JPH0590307A - 半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願のハンダ膜は、ハンダ膜の厚みを０．１
ｍｍとしたときのα線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）で
あり、厚みＴが４０μｍ以下であり、α線放出量Ａ及び
厚みＴから式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求めら
れるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃｍ2以下であ
る様に厚みＴを決定してなることを特徴とする。また、
半導体装置は、前記ハンダ膜を用いてパッケージと蓋あ
るいは半導体素子とパッケージのリードフレームとを接
合してなることを特徴とする。 【効果】 本願のハンダ膜はα線放出量Ｒを低減するこ
とができる。また、このハンダ膜を用いた半導体装置は
ソフトエラーの発生を大幅に減少させることができる。
ｍｍとしたときのα線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）で
あり、厚みＴが４０μｍ以下であり、α線放出量Ａ及び
厚みＴから式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求めら
れるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃｍ2以下であ
る様に厚みＴを決定してなることを特徴とする。また、
半導体装置は、前記ハンダ膜を用いてパッケージと蓋あ
るいは半導体素子とパッケージのリードフレームとを接
合してなることを特徴とする。 【効果】 本願のハンダ膜はα線放出量Ｒを低減するこ
とができる。また、このハンダ膜を用いた半導体装置は
ソフトエラーの発生を大幅に減少させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の
半導体装置に用いて好適なハンダ膜及びそれを用いた半
導体装置に関するものである。
半導体装置に用いて好適なハンダ膜及びそれを用いた半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４及び図５に示す様に、例えば
４ＭＤＲＡＭや１６ＭＤＲＡＭ等の半導体装置１におい
ては、セラミック製のパッケージ２に４２アロイ板から
なる蓋３がハンダ付けされ、このパッケージ２内にはＳ
ｉチップ（半導体素子）４がハンダ付けされている。
４ＭＤＲＡＭや１６ＭＤＲＡＭ等の半導体装置１におい
ては、セラミック製のパッケージ２に４２アロイ板から
なる蓋３がハンダ付けされ、このパッケージ２内にはＳ
ｉチップ（半導体素子）４がハンダ付けされている。
【０００３】パッケージ２と蓋３をハンダ付けするに
は、該パッケージ２と蓋３との間に１００〜２００μｍ
の厚みのハンダ箔５を介装した後に、これらを加熱して
ハンダ箔５を溶融させハンダ付けする。また、Ｓｉチッ
プ４とパッケージ２をハンダ付けするには、Ｓｉチップ
４とリードフレーム（図示せず）との間に１００〜２０
０μｍの厚みのハンダ箔６を介装した後に、これらを加
熱してハンダ箔６を溶融させハンダ付けする。
は、該パッケージ２と蓋３との間に１００〜２００μｍ
の厚みのハンダ箔５を介装した後に、これらを加熱して
ハンダ箔５を溶融させハンダ付けする。また、Ｓｉチッ
プ４とパッケージ２をハンダ付けするには、Ｓｉチップ
４とリードフレーム（図示せず）との間に１００〜２０
０μｍの厚みのハンダ箔６を介装した後に、これらを加
熱してハンダ箔６を溶融させハンダ付けする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記半導体
装置１においては、ハンダ箔５，６にＵやＴｈ等の放射
性同位元素が微量含まれているために、これらの放射性
同位元素の崩壊に伴って前記ハンダ箔５，６から放射さ
れるα線により誤動作することが知られている。したが
って、これらのハンダ箔５，６に含まれるＵやＴｈ等の
放射性同位元素の濃度を極力低減する必要がある。
装置１においては、ハンダ箔５，６にＵやＴｈ等の放射
性同位元素が微量含まれているために、これらの放射性
同位元素の崩壊に伴って前記ハンダ箔５，６から放射さ
れるα線により誤動作することが知られている。したが
って、これらのハンダ箔５，６に含まれるＵやＴｈ等の
放射性同位元素の濃度を極力低減する必要がある。
【０００５】しかしながら、ハンダ箔５，６の主成分で
あるＰｂからＵやＴｈを分離することが難しく、いかに
してこれらの放射性同位元素から放射されるα線放出量
を低減するかがハンダメーカーの大きな課題になってい
た。
あるＰｂからＵやＴｈを分離することが難しく、いかに
してこれらの放射性同位元素から放射されるα線放出量
を低減するかがハンダメーカーの大きな課題になってい
た。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、ハンダに含まれる放射性同位元素から放射
されるα線放出量を低減することができる半導体装置用
ハンダ膜、及びα線による誤動作を低減することができ
る半導体装置を提供することにある。
のであって、ハンダに含まれる放射性同位元素から放射
されるα線放出量を低減することができる半導体装置用
ハンダ膜、及びα線による誤動作を低減することができ
る半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な半導体装置用ハンダ膜及びそれを
用いた半導体装置を採用した。
に、本発明は次の様な半導体装置用ハンダ膜及びそれを
用いた半導体装置を採用した。
【０００８】すなわち、請求項１記載の半導体装置用ハ
ンダ膜としては、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜
の厚みを０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出する
α線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ
膜の厚みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及
び前記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなることを特徴と
している。
ンダ膜としては、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜
の厚みを０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出する
α線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ
膜の厚みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及
び前記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなることを特徴と
している。
【０００９】また、請求項２記載の半導体装置として
は、パッケージと該パッケージ内の半導体素子を覆う蓋
との間に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚み
を０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放
出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚
みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記
厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記パッ
ケージと前記蓋とを接合してなることを特徴としてい
る。
は、パッケージと該パッケージ内の半導体素子を覆う蓋
との間に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚み
を０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放
出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚
みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記
厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記パッ
ケージと前記蓋とを接合してなることを特徴としてい
る。
【００１０】また、請求項３記載の半導体装置として
は、半導体素子とパッケージのリードフレームとの間
に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚みを０．
１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放出量が
Ａ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚みＴが
４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記厚みＴ
から次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記半導
体素子とパッケージのリードフレームとを接合してなる
ことを特徴としている。
は、半導体素子とパッケージのリードフレームとの間
に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚みを０．
１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放出量が
Ａ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚みＴが
４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記厚みＴ
から次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記半導
体素子とパッケージのリードフレームとを接合してなる
ことを特徴としている。
【００１１】ここで、α線放出量Ｒを、０．０５ｃｐｈ
／ｃｍ2以下と限定した理由は、α線放出量Ｒが０．０
５ｃｐｈ／ｃｍ2を越えると、半導体装置の誤動作の発
生回数が急激に増加するからである。
／ｃｍ2以下と限定した理由は、α線放出量Ｒが０．０
５ｃｐｈ／ｃｍ2を越えると、半導体装置の誤動作の発
生回数が急激に増加するからである。
【００１２】
【作用】請求項１記載の半導体装置用ハンダ膜では、ハ
ンダ膜の厚みＴを４０μｍ以下とし、前記α線放出量Ａ
及び前記厚みＴから求められるα線放出量Ｒが０．０５
ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様に厚みＴを決定することに
より、前記ハンダ膜のα線放出量を低減する。
ンダ膜の厚みＴを４０μｍ以下とし、前記α線放出量Ａ
及び前記厚みＴから求められるα線放出量Ｒが０．０５
ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様に厚みＴを決定することに
より、前記ハンダ膜のα線放出量を低減する。
【００１３】また、請求項２記載の半導体装置では、ハ
ンダ膜の厚みＴを４０μｍ以下とし、前記α線放出量Ａ
及び前記厚みＴから求められるα線放出量Ｒが０．０５
ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様に厚みＴを決定したハンダ
膜を用いて前記パッケージと前記蓋とを接合することに
より、前記半導体装置のα線による誤動作を防止する。
ンダ膜の厚みＴを４０μｍ以下とし、前記α線放出量Ａ
及び前記厚みＴから求められるα線放出量Ｒが０．０５
ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様に厚みＴを決定したハンダ
膜を用いて前記パッケージと前記蓋とを接合することに
より、前記半導体装置のα線による誤動作を防止する。
【００１４】また、請求項３記載の半導体装置では、ハ
ンダ膜の厚みＴを４０μｍ以下とし、前記α線放出量Ａ
及び前記厚みＴから求められるα線放出量Ｒが０．０５
ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様に厚みＴを決定したハンダ
膜を用いて前記半導体素子とパッケージのリードフレー
ムとを接合することにより、前記半導体装置のα線によ
る誤動作を防止する。
ンダ膜の厚みＴを４０μｍ以下とし、前記α線放出量Ａ
及び前記厚みＴから求められるα線放出量Ｒが０．０５
ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様に厚みＴを決定したハンダ
膜を用いて前記半導体素子とパッケージのリードフレー
ムとを接合することにより、前記半導体装置のα線によ
る誤動作を防止する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１６】まず、本発明の一実施例である半導体装置
用ハンダ膜（以下、単にハンダ膜と略称する）について
説明する。
用ハンダ膜（以下、単にハンダ膜と略称する）について
説明する。
【００１７】このハンダ膜は、表１に示す様に、組成が
Ｐｂ−１０重量％ＳｎまたはＰｂ−５重量％Ｓｎの高融
点ハンダである。
Ｐｂ−１０重量％ＳｎまたはＰｂ−５重量％Ｓｎの高融
点ハンダである。
【００１８】次に、このハンダ膜の厚みＴを決定する方
法について説明する。
法について説明する。
【００１９】まず、ハンダ膜の厚みＴと該ハンダ膜が放
出するα線放出量Ｒの関係について説明する。
出するα線放出量Ｒの関係について説明する。
【００２０】Ｐｂを主成分とするハンダ膜の厚みＴと該
ハンダ膜が放出するα線放出量との間には、次の様な関
係が成り立つ。 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 ……（１） ただし、Ａ：前記ハンダ膜の厚みを０．１ｍｍとしたと
きの該ハンダ膜が放出するα線放出量（ｃｐｈ／ｃ
ｍ2）、 Ｒ：厚みＴμｍのハンダ膜が放出するα線放出量（ｃｐ
ｈ／ｃｍ2）である。
ハンダ膜が放出するα線放出量との間には、次の様な関
係が成り立つ。 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 ……（１） ただし、Ａ：前記ハンダ膜の厚みを０．１ｍｍとしたと
きの該ハンダ膜が放出するα線放出量（ｃｐｈ／ｃ
ｍ2）、 Ｒ：厚みＴμｍのハンダ膜が放出するα線放出量（ｃｐ
ｈ／ｃｍ2）である。
【００２１】α線放出量を測定する手段としては、ガス
を絶えず流しながら使用するガスフロー型比例計数管
（Ｆ−ＰＣ）、ガスのイオン化を利用したシンチレーシ
ョン計数管（ＳＣ）、半導体表面障壁層を用いた半導体
検出器（ＳＳＤ）のいずれかが好適にもちいられる。
を絶えず流しながら使用するガスフロー型比例計数管
（Ｆ−ＰＣ）、ガスのイオン化を利用したシンチレーシ
ョン計数管（ＳＣ）、半導体表面障壁層を用いた半導体
検出器（ＳＳＤ）のいずれかが好適にもちいられる。
【００２２】また、（１）式が成り立つのはハンダ膜の
厚みＴが４０μｍ以下の場合である。
厚みＴが４０μｍ以下の場合である。
【００２３】ここで、Ａは定数とみなしてよいから、Ｒ
を所望の値とすれば、（１）式よりＲを満足するハンダ
膜の厚みＴが求められる。
を所望の値とすれば、（１）式よりＲを満足するハンダ
膜の厚みＴが求められる。
【００２４】図１は、Ｔを４０μｍ以下の範囲として
（１）式をグラフ化したものである。図中、実線は蒸着
膜の場合、破線は厚み０．４５ｍｍのバルクの場合を示
している。このグラフより、α線放出量Ｒ（本願では
０．０５ｃｐｈ／ｃｍ2以下）が決まれば、このＲを満
足するハンダ膜の厚みＴ（本願では３μｍ以下）が容易
に求められる。
（１）式をグラフ化したものである。図中、実線は蒸着
膜の場合、破線は厚み０．４５ｍｍのバルクの場合を示
している。このグラフより、α線放出量Ｒ（本願では
０．０５ｃｐｈ／ｃｍ2以下）が決まれば、このＲを満
足するハンダ膜の厚みＴ（本願では３μｍ以下）が容易
に求められる。
【００２５】次に、前記ハンダ膜を用いた半導体装置に
ついて図２及び図３を参照しながら説明する。
ついて図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２６】半導体装置１１は、例えば４ＭＤＲＡＭや
１６ＭＤＲＡＭ等からなるものである。この半導体装置
１１は、ハンダ膜１２によりセラミック製のパッケージ
２に４２アロイ板からなる蓋３がハンダ付けされ、この
パッケージ２内にはハンダ膜１３によりＳｉチップ（半
導体素子）４がハンダ付けされている。
１６ＭＤＲＡＭ等からなるものである。この半導体装置
１１は、ハンダ膜１２によりセラミック製のパッケージ
２に４２アロイ板からなる蓋３がハンダ付けされ、この
パッケージ２内にはハンダ膜１３によりＳｉチップ（半
導体素子）４がハンダ付けされている。
【００２７】ハンダ膜１２（１３）は、組成がＰｂ−１
０重量％ＳｎまたはＰｂ−５重量％Ｓｎとなる様に真空
蒸着により形成された薄膜である。
０重量％ＳｎまたはＰｂ−５重量％Ｓｎとなる様に真空
蒸着により形成された薄膜である。
【００２８】このハンダ膜１２を用いてパッケージ２と
蓋３をハンダ付けするには、まず、材質が４２アロイ板
からなる３０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍの大きさの蓋
３の表面にＮｉメッキする。次に、当該蓋３の片面の所
定箇所に真空蒸着によりハンダ膜１２を形成する。次
に、当該蓋３をパッケージ２の所定箇所に載置し、これ
らを例えばＮ2ガス雰囲気のコンベア炉等を用いて加熱
し、ハンダ膜１２を溶融させてハンダ付けする。また、
パッケージ２とＳｉチップ４のハンダ付けも同様にして
行われる。
蓋３をハンダ付けするには、まず、材質が４２アロイ板
からなる３０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍの大きさの蓋
３の表面にＮｉメッキする。次に、当該蓋３の片面の所
定箇所に真空蒸着によりハンダ膜１２を形成する。次
に、当該蓋３をパッケージ２の所定箇所に載置し、これ
らを例えばＮ2ガス雰囲気のコンベア炉等を用いて加熱
し、ハンダ膜１２を溶融させてハンダ付けする。また、
パッケージ２とＳｉチップ４のハンダ付けも同様にして
行われる。
【００２９】表１は、上記のハンダ膜１２（実施例）と
従来のハンダ箔５（比較例）の各特性をそれぞれ比較し
たものである。ただし、表中におけるソフトエラーの発
生数は、１サンプルにつき５００個試料を用意し、これ
らの試料を３０００時間連続動作させた時に発生するソ
フトエラーを計測した。
従来のハンダ箔５（比較例）の各特性をそれぞれ比較し
たものである。ただし、表中におけるソフトエラーの発
生数は、１サンプルにつき５００個試料を用意し、これ
らの試料を３０００時間連続動作させた時に発生するソ
フトエラーを計測した。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から明らかな様に、実施例のハンダ膜
１２では、ハンダ膜１２が放出するα線放出量Ｒを比較
例と比べて大幅に減少させることができ、したがって、
この試験結果の範囲ではあるがソフトエラーの発生が全
くなくなっていることがわかる。
１２では、ハンダ膜１２が放出するα線放出量Ｒを比較
例と比べて大幅に減少させることができ、したがって、
この試験結果の範囲ではあるがソフトエラーの発生が全
くなくなっていることがわかる。
【００３２】また、ハンダ膜１３についてもハンダ膜１
２と全く同様の効果を得ることができる。
２と全く同様の効果を得ることができる。
【００３３】以上説明した様に、上記実施例のハンダ膜
１２（１３）によれば、ハンダ膜１２（１３）の厚みＴ
を４０μｍ以下とし、このハンダ膜１２（１３）のα線
放出量Ｒが０．０５ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様にこの
ハンダ膜１２（１３）の厚みＴを決定することとしたの
で、ハンダ膜１２（１３）のα線放出量Ｒを低減するこ
とができる。
１２（１３）によれば、ハンダ膜１２（１３）の厚みＴ
を４０μｍ以下とし、このハンダ膜１２（１３）のα線
放出量Ｒが０．０５ｃｐｈ／ｃｍ2以下となる様にこの
ハンダ膜１２（１３）の厚みＴを決定することとしたの
で、ハンダ膜１２（１３）のα線放出量Ｒを低減するこ
とができる。
【００３４】また、上記実施例のハンダ膜１２（１３）
を用いた半導体装置１１によれば、ハンダ膜１２を用い
てパッケージ２と蓋３をハンダ付けし、ハンダ膜１３を
用いてパッケージ２とＳｉチップ４をハンダ付けするこ
ととしたので、ハンダ膜１２（１３）から放出されるα
線放出量Ｒが減少し、したがって、この半導体装置１１
のソフトエラーの発生を大幅に減少させることができ
る。
を用いた半導体装置１１によれば、ハンダ膜１２を用い
てパッケージ２と蓋３をハンダ付けし、ハンダ膜１３を
用いてパッケージ２とＳｉチップ４をハンダ付けするこ
ととしたので、ハンダ膜１２（１３）から放出されるα
線放出量Ｒが減少し、したがって、この半導体装置１１
のソフトエラーの発生を大幅に減少させることができ
る。
【００３５】以上により、ハンダ膜に含まれる放射性同
位元素から放射されるα線放出量を低減することができ
る半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置を
提供することができる。
位元素から放射されるα線放出量を低減することができ
る半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置を
提供することができる。
【００３６】なお、本実施例のハンダ膜は、上記実施例
の組成に限定されることなく様々な組成を採ることが可
能である。
の組成に限定されることなく様々な組成を採ることが可
能である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の半導体装置用ハンダ膜によれば、Ｐｂ及びＳｎを
主成分とするハンダ膜の厚みを０．１ｍｍとしたときの
該ハンダ膜が放出するα線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃ
ｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚みＴが４０μｍ以下で
あり、前記α線放出量Ａ及び前記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなることとしたの
で、前記ハンダ膜のα線放出量Ｒを低減することができ
る。
記載の半導体装置用ハンダ膜によれば、Ｐｂ及びＳｎを
主成分とするハンダ膜の厚みを０．１ｍｍとしたときの
該ハンダ膜が放出するα線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃ
ｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚みＴが４０μｍ以下で
あり、前記α線放出量Ａ及び前記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなることとしたの
で、前記ハンダ膜のα線放出量Ｒを低減することができ
る。
【００３８】また、請求項２記載の半導体装置によれ
ば、パッケージと該パッケージ内の半導体素子を覆う蓋
との間に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚み
を０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放
出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚
みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記
厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記パッ
ケージと前記蓋とを接合してなることとしたので、半導
体装置のソフトエラーの発生を大幅に減少させることが
できる。
ば、パッケージと該パッケージ内の半導体素子を覆う蓋
との間に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚み
を０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放
出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚
みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記
厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記パッ
ケージと前記蓋とを接合してなることとしたので、半導
体装置のソフトエラーの発生を大幅に減少させることが
できる。
【００３９】また、請求項３記載の半導体装置によれ
ば、半導体素子とパッケージのリードフレームとの間
に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚みを０．
１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放出量が
Ａ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚みＴが
４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記厚みＴ
から次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記半導
体素子とパッケージのリードフレームとを接合してなる
こととしたので、半導体装置のソフトエラーの発生を大
幅に減少させることができる。
ば、半導体素子とパッケージのリードフレームとの間
に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚みを０．
１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線放出量が
Ａ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の厚みＴが
４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前記厚みＴ
から次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記半導
体素子とパッケージのリードフレームとを接合してなる
こととしたので、半導体装置のソフトエラーの発生を大
幅に減少させることができる。
【００４０】以上により、ハンダ膜に含まれる放射性同
位元素から放射されるα線放出量を低減することができ
る半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置を
提供することができる。
位元素から放射されるα線放出量を低減することができ
る半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置を
提供することができる。
【図１】本発明のハンダ膜のα線放出量Ｒとハンダ膜の
厚みＴとの関係を示すグラフである。
厚みＴとの関係を示すグラフである。
【図２】本発明のハンダ膜を用いた半導体装置を示す一
部を破断した全体斜視図である。
部を破断した全体斜視図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】従来のハンダ箔を用いた半導体装置を示す一部
を破断した全体斜視図である。
を破断した全体斜視図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
１１ 半導体装置 ２ パッケージ ３ 蓋 ４ Ｓｉチップ １２，１３ ハンダ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の
厚みを０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα
線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜
の厚みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び
前記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなることを特徴と
する半導体装置用ハンダ膜。 - 【請求項２】 パッケージと該パッケージ内の半導体素
子を覆う蓋との間に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハン
ダ膜の厚みを０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出
するα線放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハ
ンダ膜の厚みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量
Ａ及び前記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記パッ
ケージと前記蓋とを接合してなることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３】 半導体素子とパッケージのリードフレー
ムとの間に、Ｐｂ及びＳｎを主成分とするハンダ膜の厚
みを０．１ｍｍとしたときの該ハンダ膜が放出するα線
放出量がＡ（ｃｐｈ／ｃｍ2）であり、前記ハンダ膜の
厚みＴが４０μｍ以下であり、前記α線放出量Ａ及び前
記厚みＴから次式 Ｒ＝０．３×Ａ×Ｔ1/3 により求められるα線放出量Ｒが、０．０５ｃｐｈ／ｃ
ｍ2以下である様に厚みＴを決定してなるハンダ膜を介
装し、該ハンダ膜を加熱溶融することにより、前記半導
体素子とパッケージのリードフレームとを接合してなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13929091A JPH0590307A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13929091A JPH0590307A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590307A true JPH0590307A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=15241843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13929091A Pending JPH0590307A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 半導体装置用ハンダ膜及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590307A (ja) |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP13929091A patent/JPH0590307A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990629 |