TWI779309B - 記憶體胞元及形成包含具有不同總電阻之電流洩漏路徑之電容器之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種記憶體胞元，其包括一電容器，該電容器包括具有橫向間隔壁之一第一電容器電極、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向外部之任何處的洩漏件材料。揭示包含方法之其他實施例。

Description

記憶體胞元及形成包含具有不同總電阻之電流洩漏路徑之電容器之方法
本文中揭示之實施例係關於記憶體胞元及形成包含具有不同總電阻之電流洩漏路徑之一電容器之方法。
記憶體係一種類型之積體電路且在電腦系統中用於儲存資料。記憶體可製造成個別記憶體胞元之一或多個陣列。記憶體胞元可使用數位線(其等亦可稱為位元線、資料線或感測線)及存取線(其等亦可稱為字線)而寫入或讀取。數位線可使沿陣列之行之記憶體胞元導電地互連，且字線可使沿陣列之列之記憶體胞元導電地互連。可透過一數位線及一字線之組合來唯一地定址各記憶體胞元。
記憶體胞元可係揮發性、半揮發性或非揮發性的。非揮發性記憶體胞元可在不存在電力之情況下儲存資料達延遲時段。非揮發性記憶體習知地被指定為具有至少約10年之一保留時間之記憶體。揮發性記憶體消散且因此經再新及/或重寫以維持資料儲存。揮發性記憶體可具有毫秒或更少之一保留時間。無論如何，記憶體胞元經組態而以至少兩種不同 可選擇狀態留存或儲存記憶體。在二進位系統中，狀態被視為「0」或「1」。在其他系統中，至少一些個別記憶體胞元可經組態以儲存資訊之兩個以上位準或狀態。
一電容器係可用於一記憶體胞元中之一種類型之電子組件。一電容器具有由電絕緣材料分離之兩個電導體。作為一電場之能量可靜電儲存於此材料內。取決於絕緣體材料之組合物，該經儲存電場將為揮發性或非揮發性的。例如，僅包含SiO2之一電容器絕緣體材料將為揮發性的。一種類型之非揮發性電容器係具有鐵電材料作為絕緣材料之至少部分之一鐵電電容器。鐵電材料之特徵在於具有兩個穩定極化狀態且藉此可包括一電容器及/或記憶體胞元之可程式化材料。鐵電材料之極化狀態可藉由施加適合程式化電壓而改變且在移除程式化電壓之後保持(至少一段時間)。各極化狀態具有彼此不同之一電荷儲存電容且理想地可用於寫入(即，儲存)及讀取一記憶體狀態而不使極化狀態反轉，直至期望使極化狀態反轉。在具有鐵電電容器之一些記憶體中，較不期望的是，讀取記憶體狀態之動作可使極化反轉。據此，在判定極化狀態之後，進行記憶體胞元之一重寫以緊接在其判定之後將記憶體胞元置於預讀取狀態中。無論如何，併入一鐵電電容器之一記憶體胞元歸因於形成電容器之一部分之鐵電材料之雙穩態特性而理想地為非揮發性的。其他可程式化材料可用作一電容器絕緣體以使電容器呈非揮發性。
一種類型之記憶體胞元具有與一鐵電電容器串聯電耦合之一選擇裝置。即使在選擇裝置閒置時(即，在非作用或「關斷」時)，電流通常仍透過選擇裝置洩漏至鄰近基板材料。此導致鐵電電容器之鄰近電極處之電壓降，因此在兩個電容器電極之間產生一電壓差。此導致在記憶體 胞元閒置時跨鐵電材料施加一電場。即使小，此一電場仍可開始翻轉鐵電材料中之個別偶極且繼續直至全部被翻轉，因此擦除記憶體胞元之一經程式化狀態。此可在一小量時間內發生，藉此損壞或防止記憶體胞元中之非揮發性。
本發明提供一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向外部之任何處的洩漏件材料。
本發明進一步提供一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括其之至少一些在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最外表面的橫向外部之洩漏件材 料。
本發明進一步提供一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括洩漏件材料，該洩漏件材料具有該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之個別者上方的最大橫向厚度，其小於該第一電容器電極之該等個別橫向間隔壁上方的該電容器絕緣體材料之最大橫向厚度。
本發明進一步提供一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有個別地具有一最上表面之橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之少於全部該等最上表面之正上方的洩漏件材料。
本發明進一步提供一種記憶體胞元，其包括：一電容器， 其包括：一第一電容器電極；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括不在該電容器絕緣體材料之一最上表面正上方的洩漏件材料。
本發明進一步提供一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括不直接抵靠該第二電容器電極之任何橫向側壁表面之洩漏件材料。
本發明進一步提供一種形成一電容器之方法，其包括：在包括絕緣材料之材料中之一電容器開口中形成一導電襯層以包括形成於該電容器開口中之一電容器之一第一電容器電極且在該導電襯層之橫向內部形成犧牲材料；使該電容器開口中之該導電襯層及該犧牲材料相對於橫向緊鄰該電容器開口之該包括絕緣材料之材料之一頂表面垂直凹入；在該電容器開口中該導電襯層頂部上形成一洩漏件材料襯層；在形成該洩漏件材 料襯層之後，自該電容器開口中之該導電襯層橫向內部移除該犧牲材料之剩餘部分；在移除該犧牲材料之後，在該電容器開口中該導電襯層及該洩漏件材料襯層旁邊形成電容器絕緣體材料；在該電容器開口中形成導電材料以包括該電容器之一第二電容器電極；且該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑，該洩漏件材料襯層形成電路平行於該固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻的一平行電流洩漏路徑。
本發明進一步提供一種形成一電容器陣列之方法，其包括：在一基板之第一及第二區域中之包括絕緣材料之材料中之個別電容器開口中形成一導電襯層以包括形成於該等電容器開口中之電容器之第一電容器電極且在該等導電襯層橫向內部形成犧牲材料；使該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中之該等導電襯層及該犧牲材料相對於橫向緊鄰該等電容器開口之該包括絕緣材料之材料之各自頂表面垂直凹入；在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中該等導電襯層頂部上形成一洩漏件材料襯層；自該第二區域中之該等電容器開口移除該等洩漏件材料襯層以留下該第一區域中之該等電容器開口中之該等洩漏件材料襯層；在自該第二區域移除該等洩漏件材料襯層之後，自該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中之該等導電襯層之橫向內部移除該犧牲材料之剩餘部分；在移除該犧牲材料之後，在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中該等導電襯層及該等洩漏件材料襯層旁邊形成電容器絕緣體材料；在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中形成導電材料以包括該等電容器之第二電容器電極；及該等電容器個別地包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之 一固有電流洩漏路徑，該等洩漏件材料襯層之個別者形成電路平行於該固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻的一平行電流洩漏路徑。
9:記憶體胞元
10:構造
11:導電路徑
12:選擇裝置
13:導電路徑/源極/汲極組件
14:電容器
15:電容器開口
16:導電路徑
17:頂表面
18:導電電容器電極/導電襯層
19:電容器絕緣體材料
20:導電電容器電極
22:固有電流洩漏路徑
23:橫向間隔壁
24:電阻器
25:最上表面
26:電流洩漏路徑
27:橫向間隔壁
28:電阻器
29:橫向側壁表面
30:選擇裝置電流洩漏路徑
31:橫向最內表面
32:總電阻
33:橫向最外表面
34:洩漏件材料/洩漏件材料襯層
35:第一區域
37:橫向間隔壁
38:第二區域
39:橫向間隔壁
50:基底基板
52:包括絕緣材料之材料
53:材料
54:材料
55:材料
56:導體
58:橫向間隔壁
59:橫向間隔壁
60:最上表面
62:底部
64:導電材料
66:導電材料
70:部分
71:立面內表面
80:犧牲材料
81:遮蔽材料
90:環狀物
144:鐵電電容器
146:板極材料
149:電晶體
150:記憶體胞元
152:記憶體陣列
170:字線
172:數位線
176:驅動器電路
178:偵測電路
214:電容器
T1:最大橫向厚度
T2:最大橫向厚度
圖1係根據本發明之一實施例之一記憶體胞元之一示意性圖解視圖。
圖2係根據本發明之一實施例之一記憶體胞元之一圖解橫截面視圖。
圖3係通過圖2中之線3-3獲取之一放大橫截面視圖。
圖4係通過圖2中之線4-4獲取之一放大橫截面視圖。
圖5係圖2之一部分之一放大橫截面視圖。
圖6係包括鐵電電容器之一例示性記憶體陣列之一示意圖。
圖7係包括一鐵電電容器之一例示性記憶體胞元之一示意圖。
圖8係根據本發明之一些實施例之在程序中之一構造之一部分之一圖解橫截面視圖。
圖9至圖14係根據本發明之一些實施例之圖8之構造之圖解循序橫截面視圖。
展示且最初參考一示意性圖1描述根據本發明之一實施例之一記憶體胞元9。具有記憶體胞元9之積體電路(未展示)將可能具有相對於一記憶體陣列或子陣列製造之數千或數百萬個此等記憶體胞元。此等陣 列或子陣列將可能具有複數個字線及數位線(在其等之間其等相交之處具有個別記憶體胞元9)。個別記憶體胞元可被視為包括一個別字線及一交叉個別數位線之部分。
在一項實施例中，記憶體胞元9包括一選擇裝置12及(例如)藉由如展示之一導電(即，電)路徑16與選擇裝置12串聯電耦合(即，電路)之一電容器14。在所描繪圖式中之電容器14可被視為包括在其等之間具有電容器絕緣體材料19之兩個導電電容器電極18及20。在一項實施例中，電容器絕緣體材料19係鐵電的。實際上，路徑16可僅係由電容器14及選擇裝置12共用之一單一電極。電容器14包括自電容器電極18或20之一者通過電容器絕緣體材料19而至另一者之一固有電流(即，電)洩漏路徑。為了明確起見，此固有路徑在圖1中被圖解地展示為圍繞電容器絕緣體材料19之一路徑22中之一虛線。然而，事實上，路徑22將固有地/固有地通過電容器絕緣體材料19而至且介於電容器電極18及20之各者之間。固有電流洩漏路徑22將具有某一相當高的(即，電)整體/總電阻，其被圖解地指示為一電阻器24，此係因為裝置14在操作中用作一電容器。電阻器24之總電阻將取決於電容器絕緣體材料19之組合物、電容器絕緣體材料19之厚度及材料19(若鐵電)內之偶極定向。電阻器24可固有地係一非線性/可變電阻器，藉此其電阻係電壓相依的。
記憶體胞元9包括自一個電容器電極18或20至另一個電容器電極18或20之一平行(即，電路平行)電流洩漏路徑26。在一項實施例中，平行路徑26具有0.4eV至5.0eV之一主導帶隙，且在一項實施例中，該主導帶隙小於電容器絕緣體材料19之主導帶隙。若平行路徑26之長度充分短於路徑22，則此可大於電容器絕緣體材料19之主導帶隙。無論如 何，在一項實施例中，平行路徑26具有低於固有電流洩漏路徑22之總電阻之某一總電阻(例如，展示為一電阻器28)。僅藉由實例，通過固有電流洩漏路徑22之總電阻可係1 x 1011至1 x 1018歐姆且通過平行路徑26之總電阻可係1 x 107至1 x 1017歐姆。在一項實施例中，平行電流洩漏路徑經組態使得在記憶體胞元閒置時通過其之電流不大於一毫微安培。
選擇裝置12(在存在時)可係任何現有或尚待開發選擇裝置，包含多個裝置。實例包含二極體、場效電晶體及雙極電晶體。在操作中，當記憶體胞元閒置時(即，當與記憶體胞元9相關聯之積體電路在操作上「接通」，但未發生記憶體胞元9之「讀取」或「寫入」操作時)，選擇裝置12可展現電流洩漏。一選擇裝置電流洩漏路徑30可存在且被圖解地展示為在選擇裝置12周圍之一虛線，但此可係固有地/固有地通過選擇裝置12或至下伏基板(例如，保持於接地或其他電位處)。洩漏路徑30被展示為具有某一總電阻32。在一項實施例中，平行路徑26經組態使得在記憶體胞元9閒置時通過其之電流大於或等於在記憶體胞元9閒置時通過路徑30之電流洩漏。此將取決於選擇裝置12、電容器14、平行路徑26之構造及材料以及在正常操作中記憶體胞元9內之各個點處之電壓。理想地且無論如何，此使得電極18及20處之電壓能夠在閒置時彼此相等或至少非常接近(例如，在50毫伏內)，藉此當記憶體胞元9閒置時，在電容器絕緣體材料19內不產生電場或產生可忽略電場。例如且此外，理想地，在閒置時跨電容器之任何電壓差係使得電容器絕緣體材料19中之任何電場比電容器絕緣體材料19之固有矯頑場低至少19/20。此可排除一鐵電材料19內之非預期偶極方向改變。替代地作為實例，此可至少降低一鐵電材料19內之非預期偶極方向改變之風險或增加直至一鐵電材料19內之非預期偶極方向改 變之時間。
在一項實施例中，平行路徑26中之電阻器28係在電容器電極18與20之間之在較高電壓(例如，介於1伏特至5伏特之間)下比在較低電壓(例如，小於250毫伏)下展現整體更高電阻之一非線性電阻器。理想地，此一非線性電阻器經形成為相較於在較低電壓下閒置時，在較高電壓「讀取」及「寫入」操作期間提供平行路徑26中之電流洩漏之減少之一更大量值。
一字線及一數位線(兩者在圖1中皆未展示)可與記憶體胞元9相關聯。例如，選擇裝置12(在存在時)可係一簡單雙端二極體或其他雙端裝置。可接著使用一交叉點陣列構造，藉此作為第一電容器電極18之部分之一導電路徑11與一字線或數位線(在圖1中未展示)連接或係一字線或數位線之部分且作為選擇裝置12之部分之一導電路徑13與一字線或數位線(在圖1中未展示)之另一者連接或係一字線或數位線之另一者之部分。作為一替代實例，選擇裝置12可係一場效電晶體。接著，作為一實例，導電路徑11可係為一記憶體陣列或子陣列內之多個電容器14(圖1中未展示)所共有之一電容器電極18之部分，組件16可係電晶體之一個源極/汲極區域，且組件/導電路徑13可係另一者。電晶體之閘極(圖1中未展示)可係一字線(圖1中未展示)之一部分，且源極/汲極組件13可與一數位線(圖1中未展示)連接或係一數位線之部分。當然可替代地使用其他架構及構造。
圖2至圖5圖解地展示根據本發明之一例示性實施例之包括電容器14及平行電流洩漏路徑26之一記憶體胞元9之一部分之一例示性實體構造。已視需要使用來自上述實施例之相同數字，其中使用不同數字指示一些差異或添加。圖2至圖5描繪包括可包含導電/導體/傳導、半導電 (semiconductive)/半導體/半導電(semiconducting)或絕緣(insulative)/絕緣體/絕緣(insulating)(即，本文中電絕緣)材料之任何一或多者之一基底基板50(圖2)之一片段或構造10之一部分。各種材料已在高度上形成在基底基板50上方。材料可在圖2至圖5描繪之材料之旁邊、立面內部或立面外部。例如，積體電路之其他部分或完全製造組件可設置於基底基板50上方、周圍或內之某處。用於操作一陣列(例如，一記憶體陣列)內之組件之控制及/或其他周邊電路亦可經製造，且可完全或部分或可不完全或部分在一陣列或子陣列內。此外，多個子陣列亦可獨立地、協同或以其他方式相對於彼此製造及操作。在此文件中，一「子陣列」亦可被視為一陣列。選擇裝置12可電耦合至電容器電極18或20之任一者，其中此被示意性地展示為透過一導體56連接至電極18。
包括絕緣材料之材料52被展示為在基底基板50上方且在其中具有一電容器開口15。僅藉由實例，此被展示為包括在基底基板50上方的材料53、在材料53上方的材料54及在材料54上方的材料55。一例示性材料53係二氧化矽上覆氮化矽。一例示性材料54係經摻雜二氧化矽且一例示性材料55係氮化矽。例示性構造10包括下導體56，其可係(例如)伸展至圖2所處之頁面之平面中且自該平面伸展出之一導電線(例如，一字線或一數位線)或電耦合(在一項實施例中，直接電耦合)至一選擇裝置12或係一選擇裝置12之部分。導體56之一例示性導電材料係TiN。
電容器14包括一第一導電電容器電極18，在一項實施例中，該第一導電電容器電極18具有個別地具有一最上表面60、橫向最內表面31及橫向最外表面33之橫向間隔壁58、59。在一項實施例中，第一電容器電極18具有橫向延伸至橫向間隔壁58、59且介於橫向間隔壁58、 59之間之一底部62。替代地且僅藉由實例，第一電容器電極18可包括一向上及向下敞開(未展示)導電材料圓柱體(例如，極少或無在壁58、59之間延伸之底部62)。電容器14包含具有例示性橫向側壁表面29之一第二導電電容器電極20。第二電容器電極20被展示為包括一導電材料64(例如，W)及一導電材料66(例如，TiN)。第二電容器電極20可被視為包括在第一電容器電極18上方之一部分70。
電容器絕緣體材料19橫向介於第二電容器電極20與第一電容器電極18之間，包含橫向介於第一電容器電極18之壁58、59之間。例示性材料包含二氧化矽、氮化矽、高介電係數介電質及/或鐵電材料。例示性鐵電材料包含具有過渡金屬氧化物、鋯、氧化鋯、鈮、氧化鈮、鉿、氧化鉿、鈦酸鉛鋯及鈦酸鋇鍶之一或多者之鐵電體且可在其中具有包括矽、鋁、鑭、釔、鉺、鈣、鎂、鍶及稀土元素之一或多者之摻雜劑。如上文關於圖1確證，圖2至圖5中之電容器14包括自第一及第二電容器電極之一者通過電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑22。例示性電容器絕緣體材料19包括一最上表面25及橫向間隔壁23、27。
平行電流洩漏路徑26被展示為由在一項實施例中包括橫向間隔壁37、39之一洩漏件材料34涵蓋或在該洩漏件材料34內。例示性路徑26被展示為在a)在第一電容器電極18上方的第二電容器電極20之部分70之一立面內表面71與b)第一電容器電極18之橫向間隔壁58、59之個別最上表面60(在一項實施例中且如展示，兩個最上表面60)之至少一者之間延伸。如展示，平行電流洩漏路徑26係電路平行於固有電流洩漏路徑22，且亦具有低於固有電流洩漏路徑之總電阻。例示性洩漏件材料34包含以下一或多者：非晶矽、多晶矽、鍺、硫屬化物(例如，金屬硫屬化合 物)、富矽氮化矽、富矽氧化矽及適當地摻雜有導電性增加之摻雜劑之固有介電材料(例如，摻雜有Ti、Ta、Nb、Mo、Sr、Y、Cr、Hf、Zr、W及鑭系離子之一或多者之SiO2及/或Si3N4)。洩漏件材料34及藉此平行路徑26可主要(即，多於50原子%)包括此(等)材料。此等材料之任何者可經摻雜或未摻雜以(例如)在記憶體胞元9閒置時提供流動通過其之電流洩漏之所要總電阻。
在一項實施例中，洩漏件材料34在第一電容器電極18之橫向間隔壁58、59之橫向最內表面31的橫向外部之任何處。在一項實施例中，至少一些(在一項此實施例中，僅一些)洩漏件材料34在第一電容器電極18之橫向間隔壁58、59之橫向最外表面33的橫向外部。在一項實施例中，洩漏件材料34具有橫向間隔壁58、59之個別者上方的最大橫向厚度T1，其大於個別橫向間隔壁58、59之最上表面60下方的電容器絕緣體材料19之最大橫向厚度T2。在一項實施例中，洩漏件材料34在橫向間隔壁58、59之少於全部最上表面60之正上方。在一項實施例中，洩漏件材料34不在電容器絕緣體材料19之最上表面25之正上方。在一項實施例中，洩漏件材料34不直接抵靠第二電容器電極20之任何橫向側壁表面29。在一項實施例中，洩漏件材料34包括一環狀物90。在一項實施例中，電容器絕緣體材料19包括在電容器開口15中之橫向間隔壁23、27，其等在電容器開口15中橫向間隔壁58、59上方比在電容器開口15中橫向間隔壁58、59橫向旁邊橫向更厚。在一項實施例中，洩漏件材料34包括在電容器開口15中之橫向間隔壁37、39，在電容器開口15中之橫向間隔壁37、39橫向薄於電容器開口15中之第一電容器電極18之橫向間隔壁58、59之個別者。
在一項實施例中，洩漏件材料34係均質的，藉此電容器電 極18與20之間之平行路徑26係均質的。在一項實施例中，洩漏件材料34係非均質的，藉此電容器電極18與20之間之平行路徑26係非均質的。在其中材料34及藉此平行路徑26非均質之一實施例中，平行路徑26可歸因於其中具有不同帶隙之不同組合物材料而具有不同帶隙。然而，平行路徑26可具有0.4eV至5.0eV之一主導(意謂控制)帶隙，在一項實施例中，該主導帶隙可能取決於平行路徑26內之個別不同材料之各自體積。因此且無論如何，「主導」在本文中使用且適用而無關於特定路徑/材料之均質性。在一項實施例中，電容器絕緣體材料19之主導帶隙可低於平行路徑26之主導帶隙。在一項實施例中，平行路徑26之最小長度被製成長於電容器絕緣體材料19之最小厚度。作為一個實例，此一長度關係可在電容器絕緣體材料及平行路徑之主導帶隙大約相同時平行路徑中之狀態密度等於或大於電容器絕緣體材料中之狀態密度時使用。作為另一實例，此一長度關係可在電容器絕緣體材料之主導帶隙小於平行路徑之主導帶隙時平行路徑中之狀態密度等於或大於電容器絕緣體材料中之狀態密度時使用。
在一項實施例中，記憶體胞元9包括一選擇裝置，例如在圖2中示意性地展示為透過導體56與第一電容器電極18電耦合(在一項實施例中，直接電耦合)之一選擇裝置12。在一項此實施例中，在操作中，當記憶體胞元閒置時，選擇裝置展現電流洩漏，其中平行路徑經組態使得在記憶體胞元閒置時通過其之電流大於或等於在記憶體胞元閒置時選擇裝置之電流洩漏。
記憶體陣列可如上文描述般併入電容器，其等可係鐵電記憶體陣列且可具有任何適合組態。參考圖6描述一例示性鐵電記憶體陣列152。記憶體陣列152包含(例如)可具有上文描述之電容器14之組態之複數 個鐵電電容器144。字線170沿著記憶體陣列152之列延伸，且數位線172沿著記憶體陣列152之行延伸。電容器144之各者在使用一字線及一數位線之一組合獨有地定址之一記憶體胞元150內。字線170延伸至驅動器電路176且數位線172延伸至偵測電路178。在一些應用中，記憶體陣列152可經組態為鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)。
記憶體胞元150可包含與鐵電電容器144組合之電晶體149(例如，選擇裝置)。例如，在一些應用中，記憶體胞元150之各者可包含與鐵電電容器144組合之電晶體149之一者，如圖7中展示。記憶體胞元150經展示與一字線170及一數位線172耦合。又，電容器144之電極之一者經展示與包括板極材料146(例如，如上文之實施例中提及且可為一電容器陣列中之多個電容器所共有之一第二電容器電極20)之一板極線耦合。板極線可與字線170組合使用以控制一或多個鐵電電容器144之一操作狀態。可使用如本文中描述及/或展示之(若干)任何其他屬性或(若干)態樣。
本發明之實施例涵蓋形成一電容器之方法以及如上文識別之獨立於製造方法之記憶體胞元。然而，此等方法可具有結構實施例中之如上文描述之任何屬性。同樣地，上述結構實施例可併入且形成下文關於方法實施例描述之任何屬性。參考圖8至圖14描述例示性方法實施例。來自上述實施例之相同數字已用於導致如(例如)圖2至圖5展示之一完成構造之前導材料/構造。
參考圖8，已在基板構造10之一第一區域35中及一第二區域38中在包括絕緣材料之材料52中之個別電容器開口15中形成一導電襯層18。僅藉由實例，一例示性第一區域35可包括一電容器及/或記憶體胞 元陣列且第二區域38可包括(例如)包含用於寫入至第一區域35內之記憶體胞元或自第一區域35內之記憶體胞元讀取之邏輯及/或控制電路之周邊電路區域。第二區域38亦可包括獨立於邏輯、控制或其他電路或係邏輯、控制或其他電路之部分之一電容器陣列。用於形成電容器開口15之一例示性技術包含使用或不使用間距倍增之光微影圖案化及蝕刻。電容器開口15在水平橫截面中可具有任何一或多個形狀，例如，圓形、橢圓形、四邊形(例如，正方形或矩形)、六邊形、直邊及彎曲邊之一組合等。電容器開口15被展示為具有筆直垂直側壁，但此可係非垂直及/或非筆直的。同樣地，將在區域35及38中形成若干電容器開口15以同時形成若干電容器。導電襯層18最終將包括形成於電容器開口15中之電容器之第一電容器電極。
已在導電襯層18橫向內部形成犧牲材料80。實例包含旋塗碳、旋塗介電質及光阻劑。形成圖8之構造之一例示性技術係最初在包括絕緣材料之材料52中形成電容器開口15。此接著可為將導電襯層18沈積在電容器開口15內及橫向緊鄰電容器開口15之包括絕緣材料之材料52之各自頂表面17之頂部上。接著可沈積犧牲材料80以過填充電容器開口15之剩餘體積且在導電襯層18之材料(其在包括絕緣材料之材料52之表面17之頂部上)之頂部上。接著，可將犧牲材料80及導電襯層18之材料平坦化/拋光回至少至頂表面17以形成如圖8中展示之構造。
參考圖9，已使導電襯層18及犧牲材料80分別在第一及第二區域35及38中之電容器開口15中相對於包括絕緣材料之材料52之頂表面17垂直凹入，因此(例如)完成例示性第一電容器電極18之製造。在一項實施例中且如展示，導電襯層18及犧牲材料80在電容器開口15中之此垂 直凹入加寬導電襯層18上方的電容器開口15。在一項實施例中，導電襯層18及犧牲材料80在電容器開口15中之垂直凹入同時發生。用於完成此之一例示性技術包括化學蝕刻。例如，在犧牲材料80包括旋塗碳且導電襯層18包括TiN之情況下，將以實質上相同速率蝕刻旋塗碳及TiN之一例示性蝕刻化學物包含氨及過氧化氫之一組合，且當此包括二氧化矽及氮化矽之一或多者時，其亦可稍微加寬包括絕緣材料之材料52中之電容器開口15。在另一實施例中，導電襯層18及犧牲材料80在電容器開口15中之垂直凹入在不同時間間隔時間週期發生。又，藉由實例，此可使用選擇性地相對於導電襯層18及犧牲材料80之一者選擇性地蝕刻另一者之一化學物，接著使用將相對於該另一者蝕刻該一者之另一蝕刻化學物進行。在此垂直凹入在不同時間間隔時間週期發生之情況下，首先可選擇性地相對於導電襯層18或犧牲材料80之任一材料而蝕刻另一者。
參考圖10，已分別在第一及第二區域35及38中之電容器開口15中導電襯層18之頂部上形成一洩漏件材料襯層34。在一項實施例中且如展示，洩漏件材料襯層34亦形成於犧牲材料80之頂部上(例如，直接抵靠犧牲材料80)。
參考圖11，各向異性地蝕刻洩漏件材料襯層34以自水平表面上方(包含在一項實施例中，自犧牲材料80之頂部)大量移除此。
自第二區域中之電容器開口移除洩漏件材料襯層以留下第一區域中之電容器開口中之洩漏件材料襯層。用於完成此之一例示性技術參考圖12及圖13展示及描述。參考圖12，已形成遮蔽材料81(例如，光阻劑)以遮蔽第一區域35中之電容器開口15中之材料且使第二區域38中之電容器開口15中之材料保持未遮蔽，其中洩漏件材料襯層34被展示為此後 自第二區域38中之電容器開口15移除。圖13展示後續處理，其中已移除遮蔽材料81(未展示)，接著分別自第一及第二區域35及38中之電容器開口15中之導電襯層18之橫向內部移除剩餘犧牲材料80(未展示)。
參考圖14，已分別在第一及第二區域35及38中之電容器開口15中導電襯層18及洩漏件材料襯層34(存在之情況下)旁邊形成電容器絕緣體材料19。此可導致電容器絕緣體材料19在導電襯層18之頂部上比橫向上在其等之間更寬，如展示。此後，已分別在第一及第二區域35及38中形成導電材料64及66以包括電容器14及214之第二電容器電極20。歸因於在電容器214中不存在洩漏件材料34，故相較於第一區域35中之電容器14，此形成第二區域38中之稍微不同構造之電容器214。
上文之(若干)處理或(若干)構造可被視為相對於一組件陣列，其形成為在一下伏基底基板上方或作為一下伏基底基板之部分之此等組件之一單一堆疊或單一層疊或形成在該單一堆疊或單一層疊內(然而，單一堆疊/層疊可具有多個階層)。用於操作或存取一陣列內之此等組件之控制及/或其他周邊電路亦可作為完成構造之部分而形成在任何處且在一些實施例中可在陣列下方(例如，陣列下方之CMOS)。無論如何，一或多個額外此(等)堆疊/層疊可經設置或製造於圖中展示或上文描述之堆疊/層疊上方及/或下方。此外，組件之(若干)陣列可在不同堆疊/層疊中相對於彼此相同或不同且不同堆疊/層疊可具有相對於彼此相同或不同之厚度。中介結構可設置於垂直緊鄰堆疊/層疊(例如，額外電路及/或介電層)之間。又，不同堆疊/層疊可相對於彼此電耦合。多個堆疊/層疊可單獨且循序(例如，在彼此之頂部上)製造，或可基本上同時製造兩個或兩個以上堆疊/層疊。
上文論述之總成及結構可用於積體電路(circuit/circuitry)中且可併入電子系統中。此等電子系統可用於(例如)記憶體模組、裝置驅動器、電源模組、通信數據機、處理器模組及特定應用模組中，且可包含多層多晶片模組。電子系統可為廣泛範圍之系統之任何者，諸如(例如)相機、無線裝置、顯示器、晶片組、機上盒、遊戲、照明、車輛、時鐘、電視、行動電話、個人電腦、汽車、工業控制系統、飛機等。
在本文件中，除非另有指示，否則「高度上」、「較高」、「上」、「較低」、「頂部」、「頂部上」、「底部」、「上方」、「下方」、「下方」、「下面」、「向上」及「向下」通常參考垂直方向。「水平」係指沿著一主要基板表面之一大致方向(即，在10度以內)且可相對於在製造期間處理基板之方向，且垂直係大致正交於其之一方向。對「完全水平」之引用係沿著主基板表面之方向(即，未與其成角度)，且可相對於在製造期間處理基板之方向。此外，如本文中所使用之「垂直」及「水平」係相對於彼此之大致垂直方向且與基板在三維空間中之定向無關。另外，「高度延伸」及「在高度上延伸」係指自完全水平偏離達至少45°之一方向。此外，相對於一場效電晶體「在高度上延伸」、「高度延伸」、「水平地延伸」及「水平延伸」係參考電晶體之通道長度之定向，在操作中，電流沿該定向在源極/汲極區域之間流動。對於雙極接面電晶體，「在高度上延伸」、「高度延伸」、「水平地延伸」及「水平延伸」係參考基底長度之定向，在操作中，電流沿該定向在射極與集極之間流動。在一些實施例中，在高度上延伸之任何組件、特徵及/或區域垂直地或在垂直之10°內延伸。
此外，「在…正上方」及「在…正下方」要求兩個所述區 域/材料/組件相對於彼此至少有一些橫向重疊(即，水平)。再者，使用前面未加「正」之「在…上方」僅要求所述區域/材料/組件在另一區域/材料/組件上方的某一部分在該另一區域/材料/組件之立面外部(即，與兩個所述區域/材料/組件是否存在任何橫向重疊無關)。類似地，使用前面未加「正」之「在…下方」僅要求所述區域/材料/組件在另一區域/材料/組件下方之某一部分在該另一區域/材料/組件之立面內部(即，與兩個所述區域/材料/組件是否存在任何橫向重疊無關)。
本文中所描述之材料、區域及結構之任何者可為均質或非均質，且無論如何可連續地或不連續地上覆於任何材料上方。在針對任何材料提供一或多個例示性組合物之情況下，該材料可包括此一或多個組合物，基本上由或由此一或多個組合物組成。此外，除非另有陳述，否則可使用任何適合現有或尚待開發的技術形成各材料，其中原子層沈積、化學氣相沈積、物理氣相沈積、磊晶生長、擴散摻雜及離子植入係實例。
另外，「厚度」本身(之前無方向形容詞)被定義為自不同組合物之一緊鄰材料或一緊鄰區域之一最靠近表面垂直通過一給定材料或區域之平均直線距離。另外，本文中描述之各種材料或區域可具有實質上恆定厚度或可變厚度。若具有可變厚度，則厚度係指平均厚度，除非另有指示，且此材料或區域將歸因於厚度可變而具有某一最小厚度及某一最大厚度。如本文中所使用，「不同組合物」僅要求可彼此直接抵靠之兩個所述材料或區域之該等部分在化學及/或物理上不同(例如，若此等材料或區域並非均質)。若兩個所述材料或區域未彼此直接抵靠，則「不同組合物」僅要求兩個所述材料或區域彼此最靠近之該等部分在化學及/或物理上不同(若此等材料或區域並非均質)。在本文件中，在一材料、區域或結 構相對於另一材料、區域或結構存在至少某一實體觸碰接觸時，所述材料、區域或結構彼此「直接抵靠」。相比之下，前面未加「直接」之「在…上方」、「在…上」、「鄰近」、「沿」及「抵靠」涵蓋「直接抵靠」以及其中(若干)中介材料、(若干)區域或(若干)結構導致所述材料、區域或結構相對於彼此未實體觸碰接觸之構造。
在本文中，若在正常操作中，電流能夠自區域-材料-組件之一者連續流動至另一者且主要因次原子正電荷及/或負電荷(在充分產生此等電荷時)之移動而流動，則區域-材料-組件彼此「電耦合」。另一電子組件可在區域-材料-組件之間且可電耦合至區域-材料-組件。相比之下，當區域-材料-組件被稱為「直接電耦合」時，直接電耦合之區域-材料-組件之間無中介電子組件(例如，無二極體、電晶體、電阻器、換能器、開關、熔絲等)。
「列」及「行」在此文件中之任何使用係為了方便區分特徵之一個系列或定向與特徵之另一系列或定向且沿著其已或可形成組件。相對於區域、組件及/或特徵之任何系列獨立於功能同義地使用「列」及「行」。無論如何，列可係筆直及/或彎曲的及/或相對於彼此平行及/或不平行，行亦可如此。此外，列及行可按90°或按一或多個其他角度相對於彼此相交。
導電/導體/傳導材料之任何者之組合物可係金屬材料及/或導電摻雜之半導電/半導體/半傳導材料。「金屬材料」係一元素金屬之任何一者或組合、兩種或更多種元素金屬之任何混合物或合金及(若干)任何一或多個導電金屬化合物。
在本文中，「選擇性」關於蝕刻、移除、沈積及/或形成之 任何使用係一個所述材料相對於另一(些)所述材料之以至少2：1之一體積率如此作用之此一動作。此外，選擇性沈積、選擇性生長或選擇性形成之任何使用係針對沈積、生長或形成之至少前75埃以至少2：1之一體積率相對於另一(些)所述材料沈積、生長或形成一個材料。
除非另外指示，否則本文中「或」之使用涵蓋一者及兩者。
結論
在一些實施例中，一種記憶體胞元包括一電容器，該電容器包括具有橫向間隔壁之一第一電容器電極、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向外部之任何處的洩漏件材料。
在一些實施例中，一種記憶體胞元包括一電容器，該電容器包括具有橫向間隔壁之一第一電容器電極、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於 該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括其之至少一些在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最外表面的橫向外部之洩漏件材料。
在一些實施例中，一種記憶體胞元包括一電容器，該電容器包括具有橫向間隔壁之一第一電容器電極、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括洩漏件材料，該洩漏件材料具有該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之個別者上方的最大橫向厚度，其小於該第一電容器電極之該等個別橫向間隔壁上方的該電容器絕緣體材料之最大橫向厚度。
在一些實施例中，一種記憶體胞元包括一電容器，該電容器包括具有個別地具有一最上表面之橫向間隔壁之一第一電容器電極、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之少於全部最上表面之正上方的洩漏件材料。
在一些實施例中，一種記憶體胞元包括一電容器，該電容 器包括一第一電容器電極(無關於是否具有橫向間隔壁)、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括不在該電容器絕緣體材料之一最上表面正上方的洩漏件材料。
在一些實施例中，一種記憶體胞元包括一電容器，該電容器包括一第一電容器電極(無關於是否具有橫向間隔壁)、包括在該第一電容器電極上方之一部分之一第二電容器電極及介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間之電容器絕緣體材料。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。一平行電流洩漏路徑介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻且包括不直接抵靠該第二電容器電極之任何橫向側壁表面之洩漏件材料。
在一些實施例中，一種形成一電容器之方法包括在包括絕緣材料之材料中之一電容器開口中形成一導電襯層以包括形成於該電容器開口中之一電容器之一第一電容器電極且在該導電襯層之橫向內部形成犧牲材料(無關於形成一個以上電容器且無關於如上文描述之第一及第二區域)。使該導電襯層及該犧牲材料在該電容器開口中相對於橫向緊鄰該電容器開口之該包括絕緣材料之材料之一頂表面垂直凹入。在該電容器開口 中該導電襯層頂部上形成一洩漏件材料襯層。在形成該洩漏件材料襯層之後，自該電容器開口中之該導電襯層之橫向內部移除該犧牲材料之剩餘部分。在移除該犧牲材料之後，在該電容器開口中該導電襯層及該洩漏件材料襯層旁邊形成電容器絕緣體材料。在該電容器開口中形成導電材料以包括該電容器之一第二電容器電極。該電容器包括自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。該洩漏件材料襯層形成電路平行於該固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻的一平行電流洩漏路徑。
在一些實施例中，一種形成一電容器陣列之方法包括在一基板之第一及第二區域中之包括絕緣材料之材料中之個別電容器開口中形成一導電襯層以包括形成於該等電容器開口中之電容器之第一電容器電極且在該等導電襯層之橫向內部形成犧牲材料。使該等導電襯層及該犧牲材料在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中相對於橫向緊鄰該等電容器開口之該包括絕緣材料之材料之各自頂表面垂直凹入。在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中該等導電襯層之頂部上形成一洩漏件材料襯層。自該第二區域中之該等電容器開口移除該等洩漏件材料襯層以留下該第一區域中之該等電容器開口中之該等洩漏件材料襯層。在自該第二區域移除該等洩漏件材料襯層之後，自該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中之該等導電襯層之橫向內部移除該犧牲材料之剩餘部分。在移除該犧牲材料之後，在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中該等導電襯層及該等洩漏件材料襯層旁邊形成電容器絕緣體材料。在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中形成導電材料以包括該等電容器之第二電容器電極。該等電容器個別地包括自該第一電容器電極 及該第二電容器電極之一者通過該電容器絕緣體材料而至另一者之一固有電流洩漏路徑。該等洩漏件材料襯層之個別者形成電路平行於固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻的一平行電流洩漏路徑。
按照條例，已在語言上關於結構及方法特徵更特定或較不特定描述本文中所揭示之標的物。然而，應理解，由於本文中所揭示之方法包含例示性實施例，故發明申請專利範圍不限於所展示及所描述之特定特徵。因此，發明申請專利範圍係由字面措辭來提供完整範疇，且根據等效內容之教義適當地予以解釋。
9:記憶體胞元
10:構造
12:選擇裝置
14:電容器
15:電容器開口
18:導電電容器電極/導電襯層
19:電容器絕緣體材料
20:第二導電電容器電極
22:固有電流洩漏路徑
23:橫向間隔壁
25:最上表面
27:橫向間隔壁
29:橫向側壁表面
31:橫向最內表面
33:橫向最外表面
34:洩漏件材料/洩漏件材料襯層
50:基底基板
52:包括絕緣材料之材料
53:材料
54:材料
55:材料
56:導體
58:橫向間隔壁
59:橫向間隔壁
60:最上表面
62:底部
64:導電材料
66:導電材料
70:部分

Claims (23)

  1. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有(intrinsic)電流洩漏路徑；及一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，該平行電流洩漏路徑係在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處(everywhere)且不在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向內之任何處(nowhere)的洩漏件材料(leaker material)。
  2. 如請求項1之記憶體胞元，其中該洩漏件材料包括一環狀物。
  3. 如請求項1之記憶體胞元，其中該電容器絕緣體材料係鐵電的。
  4. 一種記憶體胞元，其包括： 一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及其中該電容器絕緣體材料包括在一電容器開口中之橫向間隔壁，該等橫向間隔壁在該電容器開口中該第一電容器電極之該等橫向間隔壁上方比在該電容器開口中該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向旁邊橫向更厚。
  5. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電 極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及該洩漏件材料包括在一電容器開口中之橫向間隔壁，該電容器開口中之該等橫向間隔壁橫向薄於該電容器開口中之該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之個別者。
  6. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及該洩漏件材料之至少一些在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最外表面的橫向外部。
  7. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器絕緣體材料係在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之正上方，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及其中該洩漏件材料具有該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之個別者上方的最大橫向厚度，其大於該第一電容器電極之該等個別橫向間隔壁之最上表面下方的該電容器絕緣體材料之最大橫向厚度。
  8. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分； 及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及其中該洩漏件材料在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之少於全部最上表面之正上方。
  9. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及 該洩漏件材料不在該電容器絕緣體材料之一最上表面正上方。
  10. 一種記憶體胞元，其包括：一電容器，其包括：一第一電容器電極，其具有橫向間隔壁；一第二電容器電極，其包括在該第一電容器電極上方之一部分；及電容器絕緣體材料，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間，該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑；一平行電流洩漏路徑，其介於該第二電容器電極與該第一電容器電極之間；該平行電流洩漏路徑係電路平行於該固有電流洩漏路徑、具有低於該固有電流洩漏路徑的總電阻，且包含在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之橫向最內表面的橫向向外之任何處的洩漏件材料；及該洩漏件材料不直接抵靠該第二電容器電極之任何橫向側壁表面。
  11. 一種形成一電容器之方法，其包括：在包括絕緣材料之材料中之一電容器開口中形成一導電襯層以包括形成於該電容器開口中之一電容器之一第一電容器電極且在該導電襯層橫向內部形成犧牲材料；使該電容器開口中之該導電襯層及該犧牲材料相對於橫向緊鄰該電容器開口之該包括絕緣材料之材料之一頂表面垂直凹入；在該電容器開口中該導電襯層頂部上形成一洩漏件材料襯層； 在形成該洩漏件材料襯層之後，自該電容器開口中之該導電襯層橫向內部移除該犧牲材料之剩餘部分；在移除該犧牲材料之後，在該電容器開口中該導電襯層及該洩漏件材料襯層旁邊形成電容器絕緣體材料；在該電容器開口中形成導電材料以包括該電容器之一第二電容器電極；及該電容器包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑，該洩漏件材料襯層形成電路平行於該固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻的一平行電流洩漏路徑。
  12. 如請求項11之方法，其中該電容器開口中之該導電襯層及該犧牲材料之該垂直凹入同時發生。
  13. 如請求項11之方法，其中該電容器開口中之該導電襯層及該犧牲材料之該垂直凹入在不同時間間隔時間週期發生。
  14. 如請求項11之方法，其中該電容器開口中之該導電襯層及該犧牲材料之該垂直凹入加寬該導電襯層上方的該包括絕緣材料之材料中之該電容器開口。
  15. 如請求項11之方法，其中該洩漏件材料襯層形成於該電容器開口中該犧牲材料之頂部上。
  16. 如請求項15之方法，其中該洩漏件材料襯層直接抵靠該犧牲材料形成於該電容器開口中。
  17. 如請求項11之方法，其包括形成該洩漏件材料襯層使之處在該第一電容器電極之橫向最內表面的橫向外部之任何處。
  18. 如請求項11之方法，其包括形成該洩漏件材料之至少一些襯層使之處在該第一電容器電極之橫向最外表面的橫向外部。
  19. 如請求項11之方法，其包括形成該洩漏件材料襯層以具有該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之個別者上方的最大橫向厚度，其小於該第一電容器電極之該等個別橫向間隔壁上方的該電容器絕緣體材料之最大橫向厚度。
  20. 如請求項11之方法，其包括形成該洩漏件材料襯層使之處在該第一電容器電極之該等橫向間隔壁之少於全部最上表面之正上方。
  21. 如請求項11之方法，其包括形成該洩漏件材料襯層使之不在該電容器絕緣體材料之一最上表面正上方。
  22. 如請求項11之方法，其包括形成該洩漏件材料襯層使之不直接抵靠該第二電容器電極之任何橫向側壁表面。
  23. 一種形成一電容器陣列之方法，其包括：在一基板之第一及第二區域中之包括絕緣材料之材料中之個別電容器開口中形成一導電襯層以包括形成於該等電容器開口中之電容器之第一電容器電極且在該等導電襯層之橫向內部形成犧牲材料；使該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中之該等導電襯層及該犧牲材料相對於橫向緊鄰該等電容器開口之該包括絕緣材料之材料之各自頂表面垂直凹入；在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中該等導電襯層頂部上形成一洩漏件材料襯層；自該第二區域中之該等電容器開口移除該等洩漏件材料襯層以留下該第一區域中之該等電容器開口中之該等洩漏件材料襯層；在自該第二區域移除該等洩漏件材料襯層之後，自該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中之該等導電襯層之橫向內部移除該犧牲材料之剩餘部分；在移除該犧牲材料之後，在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中該等導電襯層及該等洩漏件材料襯層旁邊形成電容器絕緣體材料；在該第一區域及該第二區域中之該等電容器開口中形成導電材料以包括該等電容器之第二電容器電極；及該等電容器個別地包括通過該電容器絕緣體材料自該第一電容器電極及該第二電容器電極之一者至另一者之一固有電流洩漏路徑，該等洩漏件材料襯層之個別者形成電路平行於該固有電流洩漏路徑且具有低於該固有電流洩漏路徑之總電阻的一平行電流洩漏路徑。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
US10134982B2 (en) * 2015-07-24 2018-11-20 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
US10396145B2 (en) 2017-01-12 2019-08-27 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances
US11672128B2 (en) 2020-07-20 2023-06-06 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating leaker devices into capacitor configurations to reduce cell disturb, and capacitor configurations incorporating leaker devices
US11706927B2 (en) 2021-03-02 2023-07-18 Micron Technology, Inc. Memory devices and methods of forming memory devices
US11695072B2 (en) 2021-07-09 2023-07-04 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US12035536B2 (en) 2021-07-19 2024-07-09 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US11917834B2 (en) 2021-07-20 2024-02-27 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
TWI792658B (zh) * 2021-11-03 2023-02-11 力晶積成電子製造股份有限公司 鐵電記憶體結構

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040071022A1 (en) * 2001-11-14 2004-04-15 Micron Technology, Inc. ROM embedded DRAM with dielectric removal/short
US20090184393A1 (en) * 2008-01-21 2009-07-23 Industrial Technology Research Institute Memory capacitor and manufacturing method thereof
US8969170B2 (en) * 2013-03-14 2015-03-03 Globalfoundries Inc. Method of forming a semiconductor structure including a metal-insulator-metal capacitor
US9305929B1 (en) * 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
TW201729354A (zh) * 2015-12-18 2017-08-16 芙洛提亞股份有限公司 記憶胞、非揮發性半導體記憶裝置、及非揮發性半導體記憶裝置之製造方法
US20180197870A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-12 Micron Technology, Inc. Memory Cells and Methods of Forming a Capacitor
TW201907545A (zh) * 2017-07-04 2019-02-16 華邦電子股份有限公司 記憶體裝置及其製造方法
TW201917870A (zh) * 2017-10-27 2019-05-01 德商鐵電記憶體有限責任公司 記憶體單元及製作記憶體單元的方法
US20190189357A1 (en) * 2017-12-15 2019-06-20 Micron Technology, Inc. Methods of Incorporating Leaker Devices into Capacitor Configurations to Reduce Cell Disturb

Family Cites Families (220)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4070653A (en) 1976-06-29 1978-01-24 Texas Instruments Incorporated Random access memory cell with ion implanted resistor element
EP0740347B1 (de) 1995-04-24 2002-08-28 Infineon Technologies AG Halbleiter-Speichervorrichtung unter Verwendung eines ferroelektrischen Dielektrikums und Verfahren zur Herstellung
JPH09213899A (ja) 1996-02-06 1997-08-15 Toshiba Corp 強誘電体膜を有する不揮発性メモリ装置
JP2921468B2 (ja) 1996-02-19 1999-07-19 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
KR970076816A (ko) 1996-05-06 1997-12-12 김광호 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리
JPH1093083A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE19640215C1 (de) 1996-09-30 1998-02-19 Siemens Ag Integrierte Halbleiterspeicheranordnung mit "Buried-Plate-Elektrode"
JP3587004B2 (ja) * 1996-11-05 2004-11-10 ソニー株式会社 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法
JP3668790B2 (ja) 1997-03-31 2005-07-06 岩崎電気株式会社 始動器内蔵形高圧蒸気放電灯
US6288431B1 (en) 1997-04-04 2001-09-11 Nippon Steel Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3257587B2 (ja) 1997-05-23 2002-02-18 日本電気株式会社 誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法
JPH1140683A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Hitachi Ltd 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100269306B1 (ko) 1997-07-31 2000-10-16 윤종용 저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법
US6256220B1 (en) 1997-09-15 2001-07-03 Celis Semiconductor Corporation Ferroelectric memory with shunted isolated nodes
US5959878A (en) 1997-09-15 1999-09-28 Celis Semiconductor Corporation Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same
JPH11274429A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Toshiba Corp 半導体記憶装置
KR100292819B1 (ko) 1998-07-07 2001-09-17 윤종용 커패시터및그의제조방법
US20030001189A1 (en) 2000-02-24 2003-01-02 Tetsuo Fujiwara Ferroelectric capacitor and semiconductor device
US6249014B1 (en) 1998-10-01 2001-06-19 Ramtron International Corporation Hydrogen barrier encapsulation techniques for the control of hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors in conjunction with multilevel metal processing for non-volatile integrated circuit memory devices
US6048740A (en) 1998-11-05 2000-04-11 Sharp Laboratories Of America, Inc. Ferroelectric nonvolatile transistor and method of making same
JP3743189B2 (ja) 1999-01-27 2006-02-08 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2000252372A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Sharp Corp 半導体メモリ装置及びその製造方法
US6242299B1 (en) 1999-04-01 2001-06-05 Ramtron International Corporation Barrier layer to protect a ferroelectric capacitor after contact has been made to the capacitor electrode
US6236076B1 (en) 1999-04-29 2001-05-22 Symetrix Corporation Ferroelectric field effect transistors for nonvolatile memory applications having functional gradient material
US6611014B1 (en) 1999-05-14 2003-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having ferroelectric capacitor and hydrogen barrier film and manufacturing method thereof
US6370056B1 (en) 2000-03-10 2002-04-09 Symetrix Corporation Ferroelectric memory and method of operating same
EP1220318A4 (en) 1999-09-30 2007-06-06 Rohm Co Ltd NON-VOLATILE MEMORY
US6635528B2 (en) 1999-12-22 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated Method of planarizing a conductive plug situated under a ferroelectric capacitor
US6417537B1 (en) 2000-01-18 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Metal oxynitride capacitor barrier layer
JP4938921B2 (ja) 2000-03-16 2012-05-23 康夫 垂井 トランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子
US20020036313A1 (en) 2000-06-06 2002-03-28 Sam Yang Memory cell capacitor structure and method of formation
GB2366666B (en) 2000-09-11 2002-12-04 Toshiba Res Europ Ltd An optical device and method for its manufacture
JP2002110932A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US6339544B1 (en) 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US20020102808A1 (en) 2001-01-31 2002-08-01 Skyland Pu Method for raising capacitance of a trench capacitor and reducing leakage current
US6448601B1 (en) 2001-02-09 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Memory address and decode circuits with ultra thin body transistors
US6566192B2 (en) 2001-02-27 2003-05-20 Nanya Technology Corporation Method of fabricating a trench capacitor of a memory cell
KR100407575B1 (ko) * 2001-04-18 2003-12-01 삼성전자주식회사 강유전체 메모리 장치 및 그 형성 방법
US6717215B2 (en) 2001-06-21 2004-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory structures
US6717195B2 (en) 2001-06-29 2004-04-06 Rohm Co., Ltd. Ferroelectric memory
JP2003045174A (ja) 2001-08-01 2003-02-14 Sharp Corp 半導体記憶装置
TW508808B (en) 2001-09-14 2002-11-01 Winbond Electronics Corp Stacked type capacitor structure and its manufacturing method
US6673664B2 (en) 2001-10-16 2004-01-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor
US7075134B2 (en) 2001-11-29 2006-07-11 Symetrix Corporation Ferroelectric and high dielectric constant integrated circuit capacitors with three-dimensional orientation for high-density memories, and method of making the same
KR100799129B1 (ko) 2001-12-24 2008-01-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
CN1306599C (zh) 2002-03-26 2007-03-21 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
JP2003289134A (ja) 2002-03-28 2003-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6940085B2 (en) 2002-04-02 2005-09-06 Hewlett-Packard Development Company, I.P. Memory structures
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
JP2004040059A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置
US7009235B2 (en) 2003-11-10 2006-03-07 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory stack with non-uniform width
US7884349B2 (en) 2002-08-02 2011-02-08 Unity Semiconductor Corporation Selection device for re-writable memory
US7186569B2 (en) 2002-08-02 2007-03-06 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory stack with sidewall
KR100475116B1 (ko) 2002-11-12 2005-03-11 삼성전자주식회사 산화알루미늄/산화하프늄 복합유전막을 가지는 반도체메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법
US6897106B2 (en) 2002-08-16 2005-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitor of semiconductor memory device that has composite Al2O3/HfO2 dielectric layer and method of manufacturing the same
US6744087B2 (en) 2002-09-27 2004-06-01 International Business Machines Corporation Non-volatile memory using ferroelectric gate field-effect transistors
JP4509467B2 (ja) 2002-11-08 2010-07-21 シャープ株式会社 不揮発可変抵抗素子、及び記憶装置
US6876021B2 (en) 2002-11-25 2005-04-05 Texas Instruments Incorporated Use of amorphous aluminum oxide on a capacitor sidewall for use as a hydrogen barrier
JP4355136B2 (ja) 2002-12-05 2009-10-28 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法
KR100493040B1 (ko) 2002-12-30 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법
KR100480644B1 (ko) 2003-02-28 2005-03-31 삼성전자주식회사 셀 구동 전류가 증가된 상 변화 메모리
JP4141861B2 (ja) 2003-03-03 2008-08-27 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7755934B2 (en) 2003-03-18 2010-07-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory device
US6830964B1 (en) 2003-06-26 2004-12-14 Rj Mears, Llc Method for making semiconductor device including band-engineered superlattice
KR100578212B1 (ko) 2003-06-30 2006-05-11 주식회사 하이닉스반도체 엠티피 구조의 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법
US7408212B1 (en) 2003-07-18 2008-08-05 Winbond Electronics Corporation Stackable resistive cross-point memory with schottky diode isolation
US7067385B2 (en) 2003-09-04 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Support for vertically oriented capacitors during the formation of a semiconductor device
US7297602B2 (en) 2003-09-09 2007-11-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Conductive metal oxide gate ferroelectric memory transistor
US7001821B2 (en) 2003-11-10 2006-02-21 Texas Instruments Incorporated Method of forming and using a hardmask for forming ferroelectric capacitors in a semiconductor device
US7816722B2 (en) 2004-02-04 2010-10-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory array
US7082052B2 (en) 2004-02-06 2006-07-25 Unity Semiconductor Corporation Multi-resistive state element with reactive metal
KR100626912B1 (ko) 2004-04-23 2006-09-20 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 수직 전극 셀과 수직 전극 셀을 이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 수직 전극 셀 제조방법
JP4506951B2 (ja) 2004-04-23 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 Ｍｆｓ型電界効果トランジスタ、強誘電体メモリならびに半導体装置
US6995025B2 (en) 2004-06-21 2006-02-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Asymmetrical programming ferroelectric memory transistor
JP2006032734A (ja) 2004-07-16 2006-02-02 Nec Electronics Corp 強誘電体メモリおよびその製造方法
JP2006049566A (ja) 2004-08-04 2006-02-16 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US7161213B2 (en) 2004-08-05 2007-01-09 Broadcom Corporation Low threshold voltage PMOS apparatus and method of fabricating the same
EP1624479A3 (en) 2004-08-05 2008-07-16 Samsung Electronics Co, Ltd Ferroelectric memory and ferroelectric capacitor with Ir-alloy electrode or Ru-alloy electrode and method of manufacturing same
KR100587396B1 (ko) 2004-08-13 2006-06-08 동부일렉트로닉스 주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법
US7378286B2 (en) 2004-08-20 2008-05-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor
US7180141B2 (en) 2004-12-03 2007-02-20 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric capacitor with parallel resistance for ferroelectric memory
JP2008523590A (ja) 2004-12-06 2008-07-03 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ ナノスケールワイヤベースのデータ格納装置
JP4345676B2 (ja) 2005-01-12 2009-10-14 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置
KR100707181B1 (ko) 2005-02-14 2007-04-13 삼성전자주식회사 듀얼 스토리지 노드를 구비하는 반도체 메모리 장치와 그제조 및 동작 방법
US8270193B2 (en) 2010-01-29 2012-09-18 Unity Semiconductor Corporation Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays
US8003511B2 (en) 2008-12-19 2011-08-23 Unity Semiconductor Corporation Memory cell formation using ion implant isolated conductive metal oxide
US8937292B2 (en) 2011-08-15 2015-01-20 Unity Semiconductor Corporation Vertical cross point arrays for ultra high density memory applications
KR100695513B1 (ko) 2005-06-15 2007-03-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
JP2007049016A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US7304339B2 (en) 2005-09-22 2007-12-04 Agile Rf, Inc. Passivation structure for ferroelectric thin-film devices
JP2007157982A (ja) 2005-12-05 2007-06-21 Seiko Epson Corp トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法
US7982252B2 (en) 2006-01-27 2011-07-19 Hynix Semiconductor Inc. Dual-gate non-volatile ferroelectric memory
US7842990B2 (en) 2006-02-17 2010-11-30 Hynix Semiconductor Inc. Nonvolatile ferroelectric memory device including trench capacitor
JP4745108B2 (ja) 2006-04-06 2011-08-10 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
WO2008073529A2 (en) 2006-07-31 2008-06-19 Drexel University Integrated semiconductor and transition-metal oxide nanostructures and methods for preparing same
US8643087B2 (en) 2006-09-20 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Reduced leakage memory cells
US7558097B2 (en) 2006-12-28 2009-07-07 Intel Corporation Memory having bit line with resistor(s) between memory cells
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
FR2913523B1 (fr) 2007-03-09 2009-06-05 Commissariat Energie Atomique Disposistif de memorisation de donnees multi-niveaux a materiau a changement de phase
JP4535076B2 (ja) 2007-03-14 2010-09-01 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタとその製造方法
KR100876136B1 (ko) 2007-04-12 2008-12-29 서울시립대학교 산학협력단 엠에프엠아이에스 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터 및강유전체 메모리 장치와 그 제조방법
WO2008126961A1 (en) 2007-04-12 2008-10-23 University Of Seoul Foundation Of Industry-Academic Cooperation Mfmis-fet, mfmis-ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same
US7452776B1 (en) 2007-04-24 2008-11-18 Promos Technoloies Pte. Ltd. Integrated circuits with substrate protrusions, including (but not limited to) floating gate memories
JP2008277543A (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8487450B2 (en) 2007-05-01 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions comprising vertically-stacked memory units that include diodes utilizing at least two different dielectric materials, and electronic systems
WO2009015298A2 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Intermolecular, Inc. Nonvolatile memory elements
US8679903B2 (en) 2007-07-27 2014-03-25 Stmicroelectronics, Inc. Vertical quadruple conduction channel insulated gate transistor
JP2009076653A (ja) 2007-09-20 2009-04-09 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7892956B2 (en) 2007-09-24 2011-02-22 International Business Machines Corporation Methods of manufacture of vertical nanowire FET devices
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
KR20090055874A (ko) 2007-11-29 2009-06-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
TWI360708B (en) 2007-12-17 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure, display panel, elecro-optical app
JP2009170511A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 半導体素子及び半導体装置
US8394683B2 (en) 2008-01-15 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor constructions, and methods of forming NAND unit cells
JP5162276B2 (ja) 2008-02-28 2013-03-13 ローム株式会社 強誘電体メモリ装置
US8034655B2 (en) 2008-04-08 2011-10-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays
US8304823B2 (en) 2008-04-21 2012-11-06 Namlab Ggmbh Integrated circuit including a ferroelectric memory cell and method of manufacturing the same
JP5288877B2 (ja) 2008-05-09 2013-09-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP5546740B2 (ja) 2008-05-23 2014-07-09 ローム株式会社 半導体装置
US8004871B2 (en) 2008-05-26 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor memory device including FET memory elements
JP2010044844A (ja) 2008-08-18 2010-02-25 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7791925B2 (en) 2008-10-31 2010-09-07 Seagate Technology, Llc Structures for resistive random access memory cells
US20100110753A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Qimonda Ag Ferroelectric Memory Cell Arrays and Method of Operating the Same
US8362604B2 (en) 2008-12-04 2013-01-29 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Ferroelectric tunnel FET switch and memory
CN101465157B (zh) 2008-12-10 2012-02-08 清华大学 用于1t1c铁电存储器的动态自适应参考产生电路
US8159858B2 (en) 2008-12-19 2012-04-17 Unity Semiconductor Corporation Signal margin improvement for read operations in a cross-point memory array
US20100195393A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Unity Semiconductor Corporation Data storage system with refresh in place
US8021897B2 (en) 2009-02-19 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating a cross point memory array
WO2010104918A1 (en) 2009-03-10 2010-09-16 Contour Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array comprising vertical switches having three terminals
US8193522B2 (en) 2009-04-09 2012-06-05 Qualcomm Incorporated Diamond type quad-resistor cells of PRAM
US7940554B2 (en) 2009-04-24 2011-05-10 Sandisk 3D Llc Reduced complexity array line drivers for 3D matrix arrays
US8173987B2 (en) 2009-04-27 2012-05-08 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
US7968876B2 (en) 2009-05-22 2011-06-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having vertical channel access transistor
JP5025696B2 (ja) 2009-08-11 2012-09-12 株式会社東芝 抵抗変化メモリ
US8716780B2 (en) 2009-11-06 2014-05-06 Rambus Inc. Three-dimensional memory array stacking structure
CN102074562B (zh) 2009-11-25 2012-08-29 中国科学院微电子研究所 Nand结构及其形成方法
US8144516B2 (en) 2009-12-03 2012-03-27 Micron Technology, Inc. Dynamic pass voltage for sense operation in a memory device
US8441097B2 (en) 2009-12-23 2013-05-14 Intel Corporation Methods to form memory devices having a capacitor with a recessed electrode
US8363443B2 (en) 2010-02-01 2013-01-29 Unity Semiconductor Corporation Circuits and techniques to compensate data signals for variations of parameters affecting memory cells in cross-point arrays
KR101780841B1 (ko) 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8198160B2 (en) 2010-04-19 2012-06-12 Jun Liu Vertical transistor phase change memory
US8411477B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8570785B2 (en) 2010-05-26 2013-10-29 Hewlett-Packard Development Company Reading a memory element within a crossbar array
CN102263122B (zh) 2010-05-28 2012-12-12 旺宏电子股份有限公司 非易失性存储装置
US8241944B2 (en) 2010-07-02 2012-08-14 Micron Technology, Inc. Resistive RAM devices and methods
US8890233B2 (en) 2010-07-06 2014-11-18 Macronix International Co., Ltd. 3D memory array with improved SSL and BL contact layout
US20120012897A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Unity Semiconductor Corporation Vertically Fabricated BEOL Non-Volatile Two-Terminal Cross-Trench Memory Array with Two-Terminal Memory Elements and Method of Fabricating the Same
US8207032B2 (en) 2010-08-31 2012-06-26 Micron Technology, Inc. Methods of forming pluralities of vertical transistors, and methods of forming memory arrays
US8659944B2 (en) 2010-09-01 2014-02-25 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of 3D array with diode in memory string
US8796661B2 (en) 2010-11-01 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8399874B2 (en) 2011-01-17 2013-03-19 Snu R&Db Foundation Vertical nonvolatile memory device including a selective diode
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8462537B2 (en) 2011-03-21 2013-06-11 Intel Corporation Method and apparatus to reset a phase change memory and switch (PCMS) memory cell
KR20120124788A (ko) 2011-05-04 2012-11-14 삼성전자주식회사 반도체 소자
JP5662237B2 (ja) 2011-05-10 2015-01-28 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US8847196B2 (en) 2011-05-17 2014-09-30 Micron Technology, Inc. Resistive memory cell
US20120327714A1 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Macronix International Co., Ltd. Memory Architecture of 3D Array With Diode in Memory String
KR20130005878A (ko) 2011-07-07 2013-01-16 삼성전자주식회사 저저항 반도체 소자
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8575584B2 (en) 2011-09-03 2013-11-05 Avalanche Technology Inc. Resistive memory device having vertical transistors and method for making the same
US8536561B2 (en) 2011-10-17 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Memory cells and memory cell arrays
US8760909B2 (en) 2011-10-20 2014-06-24 Macronix International Co., Ltd. Memory and manufacturing method thereof
JP2013105979A (ja) 2011-11-16 2013-05-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US9252188B2 (en) 2011-11-17 2016-02-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory cells
US20130193400A1 (en) 2012-01-27 2013-08-01 Micron Technology, Inc. Memory Cell Structures and Memory Arrays
KR20130092925A (ko) 2012-02-13 2013-08-21 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법
US9368581B2 (en) 2012-02-20 2016-06-14 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry components, switches, and memory cells
US9041129B2 (en) 2012-02-24 2015-05-26 National Applied Research Laboratories Semiconductor memory storage array device and method for fabricating the same
JP5951374B2 (ja) 2012-07-09 2016-07-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9152428B2 (en) 2012-09-28 2015-10-06 Intel Corporation Alternative boot path support for utilizing non-volatile memory devices
KR102031187B1 (ko) 2012-10-05 2019-10-14 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
US8796085B2 (en) 2012-10-12 2014-08-05 Viktor Koldiaev Vertical super-thin body semiconductor on dielectric wall devices and methods of their fabrication
US9230685B2 (en) 2012-10-23 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Memory programming methods and memory systems
US8796751B2 (en) 2012-11-20 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Transistors, memory cells and semiconductor constructions
US9053801B2 (en) 2012-11-30 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Memory cells having ferroelectric materials
US8878271B2 (en) 2013-03-01 2014-11-04 Micron Technology, Inc. Vertical access device and apparatuses having a body connection line, and related method of operating the same
JP5793525B2 (ja) 2013-03-08 2015-10-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US20140252298A1 (en) 2013-03-10 2014-09-11 Sandisk 3D Llc Methods and apparatus for metal oxide reversible resistance-switching memory devices
US9196831B2 (en) 2013-03-14 2015-11-24 Crossbar, Inc. Two-terminal memory with intrinsic rectifying characteristic
US20140269046A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells
US9691981B2 (en) 2013-05-22 2017-06-27 Micron Technology, Inc. Memory cell structures
US9153777B2 (en) 2013-06-03 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same
JP6121819B2 (ja) 2013-07-04 2017-04-26 株式会社東芝 半導体装置および誘電体膜
US9246100B2 (en) 2013-07-24 2016-01-26 Micron Technology, Inc. Memory cell array structures and methods of forming the same
US20150028280A1 (en) 2013-07-26 2015-01-29 Micron Technology, Inc. Memory cell with independently-sized elements
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
US9111944B2 (en) 2013-09-09 2015-08-18 Cypress Semiconductor Corporation Method of fabricating a ferroelectric capacitor
JP6067524B2 (ja) 2013-09-25 2017-01-25 株式会社東芝 半導体装置および誘電体膜
KR20150041705A (ko) 2013-10-08 2015-04-17 삼성전자주식회사 선택 소자와 저항 변화 소자를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
US9543515B2 (en) 2013-11-07 2017-01-10 Intel Corporation Electrode materials and interface layers to minimize chalcogenide interface resistance
KR102131075B1 (ko) 2013-11-12 2020-07-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9076686B1 (en) 2014-01-10 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Field effect transistor constructions and memory arrays
US9806129B2 (en) 2014-02-25 2017-10-31 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same
US20150249113A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile memory device
US9601194B2 (en) 2014-02-28 2017-03-21 Crossbar, Inc. NAND array comprising parallel transistor and two-terminal switching device
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
US9484092B2 (en) 2014-05-20 2016-11-01 Sandisk Technologies Llc Intrinsic vertical bit line architecture
KR20150135804A (ko) 2014-05-26 2015-12-04 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
US9362494B2 (en) 2014-06-02 2016-06-07 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells
US9343506B2 (en) 2014-06-04 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Memory arrays with polygonal memory cells having specific sidewall orientations
US9472560B2 (en) 2014-06-16 2016-10-18 Micron Technology, Inc. Memory cell and an array of memory cells
US9437658B2 (en) 2014-08-05 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Fully isolated selector for memory device
US9159829B1 (en) 2014-10-07 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Recessed transistors containing ferroelectric material
US9276092B1 (en) 2014-10-16 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Transistors and methods of forming transistors
US9853211B2 (en) 2015-07-24 2017-12-26 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device
KR102452290B1 (ko) 2015-09-04 2022-12-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체구조물 및 그 제조 방법
KR102450814B1 (ko) 2015-12-29 2022-10-05 에스케이하이닉스 주식회사 문턱 스위칭 장치 및 그 제조 방법과, 이를 포함하는 전자 장치
US9741764B1 (en) 2016-02-22 2017-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including ovonic threshold switch adjusting threshold voltage thereof
US10282108B2 (en) 2016-08-31 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Hybrid memory device using different types of capacitors
US10163917B2 (en) 2016-11-01 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Cell disturb prevention using a leaker device to reduce excess charge from an electronic device
KR20180105530A (ko) 2017-03-15 2018-09-28 에스케이하이닉스 주식회사 강유전성 메모리 소자 및 이를 포함하는 크로스 포인트 어레이 장치
WO2020037261A1 (en) 2018-08-17 2020-02-20 Massachusetts Institute Of Technology Articles and methods for generation of tunable coloration and interference
JP2020047314A (ja) 2018-09-14 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US11812600B2 (en) * 2019-06-25 2023-11-07 Intel Corporation Vertical memory cell with self-aligned thin film transistor
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances
US11024736B2 (en) * 2019-08-09 2021-06-01 Micron Technology, Inc. Transistor and methods of forming integrated circuitry
US11605723B2 (en) * 2020-07-28 2023-03-14 Micron Technology, Inc. Transistors and memory arrays
US11616073B1 (en) * 2021-10-29 2023-03-28 Micron Technology, Inc. Memory device having 2-transistor vertical memory cell and wrapped data line structure

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040071022A1 (en) * 2001-11-14 2004-04-15 Micron Technology, Inc. ROM embedded DRAM with dielectric removal/short
US20090184393A1 (en) * 2008-01-21 2009-07-23 Industrial Technology Research Institute Memory capacitor and manufacturing method thereof
US8969170B2 (en) * 2013-03-14 2015-03-03 Globalfoundries Inc. Method of forming a semiconductor structure including a metal-insulator-metal capacitor
US9305929B1 (en) * 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
TW201729354A (zh) * 2015-12-18 2017-08-16 芙洛提亞股份有限公司 記憶胞、非揮發性半導體記憶裝置、及非揮發性半導體記憶裝置之製造方法
US20180197870A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-12 Micron Technology, Inc. Memory Cells and Methods of Forming a Capacitor
TW201842651A (zh) * 2017-01-12 2018-12-01 美商美光科技公司 記憶胞及形成電容器之方法
TW201907545A (zh) * 2017-07-04 2019-02-16 華邦電子股份有限公司 記憶體裝置及其製造方法
TW201917870A (zh) * 2017-10-27 2019-05-01 德商鐵電記憶體有限責任公司 記憶體單元及製作記憶體單元的方法
US20190189357A1 (en) * 2017-12-15 2019-06-20 Micron Technology, Inc. Methods of Incorporating Leaker Devices into Capacitor Configurations to Reduce Cell Disturb

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