JPS6159760A - 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 - Google Patents

半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線

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JPS6159760A
JPS6159760A JP59181555A JP18155584A JPS6159760A JP S6159760 A JPS6159760 A JP S6159760A JP 59181555 A JP59181555 A JP 59181555A JP 18155584 A JP18155584 A JP 18155584A JP S6159760 A JPS6159760 A JP S6159760A
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alloy
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semiconductor device
ultra fine
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Naoyuki Hosoda
細田　直之
Masayuki Tanaka
正幸 田中
Naoki Uchiyama
直樹 内山
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Mitsubishi Metal Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、通常のＩＣは勿論のこと、大規模メモリー
素子である２５６ＫＤＲＡＭや１メガピットＤＲＡＭ１
さらにこれ以上の容＆の超ＬＳＩなどの高集ｍａの半導
体装置の７ツセンブ？−に際して結線（ボンディングワ
イヤー）として用いるのに適したＡｌ合金極細線に関す
るものである。
（従来の技術〕 一般に、半導体装置の一つとして、第１図に概略縦断面
図で示されるＩＣセラミックパッケージが矩られている
。このＩＣセラミックパッケージは、主として所定のキ
ャビティをもったセラミックのケース１と、このケース
のキャピテイ底部にろう付けられたＳｉなどのチップ２
と、一端がケース１に、他端がチップ２に接合きれた結
１ａ３と、セラミックの到着板４と、ケース１にろう付
けされたリード材、５からなり、前記結線３としてはＡ
ｕやＡｌ１およびその合金などの極ＩＩＩＩＱが用いら
れ、特に信頼性を必要とする場合には、チップ側のＡ！
電極との整合、性からＡｌ合金極細線が用いられ、中で
もＳｉ　　：　　０．５〜２％およびＭｇ：０．１〜２
％のうちの１種または２種（ただし５ｉ＋Ｍａ：２％以
下）を含有し、残りがＡｌと不可避不純物からなる組成
（以上重量％、以下％は重ｉ％を示す）を有するＡｌ合
金の極ｍ線が多用されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、近年、半導体装置においては、上記のようにａ
！１８１度化の傾向にあり、これに伴い、結線が原因で
メモリーにソフトエラーが発生する場合がしばしば生ず
るものであった。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、メモリ
ーにソフトエラーを生じさせない結線を得べく、特に高
集積度の半導体装置においては、メモリーのセルに蓄え
られる信号キャリアが小さく、したがってこれに放射性
α粒子が侵入すると、このα粒子侵入時点に発生するキ
ャリアが信号を上廻りてしまい、この結果メモリーにソ
フトエラーが発生するようになるものであるとの認識の
もとに研究を行なった結果、上記の従来Ａｌ合金極細線
には不可避不純物としてＵおよびＴｈを含有し、その含
有量は通常それぞれ約２０〜３００　Ｅ）Ｄｂであるが
、これらの成分の含有量をそれぞれ１０１）Ｉ）ｂ未満
に低減した状態で・、結線として半導体装置に組込むと
、放射性α粒子数の発生が著しく低減するようになり、
この結果これが原因のソフトエラーの発生が皆無となる
という知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、Ｓｉ　　：　　０．５〜２％およびＭＣＩ　：　　
０．１〜２％のうちの１種または２種（ただしＳｉ十Ｍ
ａ：２％以下）を含有し、残りがＡｌと不可避不純物か
らなる組成を有するＡｌ合金の極細線において、不可避
不純物としてのＵおよびＴｈの含有量を、それぞれ１０
ｐｐｂ未満とすることによって、半導体装置の結線とし
て用いた場合に、放射性α粒子の発生を抑制し、もって
メモリーに結線が原因のソフトエラーが発生するのを防
止した点に特徴を有するものである。
なお、この発明のＡｌ合金極ｍ線において、合金成分と
して含有するＳｌおよびＭｇ成分には、線引性およびボ
ンディング性を向上させる作用があるが、その含有ｑが
それぞれＳｉ　　：　　０．５％−未満およびＭｇ：　
　０．１％未満ぞは前記作用に所望の効果が得られず、
一方、その含有σがそれぞれ単独でも、また含量でも２
％を越えると、加工性が劣化するようになるばかりでな
く、硬化が著しくなり、結線時にチップ上の電極部を損
傷する場合がしばしば生ずるようになることから、その
含有量を、Ｓｉ　　：　　０．５〜２％、　Ｍｇ：　　
０．１〜２％、含量の場合でも２％以下と定めたのであ
る。
また、上記のように、この発明のＡｌ合金極細線におい
ては、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの含有量をそ
れぞれ１０ｐｐｂ未満にする必要があるのであって、こ
れはＵおよびＴｈの含有量が１０１）Ｉ）ｂ以上になる
と、ＩＣは勿論のこと、高集積度の半導体装置の結線と
して用いた場合に、メモリーに結線が原因のソフトエラ
ーが発生するようになるからである。
さらに、この発明のへ１合金極ｍａは、不可避不純物と
してのＵおよびＴｈをそれぞれ約２０〜３００　Ｄｐｂ
含有する純度：９９．９９％以上の高純度Ａｌを用い、
これに例えば帯溶融精製を１回もしくは２回以上繰り返
し施して、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの含有量
をそれぞれ１０ｐｐｂ未満とし、ついでこの結果の高Ｉ
ＩＩ度Ａｌを溶融し、これに所定量のＳｉおよびＭｇを
合金成分として添加含有せしめた後、鋳造し、以後、通
常の条件での熱間および冷間線引加工によって極ｍ線と
することによって製造されるものである。
〔□実施例〕
つぎに、この発明のＡｌ合金極細線を実施例により具体
的に説明する。
ＵおよびＴｈの含有量が、それぞれｔＪ：２１０ｐｐｂ
およびＴｈ：９０ｐｐｂの純度：　９９．９９９％の高
純度Ａｌを用い、これに１回または２回収−ヒの帯溶融
精製を施して、ＵおよびＴｈの含有はが異った複数種の
高純度Ａｌをｌ！Ｉ製し、この結果の高純度Ａｌを真空
溶解法にて溶解し、これに所定量のＳｉおよびＭＣＩを
合金成分として添加含有せしめることによって、それぞ
れ第１表に示される成分組成をもったＡｌ合金溶湯を調
製し、鋳造した後、通常の熱間および冷間線引加工条件
にて直径：　・３０μ瓦φの本発明Ａｌ合金極Ｉ１１線
１〜９および比較Ａｌ合金極細線１〜３をそれぞれ製造
した。
ついで、この結果得られた本発明Ａｌ合金極細ＦＡｌ〜
９および比較へ１合金極細線１〜３の破断荷重および伸
びを測定すると共に、これらの極絹線を２５６ＫＤＲＡ
Ｍの結線として用い、実機に組込み、２０００時間の試
験を行ない、この間におけるソフトエラーの有無をＩＩ
Ｊ察した。なお、前記の２５６ＫＤＲＡＭにおいては、
結線以外の部材からのα粒子の発生を皆無とするために
、これらの部材の製造には、α≦０．９２０ＰＨ／ｌｉ
以下のきわめて低レベルのα放射能を有する材料を用い
た。
（発明の効果） 第１表に示される結果から、いずれのＡｌ合金極細線も
半導体装置に直径：３０μ瓦φの結線として用いる場合
に要求される１０〜３０ａｒの破断荷重および０，５〜
４％の伸びを具備するものの、不可避不純物としてのＵ
およびＴｈの含有岱がそれぞれ２０　Ｄｏｂ以上の比較
Ａｌ合金極細線１〜３においては、いずれもソフトエラ
ーが発生しているのに対して、これらの不可避不純物の
含有量がそれぞれ１０ｐｐｂ未渦の本発明Ａｌ合金極Ｉ
Ｉ！ｉ１１〜９においては、いずれもソフトエラーの発
生がなく、したがってＩＣは勿論のこと、８集積度の半
導体装置の結線として用いるのに適した特性を有し、高
い信頼性が得られるものであることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体装置の１例としてのセラミックパッケー
ジを示す概略縦断面図である。 １・・・ケース、　２・・・チップ、　　３・・・結線
。 ４・・・封着板、　５・・・リード材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　Ｓｉ：０．５〜２％およびＭｇ：０．１〜２％のうち
    の１種または２種（ただしＳｉ＋Ｍｇ：２％以下）を含
    有し、残りがＡｌと不可避不純物からなる組成（以上重
    量％）を有するＡｌ合金の極細線において、放射性α粒
    子数の発生を低減してメモリーのソフトエラーの発生を
    防止するために、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの
    含有量を、それぞれ１０ｐｐｂ未満としたことを特徴と
    する半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線。
JP59181555A 1984-08-30 1984-08-30 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 Pending JPS6159760A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0432526A (ja) * 1990-05-28 1992-02-04 Showa Alum Corp 電子材料用アルミニウム材の製造方法
US5555583A (en) * 1995-02-10 1996-09-17 General Electric Company Dynamic temperature compensation method for a turbidity sensor used in an appliance for washing articles
US6536243B2 (en) * 1999-12-07 2003-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Drum type washing machine with turbidity sensor
US6757946B2 (en) 2000-03-17 2004-07-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wire bonding method
EP2530710A3 (en) * 2011-06-03 2013-10-16 Nippon Piston Ring Co., Ltd. Bonding wire, connection structure, semiconductor device and manufacturing method of same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0432526A (ja) * 1990-05-28 1992-02-04 Showa Alum Corp 電子材料用アルミニウム材の製造方法
US5555583A (en) * 1995-02-10 1996-09-17 General Electric Company Dynamic temperature compensation method for a turbidity sensor used in an appliance for washing articles
US6536243B2 (en) * 1999-12-07 2003-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Drum type washing machine with turbidity sensor
US6757946B2 (en) 2000-03-17 2004-07-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wire bonding method
EP2530710A3 (en) * 2011-06-03 2013-10-16 Nippon Piston Ring Co., Ltd. Bonding wire, connection structure, semiconductor device and manufacturing method of same

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