JP2015158598A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015158598A JP2015158598A JP2014033338A JP2014033338A JP2015158598A JP 2015158598 A JP2015158598 A JP 2015158598A JP 2014033338 A JP2014033338 A JP 2014033338A JP 2014033338 A JP2014033338 A JP 2014033338A JP 2015158598 A JP2015158598 A JP 2015158598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide particles
- tin oxide
- metal oxide
- conductive layer
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
【解決手段】 電子写真感光体の導電層が、第1の金属酸化物粒子、第2の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有し、第1の金属酸化物粒子は、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子または酸化スズ粒子であり、第2の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、元素は第1の金属酸化物粒子の酸化スズにドープされている元素と同一であり、導電層が式(1)及び(2)を満たす。
【選択図】 なし
Description
前記導電層は、第1の金属酸化物粒子、第2の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有し、
前記第1の金属酸化物粒子は、
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、または
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、前記元素は前記第1の金属酸化物粒子の前記酸化スズにドープされている元素と同一であり、
前記導電層は下記式(1)及び(2)を満たすことを特徴とする電子写真感光体に関する。
2≦{(V2/VT)/(V1/VT)}×100≦25 ・・・(1)
15≦{(V1/VT)+(V2/VT)}×100≦45 ・・・(2)
(式中、VTは、前記導電層の全体積を示し、V1は、前記導電層中の前記第1の金属酸化物粒子の体積を示し、V2は、前記導電層中の第2の金属酸化物粒子の体積を示す。)
支持体としては、導電性を有するもの(導電性支持体)が好ましい。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属または合金で形成されている金属製支持体を用いることが可能である。アルミニウムやアルミニウム合金を用いる場合は、押し出し工程及び引き抜き工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管や、押し出し工程及びしごき工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管を用いること可能である。
導電層には、第1の金属酸化物粒子、第2の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有する。
第1の金属酸化物粒子は、
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、または
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である。
2≦{(V2/VT)/(V1/VT)}×100≦25 ・・・(1)
15≦{(V1/VT)+(V2/VT)}×100≦45 ・・・(2)
式(1)及び(2)中、VTは、導電層の全体積を示す。V1は、導電層中の第1の金属酸化物粒子の体積(cm3)を示す。V2は、導電層中の第2の金属酸化物粒子の体積(cm3)を示す。
5≦{(V2/VT)/(V1/VT)}×100≦20 ・・・(4)
を満たすことが好ましい。式(4)を満たすと、第1の金属酸化物粒子と第2の金属酸化物粒子の割合が、より良好な導電パスを形成できる割合になるため、パターンメモリーの発生を抑制する効果がより顕著になる。
20≦{(V1/VT)+(V2/VT)}×100≦40 ・・・(5)
を満たすことが好ましい。式(5)を満たすと、導電層中の第1の金属酸化物粒子と第2の金属酸化物粒子の合計した体積量が適度となり、残留電位の抑制やクラックの抑制が良好となる。
0.9≦R2/R1≦1.1 ・・・(3)
を満たすことが好ましい。R1(atom%)は、第1の金属酸化物粒子を被覆している酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示す。R2(atom%)は、第2の金属酸化物粒子中の酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示す。
STEM−EDX分析のための試料加工は次のように行う。
試料加工は、銅(Cu)製の支持台を用い、FIB−μサンプリング法で行う。装置は、(株)日立ハイテクノロジーズ製のFB−2000A μ−Sampling System(商品名)を用いる。試料の横及び縦の長さは測定範囲が確保できる長さとし、試料の厚みは150nmとなるようにサンプリングを行う。
日本電子(株)製の電解放出型電子顕微鏡(HRTEM)(商品名:JEM2100F)と、EDX部として日本電子(株)製のJED−2300T(商品名)(分解能133eV以下)(Energy dispersive X−ray Spectroscopy)を用いて分析を行う。
システム:Analysis Station
画像取得:Digital Micrograph
測定条件:加速電圧:200kV、ビーム径(直径):1.0nm、計測時間:50秒(点分析時)及び40分(面分析時)
測定範囲は、横3.6μm×縦3.4μm×厚み150nmとする。
ρ=1/(I−I0)×S/d[Ω・cm] ・・・(4)
式中、I0は、銅製テープ203と支持体201との間に電圧を印加しないときのバックグラウンド電流値(A)を示す。Iは、直流電圧(直流成分)のみの電圧を−1V印加したときの電流値(A)を示す。dは、導電層202の膜厚(cm)を示す。Sは、導電層202の表面側の電極(銅製テープ203)の面積(cm2)を示す。
導電層と感光層との間には、導電層から感光層への電荷注入を阻止するために、電気的バリア性を有する下引き層を設けてもよい。
導電層または下引き層上には、感光層が設けられる。
(導電層用塗布液CP−1の調製例)
第1の金属酸化物粒子としてのPドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子(体積平均粒径:230nm、粉体抵抗率:5000Ω・cm、酸化スズにドープされているリンの量(ドープ率):4.50質量%、被覆率:45質量%、密度:6.06g/cm3)133.09部、第2の金属酸化物粒子としてのPドープ酸化スズ粒子(体積平均粒径:20nm、粉体抵抗率:200Ω・cm、酸化スズにドープされているリンの量(ドープ率):3.60質量%、密度:6.77g/cm3)2.98部、結着材料としてのフェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325、DIC(株)製、樹脂固形分:60質量%)266.67部、及び、溶剤としての1−メトキシ−2−プロパノール120部を、直径0.8mmのガラスビーズ465部を用いたサンドミルに入れた。ディスク回転数:2000rpm、分散処理時間:4.5時間、冷却水の設定温度:18℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表1に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−2〜CP−19を調製した。なお、導電層用塗布液CP−2〜CP−19の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのPドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.05質量%、密度:6.74g/cm3)の粉体抵抗率は250Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:6.72g/cm3)の粉体抵抗率は200Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.95質量%、密度:6.70g/cm3)の粉体抵抗率は150Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率:5.40質量%、密度:6.67g/cm3)の粉体抵抗率は100Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量、結着材料の量及びシリコーン樹脂粒子の量を表1に記載のように変更した。さらに、分散処理操作時に非被覆の酸化亜鉛粒子(粉体抵抗率:2.0×108Ω・cm、体積平均粒径:210nm、密度:5.61g/cm3)30.00部を加え、分散処理操作を行った。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−20〜CP−22を調製した。なお、導電層用塗布液CP−21の調製の際には、分散処理条件を、ディスク回転数:2500rpm、分散処理時間:10時間に変更した。また、導電層用塗布液CP−22の調製の際には、分散処理条件を、ディスク回転数:2500rpm、分散処理時間:30時間に変更した。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表2に記載のように変更(第1の金属酸化物粒子、第2の金属酸化物粒子の使用/不使用の変更を含む。以下同じ。)した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C1〜CP−C33を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのPドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:6.72g/cm3)の粉体抵抗率は200Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表1に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−23〜CP−27を調製した。なお、導電層用塗布液CP−23〜CP−27の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのPドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率):4.50質量%、被覆率:45質量%、密度:6.72g/cm3)の粉体抵抗率は200Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量および結着材料の量を表2に記載のように変更した以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C13〜CP−C18を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのPドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたPドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:6.72g/cm3)の粉体抵抗率は200Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表3に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−28〜CP−32を調製した。なお、導電層用塗布液CP−28〜CP−32の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのWドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は3000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたWドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.51g/cm3)の粉体抵抗率は100Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表3に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C19〜CP−C24を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのWドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は3000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたWドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.51g/cm3)の粉体抵抗率は100Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率および密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率および密度を含む。以下同じ。)と量および結着材料の量を表3に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−33〜CP−37を調製した。なお、導電層用塗布液CP−33〜CP−37の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのWドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は3000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたWドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.51g/cm3)の粉体抵抗率は100Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表3に記載のように変更した以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C25〜CP−C30を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのWドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は3000Ω・cmであった。また、第2金属酸化物粒子として用いたWドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.51g/cm3)の粉体抵抗率は100Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表4に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−38〜CP−42を調製した。なお、導電層用塗布液CP−38〜CP−42の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのFドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2金属酸化物粒子として用いたFドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:6.64g/cm3)の粉体抵抗率は220Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表4に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C31〜CP−C36を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのFドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2金属酸化物粒子として用いたFドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:6.64g/cm3)の粉体抵抗率は220Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率および密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率および密度を含む。以下同じ。)と量および結着材料の量を表4に記載のように変更した.それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−43〜CP−47を調製した。なお、導電層用塗布液CP−43〜CP−47の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのFドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたFドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.5質量%、密度:6.64g/cm3)の粉体抵抗率は220Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表4に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C37〜CP−C42を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのFドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は5000Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたFドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:6.64g/cm3)の粉体抵抗率は220Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表5に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−48〜CP−52を調製した。なお、導電層用塗布液CP−48〜CP−52の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのNbドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は6500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたNbドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.02g/cm3)の粉体抵抗率は330Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表5に記載のように変更した.それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C43〜CP−C48を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのNbドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は6500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたNbドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.02g/cm3)の粉体抵抗率は330Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表5に記載のように変更した.それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−53〜CP−57を調製した。なお、導電層用塗布液CP−53〜CP−57の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのNbドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は6500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたNbドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.02g/cm3)の粉体抵抗率は330Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表5に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C49〜CP−C54を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのNbドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は6500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたNbドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.02g/cm3)の粉体抵抗率は330Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表6に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−58〜CP−62を調製した。なお、導電層用塗布液CP−58〜CP−62の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのTaドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は4500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたTaドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.39g/cm3)の粉体抵抗率は160Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表6に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C55〜CP−C60を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのTaドープ酸化スズ被覆酸化亜鉛粒子の粉体抵抗率は4500Ω・cmであった。また、第2金属酸化物粒子として用いたTaドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.39g/cm3)の粉体抵抗率は160Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類(被覆率、ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量、第2の金属酸化物粒子の種類(ドープ率及び密度を含む。以下同じ。)と量及び結着材料の量を表6に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−63〜CP−67を調製した。なお、導電層用塗布液CP−63〜CP−67の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのTaドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は4500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたTaドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.39g/cm3)の粉体抵抗率は160Ω・cmであった。
第1の金属酸化物粒子の種類と量、第2の金属酸化物粒子の種類と量及び結着材料の量を表6に記載のように変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−1の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C61〜CP−C66を調製した。なお、導電層用塗布液の調製に用いた第1の金属酸化物粒子としてのTaドープ酸化スズ被覆酸化スズ粒子の粉体抵抗率は4500Ω・cmであった。また、第2の金属酸化物粒子として用いたTaドープ酸化スズ粒子(ドープ率:4.50質量%、密度:7.39g/cm3)の粉体抵抗率は160Ω・cmであった。
特開2004−151349号公報に記載されている実施例1を参照し、以下の操作で調製し、導電層用塗布液CP−C67とした。
アンチモンがドープされている酸化スズ粒子を、タンタルがドープされている酸化スズ粒子(体積平均粒径:20nm、密度=6.1g/cm3)に変更した。それ以外は、導電層用塗布液CP−C67の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液CP−C68を調製した。
非被覆の酸化亜鉛粒子(粉体抵抗率:2.0×108Ω・cm、体積平均粒径:210nm、密度:5.61g/cm3)167.42部、酸素欠損酸化スズ粒子(粉体抵抗率:200Ω・cm、体積平均粒径:20nm、密度:6.60g/cm3)25.6部、結着材料としてのフェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325)162.00部、及び、1−メトキシ−2−プロパノール120部を、直径0.8mmのガラスビーズ465部を用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数:2000rpm、分散処理時間:4.5時間、冷却水の設定温度:18℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
特開2013−37289号公報に記載されている実施例1のスズ―亜鉛複合酸化物粉体(粉体抵抗率:2.0×109Ω・cm、体積平均粒径:100nm、密度:6.10g/cm3)244.40部、フェノール樹脂(商品名:プライオーフェンJ−325)162.00部、及び、1−メトキシ−2−プロパノール120部を、直径0.8mmのガラスビーズ465部を用いたサンドミルに入れ、ディスク回転数:2000rpm、分散処理時間:4.5時間、冷却水の設定温度:18℃の分散処理条件で分散処理を行い、分散液を得た。
押し出し工程及び引き抜き工程を含む製造方法にて製造された、長さ251.5mm、直径24mm、肉厚1.0mmのアルミニウムシリンダー(JIS−A3003、アルミニウム合金)を支持体(円筒状支持体)とした。
導電層用塗布液を表12〜22に記載のように変更した以外は、実施例1(電子写真感光体1の製造例)と同様の操作で、電子写真感光体2〜67及びC1〜C70を製造した。
クラックの評価は、支持体上に導電層を形成した段階で導電層の表面を光学顕微鏡で観察することにより、及び、製造した電子写真感光体を電子写真装置(レーザービームプリンター)に装着して画像出力して画像を観察することにより評価した。
2 軸
3 帯電手段(一次帯電手段)
4 露光光(画像露光光)
5 現像手段
6 転写手段(転写ローラーなど)
7 クリーニング手段(クリーニングブレードなど)
8 定着手段
9 プロセスカートリッジ
10 案内手段
11 前露光光
P 転写材(紙など)
Claims (12)
- 支持体、前記支持体上に形成されている導電層、及び、前記導電層上に形成されている感光層を有する電子写真感光体であって、
前記導電層は、第1の金属酸化物粒子、第2の金属酸化物粒子、及び結着材料を含有し、
前記第1の金属酸化物粒子は、
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、または
リン、タングステン、フッ素、ニオブ、もしくはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子が、リン、タングステン、フッ素、ニオブ、及びタンタルからなる群より選択される元素がドープされている酸化スズ粒子であり、前記元素は前記第1の金属酸化物粒子の前記酸化スズにドープされている元素と同一であり、
前記導電層は下記式(1)及び(2)
2≦{(V2/VT)/(V1/VT)}×100≦25 ・・・(1)
15≦{(V1/VT)+(V2/VT)}×100≦45 ・・・(2)
(式(1)及び(2)中、
VTは、前記導電層の全体積(cm3)を示し、
V1は、前記導電層中の前記第1の金属酸化物粒子の体積(cm3)を示し、
V2は、前記導電層中の前記第2の金属酸化物粒子の体積(cm3)を示す。)
を満たすことを特徴とする電子写真感光体。 - 前記導電層は、下記式(3)
0.9≦R2/R1≦1.1 ・・・(3)
(式(3)中、
R1(atom%)は、前記第1の金属酸化物粒子を被覆している酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示し、
R2(atom%)は、前記第2の金属酸化物粒子中の酸化スズに対するリン、タングステン、フッ素、ニオブ、またはタンタルの存在比率を示す。)
を満たす請求項1に記載の電子写真感光体。 - 前記第1の金属酸化物粒子は、
リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはリンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子は、
リンがドープされている酸化スズ粒子である請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 前記第1の金属酸化物粒子は、
タングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはタングステンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子は、
タングステンがドープされている酸化スズ粒子である請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 前記第1の金属酸化物粒子は、
フッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはフッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子は、
フッ素がドープされている酸化スズ粒子である請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 前記第1の金属酸化物粒子は、
ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子は、
ニオブがドープされている酸化スズ粒子である請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 前記第1の金属酸化物粒子は、
タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子、またはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子であり、
前記第2の金属酸化物粒子が、
タンタルがドープされている酸化スズ粒子である請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 前記結着材料は、硬化性樹脂である請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記第1の金属酸化物粒子は、体積平均粒径が、0.15μm以上0.40μm以下である請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記第2の金属酸化物粒子は、体積平均粒径が、0.01μm以上0.10μm以下である請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033338A JP6282137B2 (ja) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
US14/629,251 US9470989B2 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-23 | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033338A JP6282137B2 (ja) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015158598A true JP2015158598A (ja) | 2015-09-03 |
JP6282137B2 JP6282137B2 (ja) | 2018-02-21 |
Family
ID=53882094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014033338A Active JP6282137B2 (ja) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9470989B2 (ja) |
JP (1) | JP6282137B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017181868A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体およびこれを用いた画像形成装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9529284B2 (en) | 2014-11-28 | 2016-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Process cartridge, image forming method, and electrophotographic apparatus |
US9568846B2 (en) * | 2014-11-28 | 2017-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, method for producing the same, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US9625838B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus, process cartridge, and image forming method |
JP6447178B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2019-01-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
US10162278B2 (en) * | 2017-02-28 | 2018-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004349167A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Titan Kogyo Kk | 白色導電性粉末及びその応用 |
US20060234146A1 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
JP2012018370A (ja) * | 2009-09-04 | 2012-01-26 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法 |
JP2012018371A (ja) * | 2009-09-04 | 2012-01-26 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP2015172729A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP6061761B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP6074295B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-02-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法 |
JP6218502B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-10-25 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6453417A (en) | 1987-08-25 | 1989-03-01 | Canon Kk | Exposure device |
JP2605855B2 (ja) | 1989-01-26 | 1997-04-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性酸化スズ粉末の製造法 |
JPH04191861A (ja) | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP3365821B2 (ja) | 1992-06-11 | 2003-01-14 | 石原産業株式会社 | 導電性酸化スズ微粉末及びその製造方法 |
JP3244246B2 (ja) | 1994-04-26 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
US7344810B2 (en) * | 1995-08-09 | 2008-03-18 | Minolta Co., Ltd. | Photosensitive member |
JPH09278445A (ja) | 1996-04-10 | 1997-10-28 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 導電性酸化スズおよびその製造方法ならびにそれを用いてなる導電性懸濁組成物、導電性塗料組成物、帯電防止材 |
JP3938011B2 (ja) | 2002-10-30 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
JP2007187771A (ja) | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
JP2009058789A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Canon Inc | 電子写真装置およびプロセスカートリッジ |
WO2010001818A1 (ja) | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 石原産業株式会社 | 酸化スズ粒子及びその製造方法 |
JP2013037289A (ja) | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ |
JP6108842B2 (ja) | 2012-06-29 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
2014
- 2014-02-24 JP JP2014033338A patent/JP6282137B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-23 US US14/629,251 patent/US9470989B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004349167A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Titan Kogyo Kk | 白色導電性粉末及びその応用 |
US20060234146A1 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
JP2012018370A (ja) * | 2009-09-04 | 2012-01-26 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法 |
JP2012018371A (ja) * | 2009-09-04 | 2012-01-26 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP6061761B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP6074295B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-02-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法 |
JP6218502B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-10-25 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
JP2015172729A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017181868A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体およびこれを用いた画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6282137B2 (ja) | 2018-02-21 |
US20150241800A1 (en) | 2015-08-27 |
US9470989B2 (en) | 2016-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6218502B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP6429636B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP5755162B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP5054238B1 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
CN104603692B (zh) | 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 | |
JP5079153B1 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法 | |
CN104428717B (zh) | 电子照相感光构件的制造方法 | |
JP4743921B1 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
KR101645777B1 (ko) | 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치, 전자사진 감광체의 제조 방법 | |
JP6282137B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JP2017010009A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP2008026482A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP6429656B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP2008026481A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP2015180923A (ja) | 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置 | |
JP2008026479A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置 | |
JP6425523B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP4839413B1 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP2008026478A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 | |
JP2014026092A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2007017877A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180123 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6282137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |