TWI594236B - 記憶體胞 - Google Patents

記憶體胞 Download PDF

Info

Publication number
TWI594236B
TWI594236B TW105102738A TW105102738A TWI594236B TW I594236 B TWI594236 B TW I594236B TW 105102738 A TW105102738 A TW 105102738A TW 105102738 A TW105102738 A TW 105102738A TW I594236 B TWI594236 B TW I594236B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
capacitor electrode
capacitor
current leakage
leakage path
memory cell
Prior art date
Application number
TW105102738A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201635286A (zh
Inventor
卡摩Ｍ 卡達
陶謙
杜來 維莎卡 尼爾摩 拉瑪斯瓦米
劉海濤
克拉克Ｄ 普拉爾
亞許尼塔Ａ 查文
Original Assignee
美光科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美光科技公司 filed Critical 美光科技公司
Publication of TW201635286A publication Critical patent/TW201635286A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI594236B publication Critical patent/TWI594236B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
    • H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

記憶體胞
本文所揭示之實施例係針對記憶體胞。
記憶體係一類型之積體電路，且用於電腦系統中以儲存資料。可將記憶體製造成一或多個陣列之個別記憶體胞。可使用數位線(其亦可指稱位元線、資料線、感測線或資料/感測線)及存取線(其亦可指稱字線)來對記憶體胞寫入或自記憶體胞讀取。數位線可沿陣列之行導電地互連記憶體胞，且存取線可沿陣列之列導電地互連記憶體胞。可透過一數位線及一存取線之組合來唯一地定址各記憶體胞。
記憶體胞可為揮發性或非揮發性的。非揮發性記憶體胞可在較長時間段(其包含切斷電腦時)內儲存資料。揮發性記憶體耗散且因此在諸多例項中需要被每秒多次再新/重寫。無論如何，記憶體胞經組態以在至少兩個不同可選擇狀態中保存或儲存記憶體。在二進位系統中，將狀態視為一「0」或一「1」。在其他系統中，至少一些個別記憶體胞可經組態以儲存資訊之兩個以上位準或狀態。
一電容器係可用於一記憶體胞中之一類型之電子組件。一電容器具有由電絕緣材料分離之兩個電導體。作為一電場之能量可靜電地儲存於此材料內。一類型之電容器係一鐵電電容器，其具有鐵電材料作為絕緣材料之至少部分。鐵電材料之特徵在於具有兩個穩定極化狀態。鐵電材料之極化狀態可藉由施加適合程式化電壓來改變且在移除 該程式化電壓之後保持(至少達一段時間)。各極化狀態具有不同於另一極化狀態之一電荷儲存電容，且其可在無需使該極化狀態反轉之情況下理想地用於寫入(即，儲存)及讀取一記憶體狀態，直至期望使此極化狀態反轉。不太令人滿意的是，在具有鐵電電容器之某一記憶體中，讀取記憶體狀態之動作會使極化反轉。據此，在判定極化狀態之後，進行記憶體胞之一重寫以在其判定之後使記憶體胞即時進入預讀取狀態中。無論如何，併入一鐵電電容器之一記憶體胞理想地係非揮發性的，此歸因於形成電容器之一部分之鐵電材料之雙穩態特性。
一類型之記憶體胞具有與一鐵電電容器串聯電耦合之一選擇裝置。即使當選擇裝置閒置時(即，當非作用中或「切斷」時)，電流通常透過選擇裝置來洩漏至相鄰基板材料。此導致鐵電電容器之相鄰電極處之電壓下降，因此在兩個電容器電極之間產生一電壓差。此導致當記憶體胞閒置時橫跨鐵電材料來施加一電場。即使此一電場較小，其會使鐵電材料中之個別偶極開始翻轉且一直至所有偶極被翻轉，因此擦除記憶體胞之一程式化狀態。此可在短時間內發生，藉此破壞或防止記憶體胞之非揮發性。
10‧‧‧記憶體胞/建構
10a‧‧‧記憶體胞
10b‧‧‧記憶體胞
10c‧‧‧記憶體胞
10d‧‧‧記憶體胞
10e‧‧‧記憶體胞
10f‧‧‧記憶體胞
11‧‧‧導電路徑
12‧‧‧選擇裝置
13‧‧‧組件/導電路徑
14‧‧‧電容器
14a‧‧‧電容器
14b‧‧‧電容器建構
14c‧‧‧電容器
14d‧‧‧電容器
14e‧‧‧電容器
14f‧‧‧電容器
16‧‧‧組件/導電路徑
18‧‧‧電容器電極
18c‧‧‧第二電容器電極/材料
18f‧‧‧第二電容器電極/材料
19‧‧‧鐵電材料
19a‧‧‧鐵電材料
19b‧‧‧鐵電材料
19c‧‧‧鐵電材料
19d‧‧‧鐵電材料
19e‧‧‧鐵電材料
19f‧‧‧鐵電材料
20‧‧‧電容器電極
20c‧‧‧第一電容器電極/材料
21‧‧‧材料
22‧‧‧本徵電流洩漏路徑
24‧‧‧電阻器
26‧‧‧平行電流洩漏路徑
26b‧‧‧平行路徑
26c‧‧‧平行電流洩漏路徑
26e‧‧‧平行電流洩漏路徑
26f‧‧‧平行電流洩漏路徑
28‧‧‧電阻器
30‧‧‧選擇裝置電流洩漏路徑
32‧‧‧電阻
34‧‧‧材料
34b‧‧‧材料
34c‧‧‧材料
34d‧‧‧材料
34e‧‧‧材料
34f‧‧‧材料
35‧‧‧橫向側
40‧‧‧基底
41‧‧‧表面
42‧‧‧壁
43‧‧‧側表面
44‧‧‧側表面
45‧‧‧壁
48‧‧‧環形物
50‧‧‧環形物
50f‧‧‧環形物
54‧‧‧基底
60‧‧‧表面
61‧‧‧表面
65‧‧‧立向最外表面
66‧‧‧立向最外表面
70‧‧‧環形物
圖1係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一示意圖。
圖2係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖3係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖4係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖5係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖6係圖5建構之一記憶體胞之一俯視圖。
圖7係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖8係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖9係根據本發明之一實施例之一記憶體胞之一部分之一示意性截面圖。
圖10係圖9建構之一記憶體胞之一俯視圖。
參考一示意圖1來展示及首先描述根據本發明之一實施例之一記憶體胞10。具有記憶體胞10之積體電路(圖中未展示)可具有相對於一記憶體陣列或子陣列而製造之數千個或數百萬個此等記憶體胞，且並非為本文之揭示內容之特別材料。此等陣列或子陣列可具有複數個存取線及選擇線，其等在其等之間之交叉處具有個別記憶體胞10。個別記憶體胞可被視為構成一個別存取線及一交叉個別選擇線之部分。
記憶體胞10包括一選擇裝置12及(例如)藉由一導電(即，電)路徑16來與選擇裝置12串聯(即，電路)電耦合之一電容器14，如圖中所展示。在所描繪之圖式中，電容器14可被視為包括兩個導電電容器電極18及20，其等具有介於其等之間之鐵電材料19。實體地，路徑16可僅為由電容器14及選擇裝置12共用之一單一電極。電容器14包括自電容器電極18或20之一者穿過鐵電材料19而至另一電容器電極之一本徵電流(即，電)洩漏路徑。為清楚起見，圖1中將此本徵路徑示意性地展示為圍繞鐵電材料19運行之一路徑22中之一虛線。然而，實際上，路徑22將本徵地/固有地穿過鐵電材料19而至電容器電極18及20之各者，且介於電容器電極18及20之各者之間。本徵路徑22將具有某一相對較高之整體/總電阻(即，電)，當裝置14在操作中用作一電容器時， 該電阻被示意性地指示為一電阻器24。電阻器24之總電阻將取決於鐵電材料19之組合物、鐵電材料19之厚度，及鐵電材料19內之偶極定向。電阻器24可固有地為一非線性/可變電阻器，藉此其電阻具電壓相依性。
記憶體胞10包括自一電容器電極18或20至另一電容器電極之一平行(即，電路平行)電流洩漏路徑26。在一實施例中，平行路徑26具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙，且在一實施例中，該主導帶隙小於鐵電材料19之主導帶隙。若平行路徑26之長度遠短於路徑22，則此主導帶隙可大於鐵電材料19之主導帶隙。無論如何，在一實施例中，平行路徑26具有低於本徵路徑22之總電阻之某一總電阻(例如，展示為一電阻器28)。僅舉例而言，通過本徵洩漏路徑22之總電阻可為1×1011歐姆至1×1018歐姆，且通過平行洩漏路徑26之總電阻可為1×109歐姆至1×1017歐姆。
選擇裝置12可為任何既有或待開發之選擇裝置，其包含多個裝置。實例包含二極體、場效電晶體及雙極電晶體。在操作中，當記憶體胞閒置時(即，當與記憶體胞10相關聯之積體電路在操作上係「接通的」但不發生記憶體胞10之「讀取」或「寫入」操作時)，選擇裝置12將展現電流洩漏。存在一選擇裝置電流洩漏路徑30且將其示意性地展示為圍繞選擇裝置12之一虛線，但此路徑將本徵地/固有地穿過選擇裝置12或到達下伏基板(例如，保持於接地或其他電位處)。洩漏路徑30經展示為具有某一總電阻32。在一實施例中，平行路徑26經組態，使得記憶體胞10在閒置時通過其之電流大於或等於記憶體胞10在閒置時通過路徑30之電流洩漏。此將取決於選擇裝置12、電容器14、平行路徑26之建構及材料，且取決於正常操作中之記憶體胞10內之各種點處之電壓。理想地且無論如何，此使閒置時之電極18及20處之電壓彼此相等或至少非常接近(例如，差值在50毫伏特內)，藉此當記憶 體胞10閒置時，鐵電材料19內不產生電場或產生可忽略之電場。例如且進一步而言，閒置時之橫跨電容器之任何電壓差理想地使得鐵電材料19中之任何電場比鐵電材料19之本徵矯頑場低至少20倍。此可排除鐵電材料19內之非所欲偶極方向變化。替代地，作為實例，此可至少減小時間風險或增加鐵電材料19內之非所欲偶極方向變化之前的時間。
在一實施例中，平行路徑26中之電阻器28係電容器電極18與20之間之一非線性電阻器，其在較高電壓(例如，在1伏特至5伏特之間)處展現比較低電壓(例如，小於250毫伏特)處之總電阻高的總電阻。理想地，此一非線性電阻器經形成以趨向於提供比較低電壓處於閒置時大之較高電壓「讀取」及「寫入」操作期間之平行路徑26中之電流洩漏的減小量值。
一存取線及一選擇線(兩者圖中未展示)可與記憶體胞10相關聯。例如，選擇裝置12可為一簡單兩端子二極體或其他兩端子裝置。接著，可使用一交叉點狀陣列來建構，藉此作為電容器電極18之部分之一導電路徑11而與一存取線或選擇線(圖中未展示)連接，或係一存取線或選擇線(圖中未展示)的部分，且作為選擇裝置12之部分之一導電路徑13而與一存取線或選擇線(圖中未展示)之另一者連接，或係一存取線或選擇線(圖中未展示)之另一者的部分。作為一替代實例，選擇裝置12可為一場效電晶體。接著，作為一實例，導電路徑11可為共同用於一記憶體陣列或子陣列內之多個電容器14(圖中未展示)之一電容器電極18的部分，組件16可為電晶體之一源極/汲極區域，且組件13可為電晶體之另一源極/汲極區域。電晶體之閘極(圖中未展示)可為一存取線(圖中未展示)的一部分，且源極/汲極組件13可與一感測線(圖中未展示)之部分連接，或可為一感測線(圖中未展示)之部分。當然，可替代地使用其他架構及建構。
圖2示意性地展示包括電容器14及平行電流洩漏路徑26之一記憶體胞10之一部分之一實例性實體建構。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用不同元件符號來指示一些差異。選擇裝置12(圖中未展示)可電耦合至電容器電極18或20之任一者。材料將位於記憶體胞建構10之兩側、立面內及立面外。例如，積體電路之其他部分或全部製造組件可提供於圍繞建構10之某一位置處，且並非特別與本文所揭示之發明密切相關(除包含任何適合選擇裝置12之外，如圖1示意圖中所展示)。
用於電容器電極18及20之實例性導電材料包含元素金屬、兩種或兩種以上元素金屬之一合金、導電金屬化合物及導電摻雜半導電材料之一或多者。實例性鐵電材料19包含具有過渡金屬氧化物、鋯、氧化鋯、鉿、氧化鉿、鈦酸鋯鉛及鈦酸鍶鋇之一或多者之鐵電體，且可在其內具有包括矽、鋁、鑭、釔、鉺、鈣、鎂、鍶及一稀土元素之一或多者之摻雜物。兩個具體實例係HfxSiyOz及HfxZryOz。除非另有指示，否則本文所描述之材料及/或結構之任何者可為均質或非均質的，且無論如何，可連續或不連續地上覆於任何材料上。此外，除非另有指示，否則可使用任何適合既有或待開發之技術(例如原子層沈積、化學氣相沈積、物理氣相沈積、磊晶生長、擴散摻雜及離子植入)來形成各材料。電容器電極18及20之各者之一實例性厚度係25埃至300埃，而鐵電材料19之實例性厚度係15埃至200埃。在本發明中，將「厚度」本身(非前面之方向形容詞)界定為自不同組合物之一緊鄰材料或一緊鄰區域之一最接近表面垂直地通過一給定材料或區域之平均直線距離。另外，本文所描述之各種材料可具有實質上恆定厚度或具有可變厚度。若具有可變厚度，則除非另有指示，否則厚度係指平均厚度。
平行路徑26經展示為由一材料34包圍或位於一材料34內。實例 性材料34包含非晶矽、多晶矽、鍺、硫屬化物(例如，金屬二硫屬化物)、富矽氮化矽、富矽氧化矽及適當地摻雜有導電性增強摻雜物(例如摻雜有Ti、Ta、Nb、Mo、Sr、Y、Cr、Hf、Zr及鑭系離子之SiO2及/或Si3N4)之本徵介電材料之一或多者。材料34及藉此平行路徑26可主要(即，大於50原子%)包括此(等)材料。此等材料之任何者可經摻雜或未經摻雜以提供在記憶體胞10閒置時流動通過其之電流洩漏之所要總電阻。在一實施例中，材料34係均質的，藉此電容器電極18與20之間之平行路徑26係均質的。在一實施例中，材料34係非均質的，藉此電容器電極18與20之間之平行電路係非均質的。在其中材料34及藉此平行路徑26係非均質之一實施例中，平行路徑26可歸因於其內之不同組合物材料具有不同帶隙而具有多個帶隙。然而，平行路徑26將具有可取決於平行路徑26內之個別不同材料之各自容量之0.4eV至5.0eV之一主導(意謂主控)帶隙。據此且無論如何，「主導」被使用且應用於本文，不論特定路徑/材料之均質性如何。在一實施例中，鐵電材料19之主導帶隙可低於平行路徑26之主導帶隙。在一實施例中，使平行路徑26之最小長度長於鐵電材料19之最小厚度。作為一實例，當鐵電材料及平行路徑之主導帶隙大致相同時，可在平行路徑中之狀態之密度等於或大於鐵電材料中之狀態之密度時使用此一長度關係。作為另一實例，當鐵電材料之主導帶隙小於平行路徑之主導帶隙時，可在平行路徑中之狀態之密度等於或大於鐵電材料中之狀態之密度時使用此一長度關係。
在一實施例中且如圖2中所展示，材料34及藉此平行路徑26係直接抵靠鐵電材料19。在本發明中，當所陳述之材料或結構相對於彼此存在至少某一實體觸摸接觸時，一材料或結構係「直接抵靠」另一材料或結構。相比而言，前面未加「直接」之「上方」、「上」及「抵靠」涵蓋「直接抵靠」以及其中(若干)介入材料或結構導致所陳述之 材料或結構相對於彼此之非實體觸摸接觸的建構。若兩個所陳述之材料並非直接彼此抵靠，則具有不同組合物之一材料介於其等之間。如本文所使用，例如，若此等材料係非均質的，「不同組合物」僅需要可直接彼此抵靠之兩個所陳述材料的部分在化學上及/或物理上係不同的。若兩個所陳述之材料並非直接彼此抵靠，則「不同組合物」僅需要：若此等材料係非均質的，則彼此最接近之兩個所陳述材料的部分在化學上及/或物理上係不同的。圖3描繪一替代實施例記憶體胞10a，其中平行路徑26並非直接抵靠鐵電材料19a。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用後綴「a」或使用不同元件符號來指示一些建構差異。電容器14a經展示為包括間隔於材料34與19a之間之某一材料21(例如介電材料，諸如二氧化矽及/或氮化矽)，藉此平行路徑26並非直接抵靠鐵電材料19a。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
圖4展示另一實例性實施例記憶體胞10b。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用後綴「b」或不同元件符號來指示一些建構差異。記憶體胞10b中之材料34b(及藉此平行路徑26b)本質上經展示為穿過鐵電材料19b，藉此構成電容器建構14b之一內部部分且具有兩個橫向側35(即，在至少一直線橫截面中)，兩個橫向側35之各者係直接抵靠鐵電材料19b。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
平行電流洩漏路徑可具有等於、大於或小於兩個電容器電極之間之鐵電材料之最小厚度的最小長度。在一實施例中，平行路徑具有兩個電容器電極之間之鐵電材料之最小厚度之5%內的最小長度。圖2至圖4本質上將平行路徑26展示為具有實質上等於鐵電材料19/19a/19b之最小厚度的最小長度。例如，即使在圖2及圖3實施例中，穿過材料34之最短路徑(例如最小長度)係自電容器電極18之材料的最右下角至 電極20之材料的最右上角，但為清楚起見，圖2及圖3中將平行路徑26示意性地展示為穿過材料34之一寬拱形路徑。在一些實施例中，平行路徑可具有大於兩個電容器電極之間之鐵電材料之最小厚度的最小長度，在一實施例中，其係在兩個電容器電極之間之鐵電材料之最小厚度的30%內，且在一實施例中，其係兩個電容器電極之間之鐵電材料之最小厚度的至少兩倍。
圖5及圖6中展示另一實例性實施例記憶體胞10c。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用後綴「c」或使用不同元件符號來指示一些建構差異。電容器14c包括第一導電電容器電極20c，其具有一基底40及自基底40延伸之橫向間隔(即，在至少一直線橫截面中)壁42。橫向間隔壁42具有對向側表面43。第二導電電容器電極18c係橫向地介於第一電容器電極20c的壁42之間。鐵電材料19c係橫向地介於第一電容器電極20c的壁42之間，且橫向地介於第二電容器電極18c與第一電容器電極20c之間。在一實施例中，鐵電材料19c包括具有側表面44之橫向間隔壁45(圖5)。電容器14c包括自第一電容器電極20c及第二電容器電極18c之一者穿過鐵電材料19c而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑22。
一平行電流洩漏路徑26c係介於第二電容器電極18c與第一電容器電極20c之基底40之一表面41之間。平行路徑26係電路平行於本徵路徑22且具有比本徵路徑22低之總電阻。在一實施例中，平行路徑26c係在具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙之一材料34c內且穿過該材料34c，且在一實施例中，其帶隙小於鐵電材料19c之帶隙。圖5展示一實例性實施例，其中平行路徑26c之最小長度比鐵電材料19c之最小厚度大兩倍。在一實施例中，材料34c係直接抵靠第一電容器電極42之基底40之表面41。在一實施例中，材料34c係直接抵靠鐵電材料19c之橫向間隔壁45之側表面44。一選擇裝置12(圖中未展示)將與電容器 14c串聯電耦合，具體而言，與第一電容器電極20c或第二電容器電極18c之一者串聯電耦合。在一實施例中且如圖中所展示，材料34c並非直接抵靠第一電容器電極20c之橫向間隔壁42之側表面43。在一實施例中且如圖中所展示，第一電容器電極20c包括一環形物48，且在一實施例中，鐵電材料19c包括一環形物50。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
任何適合技術可用於製造圖5及圖6建構。作為一實例，可形成第一電容器電極20c及鐵電材料19c作為介電材料(圖中未展示)中之一開口內之各自襯層。接著，可使鐵電材料19c各向異性地蝕刻穿過第一電容器電極20c之基底以產生如圖5中所展示之材料19c建構。接著，材料34c可經沈積且經回蝕以產生如圖5中所展示之其建構，接著沈積且回拋或回蝕材料18c。
圖7描繪由圖5及圖6展示之記憶體胞之一替代實施例記憶體胞10d。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用後綴「d」或使用不同元件符號來指示一些建構差異。鐵電材料19d具有橫向間隔壁45自其延伸之一基底54。材料34d延伸穿過鐵電材料19d之基底54。在一實施例中且如圖中所展示，材料34d並非直接抵靠鐵電材料19d之橫向間隔壁45之橫向側表面44。一選擇裝置12(圖中未展示)將與電容器14d串聯電耦合，具體而言，電耦合至電容器電極18d或20c之一者。當然，任何適合技術可用於製造圖7建構。例如，可形成第一電容器電極20c及鐵電材料19d作為介電材料(圖中未展示)中之一開口內之各自襯層。接著，可首先形成材料18d作為剩餘開口內之一襯層，其具有鐵電材料19d作為其側壁且留下具有等於材料34d之橫向寬度之橫向寬度之一空隙空間。接著，可使材料18d襯層各向異性地蝕刻穿過鐵電材料19d之基底。此接著蝕刻穿過鐵電材料19d之基底而至材料20c以產生圖7中所展示之材料19d之最終建構。接著，材料34d 可經沈積且經回蝕以產生其最終建構，接著沈積且回拋或回蝕剩餘材料18d。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
圖8中展示另一實施例記憶體胞10e。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用後綴「e」或使用不同元件符號來指示一些建構差異。不論是否具有一基底40，第一電容器電極20c具有橫向間隔壁42。材料34e內之平行電流洩漏路徑26e介於第二電容器電極18c與第一電容器電極20c之橫向間隔壁42之一表面60之間。在一實施例中且如圖中所展示，表面60包括第一電容器電極20c之橫向間隔壁42之一橫向側表面。無論如何，在一實施例中且如圖中所展示，材料34e係直接抵靠第一電容器電極20c之壁42之表面60。在其中第一電容器電極20c具有一基底40(橫向間隔壁42自其延伸)之一實施例中，材料34e可直接抵靠第一電容器電極20c之基底40之一表面61。一選擇裝置12(圖中未展示)將與電容器14e串聯電耦合，具體而言，電耦合至電容器電極18c或20c之一者。當然，任何適合技術可用於製造圖8建構。例如，可形成第一電容器電極20c作為介電材料(圖中未展示)中之一開口內之一襯層。接著，材料34e可經沈積且經回蝕以產生其建構，如圖8中所展示。此可接著沈積鐵電材料19e作為剩餘開口內之一襯層且隨後使其各向異性地蝕刻穿過材料19e之基底。接著，可沈積材料18c且將其回拋或回蝕成其所描繪之最終建構。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
圖9及圖10中展示另一實施例記憶體胞10f。已適當地使用來自上述實施例之相同元件符號，其中使用後綴「f」或使用不同元件符號來指示一些建構差異。記憶體胞10f與記憶體胞10e之相近類似點在於：一平行電流洩漏路徑26f係介於第二電容器電極18f與第一電容器電極20c之橫向間隔壁42之一表面之間。然而，在記憶體胞10f中，此表面包括第一電容器電極20c之橫向間隔壁42之一立向最外表面65。 此外，在一實施例中且如圖中所展示，材料34f係直接抵靠鐵電材料19f之一立向最外表面66。此外，在一實施例中且如圖中所展示，材料34f包括一環狀物70。當然，任何適合技術可用於製造圖9及圖10建構。例如，可形成第一電容器電極20c及鐵電材料19f作為介電材料(圖中未展示)中之一開口內之各自襯層。接著，材料18f可經沈積以填充具有鐵電材料19f作為其側壁之剩餘開口。接著，可將材料20c、19f及18f共同回蝕或回拋至表面65及66之高度。接著，可沈積材料34f作為剩餘開口內之一襯層且隨後使材料34f各向異性地蝕刻穿過其基底以產生如圖9及圖10中所展示之其最終建構。接著，可沈積剩餘材料18f且將回拋或回蝕成其所描繪之最終建構。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
在一實施例中，一記憶體胞(例如10e或10f)具有包括一環形物48之一第一電容器電極20c。第二電容器電極18c/18f係徑向地位於第一電容器電極20c之環形物48內。鐵電材料19e/19f係徑向地位於第一電容器電極20c之環形物48內。電容器14e/14f包括自第一電容器電極及第二電容器電極之一者穿過鐵電材料19e/19f而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑22。平行電流洩漏路徑26e/26f係介於第二電容器電極18c/18f與第一電容器電極20c之環形物48之一表面之間。平行路徑26e/26f係電路平行於本徵路徑22且具有比本徵路徑22低之總電阻。
在一實施例中，材料34f包括一環形物70。在一實施例中，材料34f係直接抵靠環形物48之一立向最外表面65。在一實施例中，鐵電材料19f包括一環形物50f，且材料34f係直接抵靠環形物50f之一立向最外表面66。可使用如上文所描述之(若干)任何其他屬性或建構。
總結
在一些實施例中，一種記憶體胞包括一選擇裝置及與該選擇裝置串聯電耦合之一電容器。該電容器包括兩個導電電容器電極，其等 具有介於其等之間之鐵電材料。該電容器包括自該等電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑。存在自該電容器電極至該另一電容器電極之一平行電流洩漏路徑。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑且具有比該本徵路徑低之總電阻。
在一些實施例中，一種記憶體胞包括一選擇裝置及與該選擇裝置串聯電耦合之一電容器。該電容器包括兩個導電電容器電極，其等具有介於其等之間之鐵電材料。該電容器包括自該等電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑。存在自該電容器電極至該另一電容器電極之一平行電流洩漏路徑。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑且具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙。
在一些實施例中，一種記憶體胞包括一選擇裝置及與該選擇裝置串聯電耦合之一電容器。該電容器包括具有一基底及自該基底延伸之橫向間隔壁之一第一導電電容器電極。一第二導電電容器電極係橫向地介於該第一電容器電極之該等壁之間。一鐵電材料係橫向地介於該第一電容器電極之該等壁之間且橫向地介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑。在該第二電容器電極與該第一電容器電極之該基底之一表面之間存在一平行電流洩漏路徑。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑且具有比該本徵路徑低之總電阻。
在一些實施例中，一種記憶體胞包括一選擇裝置及與該選擇裝置串聯電耦合之一電容器。該電容器包括具有橫向間隔壁之一第一導電電容器電極。一第二導電電容器電極係橫向地介於該第一電容器電極之該等壁之間。鐵電材料係橫向地介於第一電容器電極之該等壁之 間且橫向地介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑。在該第二電容器電極與該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之一表面之間存在一平行電流洩漏路徑。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑且具有比該本徵路徑低之總電阻。
在一些實施例中，一種記憶體胞包括一選擇裝置及與該選擇裝置串聯電耦合之一電容器。該電容器包括一第一導電電容器電極，其包括一環形物。一第二導電電容器電極係徑向地位於該第一電容器電極之該環形物內。鐵電材料係徑向地位於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之該第一電容器電極之該環形物內。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑。在該第二電容器電極與該第一電容器電極之該環狀物之一表面之間存在一平行電流洩漏路徑。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑且具有比該本徵路徑低之總電阻。
在遵守法規之情況下，已用或多或少專針對結構及方法特徵之語言描述本文所揭示之標的。然而，應瞭解，申請專利範圍不受限於所展示及所描述之特定特徵，此係因為本文所揭示之構件包括實例性實施例。因此，申請專利範圍應被給予如字面措詞之全範疇且應根據等效物之教義來適當地加以解譯。
10‧‧‧記憶體胞/建構
11‧‧‧導電路徑
12‧‧‧選擇裝置
13‧‧‧組件/導電路徑
14‧‧‧電容器
16‧‧‧導電路徑/組件
18‧‧‧電容器電極
19‧‧‧鐵電材料
20‧‧‧電容器電極
22‧‧‧本徵電流洩漏路徑
24‧‧‧電阻器
26‧‧‧平行電流洩漏路徑
28‧‧‧電阻器
30‧‧‧選擇裝置電流洩漏路徑
32‧‧‧電阻

Claims (20)

  1. 一種記憶體胞，其包括：一選擇裝置；一電容器，其與該選擇裝置串聯電耦合，該電容器包括兩個導電電容器電極，該兩個導電電容器電極具有介於其等之間之鐵電材料，該電容器包括自該等電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其自該電容器電極至該另一電容器電極，該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑且具有比該本徵路徑低之總電阻，該平行電流洩漏路徑係非直接抵靠該鐵電材料。
  2. 如請求項1之記憶體胞，其中在操作中，當該記憶體胞閒置時，該選擇裝置展現電流洩漏，該平行電流洩漏路徑經組態使得該記憶體胞閒置時通過該平行路徑之電流大於或等於該記憶體胞閒置時之該選擇裝置之該電流洩漏。
  3. 如請求項1之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙，且該主導帶隙小於該鐵電材料之主導帶隙。
  4. 如請求項1之記憶體胞，其中在操作中，閒置時橫跨該電容器之任何電壓差使得該鐵電材料中之任何電場比該鐵電材料之本徵矯頑場低至少20倍。
  5. 如請求項1之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑包括介於該兩個電容器電極之間之一非線性電阻器，該非線性電阻器在較高電壓處展現比較低電壓處之電阻高的電阻。
  6. 如請求項1之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑具有大於該兩 個電容器電極之間之該鐵電材料之最小厚度的最小長度。
  7. 如請求項1之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑具有在該兩個電容器電極之間之該鐵電材料之最小厚度之95%至105%內的最小長度。
  8. 一種記憶體胞，其包括：一選擇裝置；一電容器，其與該選擇裝置串聯電耦合，該電容器包括兩個導電電容器電極，該兩個導電電容器電極具有介於其等之間之鐵電材料，該電容器包括自該等電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其自該電容器電極至該另一電容器電極，該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑，該平行電流洩漏路徑具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙，該平行電流洩漏路徑係非直接抵靠該鐵電材料。
  9. 如請求項8之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑主要包括非晶矽、多晶矽及鍺中之一或多者。
  10. 如請求項8之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑主要包括一或多個硫屬化物。
  11. 如請求項8之記憶體胞，其中該平行電流洩漏路徑主要包括富矽氮化矽、富矽氧化矽，及摻雜有導電性增強摻雜物之本徵介電材料中之一或多者。
  12. 一種記憶體胞，其包括：一選擇裝置；一電容器，其與該選擇裝置串聯電耦合，該電容器包括：一第一導電電容器電極，其具有一基底及自該基底延伸之橫向間隔壁； 一第二導電電容器電極，其橫向地介於該第一電容器電極之該等壁之間；及鐵電材料，其橫向地介於該第一電容器電極之該等壁之間且橫向地介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之該基底之一表面之間，該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑，且具有比該本徵路徑低的總電阻。
  13. 如請求項12之記憶體胞，其中該第二電容器電極與該第一電容器電極之該基底之該表面之間的該平行電流洩漏路徑係位於具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙的材料內且穿過該材料，具有0.4eV至5.0eV之主導帶隙的該材料係直接抵靠該第一電容器電極之該基底的該表面。
  14. 如請求項12之記憶體胞，其中該鐵電材料具有一基底及自該基底延伸之橫向間隔壁；及該第二電容器電極與該第一電容器電極之該基底之該表面之間的該平行電流洩漏路徑係位於具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙的材料內且穿過該材料，具有0.4eV至5.0eV之主導帶隙的該材料延伸穿過該鐵電材料的該基底。
  15. 一種記憶體胞，其包括：一選擇裝置；一電容器，其與該選擇裝置串聯電耦合，該電容器包括：一第一導電電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二導電電容器電極，其橫向地介於該第一電容器電極 之該等壁之間；及鐵電材料，其橫向地介於該第一電容器電極之該等壁之間且橫向地介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之一表面之間，該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑，且具有比該本徵路徑低的總電阻。
  16. 如請求項15之記憶體胞，其中該第二電容器電極與該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之該表面之間的該平行電流洩漏路徑係位於具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙的材料內且穿過該材料，具有0.4eV至5.0eV之主導帶隙的該材料係直接抵靠該第一電容器電極之該等橫向間隔壁的該表面。
  17. 如請求項15之記憶體胞，其中該表面包括該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之一橫向側表面。
  18. 一種記憶體胞，其包括：一選擇裝置；一電容器，其與該選擇裝置串聯電耦合，該電容器包括：一第一導電電容器電極，其包括一環形物；一第二導電電容器電極，其徑向地位於該第一電容器電極之該環形物內；及鐵電材料，其徑向地位於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之該第一電容器電極之該環形物內，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者穿過該鐵 電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之該環形物之一表面之間，該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵電路，且具有比該本徵路徑低的總電阻。
  19. 如請求項18之記憶體胞，其中該環形物之該表面係該環形物之一立向最外表面；及該第二電容器電極與該第一電容器電極之該環形物之該表面之間之該平行電流洩漏路徑係位於具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙之材料內且穿過該材料，具有0.4eV至5.0eV之主導帶隙之該材料係直接抵靠該環形物之該立向最外表面。
  20. 如請求項18之記憶體胞，其中該鐵電材料包括具有一立向最外表面之一環形物；及該第二電容器電極與該第一電容器電極之該環形物之該表面之間之該平行電流洩漏路徑係位於具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙之材料內且穿過該材料，具有0.4eV至5.0eV之主導帶隙之該材料係直接抵靠該鐵電材料之該立向最外表面。
TW105102738A 2015-02-17 2016-01-28 記憶體胞 TWI594236B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/623,749 US9305929B1 (en) 2015-02-17 2015-02-17 Memory cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201635286A TW201635286A (zh) 2016-10-01
TWI594236B true TWI594236B (zh) 2017-08-01

Family

ID=55589087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105102738A TWI594236B (zh) 2015-02-17 2016-01-28 記憶體胞

Country Status (6)

Country Link
US (7) US9305929B1 (zh)
EP (1) EP3259757A4 (zh)
KR (3) KR102369843B1 (zh)
CN (2) CN112802844A (zh)
TW (1) TWI594236B (zh)
WO (1) WO2016133611A1 (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
US9472560B2 (en) 2014-06-16 2016-10-18 Micron Technology, Inc. Memory cell and an array of memory cells
US9159829B1 (en) 2014-10-07 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Recessed transistors containing ferroelectric material
US9276092B1 (en) 2014-10-16 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Transistors and methods of forming transistors
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
US9853211B2 (en) 2015-07-24 2017-12-26 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device
US10134982B2 (en) 2015-07-24 2018-11-20 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
US10396145B2 (en) * 2017-01-12 2019-08-27 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
WO2019045682A1 (en) * 2017-08-29 2019-03-07 Intel Corporation SELECTOR DEVICES
US10650978B2 (en) * 2017-12-15 2020-05-12 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating leaker devices into capacitor configurations to reduce cell disturb
US10347322B1 (en) * 2018-02-20 2019-07-09 Micron Technology, Inc. Apparatuses having memory strings compared to one another through a sense amplifier
US10923493B2 (en) 2018-09-06 2021-02-16 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices, electronic systems, and related methods
US10615288B1 (en) 2018-10-24 2020-04-07 International Business Machines Corporation Integration scheme for non-volatile memory on gate-all-around structure
US11177284B2 (en) 2018-12-20 2021-11-16 Sandisk Technologies Llc Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same
US10700093B1 (en) * 2018-12-20 2020-06-30 Sandisk Technologies Llc Ferroelectric memory devices employing conductivity modulation of a thin semiconductor material or a two-dimensional charge carrier gas and methods of operating the same
US10833092B2 (en) 2019-01-23 2020-11-10 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating leaker-devices into capacitor configurations to reduce cell disturb, and capacitor configurations incorporating leaker-devices
KR102664403B1 (ko) 2019-02-18 2024-05-09 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법
US10804274B2 (en) 2019-02-27 2020-10-13 International Business Machines Corporation Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances
US11177266B2 (en) 2019-08-26 2021-11-16 Micron Technology, Inc. Array of capacitors, an array of memory cells, a method of forming an array of capacitors, and a method of forming an array of memory cells
US11101274B2 (en) 2019-12-05 2021-08-24 Micron Technology, Inc. Ferroelectric capacitor, a ferroelectric memory cell, an array of ferroelectric memory cells, and a method of forming a ferroelectric capacitor
US11107516B1 (en) 2020-02-24 2021-08-31 Sandisk Technologies Llc Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same
US11672128B2 (en) * 2020-07-20 2023-06-06 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating leaker devices into capacitor configurations to reduce cell disturb, and capacitor configurations incorporating leaker devices
US11355531B1 (en) 2020-11-30 2022-06-07 Micron Technology, Inc. Array of capacitors, an array of memory cells, method used in forming an array of memory cells, methods used in forming an array of capacitors, and methods used in forming a plurality of horizontally-spaced conductive lines
US11557593B2 (en) 2020-11-30 2023-01-17 Micron Technology, Inc. Array of memory cells, methods used in forming an array of memory cells, methods used in forming an array of vertical transistors, and methods used in forming an array of capacitors
DE102021200003A1 (de) * 2021-01-04 2022-07-07 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren und Vorrichtung zur Verwendung eines Halbleiterbauelements
US11706927B2 (en) 2021-03-02 2023-07-18 Micron Technology, Inc. Memory devices and methods of forming memory devices
US11705906B1 (en) 2021-05-21 2023-07-18 Kepler Computing Inc. Majority logic gate having ferroelectric input capacitors and a pulsing scheme coupled to a conditioning logic
US11394387B1 (en) 2021-05-21 2022-07-19 Kepler Computing Inc. 2-input NAND gate with non-linear input capacitors
US11695072B2 (en) 2021-07-09 2023-07-04 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US12035536B2 (en) 2021-07-19 2024-07-09 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US11917834B2 (en) 2021-07-20 2024-02-27 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US11641205B1 (en) 2021-10-01 2023-05-02 Kepler Computing Inc. Reset mechanism for a chain of majority or minority gates having paraelectric material
US11664370B1 (en) 2021-12-14 2023-05-30 Kepler Corpating inc. Multi-function paraelectric threshold gate with input based adaptive threshold
US11705905B1 (en) 2021-12-14 2023-07-18 Kepler Computing, Inc. Multi-function ferroelectric threshold gate with input based adaptive threshold
US11750197B1 (en) 2022-04-20 2023-09-05 Kepler Computing Inc. AND-OR-invert logic based on a mix of majority OR minority logic gate with non-linear input capacitors and other logic gates

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180141B2 (en) * 2004-12-03 2007-02-20 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric capacitor with parallel resistance for ferroelectric memory
US20120312881A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Ramtron International Corporation Dynamic power clamp for rfid power control
US20130063863A1 (en) * 2011-07-08 2013-03-14 John P. Timler Insulator Based Upon One or More Dielectric Structures
TW201405714A (zh) * 2012-07-25 2014-02-01 Iucf Hyu 非揮發性記憶體元件

Family Cites Families (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4070653A (en) 1976-06-29 1978-01-24 Texas Instruments Incorporated Random access memory cell with ion implanted resistor element
US5565695A (en) 1995-04-21 1996-10-15 Johnson; Mark B. Magnetic spin transistor hybrid circuit element
DE59510349D1 (de) 1995-04-24 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Speichervorrichtung unter Verwendung eines ferroelektrischen Dielektrikums und Verfahren zur Herstellung
JP2921468B2 (ja) 1996-02-19 1999-07-19 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
JPH1093083A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE19640215C1 (de) 1996-09-30 1998-02-19 Siemens Ag Integrierte Halbleiterspeicheranordnung mit "Buried-Plate-Elektrode"
JP3587004B2 (ja) 1996-11-05 2004-11-10 ソニー株式会社 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法
US6336544B1 (en) 1999-03-01 2002-01-08 Casinovations Incorporated Coin collection system
JP3668790B2 (ja) * 1997-03-31 2005-07-06 岩崎電気株式会社 始動器内蔵形高圧蒸気放電灯
US6288431B1 (en) 1997-04-04 2001-09-11 Nippon Steel Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JPH1140683A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Hitachi Ltd 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100269306B1 (ko) * 1997-07-31 2000-10-16 윤종용 저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법
US6256220B1 (en) * 1997-09-15 2001-07-03 Celis Semiconductor Corporation Ferroelectric memory with shunted isolated nodes
US5959878A (en) * 1997-09-15 1999-09-28 Celis Semiconductor Corporation Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same
JP3373403B2 (ja) 1997-09-16 2003-02-04 帝人株式会社 スェード調人工皮革の製造方法
JPH11274429A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Toshiba Corp 半導体記憶装置
KR100292819B1 (ko) * 1998-07-07 2001-09-17 윤종용 커패시터및그의제조방법
US20030001189A1 (en) 2000-02-24 2003-01-02 Tetsuo Fujiwara Ferroelectric capacitor and semiconductor device
US6249014B1 (en) * 1998-10-01 2001-06-19 Ramtron International Corporation Hydrogen barrier encapsulation techniques for the control of hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors in conjunction with multilevel metal processing for non-volatile integrated circuit memory devices
JP3743189B2 (ja) 1999-01-27 2006-02-08 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US6242299B1 (en) * 1999-04-01 2001-06-05 Ramtron International Corporation Barrier layer to protect a ferroelectric capacitor after contact has been made to the capacitor electrode
US6236076B1 (en) 1999-04-29 2001-05-22 Symetrix Corporation Ferroelectric field effect transistors for nonvolatile memory applications having functional gradient material
US6611014B1 (en) * 1999-05-14 2003-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having ferroelectric capacitor and hydrogen barrier film and manufacturing method thereof
US6370056B1 (en) 2000-03-10 2002-04-09 Symetrix Corporation Ferroelectric memory and method of operating same
EP1220318A4 (en) 1999-09-30 2007-06-06 Rohm Co Ltd NON-VOLATILE MEMORY
DE19959084B4 (de) 1999-12-08 2005-05-12 Schott Ag Organisches LED-Display und Verfahren zu seiner Herstellung
US6635528B2 (en) * 1999-12-22 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated Method of planarizing a conductive plug situated under a ferroelectric capacitor
US6417537B1 (en) 2000-01-18 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Metal oxynitride capacitor barrier layer
JP4938921B2 (ja) 2000-03-16 2012-05-23 康夫 垂井 トランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子
US20020036313A1 (en) 2000-06-06 2002-03-28 Sam Yang Memory cell capacitor structure and method of formation
GB2366666B (en) 2000-09-11 2002-12-04 Toshiba Res Europ Ltd An optical device and method for its manufacture
US6339544B1 (en) 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US20020102808A1 (en) 2001-01-31 2002-08-01 Skyland Pu Method for raising capacitance of a trench capacitor and reducing leakage current
US6448601B1 (en) 2001-02-09 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Memory address and decode circuits with ultra thin body transistors
US6566192B2 (en) * 2001-02-27 2003-05-20 Nanya Technology Corporation Method of fabricating a trench capacitor of a memory cell
KR100407575B1 (ko) 2001-04-18 2003-12-01 삼성전자주식회사 강유전체 메모리 장치 및 그 형성 방법
US6717215B2 (en) 2001-06-21 2004-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory structures
US6717195B2 (en) 2001-06-29 2004-04-06 Rohm Co., Ltd. Ferroelectric memory
JP2003045174A (ja) 2001-08-01 2003-02-14 Sharp Corp 半導体記憶装置
US20030063740A1 (en) * 2001-08-20 2003-04-03 Sagar Richard B. Method of providing multilevel quality signals
TW508808B (en) 2001-09-14 2002-11-01 Winbond Electronics Corp Stacked type capacitor structure and its manufacturing method
US6665207B2 (en) 2001-11-14 2003-12-16 Micron Technology, Inc. ROM embedded DRAM with dielectric removal/short
US7075134B2 (en) 2001-11-29 2006-07-11 Symetrix Corporation Ferroelectric and high dielectric constant integrated circuit capacitors with three-dimensional orientation for high-density memories, and method of making the same
KR100799129B1 (ko) 2001-12-24 2008-01-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
CN1306599C (zh) 2002-03-26 2007-03-21 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
US6579760B1 (en) 2002-03-28 2003-06-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, programmable phase change memory
JP2003289134A (ja) 2002-03-28 2003-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6940085B2 (en) 2002-04-02 2005-09-06 Hewlett-Packard Development Company, I.P. Memory structures
US7994153B2 (en) 2002-05-20 2011-08-09 Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. Chloasma amelioration composition and dullness amelioration composition
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
JP2004040059A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置
US7884349B2 (en) 2002-08-02 2011-02-08 Unity Semiconductor Corporation Selection device for re-writable memory
US7186569B2 (en) 2002-08-02 2007-03-06 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory stack with sidewall
US7009235B2 (en) 2003-11-10 2006-03-07 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory stack with non-uniform width
KR100475116B1 (ko) * 2002-11-12 2005-03-11 삼성전자주식회사 산화알루미늄/산화하프늄 복합유전막을 가지는 반도체메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법
US6897106B2 (en) 2002-08-16 2005-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitor of semiconductor memory device that has composite Al2O3/HfO2 dielectric layer and method of manufacturing the same
US6744087B2 (en) 2002-09-27 2004-06-01 International Business Machines Corporation Non-volatile memory using ferroelectric gate field-effect transistors
JP4509467B2 (ja) 2002-11-08 2010-07-21 シャープ株式会社 不揮発可変抵抗素子、及び記憶装置
US6876021B2 (en) * 2002-11-25 2005-04-05 Texas Instruments Incorporated Use of amorphous aluminum oxide on a capacitor sidewall for use as a hydrogen barrier
JP4355136B2 (ja) 2002-12-05 2009-10-28 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法
KR100493040B1 (ko) 2002-12-30 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법
KR100480644B1 (ko) 2003-02-28 2005-03-31 삼성전자주식회사 셀 구동 전류가 증가된 상 변화 메모리
JP4141861B2 (ja) 2003-03-03 2008-08-27 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7755934B2 (en) 2003-03-18 2010-07-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory device
US6958486B2 (en) 2003-06-26 2005-10-25 Rj Mears, Llc Semiconductor device including band-engineered superlattice
KR100578212B1 (ko) 2003-06-30 2006-05-11 주식회사 하이닉스반도체 엠티피 구조의 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법
US7408212B1 (en) 2003-07-18 2008-08-05 Winbond Electronics Corporation Stackable resistive cross-point memory with schottky diode isolation
US7067385B2 (en) 2003-09-04 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Support for vertically oriented capacitors during the formation of a semiconductor device
US7297602B2 (en) 2003-09-09 2007-11-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Conductive metal oxide gate ferroelectric memory transistor
US7001821B2 (en) * 2003-11-10 2006-02-21 Texas Instruments Incorporated Method of forming and using a hardmask for forming ferroelectric capacitors in a semiconductor device
US7816722B2 (en) 2004-02-04 2010-10-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory array
US7082052B2 (en) 2004-02-06 2006-07-25 Unity Semiconductor Corporation Multi-resistive state element with reactive metal
KR100626912B1 (ko) 2004-04-23 2006-09-20 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 수직 전극 셀과 수직 전극 셀을 이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 수직 전극 셀 제조방법
US6995025B2 (en) 2004-06-21 2006-02-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Asymmetrical programming ferroelectric memory transistor
JP2006049566A (ja) 2004-08-04 2006-02-16 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
EP1624479A3 (en) * 2004-08-05 2008-07-16 Samsung Electronics Co, Ltd Ferroelectric memory and ferroelectric capacitor with Ir-alloy electrode or Ru-alloy electrode and method of manufacturing same
US7161213B2 (en) * 2004-08-05 2007-01-09 Broadcom Corporation Low threshold voltage PMOS apparatus and method of fabricating the same
KR100587396B1 (ko) 2004-08-13 2006-06-08 동부일렉트로닉스 주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법
US7378286B2 (en) 2004-08-20 2008-05-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor
US8154002B2 (en) 2004-12-06 2012-04-10 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale wire-based data storage
JP4345676B2 (ja) 2005-01-12 2009-10-14 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置
KR100707181B1 (ko) 2005-02-14 2007-04-13 삼성전자주식회사 듀얼 스토리지 노드를 구비하는 반도체 메모리 장치와 그제조 및 동작 방법
US8270193B2 (en) 2010-01-29 2012-09-18 Unity Semiconductor Corporation Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays
US8937292B2 (en) 2011-08-15 2015-01-20 Unity Semiconductor Corporation Vertical cross point arrays for ultra high density memory applications
US8003511B2 (en) 2008-12-19 2011-08-23 Unity Semiconductor Corporation Memory cell formation using ion implant isolated conductive metal oxide
KR100695513B1 (ko) 2005-06-15 2007-03-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
JP2007049016A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US7304339B2 (en) * 2005-09-22 2007-12-04 Agile Rf, Inc. Passivation structure for ferroelectric thin-film devices
JP2007157982A (ja) 2005-12-05 2007-06-21 Seiko Epson Corp トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法
US7982252B2 (en) 2006-01-27 2011-07-19 Hynix Semiconductor Inc. Dual-gate non-volatile ferroelectric memory
US7842990B2 (en) 2006-02-17 2010-11-30 Hynix Semiconductor Inc. Nonvolatile ferroelectric memory device including trench capacitor
JP4745108B2 (ja) 2006-04-06 2011-08-10 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
WO2008073529A2 (en) 2006-07-31 2008-06-19 Drexel University Integrated semiconductor and transition-metal oxide nanostructures and methods for preparing same
TWM315710U (en) 2006-08-04 2007-07-21 Jackson Yu Storing apparatus of video/audio media
US7558097B2 (en) 2006-12-28 2009-07-07 Intel Corporation Memory having bit line with resistor(s) between memory cells
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
FR2913523B1 (fr) 2007-03-09 2009-06-05 Commissariat Energie Atomique Disposistif de memorisation de donnees multi-niveaux a materiau a changement de phase
JP4535076B2 (ja) 2007-03-14 2010-09-01 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタとその製造方法
KR100876136B1 (ko) 2007-04-12 2008-12-29 서울시립대학교 산학협력단 엠에프엠아이에스 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터 및강유전체 메모리 장치와 그 제조방법
WO2008126961A1 (en) 2007-04-12 2008-10-23 University Of Seoul Foundation Of Industry-Academic Cooperation Mfmis-fet, mfmis-ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same
US7452776B1 (en) 2007-04-24 2008-11-18 Promos Technoloies Pte. Ltd. Integrated circuits with substrate protrusions, including (but not limited to) floating gate memories
JP2008277543A (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8487450B2 (en) 2007-05-01 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions comprising vertically-stacked memory units that include diodes utilizing at least two different dielectric materials, and electronic systems
WO2009015298A2 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Intermolecular, Inc. Nonvolatile memory elements
US8679903B2 (en) 2007-07-27 2014-03-25 Stmicroelectronics, Inc. Vertical quadruple conduction channel insulated gate transistor
JP2009076653A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7892956B2 (en) 2007-09-24 2011-02-22 International Business Machines Corporation Methods of manufacture of vertical nanowire FET devices
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
KR20090055874A (ko) 2007-11-29 2009-06-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
TWI360708B (en) * 2007-12-17 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure, display panel, elecro-optical app
JP2009170511A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 半導体素子及び半導体装置
US8394683B2 (en) 2008-01-15 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor constructions, and methods of forming NAND unit cells
TW200933878A (en) 2008-01-21 2009-08-01 Ind Tech Res Inst Memory capacitor and manufacturing method thereof
JP5162276B2 (ja) 2008-02-28 2013-03-13 ローム株式会社 強誘電体メモリ装置
US8034655B2 (en) 2008-04-08 2011-10-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays
US8304823B2 (en) 2008-04-21 2012-11-06 Namlab Ggmbh Integrated circuit including a ferroelectric memory cell and method of manufacturing the same
JP5288877B2 (ja) 2008-05-09 2013-09-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP5546740B2 (ja) 2008-05-23 2014-07-09 ローム株式会社 半導体装置
US8004871B2 (en) 2008-05-26 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor memory device including FET memory elements
JP5081069B2 (ja) 2008-06-09 2012-11-21 パナソニック株式会社 半導体記憶装置
JP2010044844A (ja) 2008-08-18 2010-02-25 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7791925B2 (en) 2008-10-31 2010-09-07 Seagate Technology, Llc Structures for resistive random access memory cells
US20100110753A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Qimonda Ag Ferroelectric Memory Cell Arrays and Method of Operating the Same
US8362604B2 (en) 2008-12-04 2013-01-29 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Ferroelectric tunnel FET switch and memory
US8159858B2 (en) 2008-12-19 2012-04-17 Unity Semiconductor Corporation Signal margin improvement for read operations in a cross-point memory array
US20100195393A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Unity Semiconductor Corporation Data storage system with refresh in place
US8021897B2 (en) 2009-02-19 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating a cross point memory array
WO2010104918A1 (en) 2009-03-10 2010-09-16 Contour Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array comprising vertical switches having three terminals
US8193522B2 (en) 2009-04-09 2012-06-05 Qualcomm Incorporated Diamond type quad-resistor cells of PRAM
US7940554B2 (en) 2009-04-24 2011-05-10 Sandisk 3D Llc Reduced complexity array line drivers for 3D matrix arrays
US8173987B2 (en) 2009-04-27 2012-05-08 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
US7968876B2 (en) 2009-05-22 2011-06-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having vertical channel access transistor
JP5025696B2 (ja) 2009-08-11 2012-09-12 株式会社東芝 抵抗変化メモリ
WO2011056281A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Rambus Inc. Three-dimensional memory array stacking structure
CN102074562B (zh) 2009-11-25 2012-08-29 中国科学院微电子研究所 Nand结构及其形成方法
US8144516B2 (en) * 2009-12-03 2012-03-27 Micron Technology, Inc. Dynamic pass voltage for sense operation in a memory device
US8441097B2 (en) 2009-12-23 2013-05-14 Intel Corporation Methods to form memory devices having a capacitor with a recessed electrode
US8363443B2 (en) 2010-02-01 2013-01-29 Unity Semiconductor Corporation Circuits and techniques to compensate data signals for variations of parameters affecting memory cells in cross-point arrays
WO2011105198A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8198160B2 (en) 2010-04-19 2012-06-12 Jun Liu Vertical transistor phase change memory
US8411477B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8570785B2 (en) 2010-05-26 2013-10-29 Hewlett-Packard Development Company Reading a memory element within a crossbar array
CN102263122B (zh) 2010-05-28 2012-12-12 旺宏电子股份有限公司 非易失性存储装置
US8241944B2 (en) 2010-07-02 2012-08-14 Micron Technology, Inc. Resistive RAM devices and methods
US8890233B2 (en) 2010-07-06 2014-11-18 Macronix International Co., Ltd. 3D memory array with improved SSL and BL contact layout
US20120012897A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Unity Semiconductor Corporation Vertically Fabricated BEOL Non-Volatile Two-Terminal Cross-Trench Memory Array with Two-Terminal Memory Elements and Method of Fabricating the Same
US8207032B2 (en) 2010-08-31 2012-06-26 Micron Technology, Inc. Methods of forming pluralities of vertical transistors, and methods of forming memory arrays
US8659944B2 (en) 2010-09-01 2014-02-25 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of 3D array with diode in memory string
US8796661B2 (en) 2010-11-01 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8399874B2 (en) 2011-01-17 2013-03-19 Snu R&Db Foundation Vertical nonvolatile memory device including a selective diode
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8462537B2 (en) 2011-03-21 2013-06-11 Intel Corporation Method and apparatus to reset a phase change memory and switch (PCMS) memory cell
KR20120124788A (ko) 2011-05-04 2012-11-14 삼성전자주식회사 반도체 소자
JP5662237B2 (ja) 2011-05-10 2015-01-28 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US8847196B2 (en) 2011-05-17 2014-09-30 Micron Technology, Inc. Resistive memory cell
US20120327714A1 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Macronix International Co., Ltd. Memory Architecture of 3D Array With Diode in Memory String
KR20130005878A (ko) 2011-07-07 2013-01-16 삼성전자주식회사 저저항 반도체 소자
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8575584B2 (en) 2011-09-03 2013-11-05 Avalanche Technology Inc. Resistive memory device having vertical transistors and method for making the same
US8536561B2 (en) 2011-10-17 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Memory cells and memory cell arrays
US8760909B2 (en) 2011-10-20 2014-06-24 Macronix International Co., Ltd. Memory and manufacturing method thereof
US9252188B2 (en) 2011-11-17 2016-02-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory cells
US20130193400A1 (en) 2012-01-27 2013-08-01 Micron Technology, Inc. Memory Cell Structures and Memory Arrays
KR20130092925A (ko) 2012-02-13 2013-08-21 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법
US9368581B2 (en) 2012-02-20 2016-06-14 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry components, switches, and memory cells
US9041129B2 (en) 2012-02-24 2015-05-26 National Applied Research Laboratories Semiconductor memory storage array device and method for fabricating the same
JP5951374B2 (ja) 2012-07-09 2016-07-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2014047570A1 (en) 2012-09-21 2014-03-27 Md Revolution, Inc. Systems and methods for developing and implementing personalized health and wellness programs
US9152428B2 (en) 2012-09-28 2015-10-06 Intel Corporation Alternative boot path support for utilizing non-volatile memory devices
KR102031187B1 (ko) 2012-10-05 2019-10-14 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
US8796085B2 (en) 2012-10-12 2014-08-05 Viktor Koldiaev Vertical super-thin body semiconductor on dielectric wall devices and methods of their fabrication
US9230685B2 (en) * 2012-10-23 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Memory programming methods and memory systems
GB2507557B (en) 2012-11-05 2015-06-10 Nano Porous Solutions Ltd Pressure swing adsorption apparatus
US8796751B2 (en) 2012-11-20 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Transistors, memory cells and semiconductor constructions
US9053801B2 (en) 2012-11-30 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Memory cells having ferroelectric materials
US8878271B2 (en) 2013-03-01 2014-11-04 Micron Technology, Inc. Vertical access device and apparatuses having a body connection line, and related method of operating the same
JP5793525B2 (ja) 2013-03-08 2015-10-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US20140252298A1 (en) 2013-03-10 2014-09-11 Sandisk 3D Llc Methods and apparatus for metal oxide reversible resistance-switching memory devices
US9196831B2 (en) * 2013-03-14 2015-11-24 Crossbar, Inc. Two-terminal memory with intrinsic rectifying characteristic
US8969170B2 (en) * 2013-03-14 2015-03-03 Globalfoundries Inc. Method of forming a semiconductor structure including a metal-insulator-metal capacitor
US20140269046A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells
US9691981B2 (en) 2013-05-22 2017-06-27 Micron Technology, Inc. Memory cell structures
US9000407B2 (en) 2013-05-28 2015-04-07 Intermolecular, Inc. ReRAM materials stack for low-operating-power and high-density applications
US9153777B2 (en) 2013-06-03 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same
JP6121819B2 (ja) 2013-07-04 2017-04-26 株式会社東芝 半導体装置および誘電体膜
US9246100B2 (en) 2013-07-24 2016-01-26 Micron Technology, Inc. Memory cell array structures and methods of forming the same
US20150028280A1 (en) 2013-07-26 2015-01-29 Micron Technology, Inc. Memory cell with independently-sized elements
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
JP6194207B2 (ja) 2013-08-20 2017-09-06 矢崎総業株式会社 外装部材
WO2015032999A1 (es) 2013-09-06 2015-03-12 Permanyer Griño Connexions, S.L.U. Equipo electrónico de medición de calidad de la transmisión de señales eléctricas
CN104469711B (zh) 2013-09-23 2019-06-11 中兴通讯股份有限公司 非结构化补充数据业务监控方法及装置
JP6067524B2 (ja) 2013-09-25 2017-01-25 株式会社東芝 半導体装置および誘電体膜
KR20150041705A (ko) 2013-10-08 2015-04-17 삼성전자주식회사 선택 소자와 저항 변화 소자를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
US9543515B2 (en) 2013-11-07 2017-01-10 Intel Corporation Electrode materials and interface layers to minimize chalcogenide interface resistance
KR102131075B1 (ko) 2013-11-12 2020-07-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9076686B1 (en) 2014-01-10 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Field effect transistor constructions and memory arrays
US9806129B2 (en) 2014-02-25 2017-10-31 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same
US9601194B2 (en) 2014-02-28 2017-03-21 Crossbar, Inc. NAND array comprising parallel transistor and two-terminal switching device
US20150249113A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile memory device
WO2016040131A1 (en) 2014-09-03 2016-03-17 Visionscope Technologies Llc Devices and methods for minimally invasive surgery
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
US20160019960A1 (en) 2014-05-20 2016-01-21 Sandisk 3D Llc Operation modes for adjustable resistance bit line structures
KR20150135804A (ko) 2014-05-26 2015-12-04 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
US9362494B2 (en) 2014-06-02 2016-06-07 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells
US9343506B2 (en) 2014-06-04 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Memory arrays with polygonal memory cells having specific sidewall orientations
US9472560B2 (en) 2014-06-16 2016-10-18 Micron Technology, Inc. Memory cell and an array of memory cells
JP6458384B2 (ja) 2014-07-24 2019-01-30 株式会社デンソー 車線検出装置および車線検出方法
US9437658B2 (en) 2014-08-05 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Fully isolated selector for memory device
JP6265091B2 (ja) 2014-09-19 2018-01-24 株式会社デンソー 高圧ポンプの制御装置
US9159829B1 (en) 2014-10-07 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Recessed transistors containing ferroelectric material
US9276092B1 (en) 2014-10-16 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Transistors and methods of forming transistors
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
US9853211B2 (en) 2015-07-24 2017-12-26 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device
KR102452290B1 (ko) 2015-09-04 2022-12-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체구조물 및 그 제조 방법
GB2543520B (en) 2015-10-20 2019-06-19 Advanced Risc Mach Ltd Memory access instructions
EP4071787B1 (en) 2015-12-18 2023-09-27 Floadia Corporation Memory cell, nonvolatile semiconductor storage device, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device
KR102450814B1 (ko) 2015-12-29 2022-10-05 에스케이하이닉스 주식회사 문턱 스위칭 장치 및 그 제조 방법과, 이를 포함하는 전자 장치
US9741764B1 (en) 2016-02-22 2017-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including ovonic threshold switch adjusting threshold voltage thereof
US10282108B2 (en) 2016-08-31 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Hybrid memory device using different types of capacitors
US10163917B2 (en) 2016-11-01 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Cell disturb prevention using a leaker device to reduce excess charge from an electronic device
US10396145B2 (en) 2017-01-12 2019-08-27 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
KR20180105530A (ko) 2017-03-15 2018-09-28 에스케이하이닉스 주식회사 강유전성 메모리 소자 및 이를 포함하는 크로스 포인트 어레이 장치
TWI633648B (zh) 2017-07-04 2018-08-21 華邦電子股份有限公司 記憶體裝置及其製造方法
US10438645B2 (en) 2017-10-27 2019-10-08 Ferroelectric Memory Gmbh Memory cell and methods thereof
US10650978B2 (en) 2017-12-15 2020-05-12 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating leaker devices into capacitor configurations to reduce cell disturb
EP3837529A4 (en) 2018-08-17 2022-09-14 Massachusetts Institute of Technology ARTICLES AND METHODS FOR GENERATION TUNABLE COLORING AND INTERFERENCE
JP2020047314A (ja) 2018-09-14 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US10833092B2 (en) 2019-01-23 2020-11-10 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating leaker-devices into capacitor configurations to reduce cell disturb, and capacitor configurations incorporating leaker-devices
US11812600B2 (en) 2019-06-25 2023-11-07 Intel Corporation Vertical memory cell with self-aligned thin film transistor
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180141B2 (en) * 2004-12-03 2007-02-20 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric capacitor with parallel resistance for ferroelectric memory
US20120312881A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Ramtron International Corporation Dynamic power clamp for rfid power control
US20130063863A1 (en) * 2011-07-08 2013-03-14 John P. Timler Insulator Based Upon One or More Dielectric Structures
TW201405714A (zh) * 2012-07-25 2014-02-01 Iucf Hyu 非揮發性記憶體元件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Pandey et al., "Structural, ferroelectric and optical properties of PZT thin film", 2005, PHYSICA B, 369, pp. 135-142, Nov. 2005 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20160240545A1 (en) 2016-08-18
TW201635286A (zh) 2016-10-01
KR102369843B1 (ko) 2022-03-03
EP3259757A1 (en) 2017-12-27
US9673203B2 (en) 2017-06-06
US20200350323A1 (en) 2020-11-05
EP3259757A4 (en) 2018-09-19
US11706929B2 (en) 2023-07-18
US20170236828A1 (en) 2017-08-17
KR102087488B1 (ko) 2020-03-11
KR20170105604A (ko) 2017-09-19
US11244951B2 (en) 2022-02-08
US20180145084A1 (en) 2018-05-24
CN107251223A (zh) 2017-10-13
US10741567B2 (en) 2020-08-11
CN107251223B (zh) 2021-03-16
US20220122998A1 (en) 2022-04-21
CN112802844A (zh) 2021-05-14
WO2016133611A1 (en) 2016-08-25
US9305929B1 (en) 2016-04-05
KR20210022151A (ko) 2021-03-02
US20190189626A1 (en) 2019-06-20
US10217753B2 (en) 2019-02-26
KR20200027573A (ko) 2020-03-12
KR102220284B1 (ko) 2021-02-26
US9887204B2 (en) 2018-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI594236B (zh) 記憶體胞
CN110192279B (zh) 存储器单元及形成电容器的方法
TWI779309B (zh) 記憶體胞元及形成包含具有不同總電阻之電流洩漏路徑之電容器之方法
TWI532041B (zh) 半導體記憶體裝置
KR101932909B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
KR100764343B1 (ko) 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법