TWI535866B - Low α-ray amount of copper or copper alloy and copper or copper alloy as the raw material of the bonding line - Google Patents

Low α-ray amount of copper or copper alloy and copper or copper alloy as the raw material of the bonding line Download PDF

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Description

低α射線量之銅或銅合金及以銅或銅合金為原料之接合線
本發明係關於一種使用於半導體之製造等之使α射線量降低之銅或銅合金及以銅或銅合金為原料之接合線。
一般而言，銅係使用於半導體之製造之材料，尤其是銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、焊錫材料之主要原料。於製造半導體裝置時，銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、焊錫(Cu-Ag-Sn)係使用於：將IC或LSI等Si晶片接合或密封於引線框架或陶瓷封裝時、TAB(Tape Automated Bonding)或倒裝晶片製造時之凸塊形成、半導體用配線材等。
最近之半導體裝置因高密度化及運轉電壓或電池之容量下降，故由於來自半導體晶片附近之材料之α射線之影響而產生軟性誤差之危險增多。因此，要求銅或銅合金之高純度化，又，要求低α射線之材料。
雖與本申請案發明為不同之材料，但存在使α射線減少之揭示，即存在數個關於以使來自錫之α射線減少為目的之技術之揭示。以下對其進行介紹。
下述專利文獻1中記載有一種低α射線錫之製造方法，其係於將錫與α射線量為10 cph/cm2以下之鉛加以合金化後，進行除去錫中所包含之鉛之精煉。該技術之目的係藉由高純度Pb之添加而稀釋錫中之210Pb而降低α射線量。
然而，於此情形時，於添加至錫後，必須有進一步除去Pb之繁雜之步驟，又，雖於精煉錫之3年後，α射線量顯示出大幅度下降之數值，但亦可理解為若未經過3年則無法使用該α射線量下降之錫，故不能說為於產業上效率良好之方法。
下述專利文獻2中記載有若於Sn-Pb合金焊錫中添加10~5000 ppm選自Na、Sr、K、Cr、Nb、Mn、V、Ta、Si、Zr、Ba之材料，則放射線α粒子之計數下降至0.5 cph/cm2以下。
然而，即便藉由如此之材料之添加，可減少放射線α粒子之計數為0.015 cph/cm2等級，未達到作為目前之半導體裝置用材料可期待之等級。
進而成為問題的是，會使用鹼金屬元素、過度金屬元素、重金屬元素等混入至半導體則不佳之元素作為添加之材料。因此，作為半導體裝置組裝用材料僅能說是等級較低之材料。
下述專利文獻3中記載有將自焊錫極細線釋放出之放射線α粒子之計數控制於0.5 cph/cm2以下，並作為半導體裝置等之連接配線用而使用之情形。然而，該程度之放射線α粒子之計數等級未達到作為目前之半導體裝置用材料可期待之等級。
下述專利文獻4中記載有藉由使用特級硫酸、特級鹽酸等純化度較高之硫酸與鹽酸作為電解液，且將高純度錫用於陽極來進行電解，而獲得鉛之濃度較低、鉛之α射線 計數為0.005 cph/cm2以下之高純度錫。若不考慮成本，只要使用高純度之原材料(試劑)，當然可獲得高純度之材料，儘管如此，專利文獻4之實施例中所示之析出錫之最低α射線計數為0.002 cph/cm2，雖然成本高，但仍未達到可期待之等級。
下述專利文獻5中記載有以下之方法：將硝酸添加至加入有粗金屬錫之加熱水溶液中，而使偏錫酸沈澱，過濾並將其洗淨，以鹽酸或氫氟酸溶解洗淨後之偏錫酸，並將該溶解液作為電解液，藉由電解採收而獲得5 N以上之金屬錫。雖然該技術中籠統地敍述可作為半導體裝置用而應用，但關於放射性元素及放射線α粒子之計數之限制並未特別提及，可以說對於該等之關心程度甚低。
下述專利文獻6中揭示有以下之技術：使構成焊錫合金之Sn中所含之Pb的量減少，且使用Bi或Sb、Ag、Zn作為合金材之技術。然而，於此情形時即便儘可能降低Pb，但並未特別揭示對必然混入之Pb所引起之放射線α粒子之計數之問題進行根本解決之方法。
下述專利文獻7中揭示有使用特級硫酸試劑進行電解而製造之等級為99.99%以上、放射線α粒子之計數為0.03 cph/cm2以下之錫。於此情形時，若不考慮成本並使用高純度之原材料(試劑)，當然亦可獲得高純度之材料，儘管如此，專利文獻7之實施例中所示之析出錫之最低之α射線計數為0.003 cph/cm2，雖然成本高，但仍未達到可期待之等級。
下述專利文獻8中記載有具有4 N以上之等級、放射性同位元素未達50 ppm、放射線α粒子之計數為0.5 cph/cm2以下之半導體裝置用焊料用鉛。又，下述專利文獻9中記載有具有99.95%以上之等級、放射性同位元素未達30 ppm、放射線α粒子之計數為0.2 cph/cm2以下之半導體裝置用焊料用錫。
該等均存在放射線α粒子之計數之容許量寬鬆、未達到作為目前之半導體裝置用材料可期待之等級之問題。
鑒於以上情況，本案申請人如下述專利文獻10所示，曾進行如下提案：高純度錫，即純度為5 N以上(其中，除去O、C、N、H、S、P之氣體成分)，其中，使作為放射性元素之U、Th之各者之含量為5 ppb以下，使釋放放射線α粒子之Pb、Bi之各者之含量為1 ppm以下，儘量排除α射線對半導體晶片之影響。於此情形時，因高純度錫最終係由熔解、鑄造及視需要進行壓延、切斷而製造者，故係關於實現該高純度錫之α射線計數為0.001 cph/cm2以下之技術者。
於Sn之純化之時，Po之昇華性非常高，若於製造步驟，例如熔解、鑄造步驟中被加熱，則Po會昇華。可認為：若於製造之初期階段除去釙之同位素210Po，則理所當然不會引起自釙之同位素210Po向鉛之同位素206Pb之衰變，亦不產生α射線。
一般認為：於製造步驟中之α射線之產生，係於自該210Po向鉛之同位素206Pb衰變時。然而，實際上，發現儘 管於製造時Po幾乎消失殆盡，但仍然持續產生α射線。因此，僅於製造初期之階段降低高純度錫之α射線計數，不能說是解決問題的根本之道。
上述主要係與關於錫之α射線相關者，而銅或銅合金係作為半導體用而使用於LSI之配線材料或連接晶片與引線框架之接合線中，但因接合線與引起軟性誤差之記憶體部分相隔一定距離，故不太考慮自線產生之α射線量，0.5 cph/cm2以下之程度即被認為充分(參照下述專利文獻11之段落0004)。
除此之外，雖存在關於銅或銅合金接合線之專利文獻，但未發現關於α射線量之揭示。以下列舉關於銅或銅合金接合線之專利文獻，簡單地進行說明。
專利文獻12中存在半導體裝置之接合線用高純度銅之製造方法之記載，記載了以下之內容：使不可避免雜質之所有含量為5 ppm以下，並使不可避免雜質中之S、Se、及Te成分之含量分別為S：0.5 ppm以下、Se：0.2 ppm以下、Te：0.2 ppm以下，且使維氏硬度、延伸、斷裂強度提高。
專利文獻13中，作為接合線用銅素材之製造方法，記載有藉由電解精煉→真空熔解→帶域熔法進行純化之情形。
專利文獻14中記載有含有Fe、P、In，並含有Sn、Pb、Sb中至少1種以上之接合線。
專利文獻15中記載有調整了凝固速度之接合線素材之製造方法，以作為半導體元件用接合線素材之製造方法。
專利文獻16中記載有導線用或電纜用耐彎曲高強度高導電性銅合金，且記載了其含有Fe、P，並含有選自In、Sn、Pb、Sb中之至少2種與Zr之情形。
專利文獻17中記載有耐熱高強度高導電性銅合金，且記載了其含有Fe、P，並含有選自In、Sn、Pb、Sb中之2種與Zr之情形。
除此之外，作為銅之純化方法，專利文獻18中記載有以下之技術：以隔膜使陽極與陰極分離，萃取自陽極溶出之含Cu離子電解液，且於進入陰極盒之前通過0.1μm左右之網眼之活性碳過濾器；專利文獻19中記載有以下之技術：以藉由電解收取或電解純化來進行高純度化為前提，藉由酸與活性碳處理自含銅溶液之陽極電解液除去雜質，並將除去之高純度銅液作為陰極電解液而使用；專利文獻20中記載有以下之技術：使用以隔膜分離陽極(anode)室及陰極(cathode)室而成之電解槽，作為電解液使用氯浴中之黃銅礦滲出液而向陰極室供液，藉由電解還原於陰極表面收取電解銅。
然而，於該等銅之純化方法中未揭示使α射線減少之技術。
專利文獻1：日本專利第3528532號公報
專利文獻2：日本專利第3227851號公報
專利文獻3：日本專利第2913908號公報
專利文獻4：日本專利第2754030號公報
專利文獻5：日本特開平11-343590號公報
專利文獻6：日本特開平9-260427號公報
專利文獻7：日本特開平1-283398號公報
專利文獻8：日本專利特公昭62-47955號公報
專利文獻9：日本專利特公昭62-1478號公報
專利文獻10：WO2007-004394號公報
專利文獻11：日本特開2005-175089號公報
專利文獻12：日本專利特公平7-36431號公報
專利文獻13：日本專利特公平8-23050號公報
專利文獻14：日本專利特公昭62-56218號公報
專利文獻15：日本特開昭63-34934號公報
專利文獻16：日本特開昭62-214145號公報
專利文獻17：日本特開61-76636號公報
專利文獻18：日本專利4620185號公報
專利文獻19：日本專利4519775號公報
專利文獻20：日本特開2005-105351號公報
最近之半導體裝置因高密度化及運轉電壓或單元之容量降低，故會由於來自半導體晶片附近之材料之α射線之影響而產生軟性誤差之危險增多。尤其是由於對接近於半導體裝置而使用之銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、焊錫材料等銅或銅合金之高純度化之要求較強，又，要求低α射線之材料，因此本發明之課題在於：闡明銅或銅合金之α射線產生之現象，並且獲得使可適應於所要求之材料之α射線量降低之銅或銅合金、及以銅或銅合金為原料 之接合線。
為解決上述之問題，而提供以下之發明。
1)一種銅或銅合金，其特徵在於：熔解、鑄造後之試樣之α射線量為0.001 cph/cm2以下。
2)一種銅或銅合金，其特徵在於：自熔解、鑄造起1週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後及30個月後之各者之α射線量為0.001 cph/cm2以下。
3)如上述1)或2)所記載之銅或銅合金，其特徵在於：純度為4 N(99.99%)以上。
於為該銅合金之情形時，為包含作為基材(base)之Cu與添加元素之純度。
4)如上述1)~3)中任一項所記載之銅或銅合金，其特徵在於：Pb含量為0.1 ppm以下。
5)一種接合線，其係以上述1~4中任一項所記載之銅或銅合金為原料。
最近之半導體裝置係高密度化及運轉電壓或單元之容量下降，而會由於來自半導體晶片附近之材料之α射線之影響而產生軟性誤差之危險趨於增多，但本發明具有可提供可適應於低α射線之材料之銅或銅合金及以銅或銅合金為原料之接合線之優異效果。藉此，可顯著地減少因半導體裝置之α射線之影響所致之軟性誤差之產生。
雖大量存在產生α射線之放射性元素，但由於多數半衰期非常長或非常短而實際上不成為問題，實際上成為問 題的是於U衰變鏈(參照圖1)中之自釙之同位素210Po向鉛之同位素206Pb衰變之時產生之α射線。
接近於半導體裝置而使用之銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、焊錫材料開發有以銅或銅合金為原料之材料，且要求低α射線之銅或銅合金材料。
例如，作為銅或銅合金接合線之原料，通常使用4 N~5 N之無氧銅，並含有0.1 wtppm以上之鉛，α射線之產生量亦超過0.001 cph/cm2。又，先前以來可以說是因認為不存在低α射線的必要，故無降低之動機。
如上所述，Po之昇華性非常高，若於製造步驟，例如熔解、鑄造步驟中加熱則Po昇華。一般認為：若於製造步驟中除去釙之同位素210Po，則不產生自釙之同位素210Po向鉛之同位素206Pb之衰變，亦不產生α射線(參照圖1之「U衰變鏈」)。
然而，於幾乎無釙之同位素210Po之狀態下，會產生210Pb→210Bi→210Po→206Pb之衰變。而且，可知該衰變鏈達到平衡狀態需要約27個月(2年餘)(參照圖2)。
即，若銅材料中含有鉛之同位素210Pb(半衰期22年)，則隨著時間經過而進行210Pb→210Bi(半衰期5天)→210Po(半衰期138天)之衰變(圖1)，衰變鏈重建而產生210Po，因此產生自釙之同位素210Po向鉛之同位素206Pb之衰變所引起之α射線。
因此，即便於製品剛製造後α射線量較低亦無法解決問題，且產生隨著時間經過α射線量升高，而引起軟性誤 差之危險性升高之問題。上述約27個月(2年餘)絕非短時間。
即使於製品剛製造後α射線量較低，但隨著時間之經過α射線逐漸升高之問題係由於材料中含有圖1所示之U衰變鏈之鉛之同位素210Pb，若不極力減少鉛之同位素210Pb之含量，則可以說無法解決上述之問題。
圖3表示Cu中之Pb含量與α射線量之關係。可知該圖3所示之直線根據鉛之同位素214Pb、210Pb、209Pb、208Pb、207Pb、206Pb、204Pb之比例而上下位移，且鉛之同位素210Pb之比例越大越向上方位移。
根據以上，重要的是降低該銅中之鉛之同位素210Pb之比例，又，藉由將Pb降低至0.1 ppm以下為止，結果，因鉛之同位素210Pb亦可降低，故隨著時間經過α射線量不會升高。
又，可認為：鉛之同位素206Pb之存在比較少係指圖1所示之U衰變鏈之比率相對較小，屬於該系列之鉛之同位素210Pb亦較少。
藉此，可達成經熔解、鑄造之銅之α射線量為0.001 cph/cm2以下。設為該等級之α射線量係本申請案發明之基本，可以說先前技術中並無揭示或暗示具有如此之認識並達成上述內容之記載。
具體而言，本發明提供一種銅或銅合金，其於自熔解、鑄造起1週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後及不存在使由向鉛之同位素206Pb之衰變所引起之α射線產生 的釙之同位素210Po之狀態下，經過210Pb→210Bi→210Po→206Pb之衰變鏈達到平衡狀態之27個月之後的30個月後之各者之α射線量為0.001 cph/cm2以下。
再者，因於錫等之低α化(α射線量之降低化)之電解純化中使用之鹽酸浴中未析出Pb，故無法藉由本案之隔膜電解法除去Pb。又，雖於Cu之電解純化中亦使用硝酸浴，但因於此情形時Pb未析出，故無法藉由本案之隔膜電解法除去Pb。於本案中，係以使Pb析出而藉由隔膜電解法除去Pb，而謀求低α化(α射線量之降低化)。
進而，於測定α射線量之情形時存在需要注意之處。即，由α射線測定裝置(機器)發出α射線(以下根據需要使用「背景(BG)α射線」之用語)。本申請案發明中，上述之α射線量係指已除去由α射線測定裝置發出之α射線之實質α射線量。本申請案說明書所記載之「α射線量」係以該含義使用。
以上敍述了由銅或銅合金產生之α射線量，於含有銅或銅合金之合金中亦同樣強烈受到α射線量之影響。有時雖藉由低α射線量或幾乎不產生α射線量之銅以外的成分而緩和α射線量之影響，但於合金成分中至少含有40%以上之銅之銅合金之情形時，可以說較佳為使用低α射線量之本發明之銅。
銅之純化係藉由以下所示之隔膜電解法而進行。
使電解液為硫酸銅溶液，於陽極與陰極之間設置隔膜，於除去自陽極側析出之電解液中之析出物，尤其是硫 酸鉛後，向陰極側供給電解液。
本發明之隔膜電解法之特徵在於：使用硫酸銅溶液(例如Cu濃度30~200 g/L)，以隔膜不通過Pb2+離子之方式使用陰離子交換膜。即便進行隔膜電解，但於使用陽離子交換膜之情形時，Pb2+離子亦通過，而於陰極側之電沈積銅中會混入鉛，因此如上所述，需要使用陰離子交換膜。又，自電解液中除去析出物之硫酸鉛係藉由使用過濾器之過濾而進行。
如上所述，本申請案發明將硫酸銅溶液作為電解液而使用，藉由使用陰離子交換膜之隔膜電解法而可將鉛除去至0.1 ppm等級為止。如此所得之本申請案發明之銅或銅合金具有可顯著地減少因半導體裝置之α射線之影響所致之軟性誤差之產生之優異之效果。
再者，如上所述，將硫酸銅溶液作為電解液而使用，且使用陰離子交換膜之隔膜電解法為有效之方法，但應可容易地理解只要為可使α射線量為0.001 cph/cm2以下之製法，則並不限定於該方法。
[實施例]
其次，對本發明之實施例進行說明。再者，本實施例僅為一例，並不限定於此例。即，本發明之技術思想之範圍內包含所有實施例以外之態樣或變形。
(實施例1)
將以銅精煉步驟中之轉爐進行純化後之粗銅(純度約99%)作為原料陽極，以硫酸銅溶液進行電解純化。因使粗 銅中所含之鉛作為硫酸鉛而析出，故為了防止將析出物捲入電沈積中而進行使用陰離子交換膜之隔膜電解。
以陽極將粗銅電熔解，並以泵抽出為特定銅濃度之液體，過濾後，將不存在析出物之液體供給至陰極，獲得電沈積。藉此，獲得鉛濃度較低之純度4 N之銅電沈積物。Pb、U、Th之含量分別<0.01 wtppm、<5 wtppb、<5 wtppb。
洗淨、乾燥回收之電沈積銅，於1200℃之溫度下熔解、鑄造，自剛熔解、鑄造後起調查α射線量之經時變化。α射線測定用試樣係壓延經熔解、鑄造之板而使其為約1.5 mm之厚度，並切出為310 mm×310 mm之板。該表面積為961 cm2。將其作為α射線測定試樣。
α射線測定裝置係使用Ordela公司製造之Gas Flow Proportional Counter型號8600A-LB。使用氣體為90%氬氣-10%甲烷，至於測定時間，係背景(background)及試樣均為104小時，最初之4小時作為測定室淨化所需之時間，自5小時後至104小時後為止。即，用於α射線量算出的是分別於自熔解、鑄造起1週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後之自5小時後至104小時後為止之資料。
關於上述試樣，於自熔解、鑄造起1週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後及不存在使由鉛之同位素206Pb之衰變所引起之α射線產生之釙之同位素210Po之狀態下，經過210Pb→210Bi→210Po→206Pb之衰變鏈達到平衡狀態之27個月後之30個月後測定α射線量，結果α射線量最大為0.001 cph/cm2，滿足本申請案發明之條件。
又，於為銅合金錠之情形時，作為添加之合金元素，通常可進行添加數10~數100 wtppm之選自Al、Ag、B、Ba、Be、Bi、Ca、Ce、Co、Cr、Dy、Eu、Gd、Ge、In、Ir、La、Mg、Mo、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Rh、Ru、Sb、Si、Sn、Sr、Y、Ti、Yb、Zn、Zr中之1種以上。
於該銅合金之製造之情形時重要的是：於熔解、鑄造時，包含作為基材(base)之Cu，銅合金中所含之Pb、U、Th之含量分別<0.01 wtppm、<5 wtppb、<5 wtppb，於本實施例中，於該等銅合金之製造時，亦同樣地測定α射線量，結果可達成α射線量最大為0.001 cph/cm2。
(比較例1)
將市售無氧銅熔解鑄造，以與實施例1相同之方法製作α射線試樣。Pb、U、Th含量分別為1 wtppm、<5 wtppb、<5 wtppb。
自剛熔解鑄造後起調查α射線量之經時變化，結果α射線量雖於剛熔解鑄造後為0.001 cph/cm2以下但逐漸地增加。可認為是：雖因以該等熔解、鑄造步驟蒸發了Po故α射線量暫時變低，但因含有1 wtppm之Pb，故衰變鏈重建而使α射線量增加。其結果，無法達成本申請案發明之目的。
(比較例2)
以於銅精煉步驟中以轉爐純化後之粗銅(純度約99%)作為原料陽極，以硫酸銅溶液不使用隔膜地進行電解純化。其結果Pb、U、Th之含量分別為0.2 wtppm、<5 wtppb、 <5 wtppb。
自剛熔解鑄造後起調查α射線量之經時變化，結果α射線量於剛熔解鑄造後為0.001 cph/cm2以下但逐漸地增加。可認為是：雖因以熔解、鑄造步驟蒸發了Po故α射線暫時變低，但因含有0.2 wtppm之Pb故衰變鏈重建而使α射線量增加。其結果，無法達成本申請案發明之目的。
(實施例2)
藉由拉線加工使以實施例1之方法製作之銅錠為直徑25μm之線。將其鋪至α射線測定裝置之試樣板上，以與實施例1相同之方法測定α射線，結果α射線量未增加，穩定地為0.001 cph/cm2以下。根據以上，可將該加工之銅線作為銅接合線而有效地利用。
又，使用於上述實施例1中製造之添加了數10~數100 wtppm之選自Al、Ag、B、Ba、Be、Bi、Ca、Ce、Co、Cr、Dy、Eu、Gd、Ge、In、Ir、La、Mg、Mo、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Rh、Ru、Sb、Si、Sn、Sr、Y、Ti、Yb、Zn、Zr中之1種以上之銅合金錠而進行拉線加工，並測定α射線，結果α射線量未增加，可穩定地獲得0.001 cph/cm2。其重點是於銅合金之製造階段中之謹慎的成分調整，而藉由包含作為基材(base)之Cu，使銅合金中所含之Pb、U、Th之含量分別<0.01 wtppm、<5 wtppb、<5 wtppb而可達成者。
(比較例3)
藉由拉線加工使以比較例1及比較例2之方法而製作之銅錠為直徑25μm之線。將其鋪至α射線測定裝置之試 樣板上，並進行測定，結果α射線於剛拉線加工後為0.001 cph/cm2左右，但逐漸增加。根據以上，不能說該加工之銅線作為銅接合線為有效之材料。
[產業上之可用性]
如上所述，由於本發明具有可提供可適應於低α射線之材料的銅或銅合金及以銅或銅合金為原料之接合線之優異效果，故而可極力排除對半導體晶片之α射線之影響。因此，可顯著減少由半導體裝置之α射線之影響所致之軟性誤差之產生，作為使用銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、焊錫材料等銅或銅合金之部位之材料甚為有用。
圖1係表示鈾(U)衰變至206Pb為止之衰變鏈(鈾、鐳衰變系列)之圖。
圖2係表示自幾乎不存在釙之同位素210Po之狀態重建210Pb→210Bi→210Po→206Pb之衰變鏈所放射之α射線量之圖。
圖3係表示Cu中之Pb含量與α射線量之關係之圖。
圖4係表示利用隔膜電解法之鉛除去步驟之概略之圖。

Claims (11)

  1. 一種銅或銅合金，其熔解、鑄造後之試樣之α射線量為0.001cph/cm2以下，包含作為Pb之同位素之210Pb的Pb含量低於0.01ppm，U含量低於5wtppb，Th含量低於5wtppb。
  2. 一種銅或銅合金，其自熔解、鑄造起1週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後及30個月後之試樣之各者之α射線量為0.001cph/cm2以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之銅或銅合金，其純度為4N(99.99%)以上。
  4. 一種接合線，其係以申請專利範圍第1至3項中任一項之銅或銅合金為原料。
  5. 一種α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法，其係熔解、鑄造後之試樣之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法，該製造方法使用Cu濃度30~200g/L之硫酸銅溶液作為電解液，在陽極與陰極之間設置Pb2+離子不會通過的陰離子交換膜作為隔膜，將自陽極側析出之電解液中的析出物即硫酸鉛去除後，將電解液供給至陰極側，進行電解而得到電沈積物，進一步對其進行熔解、鑄造。
  6. 如申請專利範圍第5項之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法，其中，使包含作為Pb之同位素之210Pb的Pb含量低於0.01ppm，使U含量低於5wtppb，使Th含量低於5wtppb。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法，其中，該銅自熔解、鑄造起1週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後及30個月後之試樣之各者的α射線量為0.001cph/cm2以下。
  8. 如申請專利範圍第5或6項之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法，其中，該銅之純度為4N(99.99%)以上。
  9. 如申請專利範圍第7項之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法，其中，該銅之純度為4N(99.99%)以上。
  10. 一種以銅為原料之銅合金的製造方法，其中，該銅係以申請專利範圍第5~9項中任一項之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法製得。
  11. 一種以銅或銅合金為原料之接合線的製造方法，其中，該銅係以申請專利範圍第5~9項中任一項之α射線量為0.001cph/cm2以下之銅的製造方法製得，該銅合金係以申請專利範圍第10項之銅合金的製造方法製得。
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