JP5903497B2 - 低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金 - Google Patents
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Description
最近の半導体装置等は、高密度化及び動作電圧やセルの容量が低下しているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきた。このようなことから、前記はんだ材料の高純度化の要求があり、またα線の少ない材料が求められている。
しかしながら、錫・ビスマス合金の材料を選択した場合には、錫とビスマスの双方について、α線量を低下させることが必要である。従来、錫や鉛については、低α化する技術が開示されているが、ビスマスについては、低α化の研究がなされていないのが現状である。
しかし、この場合、錫に添加した後で、Pbをさらに除去しなければならないという煩雑な工程が必要であり、また錫を精錬した3年後にはα線量が大きく低下した数値を示しているが、3年を経ないとこのα線量が低下した錫を使用できないというようにも理解されるので、産業的には効率が良い方法とは言えない。
しかし、このような材料の添加によっても放射線α粒子のカウント数を減少できたのは0.015cph/cm2レベルであり、今日の半導体装置用材料としては期待できるレベルには達していない。
さらに問題となるのは、添加する材料としてアルカリ金属元素、遷移金属元素、重金属元素など、半導体に混入しては好ましくない元素が用いられていることである。したがって、半導体装置組立て用材料としてはレベルが低い材料と言わざるを得ない。
これらはいずれも、放射線α粒子のカウント数の許容量が緩やかで、今日の半導体装置用材料としては期待できるレベルには達していない問題がある。
製造工程でのα線の発生は、この210Poから鉛の同位体206Pbへの壊変時と考えられたからである。しかし、実際には、製造時にPoが殆ど消失したと考えられていたのに、引き続きα線の発生が見られた。したがって、単に製造初期の段階で、高純度錫のα線カウント数を低減させるだけでは、根本的な問題の解決とは言えなかった。
特許文献12は、錫−ビスマス合金めっき用硫酸錫塩及び硫酸ビスマス塩の電解製造方法に関し、陽極と陰極をアニオン交換膜か又はアニオン交換膜及びカチオン交換膜で分離した電解槽を使用し、電解液として硫酸溶液を使用し、陽極として錫又はビスマスを使用し、しかして直流電圧を陽極と陰極に印加して硫酸電解液中に錫又はビスマスを溶解させることからなり、かつ得られた錫及びビスマス塩を用いてめっきした皮膜の放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満であることを特徴とする錫−ビスマス合金めっき用の硫酸錫塩又は硫酸ビスマス塩の電解製造法が開示されている。
しかし、この塩酸浴を使用したビスマスの電解精製法は、鉛の除去という意味では有効であるが、塩酸濃度が高い浴を使用するために設備の腐食があるという問題がある。
また、下記特許文献18には、硝酸ビスマスの結晶を硝酸水溶液に溶解させた市販品を購入し、この溶液の硝酸濃度を低下させてオキシ硝酸ビスマスとα線放出核種を共沈させ、これによりα線放出核種を除去するという技術が開示されている。しかし、ビスマスも消失するので、効率の悪さを必然的に伴うために生産効率が悪いという問題が存在する。
1)α線量が0.01cph/cm2以下であることを特徴とするビスマス。
2)Pb含有量が1ppm以下であることを特徴とする上記1)記載のビスマス。
3)U、Thの含有量が、それぞれ5ppb以下であることを特徴とする上記1)又は2)記載のビスマス。
4)上記1)〜3)のいずれか一項に記載のビスマスと、α線量が0.01cph/cm2以下である錫との合金であることを特徴とする低α線ビスマス−錫合金。
5)錫の含有量が40質量%以上55質量%以下であることを特徴とする上記4)記載の低α線ビスマス−錫合金。
7)電解精製によって得たビスマスを水素還元溶解又は真空溶解することを特徴とする上記6)記載の低α線ビスマスの製造方法。
9)上記6)又は7)に記載の製造方法により得られたPb含有量が1ppm以下であることを特徴とする低α線ビスマス。
10)上記6)又は7)に記載の製造方法により得られたU、Thの含有量が、それぞれ5ppb以下であることを特徴とする低α線ビスマス。
11)上記6)又は7)に記載製造方法により得られたビスマスと、α線量が0.01cph/cm2以下である錫との合金であることを特徴とする低α線ビスマス−錫合金。
12)錫の含有量が40質量%以上55質量%以下であることを特徴とする上記11)記載の低α線ビスマス−錫合金。
半導体用Pbフリーはんだ材料は、ビスマス及びビスマス−錫合金等の低αの材料が求められているが、ビスマス及びビスマス−錫合金等中の微量の鉛を完全に除去することは非常に困難であり、通常半導体用の錫材料には10ppmレベル以上の鉛が含有されている。
しかし、ポロニウムの同位体210Poが殆どない状態において、210Pb→210Bi→210Po→206Pbの崩壊が起こる。そして、この崩壊チェーンが平衡状態になるには約27ヶ月(2年強)を要することが分かった(図2参照)。
従って、製品製造直後はα線量が低くても問題は解決せず、時間の経過とともに徐々にα線量が高くなり、ソフトエラーが起こる危険性が高まるという問題が生ずるのである。前記約27ヶ月(2年強)は、決して短い期間ではない。
また、鉛の同位体206Pbの存在比が少ないということは、図1に示すU崩壊チェーンの比率が相対的に小さいということであり、この系列に属する鉛の同位体210Pbも少なくなると考えられる。
通常、例えば錫の場合は溶解・鋳造直後はα線量が低く、時間の経過と共にα線量が増加する。しかし、ビスマスの場合は溶解・鋳造直後にα線量が高く、時間が経過するとα線量が低くなるが、その後漸増する。検討した結果、α線放射に関与するビスマス同位体は半減期が非常に長いか、非常に短く、これらビスマス同位体がα線量に及ぼす影響は小さいことが分かった。
209Bi以外でα線放射に関与する同位体の中で最も半減期が長いのは、210Biで半減期は5日である(図1参照)。他のα線放射に関与する同位体211Bi、212Bi、214Biは半減期がそれぞれ2分、61分、20分と非常に短く、これらの娘核種、孫核種も同様に半減期が非常に短いので、実用上無害である。
このようにして得た本願発明の高純度ビスマスは、半導体装置のα線の影響によるソフトエラーの発生を著しく減少できるという優れた効果を有する。
電解液温度は20°C前後が望ましい。電解温度が高すぎると電解液にBiが化学的に溶解しやすくなり、Biの濃度管理が困難になり、電解温度が低すぎると、電気抵抗が増加する。
カソード電流密度は大き過ぎると精製効果が悪くなる、すなわち、Pbなどの不純物が除去しきれず残存する。また、カソード電流密度が高いとアノード表面が不動態化する、電着物がデンドライト状に成長するといった現象が起こるため、1A/dm2以下が好ましい。電流密度の下限値は特に制限はないが、余り低いと生産性が低下するので、0.1A/dm2以上とするのが良い。
なお、ビスマスを含有する合金については、ビスマス−錫合金、さらに添加元素として、Ag、Ni、Ge等を微量添加した合金も含まれる。本願発明は、これらの合金を包含するものである。
(硝酸浴でのビスマス電解精製試験)
硝酸浴中にビスマス(α線放出量0.05〜0.06cph/cm2、Pb含有量0.1〜1ppm)を電解溶解し、電解液を作製した。表1に示す条件で、硝酸ビスマス電解精製浴を建浴し、各浴で本発明の実施例1〜6および比較例1〜3の電解精製を実施した。
回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。電解後のカソードを図5に、電解後のアノードを図6に示す。
電解条件の詳細と電解精製中のアノード不動態化の有無、電解精製後のBi中Pb含有量の結果を、表1に示す。
表1に示すように、pH:0.03、Bi濃度:30.1g/L、電流密度:0.26A/dm2で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、電解精製後のBi中Pb含有量は、0.1ppm未満となった。
表1に示すように、pH:0.13、Bi濃度:23.6g/L、電流密度:0.87A/dm2で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、電解精製後のBi中Pb含有量は、0.1ppm未満となった。
表1に示すように、pH:0.31、Bi濃度:15.8g/L、電流密度:1.0A/dm2で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、電解精製後のBi中Pb含有量は、0.1ppm未満となった。
表1に示すように、pH:0.33、Bi濃度:9.3g/L、電流密度:0.59A/dm2で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、電解精製後のBi中Pb含有量は、0.1ppm未満となった。
表1に示すように、pH:0.27、Bi濃度:8.8g/L、電流密度:1.0A/dm2で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、電解精製後のBi中Pb含有量は、0.1ppm未満となった。
表1に示すように、pH:0.01、Bi濃度:49.8g/L、電流密度:0.50A/dm2で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、電解精製後のBi中Pb含有量は、0.1ppm未満となった。
表1に示すように、pH:0.14、Bi濃度:47.6g/L、電流密度:2.0A/dm2で実施した。この結果、電解精製後のBi中Pb含有量は0.1ppm未満となったが、アノードが不動態化した。
表1に示すように、pH:0.17、Bi濃度:58.7g/L、電流密度:0.50A/dm2で実施した。この結果、電解精製後のBi中Pb含有量は0.1ppm未満となったが、アノードが不動態化した。
表1に示すように、pH:0.43、Bi濃度:16.8g/L、電流密度:0.30A/dm2で実施した。この結果、電解精製後のBi中Pb含有量は0.1ppm未満となったが、アノードが不動態化した。
つぎに、電解精製後に回収した電着ビスマスを洗浄・乾燥し、320°Cで溶解・鋳造し、試料サイズを310mm×310mm、厚さ約1.5mmのビスマスのインゴットを作製し、α線測定試料とした。この試料中のPb含有量<0.05ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbであった。
下記の表2に示すように、Bi濃度:23.5g/L、pH:0.21、電流密度:0.5A/dm2、アノード:Bi(東邦亜鉛社製4N)、カソード:Ti板、電解温度:室温、で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、α線放出量:0.007cph/cm2であった。
下記の表2に示すように、Bi濃度:26.1g/L、pH:0.25、電流密度:1.0A/dm2、アノード:Bi(東邦亜鉛社製4N)、カソード:Ti板、電解温度:室温、で実施した。この結果、アノードの不動態化はなく、α線放出量:0.013cph/cm2であった。
下記の表2に示すように、Bi濃度:70.5g/L、pH:0.04、電流密度:1.0A/dm2、アノード:Bi(東邦亜鉛社製4N)、カソード:Ti板、電解温度:室温で、実施した。この結果、α線放出量:0.021cph/cm2であった。このように、比較例4のα線量は、実施例7の3倍程度あり、またアノードの不動態化があり、電解精製が十分に機能していないことがわかる。
前記実施例8の試料(α線放出量:0.013cph/cm2)について、真空溶解を実施した。下記表3に、その結果を示す。ロータリーポンプで炉内を減圧しながら、320℃で溶解を5時間行った。この結果、表面のα線量は0.008cph/cm2となり、本願発明の表面のα線量である0.01cph/cm2以下を達成した。
前記実施例8の試料(α線放出量:0.013cph/cm2)について、真空溶解を実施した。下記表3に、その結果を示す。ロータリーポンプで炉内を減圧しながら、420℃で溶解を5時間行った。この結果、表面のα線量は0.006cph/cm2となり、本願発明の表面のα線量である0.01cph/cm2以下を達成した。
Claims (2)
- ビスマス濃度5〜50g/L、pH0.0〜0.4の硝酸溶液にチタン製のカソードおよびビスマスアノードを挿入し、カソード電流密度0.1〜1 A/dm2で電解精製を行うことを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。
- 電解精製によって得たビスマスを水素還元溶解又は真空溶解することを特徴とする請求項1記載の低α線ビスマスの製造方法。
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