JP2005311167A - トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 TMR素子に関する安定性及び信頼性の確認を、極めて容易にかつ素子を破壊することなしに行うことができるTMR素子の検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】 TMR素子の初期抵抗値を測定して第1の抵抗値とし、TMR素子に非基板方向(上方)から基板方向(下方)へ電流を流すことにより所定時間通電した後の抵抗値を測定して第2の抵抗値とし、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較してこのTMR素子の評価を行う。
【選択図】 図1
【解決手段】 TMR素子の初期抵抗値を測定して第1の抵抗値とし、TMR素子に非基板方向(上方)から基板方向(下方)へ電流を流すことにより所定時間通電した後の抵抗値を測定して第2の抵抗値とし、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較してこのTMR素子の評価を行う。
【選択図】 図1
Description
本発明は、トンネル磁気抵抗効果(TMR)を利用したヘッド素子や磁気抵抗メモリ(MRAM)等のTMR素子の検査方法及び装置に関する。
磁気抵抗効果(MR)ヘッド素子を備えた磁気ヘッドを製造した後又はその製造途中において、それが良品であるか又は不良品であるかを評価することが通常は行われる。この評価は、バルクハウゼンノイズ(BHN)を含むランダムテレグラフノイズ(RTN)が発生するか否かによる安定性の確認、及び破壊電圧が充分大きいか否かによる長時間の使用に耐え得る信頼性の確認によって行われる。
安定性の確認は、全ての磁気ヘッドに対してダイナミックパフォーマンス(DP)テスタ等を用いて動作試験を行い、再生出力が一定時間、RTN発生等により閾値を越えないことを確認することによって行われる。しかしながら、RTNは突発性のノイズであることから、その一定時間内には発生しないこともあり、また、発生したとしても、そのレベルが閾値より低く検出されない場合も存在する。
特許文献1には、TMRヘッド素子ではない通常のMRヘッド素子の安定性を検査する方法として、このMRヘッド素子に交流の記録電流と直流の外部磁界とを印加した後に再生特性を測定することを複数回繰り返してMRヘッド素子の再生出力変動を評価する検査方法が開示されている。
特許文献1に示したごとき検査方法によると、外部磁界印加のための磁界発生装置が必要となるのみならず、外部磁界を印加することによりMRヘッド素子のバイアス磁界に悪影響が発生する。しかも、突発性のノイズであるRTNは、この方法によっても確実に検出することが難しかった。
また、従来の信頼性を確認するための破壊電圧を測定する方法は、磁気ヘッドを実際に破壊してしまうため、全数検査には使用することができない。
このような不都合を解決するため、本出願人は、TMR素子の基板方向(下方)から非基板方向(上方)へ電流を流し、その初期抵抗値と所定時間通電後の抵抗値との比からなる変化率を閾値と比較することによって、TMR素子の良品、不良品の検査を行う方法及び装置を先に提案している(特願2004−62031号、平成16年3月5日出願)。
しかしながら、この検査方法によると、良品、不良品の評価を行うための抵抗値変化率の閾値を、通電時間、通電電圧及びTMR素子材料に応じて、その都度設定しなければならないため、検査処理が非常に煩雑となり、容易に良品、不良品の評価を行うことが難しかった。
従って本発明の目的は、TMR素子に関する安定性及び信頼性の確認を、極めて容易にかつ素子を破壊することなしに行うことができるTMR素子の検査方法及び装置を提供することにある。
本発明によれば、TMR素子の初期抵抗値を測定して第1の抵抗値とし、TMR素子に非基板方向(上方)から基板方向(下方)へ電流を流すことにより所定時間通電した後の抵抗値を測定して第2の抵抗値とし、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較してこのTMR素子の評価を行うTMR素子の検査方法が提供される。
複数のTMR素子において、非基板方向(上方)から基板方向(下方)へ電流を流した場合、初期抵抗値である第1の抵抗値に対する所定時間通電後の抵抗値である第2の抵抗値の変化度合の分布、即ち抵抗変化率又は抵抗変化量の分布、をとると2つの集団に分かれる。第1の集団は、抵抗変化率又は抵抗変化量が1より小さいTMR素子の集団であり、第2の集団は、抵抗変化率又は抵抗変化量が1以上のTMR素子の集団である。第1の集団のTMR素子ではRTN発生がほとんどなく、第2の集団のTMR素子ではRTN発生が多く観察された。しかも、第1の集団のTMR素子における素子破壊電圧は、第2の集団のTMR素子における素子破壊電圧より大きかった。従って、第1の抵抗値に対して通電後の抵抗値である第2の抵抗値が小さいどうかによって、TMR素子に関する安定性及び信頼性の確認を行うことができ、良否の評価を極めて容易に行うことが可能となる。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく良否評価できるので、TMR素子の良否選別が可能となる。特に本発明では、通電時間、通電電圧及びTMR素子材料等に無関係に、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較するのみで、良否の評価を行えるので、評価処理が非常に簡単となる。
この場合、第2の抵抗値が第1の抵抗値より小さいか否かに応じてTMR素子の評価を行うことが好ましい。
第2の抵抗値R2が第1の抵抗値R1より小さい場合はTMR素子が良品であると評価することがより好ましい。
所定時間が、2〜3分であることも好ましい。
TMR素子が、TMRヘッド素子か、又はMRAMであることも好ましい。
本発明によれば、さらに、TMR素子の初期抵抗値を測定して第1の抵抗値とする手段と、このTMR素子に非基板方向(上方)から基板方向(下方)へ電流を流すことにより所定時間通電した後の抵抗値を測定して第2の抵抗値とする手段と、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較してこのTMR素子の評価を行う手段とを備えたTMR素子の検査装置が提供される。
前にも述べたように、複数のTMR素子において、非基板方向(上方)から基板方向(下方)へ電流を流した場合、初期抵抗値である第1の抵抗値に対する所定時間通電後の抵抗値である第2の抵抗値の変化度合の分布、即ち抵抗変化率又は抵抗変化量の分布、をとると2つの集団に分かれる。第1の集団は、抵抗変化率又は抵抗変化量が1より小さいTMR素子の集団であり、第2の集団は、抵抗変化率又は抵抗変化量が1以上のTMR素子の集団である。第1の集団のTMR素子ではRTN発生がほとんどなく、第2の集団のTMR素子ではRTN発生が多く観察された。しかも、第1の集団のTMR素子における素子破壊電圧は、第2の集団のTMR素子における素子破壊電圧より大きかった。従って、第1の抵抗値に対して通電後の抵抗値である第2の抵抗値が小さいどうかによって、TMR素子に関する安定性及び信頼性の確認を行うことができ、良否の評価を極めて容易に行うことが可能となる。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく良否評価できるので、TMR素子の良否選別が可能となる。特に本発明では、通電時間、通電電圧及びTMR素子材料等に無関係に、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較するのみで、良否の評価を行えるので、評価処理が非常に簡単となる。
この場合、評価を行う手段が、第2の抵抗値が第1の抵抗値より小さいか否かを判別する手段であることが好ましい。
評価を行う手段が、第2の抵抗値が第1の抵抗値より小さい場合はこのTMR素子が良品であると評価する手段であることがより好ましい。
第2の抵抗値とする手段が、TMR素子に2〜3分通電した後の抵抗値を測定する手段であることも好ましい。
TMR素子が、TMRヘッド素子か、又はMRAMであることも好ましい。
本発明によれば、第1の抵抗値に対して通電後の抵抗値である第2の抵抗値が小さいどうかによって、TMR素子に関する安定性及び信頼性の確認を行うことができ、良否の評価を極めて容易に行うことが可能となる。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく良否評価できるので、TMR素子の良否選別が可能となる。特に、通電時間、通電電圧及びTMR素子材料等に無関係に、第1の抵抗値と第2の抵抗値とを比較するのみで、良否の評価を行えるので、評価処理が非常に簡単となる。
図1は本発明の一実施形態として、TMRヘッド素子の検査を行う構成を概略的に説明する図である。
同図において、10は複数のTMRヘッドが互いに連接して一列配置されたバー部材であり、11はTMRヘッド素子の検査装置をそれぞれ示している。
バー部材10は、多数のTMRヘッドをマトリクス状に形成してなるウエハを個々のバー部材に切断分離した後、MRハイト加工を行った状態のものである。バー部材10の各TMRヘッド10aは、TMR読出しヘッド素子と、インダクティブ書込みヘッド素子と、このTMR読出しヘッド素子に電気的に接続されている1対の端子パッド10bと、インダクティブ書込みヘッド素子に電気的に接続されている1対の端子パッド10cとを備えている。
検査装置11は、TMR読出しヘッド素子用の1対の端子パッド10bに電気的に接触可能な1対のプローブ11aと、この1対のプローブ11aに電気的に接続されており、一定の電圧を供給する定電圧回路11bと、1対のプローブ11aに電気的に接続されており、TMRヘッド素子を流れる電流の値を測定する電流測定回路11cと、電流測定回路11cに電気的に接続されており、測定した電流値を表す電流測定回路11cのアナログ出力をデジタル信号に変換するA/D変換器11dと、A/D変換器11dに電気的に接続されており、そのデジタル信号を継続的に入力してTMRヘッド素子の初期抵抗値及び通電後抵抗値を計算し、そのTMRヘッド素子の良否を判別すると共に、定電圧回路11b及びA/D変換器11dの動作を制御するデジタルコンピュータ11eとを備えている。
図2は、本実施形態における検査装置11の処理動作を説明するフローチャートである。
まず、バー部材10の良否の評価を行うTMRヘッド素子の端子パッド10bに1対のプローブ11aを電気的に接触させ、この状態で、定電圧回路11bより例えば150mVの定電圧をTMRヘッド素子に印加開始する(ステップS1)。ただし、この場合、TMR層の積層順序にかかわらず、TMRヘッド素子の非基板側(積層方向で上側)から基板側(積層方向で下側)に向かって必ず電流が流れるように電圧を印加する。
次いで、電流測定回路11cによってTMRヘッド素子を流れる電流の値を測定し、その値をコンピュータ11eに入力してTMRヘッド素子の抵抗値を算出する(ステップS2)。この抵抗値は、印加した定電圧例えば150mVと測定した電流とから容易に算出できる。算出した抵抗値は、コンピュータ11e内に記憶される。
次いで、定電圧印加開始から所定時間、例えば2〜3分、この実施形態では2分15秒、経過したかどうかを判別し(ステップS3)、経過していない場合はステップS2の測定及び計算処理を繰り返して行う。所定時間経過した場合は、次のステップS4へ進む。
ステップS4においては、最後に測定した電流値に基づいた抵抗値を算出して記憶し、TMRヘッド素子への定電圧印加を終了する。その結果、定電圧印加開始直後の抵抗値が初期抵抗値R1として得られ、定電圧印加終了直前の抵抗値が通電後抵抗値R2として得られることとなる。
次いで、抵抗変化率R2/R1が100%より小さいか、即ち通電後抵抗値R2が初期抵抗値R1より小さいか否かを判別する(ステップS5)。
小さい場合はそのTMRヘッド素子が良品であると評価し(ステップS6)、小さくない場合、即ち等しいか大きい場合はそのTMRヘッド素子が不良品であると評価する(ステップS7)。
次いで、バー部材10の他のTMRヘッド素子について、同様の評価を順次行う。
図3はこのような評価対象となるTMR読出しヘッド素子の構造の一例を浮上面(ABS)と直交する方向から見た断面図であり、図4はこのTMR読出しヘッド素子をABS方向から見た断面図である。
これらの図に示すように、TMR読出しヘッド素子のTMR層部分は、下部シールド層(NiFe)30上にバッファ層(Ta/NiFe)31を介して、反強磁性層(PtMn150Å)32、ピン層(CoFe20Å/Ru8Å/CoFe30Å)33、バリア層(Al5.75Å−Ox)34、フリー層(CoFe20Å/NiFe30Å)35、キャップ層(Ta)36を順次積層した構造を有しており、その上に、金属ギャップ層37を介して上部シールド層38が積層されている。TMR層部分のトラック幅方向には、バイアス層39が形成されている。TMR層の積層順序はこの逆であっても良い。
次に、前述した図2の処理動作によって、このようなTMRヘッド素子の良否評価を行える根拠について説明する。
図5及び図6は、多数のTMRヘッド素子について上述した処理動作によって初期抵抗値R1及び通電後抵抗値R2を測定した結果を表すグラフである。ただし、図5の横軸は初期抵抗値R1を、縦軸は通電後抵抗値/初期抵抗値である抵抗値変化率R2/R1をそれぞれ表しており、図6の横軸は抵抗値変化率R2/R1を、縦軸はその頻度をそれぞれ表している。
これらの図に示すように、TMRヘッド素子は、初期抵抗値に対する通電後抵抗値の変化度合である抵抗値変化率R2/R1に関して、集団A及び集団Bとに2極化した分布を有している。そして、集団Aと集団Bとの閾値は抵抗値変化率R2/R1=100%であることが分かる。
そこで、これら各集団のTMRヘッド素子に対して信頼性の確認を行った。即ち、集団Aに含まれるTMRヘッド素子A1〜A5及び集団Bに含まれるTMRヘッド素子B1〜B5に対して、印加電圧を徐々に増大させてその抵抗値を測定し、破壊電圧を調べた。その結果が、図7及び図8に示されている。ただし、図7の横軸は印加電圧を、縦軸は抵抗値をそれぞれ表しており、図8の横軸は抵抗値変化率R2/R1を、縦軸は破壊電圧をそれぞれ表している。
図7より、集団Aに含まれるTMRヘッド素子A1〜A5の破壊電圧は約700mVであり、これは、集団Bに含まれるTMRヘッド素子B1〜B5の破壊電圧である約400mVよりはるかに高く、信頼性が非常に高いことが分かる。
図8より、初期抵抗値R1に比して通電後抵抗値R2が小さいかどうか、即ち抵抗値変化率R2/R1<100%かどうかによって、破壊電圧が二極化しており、抵抗値変化率R2/R1が100%未満のTMRヘッド素子は、安定性及び信頼性が共に高く良品であると評価することができる。逆に、抵抗値変化率R2/R1が100%以上のTMRヘッド素子は、バリア層にピンホールが生じているであろうために、安定性及び信頼性が共に低く、不良品であると評価することができる。このように、本実施形態によれば、TMRヘッド素子に関する安定性及び信頼性の確認を行うことができ、良否の評価を極めて容易に行うことが可能となる。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく良否評価できるので、TMRヘッド素子の良否の選別処理が可能となる。特に、通電時間、通電電圧及びTMR素子材料等に無関係に、初期抵抗値R1に比して通電後抵抗値R2が小さいかどうか、即ち抵抗値変化率R2/R1<100%かどうかを判別するのみで良否の評価を行えるので、評価処理が非常に簡単となる。
上述した実施形態では、TMRヘッド素子の初期抵抗値及び通電後抵抗値を測定する方法として、定電圧を印加して流れる電流を測定しているが、定電流を流して電圧を測定するようにしても良いことはもちろんである。
図9は、本発明の他の実施形態におけるTMRヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
図1の実施形態においては、MRハイト加工を行った後のバー部材の状態でTMRヘッド素子の検査を行っているが、本実施形態では、バー部材から個々の磁気ヘッドスライダ90に分離した状態でそのTMRヘッド素子の1対の端子パッド90bに1対のプローブ91aを電気的に接触させて、検査を行う。検査装置の他の構成、動作及び作用効果は図1の実施形態の場合と同様である。
図10は、本発明のさらに他の実施形態におけるTMRヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
本実施形態では、磁気ヘッドスライダ100をサスペンション102に装着してなるヘッドジンバルアセンブリ(HGA)の状態でTMRヘッド素子に電気的に接続されている接続パッド102aに1対のプローブ101aを電気的に接触させて、検査を行う。検査装置の他の構成、動作及び作用効果は図1の実施形態の場合と同様である。
なお、上述した実施形態は、TMRヘッド素子の検査を行う場合について説明したが、本発明は、MRAMの検査を行う場合にも同様に適用できることは明らかである。
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
10 バー部材
10a TMRヘッド
10b、10c、90b 1対の端子パッド
11 検査装置
11a、91a、101a 1対のプローブ
11b 定電圧回路
11c 電流測定回路
11d A/D変換器
11e デジタルコンピュータ
90、100 磁気ヘッドスライダ
102 サスペンション
102a 1対の接続パッド
10a TMRヘッド
10b、10c、90b 1対の端子パッド
11 検査装置
11a、91a、101a 1対のプローブ
11b 定電圧回路
11c 電流測定回路
11d A/D変換器
11e デジタルコンピュータ
90、100 磁気ヘッドスライダ
102 サスペンション
102a 1対の接続パッド
Claims (12)
- トンネル磁気抵抗効果素子の初期抵抗値を測定して第1の抵抗値とし、該トンネル磁気抵抗効果素子に非基板方向から基板方向へ電流を流すことにより所定時間通電した後の抵抗値を測定して第2の抵抗値とし、前記第1の抵抗値と前記第2の抵抗値とを比較して該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行うことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法。
- 前記第2の抵抗値が前記第1の抵抗値より小さいか否かに応じて該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行うことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の抵抗値が前記第1の抵抗値より小さい場合は該トンネル磁気抵抗効果素子が良品であると評価することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記所定時間が、2〜3分であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記トンネル磁気抵抗効果素子が、トンネル磁気抵抗効果ヘッド素子であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記トンネル磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗メモリであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- トンネル磁気抵抗効果素子の初期抵抗値を測定して第1の抵抗値とする手段と、該トンネル磁気抵抗効果素子に非基板方向から基板方向へ電流を流すことにより所定時間通電した後の抵抗値を測定して第2の抵抗値とする手段と、前記第1の抵抗値と前記第2の抵抗値とを比較して該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行う手段とを備えたことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査装置。
- 前記評価を行う手段が、前記第2の抵抗値が前記第1の抵抗値より小さいか否かを判別する手段であることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記評価を行う手段が、前記第2の抵抗値が前記第1の抵抗値より小さい場合は該トンネル磁気抵抗効果素子が良品であると評価する手段であることを特徴とする請求項7又は8に記載の装置。
- 前記第2の抵抗値とする手段が、前記トンネル磁気抵抗効果素子に2〜3分通電した後の抵抗値を測定する手段であることを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載の装置。
- 前記トンネル磁気抵抗効果素子が、トンネル磁気抵抗効果ヘッド素子であることを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の装置。
- 前記トンネル磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗メモリであることを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の装置。
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