JP2002105631A - 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製錬装置及びその付帯装置の大型化や、操業
の煩雑化を招くことが無く、内部欠陥のない高純度ルテ
ニウムスパッタリングターゲット、及びその製造を可能
とする方法を提供する。 【解決手段】 ルテニウム原料を、炉内圧を１０Ｔｏｒ
ｒ〜２気圧（１．３３×１０3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）に
調整し、プラズマ作動ガスに水素を添加した熱プラズマ
で熔解することにより、ナトリウム、カリウムなどのア
ルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以
下で、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金
属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、白
金族元素を除いた遷移金属元素のいずれの含有量も０．
１重量ｐｐｍ以下で、ウラニウム、トリウムなどの放射
性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下で、
ガス成分元素の含有量が合計で３０重量ｐｐｍ以下であ
る内部欠陥のない高純度ルテニウムスパッタリングター
ゲットを得ることができる。ルテニウムの純度が９９．
９９５重量％以上であることが好ましい。不純物として
は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの白金族元素を含み
うる。
の煩雑化を招くことが無く、内部欠陥のない高純度ルテ
ニウムスパッタリングターゲット、及びその製造を可能
とする方法を提供する。 【解決手段】 ルテニウム原料を、炉内圧を１０Ｔｏｒ
ｒ〜２気圧（１．３３×１０3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）に
調整し、プラズマ作動ガスに水素を添加した熱プラズマ
で熔解することにより、ナトリウム、カリウムなどのア
ルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以
下で、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金
属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、白
金族元素を除いた遷移金属元素のいずれの含有量も０．
１重量ｐｐｍ以下で、ウラニウム、トリウムなどの放射
性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下で、
ガス成分元素の含有量が合計で３０重量ｐｐｍ以下であ
る内部欠陥のない高純度ルテニウムスパッタリングター
ゲットを得ることができる。ルテニウムの純度が９９．
９９５重量％以上であることが好ましい。不純物として
は、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの白金族元素を含み
うる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリーの
キャパシタ用電極などの形成に利用される高純度ルテニ
ウムスパッタリングターゲット及びその製造方法に関す
る。
キャパシタ用電極などの形成に利用される高純度ルテニ
ウムスパッタリングターゲット及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリーのキャパシタ用電極など
の材料としてはルテニウムが用いられ、キャパシタ用電
極は、ルテニウムスパッタリングターゲットを用いたス
パッタリング法により形成される。
の材料としてはルテニウムが用いられ、キャパシタ用電
極は、ルテニウムスパッタリングターゲットを用いたス
パッタリング法により形成される。
【０００３】近年、半導体メモリーの高集積化、高密度
化に伴い、各種の材料の見直しが行われ、ルテニウムス
パッタリングターゲットにもさらなる高純度化が求めら
れている。例えば、ＭＯＳデバイスの特性を劣化させる
ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属元素や、鉄な
どの遷移金属元素、及び、アルファー線を放出すること
で誤作動の原因となるウラニウム、トリウムなどの放射
性同位体元素などの不純物は、極低濃度化することが強
く求められている。
化に伴い、各種の材料の見直しが行われ、ルテニウムス
パッタリングターゲットにもさらなる高純度化が求めら
れている。例えば、ＭＯＳデバイスの特性を劣化させる
ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属元素や、鉄な
どの遷移金属元素、及び、アルファー線を放出すること
で誤作動の原因となるウラニウム、トリウムなどの放射
性同位体元素などの不純物は、極低濃度化することが強
く求められている。
【０００４】ところで従来は、ルテニウム原料の熔解は
電子ビーム熔解法により行われている。この電子ビーム
熔解法は、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-2
〜１．３３×１０-4Ｐａ）の高真空中で、ルテニウム原
料に電子ビームを当て、その衝撃によりルテニウム原料
を加熱熔解するとともに、ルテニウムに比して蒸気圧が
高い不純物元素を蒸発除去する技術である。
電子ビーム熔解法により行われている。この電子ビーム
熔解法は、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-2
〜１．３３×１０-4Ｐａ）の高真空中で、ルテニウム原
料に電子ビームを当て、その衝撃によりルテニウム原料
を加熱熔解するとともに、ルテニウムに比して蒸気圧が
高い不純物元素を蒸発除去する技術である。
【０００５】しかし、電子ビーム熔解法には、排気量の
大きな高真空排気装置が必要であり、しかも、高真空を
長時間、保持することが必要なことから、付帯装置が大
掛かりとなる欠点がある。加えて、「工業加熱」第１７
巻（１９８０年）４７頁で記載されているように、高電
圧回路を使用することによる放電の危険性や、Ｘ線障害
に関する対策の必要性、及び、出力を安定させるための
エミッション・スタビライザーの必要性が指摘されてい
る。
大きな高真空排気装置が必要であり、しかも、高真空を
長時間、保持することが必要なことから、付帯装置が大
掛かりとなる欠点がある。加えて、「工業加熱」第１７
巻（１９８０年）４７頁で記載されているように、高電
圧回路を使用することによる放電の危険性や、Ｘ線障害
に関する対策の必要性、及び、出力を安定させるための
エミッション・スタビライザーの必要性が指摘されてい
る。
【０００６】また、電子ビームの径が細いために熔湯面
積が比較的狭く、不純物元素を極低濃度にまで低減させ
るには、高真空中での長時間熔解が不可欠であり、ルテ
ニウム自体の蒸発損失が増加するために、歩留まりが悪
いという欠点もある。
積が比較的狭く、不純物元素を極低濃度にまで低減させ
るには、高真空中での長時間熔解が不可欠であり、ルテ
ニウム自体の蒸発損失が増加するために、歩留まりが悪
いという欠点もある。
【０００７】さらに、電子ビームの径が細いことによる
熔湯面積の狭さは、熔解あるいは熔解反応により発生し
たガスが熔湯面から抜けきれず、残存ガスがインゴット
内部に気泡を形成するという製造上の問題をも引き起こ
す。
熔湯面積の狭さは、熔解あるいは熔解反応により発生し
たガスが熔湯面から抜けきれず、残存ガスがインゴット
内部に気泡を形成するという製造上の問題をも引き起こ
す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、精錬装置
及びその付帯装置の大型化や、操業の煩雑化を招くこと
が無く、内部欠陥のない高純度ルテニウムスパッタリン
グターゲット、及びその製造を可能とする方法の提供に
ある。
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、精錬装置
及びその付帯装置の大型化や、操業の煩雑化を招くこと
が無く、内部欠陥のない高純度ルテニウムスパッタリン
グターゲット、及びその製造を可能とする方法の提供に
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意検討した結果、プラズマ作動ガスに水
素を添加した低電圧・高電流である熱プラズマで、ルテ
ニウム原料を熔解する熱プラズマ熔解法を適用すれば、
高真空を必要とせず、かつ単一熔解工程によって、従来
から問題とされていた金属不純物のみならずガス成分も
充分低減され、内部欠陥のない高純度ルテニウムスパッ
タリングターゲットが得られることを見出し、本発明に
至った。
を達成すべく鋭意検討した結果、プラズマ作動ガスに水
素を添加した低電圧・高電流である熱プラズマで、ルテ
ニウム原料を熔解する熱プラズマ熔解法を適用すれば、
高真空を必要とせず、かつ単一熔解工程によって、従来
から問題とされていた金属不純物のみならずガス成分も
充分低減され、内部欠陥のない高純度ルテニウムスパッ
タリングターゲットが得られることを見出し、本発明に
至った。
【００１０】すなわち、本発明の高純度ルテニウムスパ
ッタリングターゲットは、ナトリウム、カリウムなどの
アルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ
以下で、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類
金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、
白金族元素を除いた遷移金属元素のいずれの含有量も
０．１重量ｐｐｍ以下で、ウラニウム、トリウムなどの
放射性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下
で、ガス成分元素の含有量が合計で３０重量ｐｐｍ以下
である。ルテニウムの純度が９９．９９５重量％以上で
あることが好ましい。不純物としては、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔの白金族元素を含みうる。
ッタリングターゲットは、ナトリウム、カリウムなどの
アルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ
以下で、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類
金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、
白金族元素を除いた遷移金属元素のいずれの含有量も
０．１重量ｐｐｍ以下で、ウラニウム、トリウムなどの
放射性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下
で、ガス成分元素の含有量が合計で３０重量ｐｐｍ以下
である。ルテニウムの純度が９９．９９５重量％以上で
あることが好ましい。不純物としては、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔの白金族元素を含みうる。
【００１１】また、本発明の高純度ルテニウムスパッタ
リングターゲットの製造方法は、ルテニウム原料を、プ
ラズマ作動ガスに水素を添加した熱プラズマで熔解する
ことを特徴とする。なお、熔解中の炉内圧を１０Ｔｏｒ
ｒ〜２気圧（１．３３×１０ 3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）に
調整するのが好ましい。
リングターゲットの製造方法は、ルテニウム原料を、プ
ラズマ作動ガスに水素を添加した熱プラズマで熔解する
ことを特徴とする。なお、熔解中の炉内圧を１０Ｔｏｒ
ｒ〜２気圧（１．３３×１０ 3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）に
調整するのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高純度ルテニウム
スパッタリングターゲットの製造方法を詳細に説明す
る。本発明で用いるルテニウム原料は、通常市販されて
いる純度３Ｎ程度のものでよく、特に高純度化したもの
を用いる必要はない。
スパッタリングターゲットの製造方法を詳細に説明す
る。本発明で用いるルテニウム原料は、通常市販されて
いる純度３Ｎ程度のものでよく、特に高純度化したもの
を用いる必要はない。
【００１３】ルテニウム原料を水冷銅ハースに充填した
後、プラズマ作動ガスに水素を添加した熱プラズマで熔
解する熱プラズマ熔解法により行う。プラズマ作動ガス
中の水素濃度は高いほど好ましい。熔解には、例えば、
アーク熔解、プラズマアーク熔解、高周波プラズマ熔解
などが挙げられる。
後、プラズマ作動ガスに水素を添加した熱プラズマで熔
解する熱プラズマ熔解法により行う。プラズマ作動ガス
中の水素濃度は高いほど好ましい。熔解には、例えば、
アーク熔解、プラズマアーク熔解、高周波プラズマ熔解
などが挙げられる。
【００１４】熔解中の炉内圧は、１０Ｔｏｒｒ〜２気圧
（１．３３×１０3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）とする。より
好ましい結果を得るためには、減圧下（１気圧未満）で
熔解を行う。炉内圧が１０Ｔｏｒｒ未満では、プラズマ
作動ガスに水素を添加した熱プラズマでの熔解の作用効
果を充分に得ることができず、２気圧を超えると、不純
物の除去速度が低下する。
（１．３３×１０3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）とする。より
好ましい結果を得るためには、減圧下（１気圧未満）で
熔解を行う。炉内圧が１０Ｔｏｒｒ未満では、プラズマ
作動ガスに水素を添加した熱プラズマでの熔解の作用効
果を充分に得ることができず、２気圧を超えると、不純
物の除去速度が低下する。
【００１５】なお、ルテニウム原料をプレスやホットプ
レスなどで塊状とした後に、プラズマ作動ガスに水素を
添加した熱プラズマで熔解すると、効率的で好ましい。
レスなどで塊状とした後に、プラズマ作動ガスに水素を
添加した熱プラズマで熔解すると、効率的で好ましい。
【００１６】以上により得られたルテニウムスパッタリ
ングターゲットは、金属・非金属不純物が極低濃度域ま
で低減されて、高純度となっており、実質的に内部欠陥
が検出されない。
ングターゲットは、金属・非金属不純物が極低濃度域ま
で低減されて、高純度となっており、実質的に内部欠陥
が検出されない。
【００１７】なお、実質的に内部欠陥が検出されないと
いう意味は、得られたルテニウムスパッタリングターゲ
ットを切断して切断面を目視観察した際に、ガスを巻き
込んだ跡や気泡などが検出されないということである。
いう意味は、得られたルテニウムスパッタリングターゲ
ットを切断して切断面を目視観察した際に、ガスを巻き
込んだ跡や気泡などが検出されないということである。
【００１８】また、本発明の方法では、１０Ｔｏｒｒ〜
２気圧の炉内圧で行う熱プラズマ熔解法によることか
ら、従来の高真空に比して蒸発損失が極めて少なく、ル
テニウムスパッタリングターゲットを高い歩留まりの下
に製造することができる。
２気圧の炉内圧で行う熱プラズマ熔解法によることか
ら、従来の高真空に比して蒸発損失が極めて少なく、ル
テニウムスパッタリングターゲットを高い歩留まりの下
に製造することができる。
【００１９】本発明においては、プラズマ作動ガスに水
素を添加するが、なぜこのような良好な結果が水素添加
で得られるかは必ずしも明確ではない。しかし、水素の
代わりに、アルゴンを用いた場合には良好な結果が得ら
れないことから、プラズマ状態の水素が重要な役割を果
たしているものと思われる。
素を添加するが、なぜこのような良好な結果が水素添加
で得られるかは必ずしも明確ではない。しかし、水素の
代わりに、アルゴンを用いた場合には良好な結果が得ら
れないことから、プラズマ状態の水素が重要な役割を果
たしているものと思われる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明は以
下の実施例に限定されるものではない。
下の実施例に限定されるものではない。
【００２１】（実施例１〜７）表１に示した不純物品位
の純度９９．９重量％のルテニウム原料２．５ｋｇをプ
レスによって固め、水冷銅ハースに置き、炉内をＡｒガ
ス置換した後、水素含有プラズマ作動ガスにより、炉内
圧をそれぞれ調節しながら、プラズマアーク熔解を計６
０分間、行った。各炉内圧、及び各プラズマ作動ガスの
成分を表２に示す。
の純度９９．９重量％のルテニウム原料２．５ｋｇをプ
レスによって固め、水冷銅ハースに置き、炉内をＡｒガ
ス置換した後、水素含有プラズマ作動ガスにより、炉内
圧をそれぞれ調節しながら、プラズマアーク熔解を計６
０分間、行った。各炉内圧、及び各プラズマ作動ガスの
成分を表２に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】熔解後のインゴットを、放電加工機とダイ
ヤモンド砥石研削にて、直径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍに
加工して、ルテニウムスパッタリングターゲットを得
た。
ヤモンド砥石研削にて、直径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍに
加工して、ルテニウムスパッタリングターゲットを得
た。
【００２５】得られたルテニウムスパッタリングターゲ
ットの不純物含有量を表３に示した。また、得られたル
テニウムスパッタリングターゲットを切断し、切断面を
目視観察したところ、いずれにも内部欠陥は検出されな
かった。
ットの不純物含有量を表３に示した。また、得られたル
テニウムスパッタリングターゲットを切断し、切断面を
目視観察したところ、いずれにも内部欠陥は検出されな
かった。
【００２６】ルテニウムの純度はいずれも９９．９９５
重量％で、白金族元素を不可避的に含んでいたが、有害
不純物は極低濃度域まで除去された。
重量％で、白金族元素を不可避的に含んでいたが、有害
不純物は極低濃度域まで除去された。
【００２７】実施例１〜７のルテニウムスパッタリング
ターゲットを用いてそれぞれスパッタリングを行った際
には、パーティクルが少なく、電極特性も良好な薄膜を
形成することができた。
ターゲットを用いてそれぞれスパッタリングを行った際
には、パーティクルが少なく、電極特性も良好な薄膜を
形成することができた。
【００２８】
【表３】
【００２９】（比較例１〜３）熔解中の炉内圧及びプラ
ズマ作動ガスの成分を、それぞれ表４に示した値とした
以外は、実施例１と同様にして、直径１５０ｍｍ、厚さ
５ｍｍのルテニウムスパッタリングターゲットを得た。
ズマ作動ガスの成分を、それぞれ表４に示した値とした
以外は、実施例１と同様にして、直径１５０ｍｍ、厚さ
５ｍｍのルテニウムスパッタリングターゲットを得た。
【００３０】
【表４】
【００３１】得られたルテニウムスパッタリングターゲ
ットの不純物量を表５に示した。また、得られたルテニ
ウムスパッタリングターゲットを切断し、切断面を目視
観察したところ、いずれにも内部欠陥は検出されなかっ
た。炉内圧の低い比較例１、および炉内圧の高い比較例
２では、ルテニウムの純度は９９．９９重量％で、アル
ゴンのみを使用した比較例３では、ルテニウムの純度は
９９．９８重量％であった。
ットの不純物量を表５に示した。また、得られたルテニ
ウムスパッタリングターゲットを切断し、切断面を目視
観察したところ、いずれにも内部欠陥は検出されなかっ
た。炉内圧の低い比較例１、および炉内圧の高い比較例
２では、ルテニウムの純度は９９．９９重量％で、アル
ゴンのみを使用した比較例３では、ルテニウムの純度は
９９．９８重量％であった。
【００３２】比較例３のように、プラズマ作動ガスをア
ルゴンのみとしたプラズマアーク熔解では、比較的蒸気
圧の高い金属不純物は除去されたが、それ以外はあまり
除去できなかった。
ルゴンのみとしたプラズマアーク熔解では、比較的蒸気
圧の高い金属不純物は除去されたが、それ以外はあまり
除去できなかった。
【００３３】また、炉内圧が本発明の範囲より低い比較
例１では金属不純物があまり除去されていなかった。炉
内圧が本発明の範囲より高い比較例２では、除去速度が
遅いために、やはりあまり除去できていなかった。
例１では金属不純物があまり除去されていなかった。炉
内圧が本発明の範囲より高い比較例２では、除去速度が
遅いために、やはりあまり除去できていなかった。
【００３４】さらに、比較例１〜３のルテニウムスパッ
タリングターゲットを用いてそれぞれスパッタリングを
行った際には、パーティクルが多く、膜厚も不均一な薄
膜しか形成できなかった。
タリングターゲットを用いてそれぞれスパッタリングを
行った際には、パーティクルが多く、膜厚も不均一な薄
膜しか形成できなかった。
【００３５】（従来例）実施例で用いた純度９９．９重
量％のルテニウム原料２．５ｋｇをプレスによって固
め、水冷銅ハースに置き、炉内を１０-5Ｔｏｒｒまで真
空引きした後、電子ビーム熔解を計６０分間、行った。
熔解後のインゴットを、放電加工機とダイヤモンド砥石
研削にて、直径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍに加工し、ルテ
ニウムスパッタリングターゲットを得た。
量％のルテニウム原料２．５ｋｇをプレスによって固
め、水冷銅ハースに置き、炉内を１０-5Ｔｏｒｒまで真
空引きした後、電子ビーム熔解を計６０分間、行った。
熔解後のインゴットを、放電加工機とダイヤモンド砥石
研削にて、直径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍに加工し、ルテ
ニウムスパッタリングターゲットを得た。
【００３６】得られたルテニウムスパッタリングターゲ
ットの不純物含有量を表５に示した。ルテニウムの純度
は９９．９９５重量％であり、白金族元素を不可避的に
含んでいた。また、得られたルテニウムスパッタリング
ターゲットを切断し、切断面を目視観察したところ、内
部欠陥が有った。
ットの不純物含有量を表５に示した。ルテニウムの純度
は９９．９９５重量％であり、白金族元素を不可避的に
含んでいた。また、得られたルテニウムスパッタリング
ターゲットを切断し、切断面を目視観察したところ、内
部欠陥が有った。
【００３７】
【表５】
【００３８】従来例では、すべての不純物が極低濃度ま
で除去されるものの、内部欠陥が生じていた。
で除去されるものの、内部欠陥が生じていた。
【００３９】さらに、従来例のルテニウムスパッタリン
グターゲットを用いてそれぞれスパッタリングを行った
際には、パーティクルが多く、膜厚も不均一な薄膜しか
形成できなかった。
グターゲットを用いてそれぞれスパッタリングを行った
際には、パーティクルが多く、膜厚も不均一な薄膜しか
形成できなかった。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、単一熔解工程で、金属
・非金属不純物が極低濃度域まで除去され、内部欠陥も
検出されないルテニウムスパッタリングターゲットが得
られる。
・非金属不純物が極低濃度域まで除去され、内部欠陥も
検出されないルテニウムスパッタリングターゲットが得
られる。
【００４１】また、本発明の方法では、１０Ｔｏｒｒ〜
２気圧の炉内圧を用いる熱プラズマ熔解法によることか
ら、蒸発損失が極めて少なく、高純度ルテニウムスパッ
タリングターゲットを高い歩留まりの下に製造すること
ができ、極めて安価にすることができる。
２気圧の炉内圧を用いる熱プラズマ熔解法によることか
ら、蒸発損失が極めて少なく、高純度ルテニウムスパッ
タリングターゲットを高い歩留まりの下に製造すること
ができ、極めて安価にすることができる。
【００４２】また、本発明の高純度ルテニウムスパッタ
リングターゲットは内部欠陥を含まないため、スパッタ
リングを行った際にはパーティクルが少なく、電極特性
も良好な薄膜を形成することができる。
リングターゲットは内部欠陥を含まないため、スパッタ
リングを行った際にはパーティクルが少なく、電極特性
も良好な薄膜を形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一色 実 宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号 東北大学素材工学研究所内 (72)発明者 三村 耕司 宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号 東北大学素材工学研究所内 (72)発明者 永田 純一 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 (72)発明者 大迫 敏行 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 Ｆターム(参考） 4K001 AA41 BA23 FA12 GA16 4K029 BA01 BD02 DC03 DC08
Claims (4)
- 【請求項１】 実質的にルテニウムからなり、アルカリ
金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、
アルカリ土類金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐ
ｐｍ以下で、白金族元素以外の遷移金属元素のいずれの
含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、放射性同位体元素の
いずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下で、ガス成分元素の
含有量が合計で３０重量ｐｐｍ以下であることを特徴と
する高純度ルテニウムスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 ルテニウムの純度が９９．９９５重量％
以上であり、不可避的不純物として白金族元素が含まれ
ることを特徴とする請求項１に記載の高純度ルテニウム
スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 ルテニウム原料を、プラズマ作動ガスに
水素を添加した熱プラズマで熔解することを特徴とする
高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方
法。 - 【請求項４】 熔解中の炉内圧を１０Ｔｏｒｒ〜２気圧
（１．３３×１０3Ｐａ〜２×１０5Ｐａ）に調整するこ
とを特徴とする請求項３に記載の高純度ルテニウムスパ
ッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295932A JP2002105631A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295932A JP2002105631A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002105631A true JP2002105631A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=18778282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000295932A Pending JP2002105631A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002105631A (ja) |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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