JP2000077554A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ基板に半導体チップがハンダバン
プによって電気的に接続されている場合、ハンダバンプ
から鉛を全廃でき、しかも高性能なハンダバンプを有す
る半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１とパッケージ基板２と
が、ハンダバンプ３によって電気的に接続されている半
導体装置であって、ハンダバンプ３は、鉛が含まれてい
ない鉛フリーハンダバンプである。
プによって電気的に接続されている場合、ハンダバンプ
から鉛を全廃でき、しかも高性能なハンダバンプを有す
る半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１とパッケージ基板２と
が、ハンダバンプ３によって電気的に接続されている半
導体装置であって、ハンダバンプ３は、鉛が含まれてい
ない鉛フリーハンダバンプである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、パッケージ基板に半導体チップがハンダバン
プによって電気的に接続されている場合、ハンダバンプ
から鉛を全廃でき、しかも高性能なハンダバンプを有す
る半導体装置に関するものである。
し、特に、パッケージ基板に半導体チップがハンダバン
プによって電気的に接続されている場合、ハンダバンプ
から鉛を全廃でき、しかも高性能なハンダバンプを有す
る半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ところで、本発明者は、パッケージ基板
に半導体チップがハンダバンプによって電気的に接続さ
れている半導体装置について検討した。以下は、本発明
者によって検討された技術であり、その概要は次のとお
りである。
に半導体チップがハンダバンプによって電気的に接続さ
れている半導体装置について検討した。以下は、本発明
者によって検討された技術であり、その概要は次のとお
りである。
【０００３】すなわち、最近のＬＳＩ（Large Scale In
tegrated Circuit）などの半導体集積回路装置におい
て、ワークステーションやパソコンなどに使用されてい
る場合、性能の向上と共に多ピン化が必要となってお
り、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）基板からなるパッケー
ジ基板に半導体チップがハンダバンプを用いて電気的に
接続されている構造が採用されている。
tegrated Circuit）などの半導体集積回路装置におい
て、ワークステーションやパソコンなどに使用されてい
る場合、性能の向上と共に多ピン化が必要となってお
り、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）基板からなるパッケー
ジ基板に半導体チップがハンダバンプを用いて電気的に
接続されている構造が採用されている。
【０００４】この場合、ハンダバンプは、鉛（Ｐｂ）と
スズ（Ｓｎ）との合金ハンダ（Ｐｂ：Ｓｎ＝９８wt％：
２wt％）が使用されている。
スズ（Ｓｎ）との合金ハンダ（Ｐｂ：Ｓｎ＝９８wt％：
２wt％）が使用されている。
【０００５】なお、半導体装置におけるパッケージ基板
について記載されている文献としては、例えば「日経エ
レクトロニクス１９９３年８月２日号」ｐ１０４−ｐ１
１８に記載されているものがある。
について記載されている文献としては、例えば「日経エ
レクトロニクス１９９３年８月２日号」ｐ１０４−ｐ１
１８に記載されているものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したハ
ンダバンプは、鉛を含んでいるため柔らかく、パッケー
ジ基板の熱歪みによる応力を吸収しやすいので、半導体
装置の性能および信頼度を向上させているという特徴が
ある。
ンダバンプは、鉛を含んでいるため柔らかく、パッケー
ジ基板の熱歪みによる応力を吸収しやすいので、半導体
装置の性能および信頼度を向上させているという特徴が
ある。
【０００７】しかし一方で、前述したハンダバンプは、
鉛とスズとの合金ハンダを材料としていることにより、
ハンダバンプの廃棄時に取扱いを間違えると、地下水に
鉛が溶出するなどの現象が発生し、人体の健康および環
境に悪影響を及ぼすという問題点が発生している。
鉛とスズとの合金ハンダを材料としていることにより、
ハンダバンプの廃棄時に取扱いを間違えると、地下水に
鉛が溶出するなどの現象が発生し、人体の健康および環
境に悪影響を及ぼすという問題点が発生している。
【０００８】その結果、本発明者は、ハンダバンプにつ
いて、種々の検討を行った。
いて、種々の検討を行った。
【０００９】本発明の目的は、パッケージ基板に半導体
チップがハンダバンプによって電気的に接続されている
場合、ハンダバンプから鉛を全廃でき、しかも高性能な
ハンダバンプを有する半導体装置を提供することにあ
る。
チップがハンダバンプによって電気的に接続されている
場合、ハンダバンプから鉛を全廃でき、しかも高性能な
ハンダバンプを有する半導体装置を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明の半導体装置は、半導体
チップとパッケージ基板とが、ハンダバンプによって電
気的に接続されている半導体装置であって、ハンダバン
プは、鉛が含まれていない鉛フリーハンダバンプである
ものである。
チップとパッケージ基板とが、ハンダバンプによって電
気的に接続されている半導体装置であって、ハンダバン
プは、鉛が含まれていない鉛フリーハンダバンプである
ものである。
【００１３】また、本発明の半導体装置は、半導体チッ
プとパッケージ基板とが、ハンダバンプによって電気的
に接続されている半導体装置であって、ハンダバンプ
は、鉛が含まれていない鉛フリーハンダボールとその鉛
フリーハンダボールの融点よりも低融点の鉛フリー予備
ハンダとからなり、鉛フリーハンダボールが鉛フリー予
備ハンダを用いて半導体チップおよびパッケージ基板に
固着されているものである。
プとパッケージ基板とが、ハンダバンプによって電気的
に接続されている半導体装置であって、ハンダバンプ
は、鉛が含まれていない鉛フリーハンダボールとその鉛
フリーハンダボールの融点よりも低融点の鉛フリー予備
ハンダとからなり、鉛フリーハンダボールが鉛フリー予
備ハンダを用いて半導体チップおよびパッケージ基板に
固着されているものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１５】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１である半導体装置を示す概略断面図である。図２
は、図１におけるハンダバンプおよびその近傍を拡大し
て示す拡大断面図である。
形態１である半導体装置を示す概略断面図である。図２
は、図１におけるハンダバンプおよびその近傍を拡大し
て示す拡大断面図である。
【００１６】図１および図２に示すように、本実施の形
態の半導体装置は、半導体チップ１とパッケージ基板２
とが、ハンダバンプ３によって電気的に接続されている
半導体装置である。この場合、ハンダバンプ３は、半導
体チップ１の表面に形成されている外部電極としてのパ
ッド１ａとパッケージ２の表面に形成されている外部電
極としてのパッド２ａとを電気的に接続している。
態の半導体装置は、半導体チップ１とパッケージ基板２
とが、ハンダバンプ３によって電気的に接続されている
半導体装置である。この場合、ハンダバンプ３は、半導
体チップ１の表面に形成されている外部電極としてのパ
ッド１ａとパッケージ２の表面に形成されている外部電
極としてのパッド２ａとを電気的に接続している。
【００１７】本実施の形態のハンダバンプ３は、鉛が含
まれていない鉛フリーハンダバンプとしていることが特
徴であり、本発明者の検討の結果、ハンダバンプ３とし
ての鉛が含まれていない鉛フリーハンダバンプの融点
は、２５０℃以上の高融点とされている。この場合、２
５０℃以上の高融点とされている鉛が含まれていない鉛
フリーハンダバンプは、スズ（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）と銅
（Ｃｕ）とアンチモン（Ｓｂ）とからなる鉛フリーハン
ダを材料としていること、またはスズ（Ｓｎ）と銀（Ａ
ｇ）と銅（Ｃｕ）とビスマス（Ｂｉ）とからなる鉛フリ
ーハンダを材料としていることにより、作業時の温度と
して、３５０℃程度の温度とすることができる。
まれていない鉛フリーハンダバンプとしていることが特
徴であり、本発明者の検討の結果、ハンダバンプ３とし
ての鉛が含まれていない鉛フリーハンダバンプの融点
は、２５０℃以上の高融点とされている。この場合、２
５０℃以上の高融点とされている鉛が含まれていない鉛
フリーハンダバンプは、スズ（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）と銅
（Ｃｕ）とアンチモン（Ｓｂ）とからなる鉛フリーハン
ダを材料としていること、またはスズ（Ｓｎ）と銀（Ａ
ｇ）と銅（Ｃｕ）とビスマス（Ｂｉ）とからなる鉛フリ
ーハンダを材料としていることにより、作業時の温度と
して、３５０℃程度の温度とすることができる。
【００１８】したがって、本実施の形態の半導体装置に
よれば、半導体チップ１とパッケージ基板２とを電気的
に接続しているハンダバンプ３として、鉛が含まれてい
ない鉛フリーハンダバンプを使用していることにより、
ハンダバンプ３に有害な鉛が含まれていないので、有害
な現象を防止することができ、人体の健康および環境に
悪影響を及ぼすという従来の問題点の発生を防止するこ
とができる。
よれば、半導体チップ１とパッケージ基板２とを電気的
に接続しているハンダバンプ３として、鉛が含まれてい
ない鉛フリーハンダバンプを使用していることにより、
ハンダバンプ３に有害な鉛が含まれていないので、有害
な現象を防止することができ、人体の健康および環境に
悪影響を及ぼすという従来の問題点の発生を防止するこ
とができる。
【００１９】本実施の形態の半導体装置における半導体
チップ１は、その表面に外部電極としてのパッド１ａが
形成されており、パッド１ａに開口部があるプロテクシ
ョン膜１ｂとしての酸化シリコン膜などからなる無機絶
縁膜が形成されており、そのプロテクション膜１ｂの表
面に有機絶縁膜１ｃが形成されている。また、パッド１
ａの表面の開口部には、バリアメタル膜１ｄが形成され
ている。この場合、半導体チップ１の表面に、有機絶縁
膜１ｃを形成していると共にパッド１ａの表面の開口部
にバリアメタル膜１ｄが形成されていることが、本発明
の形態の半導体チップ１の特徴であり、それ以外の構成
要素は、種々の態様を適用することができる。本発明者
の検討の結果、有機絶縁膜１ｃは、例えばポリイミド膜
とすることができる。また、バリアメタル膜１ｄは、例
えばクロム（Ｃｒ）とニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）と
からなる合金膜とすることができる。
チップ１は、その表面に外部電極としてのパッド１ａが
形成されており、パッド１ａに開口部があるプロテクシ
ョン膜１ｂとしての酸化シリコン膜などからなる無機絶
縁膜が形成されており、そのプロテクション膜１ｂの表
面に有機絶縁膜１ｃが形成されている。また、パッド１
ａの表面の開口部には、バリアメタル膜１ｄが形成され
ている。この場合、半導体チップ１の表面に、有機絶縁
膜１ｃを形成していると共にパッド１ａの表面の開口部
にバリアメタル膜１ｄが形成されていることが、本発明
の形態の半導体チップ１の特徴であり、それ以外の構成
要素は、種々の態様を適用することができる。本発明者
の検討の結果、有機絶縁膜１ｃは、例えばポリイミド膜
とすることができる。また、バリアメタル膜１ｄは、例
えばクロム（Ｃｒ）とニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）と
からなる合金膜とすることができる。
【００２０】したがって、本実施の形態の半導体装置に
よれば、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜１ｃを形成
していることにより、半導体チップ１とアンダーフィル
樹脂４との接着強度を向上することができるので、Ｃ４
（Controlled Collapse ChipConnection ）接続寿命を
長寿命化することができる。また、半導体チップ１の表
面に有機絶縁膜１ｃを形成していることにより、ハンダ
バンプ３の熱処理の際に、ハンダバンプ３とプロテクシ
ョン膜１ｂとの間に発生する応力を吸収できるので、ク
ラックの発生を防止することができる。
よれば、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜１ｃを形成
していることにより、半導体チップ１とアンダーフィル
樹脂４との接着強度を向上することができるので、Ｃ４
（Controlled Collapse ChipConnection ）接続寿命を
長寿命化することができる。また、半導体チップ１の表
面に有機絶縁膜１ｃを形成していることにより、ハンダ
バンプ３の熱処理の際に、ハンダバンプ３とプロテクシ
ョン膜１ｂとの間に発生する応力を吸収できるので、ク
ラックの発生を防止することができる。
【００２１】本実施の形態の半導体装置は、半導体チッ
プ１とパッケージ基板２との間に、アンダーフィル樹脂
４が充填されている。
プ１とパッケージ基板２との間に、アンダーフィル樹脂
４が充填されている。
【００２２】したがって、本実施の形態の半導体装置に
よれば、高融点鉛フリーハンダバンプからなるハンダバ
ンプ３により、Ｃ４接続とアンダーフィル構造を組み合
わせていることにより、パッケージに熱歪みが発生した
ときのハンダバンプ３にかかる応力を分散できるので、
ハンダバンプ３の接続寿命を長寿命化することができ
る。
よれば、高融点鉛フリーハンダバンプからなるハンダバ
ンプ３により、Ｃ４接続とアンダーフィル構造を組み合
わせていることにより、パッケージに熱歪みが発生した
ときのハンダバンプ３にかかる応力を分散できるので、
ハンダバンプ３の接続寿命を長寿命化することができ
る。
【００２３】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、
ウエハ処理により、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜
１ｃを形成した後、有機絶縁膜１ｃにおけるパッド１ａ
の表面に開口部を形成した後、その開口部にバリアメタ
ル膜１ｄを形成している。それ以外のウエハ処理を用い
た製造工程は、種々の態様を適用することができる。
ウエハ処理により、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜
１ｃを形成した後、有機絶縁膜１ｃにおけるパッド１ａ
の表面に開口部を形成した後、その開口部にバリアメタ
ル膜１ｄを形成している。それ以外のウエハ処理を用い
た製造工程は、種々の態様を適用することができる。
【００２４】次に、半導体チップ１のバリアメタル膜１
ｄに、鉛が含まれていない鉛フリーハンダバンプからな
るハンダバンプ３を取り付ける。
ｄに、鉛が含まれていない鉛フリーハンダバンプからな
るハンダバンプ３を取り付ける。
【００２５】次に、半導体チップ１のハンダバンプ３を
パッケージ基板２のパッド２ａに電気的に接続する製造
工程を使用して、半導体チップ１をパッケージ基板２に
実装する。
パッケージ基板２のパッド２ａに電気的に接続する製造
工程を使用して、半導体チップ１をパッケージ基板２に
実装する。
【００２６】その後、半導体チップ１とパッケージ基板
２との間の隙間に、アンダーフィル樹脂４を充填する。
２との間の隙間に、アンダーフィル樹脂４を充填する。
【００２７】前述した本実施の形態の半導体装置によれ
ば、半導体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接
続しているハンダバンプ３として、鉛が含まれていない
鉛フリーハンダバンプを使用していることにより、ハン
ダバンプ３に有害な鉛が含まれていないので、有害な現
象を防止することができ、人体の健康および環境に悪影
響を及ぼすという従来の問題点の発生を防止することが
できる。
ば、半導体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接
続しているハンダバンプ３として、鉛が含まれていない
鉛フリーハンダバンプを使用していることにより、ハン
ダバンプ３に有害な鉛が含まれていないので、有害な現
象を防止することができ、人体の健康および環境に悪影
響を及ぼすという従来の問題点の発生を防止することが
できる。
【００２８】本実施の形態の半導体装置によれば、半導
体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接続してい
るハンダバンプ３として、鉛が含まれていないものであ
って、しかも２５０℃以上の高融点の鉛フリーハンダバ
ンプを使用しており、半導体チップ１の表面に有機絶縁
膜１ｃを形成しており、半導体チップ１とパッケージ基
板２との間にアンダーフィル樹脂４を充填している。
体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接続してい
るハンダバンプ３として、鉛が含まれていないものであ
って、しかも２５０℃以上の高融点の鉛フリーハンダバ
ンプを使用しており、半導体チップ１の表面に有機絶縁
膜１ｃを形成しており、半導体チップ１とパッケージ基
板２との間にアンダーフィル樹脂４を充填している。
【００２９】したがって、高融点鉛フリーハンダバンプ
により、Ｃ４接続とアンダーフィル構造を組み合わせて
いることにより、パッケージに熱歪みが発生した場合、
ハンダバンプ３にかかる応力を分散できるので、ハンダ
バンプ３の接続寿命を長寿命化することができる。ま
た、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜１ｃを形成して
いることにより、半導体チップ１とアンダーフィル樹脂
４との接着強度を向上することができるので、Ｃ４接続
寿命を長寿命化することができる。さらに、半導体チッ
プ１の表面に有機絶縁膜１ｃを形成していることによ
り、ハンダバンプ３の熱処理の際に、ハンダバンプ３と
プロテクション膜１ｂとの間に発生する応力を吸収でき
るので、クラックの発生を防止することができる。
により、Ｃ４接続とアンダーフィル構造を組み合わせて
いることにより、パッケージに熱歪みが発生した場合、
ハンダバンプ３にかかる応力を分散できるので、ハンダ
バンプ３の接続寿命を長寿命化することができる。ま
た、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜１ｃを形成して
いることにより、半導体チップ１とアンダーフィル樹脂
４との接着強度を向上することができるので、Ｃ４接続
寿命を長寿命化することができる。さらに、半導体チッ
プ１の表面に有機絶縁膜１ｃを形成していることによ
り、ハンダバンプ３の熱処理の際に、ハンダバンプ３と
プロテクション膜１ｂとの間に発生する応力を吸収でき
るので、クラックの発生を防止することができる。
【００３０】その結果、本実施の形態の半導体装置によ
れば、パッケージ基板２に半導体チップ１がハンダバン
プ３によって電気的に接続されている場合、ハンダバン
プ３から鉛を全廃でき、しかも高性能および高信頼度の
ハンダバンプ３を有する半導体装置とすることができ
る。
れば、パッケージ基板２に半導体チップ１がハンダバン
プ３によって電気的に接続されている場合、ハンダバン
プ３から鉛を全廃でき、しかも高性能および高信頼度の
ハンダバンプ３を有する半導体装置とすることができ
る。
【００３１】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２である半導体装置を示す概略断面図である。図４
は、図３におけるハンダバンプおよびその近傍を拡大し
て示す拡大断面図である。
形態２である半導体装置を示す概略断面図である。図４
は、図３におけるハンダバンプおよびその近傍を拡大し
て示す拡大断面図である。
【００３２】図３および図４に示すように、本実施の形
態の半導体装置は、半導体チップ１とパッケージ基板２
とが、ハンダバンプ３によって電気的に接続されている
半導体装置である。この場合、ハンダバンプ３は、半導
体チップ１の表面に形成されている外部電極としてのパ
ッド１ａとパッケージ２の表面に形成されている外部電
極としてのパッド２ａとを電気的に接続している。
態の半導体装置は、半導体チップ１とパッケージ基板２
とが、ハンダバンプ３によって電気的に接続されている
半導体装置である。この場合、ハンダバンプ３は、半導
体チップ１の表面に形成されている外部電極としてのパ
ッド１ａとパッケージ２の表面に形成されている外部電
極としてのパッド２ａとを電気的に接続している。
【００３３】本実施の形態のハンダバンプ３は、鉛が含
まれていない鉛フリーハンダボール３ａとその鉛フリー
ハンダボール３ａの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハ
ンダ３ｂとからなり、鉛フリーハンダボール３ａが鉛フ
リー予備ハンダ３ｂを用いて半導体チップ１およびパッ
ケージ基板２に固着されている。なお、ハンダバンプ３
以外の構成要素は、前述した実施の形態１の半導体装置
と同様であることにより、ハンダバンプ３以外の構成要
素の説明を省略する。
まれていない鉛フリーハンダボール３ａとその鉛フリー
ハンダボール３ａの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハ
ンダ３ｂとからなり、鉛フリーハンダボール３ａが鉛フ
リー予備ハンダ３ｂを用いて半導体チップ１およびパッ
ケージ基板２に固着されている。なお、ハンダバンプ３
以外の構成要素は、前述した実施の形態１の半導体装置
と同様であることにより、ハンダバンプ３以外の構成要
素の説明を省略する。
【００３４】この場合、本実施の形態のハンダバンプ３
における鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール３ａ
の融点は、本発明者の検討の結果、２５０℃以上の高融
点とされている。この場合、２５０℃以上の高融点とさ
れている鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール３ａ
は、スズと銀と銅とアンチモンとからなる鉛フリーハン
ダを材料としていること、またはスズと銀と銅とビスマ
スとからなる鉛フリーハンダを材料としていることによ
り、作業時の温度として、３５０℃程度の温度とするこ
とができる。
における鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール３ａ
の融点は、本発明者の検討の結果、２５０℃以上の高融
点とされている。この場合、２５０℃以上の高融点とさ
れている鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール３ａ
は、スズと銀と銅とアンチモンとからなる鉛フリーハン
ダを材料としていること、またはスズと銀と銅とビスマ
スとからなる鉛フリーハンダを材料としていることによ
り、作業時の温度として、３５０℃程度の温度とするこ
とができる。
【００３５】また、本実施の形態のハンダバンプ３にお
ける鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ３ｂの融点
は、本発明者の検討の結果、鉛フリーハンダボール３ａ
の融点よりも低融点とされている。この場合、鉛が含ま
れていない鉛フリー予備ハンダ３ｂは、スズ（Ｓｎ）と
銀（Ａｇ）とからなる鉛フリーハンダを材料としている
ことにより、２４０℃程度の温度で作業を行うことがで
きる。
ける鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ３ｂの融点
は、本発明者の検討の結果、鉛フリーハンダボール３ａ
の融点よりも低融点とされている。この場合、鉛が含ま
れていない鉛フリー予備ハンダ３ｂは、スズ（Ｓｎ）と
銀（Ａｇ）とからなる鉛フリーハンダを材料としている
ことにより、２４０℃程度の温度で作業を行うことがで
きる。
【００３６】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、
ウエハ処理により、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜
１ｃを形成した後、有機絶縁膜１ｃにおけるパッド１ａ
の表面に開口部を形成した後、その開口部にバリアメタ
ル膜１ｄを形成している。それ以外のウエハ処理を用い
た製造工程は、種々の態様を適用することができる。
ウエハ処理により、半導体チップ１の表面に有機絶縁膜
１ｃを形成した後、有機絶縁膜１ｃにおけるパッド１ａ
の表面に開口部を形成した後、その開口部にバリアメタ
ル膜１ｄを形成している。それ以外のウエハ処理を用い
た製造工程は、種々の態様を適用することができる。
【００３７】次に、半導体チップ１のバリアメタル膜１
ｄに、鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール３ａを
鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ３ｂを用いて固
着する。
ｄに、鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール３ａを
鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ３ｂを用いて固
着する。
【００３８】次に、半導体チップ１のハンダバンプ３に
おける鉛フリーハンダボール３ａをパッケージ基板２の
パッド２ａに、鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ
３ｂを用いて固着することにより、半導体チップ１をパ
ッケージ基板２に実装する。
おける鉛フリーハンダボール３ａをパッケージ基板２の
パッド２ａに、鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ
３ｂを用いて固着することにより、半導体チップ１をパ
ッケージ基板２に実装する。
【００３９】その後、半導体チップ１とパッケージ基板
２との間の隙間に、アンダーフィル樹脂４を充填する。
２との間の隙間に、アンダーフィル樹脂４を充填する。
【００４０】前述した本実施の形態の半導体装置によれ
ば、半導体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接
続しているハンダバンプ３として、鉛が含まれていない
鉛フリーハンダボール３ａとその鉛フリーハンダボール
３ａの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダ３ｂとか
らなり、鉛フリーハンダボール３ａが鉛フリー予備ハン
ダ３ｂを用いて半導体チップ１およびパッケージ基板２
に固着されていることにより、高融点の鉛フリーハンダ
ボール３ａと半導体チップ１の表面との界面に発生する
応力をさらに低減することができる。また、パッケージ
基板２に高温処理を行う必要がなくなることにより、耐
熱性の低い材質からなるプリント基板などからなるパッ
ケージ基板２を使用することができる。
ば、半導体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接
続しているハンダバンプ３として、鉛が含まれていない
鉛フリーハンダボール３ａとその鉛フリーハンダボール
３ａの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダ３ｂとか
らなり、鉛フリーハンダボール３ａが鉛フリー予備ハン
ダ３ｂを用いて半導体チップ１およびパッケージ基板２
に固着されていることにより、高融点の鉛フリーハンダ
ボール３ａと半導体チップ１の表面との界面に発生する
応力をさらに低減することができる。また、パッケージ
基板２に高温処理を行う必要がなくなることにより、耐
熱性の低い材質からなるプリント基板などからなるパッ
ケージ基板２を使用することができる。
【００４１】本実施の形態の半導体装置によれば、半導
体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接続してい
るハンダバンプ３として、鉛が含まれていない鉛フリー
ハンダボール３ａとその鉛フリーハンダボール３ａの融
点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダ３ｂとからなり、
鉛フリーハンダボール３ａが鉛フリー予備ハンダ３ｂを
用いて半導体チップ１およびパッケージ基板２に固着さ
れていることにより、鉛が含まれていない鉛フリー状態
のハンダバンプ３を使用していることにより、ハンダバ
ンプ３に有害な鉛が含まれていないので、有害な現象を
防止することができ、人体の健康および環境に悪影響を
及ぼすという従来の問題点の発生を防止することができ
る。また、本実施の形態の半導体装置によれば、前述し
た実施の形態１の半導体装置と同様な効果を得ることが
できる。
体チップ１とパッケージ基板２とを電気的に接続してい
るハンダバンプ３として、鉛が含まれていない鉛フリー
ハンダボール３ａとその鉛フリーハンダボール３ａの融
点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダ３ｂとからなり、
鉛フリーハンダボール３ａが鉛フリー予備ハンダ３ｂを
用いて半導体チップ１およびパッケージ基板２に固着さ
れていることにより、鉛が含まれていない鉛フリー状態
のハンダバンプ３を使用していることにより、ハンダバ
ンプ３に有害な鉛が含まれていないので、有害な現象を
防止することができ、人体の健康および環境に悪影響を
及ぼすという従来の問題点の発生を防止することができ
る。また、本実施の形態の半導体装置によれば、前述し
た実施の形態１の半導体装置と同様な効果を得ることが
できる。
【００４２】（実施の形態３）図５は、本発明の実施の
形態３である半導体装置におけるハンダバンプおよびそ
の近傍を拡大して示す拡大断面図である。なお、本実施
の形態である半導体装置は、ハンダバンプの位置および
その近傍以外の構成は、前述した実施の形態１の半導体
装置の構成と同様であり、図１に示す通りである。
形態３である半導体装置におけるハンダバンプおよびそ
の近傍を拡大して示す拡大断面図である。なお、本実施
の形態である半導体装置は、ハンダバンプの位置および
その近傍以外の構成は、前述した実施の形態１の半導体
装置の構成と同様であり、図１に示す通りである。
【００４３】図５に示すように、本実施の形態の半導体
装置は、半導体チップ１とパッケージ基板２とが、ハン
ダバンプ３によって電気的に接続されている半導体装置
である。この場合、ハンダバンプ３は、半導体チップ１
の表面に形成されている外部電極としてのパッド１ａと
パッケージ２の表面に形成されている外部電極としての
パッド２ａとを電気的に接続している。
装置は、半導体チップ１とパッケージ基板２とが、ハン
ダバンプ３によって電気的に接続されている半導体装置
である。この場合、ハンダバンプ３は、半導体チップ１
の表面に形成されている外部電極としてのパッド１ａと
パッケージ２の表面に形成されている外部電極としての
パッド２ａとを電気的に接続している。
【００４４】本実施の形態のハンダバンプ３の材料およ
び形状は、前述した実施の形態１のハンダバンプ３と同
様であるが、ハンダバンプ３の位置を変更しており、鉛
フリーハンダバンプからなるハンダバンプ３を、半導体
チップ１のパッド１ａの表面以外の領域に配置されてい
ることを特徴としている。
び形状は、前述した実施の形態１のハンダバンプ３と同
様であるが、ハンダバンプ３の位置を変更しており、鉛
フリーハンダバンプからなるハンダバンプ３を、半導体
チップ１のパッド１ａの表面以外の領域に配置されてい
ることを特徴としている。
【００４５】すなわち、本実施の形態の半導体装置は、
半導体チップ１のパッド１ａの表面における開口部（有
機絶縁膜１ｃの開口部）より、パッド１ａの近傍の有機
絶縁膜１ｃの表面までに配線層１ｅが形成されており、
有機絶縁膜１ｃの配線層１ｅの上にバリアメタル膜１ｄ
が形成されており、そのバリアメタル膜１ｄの上にハン
ダバンプ３が形成されている。
半導体チップ１のパッド１ａの表面における開口部（有
機絶縁膜１ｃの開口部）より、パッド１ａの近傍の有機
絶縁膜１ｃの表面までに配線層１ｅが形成されており、
有機絶縁膜１ｃの配線層１ｅの上にバリアメタル膜１ｄ
が形成されており、そのバリアメタル膜１ｄの上にハン
ダバンプ３が形成されている。
【００４６】この場合、配線層１ｅは、本発明者の検討
の結果、クロム（Ｃｒ）を材料としている配線層であ
る。
の結果、クロム（Ｃｒ）を材料としている配線層であ
る。
【００４７】また、本実施の形態の半導体装置における
ハンダバンプ３の材料および形状の他の態様として、前
述した実施の形態２のハンダバンプ３と同様な態様を適
用することができる。
ハンダバンプ３の材料および形状の他の態様として、前
述した実施の形態２のハンダバンプ３と同様な態様を適
用することができる。
【００４８】本実施の形態の半導体装置によれば、鉛フ
リーハンダバンプからなるハンダバンプ３を、半導体チ
ップ１のパッド１ａの表面以外の領域に配置されている
ことにより、高融点のハンダバンプ３と半導体チップ１
のパッド１ａとの界面に発生する応力を防止することが
できるので、高性能でしかも高信頼度の半導体装置とす
ることができる。また、本実施の形態の半導体装置によ
れば、前述した実施の形態１の半導体装置と同様な効果
を得ることができる。
リーハンダバンプからなるハンダバンプ３を、半導体チ
ップ１のパッド１ａの表面以外の領域に配置されている
ことにより、高融点のハンダバンプ３と半導体チップ１
のパッド１ａとの界面に発生する応力を防止することが
できるので、高性能でしかも高信頼度の半導体装置とす
ることができる。また、本実施の形態の半導体装置によ
れば、前述した実施の形態１の半導体装置と同様な効果
を得ることができる。
【００４９】（実施の形態４）図６は、本発明の実施の
形態４である半導体装置を示す概略断面図である。図７
は、図６におけるＢＧＡ基板のハンダバンプおよびその
近傍を拡大して示す拡大断面図である。
形態４である半導体装置を示す概略断面図である。図７
は、図６におけるＢＧＡ基板のハンダバンプおよびその
近傍を拡大して示す拡大断面図である。
【００５０】図６および図７に示すように、本実施の形
態の半導体装置は、半導体チップ１がパッケージ基板と
してのＢＧＡ基板５に電気的に接続されている半導体装
置であって、ＢＧＡ基板５におけるハンダバンプ６は、
鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール６ａとその鉛
フリーハンダボール６ａの融点よりも低融点の鉛フリー
予備ハンダ６ｂとからなり、鉛フリーハンダボール６ａ
が鉛フリー予備ハンダ６ｂを用いてＢＧＡ基板５に固着
されているものである。
態の半導体装置は、半導体チップ１がパッケージ基板と
してのＢＧＡ基板５に電気的に接続されている半導体装
置であって、ＢＧＡ基板５におけるハンダバンプ６は、
鉛が含まれていない鉛フリーハンダボール６ａとその鉛
フリーハンダボール６ａの融点よりも低融点の鉛フリー
予備ハンダ６ｂとからなり、鉛フリーハンダボール６ａ
が鉛フリー予備ハンダ６ｂを用いてＢＧＡ基板５に固着
されているものである。
【００５１】この場合、ＢＧＡ基板５におけるハンダバ
ンプ６における鉛が含まれていない鉛フリーハンダボー
ル６ａは、前述した実施の形態２の鉛フリーハンダボー
ル３ａと同様な材料であり、直径が６００μm 程度であ
る。また、ＢＧＡ基板５におけるハンダバンプ６におけ
る鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ６ｂは、前述
した実施の形態２の鉛フリー予備ハンダ３ｂと同様な材
料であり、鉛フリーハンダボール６ａをＢＧＡ基板５の
外部電極であるパッド５ａに固着しているものである。
ンプ６における鉛が含まれていない鉛フリーハンダボー
ル６ａは、前述した実施の形態２の鉛フリーハンダボー
ル３ａと同様な材料であり、直径が６００μm 程度であ
る。また、ＢＧＡ基板５におけるハンダバンプ６におけ
る鉛が含まれていない鉛フリー予備ハンダ６ｂは、前述
した実施の形態２の鉛フリー予備ハンダ３ｂと同様な材
料であり、鉛フリーハンダボール６ａをＢＧＡ基板５の
外部電極であるパッド５ａに固着しているものである。
【００５２】また、本実施の形態の半導体装置における
ハンダバンプ６の材料の他の態様として、前述した実施
の形態１のハンダバンプ３と同様な態様を適用すること
ができる。
ハンダバンプ６の材料の他の態様として、前述した実施
の形態１のハンダバンプ３と同様な態様を適用すること
ができる。
【００５３】前述した本実施の形態の半導体装置によれ
ば、半導体チップ１がパッケージ基板としてのＢＧＡ基
板５に電気的に接続されている半導体装置であって、Ｂ
ＧＡ基板５におけるハンダバンプ６は、鉛が含まれてい
ない鉛フリーハンダボール６ａとその鉛フリーハンダボ
ール６ａの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダ６ｂ
とからなっており、または鉛が含まれていない鉛フリー
ハンダバンプであることにより、ハンダバンプ６に有害
な鉛が含まれていないので、有害な現象を防止すること
ができ、人体の健康および環境に悪影響を及ぼすという
従来の問題点の発生を防止することができる。
ば、半導体チップ１がパッケージ基板としてのＢＧＡ基
板５に電気的に接続されている半導体装置であって、Ｂ
ＧＡ基板５におけるハンダバンプ６は、鉛が含まれてい
ない鉛フリーハンダボール６ａとその鉛フリーハンダボ
ール６ａの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダ６ｂ
とからなっており、または鉛が含まれていない鉛フリー
ハンダバンプであることにより、ハンダバンプ６に有害
な鉛が含まれていないので、有害な現象を防止すること
ができ、人体の健康および環境に悪影響を及ぼすという
従来の問題点の発生を防止することができる。
【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００５５】例えば、本発明の半導体装置は、半導体チ
ップとして、種々の半導体集積回路装置チップを適用で
き、その半導体チップに形成されている半導体素子とし
て、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラト
ランジスタあるいはそれらを組み合わせた半導体素子と
することができ、ＭＯＳ型、ＣＭＯＳ型、ＢｉＭＯＳ型
またはＢｉＣＭＯＳ型の半導体集積回路装置に適用でき
る。
ップとして、種々の半導体集積回路装置チップを適用で
き、その半導体チップに形成されている半導体素子とし
て、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラト
ランジスタあるいはそれらを組み合わせた半導体素子と
することができ、ＭＯＳ型、ＣＭＯＳ型、ＢｉＭＯＳ型
またはＢｉＣＭＯＳ型の半導体集積回路装置に適用でき
る。
【００５６】また、本発明の半導体装置は、半導体チッ
プに形成されている半導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ、
ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするロジック系あるいはＳＲＡＭ
（Static Random Access Memory ）、ＤＲＡＭ（Dynami
c Random Access Memory）などのメモリ系などを有する
種々の半導体集積回路装置に適用できる。
プに形成されている半導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ、
ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするロジック系あるいはＳＲＡＭ
（Static Random Access Memory ）、ＤＲＡＭ（Dynami
c Random Access Memory）などのメモリ系などを有する
種々の半導体集積回路装置に適用できる。
【００５７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５８】（１）．本発明の半導体装置によれば、半
導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続している
ハンダバンプとして、鉛が含まれていない鉛フリーハン
ダバンプを使用していることにより、ハンダバンプに有
害な鉛が含まれていないので、有害な現象を防止するこ
とができ、人体の健康および環境に悪影響を及ぼすとい
う従来の問題点の発生を防止することができる。
導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続している
ハンダバンプとして、鉛が含まれていない鉛フリーハン
ダバンプを使用していることにより、ハンダバンプに有
害な鉛が含まれていないので、有害な現象を防止するこ
とができ、人体の健康および環境に悪影響を及ぼすとい
う従来の問題点の発生を防止することができる。
【００５９】（２）．本発明の半導体装置によれば、半
導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続している
ハンダバンプとして、鉛が含まれていないものであっ
て、しかも２５０℃以上の高融点の鉛フリーハンダバン
プを使用しており、半導体チップの表面に有機絶縁膜を
形成しており、半導体チップとパッケージ基板との間に
アンダーフィル樹脂を充填している。
導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続している
ハンダバンプとして、鉛が含まれていないものであっ
て、しかも２５０℃以上の高融点の鉛フリーハンダバン
プを使用しており、半導体チップの表面に有機絶縁膜を
形成しており、半導体チップとパッケージ基板との間に
アンダーフィル樹脂を充填している。
【００６０】したがって、高融点鉛フリーハンダバンプ
により、Ｃ４接続とアンダーフィル構造を組み合わせて
いることにより、パッケージに熱歪みが発生した場合も
ハンダバンプにかかる応力を分散できるので、ハンダバ
ンプの接続寿命を長寿命化することができる。また、半
導体チップの表面に有機絶縁膜を形成していることによ
り、半導体チップとアンダーフィル樹脂との接着強度を
向上することができるので、Ｃ４接続寿命を長寿命化す
ることができる。さらに、半導体チップの表面に有機絶
縁膜を形成していることにより、ハンダバンプの熱処理
の際に、ハンダバンプとプロテクション膜との間に発生
する応力を吸収できるので、クラックの発生を防止する
ことができる。
により、Ｃ４接続とアンダーフィル構造を組み合わせて
いることにより、パッケージに熱歪みが発生した場合も
ハンダバンプにかかる応力を分散できるので、ハンダバ
ンプの接続寿命を長寿命化することができる。また、半
導体チップの表面に有機絶縁膜を形成していることによ
り、半導体チップとアンダーフィル樹脂との接着強度を
向上することができるので、Ｃ４接続寿命を長寿命化す
ることができる。さらに、半導体チップの表面に有機絶
縁膜を形成していることにより、ハンダバンプの熱処理
の際に、ハンダバンプとプロテクション膜との間に発生
する応力を吸収できるので、クラックの発生を防止する
ことができる。
【００６１】（３）．本発明の半導体装置によれば、パ
ッケージ基板に半導体チップがハンダバンプによって電
気的に接続されている場合、ハンダバンプから鉛を全廃
でき、しかも高性能および高信頼度のハンダバンプを有
する半導体装置とすることができる。
ッケージ基板に半導体チップがハンダバンプによって電
気的に接続されている場合、ハンダバンプから鉛を全廃
でき、しかも高性能および高信頼度のハンダバンプを有
する半導体装置とすることができる。
【００６２】（４）．本発明の半導体装置によれば、半
導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続している
ハンダバンプとして、鉛が含まれていない鉛フリーハン
ダボールとその鉛フリーハンダボールの融点よりも低融
点の鉛フリー予備ハンダとからなり、鉛フリーハンダボ
ールが鉛フリー予備ハンダを用いて半導体チップおよび
パッケージ基板に固着されていることにより、高融点の
鉛フリーハンダボールと半導体チップの表面との界面に
発生する応力をさらに低減することができる。また、パ
ッケージ基板に高温処理を行う必要がなくなることによ
り、耐熱性の低い材質からなるプリント基板などからな
るパッケージ基板を使用することができる。
導体チップとパッケージ基板とを電気的に接続している
ハンダバンプとして、鉛が含まれていない鉛フリーハン
ダボールとその鉛フリーハンダボールの融点よりも低融
点の鉛フリー予備ハンダとからなり、鉛フリーハンダボ
ールが鉛フリー予備ハンダを用いて半導体チップおよび
パッケージ基板に固着されていることにより、高融点の
鉛フリーハンダボールと半導体チップの表面との界面に
発生する応力をさらに低減することができる。また、パ
ッケージ基板に高温処理を行う必要がなくなることによ
り、耐熱性の低い材質からなるプリント基板などからな
るパッケージ基板を使用することができる。
【００６３】（５）．本発明の半導体装置によれば、鉛
フリーハンダバンプからなるハンダバンプを、半導体チ
ップのパッドの表面以外の領域に配置されていることに
より、高融点のハンダバンプと半導体チップのパッドと
の界面に発生する応力を防止することができるので、高
性能でしかも高信頼度の半導体装置とすることができ
る。
フリーハンダバンプからなるハンダバンプを、半導体チ
ップのパッドの表面以外の領域に配置されていることに
より、高融点のハンダバンプと半導体チップのパッドと
の界面に発生する応力を防止することができるので、高
性能でしかも高信頼度の半導体装置とすることができ
る。
【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】図１におけるハンダバンプおよびその近傍を拡
大して示す拡大断面図である。
大して示す拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２である半導体装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図４】図３におけるハンダバンプおよびその近傍を拡
大して示す拡大断面図である。
大して示す拡大断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３である半導体装置におけ
るハンダバンプおよびその近傍を拡大して示す拡大断面
図である。
るハンダバンプおよびその近傍を拡大して示す拡大断面
図である。
【図６】本発明の実施の形態４である半導体装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図７】図６におけるＢＧＡ基板のハンダバンプおよび
その近傍を拡大して示す拡大断面図である。
その近傍を拡大して示す拡大断面図である。
１ 半導体チップ １ａ パッド １ｂ プロテクション膜 １ｃ 有機絶縁膜 １ｄ バリアメタル膜 １ｅ 配線層 ２ パッケージ基板 ２ａ パッド ３ ハンダバンプ ３ａ 鉛フリーハンダボール ３ｂ 鉛フリー予備ハンダ ４ アンダーフィル樹脂 ５ ＢＧＡ基板 ５ａ パッド ６ ハンダバンプ ６ａ 鉛フリーハンダボール ６ｂ 鉛フリー予備ハンダ
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体チップとパッケージ基板とが、ハ
ンダバンプによって電気的に接続されている半導体装置
であって、前記ハンダバンプは、鉛が含まれていない鉛
フリーハンダバンプであることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体チップとパッケージ基板とが、ハ
ンダバンプによって電気的に接続されている半導体装置
であって、前記ハンダバンプは、鉛が含まれていない鉛
フリーハンダボールと前記鉛フリーハンダボールの融点
よりも低融点の鉛フリー予備ハンダとからなり、前記鉛
フリーハンダボールが前記鉛フリー予備ハンダを用いて
前記半導体チップおよび前記パッケージ基板に固着され
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置であ
って、前記半導体チップの表面には、有機絶縁膜が形成
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記半導体チップと前記パッケージ
基板との間には、アンダーフィル樹脂が充填されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記ハンダバンプは、前記半導体チ
ップのパッドの表面以外の領域に配置されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 半導体チップがパッケージ基板としての
ＢＧＡ基板に電気的に接続されている半導体装置であっ
て、前記ＢＧＡ基板におけるハンダバンプは、鉛が含ま
れていない鉛フリーハンダバンプ、または鉛が含まれて
いない鉛フリーハンダボールと前記鉛フリーハンダボー
ルの融点よりも低融点の鉛フリー予備ハンダとからな
り、前記鉛フリーハンダボールが前記鉛フリー予備ハン
ダを用いて前記ＢＧＡ基板に固着されていることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記鉛フリーハンダバンプまたは前
記鉛フリーハンダボールの融点は、２５０℃以上である
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記鉛フリーハンダバンプおよび前
記鉛フリーハンダボールは、スズと銀と銅とアンチモン
とからなる鉛フリーハンダ、またはスズと銀と銅とビス
マスとからなる鉛フリーハンダからなることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の半
導体装置であって、前記鉛フリー予備ハンダは、スズと
銀とからなる鉛フリーハンダからなることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24237098A JP2000077554A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP24237098A JP2000077554A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 半導体装置 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10123280A1 (de) * | 2001-05-14 | 2002-12-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kontakthügels |
| JP2009033100A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-02-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP24237098A patent/JP2000077554A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10123280A1 (de) * | 2001-05-14 | 2002-12-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kontakthügels |
| JP2009033100A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-02-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
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