JP3227851B2 - 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 - Google Patents
低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜Info
- Publication number
- JP3227851B2 JP3227851B2 JP35419892A JP35419892A JP3227851B2 JP 3227851 B2 JP3227851 B2 JP 3227851B2 JP 35419892 A JP35419892 A JP 35419892A JP 35419892 A JP35419892 A JP 35419892A JP 3227851 B2 JP3227851 B2 JP 3227851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- alloy
- ray
- low
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣ，ＬＳＩなどの
Ｓｉチップを基板、リードフレーム、セラミックスパッ
ケージなどにダイボンディングしたり、セラミックスパ
ッケージを金属製あるいはセラミックス製リッドで封止
したりするときに使用する半導体装置組立用低α線Ｐｂ
合金はんだ材およびはんだ膜に関するものである。
Ｓｉチップを基板、リードフレーム、セラミックスパッ
ケージなどにダイボンディングしたり、セラミックスパ
ッケージを金属製あるいはセラミックス製リッドで封止
したりするときに使用する半導体装置組立用低α線Ｐｂ
合金はんだ材およびはんだ膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなど半導体装置の組
立には、メモリーエラーの発生を防止する目的で、表面
から放射されるα粒子のカウント数を１cm2 当り０．５
カウント／時（以下、ＣＰＨと記す）とし、Ｓｎ：１〜
６５％、Ｉｎ：１〜６５％、のうち１種または２種、さ
らに必要に応じてＳｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０
％、のうち１種または２種を含有し、残りがＰｂおよび
不可避不純物からなる組成（以上、重量％、以下％は重
量％を示す）を有するＰｂ合金で構成されたはんだ材は
知られている（特開昭５８−１５１０３７号公報、特公
昭６２−５４５９７号公報、特開平３−２０７５９６号
公報などを参照）。
立には、メモリーエラーの発生を防止する目的で、表面
から放射されるα粒子のカウント数を１cm2 当り０．５
カウント／時（以下、ＣＰＨと記す）とし、Ｓｎ：１〜
６５％、Ｉｎ：１〜６５％、のうち１種または２種、さ
らに必要に応じてＳｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０
％、のうち１種または２種を含有し、残りがＰｂおよび
不可避不純物からなる組成（以上、重量％、以下％は重
量％を示す）を有するＰｂ合金で構成されたはんだ材は
知られている（特開昭５８−１５１０３７号公報、特公
昭６２−５４５９７号公報、特開平３−２０７５９６号
公報などを参照）。
【０００３】これらα粒子のカウント数の少ないＰｂ合
金はんだ材を製造するには、238Ｕの崩壊核種である210
Ｐｂの少ない鉱山の鉱石を採取段階から厳選して汚染に
注意しながら精練し、真空溶解および帯域溶融法で精製
して得られた特殊なＰｂをＰｂ原料として用いている。
金はんだ材を製造するには、238Ｕの崩壊核種である210
Ｐｂの少ない鉱山の鉱石を採取段階から厳選して汚染に
注意しながら精練し、真空溶解および帯域溶融法で精製
して得られた特殊なＰｂをＰｂ原料として用いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、210Ｐｂ含有
量の少ない鉱石の埋蔵量にも限界があり、かかる鉱山の
鉱石を探すことは年々難しくなってこの鉱石から得られ
たＰｂの価格も上昇し、そのため、放射性α粒子のカウ
ント数の少ないＰｂ合金はんだを大量に安価に供給する
ことは年々難しくなっている。
量の少ない鉱石の埋蔵量にも限界があり、かかる鉱山の
鉱石を探すことは年々難しくなってこの鉱石から得られ
たＰｂの価格も上昇し、そのため、放射性α粒子のカウ
ント数の少ないＰｂ合金はんだを大量に安価に供給する
ことは年々難しくなっている。
【０００５】そこで、通常のＰｂ原料に含まれる210Ｐ
ｂを遠心分離装置により５ppb 未満に減らし、この210
Ｐｂ：５ppb 未満のＰｂ原料を用いて放射性α粒子のカ
ウント数の少ないＰｂ合金はんだを製造することも考え
られるが、かかる方法を用いて210Ｐｂ含有量を減らし
たＰｂ原料は高価格になりすぎるため、民生用の電子機
器産業分野では使用することができない。
ｂを遠心分離装置により５ppb 未満に減らし、この210
Ｐｂ：５ppb 未満のＰｂ原料を用いて放射性α粒子のカ
ウント数の少ないＰｂ合金はんだを製造することも考え
られるが、かかる方法を用いて210Ｐｂ含有量を減らし
たＰｂ原料は高価格になりすぎるため、民生用の電子機
器産業分野では使用することができない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
通常のＰｂ原料を用いても放射性α粒子カウント数の少
ないＰｂ合金はんだを得るべく研究を行った結果、通常
のＰｂ原料を用い、これにＳｎ：１〜６５％、Ｉｎ：１
〜６５％のうち１種または２種を添加し、さらに、必要
に応じてＳｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０％のうち１
種または２種を添加し、溶解して得られたＰｂ合金はん
だに、さらに、Ｎａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，
Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂａのうち１種または２種以上
を合計で１０〜５０００ppm 含有せしめると、放射性α
粒子のカウント数は０．５ＣＰＨ／cm2 以下に低下す
るという研究結果が得られたのである。
通常のＰｂ原料を用いても放射性α粒子カウント数の少
ないＰｂ合金はんだを得るべく研究を行った結果、通常
のＰｂ原料を用い、これにＳｎ：１〜６５％、Ｉｎ：１
〜６５％のうち１種または２種を添加し、さらに、必要
に応じてＳｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０％のうち１
種または２種を添加し、溶解して得られたＰｂ合金はん
だに、さらに、Ｎａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，
Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂａのうち１種または２種以上
を合計で１０〜５０００ppm 含有せしめると、放射性α
粒子のカウント数は０．５ＣＰＨ／cm2 以下に低下す
るという研究結果が得られたのである。
【０００７】この発明は、かかる研究結果にもとづいて
なされたものであって、Ｓｎ：１〜６５％、Ｉｎ：１〜
６５％、のうち１種または２種、さらに必要に応じて、
Ｓｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０％、のうち１種また
は２種、を含有し、残りがＰｂおよび不可避不純物から
なる組成のＰｂ合金で構成されたはんだ材に、Ｎａ，Ｓ
ｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂ
ａのうち１種または２種以上を合計で１０〜５０００pp
m 含有せしめてなるＰｂ合金はんだ材に特徴を有するも
のである。
なされたものであって、Ｓｎ：１〜６５％、Ｉｎ：１〜
６５％、のうち１種または２種、さらに必要に応じて、
Ｓｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０％、のうち１種また
は２種、を含有し、残りがＰｂおよび不可避不純物から
なる組成のＰｂ合金で構成されたはんだ材に、Ｎａ，Ｓ
ｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂ
ａのうち１種または２種以上を合計で１０〜５０００pp
m 含有せしめてなるＰｂ合金はんだ材に特徴を有するも
のである。
【０００８】この発明のＰｂ合金はんだに含まれるＮ
ａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚ
ｒおよびＢａのうち１種または２種以上を合計で１０〜
５０００ppm に限定した理由は、これら成分が１０ppm
未満含まれていても上記放射性α粒子のカウント数を下
げるに十分な効果が得られないからであり、一方、５０
００ppm を越えて含有するとはんだ付け性が低下して好
ましくないことによるものである。
ａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚ
ｒおよびＢａのうち１種または２種以上を合計で１０〜
５０００ppm に限定した理由は、これら成分が１０ppm
未満含まれていても上記放射性α粒子のカウント数を下
げるに十分な効果が得られないからであり、一方、５０
００ppm を越えて含有するとはんだ付け性が低下して好
ましくないことによるものである。
【０００９】さらに、この発明のＰｂ合金はんだ材は、
蒸着膜、メッキ膜などのはんだ膜としても使用すること
ができる。
蒸着膜、メッキ膜などのはんだ膜としても使用すること
ができる。
【００１０】
【実施例】実施例１ 市販の高純度Ｐｂをさらに帯域溶融法により精製して得
られた純度：９９．９９９５％のＰｂをＰｂ原料として
用意した。
られた純度：９９．９９９５％のＰｂをＰｂ原料として
用意した。
【００１１】一方、いずれも５ナインの純度を有するＳ
ｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ａｇを用意し、さらに５ナインの純度
を有するＮａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂａ（以下、これらの金属を「その他
金属」と総称する）を用意した。
ｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ａｇを用意し、さらに５ナインの純度
を有するＮａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂａ（以下、これらの金属を「その他
金属」と総称する）を用意した。
【００１２】上記Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ａｇおよび
その他金属をＡｒ雰囲気中にて溶解し、表１〜表３に示
される成分組成に溶製し、鋳造してインゴットとし、こ
れを圧延して厚さ：１mmの薄板とすることにより本発明
Ｐｂ合金はんだ材（以下、本発明はんだ材という）１〜
２１、比較Ｐｂ合金はんだ材（以下、比較はんだ材とい
う）１〜１１および従来Ｐｂ合金はんだ材（以下、従来
はんだ材という）１〜４を作製した。
その他金属をＡｒ雰囲気中にて溶解し、表１〜表３に示
される成分組成に溶製し、鋳造してインゴットとし、こ
れを圧延して厚さ：１mmの薄板とすることにより本発明
Ｐｂ合金はんだ材（以下、本発明はんだ材という）１〜
２１、比較Ｐｂ合金はんだ材（以下、比較はんだ材とい
う）１〜１１および従来Ｐｂ合金はんだ材（以下、従来
はんだ材という）１〜４を作製した。
【００１３】これら本発明はんだ材１〜２１、比較はん
だ材１〜１１および従来はんだ材１〜４が放射する２〜
１０ＭｅＶのα粒子のカウント数をガスフロー型α線カ
ウンターで測定し、その測定結果をα線量として表１〜
表３に示した。
だ材１〜１１および従来はんだ材１〜４が放射する２〜
１０ＭｅＶのα粒子のカウント数をガスフロー型α線カ
ウンターで測定し、その測定結果をα線量として表１〜
表３に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】表１〜表３に示される結果から、その他金
属を含む本発明はんだ材１〜２１は、その他金属を含ま
ない従来はんだ材１に比べて、α線量が格段に減少して
いることがわかる。しかし、比較はんだ材１〜１１に見
られるように、その他金属の合計量が１０ppm 未満含有
しても十分なα線量の減少効果が得られないこともわか
る。
属を含む本発明はんだ材１〜２１は、その他金属を含ま
ない従来はんだ材１に比べて、α線量が格段に減少して
いることがわかる。しかし、比較はんだ材１〜１１に見
られるように、その他金属の合計量が１０ppm 未満含有
しても十分なα線量の減少効果が得られないこともわか
る。
【００１８】実施例２ ４インチＳｉウエハーを用意し、この４インチＳｉウエ
ハーの表面に、表３のＰｂ−１０％Ｓｎからなる成分組
成の従来はんだ１：１００ｇおよびその他金属の各元
素：０．０２ｇを同時に蒸着し、表４に示される成分組
成の本発明はんだ蒸着膜１〜１１を形成した。
ハーの表面に、表３のＰｂ−１０％Ｓｎからなる成分組
成の従来はんだ１：１００ｇおよびその他金属の各元
素：０．０２ｇを同時に蒸着し、表４に示される成分組
成の本発明はんだ蒸着膜１〜１１を形成した。
【００１９】一方、比較のために、表３の従来はんだ
１：１００ｇをそのまま上記４インチＳｉウエハー表面
に蒸着し、従来はんだ蒸着膜１を形成した。
１：１００ｇをそのまま上記４インチＳｉウエハー表面
に蒸着し、従来はんだ蒸着膜１を形成した。
【００２０】上記本発明はんだ蒸着膜１〜１１および従
来はんだ蒸着膜１のα線量を実施例１と同様にして測定
し、その測定結果を表４に示した。
来はんだ蒸着膜１のα線量を実施例１と同様にして測定
し、その測定結果を表４に示した。
【００２１】
【表４】
【００２２】表４に示される結果から、その他金属を同
時に蒸着して得られた本発明はんだ蒸着膜１〜１１は、
その他金属を含まない従来はんだ蒸着膜１に比べてα線
量が格段に減少していることがわかる。
時に蒸着して得られた本発明はんだ蒸着膜１〜１１は、
その他金属を含まない従来はんだ蒸着膜１に比べてα線
量が格段に減少していることがわかる。
【００２３】なお、はんだ膜については蒸着はんだ膜に
ついての実施例を示したが、湿式メッキはんだ膜につい
ても同じ効果が得られた。
ついての実施例を示したが、湿式メッキはんだ膜につい
ても同じ効果が得られた。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、この発明は、通常のＰｂ
を原料として用いることにより低α線Ｐｂ合金はんだを
製造できるので、半導体装置組立用低α線Ｐｂ合金はん
だ材を安価に提供することができ、電子機器産業の発展
に大いに貢献しうるものである。
を原料として用いることにより低α線Ｐｂ合金はんだを
製造できるので、半導体装置組立用低α線Ｐｂ合金はん
だ材を安価に提供することができ、電子機器産業の発展
に大いに貢献しうるものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｅ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/26 C22C 11/00 - 11/10
Claims (3)
- 【請求項１】 重量％で、Ｓｎ：１〜６５％、Ｉｎ：１
〜６５％のうち１種または２種を含有し、 さらに、Ｎａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂａのうち１種または２種以上を合計
で１０〜５０００ppm 含有し、残りがＰｂおよび不可避
不純物からなる組成を有することを特徴とする低α線Ｐ
ｂ合金はんだ材。 - 【請求項２】 重量％で、Ｓｎ：１〜６５％、Ｉｎ：１
〜６５％のうち１種または２種を含有し、 さらに、Ｓｂ：１〜１５％、Ａｇ：１〜１０％のうち１
種または２種を含有し、 さらに、Ｎａ，Ｓｒ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂａのうち１種または２種以上を合計
で１０〜５０００ppm 含有し、残りがＰｂおよび不可避
不純物からなる組成を有することを特徴とする低α線Ｐ
ｂ合金はんだ材。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の成分組成を有す
る低α線Ｐｂ合金はんだ材で構成されることを特徴とす
るはんだ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35419892A JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35419892A JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06182580A JPH06182580A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3227851B2 true JP3227851B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=18435948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35419892A Expired - Lifetime JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3227851B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007004394A1 (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 |
| WO2011114824A1 (ja) | 2010-03-16 | 2011-09-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
| WO2012120982A1 (ja) | 2011-03-07 | 2012-09-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ない銅又は銅合金及び銅又は銅合金を原料とするボンディングワイヤ |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115957A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Sanken Electric Co Ltd | 電子部品及びこれを使用した電子回路装置の製造方法 |
| AT411116B (de) * | 1999-10-05 | 2003-09-25 | Siemens Ag Oesterreich | Kühldose zur flüssigkeitskühlung von elektrischen bauelementen |
| AU2003272790A1 (en) | 2002-10-08 | 2004-05-04 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
| US7159756B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-01-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method of soldering and solder compositions |
| JP4975367B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2012-07-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度酸化第一錫、同粉末及び高純度酸化第一錫の製造方法 |
| JP5751572B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-07-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ないインジウム又はインジウムを含有する合金 |
| CN102476250A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 中国科学院金属研究所 | 一种耐大气腐蚀的Sn-Pb焊料 |
| CN102728965A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 深圳市亿铖达工业有限公司 | 高强度的led焊料 |
| CN103737194A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-23 | 苏州宏泉高压电容器有限公司 | 一种焊接材料及其制备方法 |
| EP2987892A1 (en) | 2014-02-20 | 2016-02-24 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Method for producing low -emitting bismuth and low -emitting bismuth |
| CN106825983B (zh) * | 2017-03-10 | 2020-05-05 | 南京达迈科技实业有限公司 | 一种SnAgSbNi系无铅焊锡合金及其制备方法和应用 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP35419892A patent/JP3227851B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007004394A1 (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 |
| WO2011114824A1 (ja) | 2010-03-16 | 2011-09-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
| WO2012120982A1 (ja) | 2011-03-07 | 2012-09-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ない銅又は銅合金及び銅又は銅合金を原料とするボンディングワイヤ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06182580A (ja) | 1994-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3227851B2 (ja) | 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 | |
| JP5295987B2 (ja) | 高純度錫合金の製造方法 | |
| JP5456881B2 (ja) | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 | |
| JP5080543B2 (ja) | 高純度Ｎｉ−Ｖ合金、同Ｎｉ−Ｖ合金からなるターゲット及び同Ｎｉ−Ｖ合金薄膜並びに高純度Ｎｉ−Ｖ合金の製造方法 | |
| EP0103025A1 (en) | Pb ALLOY SOLDER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| WO2014069357A1 (ja) | 低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金 | |
| JPH08199350A (ja) | Ｒｕ薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3246223B2 (ja) | Ｐｔ薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2731435B2 (ja) | エレクトロマイグレーション防止性ろう材及び外部リードをろう付けした電子部品 | |
| JPS6159760A (ja) | 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 | |
| JPS6254597B2 (ja) | ||
| JP2731434B2 (ja) | エレクトロマイグレーション防止性ろう材及び外部リードをろう付けした電子部品 | |
| JPS626793A (ja) | はんだペ−スト用Ｐｂ合金粉末 | |
| JPH01321094A (ja) | 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 | |
| JPH07300668A (ja) | 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット | |
| JPS58212150A (ja) | 半導体装置封止用蓋材 | |
| WO2021205760A1 (ja) | はんだ合金、はんだ粉末、ソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム及びはんだ継手 | |
| JPS61222139A (ja) | 残留熱歪の少ない半導体装置の組立て用Ｉｎ合金ろう材 | |
| CN116618883A (zh) | 一种能显著减低电子器件软错误的低α锡膏及其制备方法 | |
| JPH0590307A (ja) | 半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS59125635A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61222142A (ja) | Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 | |
| TW201525153A (zh) | 低α射線鉍之製造方法及低α射線鉍 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010807 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090907 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090907 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 12 |