JP3303065B2 - Ｒｕ薄膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
Ｒｕ薄膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JP3303065B2 JP3303065B2 JP00934195A JP934195A JP3303065B2 JP 3303065 B2 JP3303065 B2 JP 3303065B2 JP 00934195 A JP00934195 A JP 00934195A JP 934195 A JP934195 A JP 934195A JP 3303065 B2 JP3303065 B2 JP 3303065B2
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- forming
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリーなど
のキャパシタ薄膜表面に電極としてのＲｕ薄膜を形成す
るためのスパッタリングターゲットに関するものであ
る。
のキャパシタ薄膜表面に電極としてのＲｕ薄膜を形成す
るためのスパッタリングターゲットに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、６４ＭＤＲＭなど半導体メモリー
などにおいて、ペロブスカイト構造を有するＢａＴｉ複
合酸化物薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴｉ
複合酸化物薄膜を半導体メモリーなどのキャパシタ薄膜
として使用する研究が進んでいる。
などにおいて、ペロブスカイト構造を有するＢａＴｉ複
合酸化物薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴｉ
複合酸化物薄膜を半導体メモリーなどのキャパシタ薄膜
として使用する研究が進んでいる。
【０００３】前記ペロブスカイト構造を有するＢａＴｉ
複合酸化物薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴ
ｉ複合酸化物薄膜を半導体メモリーのキャパシタとして
使用する場合に、キャパシタの電極として９９．９９％
〜９９．９９９％の高純度のＲｕ薄膜が使用される。こ
の高純度Ｒｕ薄膜は、高純度Ｒｕターゲットを用いてス
パッタリングすることにより形成される。
複合酸化物薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴ
ｉ複合酸化物薄膜を半導体メモリーのキャパシタとして
使用する場合に、キャパシタの電極として９９．９９％
〜９９．９９９％の高純度のＲｕ薄膜が使用される。こ
の高純度Ｒｕ薄膜は、高純度Ｒｕターゲットを用いてス
パッタリングすることにより形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｒｕは、価格が高価で
あるためにＲｕ薄膜は、可及的に薄くしたいという要望
があり、厚さ：１０００オングストローム以下にしたい
という要望がある。しかし、従来の高純度Ｒｕターゲッ
トを用いてスパッタリングにより厚さ：１０００オング
ストローム以下のＲｕ薄膜を形成すると膜厚が不均一に
なり、キャパシタの電極としては満足のいくものではな
かった。
あるためにＲｕ薄膜は、可及的に薄くしたいという要望
があり、厚さ：１０００オングストローム以下にしたい
という要望がある。しかし、従来の高純度Ｒｕターゲッ
トを用いてスパッタリングにより厚さ：１０００オング
ストローム以下のＲｕ薄膜を形成すると膜厚が不均一に
なり、キャパシタの電極としては満足のいくものではな
かった。
【０００５】さらに、通常のＲｕにはＵ、Ｔｈ並びにこ
れら崩壊核種を主体とする放射性同位元素を５０ｐｐｂ
以上含まれており、この通常のＲｕターゲットにより得
られたＲｕ薄膜をキャパシタの電極とすると、Ｒｕ薄膜
から放出されるα線がキャパシタに影響を与え、α線に
よるソフトエラーのために特に６４Ｍや２５６Ｍ以上の
ＤＲＡＭでの使用が不可能であった。
れら崩壊核種を主体とする放射性同位元素を５０ｐｐｂ
以上含まれており、この通常のＲｕターゲットにより得
られたＲｕ薄膜をキャパシタの電極とすると、Ｒｕ薄膜
から放出されるα線がキャパシタに影響を与え、α線に
よるソフトエラーのために特に６４Ｍや２５６Ｍ以上の
ＤＲＡＭでの使用が不可能であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
厚さ：１０００オングストローム以下のＲｕ薄膜を形成
しても膜厚が均一でかつα線によるソフトエラーのない
Ｒｕ薄膜を得ることのできるＲｕターゲットを開発すべ
く研究を行なった結果、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で
５ｐｐｍ以下、かつＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または
２種以上を合計で０．５〜５０ｐｐｍを含有し、さらに
ＵおよびＴｈ、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射
性同位元素の含有量を５ｐｐｂ以下にしたＲｕターゲッ
トを用いてスパッタリングすると、膜厚が均一でかつα
線によるソフトエラーのないＲｕ薄膜が得られるという
知見を得たのである。
厚さ：１０００オングストローム以下のＲｕ薄膜を形成
しても膜厚が均一でかつα線によるソフトエラーのない
Ｒｕ薄膜を得ることのできるＲｕターゲットを開発すべ
く研究を行なった結果、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で
５ｐｐｍ以下、かつＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または
２種以上を合計で０．５〜５０ｐｐｍを含有し、さらに
ＵおよびＴｈ、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射
性同位元素の含有量を５ｐｐｂ以下にしたＲｕターゲッ
トを用いてスパッタリングすると、膜厚が均一でかつα
線によるソフトエラーのないＲｕ薄膜が得られるという
知見を得たのである。
【０００７】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で５ｐｐ
ｍ以下、かつＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または２種以
上を合計で０．５〜５０ｐｐｍを含有し、さらにＵおよ
びＴｈ、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射性同位
元素の含有量が５ｐｐｂ以下であつて、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ以外の元素で、純度：９９．９９９重量％以上のＲｕ
からなるＲｕ薄膜形成用スパッタリングターゲットに特
徴を有するものである。
たものであって、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で５ｐｐ
ｍ以下、かつＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または２種以
上を合計で０．５〜５０ｐｐｍを含有し、さらにＵおよ
びＴｈ、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射性同位
元素の含有量が５ｐｐｂ以下であつて、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ以外の元素で、純度：９９．９９９重量％以上のＲｕ
からなるＲｕ薄膜形成用スパッタリングターゲットに特
徴を有するものである。
【０００８】この発明のＲｕ薄膜形成用スパッタリング
ターゲットに含まれるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種また
は２種以上の合計を０．５〜５０ｐｐｍに限定したの
は、これら金属が０．５ｐｐｍ未満だと、スパッタリン
グして得られた厚さ：１０００オングストローム以下の
Ｒｕ薄膜の厚さのばらつきが大きくなるので好ましくな
く、一方、５０ｐｐｍを越えて含有してもＲｕ薄膜の厚
さのばらつきが大きくなるので好ましくないことによる
ものである。これを立証するため、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの
含有量を少ない量から次第に増加して行くやり方で、少
量過ぎて効果のない含有領域から、十分な効果を収める
含有領域を越えて、多量過ぎて弊害が現れる含有領域に
至るまで変化させ、比較及び本発明ターゲットとして、
表1及び表2に示すＲｕターゲットを作製し、これを用い
てスパッタリングを行ってＳｉ板上にＲｕ薄膜を形成
し、膜厚のばらつき等の測定結果を表3及び表4に示し
た。本発明ＲｕターゲットのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ含有量
は、表1に示すように変化させ、比較Ｒｕターゲットの
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ含有量は、表2に示すように変化させ
た。
ターゲットに含まれるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種また
は２種以上の合計を０．５〜５０ｐｐｍに限定したの
は、これら金属が０．５ｐｐｍ未満だと、スパッタリン
グして得られた厚さ：１０００オングストローム以下の
Ｒｕ薄膜の厚さのばらつきが大きくなるので好ましくな
く、一方、５０ｐｐｍを越えて含有してもＲｕ薄膜の厚
さのばらつきが大きくなるので好ましくないことによる
ものである。これを立証するため、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの
含有量を少ない量から次第に増加して行くやり方で、少
量過ぎて効果のない含有領域から、十分な効果を収める
含有領域を越えて、多量過ぎて弊害が現れる含有領域に
至るまで変化させ、比較及び本発明ターゲットとして、
表1及び表2に示すＲｕターゲットを作製し、これを用い
てスパッタリングを行ってＳｉ板上にＲｕ薄膜を形成
し、膜厚のばらつき等の測定結果を表3及び表4に示し
た。本発明ＲｕターゲットのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ含有量
は、表1に示すように変化させ、比較Ｒｕターゲットの
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ含有量は、表2に示すように変化させ
た。
【０００９】また、この発明のＲｕ薄膜形成用スパッタ
リングターゲットに含まれるＵおよびＴｈ、並びにこれ
ら崩壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量が５ｐ
ｐｂ以下としたのは、５ｐｐｂ以下であればα線の放出
量が０．００１ＣＰＨ／ｃｍ 2以下となってα線による
ソフトエラーが無視できるからである。
リングターゲットに含まれるＵおよびＴｈ、並びにこれ
ら崩壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量が５ｐ
ｐｂ以下としたのは、５ｐｐｂ以下であればα線の放出
量が０．００１ＣＰＨ／ｃｍ 2以下となってα線による
ソフトエラーが無視できるからである。
【００１０】
【実施例】市販の３ＮのＲｕ粉末（粒径−１００μｍ）
を、アルカリ溶融後水浸出し、ＮａＯＨを過剰に加え、
Ｃｌ2ガスを飽和させ、加熱によりＲｕをＲｕＯ4として
揮発分離し、ＨＣｌとメタノ−ル溶液中に吸収させ、さ
らに蒸留操作を３回行なつて精製した。この液を、ロ−
タリ−エバポレ−タで２４ｈｒ．還留乾固し、ゲル状の
高純度Ｒｕ（ＯＨ）2を得た。この沈澱を乾燥後、石英
ガラス製坩堝に入れ、７００℃×２４ｈｒ．大気中で加
熱して高純度ＲｕＯ2粉末を得た。この粉末を、９００
℃×１０ｈｒ．Ｈ2気流中で加熱して高純度５ＮのＲｕ
粉末を得た。この粉末を−１００μｍに篩分した。さら
に、この粉末を、グラファイト製モ−ルドに充填し、１
２００℃、３ｈｒ、１２Ｔｏｎの荷重でホットトプレス
し、Φ１１０×１０ｍｍｔで、密度９９％の金属Ｒｕ円
板を得た。 次いで、この円板を電子ビ−ム溶解し、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを除去した。以上の処理で表１〜２
に示される値の純度に高め、得られた円板を切削加工
し、Φ１００×５ｍｍｔの形状の本発明Ｒｕ薄膜形成用
スパッタリングターゲット１〜１３（以下、本発明Ｒｕ
ターゲット１〜１３という）を作製した。
を、アルカリ溶融後水浸出し、ＮａＯＨを過剰に加え、
Ｃｌ2ガスを飽和させ、加熱によりＲｕをＲｕＯ4として
揮発分離し、ＨＣｌとメタノ−ル溶液中に吸収させ、さ
らに蒸留操作を３回行なつて精製した。この液を、ロ−
タリ−エバポレ−タで２４ｈｒ．還留乾固し、ゲル状の
高純度Ｒｕ（ＯＨ）2を得た。この沈澱を乾燥後、石英
ガラス製坩堝に入れ、７００℃×２４ｈｒ．大気中で加
熱して高純度ＲｕＯ2粉末を得た。この粉末を、９００
℃×１０ｈｒ．Ｈ2気流中で加熱して高純度５ＮのＲｕ
粉末を得た。この粉末を−１００μｍに篩分した。さら
に、この粉末を、グラファイト製モ−ルドに充填し、１
２００℃、３ｈｒ、１２Ｔｏｎの荷重でホットトプレス
し、Φ１１０×１０ｍｍｔで、密度９９％の金属Ｒｕ円
板を得た。 次いで、この円板を電子ビ−ム溶解し、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを除去した。以上の処理で表１〜２
に示される値の純度に高め、得られた円板を切削加工
し、Φ１００×５ｍｍｔの形状の本発明Ｒｕ薄膜形成用
スパッタリングターゲット１〜１３（以下、本発明Ｒｕ
ターゲット１〜１３という）を作製した。
【００１１】一方、比較のため、ホットプレスの際、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｏを所定量添加したものも作製し、上記本
発明Ｒｕターゲットと同様にして、比較Ｒｕ薄膜形成用
スパッタリングターゲット１〜６（以下、比較Ｒｕター
ゲット１〜６という）を作製した。またＮａ、Ｋ、Ｃ
ａ、Ｍｇの含有量の高い従来例として、電子ビ−ム溶解
処理しないものも作製し、同様にして従来Ｒｕ薄膜形成
用スパッタリングターゲット（以下、従来Ｒｕターゲッ
トという）を作製した。
ｅ、Ｎｉ、Ｃｏを所定量添加したものも作製し、上記本
発明Ｒｕターゲットと同様にして、比較Ｒｕ薄膜形成用
スパッタリングターゲット１〜６（以下、比較Ｒｕター
ゲット１〜６という）を作製した。またＮａ、Ｋ、Ｃ
ａ、Ｍｇの含有量の高い従来例として、電子ビ−ム溶解
処理しないものも作製し、同様にして従来Ｒｕ薄膜形成
用スパッタリングターゲット（以下、従来Ｒｕターゲッ
トという）を作製した。
【００１２】これら本発明Ｒｕターゲット１〜１３、比
較Ｒｕターゲット１〜６および従来Ｒｕターゲットを無
酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はんだを用いてはんだ
付けしたのち、通常の高周波マグネトロンスパッタ装置
に取り付け、直径：１００ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのＳ
ｉ板に下記の条件、 雰囲気ガス：Ａｒ、 雰囲気圧力：１パスカル、 Ｓｉ板表面温度：３００℃、 ターゲットとＳｉ板の距離：５ｃｍ、 にてスパッタを行い、高周波マグネトロンスパッタ装置
内にセットした直径：１００ｍｍのＳｉ板の上に表３〜
表４に示される目標Ｒｕ膜厚となるようにＲｕ薄膜を形
成し、Ｓｉ板の中央部表面に形成された現実の最高Ｒｕ
膜厚および最低Ｒｕ膜厚を求め、その結果を表３〜表４
に示した。
較Ｒｕターゲット１〜６および従来Ｒｕターゲットを無
酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はんだを用いてはんだ
付けしたのち、通常の高周波マグネトロンスパッタ装置
に取り付け、直径：１００ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのＳ
ｉ板に下記の条件、 雰囲気ガス：Ａｒ、 雰囲気圧力：１パスカル、 Ｓｉ板表面温度：３００℃、 ターゲットとＳｉ板の距離：５ｃｍ、 にてスパッタを行い、高周波マグネトロンスパッタ装置
内にセットした直径：１００ｍｍのＳｉ板の上に表３〜
表４に示される目標Ｒｕ膜厚となるようにＲｕ薄膜を形
成し、Ｓｉ板の中央部表面に形成された現実の最高Ｒｕ
膜厚および最低Ｒｕ膜厚を求め、その結果を表３〜表４
に示した。
【００１３】さらに、ガスフロー比例計数管を用い、本
発明Ｒｕターゲット１〜１３、比較Ｒｕターゲット１〜
６および従来Ｒｕターゲットのα線粒子のカウント数を
測定し、それらの結果を表３〜表４に示した。
発明Ｒｕターゲット１〜１３、比較Ｒｕターゲット１〜
６および従来Ｒｕターゲットのα線粒子のカウント数を
測定し、それらの結果を表３〜表４に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】表１〜表４に示される結果から、Ｎａ、
Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で５ｐｐｍ以下で、かつＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの内の１種または２種以上を合計で０．５〜５
０ｐｐｍ含有し、さらにＵおよびＴｈ並びにこれら崩壊
核種を主体とする放射性同位元素の含有量を５ｐｐｂ以
下含有する本発明Ｒｕターゲット１〜１３により形成さ
れた最高Ｒｕ膜厚と最低Ｒｕ膜厚の差は、従来Ｒｕター
ゲットにより形成された最高Ｒｕ膜厚と最低Ｒｕ膜厚の
差に比べて極めて小さく、また本発明Ｒｕターゲット１
〜１３により放射されるα粒子の放射量が従来Ｒｕター
ゲットにより放射されるα粒子の放射量に比べて極めて
少ないところから、本発明Ｒｕターゲット１〜１３によ
り形成されたＲｕ薄膜の厚さは従来Ｒｕターゲットによ
り形成されたＲｕ薄膜の厚さに比べて均一でありかつα
粒子の放射量が極めて少ないことが分かる。
Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で５ｐｐｍ以下で、かつＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの内の１種または２種以上を合計で０．５〜５
０ｐｐｍ含有し、さらにＵおよびＴｈ並びにこれら崩壊
核種を主体とする放射性同位元素の含有量を５ｐｐｂ以
下含有する本発明Ｒｕターゲット１〜１３により形成さ
れた最高Ｒｕ膜厚と最低Ｒｕ膜厚の差は、従来Ｒｕター
ゲットにより形成された最高Ｒｕ膜厚と最低Ｒｕ膜厚の
差に比べて極めて小さく、また本発明Ｒｕターゲット１
〜１３により放射されるα粒子の放射量が従来Ｒｕター
ゲットにより放射されるα粒子の放射量に比べて極めて
少ないところから、本発明Ｒｕターゲット１〜１３によ
り形成されたＲｕ薄膜の厚さは従来Ｒｕターゲットによ
り形成されたＲｕ薄膜の厚さに比べて均一でありかつα
粒子の放射量が極めて少ないことが分かる。
【００１９】しかし、この発明の条件から外れた値で、
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または２種以上を合計で含
有する比較Ｒｕターゲット１〜６（表２において＊印を
付して示した）は、Ｒｕ薄膜の厚さが不均一となること
も分かる。
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または２種以上を合計で含
有する比較Ｒｕターゲット１〜６（表２において＊印を
付して示した）は、Ｒｕ薄膜の厚さが不均一となること
も分かる。
【００２０】したがって、この発明のＲｕスパッタリン
グターゲットを用いると、従来のＲｕスパッタリングタ
ーゲットよりも膜厚が均一でα線放射の少ないＲｕ薄膜
を得ることのでき、半導体メモリーのキャパシタの電極
として優れかつソフトエラーのない半導体メモリーを提
供することができるなど産業上優れた効果を奏するもの
である。
グターゲットを用いると、従来のＲｕスパッタリングタ
ーゲットよりも膜厚が均一でα線放射の少ないＲｕ薄膜
を得ることのでき、半導体メモリーのキャパシタの電極
として優れかつソフトエラーのない半導体メモリーを提
供することができるなど産業上優れた効果を奏するもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C22B 1/00 - 61/00
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを合計で５ｐｐｍ
以下、かつＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの内の１種または２種以上
を合計で０．５〜５０ｐｐｍを含有し、さらにＵおよび
Ｔｈ、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射性同位元
素の含有量を５ｐｐｂ以下にした、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを
除く元素で、純度：９９．９９９重量％以上のＲｕから
なることを特徴とするＲｕ薄膜形成用スパッタリングタ
ーゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00934195A JP3303065B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | Ｒｕ薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00934195A JP3303065B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | Ｒｕ薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199350A JPH08199350A (ja) | 1996-08-06 |
| JP3303065B2 true JP3303065B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=11717778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00934195A Expired - Lifetime JP3303065B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | Ｒｕ薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303065B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4058777B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2008-03-12 | 日鉱金属株式会社 | 薄膜形成用高純度ルテニウム焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットをスパッタリングすることによって形成される薄膜 |
| JP2000034563A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-02-02 | Japan Energy Corp | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及び高純度ルテニウムスパッタリングターゲット |
| JP2002105631A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4503817B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2010-07-14 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよび薄膜 |
| JP4790118B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2011-10-12 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
| DE102008006796A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-27 | W.C. Heraeus Gmbh | Verfahren zum Gewinnen von Ruthenium aus Ruthenium oder Rutheniumoxide enthaltenden Materialien oder rutheniumhaltigen Edelmetall-Erzkonzentraten |
| CN106929810B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-02-26 | 中核北方核燃料元件有限公司 | 一种贫铀磁控溅射靶片的制备方法 |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP00934195A patent/JP3303065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08199350A (ja) | 1996-08-06 |
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