JP2009187605A - 磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の評価方法では、完全に検出することのできなかった磁化状態が不安定な磁気抵抗効果型ヘッドの検出が可能となる磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法は、磁気抵抗効果型ヘッドに、所定温度下で、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記第１の磁化状態画像、前記第２の磁化状態画像、もしくはそれらの比較によって、前記磁気抵抗効果型ヘッドの特性を評価する工程と、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法に関し、さらに詳細には、Ｋｅｒｒ効果により浮上面の磁化状態画像を取得することにより磁気抵抗効果型ヘッドの特性を評価する評価方法に関する。

磁気ディスク等の磁気媒体用の薄膜磁気ヘッドとして、例えば再生ヘッド部にＭＲ素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドが実用化されている。
しかし、磁気抵抗効果型ヘッドは、磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用したものであり、磁気媒体との相対速度に依存することなく大きな再生出力を得ることができる反面、磁気抵抗効果型再生素子を挟む配置に設けられた磁性層であるシールド層が外部磁場により磁区が変化してしまう等の原因により、出力が変動する不良品が生ずる点が問題となっている。すなわち、出力変動を誘発する磁気抵抗効果型ヘッドは、正常な再生動作が期待できないため、製造工程における評価試験によって、排除される必要がある。

しかしながら、シールド層の磁区（以下「シールド磁区」という）に変化を生じる等により特性が不安定となる磁気抵抗効果型ヘッドを定量的に把握することができなかったため、その評価方法が課題となっていた。

従来の磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法としては、磁気抵抗効果型ヘッドのシールド層に対して平行の方向であって、前記磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面に対して角度を０度として磁場の印加（以下「通常着磁」という）を行った後、出力電圧を測定するという操作を繰り返し、当該磁気抵抗効果型ヘッドの出力電圧の最大値と最小値との差を変動量として算出することによる出力変動評価による評価方法が用いられてきた。
しかしながら、この方法では、シールド磁区が変化しやすい等、磁化状態が不安定な磁気抵抗効果型ヘッドを完全に検出できないという課題があった。

ここで、磁気抵抗効果型ヘッドの評価試験を行う方法の従来例として、特開平１０−１２４８２８号公報に記載されたものであって、図７の装置を用いる評価方法が提案されている。ここで、図中の符号は、７１がＭＲヘッド、７２がセンス電流供給源、７３が出力電圧増幅器、７４が磁場発生用コイルユニット、７５がコイル用電流増幅器、７６が任意波形発生器、７７がデジタルオシロ、７８がコンピュータである。
この評価方法は、ＭＲストライプに対して斜めの方向にストレスとしての外部磁場を印加し、ＭＲヘッドの特性を評価する方法であり、それによれば、ＭＲヘッドが大口径（例えば５〜６インチ）のウエハ上に形成されることに起因して、当該ヘッドの中心付近と外周付近とではＭＲストライプの磁化方向が不均一になりやすく、また、前述の磁区制御膜も不均一になりやすいため、これらの不均一性のテストが可能となるというものである。

特開平１０−１２４８２８号公報

本発明は、従来の評価方法では、完全に検出することのできなかった磁化状態が不安定な磁気抵抗効果型ヘッドの検出が可能となる磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法を提供することを目的とする。

本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。

この評価方法は、磁気抵抗効果型ヘッドに、所定温度下で、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記第１の磁化状態画像、前記第２の磁化状態画像、もしくはそれらの比較によって、前記磁気抵抗効果型ヘッドの特性を評価する工程と、を備えることを要件とする。

また、磁気抵抗効果型再生素子の上下にシールド層が設けられる磁気抵抗効果型ヘッドに、所定温度下で、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記第１の磁化状態画像、前記第２の磁化状態画像、もしくはそれらの比較によって、前記シールド層の磁化状態を評価する工程と、を備えることを要件とする。

また、磁気抵抗効果型再生素子の上下にシールド層が設けられる磁気抵抗効果型ヘッドに、所定温度下で、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、を複数回繰り返した後、複数得られる第１の磁化状態画像の比較、もしくは複数得られる第２の磁化状態画像の比較によって、前記シールド層の磁化状態を評価する工程を備えることを要件とする。

また、磁気抵抗効果型再生素子の上下にシールド層が設けられる磁気抵抗効果型ヘッドに、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、を異なる温度設定下で複数回繰り返した後、複数得られる第１の磁化状態画像の比較、もしくは複数得られる第２の磁化状態画像の比較によって、前記シールド層の磁化状態を評価する工程を備えることを要件とする。

また、前記外部ストレスを印加する工程が、前記磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面に平行な方向から角度をもたせて該磁気抵抗効果型ヘッドに磁場を印加する工程を備えることを要件とする。

また、前記外部ストレスを印加する工程が、前記磁気抵抗効果型ヘッドを構成する素子に所定電流を通電する工程を備えることを要件とする。

また、前記外部ストレスを印加する工程が、前記磁気抵抗効果型ヘッドを構成する記録ヘッド部に所定電流を通電する工程を備えることを要件とする。

請求項１によれば、磁気抵抗効果型ヘッドに関して、磁性材料からなる層の磁化状態の安定性を評価して、当該磁気抵抗効果型ヘッドの特性を評価することが可能となる。特に、請求項２に記載の通り、シールド層の安定性の評価に適用することが好適である。

請求項３によれば、外部ストレス印加工程を複数回繰り返すことによって、磁気抵抗効果型ヘッドの磁化状態に変化が生じる場合の評価が可能となる。

請求項４によれば、異なる温度条件の下で、外部ストレス印加工程を複数回繰り返して、磁気抵抗効果型ヘッドの磁化状態を評価することが可能となる。

請求項５によれば、外部ストレスとしての印加磁場を任意に設定して、磁気抵抗効果型ヘッドの磁化状態を評価することが可能となる。

請求項６によれば、磁気抵抗効果型再生素子、ヒータ素子等の素子に通電して、磁気抵抗効果型ヘッドの磁化状態を評価することが可能となる。

請求項７によれば、記録ヘッド部に通電して、磁気抵抗効果型ヘッドの磁化状態を評価することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る評価方法の評価対象となる磁気抵抗効果型ヘッド１の構成例を示す概略図である。図２は、本発明の実施の形態に係る評価方法を実施するための装置５１の構成例を示す概略図である。図３は、本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法の手順を示すフローチャートである。図４（ａ）は、Ｋｅｒｒ効果測定により得られるシールド層１３の磁化状態画像であり、図４（ｂ）は、その磁化状態を線図により模式的に表したものである（良品と評価される例）。図５（ａ）は、Ｋｅｒｒ効果測定により得られるシールド層１３の磁化状態画像であり、図５（ｂ）は、その磁化状態を線図により模式的に表したものである（不良品と評価される例）。図６は、本発明の実施の形態に係る評価方法による磁気抵抗効果型ヘッドの評価例を説明するための説明図である（いずれも、Ｋｅｒｒ効果測定により得られるシールド層１３Ａもしくは１３Ｂの磁化状態画像を線図により模式的に表したものである）。

初めに、Ｋｅｒｒ効果について説明する。Ｋｅｒｒ効果とは、磁性体に光を入射すると、磁性体の磁化方向に応じて、磁気旋光（偏光面の回転）等を生じる効果である。このＫｅｒｒ効果を利用することにより磁性体の磁化状態を可視化して観察することが可能となる。

続いて、被評価対象となる磁気抵抗効果型ヘッドの構成の例について説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
図１に示すように、磁気抵抗効果型ヘッド１は、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備えて構成される。再生ヘッド部２は、多層構造の内層として下部シールド層１３Ａと上部シールド層１３Ｂとの間に配置された磁気抵抗効果型再生素子４を備えて構成される。符号６は、浮上面すなわち媒体対向面である。なお、下部シールド層１３Ａと上部シールド層１３Ｂの総称としてシールド層１３の用語を用いる。

再生ヘッド部２の構成に関して、より具体的には、当該多層構造として、基板１１上に、アンダーコート膜１２、下部シールド層１３Ａ、磁気抵抗効果型再生素子４、上部シールド層１３Ｂが積層される。例えば、基板１１は、Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ等の絶縁材料を用いて構成される。その上層のアンダーコート膜１２は、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料を用いて構成される。

ここで、磁気抵抗効果型再生素子４は、例えば、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子もしくはＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いて構成される。これらＴＭＲ素子およびＧＭＲ素子の膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、上記ＧＭＲ素子として、ＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子、もしくはＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子のいずれを用いても構わない。

下部シールド層１３Ａは、磁性材料（軟磁性材）であるパーマロイ等を用いて構成される。また、上部シールド層１３Ｂも、下部シールド層１３Ａと同様にパーマロイ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。特に、これらシールド層１３の磁化状態は、再生ヘッド部２の再生特性に影響を与えるため、当該磁化状態は、温度、磁場、記録動作等の外乱要因に対して安定していること、より具体的には磁化方向が常に一方向に揃っていることが要求される。

ちなみに、下部シールド層１３Ａおよび上部シールド層１３Ｂは、磁気抵抗効果型再生素子４にＴＭＲ素子もしくはＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子が用いられる場合に、当該素子の電極を兼用するが、ＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子が用いられる場合は、当該素子の電極を兼用しない。

一方、本実施の形態においては、上部シールド層１３Ｂの上層に磁性分離層１４が積層され、その上層に記録ヘッド部３が設けられる。磁性分離層１４は、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料を用いて構成される。ここで、符号５はヘッドの浮上面６方向の突き出し量を制御するヒータ素子である。

次に、記録ヘッド部３の構成に関して、より具体的には、磁性分離層１４上方にパーマロイ等の磁性材料からなる下部磁極１５および下部先端磁極１６が設けられる。また、下部磁極１５上には、絶縁層１７が形成される。絶縁層１７は、一例として、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料により構成される。
絶縁層１７上には、導電性コイル１９が所定の間隔を空けて形成される。導電性コイル１９は、一例として、電気抵抗が低い導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に形成される。また、導電性コイル１９の巻線間には、絶縁層１８が形成される。絶縁層１８は、一例として、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料により構成される。
さらに、導電性コイル１９、絶縁層１８、下部先端磁極１６、導電性コイル１９および絶縁層１８の上には、ギャップ層２０が形成される。ギャップ層２０は、一例として、ＳｉＯ_２等の絶縁材料を用いて構成される。
また、ギャップ層２０上には、絶縁層２１が形成される。絶縁層２１は、絶縁材料により構成される。さらに、ギャップ層２０および絶縁層２１上には、上部磁極２２が形成される。上部磁極２２は、一例として、パーマロイ等の磁性材料により構成される。なお、上部シールド層１３Ｂと下部磁極１５が同一層で構成されている場合もあり、かかる場合には、磁性分離層１４は設けられない。

続いて、本実施の形態に係る評価方法を実施するための装置構成を説明する。
図２に示す符号１０はローバー状に形成され、複数個の磁気抵抗効果型ヘッド１が長手方向に直列に配置された被検査ヘッドである。被検査ヘッド１０は、回転機能を有するＸＹＺθステージ５３上に設けられる試料台５４に設置される。当該試料台５４は加熱、冷却、測温機能を有するものである。
符号５５は、Ｋｅｒｒ効果により、被検査ヘッド１０における磁性材料からなる層の磁化状態を観察するＫｅｒｒ効果測定ユニットであり、本実施の形態においては、制御装置５２と接続されて磁化状態画像の取得、画像処理、判定が行われる。
符号５６、５７は被検査ヘッド１０に外部ストレスとしての外部磁場を印加させることが可能な磁場発生コイルユニットであり、符号５８は被検査ヘッド１０に外部ストレスとしての電流を印加させることが可能な通電ユニットである。磁場発生コイルユニット５６、５７および通電ユニット５８についても、制御装置５２によって制御される。

続いて、本実施の形態に係る評価方法の手順を説明する。図３は、そのフローチャートである。

最初に、被検査ヘッド１０を磁場発生コイルユニット５６、５７の間の試料台５４上に設置して、評価測定を開始するための準備を行う。

次いで、試料台５４の加熱・冷却機能により、被検査ヘッド１０を所定の温度に保つ（ステップＳ１）。一例として、当該温度は、−５０℃〜１００℃程度の範囲内で適宜設定される。

次いで、磁場発生コイルユニット５６、５７によって被検査ヘッド１０に所定の磁場を印加して着磁を行う（ステップＳ２）。このとき、印加される外部磁場の方向が被検査ヘッド１０のシールド層１３の積層面に対して平行で、且つ浮上面６に対して平行となるようにする。

次いで、Ｋｅｒｒ効果測定ユニット５５により、被検査ヘッド１０における磁性層の磁化状態を観察する（ステップＳ３）。本実施の形態においては、制御装置５２に磁化状態画像として取り込み、画像処理によって特性評価を行う方法を採用している。

次いで、被検査ヘッド１０に外部ストレスを印加する（ステップＳ４）。外部ストレスとしては、ＸＹＺθステージ５３を回転させて、被検査ヘッド１０の浮上面６に平行な方向から角度をもたせて（すなわち、当該角度をθとすると、０°＜θ＜３６０°となる範囲内の所定角度で）、磁場発生コイルユニット５６、５７により外部磁場を印加する方法や、通電ユニット５８によって、被検査ヘッド１０（磁気抵抗効果型ヘッド１）を構成する記録ヘッド部３、または素子すなわち磁気抵抗効果型再生素子４もしくはヒータ素子５等に所定電流を通電する方法等が考えられる。また、それらの組合せであっても構わない。
ただし、上記の方法は外部ストレスの例であり、それらに限定されるものではない。

なお、本実施の形態においては、上記外部ストレスとしての印加磁場は、印加される磁場方向が被検査ヘッド１０のシールド層１３の積層面に対しては平行の方向であって、その強度が５ＫＯｅ以下程度の磁場とした。

次いで、Ｋｅｒｒ効果測定ユニット５５により、上記外部ストレス印加後の被検査ヘッド１０における磁性層の磁化状態を観察する（ステップＳ５）。その方法はステップＳ３と同様である。

次いで、ステップＳ１もしくはＳ５において予め定義した正常状態と異なる磁化状態を示した磁気抵抗効果型ヘッド１、およびステップＳ５において外部ストレスにより磁化状態がステップＳ１の状態から変化を示した磁気抵抗効果型ヘッド１を特性不良と評価して、選別する（ステップＳ６）。

なお、ステップＳ１からＳ５までを繰り返し実行した後、ステップＳ６を実行する評価方法も考えられる。その場合、ステップＳ１の温度条件、ステップＳ４の外部ストレス条件を、一定としたまま繰り返してもよく、また、各条件もしくは複数の条件
を変化させながら繰り返してもよい。複数回繰り返すことによって、磁気抵抗効果型ヘッド１の磁化状態に変化（例えば、磁壁の移動、磁化方向の反転等）が生じる場合の不安定性評価が可能となる。
このように、複数回繰り返す評価方法は、シールド磁区が変化しやすい特性が顕在化して、不良品として選別することが可能となる場合がある点で有効である。

ちなみに、上記評価を行った後に、ステップ７で所定の磁場を印加することによって、被検査ヘッド１０が次の製造工程へ移行する前に、磁性材料層の磁化状態を整える工程を実行する。

続いて、評価を行う際の判定方法の一例について説明する。シールド層の評価を例にとれば、Ｋｅｒｒ効果測定により得られるシールド層１３の磁化状態画像は図４（ａ）および図５（ａ）のようになる。それぞれを線図により模式的に表したものが図４（ｂ）および図５（ｂ）である。なお、模式図中の矢印は、当該シールド層１３の磁化方向を表している（図６においても同様）。
本実施の形態においては、図４のように、シールド層１３の磁化方向が、分裂を生じることなく、一定方向に揃っているものが、特性良好と評価され、一方、図５に示す上部シールド層１３Ｂのように、磁化方向の分裂が生じている、つまり磁壁が生じているものは特性不良と評価される。
さらに、特性不良と評価される他の例を、図６に模式的に表示した（下部シールド層１３Ａもしくは上部シールド層１３Ｂとして図示）。例えば、図６（ａ）を特性良好と評価する基準とした場合に、図６（ｂ）のように、磁化方向が逆転しているものや、図６（ｃ）〜（ｈ）のように磁化方向の分裂、つまり磁壁が生じているものを特性不良と評価するように定める評価方法が考えられる。ちなみに、評価者の目視による評価、画像認識による自動評価の何れで行っても構わない。

なお、その他の磁性材料層に関しても、所定の評価基準を設けて、それに基づく評価を行うことにより、当該磁性材料層の良・不良の特性評価、ひいては当該磁性材料層を含む磁気抵抗効果型ヘッドの良・不良の特性評価が可能となる。

以上説明した通り、従来の評価方法によって、不良と判定されない磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気ディスク装置に搭載され、その後の磁気ディスク装置としての検査・評価工程を経ることとなるが、その工程まで至って初めて、特性が不安定なヘッドであったことが判明することがあった。しかし、本評価方法によれば、従来の評価方法では選別できなかったシールドや磁極の磁化状態の外部ストレスによる安定性を判定できる。特に、シールドの安定性が悪いヘッドを選別でき、これらが磁気ディスク装置に組み込まれることを防ぐことができるため、磁気ディスク装置の動作安定性、すなわち信頼性が向上する。また、スライダー加工後（ローバー加工後）にＫｅｒｒ効果測定試験を実施して選別すれば、スライダー個片化、ＨＧＡ組立に掛かるコストを削減できる。
ちなみに、従来のＫｅｒｒ効果測定による評価方法と比較して、本評価方法は、外部ストレス印加前後でシールドや磁極の磁化状態を比較、判定できる点で有効である。

なお、磁気抵抗効果型ヘッド１が、ローバー状態の被検査ヘッド１０として評価を行う場合を例にとり、説明を行った。これに関し、加工コスト、ＨＧＡ組立コスト低減の面から、本評価方法の実施は、スライダー加工工程内のρＨ特性試験（リード性能）の前後のいずれか（ローバー状態）で実施するのが好適ではあるが、ヘッドの浮上面が観察できる工程であれば、スライダー加工後〜ＨＧＡ組立間であれば実施工程位置は限定されるものではない。また、本評価方法を行うための装置にρＨ試験機能を持たせ、ρＨ特性試験と合わせて実施してもよい。

本発明の実施の形態に係る評価方法の評価対象となる磁気抵抗効果型ヘッドの構成例を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る評価方法を実施するための装置の構成例を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法の手順を示すフローチャートである。 Ｋｅｒｒ効果測定により得られるシールド層の磁化状態画像の一例およびその模式図である。 Ｋｅｒｒ効果測定により得られるシールド層の磁化状態画像の他の例およびその模式図である。 本発明の実施の形態に係る評価方法による磁気抵抗効果型ヘッドの評価例を説明するための説明図である。 従来の実施形態に係る評価方法を実施するための装置の構成例を示す概略図である。

符号の説明

１ 磁気抵抗効果型ヘッド
２ 再生ヘッド部
３ 記録ヘッド部
４ 磁気抵抗効果型再生素子
５ ヒータ素子
６ 磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面
１０ ローバー状の被検査ヘッド
１３、１３Ａ、１３Ｂ シールド層
１４ 磁性分離層
１５ 下部磁極
１６ 下部先端磁極
２２ 上部磁極
５１ 本評価方法の実施装置
５２ 制御装置
５３ ＸＹＺθステージ
５４ 試料台
５５ Ｋｅｒｒ効果測定ユニット
５６、５７ 磁場発生コイルユニット
５８ 通電ユニット

Claims (7)

1. 磁気抵抗効果型ヘッドに、所定温度下で、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、
   次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、
   次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、
   次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、
   次いで、前記第１の磁化状態画像、前記第２の磁化状態画像、もしくはそれらの比較によって、前記磁気抵抗効果型ヘッドの特性を評価する工程と、を備えること
   を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。
2. 前記磁気抵抗効果型ヘッドが、磁気抵抗効果型再生素子の上下にシールド層が設けられる磁気抵抗効果型ヘッドであり、
   前記磁気抵抗効果型ヘッドの特性を評価する工程が、前記シールド層の磁化状態を評価する工程であること
   を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。
3. 磁気抵抗効果型再生素子の上下にシールド層が設けられる磁気抵抗効果型ヘッドに、所定温度下で、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、
   次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、
   次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、
   次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、を複数回繰り返した後、
   複数得られる第１の磁化状態画像の比較、もしくは複数得られる第２の磁化状態画像の比較によって、前記シールド層の磁化状態を評価する工程を備えること
   を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。
4. 磁気抵抗効果型再生素子の上下にシールド層が設けられる磁気抵抗効果型ヘッドに、該磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面と平行に磁場を印加する工程と、
   次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第１の磁化状態画像を取得する工程と、
   次いで、前記磁気抵抗効果型ヘッドに外部ストレスを印加する工程と、
   次いで、Ｋｅｒｒ効果により前記浮上面の第２の磁化状態画像を取得する工程と、を異なる温度設定下で複数回繰り返した後、
   複数得られる第１の磁化状態画像の比較、もしくは複数得られる第２の磁化状態画像の比較によって、前記シールド層の磁化状態を評価する工程を備えること
   を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。
5. 前記外部ストレスを印加する工程が、前記磁気抵抗効果型ヘッドの浮上面に平行な方向から角度をもたせて該磁気抵抗効果型ヘッドに磁場を印加する工程を備えること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。
6. 前記外部ストレスを印加する工程が、前記磁気抵抗効果型ヘッドを構成する素子に所定電流を通電する工程を備えること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。
7. 前記外部ストレスを印加する工程が、前記磁気抵抗効果型ヘッドを構成する記録ヘッド部に所定電流を通電する工程を備えること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法。