CN108242243B - 磁带装置及磁再生方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种搭载有TMR磁头作为再生磁头的磁带装置及磁再生方法。所述磁带装置包含磁带和再生磁头，所述磁带装置中，上述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件作为再生元件的磁头，上述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。

Description

磁带装置及磁再生方法
技术领域
本发明涉及一种磁带装置及磁再生方法。
背景技术
作为在记录介质中记录信息的方式之一，可以举出磁记录。在磁记录中，将信息作为磁化图案而记录在磁记录介质中。而且，记录在磁记录介质中的信息通过利用磁头读取由磁化图案得到的磁信号而被再生。作为为了进行这样的再生而使用的磁头，提出有各种磁头(例如参考专利文献1)。
专利文献1：日本特开2004-185676号公报
随着近年来庞大的信息量的增加，要求对磁记录介质提高记录容量(高容量化)。作为用于高容量化的方法，可以举出提高磁记录介质的记录密度。但是，越是提高记录密度，从磁性层得到的磁信号(具体而言，为漏磁场)具有越微弱的倾向，因此作为再生磁头，优选使用能够以良好的灵敏度读取微弱信号的高灵敏度的磁头。关于磁头的灵敏度，据说以磁阻效应为动作原理的MR(Magnetoresistive：磁阻)磁头优异于一直以来使用的感应磁头。
作为MR磁头，如专利文献1的0003段所记载，已知有AMR(Anisotropicmagnetoresistive：各向异性磁阻)磁头及GMR(Giantmagnetoresistive：巨型磁阻)磁头。GMR磁头是被称为灵敏度高于AMR磁头的MR磁头。另外，专利文献1的0004段等中所记载的TMR(Tunnelmagnetoresistive：隧道磁阻)磁头为能够期待进一步的可高灵敏度化的MR磁头。
另一方面，磁记录的记录再生方式大体区分为悬浮型和滑动型。并且，通过磁记录而记录有信息的磁记录介质大体区分为磁盘和磁带。以下，将包含磁盘作为磁记录介质的驱动器称为“磁盘装置”，将包含磁带作为磁记录介质的驱动器称为“磁带装置”。
磁盘装置一般被称作HDD(Harddiskdrive：硬盘驱动器)，采用悬浮型记录再生方式。磁盘装置中，磁头滑块的磁盘对置面的形状及支撑磁头滑块的磁头悬浮组件被设计成能够通过磁盘旋转时的气流来维持磁盘与磁头的规定间隔。这种磁盘装置中，在磁盘与磁头未接触的状态下进行信息的记录及再生。这种记录再生方式为悬浮型。相对于此，磁带装置采用滑动型记录再生方式。磁带装置中，在信息的记录及再生时，磁带的磁性层表面与磁头接触并滑动。
专利文献1中提出有在磁盘装置中使用TMR磁头。相对于此，关于磁带装置中TMR磁头的使用，目前停留在能够预测将来的可使用性的阶段。作为尚未在现实中使用的原因，可以举出对磁带装置中所使用的再生磁头，当前还没要求提高使用TMR磁头的程度的灵敏度。但是，若在磁带装置中也能够使用TMR磁头作为再生磁头，则能够应对今后磁带的进一步的高密度记录化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种搭载有TMR磁头作为再生磁头的磁带装置。
所谓TMR磁头等MR磁头的动作原理即磁阻效应为，电阻根据磁场的变化而变化的现象。MR磁头将从磁记录介质产生的漏磁场的变化作为电阻值(电阻)的变化而进行检测，并将该电阻值的变化转换成电压的变化，由此再生信息。如专利文献1的0007段所记载，TMR磁头一般被认为电阻值较高，但在TMR磁头中发生电阻值的大幅下降，这会成为再生输出的下降和伴随于此的电磁转换特性(具体而言为SNR；Signal-to-noise-ratio：信噪比)的下降的原因。
本发明人等在为了实现上述目的而重复进行研究的过程中发现以往全然未知的现象，即，若在磁带装置中使用TMR磁头作为再生磁头，则在TMR磁头中发生电阻值(电阻)的显著下降。所谓TMR磁头中电阻值的下降为，使电阻测定器与将构成TMR磁头中所包含的隧道磁阻效应型元件的2个电极相连的配线接触而测定的电阻的下降。即使在使用磁盘装置中的TMR磁头时、使用磁盘装置或磁带装置中的GMR磁头等其他MR磁头时，也观测不到该电阻值显著下降的现象。即，以往甚至没有认识到使用TMR磁头作为再生磁头来进行信息的再生时，在TMR磁头中会发生电阻值的显著下降。认为磁盘装置与磁带装置的记录再生方式的差异，详细而言，再生时的磁记录介质与磁头是否接触是在磁盘装置中观测不到磁带装置中发生的TMR磁头的电阻值的显著下降的原因。并且，认为具有TMR磁头在输送磁带的方向上隔着绝缘层(隧道阻挡层)具有2个电极这样的当前实用化的在其他MR磁头中所没有的特殊结构是在其他MR磁头中观测不到TMR磁头中发生的电阻值的显著下降的原因。
针对于此，本发明人等在发现上述现象的基础上进一步进行了深入研究，其结果，新发现的这种电阻值的显著下降能够通过使用以下详细叙述的磁带作为磁带来抑制。
基于以上的见解，完成了本发明的一方式。
即，本发明的一方式涉及一种磁带装置，其包含磁带和再生磁头，所述磁带装置中，
上述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件(以下，也记载为“TMR元件”。)作为再生元件的磁头(以下，也记载为“TMR磁头”。)，
上述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且
在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率(以下，简单记载为“对数衰减率”。)为0.050以下。
并且，本发明的一方式涉及一种磁再生方法，其包含通过再生磁头再生记录在磁带中的信息，其中，
上述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件作为再生元件的磁头，
上述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且
在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。
上述磁带装置及上述磁再生方法的一方式如下所示。
在一方式中，上述对数衰减率为0.010以上且0.050以下。
在一方式中，在上述磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra为2.8nm以下。
在一方式中，上述中心线平均表面粗糙度Ra为2.5nm以下。
在一方式中，上述磁带在上述非磁性支撑体与上述磁性层之间具有包含非磁性粉末及粘结剂的非磁性层，上述磁性层与上述非磁性层的合计厚度为1.8μm以下。
在一方式中，上述磁性层与上述非磁性层的合计厚度为1.1μm以下。
发明效果
根据本发明的一方式，能够抑制在通过TMR磁头再生记录在磁带中的信息时在TMR磁头中发生电阻值的显著下降。
附图说明
图1是对数衰减率的测定方法的说明图。
图2是对数衰减率的测定方法的说明图。
图3是对数衰减率的测定方法的说明图。
图4表示磁带制造工序的具体方式的一例(工序概略图)。
具体实施方式
[磁带装置]
本发明的一方式涉及一种磁带装置，其包含磁带和再生磁头，其中，
上述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件作为再生元件的磁头，
上述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且
在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。
在磁带装置中，当使用TMR磁头作为再生磁头时，若适用现有的磁带，则会发生在TMR磁头中电阻值(电阻)显著下降的现象。该现象为由本发明人新发现的现象。本发明人等认为发生这种现象的原因如下。
TMR磁头为利用隧道磁阻效应的磁头，隔着绝缘层(隧道阻挡层)具有2个电极。位于2个电极之间的隧道阻挡层为绝缘层，因此即使对2个电极之间施加电压，通常电流也不会流过或几乎不会流过电极之间。但是，由于受到了来自磁带的漏磁场的影响的自由层的磁场方向，通过隧道效果而电流(隧道电流)流过，并将通过隧道磁阻效应而隧道电流流过的量的变化作为电阻值的变化而被检测。通过将该电阻值的变化切换成电压的变化，能够再生记录在磁带中的信息。
并且，作为MR磁头的结构，有CIP(Current-In-Plane：电流在平面内)结构和CPP(Current-Perpendicular-to-Plane：电流垂直于平面)结构，TMR磁头为具有CPP结构的磁头。在CPP结构的MR磁头中，电流在与MR元件的膜面垂直的方向、即再生记录在磁带中的信息时输送磁带的方向上流过。相对于此，其他MR磁头、例如GMR磁头之中近年来广泛使用的自旋阀型GMR磁头具有CIP结构。在具有CIP结构的MR磁头中，电流在MR元件的膜面内方向、即与再生记录在磁带中的信息时输送磁带的方向正交的方向上流过。
如上所述，TMR磁头具有在当前实用化的其他MR磁头中所没有的特殊的结构。因此，若在2个电极之间只要1个部位发生短路(因损伤而形成的迂回电路)，电阻值就会显著下降。如此，若在2个电极之间只要1个部位发生短路，电阻值就会显著下降是在其他MR磁头中不会发生的现象。并且，在采用悬浮型记录再生方式的磁盘装置中，再生时磁盘与再生磁头不接触，因此不易发生引起短路的损伤。相对于此，在采用滑动型记录再生方式的磁带装置中，不采取任何对策时，由于与磁带的滑动而TMR磁头发生损伤，容易引起短路。本发明人等推测以上就是在磁带装置中使用TMR磁头作为再生磁头时，再生时TMR磁头的电阻值发生显著下降的原因。
针对于此，本发明人等反复进行了深入研究，其结果，新发现通过如下磁带，即，在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下，能够抑制在磁带装置中使用TMR磁头作为再生磁头时，再生时TMR磁头的电阻值发生显著下降的现象。关于这一点，以下进一步进行说明。
在本发明及本说明书中，上述对数衰减率设为通过以下方法求出的值。
图1～图3是对数衰减率的测定方法的说明图。以下，参考这些附图说明对数衰减率的测定方法。但是，图示的方式为例示，不对本发明进行任何限定。
从测定对象的磁带中切出测定用试样100。在摆式粘弹性试验机内的试样台101上，将所切出的测定用试样100以使测定面(磁性层表面)朝向上方的方式载置于基板103上，在未形成能够以肉眼确认的明显的褶皱的状态下，利用固定用胶带105等进行固定。
将质量为13g的带振动子的圆柱型缸沿104(直径4mm)以缸沿的长轴方向与测定用试样100的长边方向平行的方式载置于测定用试样100的测定面上。如此将在测定用试样100的测定面上载置有带振动子的圆柱型缸沿104的状态(从上方观察的状态)的一例示于图1。在图1所示的方式中，设置有支架兼温度传感器102，构成为能够监控基板103的表面温度。但是，该结构不是必须的。另外，在图1所示的方式中，所谓测定用试样100的长边方向为图中以箭头表示的方向，是指切出测定用试样的磁带中的长边方向。在本发明及本说明书中，所谓“平行”为包含在本发明所属的技术领域中所容许的误差的范围。所谓上述误差的范围例如是指小于严格的平行±10°的范围，优选在严格的平行±5°以内，更优选在±3°以内。并且，作为振动子107(参考图2)，使用具有可吸附于磁铁的性质的材料制(例如金属制、合金制等)振动子。
将载置有测定用试样100的基板103的表面温度以5℃/min以下的升温速度(若为5℃/min以下，则可以是任意的升温速度。)升温而设为80℃，通过解除振动子107与磁铁106的吸附而开始进行摆式运动(引起初始振动)。图2是摆式运动中的振动子107的状态(从横向观察的状态)的一例。在图2所示的方式中，在摆式粘弹性试验机内，通过停止对配置于试样台下方的磁铁(电磁铁)106的通电(断开开关)而解除吸附来开始进行摆式运动，并通过重新开始对电磁铁的通电(接通开关)而使振动子107吸附于磁铁106来停止进行摆式运动。在摆式运动中，如图2所示，振动子107重复着振幅。根据在振动子重复着振幅的期间通过位移传感器108监控振动子的位移而得到的结果，得到纵轴上取位移、横轴上取经过时间的位移-时间曲线。将位移-时间曲线的一例示于图3。图3中，示意地示出振动子107的状态与位移-时间曲线的对应。以一定的测定间隔反复进行静止(吸附)和摆式运动，使用在经过10分钟以上(若为10分钟以上，则可以是任意的时间。)之后的测定间隔处得到的位移-时间曲线，由下述式求出对数衰减率Δ(没有单位)，将该值设为磁带的磁性层表面的对数衰减率。1次吸附的吸附时间设为1秒以上(若为1秒以上，则可以是任意的时间。)，从吸附结束至下一次吸附开始为止的间隔设为6秒以上(若为6秒以上，则可以是任意的时间。)。所谓测定间隔为从吸附开始至下一次吸附开始为止的时间的间隔。并且，进行摆式运动的环境的湿度只要在相对湿度40～70％的范围内，则可以是任意的相对湿度。
[数式1]
Figure GDA0002842917380000061
在位移-时间曲线上，将从位移极小至再次成为极小为止的间隔设为波的一个周期。将n设为测定间隔中的位移-时间曲线中所包含的波的数量，将An设为第n个波上的极小位移与极大位移之差。图3中，将从第n个波的位移极小至再次成为极小为止的间隔表示为Pn(例如，关于第1个波为P1，关于第2个为P2，关于第3个为P3)。在对数衰减率的计算中，还使用第n个波的下一个出现的极小位移与极大位移之差(上述式中为An+1，图3所示的位移-时间曲线中为A4)，但在极大位移以后振动子107静止(吸附)的部分不用计在波的数量的计数中。并且，在极大位移以前振动子107静止(吸附)的部分也不用计算在波的数量的计数中。因此，图3所示的位移-时间曲线中，波的数量为3个(n＝3)。
本发明人等认为，上述对数衰减率是成为TMR磁头与磁带接触并滑动时从磁带脱离而介于磁带与TMR磁头之间的粘附性成分的量的指标的值。认为这种粘附性成分存在越多，磁带与TMR磁头的密合力越高，越妨碍磁带与TMR磁头的顺畅地滑动(滑动性下降)。相对于此，认为在上述磁带装置中所包含的磁带中上述对数衰减率为0.050以下的状态，即粘附性成分减少的状态，会有助于使磁带与TMR磁头顺畅地滑动。本发明人等推测，其结果能够抑制因与磁带的滑动而TMR磁头发生损伤，从而发生短路。
另外，上述粘附性成分的详细内容并不明确。本发明人等推测，上述粘附性成分有可能源自用作粘结剂的树脂。详细内容如下所示。作为粘结剂，如详细内容后述，能够使用各种树脂。所谓树脂为2种以上的聚合性化合物的聚合物(包含均聚物及共聚物。)，通常还包含分子量低于平均分子量的成分(以下，记载为“低分子量粘结剂成分”。)。本发明人等认为，这种低分子量粘结剂成分在磁带与TMR磁头滑动时从磁带脱离并介于磁带与TMR磁头之间，会导致滑动性的下降。而且，认为上述低分子量粘结剂成分具有粘附性，本发明人等推测，通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率成为磁带与TMR磁头滑动时从磁带脱离的低分子量粘结剂成分的量的指标。另外，在一方式中，磁性层通过将除了强磁性粉末及粘结剂以外还包含固化剂的磁性层形成用组合物直接或经由其他层涂布于非磁性支撑体上，并实施固化处理而形成。通过在此的固化处理，能够使粘结剂和固化剂进行固化反应(交联反应)。但是，虽然原因并不明确，但本发明人等认为低分子量粘结剂成分缺乏固化反应的反应性。因此，本发明人等推测，低分子量粘结剂成分难以留在磁性层中而容易从磁性层脱离，这是低分子量粘结剂成分在磁带与TMR磁头滑动时介于磁带与TMR磁头之间的原因之一。
但是，以上是本发明人等的推测，并不对本发明进行任何限定。
以下，对上述磁带装置进行进一步详细的说明。以下记载的“TMR磁头的电阻值下降”只要没有特别记载，则指在搭载有TMR磁头作为再生磁头的磁带装置中，通过TMR磁头再生记录在磁带中的信息时所发生的TMR磁头的电阻值的显著下降。
<磁带>
《对数衰减率》
在上述磁带的磁性层表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。由此，能够抑制TMR磁头的电阻值下降。从更进一步抑制TMR磁头的电阻值下降的观点考虑，上述对数衰减率优选为0.048以下，更优选为0.045以下，进一步优选为0.040以下。另一方面，从抑制TMR磁头的电阻值下降的观点考虑，上述对数衰减率越低越优选，因此下限值并没有特别限定。作为一例，对数衰减率例如可以为0.010以上或0.015以上。但是，数衰减率也可以低于上述例示出的值。将在后面叙述用于调整对数衰减率的方法的具体方式。并且，在本发明及本说明书中，“磁性层(的)表面”的含义与磁带的磁性层侧表面的含义相同。
接着，对上述磁带中所包含的磁性层等进行进一步详细的说明。
《磁性层》
(强磁性粉末)
作为磁性层中所包含的强磁性粉末，能够使用在各种磁记录介质的磁性层中通常使用的强磁性粉末。作为强磁性粉末，从提高磁带的记录密度的观点考虑，优选使用平均粒子尺寸较小的强磁性粉末。从这一点考虑，作为强磁性粉末，优选使用平均粒子尺寸为50nm以下的强磁性粉末。另一方面，从磁化稳定性的观点考虑，强磁性粉末的平均粒子尺寸优选为10nm以上。
作为强磁性粉末的优选的具体例，能够举出强磁性六方晶铁氧体粉末。从提高记录密度和磁化稳定性的观点考虑，强磁性六方晶铁氧体粉末的平均粒子尺寸优选为10nm以上且50nm以下，更优选为20nm以上且50nm以下。关于强磁性六方晶铁氧体粉末的详细内容，例如能够参考日本特开2011-225417号公报的0012～0030段、日本特开2011-216149号公报的0134～0136段及日本特开2012-204726号公报的0013～0030段。
作为强磁性粉末的优选的具体例，还能够举出强磁性金属粉末。从提高记录密度和磁化稳定性的观点考虑，强磁性金属粉末的平均粒子尺寸优选为10nm以上且50nm以下，更优选为20nm以上且50nm以下。关于强磁性金属粉末的详细内容，例如能够参考日本特开2011-216149号公报的0137～0141段及日本特开2005-251351号公报的0009～0023段。
在本发明及本说明书中，只要没有特别记载，则强磁性粉末等各种粉末的平均粒子尺寸设为使用透射型电子显微镜并通过以下的方法测定的值。
使用透射型电子显微镜，以拍摄倍率100000倍对粉末进行拍摄，以总倍率成为500000倍的方式打印在印相纸上，得到构成粉末的粒子的照片。从所得到的粒子的照片中选出目标粒子，并利用数字转换器对粒子的轮廓进行跟踪而测定粒子(一次粒子)的尺寸。一次粒子是指未凝聚的独立的粒子。
对随机抽取的500个粒子进行以上的测定。将如此得到的500个粒子的粒子尺寸的算术平均设为粉末的平均粒子尺寸。作为上述透射型电子显微镜，例如能够使用Hitachi，Ltd.制造的透射型电子显微镜H-9000型。并且，粒子尺寸的测定能够使用公知的图像分析软件、例如Carl Zeiss公司制造的图像分析软件KS-400来进行。
在本发明及本说明书中，对强磁性粉末及其他粉末的平均粒子尺寸，只要没有特别记载，则指通过上述方法求出的平均粒子尺寸。后述的实施例所示的平均粒子尺寸，只要没有特别记载，则为使用Hitachi，Ltd.制造的透射型电子显微镜H-9000型作为透射型电子显微镜、使用Carl Zeiss公司制造的图像分析软件KS-400作为图像分析软件来测定出的值。在本发明及本说明书中，所谓粉末是指多个粒子的集合。例如，所谓强磁性粉末是指多个强磁性粒子的集合。并且，所谓多个粒子的集合，并不限定于构成集合的粒子直接接触的方式，还包含后述的粘结剂、添加剂等介于粒子彼此之间的方式。有时可为了表示粉末而使用粒子这一术语。
作为为了测定粒子尺寸而从磁带中采取试样粉末的方法，例如能够采用日本特开2011-048878号公报的0015段中所记载的方法。
在本发明及本说明书中，只要没有特别记载，则关于构成粉末的粒子的尺寸(粒子尺寸)，当在上述粒子照片中观察到的粒子的形状为
(1)针状、纺锤状、柱状(其中，高度小于底面的最大长径)等时，由构成粒子的长轴的长度、即长轴长度表示，
(2)板状或柱状(其中，厚度或高度小于板面或底面的最大长径)时，由该板面或底面的最大长径表示，
(3)球形、多面体状、不特定形状等且无法由形状确定构成粒子的长轴时，由当量圆直径表示。所谓当量圆直径是指利用圆投影法求出的直径。
并且，粉末的平均针状比是指，在上述测定中测定粒子的短轴的长度、即短轴长度，求出各粒子的(长轴长度/短轴长度)的值，对上述500个粒子得到的值的算术平均。在此，只要没有特别记载，所谓短轴长度，在上述粒子尺寸的定义中为(1)的情况下，是指构成粒子的短轴的长度，同样地，在(2)的情况下，分别指厚度或高度，在(3)的情况下，由于长轴和短轴没有区别，因此为了方便起见将(长轴长度/短轴长)视为1。
而且，只要没有特别记载，则在粒子的形状特定的情况下，例如在上述粒子尺寸的定义(1)的情况下，平均粒子尺寸为平均长轴长度，在相同的粒子尺寸的定义(2)的情况下，平均粒子尺寸为平均板直径，所谓平均板状比为(最大长径/厚度或高度)的算术平均。在相同的粒子尺寸的定义(3)的情况下，平均粒子尺寸为平均直径(也称为平均粒径、平均粒子直径)。
磁性层中的强磁性粉末的含量(填充率)优选在50～90质量％的范围内，更优选在60～90质量％的范围内。磁性层的强磁性粉末以外的成分至少为选自包括粘结剂及脂肪酸及脂肪酸酰胺的组中的成分中的一种以上，能够任意地包含一种以上的进一步的添加剂。从提高记录密度的观点考虑，优选在磁性层中强磁性粉末的填充率较高。
(粘结剂)
上述磁带为涂布型磁带，在磁性层中与强磁性粉末一同包含粘结剂。作为粘结剂，使用一种以上的树脂。树脂可以是均聚物，也可以是共聚物(copoly mer)。作为粘结剂，能够使用作为涂布型磁记录介质的粘结剂而通常使用的各种树脂。例如，作为粘结剂，能够单独使用选自如下中的树脂或者将多种树脂混合使用：聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、氯乙烯树脂、将苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯等共聚而得到的丙烯酸树脂、硝基纤维素等纤维素树脂、环氧树脂、苯氧树脂、聚乙烯醇缩醛、聚乙烯醇缩丁醛等聚乙烯基烷基(polyvinyl alkyral)树脂等。在这些之中，优选的是聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、纤维素树脂及氯乙烯树脂。这些树脂在后述的非磁性层和/或背涂层中也能够用作粘结剂。关于以上的粘结剂，能够参考日本特开2010-24113号公报的0028～0031段。就用作粘结剂的树脂的平均分子量而言，作为重均分子量例如可为10,000以上且200,000以下。所谓本发明及本说明书中的重均分子量为将通过凝胶渗透色谱(GPC)测定出的值进行聚苯乙烯换算而求出的值。作为测定条件，能够举出下述条件。后述的实施例所示的重均分子量为将根据下述测定条件测定出的值进行聚苯乙烯换算而求出的值。
GPC装置：HLC-8120(TOSOH CORPORATION制造)
柱：TSKgelMultiporeHXL-M(TOSOH CORPORATION制造，7.8mmID(innerdiameter(内径))×30.0cm)
洗脱液：四氢呋喃(THF)
并且，也能够与粘结剂一同使用固化剂。在一方式中，固化剂可为通过加热进行固化反应(交联反应)的化合物即热固性化合物，在其他一方式中，可为通过光照射进行固化反应(交联反应)的光固性化合物。固化剂能够通过在磁性层形成工序中进行固化反应而以其至少一部分与粘结剂等其他成分反应(交联)的状态包含于磁性层中。优选的固化剂为热固性化合物，聚异氰酸酯为较佳。关于聚异氰酸酯的详细内容，能够参考日本特开2011-216149号公报的0124～0125段。固化剂在磁性层形成用组合物中相对于粘结剂100.0质量份例如为0～80.0质量份，从提高磁性层等各层的强度的观点考虑，能够优选以50.0～80.0质量份的量使用。
(其他成分)
磁性层中根据需要可以与上述各种成分一同包含一种以上的添加剂。添加剂能够根据所希望的性质适当地选择使用市售品。或者，也能够将利用公知的方法合成的化合物用作添加剂。作为添加剂的一例，可以举出上述固化剂。并且，作为能够包含于磁性层中的添加剂，能够举出非磁性填料、润滑剂、分散剂、分散助剂、防霉剂、抗静电剂、抗氧化剂、炭黑等。非磁性填料的含义与非磁性粉末的含义相同。作为非磁性填料，能够举出能够作为在磁性层表面上形成适度突出的突起的突起形成剂发挥功能的非磁性填料(以下，记载为“突起形成剂”。)及能够作为研磨剂发挥功能的非磁性填料(以下，记载为“研磨剂”。)。
-非磁性填料-
作为非磁性填料的一方式即突起形成剂，能够使用一般作为突起形成剂而使用的各种非磁性粉末。它们可以是无机物质，也可以是有机物质。在一方式中，从摩擦特性的均匀化的观点考虑，突起形成剂的粒度分布优选为显示单一峰的单分散，而不是在分布中具有多个峰的多分散。从单分散粒子的易获得性的观点考虑，突起形成剂优选为无机物质的粉末(无机粉末)。作为无机粉末，能够举出金属氧化物等无机氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等粉末，优选为无机氧化物的粉末。突起形成剂更优选为胶体粒子，进一步优选为无机氧化物胶体粒子。并且，从单分散粒子的易获得性的观点考虑，构成无机氧化物胶体粒子的无机氧化物优选为二氧化硅(silica)。无机氧化物胶体粒子更优选为胶态二氧化硅(二氧化硅胶体粒子)。在本发明及本说明书中，所谓“胶体粒子”是指，在至少将甲乙酮、环己酮、甲苯或乙酸乙酯、或者上述溶剂中的两种以上以任意的混合比包含的混合溶剂中的至少1种有机溶剂每100mL中添加1g时，不沉降而分散且能够提供胶体分散体的粒子。关于胶体粒子，平均粒子尺寸设为通过日本特开2011-048878号公报的0015段中作为平均粒径的测定方法而记载的方法求出的值。并且，在其他一方式中，突起形成剂还优选为炭黑。
突起形成剂的平均粒子尺寸例如为30～300nm，优选为40～200nm。
作为非磁性填料的其他一方式的研磨剂优选为莫氏硬度超过8的非磁性粉末，更优选为莫氏硬度9以上的非磁性粉末。另外，莫氏硬度的最大值为金刚石的10。具体而言，能够举出氧化铝(Al2O3)、碳化硅、碳化硼(B4C)、SiO2、TiC、氧化铬(Cr2O3)、氧化铈、氧化锆(ZrO2)、氧化铁、金刚石等粉末，其中，优选α-氧化铝等氧化铝粉末及碳化硅粉末。并且，关于研磨剂的粒子尺寸，作为粒子尺寸的指标即比表面积，例如为14m2/g以上，优选为16m2/g以上，更优选为18m2/g以上。并且，研磨剂的比表面积例如可为40m2/g以下。所谓比表面积为通过被称作氮吸附法(也被称作BET(Brunauer-Emmett-Teller：布鲁诺-埃梅特-特勒)1点法。)求出的值，设为对一次粒子测定的值。以下，将通过这种方法求出的比表面积也记载为BET比表面积。
并且，从突起形成剂及研磨剂能够更良好地发挥它们的功能的观点考虑，磁性层中的突起形成剂的含量相对于强磁性粉末100.0质量份，优选为1.0～4.0质量份，更优选为1.5～3.5质量份。另一方面，关于研磨剂，在磁性层中的含量相对于强磁性粉末100.0质量份，优选为1.0～20.0质量份，更优选为3.0～15.0质量份，进一步优选为4.0～10.0质量份。
作为在包含研磨剂的磁性层中可使用的添加剂的一例，能够举出日本特开2013-131285号公报的0012～0022段中所记载的分散剂，来作为用于提高研磨剂在磁性层形成用组合物中的分散性的分散剂。提高研磨剂等非磁性填料在磁性层形成用组合物中的分散性，在减小磁性层表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra的方面优选。
(在磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra)
在磁带中提高磁性层的表面平滑性与提高电磁转换特性有关联。关于磁性层的表面平滑性，能够将在磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra作为指标。在本发明及本说明书中，在磁带的磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra设为通过原子力显微镜(AFM；AtomicForceMicroscope)在面积40μm×40μm的区域中测定的值。作为测定条件的一例，能够举出下述测定条件。后述的实施例所示的中心线平均表面粗糙度Ra为通过在下述测定条件下的测定求出的值。
通过AFM(Veeco Instruments，Inc.制造的Nanoscope4)测定磁带的磁性层表面的面积40μm×40μm的区域。扫描速度(探针移动速度)设为40μm/秒、分辨率设为512像素×512像素。
从提高电磁转换特性的观点考虑，在一方式中，在上述磁带的磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra优选为2.8nm以下，更优选为2.5nm以下，进一步优选为2.3nm以下，更进一步优选为2.0nm以下。然而，根据本发明人等的研究，若在磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra为2.5nm以下，则不实施任何对策，就会呈现TMR磁头的电阻值发生更进一步显著下降的倾向。但是，若为本发明的一方式所涉及的磁带装置，则也能够抑制上述Ra为2.5nm以下时所发生的TMR磁头的电阻值的显著下降。并且，在磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra可为1.2nm以上或1.3nm以上。但是，从提高电磁转换特性的观点考虑，上述Ra越低越优选，因此可以低于上述例示出的值。
磁性层的表面平滑性、即在磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra能够通过公知的方法进行控制。例如，通过调整磁性层中所包含的各种粉末(例如，强磁性粉末、能够任意地包含的非磁性填料等)的尺寸、磁带的制造条件等，能够控制磁性层的表面平滑性。
《非磁性层》
接着，对非磁性层进行说明。上述磁带可以在非磁性支撑体上直接具有磁性层，也可以在非磁性支撑体与磁性层之间具有包含非磁性粉末及粘结剂的非磁性层。非磁性层中所使用的非磁性粉末可以是无机物质的粉末，也可以是有机物质的粉末。并且，也能够使用炭黑等。作为无机物质，例如可以举金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等。这些非磁性粉末能够以市售品获得，也能够利用公知的方法进行制造。关于其详细内容，能够参考日本特开2011-216149号公报的0146～0150段。关于在非磁性层中可使用的炭黑，也能够参考日本特开2010-24113号公报的0040～0041段。非磁性层中的非磁性粉末的含量(填充率)优选在50～90质量％的范围内，更优选在60～90质量％的范围内。
非磁性层的粘结剂、添加剂等的其他详细内容能够适用与非磁性层有关的公知技术。并且，例如关于粘结剂的种类及含量、添加剂的种类及含量等，也能够适用与磁性层有关的公知技术。
上述磁带的非磁性层中也包含与非磁性粉末一同含有例如杂质形式的或有意图地含有少量强磁性粉末的实质上非磁性的层。在此，所谓实质上非磁性的层是指，该层的剩磁为10mT以下或矫顽力为7.96kA/m(100Oe)以下，或者剩磁为10mT以下且矫顽力为7.96kA/m(100Oe)以下的层。非磁性层优选不具有剩磁及矫顽力。
《非磁性支撑体》
接着，对非磁性支撑体进行说明。作为非磁性支撑体(以下，简单记载为“支撑体”。)，可以举出进行了双轴拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、芳香族聚酰胺等公知非磁性支撑体。在这些之中，优选聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酰胺。这些支撑体可以预先进行电晕放电、等离子体处理、易粘接处理、加热处理等。
《背涂层》
上述磁带也能够在非磁性支撑体的与具有磁性层的表面相反的表面侧具有包含非磁性粉末及粘结剂的背涂层。背涂层中优选含有炭黑及无机粉末中的任意一方或双方。关于背涂层中所包含的粘结剂及可任意包含的各种添加剂，能够适用与磁性层和/或非磁性层的配方有关的公知技术。
《各种厚度》
非磁性支撑体的厚度优选为3.0～6.0μm。
从近年来所要求的高密度记录化的观点考虑，磁性层的厚度优选为0.15μm以下，更优选为0.1μm以下。磁性层的厚度进一步优选在0.01～0.1μm的范围内。磁性层有至少一层即可，也可以将磁性层分离成具有不同的磁特性的2层以上，能够适用与公知的多层磁性层有关的结构。分离成2层以上时的磁性层的厚度设为这些层的合计厚度。
非磁性层的厚度例如为0.1～1.5μm，优选为0.1～1.0μm。
然而，磁带通常容纳于磁带盒中流通并使用。为了提高每1盘磁带盒的记录容量，优选加长收容于1盘磁带盒的磁带总长。因此，要求将磁带弄薄(以下，记载为“薄型化”。)。作为用于磁带的薄型化的方法之一，对于在非磁性支撑体上依次具有非磁性层和磁性层的磁带，可以举出弄薄磁性层与非磁性层的合计厚度。当上述磁带具有非磁性层时，从磁带的薄型化的观点考虑，磁性层与非磁性层的合计厚度优选为1.8μm以下，更优选为1.5μm以下，进一步优选为1.1μm以下。根据本发明人等的研究，若磁性层与非磁性层的合计厚度为1.1μm以下，则不实施任何对策，就会呈现TMR磁头的电阻值发生更进一步显著下降的倾向。但是，若为本发明的一方式所涉及的磁带装置，则也能够抑制磁性层与非磁性层的合计厚度为1.1μm以下时所发生的TMR磁头的电阻值的显著下降。并且，磁性层与非磁性层的合计厚度例如可为0.1μm以上或0.2μm以上。
背涂层的厚度优选为0.9μm以下，进一步优选在0.1～0.7μm的范围内。
磁带的各层及非磁性支撑体的厚度能够通过公知的膜厚测定法来求出。作为一例，例如通过离子束、切片机等公知的方法使磁带的厚度方向的剖面露出之后，在露出的剖面上使用扫描型电子显微镜进行剖面观察。在剖面观察时能够作为在厚度方向的1个部位求出的厚度或在随机抽取的2个部位以上的多个部位例如2个部位求出的厚度的算术平均而求出各种厚度。或者，各层的厚度也可以作为根据制造条件计算出的设计厚度而求出。
《制造方法》
(各层形成用组合物的制备)
用于形成磁性层、非磁性层或背涂层的组合物中，通常与前面说明的各种成分一同包含溶剂。作为溶剂，能够使用为了制造涂布型磁记录介质而一般使用的各种有机溶剂。其中，从涂布型磁记录介质中通常使用的粘结剂的溶解性的观点考虑，各层形成用组合物中优选包含丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、二异丁基酮、环己酮、异佛尔酮、四氢呋喃等酮溶剂中的一种以上。各层形成用组合物中的溶剂量并没有特别限定，可以与通常的涂布型磁记录介质的各层形成用组合物相同。并且，制备各层形成用组合物的工序通常能够至少包含混炼工序、分散工序及在这些工序的前后根据需要设置的混合工序。各个工序也可以分别分为2个阶段以上。本发明中使用的所有原料可以在任何工序的最初或中途添加。并且，也可以将各原料在2个以上的工序中分开添加。例如，可以将粘结剂在混炼工序、分散工序及用于调节分散后的粘度的混合工序中分开投入。在磁带的制造工序中，能够在一部分或所有的工序中使用现有的公知的制造技术。在混炼工序中，优选使用敞开式捏合机、连续捏合机、加压捏合机、挤压机等具有较强的混炼力的捏合机。关于这些混炼处理的详细内容，记载于日本特开平1-106338号公报及日本特开平1-79274号公报中。并且，为了使各层形成用组合物分散，能够使用玻璃珠和/或其他珠。作为这种分散珠，作为高比重的分散珠的氧化锆珠、二氧化钛珠及钢珠为较佳。这些分散珠优选将珠径和填充率最佳化后使用。分散机能够使用公知的分散机。
(涂布工序、冷却工序、加热干燥工序、抛光处理工序、固化工序)
磁性层能够通过将磁性层形成用组合物直接涂布于非磁性支撑体上或者与非磁性层形成用组合物逐次或同时进行多层涂布而形成。关于用于形成各层的涂布的详细内容，能够参考日本特开2010-231843号公报的0066段。
在优选的在一方式中，能够经如下工序的磁性层形成工序来形成磁性层：通过将包含强磁性粉末、粘结剂、固化剂及溶剂的磁性层形成用组合物直接或经由其他层涂布于非磁性支撑体上而形成涂布层的涂布工序；通过加热处理对涂布层进行干燥的加热干燥工序；及对涂布层实施固化处理的固化工序。磁性层形成工序优选在涂布工序与加热干燥工序之间包含对涂布层进行冷却的冷却工序，优选进一步在加热干燥工序与固化工序之间包含对上述涂布层表面进行抛光(burnish)处理的抛光处理工序。
本发明人等认为，在上述磁性层形成工序中实施冷却工序及抛光处理工序是用于将对数衰减率设为0.050以下的优选的方法。详细内容如下所示。
本发明人等推测，在涂布工序与加热干燥工序之间进行对涂布层进行冷却的冷却工序，有助于使TMR磁头与磁带接触并滑动时从磁带(详细而言为磁性层表面)脱离的粘附性成分局部存在于上述涂布层的表面和/或表面附近的表层部分。本发明人等推测，这是因为通过在加热干燥工序之前对磁性层形成用组合物的涂布层进行冷却，在加热干燥工序中的溶剂挥发时粘附性成分容易迁移到涂布层表面和/或表层部分。但是，其原因并不明确。而且，本发明人等认为，通过对粘附性成分局部存在于表面和/或表层部分的涂布层的表面进行抛光处理，能够去除粘附性成分。本发明人等推测，如此去除粘附性成分之后进行固化工序，这与将对数衰减率设为0.050以下有关联。但是，以上只不过是推测，并不对本发明进行任何限定。
如上所述，磁性层形成用组合物能够与非磁性层形成用组合物逐次或同时进行多层涂布。在优选的一方式中，上述磁带能够通过逐次多层涂布来进行制造。包含逐次多层涂布的制造工序能够优选如以下那样进行。经如下工序来形成非磁性层：通过将非磁性层形成用组合物涂布于非磁性支撑体上而形成涂布层的涂布工序；及通过加热处理对所形成的涂布层进行干燥的加热干燥工序。经如下工序来形成磁性层：通过在如此形成的非磁性层上涂布磁性层形成用组合物而形成涂布层的涂布工序；及通过加热处理对所形成的涂布层进行干燥的加热干燥工序。
以下，基于图4对上述制造方法的具体方式进行说明。但是，本发明并不限定于下述具体方式。
图4是表示制造在非磁性支撑体的一个面上依次具有非磁性层和磁性层且在另一个面上具有背涂层的磁带的工序的具体方式的工序概略图。在图4所示的方式中，对于非磁性支撑体(长条薄膜)，连续进行从送出部送出并由卷取部卷取的操作，且在图4所示的各部或各区域进行涂布、干燥、取向等各种处理，由此能够在行进的非磁性支撑体上的一个面上通过逐次多层涂布来形成非磁性层及磁性层，且在另一个面上形成背涂层。这种制造方法在磁性层形成工序中包含冷却区域，且在固化处理前包含抛光处理工序，除了这一点以外，可以与为了制造涂布型磁记录介质而通常进行的制造方法相同。
在从送出部送出的非磁性支撑体上，在第一涂布部进行非磁性层形成用组合物的涂布(非磁性层形成用组合物的涂布工序)。
在上述涂布工序之后，通过在第一加热处理区域中对涂布工序中所形成的非磁性层形成用组合物的涂布层进行加热而对涂布层进行干燥(加热干燥工序)。加热干燥工序能够通过使具有非磁性层形成用组合物的涂布层的非磁性支撑体在加热环境中通过而进行。在此的加热环境的环境温度例如能够设为60～140℃左右。但是，只要设为能够使溶剂挥发而使涂布层干燥的温度即可，并不限定于上述范围。并且，可以任意地将经加热的气体吹向涂布层表面。以上几点对于后述的第二加热处理区域中的加热干燥工序及第三加热处理区域中的加热干燥工序也相同。
接着，在第二涂布部，在第一加热处理区域中进行加热干燥工序而形成的非磁性层上涂布磁性层形成用组合物(磁性层形成用组合物的涂布工序)。
在上述涂布工序之后，在冷却区域中对涂布工序中所形成的磁性层形成用组合物的涂布层进行冷却(冷却工序)。例如，能够通过使在非磁性层上形成有上述涂布层的非磁性支撑体在冷却环境中通过而进行冷却工序。冷却环境的环境温度能够优选设在-10℃～0℃的范围内，更优选设在-5℃～0℃的范围内。进行冷却工序的时间(例如，从涂布层的任意部分被搬入冷却区域至搬出为止的时间(以下，也称为“滞留时间”。))并没有特别限定。滞留时间越长，对数衰减率的值具有越变小的倾向，因此为了能够实现0.050以下的对数衰减率，优选根据需要进行预备实验等来进行调整。另外，在冷却工序中，可以将经冷却的气体吹向涂布层表面。
然后，在磁性层形成用组合物的涂布层处于湿润状态的期间，在取向区域中进行涂布层中的强磁性粉末的取向处理。关于取向处理，能够参考日本特开2010-231843号公报的0067段。
取向处理后的涂布层在第二加热处理区域中实施加热干燥工序。
接着，在第三涂布部，在非磁性支撑体的与形成有非磁性层及磁性层的面相反的一侧的面上涂布背涂层形成用组合物而形成涂布层(背涂层形成用组合物的涂布工序)。然后，在第三加热处理区域中对上述涂布层进行加热处理而使其干燥。
如此，能够得到在非磁性支撑体的一个面上具有在非磁性层上加热干燥的磁性层形成用组合物的涂布层且在另一个面上具有背涂层的磁带。然后，在此得到的磁带实施后述的各种处理之后成为产品磁带。
所得到的磁带在卷取到卷取部之后，被裁剪(切割)成产品磁带的尺寸。切割能够使用公知的裁剪机来进行。
被切割的磁带在进行与磁性层形成用组合物中所包含的固化剂的种类相应的固化处理(加热、光照射等)之前，将经加热干燥的磁性层形成用组合物的涂布层的表面进行抛光处理(加热干燥工序与固化工序之间的抛光处理工序)。本发明人等推测，通过该抛光处理能够去除在冷却区域中被冷却而迁移到涂布层表面和/或表层部分的粘附性成分，这与将上述对数衰减率设为0.050以下相关联。但是，如前面所记载，这只不过是推测，并不对本发明进行任何限定。
抛光处理为利用部件(例如研磨胶带或磨削用刀片、磨削用砂轮等磨削工具)对处理对象的表面进行摩擦的处理，为了制造涂布型磁记录介质，能够与公知的抛光处理同样地进行。但是，以往没有在经冷却工序及加热干燥工序之后，固化工序之前的阶段进行抛光处理。相对于此，通过在上述阶段进行抛光处理，能够将上述对数衰减率设为0.050以下。这一点是由本发明人等新发现的。
抛光处理能够优选通过进行利用研磨胶带对处理对象的涂布层表面进行摩擦(研磨)的处理及利用磨削工具对处理对象涂布层表面进行摩擦(磨削)的处理中的一方或双方来实施。当磁性层形成用组合物包含研磨剂时，优选使用包含至少一种莫氏硬度比该研磨剂高的研磨剂的研磨胶带。作为研磨胶带，可以使用市售品，也可以使用利用公知的方法制作出的研磨胶带。并且，作为磨削工具，能够使用固定式刀片、金刚石砂轮、旋转式刀片等公知的磨削用刀片、磨削用砂轮等。并且，也可以进行利用擦拭材料对利用研磨胶带和/或磨削工具进行了摩擦的涂布层表面进行擦拭的擦拭(wiping)处理。关于优选的研磨胶带、磨削工具、抛光处理及擦拭处理的详细内容，能够参考日本特开平6-52544号公报的0034～0048段、图1及该公报的实施例。越是加强抛光处理，上述对数衰减率的值具有越变小的倾向。越是使用高硬度的研磨剂作为研磨胶带中所包含的研磨剂，越能够加强抛光处理，越增加研磨胶带中的研磨剂量，越能够加强抛光处理。并且，越是使用高硬度的磨削工具作为磨削工具，越能够加强抛光处理。关于抛光处理条件，越加快处理对象的涂布层表面与部件(例如研磨胶带或磨削工具)的滑动速度，越能够加强抛光处理。能够通过加快使部件移动的速度及使处理对象的磁带移动的速度的一方或双方来加快上述滑动速度。
在上述抛光处理(抛光处理工序)后，对磁性层形成用组合物的涂布层实施固化处理。在图4所示的方式中，磁性层形成用组合物的涂布层在抛光处理后且在固化处理前，实施表面平滑化处理。表面平滑化处理优选通过砑光机(calender)处理来进行。砑光机处理的详细内容例如能够参考日本特开2010-231843号公报的0026段。越加强砑光机处理，能够使磁带表面变得越平滑。越提高砑光机辊的表面温度(砑光机温度)和/或越加大砑光机压力，越能够加强砑光机处理。
然后，对磁性层形成用组合物的涂布层实施与该涂布层中所包含的固化剂的种类相应的固化处理(固化工序)。固化处理能够通过加热处理、光照射等与上述涂布层中所包含的固化剂的种类相应的处理来进行。固化处理条件并没有特别限定，根据涂布层形成中所使用的磁性层形成用组合物的配方、固化剂的种类、涂布层的厚度等适当地设定即可。例如，当使用包含聚异氰酸酯作为固化剂的磁性层形成用组合物来形成涂布层时，固化处理优选为加热处理。另外，当磁性层以外的层中包含固化剂时，该层的固化反应也能够通过在此的固化处理来进行。或者，可以另行设置固化工序。另外，可以在固化工序之后进一步进行抛光处理。
通过以上，能够得到在磁带的磁性层表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下的磁带。但是，上述制造方法为例示，能够通过能够调整对数衰减率的任意的方法来实现0.050以下的对数衰减率，这种方式也包含于本发明中。
为了能够在磁带装置中进行头部跟踪伺服，以上说明的磁带也能够通过公知的方法形成伺服图案。磁带通常容纳于磁带盒中，磁带盒安装于磁带装置中。在磁带盒中，一般而言，磁带以卷取到卷盘(reel)上的状态容纳于盒主体内部。卷盘可旋转地具备在盒主体内部。作为磁带盒，广泛使用在盒主体内部具备1个卷盘的单卷盘型的磁带盒及在盒主体内部具备2个卷盘的双卷盘型的磁带盒。单卷盘型的磁带盒，若为了在磁带中记录和/或再生数据(磁信号)而安装于磁带装置(驱动器)中，则从磁带盒中拉出磁带并卷取到驱动器侧的卷盘上。在磁带盒至卷取卷盘的磁带输送路径上配置有磁头。在磁带盒侧的卷盘(供给卷盘)与驱动器侧的卷盘(卷取卷盘)之间进行磁带的送出和卷取。在此期间，磁头与磁带的磁性层表面接触并滑动，由此进行磁信号的记录和/或再生。相对于此，双卷盘型的磁带盒中，供给卷盘和卷取卷盘这两个卷盘具备在磁带盒内部。本发明的一方式所涉及的磁带可以容纳于单卷盘型及双卷盘型中的任意一种磁带盒中。磁带盒的结构是公知的。
<再生磁头>
上述磁带装置包含TMR磁头作为再生磁头。TMR磁头为包含隧道磁阻效应型元件(TMR元件)的磁头。TMR元件作为用于再生记录在磁带中的信息(详细而言为记录在磁带的磁性层中的信息)的再生元件，能够发挥利用隧道磁阻效应将来自磁带的漏磁场的变化作为电阻值(电阻)的变化而检测的作用。通过检测出的电阻值的变化转换成电压的变化，并能够再生记录在磁带中的信息。
作为上述磁带装置中所包含的TMR磁头，能够使用包含隧道磁阻效应型元件(TMR元件)的公知结构的TMR磁头。例如，关于TMR磁头的结构、构成TMR磁头的各部的材料等的详细内容，能够适用与TMR磁头有关的公知技术。
TMR磁头为所谓的薄膜磁头。TMR磁头中所包含的TMR元件至少具有2个电极层、隧道阻挡层、自由层及固定层。TMR磁头以这些层的剖面朝向与磁带进行滑动的面的一侧的状态包含TMR元件。隧道阻挡层位于2个电极层之间，隧道阻挡层为绝缘层。另一方面，自由层及固定层为磁性层。自由层也被称作磁化自由层，是磁化方向因外部磁场而发生变化的层。相对于此，固定层为磁化方向不因外部磁场而发生变化的层。由于隧道阻挡层(绝缘层)位于2个电极之间，因此即使施加电压，通常几乎也不会有电流流过。但是，由于受到来自磁带的漏磁场的影响的自由层的磁化方向，通过隧道效果而电流(隧道电流)流过。隧道电流流过的量根据固定层的磁化方向与自由层的磁化方向的相对角度而发生变化，相对角度越小，隧道电流流过的量越多。该隧道电流流过的量的变化通过隧道磁阻效应被检测为电阻值的变化。而且，通过将该电阻值的变化转换成电压的变化，能够再生记录在磁带中的信息。关于TMR磁头的结构的一例，例如能够参考日本特开2004-185676号公报的图1。但是，并不限定于该附图所示的方式。日本特开2004-185676号公报的图1中，示有2个电极层和2个屏蔽层。但是，屏蔽层兼作电极层的结构的TMR磁头也是公知的，也能够使用这种结构的TMR磁头。TMR磁头中，通过隧道磁阻效应，电流(隧道电流)流过2个电极之间而电阻发生变化。由于TMR磁头为具有CPP结构的磁头，因此电流流过的方向为磁带的输送方向。另外，在本发明及本说明书中，所谓“正交”为包含在本发明所属的技术领域内所容许的误差的范围。所谓上述误差的范围例如是指小于严格的正交±10°的范围，优选在严格的正交±5°以内，更优选在±3°以内。所谓TMR磁头的电阻值下降为电阻测定器与将2个电极相连的配线接触而测定的电阻的下降，是指没有电流流过的状态下的2个电极之间的电阻的下降。该电阻的显著下降成为电磁转换特性下降的原因。通过使用上述对数衰减率为0.050以下的磁带作为记录有应再生的信息的磁带，能够抑制该TMR磁头的电阻值下降。
上述再生磁头为至少包含TMR元件作为用于再生记录在磁带中的信息的再生元件的磁头。这种磁头中可以包含用于在磁带中记录信息的元件，也可以不包含。即，再生磁头和记录头可以是1个磁头，也可以是分离的磁头。并且，包含TMR元件作为再生元件的磁头中可以包含用于进行头部跟踪伺服的伺服图案读取元件。
上述磁带装置中的磁带输送速度越快，越能够缩短再生时间。另一方面，在抑制记录再生特性的劣化方面，优选将磁带输送速度低速化。从抑制记录再生特性的劣化的观点考虑，磁带输送速度优选为18m/秒以下，更优选为15m/秒以下，进一步优选为10m/秒以下。并且，磁带输送速度例如可为1m/秒以上。
所谓磁带输送速度也被称作行进速度，是为了再生记录在磁带中的信息而在磁带装置内输送(行进)磁带时的磁带与再生磁头的相对速度，通常由磁带装置的控制部进行设定。认为磁带输送速度越慢，再生时TMR磁头的同一部位与磁带接触的时间变得更长，因此更容易发生TMR磁头的损伤，容易引起电阻值下降。在本发明的一方式所涉及的磁带装置中，能够通过使用上述对数衰减率为0.050以下的磁带来抑制这种电阻值下降。
[磁再生方法]
本发明的一方式为磁再生方法，其包含通过再生磁头再生记录在磁带中的信息，其中，
上述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件作为再生元件的磁头，
上述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且
在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。
记录在磁带中的信息的再生是通过一边输送磁带(一边使其行进)一边使磁带与再生磁头接触并滑动来进行的。上述磁再生方法中的再生的详细内容、上述磁再生方法中所使用的磁带及再生磁头的详细内容，如对前面本发明的一方式所涉及的磁带装置所记载。
另外，根据本发明的一方式，还提供一种磁带，其使用于使用TMR磁头作为再生磁头的磁带装置中，其中，在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且在上述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。这种磁带的详细内容，也如对前面本发明的一方式所涉及的磁带装置所记载。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行说明。但是，本发明并不限定于实施例所示的方式。以下所记载的“份”、“％”的表示，只要没有特别指定，则表示“质量份”、“质量％”。
[实施例1]
1.磁带的制作
(1)氧化铝分散物的制备
对α化率约65％、BET比表面积20m2/g的氧化铝粉末(Sumitomo Chemical Co.，Ltd.制造的HIT-80)100.0份混合2，3-二羟基萘(Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造)3.0份、具有SO3Na基作为极性基团的聚酯聚氨酯树脂(TOYOBOCO.，LTD.制造的UR-4800(极性基团量：80meq/kg))的32％溶液(溶剂为甲乙酮与甲苯的混合溶剂)31.3份、混合作为溶剂的甲乙酮与环己酮1∶1(质量比)的混合溶液570.0份，在氧化锆珠的存在下，利用涂料搅拌器使其分散5小时。分散后，利用网将分散液和珠进行分离而得到了氧化铝分散物。
(2)磁性层形成用组合物配方
(磁性液体)
强磁性六方晶钡铁氧体粉末100.0份
平均粒子尺寸(平均板直径)：21nm
含有SO3Na基的聚氨酯树脂14.0份
重均分子量：70,000、SO3Na基：0.2meq/g
环己酮150.0份
甲乙酮150.0份
(研磨剂液体)
上述(1)中制备出的氧化铝分散物6.0份
(二氧化硅溶胶)
胶态二氧化硅2.0份
平均粒子尺寸：参考表1
甲乙酮1.4份
(其他成分)
硬脂酸2.0份
硬脂酰胺0.2份
硬脂酸丁酯2.0份
聚异氰酸酯(Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造的CORONATE(注册商标)L)2.5份
(精加工添加溶剂)
环己酮200.0份
甲乙酮200.0份
(3)非磁性层形成用组合物配方
非磁性无机粉末：α-氧化铁100.0份
平均粒子尺寸(平均长轴长度)：0.15μm
平均针状比：7
BET比表面积：52m2/g
炭黑20.0份
平均粒子尺寸：20nm
氯乙烯共聚物13.0份
含有SO3Na基的聚氨酯树脂9.0份
重均分子量：70,000、SO3Na基：0.2meq/g
苯基膦酸3.0份
硬脂酸2.0份
硬脂酰胺0.2份
硬脂酸丁酯2.0份
环己酮300.0份
甲乙酮300.0份
(4)背涂层形成用组合物配方
非磁性无机粉末：α-氧化铁80.0份
平均粒子尺寸(平均长轴长度)：0.15μm
平均针状比：7
BET比表面积：52m2/g
炭黑20.0份
平均粒子尺寸：20nm
氯乙烯共聚物13.0份
含有SO3Na基的聚氨酯树脂6.0份
苯基膦酸3.0份
甲乙酮155.0份
硬脂酸3.0份
硬脂酸丁酯3.0份
聚异氰酸酯5.0份
环己酮355.0份
(5)各层形成用组合物的制备
通过以下的方法制备出磁性层形成用组合物。通过使用间歇式立式砂磨机将各成分分散(珠分散)24小时而制备出上述磁性液体。作为分散珠，使用了珠径0.1mm的氧化锆珠。使用上述砂磨机，将制备出的磁性液体及上述研磨剂液体与其他成分(二氧化硅溶胶、其他成分及精加工添加溶剂)混合并进行5分钟珠分散之后，利用间歇式超声波装置(20kHz、300W)进行了0.5分钟处理(超声波分散)。然后，使用具有0.5μm的平均孔径的过滤器进行过滤，制备出磁性层形成用组合物。
通过以下的方法制备出非磁性层形成用组合物。使用间歇式立式砂磨机将除润滑剂(硬脂酸、硬脂酰胺及硬脂酸丁酯)、环己酮及甲乙酮以外的各成分分散24小时而得到了分散液。作为分散珠，使用了珠径0.1mm的氧化锆珠。然后，在所得到的分散液中添加剩余的成分，并在溶解器中进行了搅拌。将如此得到的分散液使用具有0.5μm的平均孔径的过滤器进行过滤，制备出非磁性层形成用组合物。
通过以下的方法制备出背涂层形成用组合物。使用敞开式捏合机将除润滑剂(硬脂酸及硬脂酸丁酯)、聚异氰酸酯以及环己酮以外的各成分进行混炼及稀释之后，通过卧式珠磨分散机并使用珠径1mm的氧化锆珠，在珠填充率80体积％、转子前端圆周速度10m/秒下，将每1次的滞留时间设为2分种而进行了12次分散处理。然后，在所得到的分散液中添加剩余的成分，并在溶解器中进行了搅拌。将如此得到的分散液使用具有1μm的平均孔径的过滤器进行过滤，制备出背涂层形成用组合物。
(6)磁带的制作方法
通过图4所示的具体的方式制作出磁带。详细而言，如下所示。
将厚度5.0μm的聚萘二甲酸乙二酯制支撑体从送出部送出，在一个表面上以在第一涂布部干燥后的厚度成为表1所示的厚度的方式涂布上述(5)中制备出的非磁性层形成用组合物，并在第一加热处理区域(环境温度100℃)中对其进行干燥而形成了涂布层。
然后，在第二涂布部，将上述(5)中制备出的磁性层形成用组合物以干燥后的厚度成为表1所示的厚度的方式涂布于非磁性层上而形成了涂布层。在所形成的涂布层处于湿润状态的期间，使其在环境温度调整为0℃的冷却区域通过表1所示的滞留时间而进行冷却工序，进一步在取向区域中沿垂直方向施加磁场强度0.3T的磁场而进行垂直取向处理之后，在第二加热处理区域(环境温度100℃)中对其进行了干燥。
然后，在第三涂布部，在上述聚萘二甲酸乙二酯制支撑体的与形成有非磁性层及磁性层的表面相反的一侧的表面上以干燥后的厚度成为0.5μm的方式涂布上述(5)中制备出的背涂层形成用组合物而形成涂布层，并在第三加热处理区域(环境温度100℃)中对所形成的涂布层进行了干燥。
将如此得到的磁带切割成1/2英寸(0.0127米)的宽度之后，进行了磁性层形成用组合物的涂布层表面的抛光处理及擦拭处理。抛光处理及擦拭处理在日本特开平6-52544号公报的图1中所记载的结构的处理装置中，使用市售的研磨胶带(FUJIFILM Corporation制造的商品名称MA22000，研磨剂：金刚石/Cr2O3/三氧化二铁)作为研磨胶带，使用市售的蓝宝石刀片(KYOCERA Corp ration制造，宽度5mm、长度35mm、前端角度60度)作为磨削用刀片，并使用市售的擦拭材料(KURARAY CO.，LTD.制造的商品名称WRP736)作为擦拭材料来进行。处理条件采用了日本特开平6-52544号公报的实施例12中的处理条件。
上述抛光处理及擦拭处理后，利用仅由金属辊构成的砑光机辊，在速度80m/分钟、线压300kg/cm(294kN/m)及表1所示的砑光机温度(砑光机辊的表面温度)下进行了砑光机处理(表面平滑化处理)。
然后，在环境温度70℃的环境中进行36小时固化处理(加热处理)之后，通过市售的伺服写入器在磁性层上形成了伺服图案。
通过以上得到了磁带。
通过以下的方法求出了所制作出的磁带的各层厚度。确认到所形成的非磁性层及磁性层的厚度为表1所示的厚度，背涂层及非磁性支撑体的厚度为上述厚度。
利用离子束使磁带的厚度方向的剖面露出之后，在露出的剖面上通过扫描型电子显微镜进行了剖面观察。作为剖面观察时在厚度方向的2处求出的厚度的算术平均而求出了各种厚度。
将通过以上的方法制作出的磁带的一部分使用于下述评价，并将另一部分使用于后述的TMR磁头的电阻值测定。
2.磁带的物性评价
(1)在磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra
使用原子力显微镜(AFM，Veeco Instruments，Inc.制造的Nanoscope4)，在磁带的磁性层表面上对测定面积40μm×40μm的范围进行测定，求出了中心线平均表面粗糙度Ra。扫描速度(探针移动速度)设为40μm/秒，分辨率设为512像素×512像素。
(2)对数衰减率的测定
使用A&D Company，Limited制造的刚体摆式物性试验器RPT-3000W(振动子：黄铜制、基板：玻璃基板，基板升温速度5℃/min)作为测定装置，通过前面记载的方法求出了磁带的磁性层表面的对数衰减率。将从磁带切出的测定用试样在约3cm×约5cm的尺寸的玻璃基板上利用固定用胶带(DU PONT-TORAY CO.，LTD.制造的Kapton Tape)如图1所示那样固定4处并载置。将吸附时间设为1秒钟且将测定间隔设为7～10秒，对第86次测定间隔制作位移-时间曲线，使用该曲线求出了对数衰减率。测定在相对湿度约50％的环境下进行。
3.再生磁头的电阻值测定
将上述1.中制作出的磁带安装于固定有记录头及再生磁头的1/2英寸(0.0127米)卷盘试验机中并进行了信息的记录及再生。使用MIG(Metal-In-Gap：金属有隙)磁头(间隙长度0.15μm、磁道宽度1.0μm)作为记录头，并使用作为HDD用再生磁头而市售的TMR磁头(元件宽度70nm)作为再生磁头。磁带的带长为1000m，将进行再生时的磁带输送速度(磁带与磁头的相对速度)设为4m/秒而进行了合计4,000次磁带的输送(行进)。每1次使再生磁头沿磁带的宽度方向各移动2.5μm，每输送400次时测定再生磁头的电阻值(电阻)，通过以下的式求出了电阻值相对于初始值(第0次的电阻值)的下降率。
电阻值下降率(％)＝[(初始值-输送400次后的电阻值)/初始值]×100
电阻值(电阻)的测定是使电阻测定器(Sanwa Electric Instrument Co.，Ltd.制造的数字式万用表(型号：DA-50C))与将TMR磁头中所包含的TMR元件的2个电极相连的配线接触而进行的。当计算出的电阻值下降率为30％以上时，判断为发生了电阻值下降而将再生磁头更换成新的磁头，并进行接下来的400次以后的输送及电阻值测定。电阻值下降次数为1次以上是指电阻值显著下降。在4,000次行进中电阻值下降率1次也未成为30％以上时，将电阻值下降次数设为0次。将电阻值下降次数为0次时测定出的电阻值下降率的最大值示于表1。
[实施例2～6、比较例1～11]
1.磁带的制作
如表1所示那样变更表1所示的各种条件，除此以外，与实施例1同样地制作出磁带。
表1中，冷却区域滞留时间栏中记载为“未实施”的比较例中，通过不包含冷却区域的制造工序来制作出磁带。
表1中，固化处理前抛光处理栏中记载为“未实施”的比较例中，通过在实施上述固化处理之前的工序中未进行抛光处理及其之后的擦拭处理的制造工序来制作出磁带。
通过以上的工序，制作出实施例2～6及比较例1～11的各磁带。
2.磁带的物性评价
与实施例1同样地评价了所制作出的磁带的各种物性。
3.再生磁头的电阻值测定
使用所制作出的磁带，通过与实施例1相同的方法进行了再生磁头的电阻值测定。实施例2～6及比较例6～11中，使用与实施例1相同的TMR磁头作为再生磁头。比较例1～5中，使用市售的自旋阀型GMR磁头(元件宽度70nm)作为再生磁头。该GMR磁头为具有如下CIP结构的磁头，即，在与磁带的输送方向正交的方向上隔着MR元件而具有2个电极。使电阻测定器与将这2个电极相连的配线接触而与实施例1同样地进行了电阻值测定。
将以上的结果示于表1。
Figure GDA0002842917380000301
如表1所示，使用GMR磁头作为再生磁头的比较例1～5中，即使在磁带的磁性层表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率超过0.050，也未观察到再生磁头的电阻值的显著下降。相对于此，使用TMR磁头作为再生磁头且在磁带的磁性层表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率超过0.050的比较例6～11中，发生了再生磁头的电阻值的显著下降。
相对于此，使用TMR磁头作为再生磁头且在磁带的磁性层表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下的实施例1～6中，能够抑制再生磁头的电阻值的显著下降。
产业上的可利用性
本发明在期望以高灵敏度再生被高密度记录的信息的磁记录用途中有用。

Claims (12)

1.一种磁带装置，其包含磁带和再生磁头，
所述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件作为再生元件的磁头，
所述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且在所述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。
2.根据权利要求1所述的磁带装置，其中，
所述对数衰减率为0.010以上且0.050以下。
3.根据权利要求1或2所述的磁带装置，其中，
在所述磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra为2.8nm以下。
4.根据权利要求3所述的磁带装置，其中，
所述中心线平均表面粗糙度Ra为2.5nm以下。
5.根据权利要求1或2所述的磁带装置，其中，
所述磁带在所述非磁性支撑体与所述磁性层之间具有包含非磁性粉末及粘结剂的非磁性层，
所述磁性层与所述非磁性层的合计厚度为1.8μm以下。
6.根据权利要求5所述的磁带装置，其中，
所述磁性层与所述非磁性层的合计厚度为1.1μm以下。
7.一种磁再生方法，其包含通过再生磁头将记录在磁带中的信息再生的步骤，
所述再生磁头为包含隧道磁阻效应型元件作为再生元件的磁头，
所述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，且在所述磁性层的表面上通过摆式粘弹性试验求出的对数衰减率为0.050以下。
8.根据权利要求7所述的磁再生方法，其中，
所述对数衰减率为0.010以上且0.050以下。
9.根据权利要求7或8所述的磁再生方法，其中，
在所述磁性层的表面上测定的中心线平均表面粗糙度Ra为2.8nm以下。
10.根据权利要求9所述的磁再生方法，其中，
所述中心线平均表面粗糙度Ra为2.5nm以下。
11.根据权利要求7或8所述的磁再生方法，其中，
所述磁带在所述非磁性支撑体与所述磁性层之间具有包含非磁性粉末及粘结剂的非磁性层，
所述磁性层与所述非磁性层的合计厚度为1.8μm以下。
12.根据权利要求11所述的磁再生方法，其中，
所述磁性层与所述非磁性层的合计厚度为1.1μm以下。
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