JP4130508B2 - 半田接合方法及び電子装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田接合方法並びに電子装置及びその製造方法に係り、特にＳｎを主成分とする半田材料を用いた半田接合方法並びに電子装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高速動作の観点から、配線長を短縮する技術が求められている。そこで注目されているのが、フリップチップ接合（Flip Chip Bonding）技術、即ち、半導体チップ上に形成された半田バンプを、電極が形成された回路基板上に載置し、熱を加えることにより半田バンプを溶解して接続する技術である。
【０００３】
従来のフリップチップ技術を用いた半田接合方法について、図４を用いて説明する。
【０００４】
まず、所定の素子が形成された半導体基板１１０上に、Ａｌ膜１１１、Ｔｉ膜１１２、Ｎｉ膜１１３、Ａｕ膜１１４より成る電極１１６を形成し、電極１１６上に半田バンプ１１８を形成する。
【０００５】
一方、所定の回路が形成されたアルミナ基板１２０上に、Ｃｒ膜１２２、Ｃｕ膜１２４、Ｎｉ膜１２６、及びＡｕ膜１２８よりなる電極１３０を形成する。こうして、上面に電極１３０が形成された回路基板１３２が形成される。
【０００６】
この後、半導体基板１１０側の半田バンプ１１８を回路基板１２０側の電極１３０と位置合わせし、加熱することによりフリップチップ接合する。このようなフリップチップ接合技術を用いれば、リード線を用いて接続する必要がないため、配線長を短縮することができる。
【０００７】
従来、フリップチップ接合には、Ｐｂ−Ｓｎ（Ｐｂ：鉛、Ｓｎ：スズ）系の半田材料が広く用いられてきた。しかし、Ｐｂ−Ｓｎ系の半田材料に含まれるＰｂは同位体が存在し、これら同位体はＵ（ウラン）やＴｈ（トリウム）の崩壊系列中の中間生成物又は最終生成物である。ＵやＴｈは、Ｈｅ原子を放出するα崩壊を伴うため、半田材料からα線が生じることとなる。そして、このα線が半導体素子の動作に影響を与え、いわゆるソフトエラーが生じてしまうことがあった。また、Ｐｂが土壌に流出した場合、酸性雨によりＰｂが溶解され、環境に悪影響を及ぼす場合があり、環境問題の面からもＰｂを主成分としない半田材料を用いることが求められていた。
【０００８】
そこで、Ｐｂ−Ｓｎ系の半田材料に代わる半田材料として、Ｓｎを主成分とする半田材料が注目されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Ｓｎを主成分とする半田材料を半田バンプに用いた場合には、電極１１６、１３０中のＮｉやＣｕが半田バンプ１１８中のＳｎと反応しやすいため、フリップチップ接合の際に加わる熱によりＮｉ−ＳｎやＣｕ−Ｓｎ等の金属化合物等が生成される。ＮｉがＳｎと反応してＮｉ膜１１３が消失した場合には、例えばＴｉ膜１１２等と半田バンプ１１８とは互いになじみにくい材料より成るため、半田バンプ１１８と電極１１６、１３０との間で良好な接合状態を得ることが困難となる。また、熱サイクル試験等の信頼性試験を行った場合にも、接合不良や導通不良等が生じ、高い信頼性は得られない。
【００１０】
本発明の目的は、Ｓｎを主成分とした半田材料を用いた場合であっても、良好な接合状態を得ることができる半田接合方法並びに電子装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、第１の電極と、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する半田接合方法であって、前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、ＮｉとＰとを含む合金層、ＮｉとＢとを含む合金層、又はＮｉとＷとＰとを含む合金層より成る金属層を有し、前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有することを特徴とする半田接合方法により達成される。これにより、Ｐ等の不純物が含まれた合金層より成る金属層を用いるので、金属層中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。従って、良好な接合状態を得ることができる。
【００１３】
また、上記目的は、第１の電極と、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する半田接合方法であって、前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、Ｎｉを主成分とする金属層を有し、前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有することを特徴とする半田接合方法により達成される。これにより、熱処理を行うことにより金属層を結晶化することができるので、金属層中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。
【００１４】
また、上記の半田接合方法において、前記金属層は、無電解めっき法により形成されていることが望ましい。これにより、無電解めっき法により金属膜を形成するので、簡便な工程で電子装置等を製造することができる。
【００１６】
また、上記目的は、第１の基板上に形成された第１の電極と、第２の基板上に形成され、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する電子装置の製造方法であって、前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、ＮｉとＰとを含む合金層、ＮｉとＢとを含む合金層、又はＮｉとＷとＰとを含む合金層より成る金属層を有し、前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法により達成される。これにより、Ｐ等の不純物が含まれた合金層より成る金属層を用いるので、金属層中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。従って、良好な接合状態を有する電子装置の製造方法を提供することができる。
【００１８】
また、上記目的は、第１の基板上に形成された第１の電極と、第２の基板上に形成され、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する電子装置の製造方法であって、前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、Ｎｉを主成分とする金属層を有し、前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法により達成される。これにより、熱処理を行うことにより金属層を結晶化することができるので、金属層中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。
【００１９】
また、上記の電子装置の製造方法において、前記金属層を無電解めっき法により形成することが望ましい。これにより、無電解めっき法により金属膜を形成するので、簡便な工程で電子装置を製造することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半田接合方法を図１を用いて説明する。図１は、本実施形態による半田接合方法を示す断面図である。
【００２１】
まず、所定の半導体素子が形成されたシリコン基板より成る半導体基板１０を用意する。次に、半導体基板１０上に、スパッタ法により膜厚１００ｎｍのＴｉ膜１２を形成する。この後、Ｔｉ膜１２を電極１６の平面形状にパターニングする。電極１６の平面形状は例えば直径７０乃至１００μｍとし、隣接する電極（図示せず）との間のピッチは例えば１５０乃至２１０μｍとする。
【００２２】
次に、無電解めっき法により、Ｔｉ膜１２上に、ＮｉとＰ（リン）とを含むめっき膜１４を形成する。めっき膜１４の厚さは例えば６μｍとし、めっき膜１４中のＰの含有率は、例えば５〜２０ｗｔ％とすることができる。めっき膜１４中にＰを含ませているのは、めっき膜１４中のＮｉが半田バンプ１８中のＳｎと結合してしまうのを抑制するためである。なお、めっき膜１４中のＰの含有率は、５〜２０ｗｔ％に限定されるものではなく、所望の半田接合状態が得られるよう適宜設定することが望ましい。
【００２３】
また、めっき膜１４の膜厚は、フリップチップ接合の際に加わる熱によりめっき膜１４中のＮｉが半田バンプ１８中のＳｎと結合してめっき膜１４の膜厚が薄くなった場合にでも良好な接合状態を維持することができるよう、適宜設定することが望ましい。こうしてＴｉ膜１２及びめっき膜１４より成る電極１６が形成される。
【００２４】
次に、４００〜６００℃、０．５〜２時間程度の熱処理を行うことにより、めっき膜１４を結晶化する。ここで熱処理を行うのは、下記の理由によるものである。即ち、単に無電解めっき法により形成したＮｉ膜より成るめっき膜は、アモルファス（非晶質）状態であり、金属結合力が弱く、しかも、ピンホールが多く生じている。従って、単に無電解めっき法により形成しためっき膜の場合には、フリップチップ接合等により熱が加わると、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合しやすい。無電解めっき法により形成されためっき膜中のＮｉの拡散速度は、Ｎｉ金属板や電解めっき膜法により形成されためっき膜に比べて２〜３倍速い。このため、無電解めっき法により形成されためっき膜では、フリップチップ接合を行うと、Ｎｉ−Ｓｎ系の金属化合物が成長し、ひいてはめっき膜が消失してしまうこととなる。本実施形態では、無電解めっき法により形成しためっき膜１４に熱処理を行うことにより、めっき膜１４を結晶化するので、めっき膜１４中のＮｉが半田バンプ１８中のＳｎと結合してＮｉ−Ｓｎ系の化合物が生成されるのを抑制することができる。しかも、上述したようにめっき膜１４にＰが含まれているので、めっき膜１４中のＮｉが半田バンプ１８中のＳｎと結合するのを更に抑制することができる。また、本実施形態では、めっき膜を無電解めっき法により形成することができるので、電解めっき法等により形成する場合に比べて簡便な工程で形成することが可能となる。
【００２５】
次に、電極１６上に、Ｓｎを主成分とする半田材料を用いて半田バンプ１８を形成する。半田バンプ１８の形成方法としては、例えばＤＰ（Dimple Plate）法等を用いることができる。なお、半田バンプ１８の半田材料中のＰｂの濃度は例えば１ｐｐｍ以下であることが望ましい。また、半田バンプ１８の半田材料から放出されるα線量は、ソフトエラーを防止すべく、例えば０．０１ｃｐｈ／ｃｍ2以下とすることが望ましい。こうして、半導体基板１０の電極１６上に半田バンプ１８が形成された半導体素子１９が形成される。
【００２６】
一方、アルミナ基板２０上に、スパッタ法によりＣｒ膜２２、Ｃｕ膜２４を形成する。この後、Ｃｒ膜２２、及びＣｕ膜２４を電極３０の平面形状にパターニングする。電極３０の平面形状は例えば直径７０乃至１００μｍとし、隣接する電極（図示せず）との間のピッチは例えば１５０乃至２１０μｍとする。
【００２７】
次に、無電解メッキ法により、Ｃｕ膜２４上に、膜厚６μｍのめっき膜２６を形成する。めっき膜２６は、上記めっき膜１４と同様にして形成することができる。次に、フラッシュめっき法により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜２８を形成する。Ａｕ膜２８は、Ｓｎとの反応性が高いため、半田付け性（ぬれ性）の向上に寄与することができる。こうしてＣｒ膜２２、Ｃｕ膜２４、めっき膜２６、及びＡｕ膜より成る電極３０が形成される。こうして、電極３０が形成された回路基板３２が形成されることとなる。
【００２８】
次に、半導体素子１９と回路基板３２との位置合わせを行い、窒素雰囲気中のリフロー炉内でフリップチップ接合を行う。このようにして回路基板３２上に半導体素子１９が実装され、電子装置が製造されることとなる。
【００２９】
（信頼性評価試験結果）
次に、上記のような半田接合方法を用いて製造された電子装置の信頼性評価試験結果を表１及び表２を用いて説明する。表１及び表２は、本実施形態による半田接合方法を用いて製造された電子装置の信頼性評価試験結果を示す表である。
【００３０】
半田バンプ１８の直径は７０〜１００μｍとし、隣接する半田バンプ（図示せず）との間のピッチは１５０〜２１０μｍとした。めっき膜１４、２６の膜厚は、いずれも６μｍとした。
【００３１】
信頼性評価試験は、フリップチップ接合を行った直後の抵抗値を測定し、この後、熱サイクル試験（−５５℃〜１２５℃）を繰り返し、５０サイクルおきに抵抗値を測定することにより行った。なお、表１及び表２において、残存膜厚とは、回路基板３２側のＮｉ系合金のめっき膜の残存膜厚を示している。比較例１乃至４は、いずれもＰ等の不純物を含まないめっき膜を無電解めっき法により形成し、しかも熱処理を行っていない場合を示している。
【００３２】
【表１】
Figure 0004130508
【００３３】
【表２】
Figure 0004130508
【００３４】
表１の比較例１乃至４に示すように、Ｐ等の不純物を含まないめっき膜を無電解めっき法により形成し、めっき膜に熱処理を行っていない場合には、めっき膜の残存膜厚は０〜２μｍ程度と薄くなっており、必ずしも良好な接合状態を維持することはできなかった。接合状態で「可」とは、一応接合はしているものの、接合状態が良好ではないことを示している。
【００３５】
これに対し、表１及び表２の実施例１乃至１６に示すように、Ｐが含まれためっき膜１４、２６を形成し、しかもめっき膜１４、２６に熱処理を行った場合には、めっき膜１４、２６中のＰの含有率が５ｗｔ％、１５ｗｔ％のいずれの場合においても、めっき膜２６の残存膜厚は３μｍ以上となり、良好な接合状態が維持された。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、無電解めっき法により形成したＮｉ膜より成るめっき膜を、熱処理を行うことにより結晶化するので、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができ、良好な接合状態を得ることができる。本実施形態では、無電解めっき法によりめっき膜を形成するため、簡便な工程でめっき膜を形成することができる。
【００３７】
また、本実施形態ではＮｉを主成分とするめっき膜にＰが含まれているため、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。従って、良好な接合状態を得ることができる。
【００３８】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による半田接合方法を図２を用いて説明する。図２は、本実施形態による半田接合方法を示す断面図である。図１に示す第１実施形態による半田接合方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００３９】
本実施形態による半田接合方法は、無電解めっき法により、Ｔｉ膜１２上に、ＮｉとＢ（ボロン）とを含むめっき膜１４ａを形成し、同じく無電解めっき法により、Ｃｕ膜２４上に、ＮｉとＢとを含むめっき膜２６ａを形成することに主な特徴がある。
【００４０】
めっき膜１４ａ、２６ａについては、第１実施形態と同様に熱処理を行う。めっき膜１４ａ、２６ａ中のＢの含有量は、例えば５〜２０ｗｔ％とすることができる。めっき膜１４ａ、２６ａ中にＢが含まれているので、第１実施形態でめっき膜中にＰが含まれているのと同様に、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎに結合するのを抑制することができる。従って、本実施形態でも、第１実施形態と同様に良好な接合状態を有する電子装置を提供することができる。
【００４１】
（信頼性評価試験結果）
次に、上記のような半田接合方法を用いて製造された電子装置の信頼性評価試験結果を表３及び表４を用いて説明する。表３及び表４は、本実施形態による半田接合方法を用いて製造された電子装置の信頼性評価試験結果を示す表である。
【００４２】
第１実施形態と同様に、半田バンプ１８の直径は７０〜１００μｍとし、隣接する半田バンプとの間のピッチは１５０〜２１０μｍとした。また、めっき膜１４ａ、２６ａの膜厚も第１実施形態と同様に６μｍとした。信頼性評価試験の方法も第１実施形態と同様とした。
【００４３】
【表３】
Figure 0004130508
【００４４】
【表４】
Figure 0004130508
【００４５】
表３及び表４の実施例１７乃至３２に示すように、Ｂの含有率が１ｗｔ％、１０ｗｔ％のいずれの場合においても、めっき膜２６ａの残存膜厚は３μｍ以上となり、良好な接合状態が維持された。
【００４６】
このように、本実施形態によれば、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜より成るめっき膜に熱処理が行われており、かかるめっき膜にＢが含まれているため、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。従って、良好な接合状態を有する電子装置を提供することができる。
【００４７】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による半田接合方法を図３を用いて説明する。図３は、本実施形態による半田接合方法を示す断面図である。図１及び図２に示す第１又は第２実施形態による半田接合方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００４８】
本実施形態による半田接合方法は、無電解めっき法により、Ｔｉ膜１２上に、ＮｉとＷ（タングステン）とＰとを含むめっき膜１４ｂを形成し、同じく無電解めっき法により、Ｃｕ膜２４上に、ＮｉとＢとを含むめっき膜２６ｂを形成することに主な特徴がある。
【００４９】
めっき膜１４ｂ、２６ｂについては、第１実施形態と同様に熱処理を行う。めっき膜１４ｂ、２６ｂ中のＷの含有量は、例えば５〜１５ｗｔ％とすることができ、Ｐの含有量は例えば５〜１０ｗｔ％とすることができる。めっき膜１４ｂ、２６ｂにＷやＰが含まれているので、めっき膜１４ｂ、２６ｂ中のＮｉが半田バンプ中のＳｎに結合するのを抑制することができる。従って、本実施形態でも、良好な接合状態を有する電子装置を提供することができる。
【００５０】
（信頼性評価試験結果）
次に、上記のような半田接合方法を用いて製造された電子装置の信頼性評価試験結果を表５及び表６を用いて説明する。表５及び表６は、本実施形態による半田接合方法を用いて製造された電子装置の信頼性評価試験結果を示す表である。
【００５１】
第１実施形態と同様に、半田バンプ１８の直径は７０〜１００μｍとし、隣接する半田バンプとの間のピッチは１５０〜２１０μｍとした。また、めっき膜１４ｂ、２６ｂの膜厚も第１実施形態と同様に６μｍとした。信頼性評価試験の方法も第１実施形態と同様とした。また、Ｐの含有率は、５ｗｔ％とした。
【００５２】
【表５】
Figure 0004130508
【００５３】
【表６】
Figure 0004130508
【００５４】
表５及び表６の実施例３３乃至４８に示すように、Ｗの含有率が５ｗｔ％、１０ｗｔ％のいずれの場合においても、めっき膜の残存膜厚は３μｍ以上となり、良好な接合状態が維持された。
【００５５】
このように、本実施形態によれば、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜より成るめっき膜に熱処理が行われており、しかも、かかるめっき膜中にＷとＰとが含まれているので、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。従って、良好な接合状態を有する電子装置を提供することができる。
【００５６】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００５７】
例えば、めっき膜の厚さは上記実施形態に限定されるものではなく、所望の接合状態が得られるよう適宜設定すればよい。
【００５８】
また、Ｎｉを主成分とするめっき膜中に含まれるＰ、Ｂ、Ｗ等の不純物の含有率は上記実施形態に限定されるものではなく、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを所望の程度で抑制し得るよう、適宜Ｐ、Ｂ、Ｗ等の含有率を設定すればよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、Ｐ等の不純物を含むめっき膜を形成したが、めっき膜に含ませる不純物はＰ等に限定されるものではなく、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制しうるならば他の不純物をめっき膜に含ませてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、熱処理温度を４００〜６００℃、熱処理時間を０．５〜２時間としたが、熱処理温度や熱処理時間はこれに限定されるものではなく、めっき膜が所望の結晶状態を得られるよう適宜設定することができる。
【００６１】
また、上記実施形態では、半田バンプをＤＰ法により形成したが、半田バンプの形成方法はＤＰ法に限定されるものではなく、例えば半田ペーストを用いて半田バンプを形成したり、半田合金を蒸着することにより半田バンプを形成したり、転写することにより半田バンプを形成したりしてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、回路基板と半導体素子とを接合する場合を例に説明したが、半導体素子としては、あらゆる半導体素子、例えばＬＳＩ等の半導体素子を用いることができる。そして、上記の半田接合方法はあらゆる電子装置を製造する場合に適用することができ、例えばマルチチップモジュール等を製造する場合に適用することができる。
【００６３】
また、上記実施形態では、アルミナ基板を用いる場合を例に説明したが、アルミナ基板に限定されるものではなく、例えばガラスエポキシ基板、ＢＴレジン基板等の樹脂基板や、ＡｌＮ基板等あらゆる基板を用いる場合に適用することができる。
【００６４】
また、上記実施形態では、Ｐ等の不純物を含むめっき膜を形成したが、めっき膜を熱処理することによりめっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを所望の程度抑制できるならば、Ｐ等の不純物を含まないめっき膜を形成してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、めっき膜に熱処理を行ったが、Ｐ等の不純物を含ませることによりめっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを所望の程度抑制できるならば、めっき膜に熱処理を行わなくてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、Ｐ等の不純物を含むめっき膜を形成し、更にめっき膜に熱処理を行ったが、めっき膜を十分に厚くすることにより良好な接合状態を維持できるならば、Ｐ等の不純物をめっき膜に含ませなくてもよいし、また熱処理を行わなくてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態では、無電解めっき法を用いてめっき膜を形成したが、無電解めっき法に限定されるものではなく、例えば電解めっき法等他の成膜方法により形成してもよい。
【００６８】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、無電解めっき法により形成したＮｉ膜より成るめっき膜を、熱処理を行うことにより結晶化するので、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができ、良好な接合状態を得ることができる。本実施形態では、無電解めっき法によりめっき膜を形成するため、簡便な工程でめっき膜を形成することができる。
【００６９】
また、本実施形態ではＮｉを主成分とするめっき膜にＰ等の不純物が含まれているため、めっき膜中のＮｉが半田バンプ中のＳｎと結合するのを抑制することができる。従って、良好な接合状態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半田接合方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態による半田接合方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態による半田接合方法を示す断面図である。
【図４】従来の半田接合方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…半導体基板
１２…Ｔｉ膜
１４…めっき膜
１４ａ…めっき膜
１４ｂ…めっき膜
１６…電極
１８…半田バンプ
１９…半導体素子
２０…アルミナ基板
２２…Ｃｒ膜
２４…Ｃｕ膜
２６…めっき膜
２６ａ…めっき膜
２６ｂ…めっき膜
２８…Ａｕ膜
３０…電極
３２…回路基板
１１０…半導体基板
１１１…Ａｌ膜
１１２…Ｔｉ膜
１１３…Ｎｉ膜
１１４…Ａｕ膜
１１６…電極
１１８…半田バンプ
１１９…半導体素子
１２０…アルミナ基板
１２２…Ｃｒ膜
１２４…Ｃｕ膜
１２６…Ｎｉ膜
１２８…Ａｕ膜
１３０…電極
１３２…回路基板

Claims (6)

  1. 第１の電極と、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する半田接合方法であって、
    前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、ＮｉとＰとを含む合金層、ＮｉとＢとを含む合金層、又はＮｉとＷとＰとを含む合金層より成る金属層を有し、
    前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有する
    ことを特徴とする半田接合方法。
  2. 第１の電極と、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する半田接合方法であって、
    前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、Ｎｉを主成分とする金属層を有し、
    前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有する
    ことを特徴とする半田接合方法。
  3. 請求項１又は２記載の半田接合方法において、
    前記金属層は、無電解めっき法により形成されている
    ことを特徴とする半田接合方法。
  4. 第１の基板上に形成された第１の電極と、第２の基板上に形成され、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する電子装置の製造方法であって、
    前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、ＮｉとＰとを含む合金層、ＮｉとＢとを含む合金層、又はＮｉとＷとＰとを含む合金層より成る金属層を有し、
    前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有する
    ことを特徴とする電子装置の製造方法。
  5. 第１の基板上に形成された第１の電極と、第２の基板上に形成され、Ｓｎを主成分とする半田バンプが上面に形成された第２の電極とを半田接合する工程を有する電子装置の製造方法であって、
    前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、Ｎｉを主成分とする金属層を有し、
    前記半田接合する工程の前に、前記金属層を熱処理する工程を更に有する
    ことを特徴とする電子装置の製造方法。
  6. 請求項４又は５記載の電子装置の製造方法において、
    前記金属層を無電解めっき法により形成する
    ことを特徴とする電子装置の製造方法。
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