除了在表面处理层2的生产中将阳极氧化时间改变为30秒以外，以与表面处理层2中相同的方式获得表面处理层3。

(表面处理层4的生产)

除了在表面处理层2的生产中将阳极氧化时间改变为20秒以外，以与表面处理层2中相同的方式获得表面处理层4。

(表面处理层5的生产)

除了在表面处理层2的生产中将阳极氧化时间改变为10秒以外，以与表面处理层2中相同的方式获得表面处理层5。

<第一导电层的生产>

(导电层1-1)

将60份覆盖有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名：Passtran PC1，由Mitsui Mining&Smelting Co.,Ltd.制造)、15份氧化钛颗粒(商品名：TITANIX JR，由Tayca Corporation制造)、43份甲阶型酚醛树脂(商品名：PHENOLITE J-325，由DIC Corporation制造，固体含量：70质量％)、0.015份硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)、3.6份硅酮树脂颗粒(商品名：TOSPEARL 120，由Momentive Performance Materials Japan LLC制造)、50份2-甲氧基-1-丙醇和50份甲醇放入球磨机并且进行分散处理20小时，由此制备第一导电层用涂布液1。将第一导电层用涂布液1通过浸渍涂布来涂布至上述第一支承体以形成涂膜，并且将获得的涂膜通过在145℃的温度下加热1小时来固化以形成厚度为25μm的导电层1-1。

(导电层1-2)

将100份氧化锌颗粒(由Tayca Corporation制造，平均一次粒径：50nm，比表面积：19m²/g，粉体电阻率：4.7×10⁶Ω·cm)与500份甲苯在搅拌下混合。向混合物中添加1.25份N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷(商品名：KBM602，由Shin-Etsu ChemicalCo.,Ltd.制造)作为表面处理剂，并且将整体在搅拌下混合4小时。此后，使甲苯在减压下蒸发，并且将残余物在130℃的温度下干燥4小时以获得经表面处理的氧化锌颗粒。

将100份氧化钛颗粒(商品名：JR-405，由Tayca Corporation制造，平均一次粒径：210nm)与500份甲苯在搅拌下混合。向混合物中添加0.75份N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷，并且将整体搅拌2小时。此后，通过减压蒸馏使甲苯蒸发，并且将残余物在120℃的温度下焙烧3小时以获得经表面处理的氧化钛颗粒。

随后，将75份上述经表面处理的氧化锌颗粒、16份由式(A2)表示的封端异氰酸酯化合物(商品名：Sumidur 3175，由Sumitomo Bayer Urethane Co.,Ltd.制造，固体含量：75质量％)、9份聚乙烯醇缩丁醛树脂(商品名：S-LEC BM-1，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)、1份2,3,4-三羟基二苯甲酮(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)和8.65份进行表面处理以防止干涉条纹的氧化钛颗粒添加至60份甲基乙基酮和60份环己酮的混合溶剂，以制备分散液。用通过使用平均粒径为1.0mm的玻璃珠的立式砂磨机将分散液在温度为23℃的气氛下以1,500rpm的转数进行分散处理3小时。在分散处理之后，向获得的分散液中添加5份交联聚甲基丙烯酸甲酯颗粒(商品名：SSX-103，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造，平均粒径：3μm)和0.01份硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)，然后搅拌，由此制备第一导电层用涂布液2。将第一导电层用涂布液2通过浸渍涂布来涂布至第一支承体以形成涂膜，并且将获得的涂膜通过在160℃的温度下加热40分钟来聚合，以形成厚度为30μm的导电层1-2。

(导电层1-3)

将214份用作金属氧化物颗粒的覆盖有缺氧型氧化锡(SnO₂)的氧化钛(TiO₂)颗粒、132份用作粘结材料的酚醛树脂(酚醛树脂的单体/低聚物)(商品名：PLYOPHEN J-325，由DIC Corporation制造，树脂固体含量：60质量％)和98份用作溶剂的1-甲氧基-2-丙醇装入至使用450份各自具有0.8mm的直径的玻璃珠的砂磨机中，并且将混合物在转数为2,000rpm、分散处理时间为4.5小时和冷却水的设定温度为18℃的条件下进行分散处理，以获得分散液。用筛网(开口：150μm)将玻璃珠从分散液中除去。将用作表面粗糙度赋予材料的硅酮树脂颗粒(商品名：TOSPEARL 120，由Momentive Performance Materials Japan LLC制造，平均粒径：2μm)添加至分散液以使硅酮树脂颗粒的量相对于从其中除去玻璃珠之后的分散液中的金属氧化物颗粒和粘结材料的总质量为10质量％。此外，将用作流平剂的硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)添加至分散液中以使硅油的量相对于分散液中的金属氧化物颗粒和粘结材料的总质量为0.01质量％，然后搅拌，由此制备第一导电层用涂布液3。将第一导电层用涂布液3通过浸渍涂布来涂布至第一支承体以形成涂膜，并且将获得的涂膜在150℃的温度下干燥和热固化30分钟，以形成厚度为30μm的导电层1-3。

(导电层1-4)

可以通过已知的硫酸法来生产用作核的锐钛矿型二氧化钛。具体地，通过将包含硫酸钛和硫酸氧钛的溶液加热并且水解来生产偏钛酸浆料并且将偏钛酸浆料脱水烧制来获得锐钛矿型二氧化钛。

使用平均一次粒径为200nm的锐钛矿型氧化钛颗粒作为核颗粒。制备包含以TiO₂计33.7份钛和以Nb₂O₅计2.9份铌的钛-铌硫酸溶液。将100份核颗粒分散在纯水中以获得1,000份悬浮液，并且将悬浮液加温至温度为60℃。将钛-铌硫酸溶液和10mol/L氢氧化钠经3小时滴加至悬浮液中以使悬浮液的pH变为2至3。在滴加全部量之后，将pH调整至中性区域附近的值，并且将絮凝剂添加至悬浮液以使固成分沉降。将上清液除去，并且将残余物过滤并且洗涤，然后在110℃的温度下干燥。由此，获得包含以C计为0.1wt％的源自絮凝剂的有机物的中间体。将中间体在氮气中在750℃的温度下煅烧1小时，然后在空气中在450℃的温度下煅烧以生产氧化钛颗粒1。在上述使用扫描型电子显微镜的粒径测量方法中，获得的颗粒的平均粒径(平均一次粒径)为220nm。

接下来，将80份用作粘结材料的酚醛树脂(酚醛树脂的单体/低聚物)(商品名：PLYOPHEN J-325，由DIC Corporation制造，树脂固体含量：60％，固化后的密度：1.3g/cm³)溶解在60份用作溶剂的1-甲氧基-2-丙醇中。由此，获得溶液。

将100份金属氧化物颗粒1添加至该溶液中，并且将混合物装入至使用200份平均粒径为1.0mm的玻璃珠作为分散介质的立式砂磨机中，并且在分散液温度为23±3℃且转数为1,500rpm(圆周速度：5.5m/s)的条件下进行分散处理2小时以提供分散液。用筛网将玻璃珠从分散液中除去。通过使用PTFE滤纸(商品名：PF060，由Advantec Toyo Kaisha,Ltd.制造)将从其中除去玻璃珠的分散液加压过滤。向加压过滤后的分散液中添加0.015份用作流平剂的硅油(商品名：SH28 PAINT ADDITIVE，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)和15份用作表面粗糙度赋予材料的硅酮树脂颗粒(商品名：KMP-590，由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造，平均粒径：2μm，密度：1.3g/cm³)，然后搅拌，由此制备第一导电层用涂布液4。将第一导电层用涂布液4通过浸渍涂布来涂布至上述第一支承体以形成涂膜，并且将获得的涂膜通过在145℃的温度下加热1小时来固化，以形成厚度为25μm的导电层1-4。

<底涂层的生产>

(底涂层1)

将25份N-甲氧基甲基化尼龙6(商品名：TORESIN EF-30T，由Nagase ChemteXCorporation制造)溶解在480份甲醇/正丁醇＝2/1的混合溶液中(通过在65℃的温度下加热来溶解)以获得溶液。此后，将溶液用膜滤器(商品名：FP-022，由Sumitomo ElectricIndustries,Ltd.制造，孔径：0.22μm)来过滤以制备底涂层用涂布液1。将底涂层用涂布液1通过浸渍涂布来涂布至第一支承体或第一导电层以形成涂膜，并且将获得的涂膜干燥，由此形成厚度为0.8μm的底涂层1。

(底涂层2)

将100份金红石型氧化钛颗粒(由Tayca Corporation制造，平均一次粒径：50nm)与500份甲苯在搅拌下混合，并且将3.0份作为由以下式(A3)表示的化合物的其中n＝1并且R¹表示甲基的乙基三甲氧基硅烷添加至混合物中，然后搅拌8小时。此后，通过减压蒸馏使甲苯蒸发，并且将残余物在120℃的温度下干燥3小时，以获得用乙基三甲氧基硅烷表面处理的金红石型氧化钛颗粒。

将18份上述用乙基三甲氧基硅烷表面处理的金红石型氧化钛颗粒、4.5份N-甲氧基甲基化尼龙(商品名：TORESIN EF-30T，由Nagase ChemteX Corporation制造)和1.5份共聚尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由Toray Industries,Inc.制造)添加至90份甲醇、60份1-丁醇和15份二甲基酮丙酮的混合溶剂以制备分散液。用通过使用各自具有1.0mm的直径的玻璃珠的立式砂磨机对分散液进行分散处理5小时，由此制备底涂层用涂布液2。将底涂层用涂布液2通过浸渍涂布来涂布至第一支承体或第一导电层以形成涂膜，并且将获得的涂膜干燥，以形成厚度为0.8μm的底涂层2。

<电荷产生层>

将10份在CuKα特性X射线衍射中在布拉格角(2θ±0.3°)为27.2°处具有强峰的晶体形式的氧钛酞菁晶体(电荷产生物质)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)和250份环己酮装入至使用各自具有0.8mm的直径的玻璃珠的砂磨机中，并且将混合物在分散处理时间为3小时的条件下进行分散处理。接下来，将250份乙酸乙酯添加至所得物以制备电荷产生层用涂布液。将电荷产生层用涂布液通过浸渍涂布来涂布至第一支承体、第一导电层或底涂层以形成涂膜，并且将获得的涂膜在100℃的温度下干燥10分钟，以形成麦克白浓度值为0.95的电荷产生层。

<电荷输送层>

将90份由下式(A4)表示的电荷输送物质、100份用作粘结剂树脂的具有下式(A5)的重复单元的聚芳酯树脂、和0.05份用作流平剂的硅油(商品名：KF-96，由Shin-EtsuSilicone K.K.制造)与480份四氢呋喃和120份甲苯的混合溶剂混合，以制备电荷输送层用涂布液。将电荷输送层用涂布液通过浸渍涂布施加至电荷产生层以形成涂膜，并且将获得的涂膜在140℃的温度下干燥30分钟，以形成厚度为20μm的电荷输送层。

表1

感光构件	表面处理层	导电层	底涂层
				1	1	-	-
2	2	-	-
				3	1	-	2
4	2	-	2
				5	-	1-1	1
6	-	1-1	2
				7	-	1-2	-
8	3	-	2
				9	4	-	-
10	5	-	2
				11	-	1-3	1
12	-	1-3	2
				13	-	1-4	2

(域形成用未硫化橡胶混合物(CMB)的生产)

<CMB1的生产例>

将100份用作原料橡胶的丁基橡胶(商品名：JSR Butyl 065，由JSR Corporation制造)、60份用作电子导电剂的炭黑(商品名：TOKABLACK#5500，由Tokai Carbon Co.,Ltd.制造)、5份用作硫化促进剂的氧化锌(商品名：氧化锌2型，由Sakai Chemical IndustryCo.,Ltd.制造)和2份用作加工助剂的硬脂酸锌(商品名：SZ-2000，由Sakai ChemicalIndustry Co.,Ltd.制造)通过使用6升的加压捏合机(商品名：TD6-15MDX，由Toshin Co.,Ltd.制造)彼此混合，以生产CMB1。将混合条件设定为填充率为70vol％、叶片转数为30rpm并且混合时间为20分钟。

在该情况下，通过上述方法来测量原料橡胶的SP值和门尼粘度以及CMB1的门尼粘度。其结果与CMB1的各材料构成一起在表2中示出。

表2中的原料橡胶种类(raw material rubber species)的材料简称在表4中示出，并且表2中的电子导电剂的材料简称在表5中示出。

表2中的术语"质量份"意指电子导电剂相对于100份原料橡胶种类的质量份。

<CMB2至CMB8的生产例>

除了在CMB1的生产例中如表2中所示改变原料橡胶种类和电子导电剂以外，以与CMB1的生产例中相同的方式来生产CMB2至CMB8。

此外，以与CMB1中相同的方式来测量CMB2至CMB8的各原料橡胶的SP值和门尼粘度以及CMB2至CMB8中的每一者的门尼粘度。其结果与CMB2至CMB8的各材料构成一起在表2中示出。表2中的原料橡胶种类的材料简称在表4中示出，并且表2中的电子导电剂的材料简称在表5中示出。

表2

关于表2中的门尼粘度，原料橡胶的门尼粘度的值为各制造商的目录值。各CMB的门尼粘度的值为基于JIS K6300-1:2013的门尼粘度ML(1+4)，并且通过在当将所有形成CMB的材料捏合时的橡胶温度下测量来获得。

(基质形成用橡胶混合物(MRC)的生产)

<MRC1的生产例>

将100份用作原料橡胶的苯乙烯-丁二烯橡胶(商品名：T1000，由Asahi KaseiCorporation制造)、70份用作填料的碳酸钙(商品名：NANOX#30，由Maruo Calcium Co.,Ltd.制造)、7份用作硫化促进剂的氧化锌(商品名：氧化锌2型，由Sakai ChemicalIndustry Co.,Ltd.制造)和2.8份用作加工助剂的硬脂酸锌(商品名：SZ-2000，由SakaiChemical Industry Co.,Ltd.制造)通过使用6升的加压捏合机(商品名：TD6-15MDX，由Toshin Co.,Ltd.制造)彼此混合，以生产MRC1。将混合条件设定为填充率为70vol％、叶片转数为30rpm并且混合时间为16分钟。

在该情况下，通过上述方法来测量原料橡胶的SP值和门尼粘度以及MRC1的门尼粘度。其结果与MRC1的各材料构成一起在表3中示出。

表3中的术语"质量份"意指导电剂相对于100份原料橡胶种类的质量份。表3中的原料橡胶种类的材料简称在表4中示出。

<MRC2至MRC7的生产例>

除了在MRC1的生产例中如表3中所示改变原料橡胶种类以外，以与MRC1的生产例中相同的方式来生产MRC2至MRC7。

此外，以与MRC1的生产例中相同的方式来测量MRC2至MRC7的各原料橡胶的SP值和门尼粘度以及MRC2至MRC7中的每一者的门尼粘度。其结果与MRC2至MRC7的各材料构成一起在表3中示出。

表3

表4

表5

<充电构件的生产>

(充电辊1的生产例)

作为圆柱状第二支承体，制作通过对不锈钢(SUS 304)的表面进行化学镀镍而获得的总长度为252mm且外径为6mm的圆棒。

接下来，通过使用6升的加压捏合机(商品名：TD6-15MDX，由Toshin Co.,Ltd.制造)将CMB1和MRC1以25份CMB1和75份MRC1的配混量彼此混合。将混合条件设定为填充率为70vol％、叶片转数为30rpm并且混合时间为16分钟。

接下来，通过使用辊直径为12英寸的开炼辊将100份CMB1和MRC1的混合物、3份用作硫化剂的硫黄(商品名：SULFAX PMC，由Tsurumi Chemical Industry Co.,Ltd.制造)和3份用作硫化助剂的二硫化四甲基秋兰姆(商品名：NOCCELER TT-P，由Ouchi ShinkoChemical Industrial Co.,Ltd.制造)彼此混合，以由此制备第二导电层形成用未硫化橡胶混合物。在前辊转数为10rpm、后辊转数为8rpm且辊间隙为2mm的混合条件下总计进行20次左右翻转(turn-over)。此后，将辊间隙设定为0.5mm，并且进行10次薄通。

随后，通过使用图13中所示的装置来生产未硫化橡胶辊。在包括第二支承体161的供给机构164和未硫化橡胶辊的排出机构的十字头163的各挤出机162的前端上安装内径为10mm的模具。将各挤出机162和十字头163的温度设定至80℃，并且将第二支承体161的输送速度调整至60mm/sec。在该条件下，从各挤出机162供给第二导电层形成用未硫化橡胶混合物，并且在十字头163内用第二导电层形成用未硫化橡胶混合物来覆盖第二支承体161的外周部，由此获得未硫化橡胶辊165。

接下来，将未硫化橡胶辊165投入温度为160℃的热风硫化炉并且加热60分钟以将第二导电层形成用未硫化橡胶混合物硫化，由此在第二支承体161的外周部上形成第二导电层。此后，将第二导电层的两端部各自切除10mm从而将沿第二导电层部的长度方向的长度设定为232mm，由此获得辊166。

最后，用旋转磨石来研磨辊166的第二导电层的表面。这样，生产其中在从中央部至两端部侧各90mm的位置处的各直径为8.4mm并且中央部直径为8.5mm的具有凸起形状的充电辊1。

通过上述方法来测量在该情况下获得的充电辊1的域的体积电阻率ρ_D(Ω·cm)以及其基质的体积电阻率ρ_M(Ω·cm)。其结果与充电辊1的构成一起在表6中示出。

表6中的硫化剂和硫化促进剂的材料简称在表7中示出。

(充电辊2至15的生产例)

除了在充电辊1的生产例中如表6中所示改变CMB、MRC、CMB与MRC的混合比和硫化促进剂以外，以与充电辊1的生产例中相同的方式来生产充电辊2至15。

此外，以与充电辊1中相同的方式来测量充电辊2至15的域的体积电阻率ρ_D(Ω·cm)以及其基质的体积电阻率ρ_M(Ω·cm)。其结果与充电辊2至15的构成一起在表6中示出。

表6

表7

(实施例1)

将感光构件1和充电构件1安装在由Hewlett-Packard Company制造的激光束打印机(商品名：Color Laser Jet Enterprise M653dn)的处理盒上以制作实施例1的处理盒。

在该情况下，本文中使用的感光构件1的f_OPC和z_OPC的测量值、充电构件1的f_C和z_C的测量值和ρ_M/ρ_D的计算值、以及当将感光构件1和充电构件1彼此组合时f_OPC/f_C和(z_OPC×z_C)^0.5的计算值在表8中示出。

(实施例2至36和比较例1至6)

除了在实施例1中如表8中所示改变感光构件1和充电构件1以外，以与实施例1中相同的方式来制作实施例2至36和比较例1至6的处理盒。

此外，本文中使用的感光构件的f_OPC和z_OPC的测量值、充电构件的f_C和z_C的测量值和ρ_M/ρ_D的各计算值、以及当将各感光构件和各充电构件彼此组合时f_OPC/f_C和(z_OPC×z_C)^0.5的计算值在表8中示出。

表8

(评价)

如下所述来评价实施例和比较例的各处理盒。

<评价装置>

准备由Hewlett-Packard Company制造的激光束打印机(商品名：Color LaserJet Enterprise M653dn)作为要评价的电子照相设备。将激光束打印机进行改造以使马达构成为以80rpm旋转驱动感光鼓等，进一步，能够调节并且测量对充电辊的施加电压以及对感光构件的预曝光量和图像曝光量。

此外，准备各实施例和各比较例的三个处理盒。将各处理盒仅安装至品红色用处理盒站，由此将激光束打印机进行改造以使即使当其它颜色(青色、黄色和黑色)用处理盒未安装至激光束打印机的主体时也可操作。

在图像输出时，仅将品红色用处理盒安装至激光束打印机的主体，并且仅用品红色调色剂来输出单色图像。

<横向行进>

首先，从各处理盒取出两个感光构件。将旋转的钻头垂直地插入至各感光构件表面的中心部，并且形成直径为2mm的孔直至底涂层露出。在该情况下，在使各感光构件沿感光构件的圆周方向移动的同时在各感光构件中形成五个孔以使在沿感光构件的长度方向的同一轴上不存在多个孔。通过使用感光构件和充电构件1如下所述来进行横向行进试验。

泄漏试验装置在图14中示出。在高温高湿(温度为30℃/相对湿度为80％)环境下进行横向行进试验。将电子照相感光构件21的两端放置并且固定在固定台23上以使其不移动。将电子照相感光构件21的与第一支承体的接触部24经由100kΩ的参比电阻器25接地。接下来，将充电构件26在一端5N的情况下抵接至电子照相感光构件21的感光层27的中央部以使充电构件26与中央部接触。将构成为施加电压的电源28连接至充电构件26。可以使电子照相感光构件21通过与第一支承体的接触部24沿长度方向围绕轴旋转。

在使电子照相感光构件21以200rpm的旋转速度旋转的同时，将-1,500V的电压施加至充电构件26。在该情况下，在从电子照相感光构件21流向地面的电流的分布中，将冲进其中底涂层露出的部分(其中检测到电流大于其它部分的电流的部分)的电流定义为横向行进电流。在该情况下的横向行进电流的测量结果在表9中示出。

接下来，对于各实施例和比较例，再次准备使用其中形成有孔的感光构件的处理盒，并且一次将一个处理盒放置在评价装置上。设定对充电辊的施加电压和对感光构件的图像曝光量以使暗区电位变为-750V并且亮区电位变为-130V。此外，将预曝光量设定为图像曝光量的三倍。对于在电位设定时感光构件的表面电位的测量，使用安装在处理盒的显影位置处的电位探针(商品名：Model 6000B-8，由Trek Japan KK制造)，并且使用表面电位计(商品名：Model 344，由Trek Japan KK制造)。

通过使用与前述相同的对充电辊的施加电压以及相同的对感光构件的预曝光量和图像曝光量，将单点桂马跳跃图案的半色调图像输出在10,000张上。

在本公开中，与在输出的第10,000张半色调图像中形成孔的五个位置相对应的图像结果基于以下标准进行分级。评价标准A～D表明显示本公开的效果。评价结果在表9中示出。

A：在全部五个位置仅观察到黑点。

B：在五个位置观察到一根或两根短且细的横向黑色条纹。

C：在五个位置观察到三根以上短且细的横向黑色条纹。

D：在五个位置观察到各自在图像的整个区域延伸的一根或两根长的横向黑色条纹。

E：在五个位置观察到各自在图像的整个区域延伸的三根以上长的横向黑色条纹。

<电位变动>

首先，再次准备实施例和比较例的处理盒，并且使各处理盒和电子照相设备在低温低湿(L/L：温度为15℃/相对湿度为20％)环境下放置24小时以上。此后，将处理盒安装至电子照相设备的品红色用处理盒站。

设定对充电辊的施加电压和对感光构件的图像曝光量以使暗区电位变为-750V并且亮区电位变为-130V。此外，将预曝光量设定为图像曝光量的三倍。对于在电位设定时感光构件的表面电位的测量，使用安装在处理盒的显影位置处的电位探针(商品名：Model6000B-8，由Trek Japan KK制造)，并且使用表面电位计(商品名：Model 344，由Trek JapanKK制造)。

使处理盒和电子照相设备在低温低湿(L/L：温度为15℃/相对湿度为20％)的环境下放置24小时以上。此后，将处理盒安装至电子照相设备的品红色用处理盒站。设定对充电辊的施加电压和对感光构件的图像曝光量以使暗区电位变为-750V并且亮区电位变为-130V。此外，将预曝光量设定为图像曝光量的三倍。通过使用处理盒和电子照相设备，以其中将打印率为2％的字符图像一张一张输出至A4尺寸的普通纸上的间歇模式进行打印操作，并且进行通过10,000张图像输出的通纸耐久试验。

随后，在10,000张的通纸耐久试验之后即刻，再次设定施加电压以使暗区电位变为-750V。设定对充电辊的施加电压和对感光构件的图像曝光量以使暗区电位变为-750V且亮区电位变为-130V，并且设定预曝光量为图像曝光量的三倍。由此，测量暗区电位和亮区电位。测得的亮区电位由V_L(V)表示，并且将ΔV_L＝|V_L+130|确定为10,000张的通纸耐久试验前后的电位变动量。

在本公开中，根据ΔV_L的值基于以下标准对电位变动进行分级。评价标准A～D表明显示本公开的效果。评价结果在表9中示出。

A：ΔV_L≤15

B：15<ΔV_L≤25

C：25<ΔV_L≤35

D：35<ΔV_L≤45

E：45<ΔV_L

表9

虽然已经参考示例性方面描述了本发明，但是应当理解的是，本发明不限于公开的示例性方面。所附权利要求的范围要符合最宽泛的解释从而涵盖所有此类修改以及等同的结构和功能。

Claims (10)

1.一种处理盒，其包括：

电子照相感光构件；和

充电构件，

所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体，

其特征在于，所述电子照相感光构件包括具有圆筒形状的第一支承体、直接形成在所述第一支承体上的最下层、和形成在所述最下层上的感光层，

其中所述充电构件为包括具有圆柱形状的第二支承体和形成在所述第二支承体上的第二导电层的电子照相用充电构件，

其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基质和分散在所述基质中的多个域，

其中所述多个域各自包含第二橡胶和电子导电剂，

其中所述基质的体积电阻率ρ_M为所述多个域各自的体积电阻率ρ_D的1.0×10⁵倍以上，并且

其中，在当通过在使交流电压在频率1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述最下层来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_OPC表示的情况下，并且在当通过在使交流电压在频率1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_C表示的情况下，所述f_OPC和所述f_C满足下式(D1)和下式(D2)中之一的关系：

10≤f_OPC/f_C≤10,000 式(D1)

0.0001≤f_OPC/f_C≤0.1 式(D2)，

其中所述f_OPC和所述f_C的单位为Hz。

2.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件和所述充电构件中，所述f_OPC和所述f_C满足下式(D3)和下式(D4)中的一者的关系：

30≤f_OPC/f_C≤3,000 式(D3)

0.0003≤f_OPC/f_C≤0.03 式(D4)。

3.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件中，所述f_OPC为5Hz以上。

4.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件中，所述f_OPC为100Hz以上。

5.根据权利要求1所述的处理盒，其中当在所述电子照相感光构件中在f_OPC/10的频率下所述最下层的每单位面积的阻抗由z_OPC表示时，并且当在所述充电构件中在f_C/10的频率下所述充电构件的每单位面积的阻抗由z_C表示时，所述z_OPC和所述z_C满足下式(D5)的关系：

(z_OPC×z_C)≥1.0×10⁶ 式(D5)，

其中所述z_OPC和所述z_C的单位为Ω·cm²。

6.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件中，在f_OPC/10的频率下所述最下层的每单位面积的阻抗z_OPC为3.0×10⁵Ω·cm²以上。

7.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件中，在f_OPC/10的频率下所述最下层的每单位面积的阻抗z_OPC为1.0×10⁹Ω·cm²以下。

8.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述充电构件中，在f_C/10的频率下所述充电构件的每单位面积的阻抗z_C为1.0×10⁶Ω·cm²以上。

9.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述充电构件中，所述基质的体积电阻率ρ_M为1.0×10¹²Ω·cm以上。

10.一种电子照相设备，其包括：

电子照相感光构件；和

充电构件，

其特征在于，所述电子照相感光构件包括具有圆筒形状的第一支承体、直接形成在所述第一支承体上的最下层、和形成在所述最下层上的感光层，

其中所述充电构件为包括具有圆柱形状的第二支承体和形成在所述第二支承体上的第二导电层的电子照相用充电构件，

其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基质和分散在所述基质中的多个域，

其中所述多个域各自包含第二橡胶和电子导电剂，

其中所述基质的体积电阻率ρ_M为所述多个域各自的体积电阻率ρ_D的1.0×10⁵倍以上，并且

其中，在当通过在使交流电压在频率1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述最下层来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_OPC表示的情况下，并且在当通过在使交流电压在频率1.0×10^-2Hz至1.0×10⁶Hz的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45°时的最大频率由f_C表示的情况下，所述f_OPC和所述f_C满足下式(D1)和下式(D2)中的一者的关系：

10≤f_OPC/f_C≤10,000 式(D1)

0.0001≤f_OPC/f_C≤0.1 式(D2)

其中所述f_OPC和所述f_C的单位为Hz。