JP3568676B2 - 半導体装置、回路基板及び電子回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ接合法により半導体装置を回路基板等に接合する技術に係り、特に、フリップチップ接合法に適した半導体装置、回路基板及び電子回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、LSIの端子パッドは、素子を配置した領域の外周部に形成されていた。素子と端子とを接合する代表的な接合方法としては、ワイヤボンディング法が主に用いられていた。
しかし、近年のLSIの高集積化に伴い、入出力端子数の多端子化、端子間ピッチの微細化が進行し、従来の外周部へのパッド配置では対応しきれない場合が増加している。
【0003】
そこで、このような多端子化に対応するため、素子領域上にアレイ状にパッドを配置し、これをはんだバンプによって回路基板に実装するフリップチップ接合技術が開発されている。
フリップチップ実装では、はんだバンプを用いて直接LSIと基板とを接合することから、信号を高速に伝搬できるという特徴がある。また、はんだバンプは、蒸着法或いはめっき法により形成できることから、端子の微細化に容易に対応できる等の特徴がある。
【0004】
なお、フリップチップ接合に用いるはんだ材料としては、Pb(鉛)を主成分としたPb−Sn系の合金が主に用いられていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
はんだ材料として用いるPbには、214Pb、212Pb、210Pb、208Pb、206Pbの5種類の同位体が含まれている。これら同位体は、U(ウラン)、Th(トリウム)崩壊系列中の中間生成物、或いは最終生成物であり、崩壊の際にHe原子核を放出するα崩壊を伴うことから、はんだ中よりα線が生じることがあった。
【0006】
このため、はんだバンプをLSIの活性領域にアレイ状に配置するフリップチップ実装では、はんだバンプに含まれるPbの同位体及びα崩壊性不純物から発生するα線によってソフトエラーが生ずることがあった。
一方、現在実用化されている最も高集積なCMOSデバイスでは、トランジスタのゲート長が0.5〜0.75μm、ソース−ドレイン間の電源電圧が2.5〜3.0V程度であるが、これらの素子においては、古い鉱山から産出した、α崩壊に関与するU、Th等の不純物含有量が少ないPb(α線量が約1cph/cm2程度)を用いてはんだを構成することによりソフトエラーを低減している。
【0007】
しかしながら、近年のLSIの高集積化に伴いゲート数及び端子数は増加しており、素子から生じる発熱量を抑えるために電源電圧を低く設定する必要がある。これに伴い、N+やP+の拡散層中の最大収集電荷量も低くなる。また、集積度を上げるためにトランジスタのゲート長も微細化が進行している。
このため、今後は電源電圧を2.0V以下に、ゲート長を0.25μm以下に設定することが必須となるが、こうすることにより半導体素子はα線によって発生する擾乱電流に対してセンシティブになるため、ソフトエラーがおこりやすくなる虞がある。
【0008】
電源電圧が0.5V低くなると反転発生率は約2桁高くなり、ゲート長が減少すると収集電荷量も同様に減少することから、素子の微細化に伴いソフトエラー対策を強める必要があり、ソフトエラー率を低減できるはんだ材料が望まれていた。
本発明の目的は、ソフトエラーを低減できるはんだ材料を提供し、更に、これをはんだバンプに用いた半導体装置、回路基板及び電子回路装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、前記半導体素子に接続された電極と、前記電極上に形成されたはんだ合金よりなるはんだバンプとを有する半導体装置において、前記はんだ合金は、Snと、Bi、Sb、Ag及びZnから選択される少なくとも一の元素との合金であることを特徴とする半導体装置によって達成される。このように半導体装置を構成することにより、はんだバンプから発生するα線を減少することができる。これにより、半導体装置のソフトエラー反転率を大幅に低減することができる。
【0010】
また、はんだ合金から発生するα線量を低減することにより、はんだバンプをマトリクス状に配置することができるので、バンプのパッド径、ピッチサイズを微細化する必要もなく、はんだバンプの疲労寿命の低下を防止することができる。
また、半導体装置の微細化・電源電圧の低電圧化が更に進んだ場合にも、ソフトエラーを効果的に防止することができる。
【0011】
また、上記の半導体装置において、前記はんだ合金を構成するSn中に含まれるPbの量が1ppm以下であることが望ましい。このようにPbの含有量を減少することにより、α崩壊する確率を従来の1/10〜1/100以下に低減することができる。従って、ソフトエラー率を大幅に低減することができる。
また、上記の半導体装置において、前記はんだ合金は、前記Snを最多成分として含有することが望ましい。
【0012】
また、上記の半導体装置において、前記半導体基板が前記はんだバンプによってフリップチップ接合された支持基板と、前記半導体基板を覆うパッケージとを更に有することが望ましい。このように半導体装置を構成すれば、ソフトエラー耐性の強い半導体パッケージを形成することができる。
また、上記の半導体装置において、前記半導体基板と前記支持基板の接合部における前記はんだ合金の形状は、中央部がくびれたウェスト形状であることが望ましい。このように半導体装置を構成すれば、電極にかかる応力を分散することができるので、はんだの疲労寿命の低下を防止することができる。
【0013】
また、支持基板と、前記支持基板上に形成された電極と、前記電極上に形成された上記のはんだバンプとを有することを特徴とする回路基板によっても達成される。このように回路基板を構成することにより、回路基板上に半導体装置を搭載した場合のソフトエラー発生を低減することができる。
また、回路基板と、前記回路基板の表面にフリップチップ接合された上記の半導体装置とを有することを特徴とする電子回路装置によっても達成される。このように電子回路装置を構成すればソフトエラーによる半導体装置の誤動作等を減少できるので、電子回路装置の信頼性を高めることができる。
【0014】
また、上記の電子回路装置において、前記半導体装置と前記回路基板の接合部における前記はんだ合金の形状は、中央部がくびれたウェスト形状であることが望ましい。このように半導体装置を構成すれば、電極にかかる応力を分散することができるので、接合部の疲労寿命の低下を防止することができる。これにより、電子回路装置の信頼性を向上することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の第1実施形態による半導体装置について図1及び図2を用いて説明する。
図1は本実施形態による半導体装置の構造を示す概略図、図2は本実施形態の変形例による半導体装置の構造を示す概略断面図である。
【0016】
従来より、α線によるソフトエラーを防止する方法としては、チップ表面にα線遮蔽効果のあるコーティング剤を塗布する方法、LSI上のバンプのレイアウトを変えてα線源と素子までの距離を大きくする方法、誤り訂正などのシステム的な保護手段を設ける方法、はんだ材料に含まれるα線源となる不純物量を低減する方法、などが用いられていた。
【0017】
従来のCMOSデバイスでは、α線源と活性領域までの距離が極力離れるようバンプを配置し、ソフトエラー反転の防止を行ってきた。しかし、今後ますます集積度が高くなると素子上にもはんだバンプを配置する必要が生じる。
また、バンプのレイアウト変更によるα線防止を行うと、バンプのパッド径、ピッチサイズを更に微細化する必要があるが、この場合においても繰り返しかかる応力による疲労寿命を十分確保する必要がある。
【0018】
これらの方法に対し、はんだ材料に含まれるα線源を低減する方法は非常に有効である。
しかし、従来用いられていたSn−Pb系はんだにおいては、α崩壊に関与するPbの同位体を除去することは通常の化学処理等では不可能であり、材料コストの面から好ましくなかった。
【0019】
そこで、本願発明者等は、ソフトエラーを低減する手段として、従来のPbの代わりにα崩壊に関与しない材料を用いてはんだを構成することを考えた。具体的には、Bi(ビスマス)、又は、Pbより原子番号が小さい元素で構成される、Sn(錫)をベースにしたはんだを用いることに思い至った。
すなわち、原子番号がPbの81より小さい元素においては、U、Thなどの崩壊系列に関わる元素が存在しないため、α崩壊が発生しないためα線が生じることがないからである。また、Biについては、U、Th等の崩壊系列に同位体が存在するものの、その半減期が19.9分と短く、その同位体の存在比も少ないため、高純度化が容易だからである。
【0020】
この場合、各元素に不純物として崩壊系列にかかわる元素が含有されていても、Pbの場合の同位体除去に比べて材料の高純度化は比較的容易であり、材料コストを安くすることができる。
なお、原子番号がPbの81より小さい元素としては、例えばSb(アンチモン)、Ag(銀)、Zn(亜鉛)などを用いることができる。
【0021】
更に、本願発明者は、はんだの構成元素については、Pb含有量をそれぞれ低減することが重要であることを見いだした。
例えば、従来より用いられているSn−Sb系はんだは少量のα線を放出するが、Sn−Sbはんだ中からα崩壊に関与するUやThを可能な限り除去しても、α線量を十分に低減することはできなかった。
【0022】
この原因について本願発明者等が調査した結果、Sn中に不純物として含まれるPbの同位体(特に、半減期の短い214Pb、212Pb、210Pb)のα崩壊によりα線が発生していることを見いだした。そこで、Sn中の含有Pb量を減少したところ、α線量を低減できることが判った。すなわち、Pb濃度を1ppm以下に抑えることにより、α崩壊する確率を従来の1/10〜1/100以下に低減することができた。
【0023】
次に、上記のはんだをはんだバンプとして用いた半導体装置を構成し、ソフトエラー耐性について評価を行った結果について示す。
まず、p型のシリコン基板上に、通常のMOSトランジスタの製造プロセスにより、n型MOSトランジスタ及びp型MOSトランジスタにより構成されるCMOSデバイスを形成した。
【0024】
次いで、CMOSデバイスを形成したシリコン基板上に、膜厚約500nmの絶縁層を介して、膜厚約1μmのAl(アルミ)よりなる配線層と、膜厚約100nmのTi(チタン)膜と、膜厚約200nmのNi(ニッケル)膜と、膜厚約200nmのAu(金)膜よりなるパッド電極を形成した。
こうして、半導体素子が形成され、その表面にマトリクス状にパッド電極が形成された半導体基板10を形成した。
【0025】
続いて、表1に示す種々のはんだ合金を用い、半導体基板10のパッド電極上にめっき法及びはんだボールによってはんだバンプ12を形成し、半導体装置14を形成した(図1(a))。なお、はんだ合金を構成するSn原料には、Pbの含有不純物濃度が1ppm以下のものを用いた。
この後、このように形成した半導体装置14の表面にフラックスを塗布し、コンベア炉内でAlNよりなる回路基板16上にフリップチップ接合した(図1(b))。このとき、はんだバンプ12の径は100μmであり、はんだバンプ12間のピッチは210μmであった。
【0026】
このように回路基板16上に搭載した半導体装置14についてソフトエラー反転率を測定した。なお、ソフトエラー反転率は、Po(ポロニウム)標準試料(放射線量:8.0×10−3Bq)を用いてα線を半導体装置14に対し発生させ、テスターにより測定した。また、はんだ材料中のα線量はα−トラック法によって測定した。
【0027】
その結果、表1に示すように、Pbの代わりに、Bi又はPbより原子番号が小さい元素で構成される、Snをベースにしたはんだを用いることにより(実施例1乃至実施例16)、ソフトエラー反転率は10−2fit/bit以下の値を得ることができた。すなわち、比較例1、2に示した従来のPb−5wt%Snはんだと比較して、2桁以上低いソフトエラー反転率を達成することができた。
【0028】
【表1】
従って、このようなはんだ合金を用いてフリップチップ接合用のはんだバンプを形成すれば、半導体装置のソフトエラー反転率を大幅に低減することができる。
また、はんだ合金から発生するα線量を低減することにより、はんだバンプをマトリクス状に配置することができるので、バンプのパッド径、ピッチサイズを微細化する必要もなく、はんだバンプの疲労寿命の低下を防止することができる。
【0029】
また、半導体装置の微細化・電源電圧の低電圧化が更に進んだ場合にも、ソフトエラーを効果的に防止することができる。
なお、上記実施形態では、半導体装置を回路基板上に接合する場合について説明したが、半導体装置は他の基板に接合してもよい。
例えば、図2に示すように、基板18上に接合された半導体装置14にキャップ20をかぶせ、半導体パッケージ22を形成してもよい。また、回路基板上に半導体装置を接合し、マルチチップモジュールを形成してもよい。
【0030】
また、上記実施形態において、はんだ合金を構成する際には、はんだ合金中の最多成分がSnとなるようにすることが効果的である。
次に、本発明の第2実施形態による半導体装置について図3乃至図6を用いて説明する。
図3はSn−Sb系はんだの引っ張り強度とSb添加量との関係を示すグラフ、図4ははんだバンプの形状による問題を説明する図、図5は本実施形態による半導体装置の構造を示す概略図、図6は本実施形態において疲労寿命試験を行った手順を示す図である。
【0031】
第1実施形態におけるSn系はんだを用いてフリップチップ接合用のはんだバンプを形成すれば、半導体装置のソフトエラー反転率を大幅に低減することができる。
しかしながら、上記のSn系はんだは、その硬度がSn−Pb系はんだと比較して硬い。例えば、Sn−Sb系はんだでは、図3に示すように、その引っ張り強度は7〜15kgf/mm2であり、Sn−Pb系はんだの3.5kgf/mm2よりも大きい。
【0032】
このため、例えば、図4に示すようなはんだバンプ12を用いてはんだ接合を行うと、接合の際に電極24、26に応力が集中し、疲労寿命の低下をもたらすことが懸念される。
本実施形態では、接合の際に電極に応力が集中しない半導体装置の構造について示す。
【0033】
本実施形態による半導体装置は、接合後のはんだ合金の形状が、その中央部がくびれたウェスト形状となるように構成していることに特徴がある。
すなわち、半導体基板10に形成された電極24上には、その上部ほど細くなるように形成されたはんだバンプ12が形成されている。一方、半導体装置14を搭載する回路基板16上の電極26上にも、その上部ほど細くなるように形成されたはんだバンプ12が形成されている。また、回路基板16には更に、接合する半導体基板10と回路基板16との距離を所定の値にするためのスタッドバンプ28が形成されている。
【0034】
このようにして形成された半導体装置14を回路基板16に接合すると、半導体装置14のはんだバンプ12と、回路基板16のはんだバンプ12とにより、その中央部がくびれたはんだ合金による接合30が形成される。半導体装置14と回路基板16との間の間隔は、スタッドバンプ28により所望の距離に制御されている。
【0035】
このようなはんだバンプ12を有する半導体装置14及び回路基板16を構成することにより、接合の際に電極24、26に与える応力集中を軽減することができるので、上記のSn系はんだを用いてフリップチップ接合を行った場合にも、はんだ接合部の疲労寿命の低下を抑制することができる。
次に、本実施形態による半導体装置について疲労寿命評価を行った結果を図6を用いて説明する。
【0036】
まず、疲労寿命評価用のサンプルとして、電極24をマトリクス状に配置した13mm角の半導体基板10を作成した。電極24は、膜厚約100nmのTi膜と、膜厚約200nmのNi膜と、膜厚約200nmのAu膜を、スパッタ法により順次堆積した積層膜により形成した。
次いで、はんだ材料中のPb濃度を1ppm以下にしたSn−5wt%Sb合金をはんだ合金として用い、回路基板16の電極26上及び半導体基板10の電極24上にはんだバンプ12を形成した。また、回路基板16上の四隅には、Auよりなるスタッドバンプ28を形成した。スタッドバンプの高さは、接合後のはんだバンプの高さが120μmとなるように調整した。
【0037】
はんだバンプは、図6(a)に示すように、メタルマスク32により半導体基板10を覆った後、はんだ合金12を蒸着することにより形成した。このようにしてはんだバンプ12を形成することにより、その上部ほど細い形状のはんだバンプ12を形成することができる(図6(b))。
このようにして、はんだバンプ12が半導体基板10上に形成された半導体装置を形成した。
【0038】
続いて、表面にフラックスを塗布した後、半導体装置14と回路基板16の位置合わせを行い(図6(c))、コンベア炉中でリフローを行うことにより半導体装置14と回路基板16とのフリップチップ接合を行った(図6(d))。
このようにして接合した接合30は、その径が約100μm、バンプ間のピッチが210μm、バンプ高さが120μmのウェスト形状であった。
【0039】
この後、このように形成したフリップチップ接合体を−65〜125℃の熱衝撃試験を行った結果、100サイクルの試験をクリアすることができ、Pb−5wt%Snはんだと同程度の疲労寿命を有していることが判った。
このように、本実施形態によれば、第1実施形態におけるSn系はんだを用い、接合後のはんだバンプの形状が、その中央部がくびれたウェスト形状となるように構成したので、接合の際に電極に応力が集中することを抑制することができる。これにより、Pb−Sn系はんだと同等の疲労寿命を確保することができる。
【0040】
また、本実施形態では、回路基板16上の電極26にも第1実施形態による半導体装置に用いたはんだ合金を適用しているので、半導体装置が回路基板に搭載された電子回路装置の信頼性をも高めることができる。
なお、上記実施形態では、半導体装置を回路基板に搭載する場合について説明したが、図2に示す半導体パッケージを形成する際にも適用することができる。すなわち、半導体装置14を基板18に接合する際に、図6に示す方法により行うことができる。
【0041】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、上記目的は、半導体素子が形成された半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、半導体素子に接続された電極と、電極上に形成されたはんだ合金よりなるはんだバンプとを有する半導体装置において、はんだ合金として、Snと、Bi、Sb、Ag及びZnから選択される少なくとも一の元素との合金を用いるので、はんだバンプから発生するα線を低減することができる。これにより、半導体装置のソフトエラー反転率を大幅に低減することができる。
【0042】
また、はんだ合金から発生するα線量を低減することにより、はんだバンプをマトリクス状に配置することができるので、バンプのパッド径、ピッチサイズを微細化する必要もなく、はんだバンプの疲労寿命の低下を防止することができる。
また、半導体装置の微細化・電源電圧の低電圧化が更に進んだ場合にも、ソフトエラーを効果的に防止することができる。
【0043】
また、上記の半導体装置において、はんだ合金を構成するSn中に含まれるPbの量を1ppm以下にすれば、α崩壊する確率を従来の1/10〜1/100以下に低減することができる。これにより、ソフトエラー率を低減することができる。
また、上記の半導体装置において、はんだ合金はSnを最多成分として含有することが望ましい。
【0044】
また、上記の半導体装置において、半導体基板がはんだバンプによってフリップチップ接合された支持基板と、半導体基板を覆うパッケージとを更に設ければ、ソフトエラー耐性の強い半導体パッケージを形成することができる。
また、上記の半導体装置において、半導体基板と支持基板の接合部におけるはんだ合金の形状を、中央部がくびれたウェスト形状にすれば、電極にかかる応力を分散することができるので、はんだの疲労寿命の低下を防止することができる。
【0045】
また、支持基板と、支持基板上に形成された電極と、電極上に形成された上記のはんだバンプとにより回路基板を構成するので、この回路基板上に半導体装置を搭載した場合のソフトエラー発生を低減することができる。
また、回路基板と、回路基板の表面にフリップチップ接合された上記の半導体装置とにより電子回路装置を構成すれば、ソフトエラーによる半導体装置の誤動作等を減少できるので、電子回路装置の信頼性を高めることができる。
【0046】
また、上記の電子回路装置において、半導体装置と回路基板の接合部におけるはんだ合金の形状を、中央部がくびれたウェスト形状にすれば、電極にかかる応力を分散することができるので、はんだの疲労寿命の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態による半導体装置の構造を示す概略図である。
【図2】本発明の第1実施形態の変形例による半導体装置の構造を示す概略断面図である。
【図3】Sn−Sb系はんだの引っ張り強度とSb添加量との関係を示すグラフである。
【図4】はんだバンプの形状による問題を説明する図である。
【図5】本発明の第2実施形態による半導体装置の構造を示す概略図である。
【図6】本発明の第2実施形態において疲労寿命試験を行った手順を示す図である。
【符号の説明】
10…半導体素子
12…はんだバンプ
14…半導体装置
16…回路基板
18…基板
20…キャップ
22…半導体パッケージ
24…電極
26…電極
28…スタッドバンプ
30…接合
32…メタルマスク
Claims (8)
- 半導体素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、前記半導体素子に接続された電極と、
前記電極上に形成されたはんだ合金よりなるはんだバンプとを有する半導体装置において、
前記はんだ合金は、Snと、Bi、Sb、Ag及びZnから選択される少なくとも一の元素との合金である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記はんだ合金を構成するSn中に含まれるPbの量が1ppm以下である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記はんだ合金は、前記Snを最多成分として含有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板が前記はんだバンプによってフリップチップ接合された支持基板と、
前記半導体基板を覆うパッケージと
を更に有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記半導体基板と前記支持基板の接合部における前記はんだ合金の形状は、中央部がくびれたウェスト形状である
ことを特徴とする半導体装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に形成された電極と、
前記電極上に形成された請求項1乃至3のいずれかに記載のはんだバンプと
を有することを特徴とする回路基板。 - 回路基板と、
前記回路基板の表面にフリップチップ接合された請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置と
を有することを特徴とする電子回路装置。 - 請求項7記載の電子回路装置において、
前記半導体装置と前記回路基板の接合部における前記はんだ合金の形状は、中央部がくびれたウェスト形状である
ことを特徴とする電子回路装置。
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