JPH07300668A - 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット - Google Patents
鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲットInfo
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- JPH07300668A JPH07300668A JP9340794A JP9340794A JPH07300668A JP H07300668 A JPH07300668 A JP H07300668A JP 9340794 A JP9340794 A JP 9340794A JP 9340794 A JP9340794 A JP 9340794A JP H07300668 A JPH07300668 A JP H07300668A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 α線ソフトエラーの発生が極めて少なく、特
にＶＬＩＳ、ＵＬＩＳの配線材料に適したスパッタリン
グターゲット。 【構成】 アルミニウム、銅およびそれらの合金中の鉛
の含有量を５０ｐｐｂ以下に低減させたスパッタリング
ターゲット。
にＶＬＩＳ、ＵＬＩＳの配線材料に適したスパッタリン
グターゲット。 【構成】 アルミニウム、銅およびそれらの合金中の鉛
の含有量を５０ｐｐｂ以下に低減させたスパッタリング
ターゲット。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は鉛の含有量を低減したス
パッタリングターゲットに関し、更に詳しくは、ＶＬＳ
Ｉ、ＵＬＳＩ等の半導体素子を構成する配線材料として
有用なスパッタリングターゲットに関する。
パッタリングターゲットに関し、更に詳しくは、ＶＬＳ
Ｉ、ＵＬＳＩ等の半導体素子を構成する配線材料として
有用なスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体素子を構
成する配線を形成する方法として、配線材料であるアル
ミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）およびそれらの合金から
成るターゲットにアルゴン等のイオンを入射してターゲ
ット材をスパッタし、これをシリコンウエハ等の基板に
堆積させるスパッタリング法が一般的に行われている。
成する配線を形成する方法として、配線材料であるアル
ミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）およびそれらの合金から
成るターゲットにアルゴン等のイオンを入射してターゲ
ット材をスパッタし、これをシリコンウエハ等の基板に
堆積させるスパッタリング法が一般的に行われている。
【０００３】一方、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの性能を大きく
左右する因子の一つとして、ウラン（Ｕ）、トリウム
（Ｔｈ）等の放射性元素の崩壊により放出されるα線に
よるソフトエラーの問題があり、スパッタリング法で形
成される薄膜の純度がターゲット材の純度によって大き
く左右されるところから、ターゲット用の配線材料はウ
ラン（Ｕ）、トリウム（Ｔｈ）が含まないように精製さ
れている。
左右する因子の一つとして、ウラン（Ｕ）、トリウム
（Ｔｈ）等の放射性元素の崩壊により放出されるα線に
よるソフトエラーの問題があり、スパッタリング法で形
成される薄膜の純度がターゲット材の純度によって大き
く左右されるところから、ターゲット用の配線材料はウ
ラン（Ｕ）、トリウム（Ｔｈ）が含まないように精製さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの
配線材料であるアルミニウム（Ａｌ）は大気中、または
アルゴン雰囲気中の溶解で精製されるが、５Ｎ(99.999
%) 級のＡｌ中にも約０．５ｐｐｍ程度の鉛（Ｐｂ）が
不純物として存在する。この鉛（Ｐｂ）にはα放射体を
含む放射性同位元素があり、これが放射線核種となって
α線ソフトエラーを引き起こすことが分かった。このこ
とは銅（Ｃｕ）においても同様である。
配線材料であるアルミニウム（Ａｌ）は大気中、または
アルゴン雰囲気中の溶解で精製されるが、５Ｎ(99.999
%) 級のＡｌ中にも約０．５ｐｐｍ程度の鉛（Ｐｂ）が
不純物として存在する。この鉛（Ｐｂ）にはα放射体を
含む放射性同位元素があり、これが放射線核種となって
α線ソフトエラーを引き起こすことが分かった。このこ
とは銅（Ｃｕ）においても同様である。
【０００５】本発明はかかる問題点を解消し、α線ソフ
トエラーの起因となるα放射性同位元素を含む鉛の含有
量を低減したスパッタリングターゲットを提供すること
を目的とする。
トエラーの起因となるα放射性同位元素を含む鉛の含有
量を低減したスパッタリングターゲットを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記目的を
達成すべく鋭意検討した結果、鉛（Ｐｂ）の放射性同位
元素のなかで注目すべき同位元素は 210Ｐｂであること
が判明した。そこで 210Ｐｂの放射性崩壊を順をおって
図示すれば、図１のようになる。図１に示すように崩壊
系列のなかで 210Ｐｏからのα線が問題となることに着
目した。
達成すべく鋭意検討した結果、鉛（Ｐｂ）の放射性同位
元素のなかで注目すべき同位元素は 210Ｐｂであること
が判明した。そこで 210Ｐｂの放射性崩壊を順をおって
図示すれば、図１のようになる。図１に示すように崩壊
系列のなかで 210Ｐｏからのα線が問題となることに着
目した。
【０００７】図１から明らかなように 210Ｐｂの半減期
が２２年と、他の放射性核種の半減期より長いことか
ら、この崩壊系列は実際上は半減期２２年で準放射平衡
に達している。
が２２年と、他の放射性核種の半減期より長いことか
ら、この崩壊系列は実際上は半減期２２年で準放射平衡
に達している。
【０００８】そこで鉛中の 210Ｐｂの含有量をα線計測
法で実測を行った結果、１９８０ｄｐｈ／ｇ（ｄｐｈ＝
disintegration per hour 、１時間当たりの崩壊数）で
あり、このことから鉛中には 210Ｐｂが１．９２×１０
-1ｐｐｔ含まれていることになり、また、この 210Ｐｂ
はエネルギー５．３ＭｅＶのα線を有している。
法で実測を行った結果、１９８０ｄｐｈ／ｇ（ｄｐｈ＝
disintegration per hour 、１時間当たりの崩壊数）で
あり、このことから鉛中には 210Ｐｂが１．９２×１０
-1ｐｐｔ含まれていることになり、また、この 210Ｐｂ
はエネルギー５．３ＭｅＶのα線を有している。
【０００９】エネルギー５．３ＭｅＶのα線が基板のＳ
ｉ中に入射されると約１．５×１０ 6 個の電子対が形成
される。このことは４Ｍｂｉｔ（４メガビット）以上の
ＤＲＡＭに対して約３個分以上のソフトエラーを発生さ
せるに十分な電荷量となる。
ｉ中に入射されると約１．５×１０ 6 個の電子対が形成
される。このことは４Ｍｂｉｔ（４メガビット）以上の
ＤＲＡＭに対して約３個分以上のソフトエラーを発生さ
せるに十分な電荷量となる。
【００１０】そこで、４Ｍｂｉｔ以上のＤＲＡＭに対し
てのα線束とソフトエラー発生率との関係を調べ、その
結果を図２に示す。
てのα線束とソフトエラー発生率との関係を調べ、その
結果を図２に示す。
【００１１】また、配線材料中の鉛の含有量からα線束
を計算し、鉛の含有量とα線ソフトエラー発生率との関
係を調べ、その結果を図３に示す。
を計算し、鉛の含有量とα線ソフトエラー発生率との関
係を調べ、その結果を図３に示す。
【００１２】α線ソフトエラー発生率は少ない程よい
が、基準として０．１％／１０００時間、ほぼ１年間に
１％以下とすると、図３からこの基準値以下にするには
鉛の含有量を５０ｐｐｂ以下にする必要があることが分
かった。
が、基準として０．１％／１０００時間、ほぼ１年間に
１％以下とすると、図３からこの基準値以下にするには
鉛の含有量を５０ｐｐｂ以下にする必要があることが分
かった。
【００１３】本発明のスパッタリングターゲットはかか
る検討の結果なされたものであり、そして、本発明では
アルミニウム、銅またはこれらの合金を真空中でゾーン
メルトで溶解、精製、或いは高真空中で溶解、精製する
ことにより鉛含有量を５０ｐｐｂ以下に低減したスパッ
タリングターゲットを提供することにある。
る検討の結果なされたものであり、そして、本発明では
アルミニウム、銅またはこれらの合金を真空中でゾーン
メルトで溶解、精製、或いは高真空中で溶解、精製する
ことにより鉛含有量を５０ｐｐｂ以下に低減したスパッ
タリングターゲットを提供することにある。
【００１４】本発明の鉛の含有量を低減したスパッタリ
ングターゲットは、アルミニウム、銅およびそれらの合
金中の鉛の含有量を５０ｐｐｂ以下に低減させて成るこ
とを特徴とする。
ングターゲットは、アルミニウム、銅およびそれらの合
金中の鉛の含有量を５０ｐｐｂ以下に低減させて成るこ
とを特徴とする。
【００１５】前記スパッタリングターゲットはＶＬＳ
Ｉ、ＵＬＳＩの配線材料としてもよい。
Ｉ、ＵＬＳＩの配線材料としてもよい。
【００１６】
【作用】本発明のスパッタリングターゲットは鉛の含有
量が５０ｐｐｂ以下であるので、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの
配線の薄膜となるＡｌ、Ｃｕおよびそれらの合金中には
α線ソフトエラーの発生の起因となるα放射性同位元素
を含む鉛量が極めて少ない。
量が５０ｐｐｂ以下であるので、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの
配線の薄膜となるＡｌ、Ｃｕおよびそれらの合金中には
α線ソフトエラーの発生の起因となるα放射性同位元素
を含む鉛量が極めて少ない。
【００１７】従って、本発明のスパッタリングターゲッ
トを用いて成膜されたＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの配線の薄膜
はα線ソフトエラーの発生が極めて少ない。
トを用いて成膜されたＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの配線の薄膜
はα線ソフトエラーの発生が極めて少ない。
【００１８】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例を説明する。
【００１９】実施例１ 通常の精練法で作製された直径５０ｍｍ×長さ１ｍのア
ルミニウム（Ａｌ）製棒を、１０-3Ｐａの真空中で、７
５０℃の温度で幅約５０ｍｍの溶融帯を作成し、この溶
融帯を棒の一端から他端へ移動させる所謂ゾーンメルト
法により精製した。尚、溶融帯の移動速度は１０〜３０
ｍｍ／ｍｉｎとした。
ルミニウム（Ａｌ）製棒を、１０-3Ｐａの真空中で、７
５０℃の温度で幅約５０ｍｍの溶融帯を作成し、この溶
融帯を棒の一端から他端へ移動させる所謂ゾーンメルト
法により精製した。尚、溶融帯の移動速度は１０〜３０
ｍｍ／ｍｉｎとした。
【００２０】精製前後のアルミニウム（Ａｌ）中の鉛
（Ｐｂ）の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通り
であった。
（Ｐｂ）の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通り
であった。
【００２１】 ゾーンメルト精製前 ゾーンメルト精製後 試料１−１ ８００ ９ 試料１−２ １００ ＜２ このようにゾーンメルト法により精製されたアルミニウ
ム中の鉛含有量は低減していることが分かる。
ム中の鉛含有量は低減していることが分かる。
【００２２】従って、本実施例のアルミニウムはＶＬＳ
Ｉ、ＵＬＳＩの配線材料であるスパッタリングターゲッ
トとして用いた場合に、鉛含有量が極めて少ないため、
配線中にα線ソフトエラーの発生の起因となるα放射線
核種が極めて少ないことになる。
Ｉ、ＵＬＳＩの配線材料であるスパッタリングターゲッ
トとして用いた場合に、鉛含有量が極めて少ないため、
配線中にα線ソフトエラーの発生の起因となるα放射線
核種が極めて少ないことになる。
【００２３】実施例２ 通常の精練法で作製された直径２０ｍｍ×長さ５０ｍｍ
の銅（Ｃｕ）製棒を、１０-4Ｐａの真空中で、電子ビー
ムゾーンメルト法により精製した。尚、電子ビームガン
の移動速度は５ｍｍ／ｍｉｎとした。
の銅（Ｃｕ）製棒を、１０-4Ｐａの真空中で、電子ビー
ムゾーンメルト法により精製した。尚、電子ビームガン
の移動速度は５ｍｍ／ｍｉｎとした。
【００２４】精製前後の銅（Ｃｕ）中の鉛（Ｐｂ）の含
有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通りであった。
有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通りであった。
【００２５】 ゾーンメルト精製前 ゾーンメルト精製後 試料２−１ ３００ ＜１ 試料２−２ ５００ ２０ このように電子ビームゾーンメルト法により精製された
銅中の鉛含有量は低減していることが分かる。
銅中の鉛含有量は低減していることが分かる。
【００２６】従って、本実施例の銅はＶＬＳＩ、ＵＬＳ
Ｉの配線材料であるスパッタリングターゲットとして用
いた場合に、鉛含有量が極めて少ないため、配線中にα
線ソフトエラーの発生の起因となるα放射線核種が極め
て少ないことになる。
Ｉの配線材料であるスパッタリングターゲットとして用
いた場合に、鉛含有量が極めて少ないため、配線中にα
線ソフトエラーの発生の起因となるα放射線核種が極め
て少ないことになる。
【００２７】実施例３ 通常の精練法で作製された直径５０ｍｍ×長さ６００ｍ
ｍの銅・チタン合金（Ｃｕ−０．５at％Ｔｉ）製棒を、
１０-2Ｐａの真空中で、１２５０℃の温度で幅約５０ｍ
ｍの溶融帯を作成し、この溶融帯を棒の一端から他端へ
移動させる所謂ゾーンメルト法により精製した。尚、溶
融帯の移動速度は１〜６ｍｍ／ｍｉｎとした。
ｍの銅・チタン合金（Ｃｕ−０．５at％Ｔｉ）製棒を、
１０-2Ｐａの真空中で、１２５０℃の温度で幅約５０ｍ
ｍの溶融帯を作成し、この溶融帯を棒の一端から他端へ
移動させる所謂ゾーンメルト法により精製した。尚、溶
融帯の移動速度は１〜６ｍｍ／ｍｉｎとした。
【００２８】精製前後の銅・チタン合金中の鉛（Ｐｂ）
の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通りであっ
た。
の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通りであっ
た。
【００２９】 ゾーンメルト精製前 ゾーンメルト精製後 試料３−１ ２８０ ＜１ 試料３−２ ３５０ ＜１ このようにゾーンメルト法により精製された銅・チタン
合金中の鉛含有量は低減していることが分かる。
合金中の鉛含有量は低減していることが分かる。
【００３０】従って、本実施例の銅・チタン合金はＶＬ
ＳＩ、ＵＬＳＩの配線材料として用いた場合に、鉛含有
量が極めて少ないため、配線中にα線ソフトエラーの発
生の起因となるα放射線核種が極めて少ないことにな
る。
ＳＩ、ＵＬＳＩの配線材料として用いた場合に、鉛含有
量が極めて少ないため、配線中にα線ソフトエラーの発
生の起因となるα放射線核種が極めて少ないことにな
る。
【００３１】実施例４ 通常の精練法で作製された直径３０ｍｍ×長さ２００ｍ
ｍのアルミニウム・シリコン合金（Ａｌ−１at％Ｓｉ）
製棒を１０-2Ｐａの真空中で、電子ビームゾーンメルト
法により精製した。尚、電子ビームガンの移動速度は５
ｍｍ／ｍｉｎとした。
ｍのアルミニウム・シリコン合金（Ａｌ−１at％Ｓｉ）
製棒を１０-2Ｐａの真空中で、電子ビームゾーンメルト
法により精製した。尚、電子ビームガンの移動速度は５
ｍｍ／ｍｉｎとした。
【００３２】精製前後のアルミニウム・シリコン合金中
の鉛（Ｐｂ）の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の
通りであった。
の鉛（Ｐｂ）の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の
通りであった。
【００３３】 ゾーンメルト精製前 ゾーンメルト精製後 試料４−１ ５５０ ７ 試料４−２ ２００ ２ このように電子ビームゾーンメルト法により精製された
アルミニウム・シリコン合金中の鉛含有量は低減してい
ることが分かる。
アルミニウム・シリコン合金中の鉛含有量は低減してい
ることが分かる。
【００３４】従って、本実施例のアルミニウム・シリコ
ン合金はＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの配線材料であるスパッタ
リングターゲットとして用いた場合に、鉛含有量が極め
て少ないため、配線中にα線ソフトエラーの発生の起因
となるα放射線核種が極めて少ないことになる。
ン合金はＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの配線材料であるスパッタ
リングターゲットとして用いた場合に、鉛含有量が極め
て少ないため、配線中にα線ソフトエラーの発生の起因
となるα放射線核種が極めて少ないことになる。
【００３５】実施例５ １０-3Ｐａの真空中で直径４０ｍｍ×高さ５０ｍｍのＢ
Ｎるつぼにアルミニウム・シリコン合金を入れ、抵抗加
熱ヒーターで約７００℃に加熱溶解し、３０分程度保持
し、溶融精製した。
Ｎるつぼにアルミニウム・シリコン合金を入れ、抵抗加
熱ヒーターで約７００℃に加熱溶解し、３０分程度保持
し、溶融精製した。
【００３６】精製前後のアルミニウム・シリコン合金中
の鉛（Ｐｂ）の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の
通りであった。
の鉛（Ｐｂ）の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の
通りであった。
【００３７】 実施例６ １０-3Ｐａの真空中で直径４０ｍｍ×高さ５０ｍｍのＢ
Ｎるつぼに銅・チタン合金を入れ、抵抗加熱ヒーターで
約１４００℃に加熱溶融し、３０分〜１時間保持し、溶
融精製した。
Ｎるつぼに銅・チタン合金を入れ、抵抗加熱ヒーターで
約１４００℃に加熱溶融し、３０分〜１時間保持し、溶
融精製した。
【００３８】精製前後の銅・チタン合金中の鉛（Ｐｂ）
の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通りであっ
た。
の含有量（ｐｐｂ）を調べたところ、次の通りであっ
た。
【００３９】 前記実施例ではアルミニウム、銅、アルミニウム・シリ
コン合金、銅・チタン合金についてゾーンメルト法、或
いは高真空中で精製して、アルミニウム、銅およびそれ
らの合金中の鉛含有量を低減させたが、例えばアーク溶
融法、プラズマ溶融法によりアルミニウム、銅およびそ
れらの合金中の鉛量を低減させるようにしてもよい。
コン合金、銅・チタン合金についてゾーンメルト法、或
いは高真空中で精製して、アルミニウム、銅およびそれ
らの合金中の鉛含有量を低減させたが、例えばアーク溶
融法、プラズマ溶融法によりアルミニウム、銅およびそ
れらの合金中の鉛量を低減させるようにしてもよい。
【００４０】また、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩの配線形成用の
ターゲットとなるアルミニウム、銅およびそれらの合金
中には鉛（ 210Ｐｂ）以外のα放射線核種として 144Ｎ
ｄ、147Ｓｍ、 190Ｐｔが含有されていたが、精製され
たターゲット中にはＮｄ、Ｓｍ、Ｐｔの含有量がいずれ
も１０ｐｐｂ以下であり、実用上問題には到らなかっ
た。
ターゲットとなるアルミニウム、銅およびそれらの合金
中には鉛（ 210Ｐｂ）以外のα放射線核種として 144Ｎ
ｄ、147Ｓｍ、 190Ｐｔが含有されていたが、精製され
たターゲット中にはＮｄ、Ｓｍ、Ｐｔの含有量がいずれ
も１０ｐｐｂ以下であり、実用上問題には到らなかっ
た。
【００４１】
【発明の効果】このように本発明によるときは、アルミ
ニウム、銅およびそれらの合金中の鉛量は５０ｐｐｂ以
下のスパッタリングターゲットであるから、該スパッタ
リングターゲットを用いて成膜された薄膜の配線中には
ソフトエラーの起因となるα放射性同位元素を含む鉛量
が低減されることとなり、α線ソフトエラーの発生が極
めて少なくなって、ＶＬＩＳ、ＵＬＩＳの配線材料に適
したスパッタリングターゲットを提供出来る効果があ
る。
ニウム、銅およびそれらの合金中の鉛量は５０ｐｐｂ以
下のスパッタリングターゲットであるから、該スパッタ
リングターゲットを用いて成膜された薄膜の配線中には
ソフトエラーの起因となるα放射性同位元素を含む鉛量
が低減されることとなり、α線ソフトエラーの発生が極
めて少なくなって、ＶＬＩＳ、ＵＬＩＳの配線材料に適
したスパッタリングターゲットを提供出来る効果があ
る。
【図１】 210Ｐｂの崩壊系列図、
【図２】 α線束とソフトエラー発生率との関係を示す
特性線図、
特性線図、
【図３】 配線材料中の鉛の含有量とソフトエラー発生
率との関係を示す特性線図。
率との関係を示す特性線図。
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム、銅およびそれらの合金中
の鉛の含有量を５０ｐｐｂ以下に低減させて成ることを
特徴とする鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項２】 前記スパッタリングターゲットはＶＬＳ
Ｉ、ＵＬＳＩの配線材料であることを特徴とする請求項
第１項に記載の鉛の含有量を低減したスパッタリングタ
ーゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9340794A JPH07300668A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9340794A JPH07300668A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300668A true JPH07300668A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14081451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9340794A Pending JPH07300668A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07300668A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004203A1 (fr) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique et piece pour appareil de formation de couches minces |
| JP2001271159A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-02 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 導電薄膜形成材料 |
| JP5690917B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-03-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅又は銅合金、ボンディングワイヤ、銅の製造方法、銅合金の製造方法及びボンディングワイヤの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-02 JP JP9340794A patent/JPH07300668A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004203A1 (fr) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique et piece pour appareil de formation de couches minces |
| JP2001271159A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-02 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 導電薄膜形成材料 |
| JP5690917B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-03-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅又は銅合金、ボンディングワイヤ、銅の製造方法、銅合金の製造方法及びボンディングワイヤの製造方法 |
| US9597754B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-03-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire |
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