JP6218502B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、ならびに、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

近年、有機光導電性材料を用いた電子写真感光体（有機電子写真感光体）の研究開発が盛んに行われている。
電子写真感光体は、基本的には、支持体と該支持体上に形成された感光層とから構成される。しかしながら、現状は、支持体の表面の欠陥の隠蔽、感光層の電気的破壊に対する保護、帯電性の向上、支持体から感光層への電荷注入阻止性の改良などのために、支持体と感光層との間には、各種の層が設けられることが多い。

支持体と感光層との間に設けられる層の中でも、支持体の表面の欠陥の隠蔽を目的として設けられる層としては、金属酸化物粒子を含有する層が知られている。金属酸化物粒子を含有する層は、一般的に、金属酸化物粒子を含有しない層に比べて導電性が高く（例えば、初期の体積抵抗率で１．０×１０^８〜２．０×１０^１３Ω・ｃｍ）、層の膜厚を厚くしても、画像形成時の残留電位の上昇が生じにくい。そのため支持体の表面の欠陥を隠蔽することが容易である。このような導電性の高い層（以下「導電層」という。）を支持体と感光層との間に設けて支持体の表面の欠陥を隠蔽することにより、支持体の表面の欠陥の許容範囲は大きくなる。その結果、支持体の使用許容範囲が大幅に広がるため、電子写真感光体の生産性の向上が図れるという利点がある。

特許文献１には、支持体と感光層との間の導電層にリンまたはタングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を用いる技術が開示されている。また、特許文献２には、支持体と感光層との間の導電層にリンまたはタングステンまたはフッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を用いる技術が開示されている。

また、特許文献３には、導電性支持体上に下引き層、中間層および感光層を順次積層してなる電子写真感光体の下引き層に平均粒径の異なる２種の金属酸化物粒子を含有させる技術が開示されている。また、特許文献４には、導電性支持体上に中間層、感光層を順に積層してなる電子写真感光体の中間層に２種以上の一次粒子径の異なる導電性粒子を含有させ、当該導電性粒子の一次粒子の平均粒径が最も大きなものＡと最も小さなものＢの平均粒径の比Ａ：Ｂを１２：１〜３０：１とし、Ｂの平均粒径を０．０５μｍ以下とする技術、および、電子写真感光体の中間層にタンタルがドープされている酸化スズ粒子を用いる技術が開示されている。

また、特許文献５および６には、支持体と感光層との間の導電層または中間層にニオブがドープされている酸化スズ粒子を用いる技術が記載されている。

特開２０１２−１８３７１号公報 特開２０１２−１８３７０号公報 特開２００７−１８７７７１号公報 特開２００４−１５１３４９号公報 特開平１−２４８１５８号公報 特開平１−１５０１５０号公報

近年、同一の電子写真感光体で、同一の画像が短時間に大量に出力される機会が多くなっている。

このような場合、電子写真感光体における記録媒体（転写材（紙など）や中間転写体など）の進行方向と垂直方向（電子写真感光体が円筒状であれば長手方向）がずれることはない。そのため、例えば、図４の画像３０１のような縦線（記録媒体の進行方向と平行な線）３０６が含まれる画像を大量に連続して出力した後にベタ黒画像やハーフトーン画像を出力した場合には、縦線が形成されていた部分にパターンメモリーと呼ばれるものが発生する。詳しく述べると、本来、ベタ黒画像は、図４の画像３０２のように出力され、ハーフトーン画像は、図４の画像３０３のように出力される。しかしながら、図４の画像３０１のような縦線３０６が含まれる画像を大量に連続出力した後、ベタ黒画像を出力した場合には、出力画像は、図４の画像３０１の縦線３０６の繰り返し履歴を起因とする縦線３０７が入った画像３０４となることがある。ハーフトーン画像の場合も、ベタ黒画像の場合と同様に、図４の画像３０１の縦線３０６の繰り返し履歴を起因とする縦線３０８が入った画像３０５となることがある。これら縦線３０７、３０８のように繰り返し履歴が現れた画像部分が、パターンメモリーと呼ばれる。

特に最近は、電子写真感光体の長寿命化により、同一の電子写真感光体で、同一の画像が短時間に大量に出力される機会が従来よりも多くなってきている。そのため、これまでは十分に使用できていた従来の電子写真感光体であっても、同一の画像を短時間に大量に出力した場合に上記パターンメモリーが発生してしまう場合が顕在化してきた。その点、特許文献１〜６に開示されている従来の導電層を有する電子写真感光体では、上記パターンメモリーが発生してしまう場合が生じることがあった。

一方で、結着材料および金属酸化物粒子を含有する導電層においては、画像形成時の残留電位の上昇を抑制するため、単純に導電層中の金属酸化物粒子の含有量を多くして導電層の体積抵抗率を低めたとしても、導電層にクラックが発生しやすくなってしまう。そのため、導電層のクラックの発生を抑制しながら、パターンメモリーの発生を抑制し、残留電位の上昇を抑制する必要がある。

すなわち、本発明の目的は、画像形成時に残留電位が上昇しにくく、パターンメモリーが発生しにくく、導電層のクラックが発生しにくい電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該導電層が、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、リンがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｐとし、該導電層中の該リンがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｐとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｐおよび該Ｖ_２Ｐが、下記式（１）および（２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体である。
２≦｛（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１）
１５≦｛（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（２）

また、本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該導電層が、タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、タングステンがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｗとし、該導電層中の該タングステンがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｗとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｗおよび該Ｖ_２Ｗが、下記式（６）および（７）を満たすことを特徴とする電子写真感光体である。
２≦｛（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（６）
１５≦｛（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（７）

また、本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該導電層が、フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、フッ素がドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｆとし、該導電層中の該フッ素がドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｆとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｆおよび該Ｖ_２Ｆが、下記式（１１）および（１２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体である。
２≦｛（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１１）
１５≦｛（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（１２）

また、本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該導電層が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、ニオブがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｎｂとし、該導電層中の該ニオブがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｎｂとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｎｂおよび該Ｖ_２Ｎｂが、下記式（１６）および（１７）を満たすことを特徴とする電子写真感光体である。
２≦｛（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１６）
１５≦｛（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（１７）

また、本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該導電層が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、タンタルがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｔａとし、該導電層中の該タンタルがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｔａとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｔａおよび該Ｖ_２Ｔａが、下記式（２１）および（２２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体である。
２≦｛（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（２１）
１５≦｛（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（２２）

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。

また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。

本発明によれば、画像形成時に残留電位が上昇しにくく、パターンメモリーが発生しにくく、導電層のクラックが発生しにくい電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための図（上面図）である。 導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための図（断面図）である。 パターンメモリーを説明するための図（画像例）である。 １ドット桂馬パターン画像を説明する図である。

本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体である。

感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質を単一の層に含有させた単層型感光層であってもよいし、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光層であってもよい。また、必要に応じて、支持体上に形成される導電層と感光層との間に下引き層を設けてもよい。

支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属で形成されている金属製支持体を用いることができる。アルミニウムやアルミニウム合金を用いる場合は、押し出し工程および引き抜き工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管や、押し出し工程およびしごき工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管を用いることができる。このようなアルミニウム管は、表面を切削することなく良好な寸法精度や表面平滑性が得られるうえ、コスト的にも有利である。しかしながら、無切削のアルミニウム管の表面にはササクレ状の凸状欠陥が生じやすいため、導電層を設けることが特に有効である。

本発明の電子写真感光体においては、支持体上に形成される導電層には、結着材料に加えて、以下の金属酸化物粒子の組み合わせのいずれかが用いられる。
（ｐ）リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、および、リンがドープされている酸化スズ粒子。
（ｗ）タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、および、タングステンがドープされている酸化スズ粒子。
（ｆ）フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、および、フッ素がドープされている酸化スズ粒子。
（ｎｂ）ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、および、ニオブがドープされている酸化スズ粒子。
（ｔａ）タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、および、タンタルがドープされている酸化スズ粒子。

上記金属酸化物粒子の組み合わせ（ｐ）、（ｗ）、（ｆ）、（ｎｂ）および（ｔａ）のいずれも、酸化スズにドープされている元素が、リン（Ｐ）、タングステン（Ｗ）、フッ素（Ｆ）、ニオブ（Ｎｂ）またはタンタル（Ｔａ）で共通していることが特徴の１つである。なお、酸化チタン粒子は、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子であり、酸化スズ粒子は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）の粒子である。

以下、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を「Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子」とも表記し、リンがドープされている酸化スズ粒子を「Ｐドープ酸化スズ粒子」とも表記する。また、タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を「Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子」とも表記し、タングステンがドープされている酸化スズ粒子を「Ｗドープ酸化スズ粒子」とも表記する。また、フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を「Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子」とも表記し、フッ素がドープされている酸化スズ粒子を「Ｆドープ酸化スズ粒子」とも表記する。また、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を「Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子」とも表記し、ニオブがドープされている酸化スズ粒子を「Ｎｂドープ酸化スズ粒子」とも表記する。また、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子を「Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子」とも表記し、タンタルがドープされている酸化スズ粒子を「Ｔａドープ酸化スズ粒子」とも表記する。

さらに、本発明の電子写真感光体においては、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｐ）である場合、導電層の全体積をＶ_Ｔとし、導電層中のＰドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｐとし、導電層中のＰドープ酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｐとしたとき、Ｖ_Ｔ、Ｖ_１ＰおよびＶ_２Ｐが下記式（１）および（２）を満たす。
２≦｛（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１）
１５≦｛（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（２）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｗ）である場合、導電層の全体積をＶ_Ｔとし、導電層中のＷドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｗとし、導電層中のＷドープ酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｗとしたとき、Ｖ_Ｔ、Ｖ_１ＷおよびＶ_２Ｗが下記式（６）および（７）を満たす。
２≦｛（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（６）
１５≦｛（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（７）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｆ）である場合、導電層の全体積をＶ_Ｔとし、導電層中のＦドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｆとし、導電層中のＦドープ酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｆとしたとき、Ｖ_Ｔ、Ｖ_１ＦおよびＶ_２Ｆが下記式（１１）および（１２）を満たす。
２≦｛（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１１）
１５≦｛（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（１２）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｎｂ）である場合、導電層の全体積をＶ_Ｔとし、導電層中のＮｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｎｂとし、導電層中のＮｂドープ酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｎｂとしたとき、Ｖ_Ｔ、Ｖ_１ＮｂおよびＶ_２Ｎｂが下記式（１６）および（１７）を満たす。
２≦｛（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１６）
１５≦｛（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（１７）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｔａ）である場合、導電層の全体積をＶ_Ｔとし、導電層中のＴａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｔａとし、導電層中のＴａドープ酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｔａとしたとき、Ｖ_Ｔ、Ｖ_１ＴａおよびＶ_２Ｔａが下記式（２１）および（２２）を満たす。
２≦｛（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（２１）
１５≦｛（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（２２）

以下、Ｖ_１Ｐ、Ｖ_１Ｗ、Ｖ_１Ｆ、Ｖ_１ＮｂおよびＶ_１Ｔａを総称して「Ｖ_１」とも表記し、Ｖ_２Ｐ、Ｖ_２Ｗ、Ｖ_２Ｆ、Ｖ_２ＮｂおよびＶ_２Ｔａを総称して「Ｖ_２」とも表記する。また、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子およびＴａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子を総称して「第一の金属酸化物粒子」とも表記し、Ｐドープ酸化スズ粒子、Ｗドープ酸化スズ粒子、Ｆドープ酸化スズ粒子、Ｎｂドープ酸化スズ粒子およびＴａドープ酸化スズ粒子を総称して「第二の金属酸化物粒子」とも表記する。

本発明者らは、パターンメモリーの発生を抑制すべく鋭意検討した結果、パターンメモリーは、導電層中に良好な導電パスが広範囲に形成されること、言い換えると、導電層中を電荷が均一に移動することで抑制されることを見出した。これは、導電層中の局所的な電荷の滞留または蓄積が起こりにくくなるからであると考えられる。ただ、電荷の滞留または蓄積は局所的な現象のため、導電層の体積抵抗率や電気抵抗値に対しては大きな相関はないものと考えられる。パターンメモリーにとって導電層内に良好な導電パスを形成するためには、第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子の両方を通る導電パスを形成する必要がある。そのためには、第一の金属酸化物粒子のみが含有される導電層または第二の金属酸化物粒子のみが含有される導電層ではなく、導電層中に第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子をある一定の割合で存在させ、第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子の両方を通る導電パスを形成することがパターンメモリーの発生を抑制するために必要であると考えられる。すなわち、上記式（１）、（６）、（１１）、（１６）または（２１）を満たす必要があると考えられる。｛（Ｖ_２／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１／Ｖ_Ｔ）｝×１００の値が２未満であると、第二の金属酸化物粒子の量が第一の金属酸化物粒子に対して比率的に不足になる。そのため、第一の金属酸化物粒子のみが含有される導電層と状況が近くなり、パターンメモリーの発生の抑制にとって良好な導電パスを形成できないと考えられる。一方、｛（Ｖ_２／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１／Ｖ_Ｔ）｝×１００の値が２５を超えると、第二の金属酸化物粒子の量が第一の金属酸化物粒子に対して比率的に過剰になる。そのため、第二の金属酸化物粒子のみが含有される導電層と状況が近くなり、パターンメモリーの発生の抑制にとって良好な導電パスを形成できないと考えられる。下記式（３）、（８）、（１３）、（１８）または（２３）を満たす場合、第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子の割合がパターンメモリーの発生の抑制にとってより良好な導電パスを形成できる割合になるため、パターンメモリーの発生を抑制する効果がより顕著になる。
５≦｛（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（３）
５≦｛（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（８）
５≦｛（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（１３）
５≦｛（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（１８）
５≦｛（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（２３）

また、導電層中において第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子を通る導電パスを形成するためには、導電層中の第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子の含有量の和が一定範囲である必要もあると考えられる。すなわち、上記式（２）、（７）、（１２）、（１７）または（２２）を満たす必要があると考えられる。｛（Ｖ_１＋Ｖ_２）／Ｖ_Ｔ｝×１００の値が１５未満であると、導電層中での電荷の滞留または蓄積が起こりやすくなり、電子写真感光体を繰り返し使用した場合、残留電位の上昇が大きくなりやすい。より好ましくは｛（Ｖ_１＋Ｖ_２）／Ｖ_Ｔ｝×１００の値が２０以上である。一方、｛（Ｖ_１＋Ｖ_２）／Ｖ_Ｔ｝×１００の値が４５を超えると、結着材料の量が相対的に少なくなることにより、導電層にクラックが発生しやすくなる。より好ましくは｛（Ｖ_１＋Ｖ_２）／Ｖ_Ｔ｝×１００の値が４０以下である。すなわち、下記式（４）、（９）、（１４）、（１９）または（２４）を満たすことがより好ましい。
２０≦｛（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（４）
２０≦｛（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（９）
２０≦｛（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（１４）
２０≦｛（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（１９）
２０≦｛（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（２４）

以上より、画像形成時に残留電位が上昇しにくく、パターンメモリーが発生しにくく、導電層のクラックが発生しにくい電子写真感光体を得るためには、上記式（１）および（２）を同時に満たすか、または、上記式（６）および（７）を同時に満たすか、または、上記式（１１）および（１２）を同時に満たすか、または、上記式（１６）および（１７）を同時に満たすか、または、上記式（２１）および（２２）を同時に満たす必要がある。

本発明に対して、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが、例えば、アンチモンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子とアンチモンがドープされている酸化スズ粒子の組み合わせである場合や、酸素欠損型の酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子と酸素欠損型の酸化スズ粒子の組み合わせである場合は、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｐ）、（ｗ）、（ｆ）、（ｎｂ）または（ｔａ）である場合に比べて、パターンメモリーの発生を抑制する効果が劣る。
また、酸化スズへのドープ種（ドーパント）がリン、タングステン、フッ素、ニオブまたはタンタルである場合であっても、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが、例えば、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子とタングステンがドープされている酸化スズ粒子の組み合わせである場合など、第一の金属酸化物粒子の酸化スズへのドープ種と第二の金属酸化物粒子の酸化スズのへのドープ種が異なる場合も、ドープ種が同一である上記（ｐ）、（ｗ）、（ｆ）、（ｎｂ）または（ｔａ）である場合に比べて、パターンメモリーの発生を抑制する効果が劣る。この理由としては、第一の金属酸化物粒子の酸化スズへのドープ種と第二の金属酸化物粒子の酸化スズへのドープ種が同一であることで、第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子の電気的物性、表面性、仕事関数が総合的に最も近い物性になり、導電層中で電荷が均一に移動しやすくなるためと考えられる。

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｐ）である場合、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率をＲ_１Ｐ［ａｔｏｍ％］とし、Ｐドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率をＲ_２Ｐ［ａｔｏｍ％］としたとき、下記式（５）を満たすことが好ましい。
０．９≦Ｒ_２Ｐ／Ｒ_１Ｐ≦１．１ ・・・（５）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｗ）である場合、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するタングステンの存在比率をＲ_１Ｗ［ａｔｏｍ％］とし、Ｗドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するタングステンの存在比率をＲ_２Ｗ［ａｔｏｍ％］としたとき、下記式（１０）を満たすことが好ましい。
０．９≦Ｒ_２Ｗ／Ｒ_１Ｗ≦１．１ ・・・（１０）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｆ）である場合、Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するフッ素の存在比率をＲ_１Ｆ［ａｔｏｍ％］とし、Ｆドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するフッ素の存在比率をＲ_２Ｆ［ａｔｏｍ％］としたとき、下記式（１５）を満たすことが好ましい。
０．９≦Ｒ_２Ｆ／Ｒ_１Ｆ≦１．１ ・・・（１５）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｎｂ）である場合、Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するニオブの存在比率をＲ_１Ｎｂ［ａｔｏｍ％］とし、Ｎｂドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するニオブの存在比率をＲ_２Ｎｂ［ａｔｏｍ％］としたとき、下記式（２０）を満たすことが好ましい。
０．９≦Ｒ_２Ｎｂ／Ｒ_１Ｎｂ≦１．１ ・・・（２０）

また、導電層に含有させる金属酸化物粒子の組み合わせが上記（ｔａ）である場合、Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するタンタルの存在比率をＲ_１Ｔａ［ａｔｏｍ％］とし、Ｔａドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するタンタルの存在比率をＲ_２Ｔａ［ａｔｏｍ％］としたとき、下記式（２５）を満たすことが好ましい。
０．９≦Ｒ_２Ｔａ／Ｒ_１Ｔａ≦１．１ ・・・（２５）

以下、Ｒ_１Ｐ、Ｒ_１Ｗ、Ｒ_１Ｆ、Ｒ_１ＮｂおよびＲ_１Ｔａを総称して「Ｒ_１」とも表記し、Ｒ_２Ｐ、Ｒ_２Ｗ、Ｒ_２Ｆ、Ｒ_２ＮｂおよびＲ_２Ｔａを総称して「Ｒ_２」とも表記する。

上記式（５）、（１０）、（１５）、（２０）または（２５）で示すように、第一の金属酸化物粒子の酸化スズと第二の金属酸化物粒子の酸化スズにおけるリン、タングステン、フッ素、ニオブまたはタンタルの存在比率は近い方が好ましい。言い換えると、Ｒ_２／Ｒ_１が１．０に近い方が好ましく、具体的には、０．９以上１．１以下が好ましい。Ｒ_２／Ｒ_１が０．９以上１．１以下の場合、パターンメモリーの発生の抑制にとってより良好な導電パスが形成され、パターンメモリーの発生を抑制する効果がより顕著になる。

上記Ｒ_１、Ｒ_２の測定は、電子写真感光体の導電層をＦＩＢ法で取り出し、ＳＴＥＭ−ＥＤＸにて行うことができる。また、上記Ｖ_１、Ｖ_２の測定は、電子写真感光体の導電層をＦＩＢ法で取り出し、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗで行うことができる。

まず、上記Ｒ_１、Ｒ_２の測定について述べる。

ＳＴＥＭ−ＥＤＸ分析のための試料加工は次のように行った。
試料加工は、銅（Ｃｕ）製の支持台を用い、ＦＩＢ−μサンプリング法で行う。本発明者らが使用した装置は、（株）日立ハイテクノロジーズ製のＦＢ−２０００Ａ μ−Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ（商品名）である。試料の横および縦の大きさは測定範囲が確保できる大きさとし、試料の厚みは１５０ｎｍとなるようにサンプリングを行った。

ＳＴＥＭ−ＥＤＸ分析は次のように行った。
本発明者らは、日本電子（株）製の電解放出型電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）（商品名：ＪＥＭ２１００Ｆ）と、ＥＤＸ部として日本電子（株）製のＪＥＤ−２３００Ｔ（商品名）（分解能１３３ｅＶ以下）（Ｅｎｅｒｇｙ ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて分析を行った。

分析条件は以下のようにした。
システム：Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｓｔａｔｉｏｎ
画像取得：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈ
測定条件：加速電圧：２００ｋＶ、ビーム径（直径）：１．０ｎｍ、計測時間：５０秒（点分析時）および４０分（面分析時）
測定範囲は、横３．６μｍ×縦３．４μｍ×厚み１５０ｎｍであった。

元素の特定は、ＳＴＥＭ−ＥＤＸで行うことが可能であるので、Ｐドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率、Ｗドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するタングステンの存在比率、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するタングステンの存在比率、Ｆドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するフッ素の存在比率、Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するフッ素の存在比率、Ｎｂドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するニオブの存在比率、Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するニオブの存在比率、Ｔａドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するタンタルの存在比率、Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するタンタルの存在比率を原子比率から求めることができる。

サンプリングを同様にして１０回行い、サンプルを１０個得て測定を行い、合計１０点のＲ_１の平均値およびＲ_２の平均値を、それぞれ、測定対象の電子写真感光体の導電層におけるＲ_１およびＲ_２の値とした。

次に、上記（Ｖ_１／Ｖ_Ｔ）、（Ｖ_２／Ｖ_Ｔ）の測定について述べる。

ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗのコントラストの違いから、リンがドープされている酸化スズおよび酸化チタンを特定し、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積およびＰドープ酸化スズ粒子の体積、ならびに、導電層内での比率を求めることができる。酸化スズへのドープ種がタングステン、フッ素、ニオブ、タンタルなどリン以外の場合も同様にして体積および導電層内での比率を求めることができる。
Ｓｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗの条件としては本発明では以下のようにした。
分析用試料加工：ＦＩＢ法
加工および観察装置：ＳＩＩ／Ｚｅｉｓｓ製ＮＶｉｓｉｏｎ４０
スライス間隔：１０ｎｍ
観察条件：
加速電圧：１．０ｋＶ
試料傾斜：５４°
ＷＤ：５ｍｍ
検出器：ＢＳＥ検出器
アパーチャー：６０μｍ、ｈｉｇｈ ｃｕｒｒｅｎｔ
ＡＢＣ：ＯＮ
画像解像度：１．２５ｎｍ／ｐｉｘｅｌ
解析領域は縦２μｍ×横２μｍで行い、断面ごとの情報を積算し、縦２μｍ×横２μｍ×厚み２μｍ（Ｖ_Ｔ＝８μｍ^３）当たりの体積Ｖ_１、Ｖ_２を求める。
また、測定環境は、温度：２３℃、圧力：１×１０^−４Ｐａである。なお、加工および観察装置としてはＦＥＩ製のＳｔｒａｔａ４００Ｓ（試料傾斜：５２°）を用いることもできる。
サンプリングを同様にして１０回行い、サンプルを１０個得て測定を行い、合計１０点の８μｍ^３当たりの体積Ｖ_１の平均値をＶ_Ｔ（８μｍ^３）で除した値を、測定対象の電子写真感光体の導電層における（Ｖ_１／Ｖ_Ｔ）とした。また、合計１０点の８μｍ^３当たりの体積Ｖ_２の平均値をＶ_Ｔ（８μｍ^３）で除した値を、測定対象の電子写真感光体の導電層における（Ｖ_２／Ｖ_Ｔ）の値とした。
なお、断面ごとの情報から、特定したリンがドープされている酸化スズや酸化チタンの面積を画像解析して得た。画像解析は以下の画像処理ソフトを用いて行った。
画像処理ソフト：Ｍｅｄｉａ Ｃｙｂｅｒｎｅｔｉｃｓ製
Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ Ｐｌｕｓ

本発明に用いられる金属酸化物粒子のうち、第一の金属酸化物粒子は、リン、タングステン、フッ素、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで構成されている被覆層と、酸化チタンで構成されている芯材粒子とを有している。そして、第一の金属酸化物粒子は、該被覆層が該芯材粒子を被覆している構造になっている。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子における酸化スズ（ＳｎＯ_２）の割合（被覆率）は、１０〜６０質量％であることが好ましい。酸化スズ（ＳｎＯ_２）の被覆率を制御するためには、第一の金属酸化物粒子を製造するときに、酸化スズ（ＳｎＯ_２）を生成するのに必要なスズ原材料を配合する必要がある。例えば、スズ原材料である塩化スズ（ＳｎＣｌ_４）を用いる場合、塩化スズ（ＳｎＣｌ_４）から生成される酸化スズ（ＳｎＯ_２）の量を考慮した仕込みである必要がある。なお、本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子の被覆層を構成する酸化スズ（ＳｎＯ_２）には、リン（Ｐ）またはタングステン（Ｗ）またはフッ素（Ｆ）またはニオブ（Ｎｂ）またはタンタル（Ｔａ）がドープされているが、被覆率は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされているリン（Ｐ）またはタングステン（Ｗ）またはフッ素（Ｆ）またはニオブ（Ｎｂ）またはタンタル（Ｔａ）の質量を考慮に入れず、酸化スズ（ＳｎＯ_２）と酸化チタン（ＴｉＯ_２）の合計質量に対する酸化スズ（ＳｎＯ_２）の質量により計算した値とする。

また、第一の金属酸化物粒子や第二の金属酸化物粒子における酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされるリン（Ｐ）あるいはタングステン（Ｗ）あるいはフッ素（Ｆ）あるいはニオブ（Ｎｂ）あるいはタンタル（Ｔａ）の量（ドープ率）は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）（リン（Ｐ）およびタングステン（Ｗ）およびフッ素（Ｆ）およびニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）を含まない質量）に対して０．１〜１０質量％であることが好ましい。

なお、第一の金属酸化物粒子（Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子）の製造方法は、特開平０６−２０７１１８号公報や特開２００４−３４９１６７号公報にも開示されている。

また、第二の金属酸化物粒子（Ｐドープ酸化スズ粒子、Ｗドープ酸化スズ粒子、Ｆドープ酸化スズ粒子、Ｎｂドープ酸化スズ粒子、Ｔａドープ酸化スズ粒子）の製造方法は、特許３３６５８２１号公報や特開平０２−１９７０１４号公報や特開平９−２７８４４５号公報や特開平１０−５３４１７号公報にも開示されている。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子中の芯材粒子である酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子の形状は、粒状、球状、針状、繊維状、柱状、棒状、紡錘状、板状、その他の類似形状のものを用いることができる。これらの中でも、黒ポチなどの画像欠陥が生じにくいという観点から、球状のものが好ましい。

また、本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子中の芯材粒子である酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子の結晶型は、ルチル、アナタース、ブルッカイト、無定形などのいずれの結晶型のものでも使用できる。製造方法についても、硫酸法、塩酸法などのいずれの製造方法でも採用できる。

本発明において、芯材粒子（酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子）を有する第一の金属酸化物粒子を用いる１つ目の理由としては、第一の金属酸化物粒子の被覆層を構成する酸化スズ（ＳｎＯ_２）の方が芯材粒子を構成する酸化チタン（ＴｉＯ_２）よりも導電性が高く、酸化スズ（ＳｎＯ_２）を含む第二の金属酸化物粒子が受け取った電荷は、第一の金属酸化物粒子の中でも酸化スズ（ＳｎＯ_２）を含む被覆層を主に伝わるため、すなわち、酸化スズ（ＳｎＯ_２）同士で電荷の受け渡しが主に行われるため、第一の金属酸化物粒子と第二の金属酸化物粒子との間の電荷の受け渡しがスムーズになり、導電層中を電荷が均一に移動するためである。

芯材粒子（酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子）を有する第一の金属酸化物粒子を用いる２つ目の理由としては、導電層用塗布液における第二の金属酸化物粒子の分散性の向上が図られるためである。第一の金属酸化物粒子を用いずに第二の金属酸化物粒子を用いた場合、導電層用塗布液において第二の金属酸化物粒子の凝集が生じ平均粒径が大きくなりやすく、形成される導電層の表面に凸状のブツ欠陥が発生したり、導電層用塗布液の安定性が低下したりする場合がある。また、パターンメモリーを抑制する効果が十分に得られない。

芯材粒子（酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子）を有する第一の金属酸化物粒子を用いる３つ目の理由としては、第一の金属酸化物粒子の芯材粒子である酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子は、粒子としての透明性が低く、支持体の表面の欠陥を隠蔽しやすいためである。これに対して、例えば、芯材粒子として硫酸バリウム粒子を用いた場合、粒子としての透明性が高いために、支持体の表面の欠陥を隠蔽するための材料が別途必要になる場合がある。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子の芯材粒子である酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子の粒径としては、第一の金属酸化物粒子の平均粒径を後述の好ましい範囲に調整する観点から、０．０５μｍ以上０．４０μｍ以下であることが好ましい。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子の粉体抵抗率としては、１．０×１０^１Ω・ｃｍ以上１．０×１０^６Ω・ｃｍ以下が好ましく、１．０×１０^２Ω・ｃｍ以上１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下がより好ましい。

本発明に用いられる第二の金属酸化物粒子の粉体抵抗率としては、１．０×１０^０Ω・ｃｍ以上１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下が好ましく、１．０×１０^１Ω・ｃｍ以上１．０×１０^４Ω・ｃｍ以下がより好ましい。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、第一の金属酸化物粒子の芯材粒子である酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子の粉体抵抗率よりも低いことが好ましい。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子および第二の金属酸化物粒子などの金属酸化物粒子の粉体抵抗率の測定方法は以下のとおりである。

本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子および第二の金属酸化物粒子などの金属酸化物粒子や、本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子のような複合粒子の芯材粒子の粉体抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。本発明においては、測定装置として、三菱化学（株）製の抵抗率計（商品名：ロレスタＧＰ（１．０×１０^７Ω・ｃｍを超える場合はハイレスタＵＰ））を用いた。測定対象の金属酸化物粒子は、５００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で固めて、ペレット状の測定用サンプルにする。印加電圧は１００Ｖとする。芯材粒子に関しては、被覆層を形成する前に測定を行う。

導電層は、溶剤、結着材料ならびに第一の金属酸化物粒子および第二の金属酸化物粒子を含有する導電層用塗布液を支持体上に塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。

導電層用塗布液は、第一の金属酸化物粒子および第二の金属酸化物粒子を結着材料とともに溶剤に分散させることによって調製することができる。分散方法としては、例えば、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。

導電層に用いられる結着材料としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアセタール、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステルなどの樹脂が挙げられる。これらは１種または２種以上用いることができる。また、これらの樹脂の中でも、他層へのマイグレーション（溶け込み）の抑制、支持体への密着性、本発明の粒子の分散性・分散安定性、層形成後の耐溶剤性などの観点から、硬化性樹脂が好ましく、熱硬化性樹脂がより好ましい。また、熱硬化性樹脂の中でも、熱硬化性のフェノール樹脂、熱硬化性のポリウレタンが好ましい。導電層の結着材料として硬化性樹脂を用いる場合、導電層用塗布液に含有させる結着材料は、該硬化性樹脂のモノマーおよび／またはオリゴマーとなる。

導電層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコールや、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノンなどのケトンや、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテルや、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステルや、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素が挙げられる。

また、導電層の表面で反射した光が干渉して出力画像に干渉縞が発生することを抑制するため、導電層用塗布液には、導電層の表面を粗面化するための表面粗し付与材を含有させてもよい。表面粗し付与材としては、平均粒径が１μｍ以上５μｍ以下の樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子としては、例えば、硬化性ゴム、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂などの硬化性樹脂の粒子が挙げられる。これらの中でも、凝集しにくいシリコーン樹脂の粒子が好ましい。樹脂粒子の密度（０．５〜２ｇ／ｃｍ^３）は、本発明に用いられる第一の金属酸化物粒子および第二の金属酸化物粒子の密度（４〜８ｇ／ｃｍ^３）に比べて小さいため、導電層形成時に効率的に導電層の表面を粗面化することができる。ただし、導電層中の表面粗し付与材の含有量が多いと、導電層の体積抵抗率が上昇する傾向にある場合がある。そのため、導電層の体積抵抗率を２．０×１０^１３Ω・ｃｍ以下に調整するためには、導電層用塗布液における表面粗し付与材の含有量は、導電層用塗布液中の結着材料に対して１〜８０質量％であることが好ましい。本発明において、第一の金属酸化物粒子、第二の金属酸化物粒子、結着材料（ただし、結着材料が液体の場合には硬化物にして測定を行う）、シリコーン粒子等の密度［ｇ／ｃｍ^３］は、乾式自動密度計を用いて、以下のようにして求めた。（株）島津製作所製の乾式自動密度計（商品名：Ａｃｃｕｐｙｃ１３３０）を用い、温度２３℃において、容積１０ｃｍ^３の容器を用い、測定対象の粒子の前処理としてヘリウムガスパージを最高圧１９．５ｐｓｉｇで１０回行った。この後、容器内圧力が平衡に達したか否かの圧力平衡判定値として、試料室内の圧力の振れが０．００５０ｐｓｉｇ／ｍｉｎを目安とし、この値以下であれば平衡状態とみなして測定を開始し、密度［ｇ／ｃｍ^３］を自動測定した。

また、導電層用塗布液には、導電層の表面性を高めるためのレベリング剤を含有させてもよい。また、導電層用塗布液には、導電層の隠蔽性をより向上させるため、顔料粒子を含有させてもよい。

また、導電層用塗布液における第一の金属酸化物粒子（Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｎｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子、Ｔａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子）の平均粒径は、０．１０μｍ以上０．４５μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４０μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径が０．１０μｍより小さい場合、導電層用塗布液の調製後に第一の金属酸化物粒子の再凝集が起こりやすく、導電層用塗布液の安定性が低下することがある。平均粒径が０．４５μｍより大きい場合は、導電層の表面が荒れて、感光層への局所的な電荷注入が起こりやすくなり、出力画像の白地における黒ポチが目立つようになることがある。

また、導電層用塗布液における第二の金属酸化物粒子（Ｐドープ酸化スズ粒子、Ｗドープ酸化スズ粒子、Ｆドープ酸化スズ粒子、Ｎｂドープ酸化スズ粒子、Ｔａドープ酸化スズ粒子）の平均粒径は、０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下であることがより好ましい。

導電層用塗布液における第一の金属酸化物粒子および第二の金属酸化物粒子などの金属酸化物粒子の平均粒径の測定は、以下の液相沈降法またはＳＥＭによる断面観察から求めることができる。

まず、導電層用塗布液を、その調製に用いた溶剤で透過率が０．８〜１．０の間になるように希釈する。次に、超遠心式自動粒度分布測定装置を用いて、金属酸化物粒子の平均粒径（体積平均粒径）および粒度分布のヒストグラムを作成する。本発明においては、超遠心式自動粒度分布測定装置として、（株）堀場製作所製の超遠心式自動粒度分布測定装置（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、回転数３０００ｒｐｍの条件で測定を行った。

導電層の膜厚は、支持体の表面の欠陥を隠蔽するという観点から、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましい。

なお、本発明においては、導電層を含む電子写真感光体の各層の膜厚の測定装置として、（株）フィッシャーインストルメンツ製のＦＩＳＨＥＲＳＣＯＰＥ ｍｍｓを用いた。

導電層の体積抵抗率は１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上２．０×１０^１３Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。支持体の表面の欠陥を隠蔽するための層として、体積抵抗率が２．０×１０^１３Ω・ｃｍ以下の層を支持体上に設ければ、画像形成時に電荷の流れが滞りにくくなり、残留電位が上昇しにくくなる。一方、導電層の体積抵抗率が１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上であれば、電子写真感光体の帯電時に導電層中を流れる電荷の量が多くなりすぎず、電子写真感光体の暗減衰の増大によるカブリが発生しにくくなる。

図２および３を用いて、電子写真感光体の導電層の体積抵抗率を測定する方法を説明する。図２は、導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための上面図であり、図３は、導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための断面図である。
導電層の体積抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。導電層２０２の表面に銅製テープ２０３（住友スリーエム（株）製、型番Ｎｏ．１１８１）を貼り、これを導電層２０２の表面側の電極とする。また、支持体２０１を導電層２０２の裏面側の電極とする。銅製テープ２０３と支持体２０１との間に電圧を印加するための電源２０６、および、銅製テープ２０３と支持体２０１との間を流れる電流を測定するための電流測定機器２０７をそれぞれ設置する。また、銅製テープ２０３に電圧を印加するため、銅製テープ２０３の上に銅線２０４を載せ、銅線２０４が銅製テープ２０３からはみ出さないように銅線２０４の上から銅製テープ２０３と同様の銅製テープ２０５を貼り、銅製テープ２０３に銅線２０４を固定する。銅製テープ２０３には、銅線２０４を用いて電圧を印加する。

銅製テープ２０３と支持体２０１との間に電圧を印加しないときのバックグラウンド電流値をＩ_０［Ａ］とし、直流電圧（直流成分）のみの電圧を−１Ｖ印加したときの電流値をＩ［Ａ］とし、導電層２０２の膜厚ｄ［ｃｍ］、導電層２０２の表面側の電極（銅製テープ２０３）の面積をＳ［ｃｍ^２］とするとき、下記式（２６）で表される値を導電層２０２の体積抵抗率ρ［Ω・ｃｍ］とする。
ρ＝１／（Ｉ−Ｉ_０）×Ｓ／ｄ［Ω・ｃｍ］ ・・・（２６）

この測定では、絶対値で１×１０^−６Ａ以下という微小な電流量を測定するため、電流測定機器２０７としては、微小電流の測定が可能な機器を用いて行うことが好ましい。そのような機器としては、例えば、横河ヒューレットパッカード製のｐＡメーター（商品名：４１４０Ｂ）や、アジレントテクノロジー（株）製のハイレジスタンスメーター（商品名：４３３９Ｂ）などが挙げられる。

なお、導電層の体積抵抗率は、支持体上に導電層のみを形成した状態で測定しても、電子写真感光体から導電層上の各層（感光層など）を剥離して支持体上に導電層のみを残した状態で測定しても、同様の値を示す。

導電層と感光層との間には、導電層から感光層への電荷注入を阻止するために、電気的バリア性を有する下引き層（バリア層）を設けてもよい。

下引き層は、樹脂（結着樹脂）を含有する下引き層用塗布液を導電層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。

下引き層に用いられる樹脂（結着樹脂）としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリグルタミン酸、カゼイン、でんぷんなどの水溶性樹脂や、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリグルタミン酸エステルなどが挙げられる。これらの中でも、下引き層の電気的バリア性を効果的に発現させるためには、熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の中でも、熱可塑性のポリアミドが好ましい。ポリアミドとしては、共重合ナイロンが好ましい。

下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。

また、下引き層において電荷の流れが滞らないようにするために、下引き層には、電子輸送物質（アクセプターなどの電子受容性物質）を含有させてもよい。

電子輸送物質としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質や、これらの電子吸引性物質を高分子化したものなども挙げられる。

導電層（下引き層）上には、感光層が設けられる。

感光層に用いられる電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料や、金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリレン顔料や、アンスラキノン、ピレンキノンなどの多環キノン顔料や、スクワリリウム色素や、ピリリウム塩およびチアピリリウム塩や、トリフェニルメタン色素や、キナクリドン顔料や、アズレニウム塩顔料や、シアニン染料や、キサンテン色素や、キノンイミン色素や、スチリル色素などが挙げられる。これらの中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどの金属フタロシアニンが好ましい。

感光層が積層型の感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。分散方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルなどを用いた方法が挙げられる。

電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアリレート、ブチラール樹脂、ポリスチレン、ポリビニルアセタール、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン、スチレン−ブタジエン共重合体、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。これらは、単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。

電荷発生物質と結着樹脂との割合（電荷発生物質：結着樹脂）は、１０：１〜１：１０（質量比）の範囲が好ましく、５：１〜１：１（質量比）の範囲がより好ましい。

電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。

また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。また、電荷発生層において電荷の流れが滞らないようにするために、電荷発生層には、電子輸送物質（アクセプターなどの電子受容性物質）を含有させてもよい。

電子輸送物質としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質や、これらの電子吸引性物質を高分子化したものなども挙げられる。

感光層に用いられる電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物などが挙げられる。

感光層が積層型の感光層である場合、電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。

電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリフェニレンオキシド、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、不飽和樹脂などが挙げられる。これらは、単独、混合物または共重合体として１種または２種以上用いることができる。

電荷輸送物質と結着樹脂との割合（電荷輸送物質：結着樹脂）は、２：１〜１：２（質量比）の範囲が好ましい。

電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトンや、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステルや、ジメトキシメタン、ジメトキシエタンなどのエーテルや、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素や、クロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン原子で置換された炭化水素などが挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、帯電均一性や画像再現性の観点から、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

また、電荷輸送層には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加することもできる。

感光層が単層型の感光層である場合、単層型の感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂および溶剤を含有する単層型の感光層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂および溶剤は、例えば、上記の各種のものを用いることができる。

また、感光層上には、感光層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
保護層は、樹脂（結着樹脂）を含有する保護層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましい。

上記各層用の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法などの塗布方法を用いることができる。

図１に、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。

図１において、１はドラム状（円筒状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。

回転駆動される電子写真感光体１の周面は、帯電手段（一次帯電手段、帯電ローラーなど）３により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の周面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。帯電手段３に印加する電圧は、直流電圧のみであってもよいし、交流電圧を重畳した直流電圧であってもよい。

電子写真感光体１の周面に形成された静電潜像は、現像手段５のトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の周面に形成されたトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに転写される。転写材Ｐは、電子写真感光体１の回転と同期して転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送されてくる。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の周面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の周面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りのトナーの除去を受ける。さらに、電子写真感光体１の周面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１１により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段が帯電ローラーなどの接触帯電手段である場合には、前露光は必ずしも必要ではない。また、なお、電子写真装置がクリーナーレスシステムを採るときにはクリーニング手段は必ずしも必要ではない。

上述の電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などから選択される少なくとも１つの構成要素とを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に支持し、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。電子写真装置は、上述の電子写真感光体１、ならびに、帯電手段３、露光手段、現像手段５および転写手段６を有する構成としてもよい。

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」は「質量部」を意味し、「平均粒径」は「平均一次粒径」を意味し、表中の被覆率の単位「％」は「質量％」を意味し、ドープ率（ドープ量）の単位「％」は「質量％」を意味する。また、実施例および表中の密度は前記方法で求めた値であり、単位は「ｇ／ｃｍ^３」である。

〈導電層用塗布液の調製例〉
（導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例）
第一の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（平均一次粒径：２３０ｎｍ、粉体抵抗率：５０００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：４．５０質量％、被覆率：４５質量％、密度：５．１ｇ／ｃｍ^３）１１２．００部、第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子（平均一次粒径：２０ｎｍ、粉体抵抗率：３００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：３．６０質量％、密度：６．８ｇ／ｃｍ^３）３．００部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）２６６．６７部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール１２０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４６５部を用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。

この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）５．００部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．３０部を添加して３０分攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−１を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−２〜ＣＰ−９３、ＣＰ−１４１〜ＣＰ−２３３、ＣＰ−２８１〜ＣＰ−３７３、ＣＰ−４２１〜ＣＰ−５１３およびＣＰ−５６１〜ＣＰ−６５３の調製例）
第一の金属酸化物粒子の種類（被覆率、ドープ率および密度を含む。以下同じ。）と量、第二の金属酸化物粒子の種類（ドープ率および密度を含む。以下同じ。）と量および結着材料の量を表１〜３、８〜１０、１５〜１７、４４〜４６および４９〜５１に記載のように変更した以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−２〜ＣＰ−９３、ＣＰ−１４１〜ＣＰ−２３３、ＣＰ−２８１〜ＣＰ−３７３、ＣＰ−４２１〜ＣＰ−５１３およびＣＰ−５６１〜ＣＰ−６５３を調製した。
なお、導電層用塗布液ＣＰ−２〜ＣＰ−９３の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−７、ＣＰ−１３、ＣＰ−１９、ＣＰ−２４、ＣＰ−２９、ＣＰ−３５、ＣＰ−４０、ＣＰ−４５、ＣＰ−５０、ＣＰ−５５、ＣＰ−６１、ＣＰ−６６、ＣＰ−７１、ＣＰ−７７、ＣＰ−８３、ＣＰ−８９の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２、ＣＰ−８、ＣＰ−１４、ＣＰ−２０、ＣＰ−２５、ＣＰ−３０、ＣＰ−３６、ＣＰ−４１、ＣＰ−４６、ＣＰ−５１、ＣＰ−５６、ＣＰ−６２、ＣＰ−６７、ＣＰ−７２、ＣＰ−７８、ＣＰ−８４、ＣＰ−９０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２５０Ω・ｃｍであった。 また、導電層用塗布液ＣＰ−３、ＣＰ−６、ＣＰ−９、ＣＰ−１２、ＣＰ−１５、ＣＰ−１８、ＣＰ−２１、ＣＰ−２６、ＣＰ−３１、ＣＰ−３４、ＣＰ−３７、ＣＰ−４２、ＣＰ−４７、ＣＰ−５２、ＣＰ−５７、ＣＰ−６０、ＣＰ−６３、ＣＰ−６８、ＣＰ−７３、ＣＰ−７６、ＣＰ−７９、ＣＰ−８２、ＣＰ−８５、ＣＰ−８８、ＣＰ−９１の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４、ＣＰ−１０、ＣＰ−１６、ＣＰ−２２、ＣＰ−２７、ＣＰ−３２、ＣＰ−３８、ＣＰ−４３、ＣＰ−４８、ＣＰ−５３、ＣＰ−５８、ＣＰ−６４、ＣＰ−６９、ＣＰ−７４、ＣＰ−８０、ＣＰ−８６、ＣＰ−９２の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１５０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５、ＣＰ−１１、ＣＰ−１７、ＣＰ−２３、ＣＰ−２８、ＣＰ−３３、ＣＰ−３９、ＣＰ−４４、ＣＰ−４９、ＣＰ−５４、ＣＰ−５９、ＣＰ−６５、ＣＰ−７０、ＣＰ−７５、ＣＰ−８１、ＣＰ−８７、ＣＰ−９３の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−１４１〜ＣＰ−２３３の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−１４１、ＣＰ−１４７、ＣＰ−１５３、ＣＰ−１５９、ＣＰ−１６４、ＣＰ−１６９、ＣＰ−１７５、ＣＰ−１８０、ＣＰ−１８５、ＣＰ−１９０、ＣＰ−１９５、ＣＰ−２０１、ＣＰ−２０６、ＣＰ−２１１、ＣＰ−２１７、ＣＰ−２２３、ＣＰ−２２９の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１８０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−１４２、ＣＰ−１４８、ＣＰ−１５４、ＣＰ−１６０、ＣＰ−１６５、ＣＰ−１７０、ＣＰ−１７６、ＣＰ−１８１、ＣＰ−１８６、ＣＰ−１９１、ＣＰ−１９６、ＣＰ−２０２、ＣＰ−２０７、ＣＰ−２１２、ＣＰ−２１８、ＣＰ−２２４、ＣＰ−２３０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１４０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−１４３、ＣＰ−１４６、ＣＰ−１４９、ＣＰ−１５２、ＣＰ−１５５、ＣＰ−１５８、ＣＰ−１６１、ＣＰ−１６６、ＣＰ−１７１、ＣＰ−１７４、ＣＰ−１７７、ＣＰ−１８２、ＣＰ−１８７、ＣＰ−１９２、ＣＰ−１９７、ＣＰ−２００、ＣＰ−２０３、ＣＰ−２０８、ＣＰ−２１３、ＣＰ−２１６、ＣＰ−２１９、ＣＰ−２２２、ＣＰ−２２５、ＣＰ−２２８、ＣＰ−２３１の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−１４４、ＣＰ−１５０、ＣＰ−１５６、ＣＰ−１６２、ＣＰ−１６７、ＣＰ−１７２、ＣＰ−１７８、ＣＰ−１８３、ＣＰ−１８８、ＣＰ−１９３、ＣＰ−１９８、ＣＰ−２０４、ＣＰ−２０９、ＣＰ−２１４、ＣＰ−２２０、ＣＰ−２２６、ＣＰ−２３２の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−１４５、ＣＰ−１５１、ＣＰ−１５７、ＣＰ−１６３、ＣＰ−１６８、ＣＰ−１７３、ＣＰ−１７９、ＣＰ−１８４、ＣＰ−１８９、ＣＰ−１９４、ＣＰ−１９９、ＣＰ−２０５、ＣＰ−２１０、ＣＰ−２１５、ＣＰ−２２１、ＣＰ−２２７、ＣＰ−２３３の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２８１〜ＣＰ−３７３の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２８１、ＣＰ−２８７、ＣＰ−２９３、ＣＰ−２９９、ＣＰ−３０４、ＣＰ−３０９、ＣＰ−３１５、ＣＰ−３２０、ＣＰ−３２５、ＣＰ−３３０、ＣＰ−３３５、ＣＰ−３４１、ＣＰ−３４６、ＣＰ−３５１、ＣＰ−３５７、ＣＰ−３６３、ＣＰ−３６９の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２８２、ＣＰ−２８８、ＣＰ−２９４、ＣＰ−３００、ＣＰ−３０５、ＣＰ−３１０、ＣＰ−３１６、ＣＰ−３２１、ＣＰ−３２６、ＣＰ−３３１、ＣＰ−３３６、ＣＰ−３４２、ＣＰ−３４７、ＣＰ−３５２、ＣＰ−３５８、ＣＰ−３６４、ＣＰ−３７０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２８３、ＣＰ−２８６、ＣＰ−２８９、ＣＰ−２９２、ＣＰ−２９５、ＣＰ−２９８、ＣＰ−３０１、ＣＰ−３０６、ＣＰ−３１１、ＣＰ−３１４、ＣＰ−３１７、ＣＰ−３２２、ＣＰ−３２７、ＣＰ−３３２、ＣＰ−３３７、ＣＰ−３４０、ＣＰ−３４３、ＣＰ−３４８、ＣＰ−３５３、ＣＰ−３５６、ＣＰ−３５９、ＣＰ−３６２、ＣＰ−３６５、ＣＰ−３６８、ＣＰ−３７１の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２８４、ＣＰ−２９０、ＣＰ−２９６、ＣＰ−３０２、ＣＰ−３０７、ＣＰ−３１２、ＣＰ−３１８、ＣＰ−３２３、ＣＰ−３２８、ＣＰ−３３３、ＣＰ−３３８、ＣＰ−３４４、ＣＰ−３４９、ＣＰ−３５４、ＣＰ−３６０、ＣＰ−３６６、ＣＰ−３７２の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２８５、ＣＰ−２９１、ＣＰ−２９７、ＣＰ−３０３、ＣＰ−３０８、ＣＰ−３１３、ＣＰ−３１９、ＣＰ−３２４、ＣＰ−３２９、ＣＰ−３３４、ＣＰ−３３９、ＣＰ−３４５、ＣＰ−３５０、ＣＰ−３５５、ＣＰ−３６１、ＣＰ−３６７、ＣＰ−３７３の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４２１〜ＣＰ−５１３の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４２１、ＣＰ−４２７、ＣＰ−４３３、ＣＰ−４３９、ＣＰ−４４４、ＣＰ−４４９、ＣＰ−４５５、ＣＰ−４６０、ＣＰ−４６５、ＣＰ−４７０、ＣＰ−４７５、ＣＰ−４８１、ＣＰ−４８６、ＣＰ−４９１、ＣＰ−４９７、ＣＰ−５０３、ＣＰ−５０９の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は４００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４２２、ＣＰ−４２８、ＣＰ−４３４、ＣＰ−４４０、ＣＰ−４４５、ＣＰ−４５０、ＣＰ−４５６、ＣＰ−４６１、ＣＰ−４６６、ＣＰ−４７１、ＣＰ−４７６、ＣＰ−４８２、ＣＰ−４８７、ＣＰ−４９２、ＣＰ−４９８、ＣＰ−５０４、ＣＰ−５１０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３６０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４２３、ＣＰ−４２６、ＣＰ−４２９、ＣＰ−４３２、ＣＰ−４３５、ＣＰ−４３８、ＣＰ−４４１、ＣＰ−４４６、ＣＰ−４５１、ＣＰ−４５４、ＣＰ−４５７、ＣＰ−４６２、ＣＰ−４６７、ＣＰ−４７２、ＣＰ−４７７、ＣＰ−４８０、ＣＰ−４８３、ＣＰ−４８８、ＣＰ−４９３、ＣＰ−４９６、ＣＰ−４９９、ＣＰ−５０２、ＣＰ−５０５、ＣＰ−５０８、ＣＰ−５１１の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４２４、ＣＰ−４３０、ＣＰ−４３６、ＣＰ−４４２、ＣＰ−４４７、ＣＰ−４５２、ＣＰ−４５８、ＣＰ−４６３、ＣＰ−４６８、ＣＰ−４７３、ＣＰ−４７８、ＣＰ−４８４、ＣＰ−４８９、ＣＰ−４９４、ＣＰ−５００、ＣＰ−５０６、ＣＰ−５１２の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−４２５、ＣＰ−４３１、ＣＰ−４３７、ＣＰ−４４３、ＣＰ−４４８、ＣＰ−４５３、ＣＰ−４５９、ＣＰ−４６４、ＣＰ−４６９、ＣＰ−４７４、ＣＰ−４７９、ＣＰ−４８５、ＣＰ−４９０、ＣＰ−４９５、ＣＰ−５０１、ＣＰ−５０７、ＣＰ−５１３の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５６１〜ＣＰ−６５３の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５６１、ＣＰ−５６７、ＣＰ−５７３、ＣＰ−５７９、ＣＰ−５８４、ＣＰ−５８９、ＣＰ−５９５、ＣＰ−６００、ＣＰ−６０５、ＣＰ−６１０、ＣＰ−６１５、ＣＰ−６２１、ＣＰ−６２６、ＣＰ−６３１、ＣＰ−６３７、ＣＰ−６４３、ＣＰ−６４９の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５６２、ＣＰ−５６８、ＣＰ−５７４、ＣＰ−５８０、ＣＰ−５８５、ＣＰ−５９０、ＣＰ−５９６、ＣＰ−６０１、ＣＰ−６０６、ＣＰ−６１１、ＣＰ−６１６、ＣＰ−６２２、ＣＰ−６２７、ＣＰ−６３２、ＣＰ−６３８、ＣＰ−６４４、ＣＰ−６５０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５６３、ＣＰ−５６６、ＣＰ−５６９、ＣＰ−５７２、ＣＰ−５７５、ＣＰ−５７８、ＣＰ−５８１、ＣＰ−５８６、ＣＰ−５９１、ＣＰ−５９４、ＣＰ−５９７、ＣＰ−６０２、ＣＰ−６０７、ＣＰ−６１２、ＣＰ−６１７、ＣＰ−６２０、ＣＰ−６２３、ＣＰ−６２８、ＣＰ−６３３、ＣＰ−６３６、ＣＰ−６３９、ＣＰ−６４２、ＣＰ−６４５、ＣＰ−６４８、ＣＰ−６５１の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５６４、ＣＰ−５７０、ＣＰ−５７６、ＣＰ−５８２、ＣＰ−５８７、ＣＰ−５９２、ＣＰ−５９８、ＣＰ−６０３、ＣＰ−６０８、ＣＰ−６１３、ＣＰ−６１８、ＣＰ−６２４、ＣＰ−６２９、ＣＰ−６３４、ＣＰ−６４０、ＣＰ−６４６、ＣＰ−６５２の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１１０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５６５、ＣＰ−５７１、ＣＰ−５７７、ＣＰ−５８３、ＣＰ−５８８、ＣＰ−５９３、ＣＰ−５９９、ＣＰ−６０４、ＣＰ−６０９、ＣＰ−６１４、ＣＰ−６１９、ＣＰ−６２５、ＣＰ−６３０、ＣＰ−６３５、ＣＰ−６４１、ＣＰ−６４７、ＣＰ−６５３の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は６５Ω・ｃｍであった。

（導電層用塗布液ＣＰ−９４〜ＣＰ−１４０、ＣＰ−２３４〜ＣＰ−２８０、ＣＰ−３７４〜ＣＰ−４２０、ＣＰ−５１４〜ＣＰ−５６０およびＣＰ−６５４〜ＣＰ−７００の調製例）
第一の金属酸化物粒子の種類と量、第二の金属酸化物粒子の種類と量、結着材料の量およびシリコーン樹脂粒子の量を表３、４、１１、１２、１８、１９、４６、４７、５２および５３に記載のように変更し、分散処理操作時に非被覆の酸化チタン粒子（粉体抵抗率：５．０×１０^７Ω・ｃｍ、平均粒径：２１０ｎｍ、密度：４．２ｇ／ｃｍ^３）３０．００部を加え、分散処理操作を行った以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−９４〜ＣＰ−１４０、ＣＰ−２３４〜ＣＰ−２８０、ＣＰ−３７４〜ＣＰ−４２０、ＣＰ−５１４〜ＣＰ−５６０およびＣＰ−６５４〜ＣＰ−７００を調製した。なお、導電層用塗布液ＣＰ−１３９、ＣＰ−２７９、ＣＰ−４１９、ＣＰ−５５９およびＣＰ−６９９の調製の際には、分散処理条件を、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：１０時間に変更した。また、導電層用塗布液ＣＰ−１４０、ＣＰ−２８０、ＣＰ−４２０、ＣＰ−５６０およびＣＰ−７００の調製の際には、分散処理条件を、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３０時間に変更した。
なお、導電層用塗布液ＣＰ−９４〜ＣＰ−１４０の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−９４、ＣＰ−９９、ＣＰ−１０４、ＣＰ−１０９、ＣＰ−１１４、ＣＰ−１１９、ＣＰ−１２４、ＣＰ−１２９、ＣＰ−１３４の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−９５、ＣＰ−１００、ＣＰ−１０５、ＣＰ−１１０、ＣＰ−１１５、ＣＰ−１２０、ＣＰ−１２５、ＣＰ−１３０、ＣＰ−１３５の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２５０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−９６、ＣＰ−１０１、ＣＰ−１０６、ＣＰ−１１１、ＣＰ−１１６、ＣＰ−１２１、ＣＰ−１２６、ＣＰ−１３１、ＣＰ−１３６、ＣＰ−１３９、ＣＰ−１４０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−９７、ＣＰ−１０２、ＣＰ−１０７、ＣＰ−１１２、ＣＰ−１１７、ＣＰ−１２２、ＣＰ−１２７、ＣＰ−１３２、ＣＰ−１３７の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１５０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−９８、ＣＰ−１０３、ＣＰ−１０８、ＣＰ−１１３、ＣＰ−１１８、ＣＰ−１２３、ＣＰ−１２８、ＣＰ−１３３、ＣＰ−１３８の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２３４〜ＣＰ−２８０の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２３４、ＣＰ−２３９、ＣＰ−２４４、ＣＰ−２４９、ＣＰ−２５４、ＣＰ−２５９、ＣＰ−２６４、ＣＰ−２６９、ＣＰ−２７４の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１８０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２３５、ＣＰ−２４０、ＣＰ−２４５、ＣＰ−２５０、ＣＰ−２５５、ＣＰ−２６０、ＣＰ−２６５、ＣＰ−２７０、ＣＰ−２７５の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１４０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２３６、ＣＰ−２４１、ＣＰ−２４６、ＣＰ−２５１、ＣＰ−２５６、ＣＰ−２６１、ＣＰ−２６６、ＣＰ−２７１、ＣＰ−２７６、ＣＰ−２７９、ＣＰ−２８０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２３７、ＣＰ−２４２、ＣＰ−２４７、ＣＰ−２５２、ＣＰ−２５７、ＣＰ−２６２、ＣＰ−２６７、ＣＰ−２７２、ＣＰ−２７７の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−２３８、ＣＰ−２４３、ＣＰ−２４８、ＣＰ−２５３、ＣＰ−２５８、ＣＰ−２６３、ＣＰ−２６８、ＣＰ−２７３、ＣＰ−２７８の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−３７４〜ＣＰ−４２０の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−３７４、ＣＰ−３７９、ＣＰ−３８４、ＣＰ−３８９、ＣＰ−３９４、ＣＰ−３９９、ＣＰ−４０４、ＣＰ−４０９、ＣＰ−４１４の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−３７５、ＣＰ−３８０、ＣＰ−３８５、ＣＰ−３９０、ＣＰ−３９５、ＣＰ−４００、ＣＰ−４０５、ＣＰ−４１０、ＣＰ−４１５の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−３７６、ＣＰ−３８１、ＣＰ−３８６、ＣＰ−３９１、ＣＰ−３９６、ＣＰ−４０１、ＣＰ−４０６、ＣＰ−４１１、ＣＰ−４１６、ＣＰ−４１９、ＣＰ−４２０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−３７７、ＣＰ−３８２、ＣＰ−３８７、ＣＰ−３９２、ＣＰ−３９７、ＣＰ−４０２、ＣＰ−４０７、ＣＰ−４１２、ＣＰ−４１７の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−３７８、ＣＰ−３８３、ＣＰ−３８８、ＣＰ−３９３、ＣＰ−３９８、ＣＰ−４０３、ＣＰ−４０８、ＣＰ−４１３、ＣＰ−４１８の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５１４〜ＣＰ−５６０の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５１４、ＣＰ−５１９、ＣＰ−５２４、ＣＰ−５２９、ＣＰ−５３４、ＣＰ−５３９、ＣＰ−５４４、ＣＰ−５４９、ＣＰ−５５４の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は４００Ω・ｃｍであった。また、導電層用塗布液ＣＰ−５１５、ＣＰ−５２０、ＣＰ−５２５、ＣＰ−５３０、ＣＰ−５３５、ＣＰ−５４０、ＣＰ−５４５、ＣＰ−５５０、ＣＰ−５５５の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３６０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５１６、ＣＰ−５２１、ＣＰ−５２６、ＣＰ−５３１、ＣＰ−５３６、ＣＰ−５４１、ＣＰ−５４６、ＣＰ−５５１、ＣＰ−５５６、ＣＰ−５５９、ＣＰ−５６０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５１７、ＣＰ−５２２、ＣＰ−５２７、ＣＰ−５３２、ＣＰ−５３７、ＣＰ−５４２、ＣＰ−５４７、ＣＰ−５５２、ＣＰ−５５７の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−５１８、ＣＰ−５２３、ＣＰ−５２８、ＣＰ−５３３、ＣＰ−５３８、ＣＰ−５４３、ＣＰ−５４８、ＣＰ−５５３、ＣＰ−５５８の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−６５４〜ＣＰ−７００の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−６５４、ＣＰ−６５９、ＣＰ−６６４、ＣＰ−６６９、ＣＰ−６７４、ＣＰ−６７９、ＣＰ−６８４、ＣＰ−６８９、ＣＰ−６９４の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２７０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−６５５、ＣＰ−６６０、ＣＰ−６６５、ＣＰ−６７０、ＣＰ−６７５、ＣＰ−６８０、ＣＰ−６８５、ＣＰ−６９０、ＣＰ−６９５の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−６５６、ＣＰ−６６１、ＣＰ−６６６、ＣＰ−６７１、ＣＰ−６７６、ＣＰ−６８１、ＣＰ−６８６、ＣＰ−６９１、ＣＰ−６９６、ＣＰ−６９９、ＣＰ−７００の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−６５７、ＣＰ−６６２、ＣＰ−６６７、ＣＰ−６７２、ＣＰ−６７７、ＣＰ−６８２、ＣＰ−６８７、ＣＰ−６９２、ＣＰ−６９７の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１１０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−６５８、ＣＰ−６６３、ＣＰ−６６８、ＣＰ−６７３、ＣＰ−６７８、ＣＰ−６８３、ＣＰ−６８８、ＣＰ−６９３、ＣＰ−６９８の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は６５Ω・ｃｍであった。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１〜ＣＰ−Ｃ２２、ＣＰ−Ｃ４２〜ＣＰ−Ｃ６３、ＣＰ−Ｃ７６〜ＣＰ−Ｃ９７、ＣＰ−Ｃ１０７〜ＣＰ−Ｃ１２８およびＣＰ−Ｃ１２９〜ＣＰ−Ｃ１５０の調製例）
第一の金属酸化物粒子の種類と量、第二の金属酸化物粒子の種類と量および結着材料の量を表５、１３、２０、４８および５４に記載のように変更（第一の金属酸化物粒子、第二の金属酸化物粒子の使用／不使用の変更を含む。以下同じ。）した以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１〜ＣＰ−Ｃ２２、ＣＰ−Ｃ４２〜ＣＰ−Ｃ６３、ＣＰ−Ｃ７６〜ＣＰ−Ｃ９７、ＣＰ−Ｃ１０７〜ＣＰ−Ｃ１２８およびＣＰ−Ｃ１２９〜ＣＰ−Ｃ１５０を調製した。
なお、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１〜ＣＰ−Ｃ９およびＣＰ−Ｃ１３〜ＣＰ−Ｃ２２の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４〜ＣＰ−Ｃ２２の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４２〜ＣＰ−Ｃ５０およびＣＰ−Ｃ５４〜ＣＰ−Ｃ６３の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４５〜ＣＰ−Ｃ６３の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＷドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７６〜ＣＰ−Ｃ８４およびＣＰ−Ｃ８８〜ＣＰ−Ｃ９７の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７９〜ＣＰ−Ｃ９７の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１０７〜ＣＰ−Ｃ１１５およびＣＰ−Ｃ１１９〜ＣＰ−Ｃ１２８の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１１０〜ＣＰ−Ｃ１２８の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１２９〜ＣＰ−Ｃ１３７およびＣＰ−Ｃ１４１〜ＣＰ−Ｃ１５０の調製に用いた第一の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１３２〜ＣＰ−Ｃ１５０の調製に用いた第二の金属酸化物粒子としてのＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２３〜ＣＰ−Ｃ３５、ＣＰ−Ｃ６４〜ＣＰ−Ｃ７１、ＣＰ−Ｃ９８〜ＣＰ−Ｃ１０５、ＣＰ−Ｃ１５１〜ＣＰ−Ｃ１７８およびＣＰ−Ｃ１７９の調製例）
第一の金属酸化物粒子の種類と量、第二の金属酸化物粒子の種類と量および結着材料の部を表６、７、１４、２１、５５〜５８に記載のように変更した以外は、導電層用塗布液ＣＰ−１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２３〜Ｃ３５、ＣＰ−Ｃ６４〜ＣＰ−Ｃ７１、ＣＰ−Ｃ９８〜ＣＰ−Ｃ１０５およびＣＰ−Ｃ１５１〜ＣＰ−Ｃ１７９を調製した。なお、表中、例えば、酸素欠損型の酸化スズで被覆された酸化チタン粒子（酸素欠損型酸化スズ被覆酸化チタン粒子）などは、本発明に係る第一の金属酸化物粒子には該当せず、また、酸素欠損型の酸化スズ粒子（酸素欠損型酸化スズ粒子）などは、本発明に係る第二の金属酸化物粒子には該当しないが、本発明と比較する例として、便宜上、それぞれの欄に記載した。以下同じである。
なお、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２６〜ＣＰ−Ｃ２８、ＣＰ−Ｃ３１〜ＣＰ−Ｃ３２、ＣＰ−Ｃ１５３およびＣＰ−Ｃ１５４の調製に用いたＰドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３５の調製に用いたＰドープ酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２３〜ＣＰ−Ｃ２５、ＣＰ−Ｃ２９、ＣＰ−Ｃ３０、ＣＰ−Ｃ３５、ＣＰ−１５１およびＣＰ−１５２の調製に用いたＰドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ６７〜ＣＰ−Ｃ６９、ＣＰ−Ｃ１０４、ＣＰ−Ｃ１５７およびＣＰ−Ｃ１５８の調製に用いたＷドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７１の調製に用いたＷドープ酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３１、ＣＰ−Ｃ６４〜ＣＰ−Ｃ６６、ＣＰ−Ｃ７０、ＣＰ−Ｃ７１、ＣＰ−Ｃ１５５およびＣＰ−Ｃ１５６の調製に用いたＷドープ酸化スズ粒子粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３０、ＣＰ−Ｃ７０、ＣＰ−Ｃ１０１〜ＣＰ−Ｃ１０３、ＣＰ−Ｃ１６１およびＣＰ−Ｃ１６２の調製に用いたＦドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１０５の調製に用いたＦドープ酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３２、ＣＰ−Ｃ１５９およびＣＰ−Ｃ１６０の調製に用いたＦドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２２０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１５１、ＣＰ−Ｃ１５５、ＣＰ−Ｃ１５９、ＣＰ−Ｃ１６６〜ＣＰ−Ｃ１６８およびＣＰ−Ｃ１７０の調製に用いたＮｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１７１の調製に用いたＮｂドープ酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は６５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１５３、ＣＰ−Ｃ１５７、ＣＰ−Ｃ１６１、ＣＰ−Ｃ１６３〜ＣＰ−Ｃ１６５、ＣＰ−Ｃ１６９およびＣＰ−Ｃ１７１の調製に用いたＮｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は３３０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１５２、ＣＰ−Ｃ１５６、ＣＰ−Ｃ１６０、ＣＰ−Ｃ１６９およびＣＰ−Ｃ１７５〜ＣＰ−Ｃ１７７の調製に用いたＴａドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１７８の調製に用いたＴａドープ酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は４５００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１５４、ＣＰ−Ｃ１５８、ＣＰ−Ｃ１６２、ＣＰ−Ｃ１７０、ＣＰ−Ｃ１７２〜ＣＰ−Ｃ１７４およびＣＰ−Ｃ１７８の調製に用いたＴａドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１６０Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２３、ＣＰ−Ｃ６４、ＣＰ−Ｃ９８、ＣＰ−Ｃ１６３およびＣＰ−Ｃ１７２の調製に用いた酸素欠損型酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２４、ＣＰ−Ｃ３３、ＣＰ−Ｃ６５、ＣＰ−Ｃ９９、ＣＰ−Ｃ１６４、ＣＰ−Ｃ１７３、およびＣＰ−Ｃ１７９の調製に用いた酸素欠損型酸化スズ被覆硫酸バリウム粒子の粉体抵抗率は５０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２５、ＣＰ−Ｃ３４、ＣＰ−Ｃ６６、ＣＰ−Ｃ１００、ＣＰ−Ｃ１６５およびＣＰ−Ｃ１７４の調製に用いたＳｂドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の粉体抵抗率は３０００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２６、ＣＰ−Ｃ３３、ＣＰ−Ｃ６７、ＣＰ−Ｃ１０１、ＣＰ−Ｃ１６６、ＣＰ−Ｃ１７５、およびＣＰ−Ｃ１７９の調製に用いた酸素欠損型酸化スズ粒子の粉体抵抗率は２００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２７、ＣＰ−Ｃ６８、ＣＰ−Ｃ１０２、ＣＰ−Ｃ１６７およびＣＰ−Ｃ１７６の調製に用いた酸化インジウムスズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。
また、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ２８、ＣＰ−Ｃ３４、ＣＰ−Ｃ６９、ＣＰ−Ｃ１０３、ＣＰ−Ｃ１６８およびＣＰ−Ｃ１７７の調製に用いたＳｂドープ酸化スズ粒子の粉体抵抗率は１００Ω・ｃｍであった。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３６の調製例）
特許文献４に記載されている実施例１の中間層塗工液を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３６とした。
すなわち、酸素欠損型の酸化スズで被覆された硫酸バリウム粒子（被覆率：５０質量％、平均一次粒径：６００ｎｍ、比重：５．１（密度＝５．１ｇ／ｃｍ^３））２０部、アンチモンがドープされている酸化スズ粒子（商品名：Ｔ−１、三菱マテリアル（株）製、平均一次粒径：２０ｎｍ、粉体抵抗率：５Ω・ｃｍ、比重：６．６（密度＝６．６ｇ／ｃｍ^３））１００部、結着材料としてのレゾール型フェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０％）７０部、および、２−メトキシ−１−プロパノール１００部をボールミルに入れ、２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３６を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３７の調製例）
アンチモンがドープされている酸化スズ粒子を、タンタルがドープされている酸化スズ粒子（平均一次粒径：２０ｎｍ、比重：６．１（密度＝６．１ｇ／ｃｍ^３））に変更した以外は、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３６の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３７を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３８の調製例）
特許文献２に記載されている導電層塗工液Ｌ−７を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３８とした。
すなわち、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（平均一次粒径：２２０ｎｍ、粉体抵抗率：１００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：７質量％、被覆率：１５％）４６部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）３６．５部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール５０部を、直径０．５ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３．５時間の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液に、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）３．９部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３８を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３９の調製例）
特許文献２に記載されている導電層塗工液Ｌ−２１を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３９とした。
すなわち、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（平均一次粒径：４０ｎｍ、粉体抵抗率：５００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：８質量％、被覆率：２０％）４４部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）３６．５部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール５０部を、直径０．５ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３．５時間の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液に、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）３．９部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ３９を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４０の調製例）
特許文献１に記載されている導電層塗工液１を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４０とした。
すなわち、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（粉体抵抗率：４０Ω・ｃｍ、被覆率：３５質量％、酸化スズにドープされているリンの量（ドープ率）：３質量％）２０４部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１４８部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）１３．８部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．０１４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４０を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４１の調製例）
特許文献１に記載されている導電層塗工液４を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４１とした。
すなわち、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（粉体抵抗率：５００Ω・ｃｍ、被覆率：３５質量％、酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされているリン（Ｐ）の量（ドープ率）：０．０５質量％）２０４部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１４８部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）１３．８部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．０１４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ４１を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７２の調製例）
特許文献２に記載されている導電層塗工液Ｌ−１０を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７２とした。
すなわち、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（平均一次粒径：２２０ｎｍ、粉体抵抗率：１５０Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているタングステンの量（ドープ率）：７質量％、被覆率：１５％）５３部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）３６．５部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール５０部を、直径０．５ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３．５時間の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）３．９部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７２を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７３の調製例）
特許文献２に記載されている導電層塗工液Ｌ−２２を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７３とした。
すなわち、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（平均一次粒径：４０ｎｍ、粉体抵抗率：５５０Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているタングステンの量（ドープ率）：８質量％、被覆率：２０％）４６部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）３６．５部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール５０部を、直径０．５ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３．５時間の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液に、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）３．９部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌することによって、特許文献２に記載の導電層用塗布液Ｌ−２２を調製し、この塗布液を導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７３とした。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７４の調製例）
特許文献１に記載されている導電層塗工液１０を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７４とした。
すなわち、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（粉体抵抗率：２５Ω・ｃｍ、被覆率：３３質量％、酸化スズにドープされているタングステンの量（ドープ率）：３質量％）２０４部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１４８部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）１３．８部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．０１４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７４を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７５の調製例）
特許文献１に記載されている導電層塗工液１３を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７５とした。
すなわち、Ｗドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（粉体抵抗率：６９Ω・ｃｍ、被覆率：３３質量％、酸化スズにドープされているタングステンの量（ドープ率）：０．１質量％）２０４部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１４８部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４時間、冷却水の設定温度：１８℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）１３．８部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．０１４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ７５を調製した。

（導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１０６の調製例）
特許文献２に記載されている導電層塗工液Ｌ−３０を以下の操作で調製し、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１０６とした。
すなわち、Ｆドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子（平均一次粒径：７５ｎｍ、粉体抵抗率：３００Ω・ｃｍ、酸化スズにドープされているフッ素の量（ドープ率）：７質量％、被覆率：１５％）６０部、結着材料としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）３６．５部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール５０部を、直径０．５ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数：２５００ｒｐｍ、分散処理時間：３．５時間の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径：２μｍ）３．９部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液ＣＰ−Ｃ１０６を調製した。

（実施例１（電子写真感光体１の製造例））
押し出し工程および引き抜き工程を含む製造方法にて製造された、長さ２５１．５ｍｍ、直径２４ｍｍ、肉厚１．０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（円筒状支持体）とした。

２２℃／５５％ＲＨ環境下で、導電層用塗布液ＣＰ−１を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥および熱硬化させることによって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
導電層の体積抵抗率を測定したところ２．２×１０^１３Ω・ｃｍであった。

次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学産業（株）製）４．５部および共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．８５μｍの下引き層を形成した。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、分散処理時間：３時間の条件で分散処理を行い、分散処理後、酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１２μｍの電荷発生層を形成した。

次に、下記式（ＣＴ−１）で示されるアミン化合物（電荷輸送物質）５６部、

下記式（ＣＴ−２）で示されるアミン化合物（電荷輸送物質）２４部、

ポリカーボネート（商品名：Ｚ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）９０部、下記式（Ｂ−１）で示される繰り返し構造単位および下記式（Ｂ−２）で示される繰り返し構造単位を有するシロキサン変性ポリカーボネート（（Ｂ−１）：（Ｂ−２）＝９８：２（モル比））１０部、

ならびに、下記式（Ｂ−３）で示される繰り返し構造単位および下記式（Ｂ−４）で示される繰り返し構造単位を有し、下記式（Ｂ−５）で示される末端構造を有するシロキサン変性ポリカーボネート（（Ｂ−３）：（Ｂ−４）＝９５：５（モル比））０．９部

を、ｏ−キシレン３００部／ジメトキシメタン２５０部／安息香酸メチル２７部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１８．５μｍの電荷輸送層を形成した。このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体１を製造した。

電子写真感光体１について、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率およびＰドープ酸化スズ粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率を、前記の方法を用い、それぞれ、原子比率から求めた。

次に、前記の方法を用い、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗのコントラストの違いから、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子およびＰドープ酸化スズ粒子を特定し、Ｐドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の体積およびＰドープ酸化スズ粒子の体積を測定した。以下の例も同様である。

（実施例２〜７００および比較例１〜１７９（電子写真感光体２〜７００およびＣ１〜Ｃ１７９の製造例））
導電層用塗布液を表２２〜４３および表５９〜７３に記載のように変更した以外は、実施例１（電子写真感光体１の製造例）と同様の操作で、電子写真感光体２〜７００およびＣ１〜Ｃ１７９を製造した。

（評価）
クラックの評価は、支持体上に導電層を形成した段階で導電層の表面を光学顕微鏡で観察することにより、および、製造した電子写真感光体を電子写真装置（レーザービームプリンター）に装着して画像出力して画像を観察することにより評価した。
画像の観察は以下のように行った。
製造した電子写真感光体を、評価装置としてのヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター（商品名：ＬａｓｅｒＪｅｔ Ｐ２０５５ｄｎ）に装着した。これを常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下に設置し、ベタ黒、ベタ白、１ドット桂馬パターンのハーフトーンの画像をそれぞれ出力し、出力した画像を観察した。１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像とは、図５に示すパターンのハーフトーン画像である。
上記画像の観察及び下記の導電層の顕微鏡観察を基に、クラックの発生の度合いは、以下のようにランク分けした。
導電層の表面を光学顕微鏡で観察し、クラックの発生が確認できないものをランク３とした。また、導電層の表面を光学顕微鏡で観察するとクラックの発生が確認できるが、ベタ黒、ベタ白、１ドット桂馬パターンのハーフトーンのいずれの画像上でも、そのクラックによる画像欠陥が見られないものをランク２とした。また、導電層の表面を光学顕微鏡で観察するとクラックの発生が確認でき、かつ、ベタ黒、ベタ白、１ドット桂馬パターンのハーフトーンのいずれかの画像上で、そのクラックによるものと考えられる画像欠陥が見られるものをランク１とした。１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像とは、図５に示すパターンのハーフトーン画像である。

残留電位の評価とパターンメモリーの評価も、ヒューレットパッカード製のレーザービームプリンター（商品名：ＬａｓｅｒＪｅｔ Ｐ２０５５ｄｎ）を評価装置として使用して行った。

パターンメモリーの評価は以下のように行った。
製造した電子写真感光体を、上記ヒューレットパッカード社製の製レーザービームプリンターに装着した。これを低温低湿（１５℃／７％ＲＨ）環境下に設置し、３ドット１００スペースの縦線パターンの画像を１５０００枚繰り返し連続出力する耐久試験を行った。その後に出力した表７４に示される４種類のハーフトーン画像上およびベタ黒の画像上の上記縦線の履歴を起因とする縦スジの見え方により、パターンメモリーの発生の度合いを、表７４のように６つにランク分けした。パターンメモリーが良好なものほど、ランクの数字が大きい。なお、４種類のハーフトーン画像とは、１ドット桂馬パターンのハーフトーン、１ドット１スペースの横線のハーフトーン、２ドット３スペースの横線のハーフトーン、および、１ドット２スペースの横線のハーフトーンである。

残留電位の評価は以下のように行った。
上記耐久試験の前後にベタ白画像３枚およびベタ黒画像５枚を連続出力した後の残留電位を測定した。残留電位の上昇が１０Ｖ以内をランク４とした。また、１０Ｖを超え２０Ｖ以内をランク３とした。また、２０Ｖを超え３０Ｖ以内をランク２とした。また、３０Ｖを超えるものをランク１とした。

以上の結果を表２２〜４３および表５９〜７３に示す。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段（一次帯電手段）
４ 露光光（画像露光光）
５ 現像手段
６ 転写手段（転写ローラーなど）
７ クリーニング手段（クリーニングブレードなど）
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
１１ 前露光光
Ｐ 転写材（紙など）

Claims (22)

1. 支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
   該導電層が、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、リンがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
   該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｐとし、該導電層中の該リンがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｐとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｐおよび該Ｖ_２Ｐが、下記式（１）および（２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
   ２≦｛（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１）
   １５≦｛（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（２）
2. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｐおよび前記Ｖ_２Ｐが、下記式（３）を満たす請求項１に記載の電子写真感光体。
   ５≦｛（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（３）
3. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｐおよび前記Ｖ_２Ｐが、下記式（４）を満たす請求項１または２に記載の電子写真感光体。
   ２０≦｛（Ｖ_１Ｐ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｐ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（４）
4. 前記リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率をＲ_１Ｐ［ａｔｏｍ％］とし、前記リンがドープされている酸化スズ粒子中の酸化スズに対するリンの存在比率をＲ_２Ｐ［ａｔｏｍ％］としたとき、該Ｒ_１Ｐおよび該Ｒ_２Ｐが、下記式（５）を満たす請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   ０．９≦Ｒ_２Ｐ／Ｒ_１Ｐ≦１．１ ・・・（５）
5. 支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
   該導電層が、タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、タングステンがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
   該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｗとし、該導電層中の該タングステンがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｗとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｗおよび該Ｖ_２Ｗが、下記式（６）および（７）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
   ２≦｛（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（６）
   １５≦｛（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（７）
6. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｗおよび前記Ｖ_２Ｗが、下記式（８）を満たす請求項５に記載の電子写真感光体。
   ５≦｛（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（８）
7. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｗおよび前記Ｖ_２Ｗが、下記式（９）を満たす請求項５または６に記載の電子写真感光体。
   ２０≦｛（Ｖ_１Ｗ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｗ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（９）
8. 前記タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子中の酸化スズに対するタングステンの存在比率をＲ_１Ｗ［ａｔｏｍ％］とし、前記タングステンがドープされている酸化スズ粒子中の酸化スズに対するタングステンの存在比率をＲ_２Ｗ［ａｔｏｍ％］としたとき、該Ｒ_１Ｗおよび該Ｒ_２Ｗが、下記式（１０）を満たす請求項５〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   ０．９≦Ｒ_２Ｗ／Ｒ_１Ｗ≦１．１ ・・・（１０）
9. 支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
   該導電層が、フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、フッ素がドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
   該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｆとし、該導電層中の該フッ素がドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｆとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｆおよび該Ｖ_２Ｆが、下記式（１１）および（１２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
   ２≦｛（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１１）
   １５≦｛（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（１２）
10. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｆおよび前記Ｖ_２Ｆが、下記式（１３）を満たす請求項９に記載の電子写真感光体。
    ５≦｛（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（１３）
11. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｆおよび前記Ｖ_２Ｆが、下記式（１４）を満たす請求項９または１０に記載の電子写真感光体。
    ２０≦｛（Ｖ_１Ｆ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｆ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（１４）
12. 前記フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子中の酸化スズに対するフッ素の存在比率をＲ_１Ｆ［ａｔｏｍ％］とし、前記フッ素がドープされている酸化スズ粒子中の酸化スズに対するフッ素の存在比率をＲ_２Ｆ［ａｔｏｍ％］としたとき、該Ｒ_１Ｆおよび該Ｒ_２Ｆが、下記式（１５）を満たす請求項９〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
    ０．９≦Ｒ_２Ｆ／Ｒ_１Ｆ≦１．１ ・・・（１５）
13. 支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
    該導電層が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、ニオブがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
    該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｎｂとし、該導電層中の該ニオブがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｎｂとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｎｂおよび該Ｖ_２Ｎｂが、下記式（１６）および（１７）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
    ２≦｛（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（１６）
    １５≦｛（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（１７）
14. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｎｂおよび前記Ｖ_２Ｎｂが、下記式（１８）を満たす請求項１３に記載の電子写真感光体。
    ５≦｛（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（１８）
15. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｎｂおよび前記Ｖ_２Ｎｂが、下記式（１９）を満たす請求項１３または１４に記載の電子写真感光体。
    ２０≦｛（Ｖ_１Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｎｂ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（１９）
16. 前記ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子中の酸化スズに対するニオブの存在比率をＲ_１Ｎｂ［ａｔｏｍ％］とし、前記ニオブがドープされている酸化スズ粒子中の酸化スズに対するニオブの存在比率をＲ_２Ｎｂ［ａｔｏｍ％］としたとき、該Ｒ_１Ｎｂおよび該Ｒ_２Ｎｂが、下記式（２０）を満たす請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
    ０．９≦Ｒ_２Ｎｂ／Ｒ_１Ｎｂ≦１．１ ・・・（２０）
17. 支持体、該支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
    該導電層が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子、タンタルがドープされている酸化スズ粒子、および、結着材料を含有し、
    該導電層の全体積をＶ_Ｔとし、該導電層中の該タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子の体積をＶ_１Ｔａとし、該導電層中の該タンタルがドープされている酸化スズ粒子の体積をＶ_２Ｔａとしたとき、該Ｖ_Ｔ、該Ｖ_１Ｔａおよび該Ｖ_２Ｔａが、下記式（２１）および（２２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
    ２≦｛（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２５ ・・・（２１）
    １５≦｛（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４５ ・・・（２２）
18. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｔａおよび前記Ｖ_２Ｔａが、下記式（２３）を満たす請求項１７に記載の電子写真感光体。
    ５≦｛（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）／（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦２０ ・・・（２３）
19. 前記Ｖ_Ｔ、前記Ｖ_１Ｔａおよび前記Ｖ_２Ｔａが、下記式（２４）を満たす請求項１７または１８に記載の電子写真感光体。
    ２０≦｛（Ｖ_１Ｔａ／Ｖ_Ｔ）＋（Ｖ_２Ｔａ／Ｖ_Ｔ）｝×１００≦４０ ・・・（２４）
20. 前記タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子中の酸化スズに対するタンタルの存在比率をＲ_１Ｔａ［ａｔｏｍ％］とし、前記タンタルがドープされている酸化スズ粒子中の酸化スズに対するタンタルの存在比率をＲ_２Ｔａ［ａｔｏｍ％］としたとき、該Ｒ_１Ｔａおよび該Ｒ_２Ｔａが、下記式（２５）を満たす請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
    ０．９≦Ｒ_２Ｔａ／Ｒ_１Ｔａ≦１．１ ・・・（２５）
21. 請求項１〜２０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
22. 請求項１〜２０のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。

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