JP5706035B2 - ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット - Google Patents
ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5706035B2 JP5706035B2 JP2014501781A JP2014501781A JP5706035B2 JP 5706035 B2 JP5706035 B2 JP 5706035B2 JP 2014501781 A JP2014501781 A JP 2014501781A JP 2014501781 A JP2014501781 A JP 2014501781A JP 5706035 B2 JP5706035 B2 JP 5706035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- ruthenium
- wtppm
- content
- grain size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 66
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 34
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 title claims description 34
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 61
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 35
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28079—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being a single metal, e.g. Ta, W, Mo, Al
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
本発明は、ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲットに関し、特に半導体メモリーの強誘電体キャパシタの下部電極として使用される酸化ルテニウム膜を形成するために用いられるスパッタリングターゲットに関する。
近年、ルテニウム又はルテニウム合金は、半導体メモリー用の強誘電体キャパシタ等のエレクトロニクス材料として使用されている。一般にルテニウム薄膜を形成する場合にはスパッタリング法を用いることが多い。スパッタリング法自体は、エレクトロニクス分野においてよく知られた方法であるが、このスパッタリングに適した均一かつ安定した特性を備えたルテニウム又はルテニウム合金からなるターゲットが要求されている。
一般に、市販されている比較的純度の高いルテニウム材料は３Ｎレベルの粉末であるが、最近のエレクトロニクス分野で使用される材料はノイズ発生を防止し、特性を向上させる目的から、下記特許文献に開示されるように、さらに高純度化が要求されており、高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとしても、純度５Ｎレベルが必要とされている。
一般に、市販されている比較的純度の高いルテニウム材料は３Ｎレベルの粉末であるが、最近のエレクトロニクス分野で使用される材料はノイズ発生を防止し、特性を向上させる目的から、下記特許文献に開示されるように、さらに高純度化が要求されており、高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとしても、純度５Ｎレベルが必要とされている。
例えば、特許文献１には、アルカリ金属元素各１ｐｐｍ未満、アルカリ土類金属元素各１ｐｐｍ未満、遷移金属元素各１ｐｐｍ未満、放射性元素各１０ｐｐｂ未満、炭素及びガス成分（酸素、水素、窒素、塩素）合計で５００ｐｐｍ未満、ガス成分元素を除いたルテニウムの純度が９９．９９５％以上である高純度ルテニウムターゲットが記載されている。
特許文献２には、アルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下、アルカリ土類金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、白金族元素以外の遷移金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下、放射性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下、ガス成分元素の含有量の合計が３０重量ｐｐｍ以下である純度９９．９９５重量％以上の高純度ルテニウムターゲットが記載されている。また、特許文献３には、酸素１０ｗｔｐｐｍ以下、窒素１０ｗｔｐｐｍ以下であり、純度が５Ｎレベル以上の純度を有する高純度ルテニウムターゲットが記載されている。さらに、特許文献４には、Ｓｉを１〜９ｐｐｍ含有し、残部が純度９９．９９８％以上のＲｕからなる組成のスパッタリングターゲットが記載されている。
特許文献２には、アルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下、アルカリ土類金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、白金族元素以外の遷移金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下、放射性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下、ガス成分元素の含有量の合計が３０重量ｐｐｍ以下である純度９９．９９５重量％以上の高純度ルテニウムターゲットが記載されている。また、特許文献３には、酸素１０ｗｔｐｐｍ以下、窒素１０ｗｔｐｐｍ以下であり、純度が５Ｎレベル以上の純度を有する高純度ルテニウムターゲットが記載されている。さらに、特許文献４には、Ｓｉを１〜９ｐｐｍ含有し、残部が純度９９．９９８％以上のＲｕからなる組成のスパッタリングターゲットが記載されている。
しかしながら、スパッタリングターゲット用として、ルテニウム材料を高純度化すると、結晶成長を促進して粗大な結晶粒を形成することが知られており（例えば、特許文献５）、このような粗大な結晶粒がスパッタリングターゲットに存在すると、スパッタリング中に異常放電（アーキング）を助長して、パーティクル発生が増加し、製品の歩留まりを低下させるという問題が生じていた。
本発明は、ルテニウム又はルテニウム合金の結晶成長を抑制し、粗大な結晶粒の発生を低減することにより、スパッタリング最中に発生するアーキングを極力抑制して、パーティクル発生を低減できるルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ルテニウム又はルテニウム合金中に微量のシリコン（Ｓｉ）を含有することで、結晶粒の粗大化を抑制することができるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、下記の発明を提供する。
１）Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。
２）Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする上記１）記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
３）平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
４）Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲット。
５）Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする上記４）記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
６）平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする上記４）又は５）記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
１）Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。
２）Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする上記１）記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
３）平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
４）Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲット。
５）Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする上記４）記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
６）平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする上記４）又は５）記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
本発明は、ルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲット中に微量のシリコンを含有させることで、結晶粒の粗大化を抑制することができるので、粗大粒に起因するアーキングを抑制して、安定的なスパッタリングを可能とし、パーティクルの少ない膜を成膜することができるという優れた効果を有する。
本発明のルテニウムスパッタリングターゲットは、Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く、不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする。このように、純度９９．９９５％以上（Ｓｉを除く）の高純度ルテニウムにＳｉを微量添加することで、焼結中に生じるルテニウムの結晶粒の成長速度を低下させ、結晶粒の粗大化を抑制することを特徴とする。
シリコン含有量は１０〜１００ｗｔｐｐｍが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０ｗｔｐｐｍとする。１０ｗｔｐｐｍ未満では、結晶粒の粗大化を十分に抑制することができず、一方、１００ｗｔｐｐｍを超えると、半導体デバイスの性能を不安定にするため好ましくない。
シリコン含有量は１０〜１００ｗｔｐｐｍが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０ｗｔｐｐｍとする。１０ｗｔｐｐｍ未満では、結晶粒の粗大化を十分に抑制することができず、一方、１００ｗｔｐｐｍを超えると、半導体デバイスの性能を不安定にするため好ましくない。
また、本発明は、さらに、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、残部がＲｕであるルテニウム合金スパッタリグターゲットであることを特徴とする。このように、純度９９．９９５％以上（シリコン及び合金元素を除く）の高純度ルテニウム合金にシリコンを微量添加することにより、焼結中に生じる結晶粒の成長速度を低下させ、結晶粒の粗大化を抑制することができる。
また、ルテニウム合金は、熱的安定性に優れると共に、低抵抗性、バリヤ性に優れているので、半導体素子の成膜材料として、特にゲート電極材、各種拡散バリヤ材として有用である。
また、ルテニウム合金は、熱的安定性に優れると共に、低抵抗性、バリヤ性に優れているので、半導体素子の成膜材料として、特にゲート電極材、各種拡散バリヤ材として有用である。
また、本発明のルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットは、その平均結晶粒径が５〜１００μｍであって、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることが好ましい。上記の数値範囲を超えるような粗大な結晶粒が存在すると、スパッタリング時に異常放電（アーキング）を誘起し、発生するパーティクル数が増加するからである。
本発明のルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製することができる。まず、純度９９．９９５％以上の精製Ｒｕ粉末と、純度９９．９９９％以上のＳｉ粉末とを用意する。また、ルテニウム合金スパッタリングターゲットを作製する場合には、合金元素として、純度９９．９９９％以上のＴａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ粉末を用意する。
このとき、Ｒｕ粉末は平均粒径が１０〜１５０μｍのものを用いるのが好ましい。また、Ｓｉ粉末は平均粒径が５〜１００μｍのものを用いるのが好ましく、合金元素であるＴａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ粉末は平均粒径が５〜１００μｍのものを使用することが好ましい。原料粉末の粒径が小さ過ぎると、粉体の嵩密度が高くなり、モールドに充填する重量に制限が生じるため好ましくなく、一方、粒径が大きすぎると、表面積の低下に伴い焼結性が低下し、結果として焼結体の密度が低くなるため、好ましくない。
このとき、Ｒｕ粉末は平均粒径が１０〜１５０μｍのものを用いるのが好ましい。また、Ｓｉ粉末は平均粒径が５〜１００μｍのものを用いるのが好ましく、合金元素であるＴａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ粉末は平均粒径が５〜１００μｍのものを使用することが好ましい。原料粉末の粒径が小さ過ぎると、粉体の嵩密度が高くなり、モールドに充填する重量に制限が生じるため好ましくなく、一方、粒径が大きすぎると、表面積の低下に伴い焼結性が低下し、結果として焼結体の密度が低くなるため、好ましくない。
次に、上記の原料粉末を所望の組成となるように秤量し、混合した後、この混合粉をカーボン製の型に充填した後、温度１２００〜１６００℃、圧力２００〜５００ｋｇ／ｃｍ２、１〜４時間、Ａｒあるいは真空雰囲気の条件でホットプレスすることにより、ルテニウム又はルテニウム合金の焼結体を作製することができる。
本発明は、上記の焼結条件に限定されるものではないが、焼結温度や焼結圧力が低過ぎたり、焼結時間が短過ぎたりすると、十分な焼結体の密度が得られず、好ましくない。また、焼結温度や焼結時間が長過ぎると、粗大粒が発生するため、好ましくなく、焼結圧力が高過ぎると、焼結体に割れが発生するため、好ましくない。
このようにして得られた焼結体を機械加工してターゲット形状にすることで、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。なお、スパッタリングに際して、このようなターゲットは、バッキングプレートに接合した形態で用いられる。
本発明は、上記の焼結条件に限定されるものではないが、焼結温度や焼結圧力が低過ぎたり、焼結時間が短過ぎたりすると、十分な焼結体の密度が得られず、好ましくない。また、焼結温度や焼結時間が長過ぎると、粗大粒が発生するため、好ましくなく、焼結圧力が高過ぎると、焼結体に割れが発生するため、好ましくない。
このようにして得られた焼結体を機械加工してターゲット形状にすることで、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。なお、スパッタリングに際して、このようなターゲットは、バッキングプレートに接合した形態で用いられる。
以上のようにして得られたルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲットは、結晶粒の粗大化を抑制することができるので、スパッタリング時に異常放電（アーキング）を抑制することができ、パーティクルが少ないという効果を得ることできる。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
平均粒径が５０μｍのルテニウム粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径が１０μｍのシリコン粉末（純度９９．９９９％）を用意し、Ｓｉ含有量１２ｗｔｐｐｍからなるようにこれらの原料粉末を混合した。次に、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ａｒ雰囲気、焼結温度１５００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、焼結時間１時間とした。
平均粒径が５０μｍのルテニウム粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径が１０μｍのシリコン粉末（純度９９．９９９％）を用意し、Ｓｉ含有量１２ｗｔｐｐｍからなるようにこれらの原料粉末を混合した。次に、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ａｒ雰囲気、焼結温度１５００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、焼結時間１時間とした。
こうして得られた焼結体をホットプレスから取り出し、ターゲット形状に機械加工してスパッタリングターゲットを作製した。次に、このターゲットの表面を研磨して、組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて結晶粒径を測定した。測定箇所はターゲット面内５箇所とした。その結果、平均結晶粒径９３μｍであり、最大結晶粒径は１８３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。
次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、スパッタ装置に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が０．２５μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル数は７２個と少なかった。
（実施例２）
Ｓｉ含有量を３５ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は４８μｍであり、最大結晶粒径は１０３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は６３個と少なかった。
Ｓｉ含有量を３５ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は４８μｍであり、最大結晶粒径は１０３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は６３個と少なかった。
（実施例３）
Ｓｉ含有量を６２ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は２１μｍであり、最大結晶粒径は６５μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は５８個と少なかった。
Ｓｉ含有量を６２ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は２１μｍであり、最大結晶粒径は６５μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は５８個と少なかった。
（実施例４）
Ｓｉ含有量を９４ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は８μｍであり、最大結晶粒径は１８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４２個と少なかった。
Ｓｉ含有量を９４ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は８μｍであり、最大結晶粒径は１８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４２個と少なかった。
（実施例５）
平均粒径が５０μｍのルテニウム粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径１０μｍのタンタル粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径が１０μｍのシリコン粉末（純度９９．９９９％）を用意し、タンタル含有量１５原子％、Ｓｉ含有量１０ｗｔｐｐｍ、残部Ｒｕとなるようにこれらの原料粉末を混合した。次に、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ａｒ雰囲気、焼結温度１５００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、焼結時間１時間とした。
平均粒径が５０μｍのルテニウム粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径１０μｍのタンタル粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径が１０μｍのシリコン粉末（純度９９．９９９％）を用意し、タンタル含有量１５原子％、Ｓｉ含有量１０ｗｔｐｐｍ、残部Ｒｕとなるようにこれらの原料粉末を混合した。次に、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ａｒ雰囲気、焼結温度１５００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、焼結時間１時間とした。
こうして得られた焼結体をホットプレスから取り出し、ターゲット形状に機械加工してスパッタリングターゲットを作製した。次に、このターゲットの表面を研磨して、組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて結晶粒径を測定した。測定箇所はターゲット面内５箇所とした。その結果、平均結晶粒径９６μｍであり、最大結晶粒径は２０３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。
次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、スパッタ装置に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が０．２５μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル数は７８個と少なかった。
（実施例６）
タンタル（Ｔａ）含有量１５原子％、Ｓｉ含有量を４０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は５３μｍであり、最大結晶粒径は１２３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は６０個と少なかった。
タンタル（Ｔａ）含有量１５原子％、Ｓｉ含有量を４０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は５３μｍであり、最大結晶粒径は１２３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は６０個と少なかった。
（実施例７）
ニオブ（Ｎｂ）含有量８原子％、Ｓｉ含有量を４０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は５５μｍであり、最大結晶粒径は１１８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は５７個と少なかった。
ニオブ（Ｎｂ）含有量８原子％、Ｓｉ含有量を４０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は５５μｍであり、最大結晶粒径は１１８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は５７個と少なかった。
（実施例８）
タングステン（Ｗ）含有量２５原子％、Ｓｉ含有量を９０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は１５μｍであり、最大結晶粒径は２８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は３７個と少なかった。
タングステン（Ｗ）含有量２５原子％、Ｓｉ含有量を９０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は１５μｍであり、最大結晶粒径は２８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は３７個と少なかった。
（比較例１）
Ｓｉ含有量を３ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は１２１μｍであり、最大結晶粒径は５２０μｍであった。結晶粒が粗大化していた。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は１３１個と増加していた。
Ｓｉ含有量を３ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は１２１μｍであり、最大結晶粒径は５２０μｍであった。結晶粒が粗大化していた。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は１３１個と増加していた。
（比較例２）
Ｓｉ含有量を１０９ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は９μｍであり、最大結晶粒径は１５μｍであった。粗大な結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４３個と少なかった。一方、形成した薄膜の体積抵抗率を測定したところ、そのバラツキが大きくなっていた。
Ｓｉ含有量を１０９ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は９μｍであり、最大結晶粒径は１５μｍであった。粗大な結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４３個と少なかった。一方、形成した薄膜の体積抵抗率を測定したところ、そのバラツキが大きくなっていた。
（比較例３）
タンタル（Ｔａ）含有量１５原子％、Ｓｉ含有量を１０７ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は８μｍであり、最大結晶粒径は１８μｍであった。粗大な結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４１個と少なかった。一方、形成した薄膜の体積抵抗率を測定したところ、そのバラツキが大きくなっていた。
タンタル（Ｔａ）含有量１５原子％、Ｓｉ含有量を１０７ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は８μｍであり、最大結晶粒径は１８μｍであった。粗大な結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４１個と少なかった。一方、形成した薄膜の体積抵抗率を測定したところ、そのバラツキが大きくなっていた。
以上のように、Ｓｉを微量含有するルテニウムスパッタリングターゲットは、結晶粒の粗大化を抑制し、パーティクルの発生を低減することが分かる。一方、Ｓｉ含有量を増加させると結晶粒の粗大化に効果があるものの、半導体デバイスの動作性能に影響を及ぼすことが考えられる。
本発明のルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットは、結晶粒の粗大化を抑制することができ、粗大粒に起因するアーキングを抑制して、安定的なスパッタリングを可能とし、パーティクルの少ない膜を成膜することができる極めて優れた効果を有する。本発明のスパッタリングターゲットは、特に半導体メモリーの強誘電体キャパシタの下部電極として使用される酸化ルテニウム膜を形成用として有用である。
Claims (6)
- Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム焼結体スパッタリングターゲット。
- Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項１記載のルテニウム焼結体スパッタリングターゲット。
- 平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のルテニウム焼結体スパッタリングターゲット。
- Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金焼結体スパッタリングターゲット。
- Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項４記載のルテニウム合金焼結体スパッタリングターゲット。
- 平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５記載のルテニウム合金焼結体スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014501781A JP5706035B2 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-23 | ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012168464 | 2012-07-30 | ||
| JP2012168464 | 2012-07-30 | ||
| PCT/JP2013/069870 WO2014021139A1 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-23 | ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット |
| JP2014501781A JP5706035B2 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-23 | ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5706035B2 true JP5706035B2 (ja) | 2015-04-22 |
| JPWO2014021139A1 JPWO2014021139A1 (ja) | 2016-07-21 |
Family
ID=50027819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014501781A Active JP5706035B2 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-23 | ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10319571B2 (ja) |
| JP (1) | JP5706035B2 (ja) |
| KR (1) | KR101638270B1 (ja) |
| SG (1) | SG11201404537WA (ja) |
| TW (1) | TWI579243B (ja) |
| WO (1) | WO2014021139A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5706035B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2015-04-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット |
| KR101953493B1 (ko) | 2014-09-30 | 2019-02-28 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃용 모합금 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
| EP3541970A1 (en) * | 2016-11-21 | 2019-09-25 | Materion Corporation | Ruthenium alloys for biosensors |
| JP7540150B2 (ja) | 2019-01-18 | 2024-08-27 | 東ソー株式会社 | 珪化物系合金材料及びそれを用いた素子 |
| JPWO2022004355A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178721A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｒｕスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを製造するためのＲｕ原料粉末およびその製造方法 |
| JP2000345327A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-12 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、電極膜、および電子部品 |
| JP2002105631A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2002133653A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体用Ｒｕターゲット材および磁気記録媒体 |
| JP2004346392A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法 |
| WO2005083136A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度Ru粉末、該高純度Ru粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ru粉末の製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4058777B2 (ja) | 1997-07-31 | 2008-03-12 | 日鉱金属株式会社 | 薄膜形成用高純度ルテニウム焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットをスパッタリングすることによって形成される薄膜 |
| JP2000034563A (ja) | 1998-07-14 | 2000-02-02 | Japan Energy Corp | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及び高純度ルテニウムスパッタリングターゲット |
| JP3878432B2 (ja) | 2001-04-27 | 2007-02-07 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ルテニウムターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
| JP2003277924A (ja) | 2002-01-21 | 2003-10-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲット |
| WO2004001092A1 (ja) | 2002-06-24 | 2003-12-31 | Nikko Materials Company, Limited | AlRuスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4549613B2 (ja) * | 2002-07-08 | 2010-09-22 | パナソニック株式会社 | スクリーン印刷装置 |
| US20040016635A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
| US20060237303A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-26 | Hoya Corporation | Sputtering target, method of manufacturing a multilayer reflective film coated substrate, method of manufacturing a reflective mask blank, and method of manufacturing a reflective mask |
| JP2006283054A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hoya Corp | スパッタリングターゲット、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| US9732413B2 (en) | 2005-06-16 | 2017-08-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ruthenium-alloy sputtering target |
| KR20100135918A (ko) | 2005-10-14 | 2010-12-27 | Jx닛코 닛세끼 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 루테늄 합금 타겟트 및 그 제조방법과 스퍼터막 |
| US20090010792A1 (en) * | 2007-07-02 | 2009-01-08 | Heraeus Inc. | Brittle metal alloy sputtering targets and method of fabricating same |
| TW200923783A (en) | 2007-11-30 | 2009-06-01 | Giga Byte Tech Co Ltd | Method for automatically repairing system configuration using single key control |
| JP5706035B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2015-04-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲット |
-
2013
- 2013-07-23 JP JP2014501781A patent/JP5706035B2/ja active Active
- 2013-07-23 US US14/400,939 patent/US10319571B2/en active Active
- 2013-07-23 SG SG11201404537WA patent/SG11201404537WA/en unknown
- 2013-07-23 KR KR1020147023816A patent/KR101638270B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-23 WO PCT/JP2013/069870 patent/WO2014021139A1/ja active Application Filing
- 2013-07-25 TW TW102126635A patent/TWI579243B/zh active
-
2019
- 2019-04-30 US US16/399,415 patent/US10943773B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178721A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｒｕスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを製造するためのＲｕ原料粉末およびその製造方法 |
| JP2000345327A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-12 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、電極膜、および電子部品 |
| JP2002105631A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高純度ルテニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2002133653A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体用Ｒｕターゲット材および磁気記録媒体 |
| JP2004346392A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法 |
| WO2005083136A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度Ru粉末、該高純度Ru粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ru粉末の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014021139A1 (ja) | 2014-02-06 |
| SG11201404537WA (en) | 2014-10-30 |
| US10319571B2 (en) | 2019-06-11 |
| KR20140128356A (ko) | 2014-11-05 |
| US20150129422A1 (en) | 2015-05-14 |
| US20190259589A1 (en) | 2019-08-22 |
| US10943773B2 (en) | 2021-03-09 |
| TWI579243B (zh) | 2017-04-21 |
| TW201420510A (zh) | 2014-06-01 |
| KR101638270B1 (ko) | 2016-07-08 |
| JPWO2014021139A1 (ja) | 2016-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10943773B2 (en) | Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target | |
| JP6479788B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP4907708B2 (ja) | 高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ｒｕ粉末の製造方法 | |
| JP4885065B2 (ja) | スッパタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法 | |
| JP2024087083A (ja) | タングステンスパッタリングターゲット | |
| JP6262332B2 (ja) | Ａｌ−Ｔｅ−Ｃｕ−Ｚｒ合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2005097697A (ja) | スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| JP4800317B2 (ja) | 高純度Ｒｕ合金ターゲット及びその製造方法並びにスパッタ膜 | |
| WO2003016585A1 (fr) | Cible de tungstene fritte destinee a la pulverisation et procede de preparation associe | |
| JP2013082998A (ja) | ＭｏＴｉターゲット材およびその製造方法 | |
| JP2005171389A (ja) | スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法 | |
| JP6652276B2 (ja) | Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット | |
| JP5886473B2 (ja) | Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット | |
| US20140360870A1 (en) | Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide | |
| JP5787274B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｔａ系スパッタリングターゲット材の製造方法およびＦｅ−Ｃｏ−Ｔａ系スパッタリングターゲット材 | |
| JP6971901B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| US20050118052A1 (en) | Stabilized grain size refractory metal powder metallurgy mill products | |
| EP3170916B1 (en) | Sputterring target comprising al-te-cu-zr-based alloy and method of manufacturing the same | |
| KR101960206B1 (ko) | 텅스텐 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
| JP2016180145A (ja) | スパッタリング用Ｂｉ−Ｇｅターゲット及びその製造方法 | |
| AU2003207637A1 (en) | Stabilized grain size refractory metal powder metallurgy mill products |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5706035 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |