TW201041735A - Molded object, process for producing same, member for electronic device, and electronic device - Google Patents

Description

201041735 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：盔。 五、ί案右有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 由此成形體所成的 元件的電子裝置。 本發明關於成形體、其製造方法、 電子裝置用元件、及具備此電子裝置用 【先前技術】 以往，塑膠薄膜等的高分子成形體，由於低價格、加 工性優異，故賦予所欲的機能而使用於各種區域。 又，近年來於液晶顯示器或電致發光（EL)顯示器等的 顯示器中’為了實現薄型化、輕量化、可挽化等，作為具 有電極的基板，檢討使用透明„薄膜代替玻璃板。然而 ，與玻璃板相比，塑膠薄膜係容易穿透水 容易引起顯示器内部的元件之劣化的問題 蒸氣或氧等，有 .為了解決此問題，專利文獻1中提案在聚I系樹脂薄 膜上層積阻氣性無機化合物薄膜之阻氣性薄膜。 然而，此文獻記載的阻氣性薄膜係有如以下的問題。 (1)此薄膜之阻氣性係未達到實用上可滿足的水平。 201041735 • (11)所層積的無機化合物薄膜係表面平滑性差，於阻 氣層上形成其它層時，在所形成的其它層中容易發生針孔 ' ’有針孔發生部的阻氣性極度降低之情況。 • (111)此薄膜由於係在由聚酯系樹脂所成的基礎薄膜 上，藉由蒸鍍法、電子束法、藏鑛法等，層積有由無機化 合物所成的阻氣層者，故若該將層積薄膜弄圓或彎折，則 在阻氣層中發生龜裂，而有阻氣性降低之情況 Ο /此’為了提高<彎折性’亦有提案使無機膜與有機 膜交互層積的手法，但製程的繁雜化、密接性的降低、材 料成本的上升等係成為問題。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :特開平1 0-305542號公報 【發明内容】 Ο 發明所欲解決的問題 =發明_於上述先前技術而完成者，其課題為提供 ，ι製…！ 平滑性皆優異的成形體 備2 由此成形體所成的電子|置用元件，及具 電子裝置用元件的電子裝置。 解决問題的手段 本發明者們為了解決 ，結果發現一種具有至少 係至少具有由含有氧原子 上述問題’進行專㈣力的檢討 2種類的部分區域之成形體，其 反原子及矽原子的材料所構成 201041735 之阻氣層的成形體，i 产 '、别述阻乳層係含有自表面起朝向 冰度万向，層中的氧肩 ^ 存在比例逐漸減少、碳原子的 存在比例逐漸增加的區 )者，則述區域（A)含有特定比 例的乳原子、碳原子及 及7原子，該成形體係阻氣性、对彎 折性、密接性及表面平滑性皆優異。 又，發現如此的成形體，係可藉由對表面部具有含聚 矽烷化合物的層之成报你， 曰之成形物的珂述含聚矽烷化合物的層注入 離子，而簡便且高效率地製造，終於完成本發明 如此地，依照本發明的第卜點’提供下述⑴ 成形體。 ⑴-種成形體，其係至少具有由含有氧原子、碳原子 及石夕：子的材料所構成之阻氣層的成形體，其特徵在於： 月·〗述阻《I層係含有自表面起朝向深度方向，層中的氧 原子之存在比例逐漸減少、难@ 2 ^ 士丄 反原子之存在比例逐漸增加的 區域（A)者， 曰前述區域⑴具有相對於氧原子、碳原子及㈣子的存 在$全體而言’氧原子之存在比例為2。〜55%，碳原子之 存在比例為25〜70%，石夕原子之存在比例為5〜·的部分 區域（A1)，及 氧原子之存在比例為卜15%，碳原子之存在比例為72 87/β矽原子之存在比例為7〜18%的部分區域（Α2)。 (2) 如（1)記载的成形體，其中前述區域（Α)係形成在含 聚石夕烧化合物的層之表層部。 (3) —種成形體，其特徵在於：具有對含聚矽烷化合物 201041735 的層，注入離子而得之阻氣層。 (4)如（2)或（3)記載的成形體，其中前述聚矽烷化合物 係含有下述式（1)所示重複單位的化合物。

(式中’ R〗、R2各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、 環烷基、環烯基、芳基、羥基、、虎氧基、環烷氧基、芳氧 基、芳烧氧基、可有取代基的胺基、錢基以素， 複數之R1、R2可各自相同或不同）。 、 (5)如（3)或（4)記載的成形體，其中具有藉由電聚離子 注入法，對前述含聚矽烷化合物的層，注入離子而得之阻 ^ (6)如（3)記載的成形體，其中前述離子係由氫、氮、 乳、風、氦、氖、氣、氪、石夕化合物及烴所組成族群所選 〇 出的至少一種氣體經離子化者。 (Ό如（1)或（3)記载的成形體，其在4〇<t、相對濕度 環境下的水蒸氣透過率係低於5W/day。 依照本發明的第2點’提供下述⑻〜（10)的成形體之 製造方法。 « ▲⑻-種⑻記载的成形體之製造方法，其具有對表面 $具有含聚料化合物的層之成形物的前述含聚錢化人 物的層，注入離子之步驟。 σ (9)如（8)記载的成形體梦造 ^ ^ 人❿體之衣w方法，其中前述注入離 5 201041735 氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化 出的至少一種之氣體離子化及注 子之步驟係將由氫、氮、 合物及烴所組成族群所選 入之步驟。 (10)如（8)記載的忐犯础 幻成體之製造方法，其中前述注入離 子之步驟係一邊在一定太a占w 疋方向中搬送表面部具有含聚矽烷化 合物的層之長條狀成形物 物一邊對前述含聚矽烷化合物的 層’注入離子之步驟。 依照本發明的第3點 提供下述（11)記載的電子裝置 用元件。 (11) 一種電子裝置用元件，其係由（1)〜（7)中任一項 記載的成形體所成。 依照本發明的第4點，提供下述（12)記載的電子裝置 (12)—種電子裝置，其具有（11)記載的電子裝置用元 件。 發明效果 本發明的成形體具有優異的阻氣性能，耐彎折性、表 面平滑性優異，密接性良好。因此，本發明的成形體係可 適用作為撓性顯示器或太陽電池等的電子袈置用元件（例 如太陽電池背板）。 依照本發明的製造方法，可簡便且高效率地製造具有 優異阻氣性的本發明之成形體。又，與成膜為無機膜的方 法相比’可低成本地容易地謀求大面積化。 本發明的電子裝置用元件，由於具有優異的阻氣性、 201041735 太％電池等的電子裝置 耐彎折性等，故可適用於顯示器 【實施方式] 以下分項為（1)成形體、（2)成形體之製造方法、（3) 電子裝置用元件及電子裝置來詳細說明本發明。 (Ο成形體

本發明的成形體係-種具有至少2種類的部分區域之 成形體’其係至少具有由含有氧原子、碳原子切原子的 材料所構成之阻氣層的成形體’纟中前述阻氣層係含有自 表面起朝向深度方向1中的氧原子之存在比例逐漸減少 '碳原子之存在❹】逐漸增加的區域⑴者，前述區域 含有特定比例的氧原子、碳原子及梦原子。 ’ 具有如此阻氣層的成形體，係阻氣性、耐·f折性、密 接性及表面平滑性皆優異。 本發明的成形體係至少具有由会 3有乳原子、碳原子及 夕原子的材料所構成之阻氣層的成形體。 又’前述阻氣層係由含有有氧 的鉍％I β碰上 力另軋原千、奴原子及矽原子 ;斤構成，具有自表面起朝向 朝门冰度方向，層中的氧原 存在比例逐漸減少 '碳原 域（Α)。 反京千之存在比例逐漸增加的區 體的係！僅包含成形體中，阻氣層存在於成形 I 、之阻ι層的表面，亦包含在阻氣層上層積有 其匕層時的阻氣層與其它層之邊界面。 有 7 201041735 也可為在阻氣層 從製造容易性的 月述阻氣層係可僅由區域（A )所構成， 的一部分（較佳為表層部）具有區域（A)者， 觀點來看，較佳為後者。 50nm 述區在域（A)的厚度通常為5〜lGGnm，較佳為 10 於本七明的成形體中’區域(A)含有相對於氧原子、碳 原子及♦原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為2〇 〜55%，碳原子之存在比例為25〜7〇%，石夕原子之存在比例 為5山〜2〇%的部分區域⑼’及氧原子之存在比例4卜15% ’碳原子之存在比例為72〜87%，矽原子之存在比例為7 〜18%的部分區域（A2)。 乳原子、碳原子及石夕原子的存在比例之測定係以後述 實施例中說明的方法來進行。 /具有含部分區域（A1)與部分區域（A2)的區域（a)之層 ’係成具有優異阻氣性的阻氣層。 ”邛分區域（A1)係在區域（A)内，碳原子之存在比例最小 、乳原子之存在比例最大的區域，相對於氧原子、碳原子 及石夕原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為2。〜55% 丄碳。原子之存在比例為25〜70%，碎原子之存在比例為5 2(U通常，位於阻氣層的表面部。部分區域（A!)的厚度 通苇為1〜l〇nm。 部分區域（A2)係相對於氧原子、碳原子及矽原子的存 在量全體而言，氧原子之存在比例為卜⑽，碳原子之存 在比例為72〜87% ’矽原子之存在比例為7〜18%，部分區 201041735 域（Α2)通常係與前述部分區域（Α1)鄰接而存在的區域，係 位於部分區域（Α1)的深度方向之區域。 部分區域（Α2)的厚度通常為5〜1〇〇nm。 區域（A)係含有部分區域（A1)與部分區域⑽者，上述 =圍内^表面起朝向深度方向’氧原子之存在比例係逐 ;減少，碳原子之存在比例係逐漸增加。 ❹ 〇 作為本發明的成形體之阻氣層，例如可舉出在含聚石夕 :化合物的層之表層部形成有區域⑴者。更具體地，可舉 出如後述地’對含聚彻合物的層注入離子而得之声（ ::亦稱為「注入層」），或對含聚梦院化 曰 漿處理而得之層。 百犯丁电 物的it二;較佳為形成在含聚石夕炫化合 部一=:更佳為對含聚—物的層之表層 又’前述聚石夕烧化合物較佳為具有由後 …所選出的至少一種重複單位之化合物。）所不構 本發明的成形體亦可具有對含聚石夕院化合 子而得之阻氣層（以下亦稱為「離子注人層ρ、庄入 本發明中所用的聚矽烷化合物係在分」。

Si-S卜）鍵結的重複單位之高分子化合物。具有含 化合物，可舉出罝 為該聚矽烷 種重複單位之化合物。 斤選出的至 201041735

Ο) 式（1)中R、R2各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基 、環烷基、環烯基、关 方基、羥基、烷氧基、環烷氧基、芳 氧基、方烧氧基、可右 J有取代基的胺基、矽烷基或_素原子 ;複數之R1、R2可各自相同或不同。 作為别述R1R2的烷基，可舉出甲基、乙基、正丙基 '異丙基、正丁基、第— 楚— 弟一丁基、第二丁基、正戊基、正己 基等之碳數1〜10的烷基。 作為烯基，可舉屮 . 出乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基 等之碳數2〜10的烯基。 乍為衣烷基，可舉出環戊基環己基、環辛基等之碳 數3〜10的環烯基。

作為環烯基，可m丄K 出衣戍烯基、％己烯基等之碳數4 丄υ的環烯基。 作為芳基，可舉出# # fi〜9n 出本基、α-萘基、点-萘基等之碳數 b〜20的芳基。 反紙 作為燒氧基，可最ψ田备呈 ^ 氧美 舉出甲乳基、乙减、丙氧基、異丙 虱基、丁氧基、第三丁4其,& ^ ^ 、内 氧基。 丁乳基、戍乳基等之碳數1〜10的烷 作為環烷氧基，可舉出環戊氧基 3〜10的⑽氧基。 U减#之碳數 氧基、2-萘氧基等 作為芳氧基，可舉出苯氧基、卜萘 10 201041735 • 之碳數6〜20的芳氧基。 作為芳烷氧基，可舉出苄氧基、苯乙氧基、苯基丙氧 • 基等之破數7〜12的芳烧氧基。 - 作為可有取代基的胺基，可舉出胺基，經碳數1〜1〇 的烷基、碳數3〜10的環烷基、芳基、芳烷基、醯基等取 代的N-單或N，N-二取代胺基等。 作為矽烷基，可舉出矽烷基、二矽烷基、三矽烷基等 0 之Sll-1()矽烷基（較佳為SiH矽烷基）、取代矽烷基（例如經 烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基等取代的取代矽烷 基）等。 作為齒素原子，可舉出氟原子、氣原子、溴原子、碘 原子等。 又，當R及R所不的基為烷基或烯基時，該烷基係在 任意的位置可具有苯基 '"基苯基等的取代基之芳基， 也可具有甲氧基、乙氧基等的烷氧基，苯氧基等的芳氧基 ❹’氟原子、氯原子等的自素原子’硝基，氰基等之取代基 〇 還有，當R1及R2所示的基為環烷基、環烯基、芳基、 烧氧基、環燒氧基、芳氧基、芳烧氧基時，此等基係在土任 t的位置可具有甲基、乙基等的烷基，也可具有笨基、[ 以苯基等的取代基之芳基，甲氧基、乙氧基等的院氧基 ’苯氧基等的芳氧基’就原子、氣原子等㈣素原子，硝 基’氰基等之取代基。 作為本發明中所用的聚矽烷化合物，較佳含為式（1) 11 201041735 中κ1及κ2各自獨立地係氫原子 '院基、芳基、經基、院氧 基、胺基或石夕燒基的重複單位之聚石夕烧化合物，更佳為含 有m2各自獨立地係氫原子、烧基或芳基的重複單位I 聚矽烷化合物’特佳為含有R!及R2各自獨立地係碳數i〜4 的烷基或芳基的重複單位之聚矽烷化合物。 所用的聚石夕烧化合物之形態係沒有特別的限制，可為 非環狀聚料（直鏈狀聚㈣、支鏈狀聚㈣、網目狀聚石夕 烷等）或環狀聚石夕烧等的均聚#，也可為無規共聚物、喪段 共聚物、交替共聚物、梳型共聚物等的共聚物。 當前述聚矽烷化合物為非環狀聚矽烷時，聚矽烷化合 物的末端基（末端取代基）可為氫原子，也可為齒素原子（ 氯原子等）、烷基、羥基、烷氧基、矽烷基等。 作為聚矽烷化合物的具體例，可舉出聚二甲基矽烷、 聚（甲基丙基矽烷）、聚（甲基丁基矽烷）、聚（甲基戊基矽烷 )一丁基石夕炫*)、聚（一己基石夕烧）等的聚二院基石夕烧、 聚（二苯基矽烷）等的聚二芳基矽烷、聚（甲基笨基矽烷）等 的聚（院基芳基石夕烧）等的均聚物；二甲基石夕燒—甲基己基石夕 烷共聚物等的二烷基矽烷與其它二烷基矽烷的共聚物、苯 基矽烷-甲基笨基矽烷共聚物等的芳基矽烷烷基芳基矽烷 共聚合物、二曱基矽烷—甲基苯基矽烷共聚物、二甲基矽烷 -笨基己基矽烷共聚物、二甲基矽烷—曱基萘基矽烷共聚物 、甲基丙基矽烷-曱基苯基矽烷共聚物等的二烷基矽烷一烷 基芳基矽烷共聚物等的共聚物等。 此專聚石夕烧化合物可為單獨一種或組合二種以上使用 12 201041735 關於聚矽烷化合物，更詳細地，在r. D. Miller，J. * Michl ; Chemical Review,第 89 卷，1359 頁（ 1 989)、Ν· • Matsum〇t〇; Japanese Journal of Physics,第 37卷，5425 頁（1998)等中有記載。於本發明中，可使用此等文獻中記 載的聚矽烷化合物。 聚石夕烧化合物的重量平均分子量係沒有特別的限定， 較佳為300〜100, 〇〇〇，更佳為4〇〇〜5〇, 〇〇〇，特佳為5〇〇 〜30, 000 〇 多數的聚矽烷化合物係眾所周知的物質，可使用眾所 周知的方法來製造。例如，可舉出以鎂當作還原劑而使鹵 矽烷類進行脫幽素縮聚合的方法（「鎂還原法」， W098/2 9476號公報等），於鹼金屬的存在下使鹵矽烷類進 行脫_素縮聚合的方法（「奇賓法」，j. Am. Chem. s〇c.， 110’ 1 24(1988)、Macromolecules’ 23，3423( 1 990)等） 〇 ，藉由電極還原而使鹵矽烷類進行脫鹵素縮聚合的方法（J. Chera. Soc., Chem. Commun., 1 1 6 1 ( 1 990) ' J. Chem. Soc., Chem· Commun· 897(1992)等），於特定的聚合用金層觸媒 之存在下使氫矽烷類進行脫氫縮合的方法（特開平 ,4 —334551號公報等）、經聯苯等交聯的二矽烷之陰離子聚 合的方法（MaCrom〇lecules，23，4494( 1 99〇)等），環狀矽 烷類的開環聚合之方法等。 含聚矽烷化合物的層，除了含有聚矽烷化合物，在不 妨礙本發明目的之範圍内，亦可含有其它成分。 13 201041735 則！為其它成分，可舉出硬化劑、其它高分子。 劑、光安定劑、難燃劑等。 子、防老化 夕烷化合物的層令之聚矽烷化合物的含旦/ 形成具有優異的阻 里，從可 卡U王疋離子注入層的 5〇重量％以上，旻7Λ & 蜆』I看，較佳為 上更佳為70重量％以上。 形成含聚矽烷化合物的層之方法， 制，例如可舉出將含有聚石夕烧化合物的至少、別的限 的其它成分及溶劑等之屏$ 士 種、依所欲 ^ ^ #層形成用組成物塗佈在適告的“主 體上，將所得之塗膜摘_ π 田的支持 、 罜膜適度地乾燥而形成之方法。 作為塗佈襄置，可使 J便用旋塗機、刀塗機、 機等眾所周知的裝置。 凹槽輥塗佈 為了所得之塗膜的乾燥、成形體的 為將塗膜加熱。加熱係在8〇〜 ：，-，較佳 鐘。 lbUC：進仃數十秒至數十分 所形成之含聚矽烷化合物 制，通當盔9Π , 子度係沒有特別的限 通吊為2〇ηΐΠ〜10叩咖， 〜2。。· ’乂佳為3°〜5〇〇,更佳為40 於本發明中，含聚矽烷化 丄n , 7 07禮即使為奈米等級， 也可仔到具有充分的阻氣性能之成形體。 於本發明的成形體中，離 物的至少-種之層，層係含有議化合 、力古枯 /、要疋在該層中注入離子而成者，則 be有特別的限制。

前述離子注入層係斜人取A 成者。 層係對含聚石夕炫化合物的層注入離子而 201041735 離子的注入量係可配合所形成 (必要的阻氣性、㈣折性等）等來適宜決定體之使用目的 作為所注人的離子，可舉出氬、氦、氖— 稀有氣體之離子；碳氣化合物、氯、氮^山ά等的 氯、氟、硫等之離子； 一氧化碳、 甲烧、乙烷、丙烷、丁栌 離子；乙埽、丙烯丁： 烷等的烷系氣體類之 Ο Ο 。埤丙烯、丁烯、戊烯等的 戊二烯、丁 那乐乳體類之離子； 烯等的烷一烯系氣體類之離子. 乙快等的块系氣體類之離子；笨、甲苯、二甲— 甲基 、菲等的芳香族烴系氣體類之離子；環丙燒、二、節:萘 環烷系氣體類之離子 f 衣已烷等的 滞炙離子，％戊烯、環己烯等 之離子；（烴之離子） 长烯系氣體類 金、銀、鋼、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬 等的金屬之離子； 4、鈕、鎢、鋁 石夕烧（SiH0、有機石夕化合物等的石夕化合物之離子等 作為有機♦化合物，可舉出四f氧基錢、四 夕烧、四正丙氧基钱、四異丙氧基残、四正 二 烷、四第三丁氧基矽烷等的四烷氧基矽烷； 石 :甲基二甲氧基石夕烷、二甲基二乙氧基石夕烷、二乙 氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、土 二 丞—甲乳基矽烷、（3,3,3- 三甲氧基#等的無取代或具有取代基的烧基 尻軋基矽烷； 二笨基二甲氧基石夕烧、苯基三乙氧基石夕烧等的芳基烧氧基 矽烷； 15 201041735 六曱基二矽氧烷（HMDS0)等的二矽氧烧； 雙（二甲胺基）二甲基矽烷、雙（二甲胺基）甲基乙烯基矽烷 、雙（乙胺基）二甲基矽烷、二乙胺基三甲基矽烷、二甲胺 基二甲基矽烷 '四個二甲胺基矽烷、三（二甲胺基）矽烷等 的胺基矽烷； 六曱基二矽氮烷 '六甲基環三矽氮烷、七曱基二矽氮烷、 九甲基三矽氮烷、八曱基環四矽氮烷、四曱基二矽氮烷等 的矽氮烷： 四異氰酸基矽烷等的異氰酸基矽烷； 三乙氧基氟石夕烧等的鹵基石夕烧： 二烯丙基二甲基矽烷、烯丙基三甲基矽烷等的烯基矽烷； 二第三丁基矽烷、1，3-二矽丁烷、雙（三曱基矽烷基）曱烷 、三甲基矽烷、四甲基矽烷、三（三甲基矽烷基）甲烷、三（ 三甲基矽烷基)矽烷、苄基三甲基矽烷等的無取代或具有取 代基的烷基矽烷； 雙（三甲基矽烷基）乙炔、三曱基矽烷基乙炔(三甲基矽 烷基）-1-丙炔等的矽烧基炔； 二炔、環戊二烯基三甲基矽烷 1，4-雙三甲基矽烷基-1 3 丁 等的矽烷基烯； 苯基二甲基矽烷、三曱基矽&等的#基烷基矽烷; 块丙基三甲基石夕烧等的块基烧基石夕院； 乙烯基二甲基碎院等的稀基烧基碎烧； 六甲基二矽烷等的二矽烷： 八甲基環四矽氧烧 四甲基環四矽氧烷 六甲基環四石夕氧 16 201041735 院等的石夕氧院； N，〇-雙（三甲基矽烷基）乙醯胺； 雙（二甲基石夕烧基）碳化二亞胺；等。 此等離子可為單獨一種或組合二種以上使用。 於本發明的此等之中，從可更簡便地注入，得到具 特別優異的阻氣性與耐彎折性之離子注入層來看，較： 由氫、氮、氧、氬、負、气 ^ 〆 *''' Ο

G 虱虱巩、矾、氪、矽化合物及烴所组 成族群所選出的至少一種之離子，更佳為由a、氮、氧: 氫、乱、观、氣、氣所組成族群所選出的至少—種之離子 注入離子的方法係沒有特別的限定，例如可舉 成含聚碎烷化合物的層後，對該含聚碎烷化合物的 離子之方法。更具體地，可舉出昭 曰/ 出…、射電％加速的離子（離 子束）之方法’將電漿中的離子注人之方法（電漿離子注入 W等。㈣地’於本發明中’從可簡便且高效率地得到阻 風性成形體來看’較佳為後者之電聚離子注入法。 電裝離子注入例如係可藉由在含有電渡生成氣體之環 境下使產生電聚’對含聚錢化合物的層施加負 脈衝，以將該電漿中的離子 于離子）注入含聚矽烷化合物 的層而形成離子注入層。 形成離子注入層的部分 ,φ ^ ^ 之厚度，係可猎由離子的種類 或外加電壓、處理時間望从 吁間4的注入條件來控制 矽烷化合物的層之厚度、 3糸 1Λ 成形體之使用目的等來決定，通 常為10〜lOOOnm。 離子的注入係可藉ώm 使用X射線光電子分光（XPS)分 201041735 析，對自層表面起1 〇nm附近深度的元素進行分析測定而確 認。 本發明的成形體之形狀係沒有特別的限制，例如可舉 出薄膜狀、薄片狀、長方體狀、彡角柱狀、筒狀等。如後 述地作為電子裝置用元件使用時，較佳為薄臈狀'薄片狀。 該薄膜的厚度係可按㉟目的之電子的用㉟來適宜決 定。 、 本發明的成形體係可僅由阻氣層所構成，也可更人有 其它層。其它層可為單層，也可為同種或異種的2層以上。 作為其它層，例如可舉出由聚烧化合物以外的材料所 成的支持體、無機薄模層、I電體層、衝擊吸收層'底塗 所用 沒有特別 醯亞胺、 碳酸酯、 脂、環烯 於此 胺或環烯 作為 酸丁二醋 作為 66、耐隆 作為 的限制，例如可與φ取 +出聚醯亞胺 '聚醯胺、聚醯用 1本趟、聚喊酮、_秘祕如 酮、聚烯烴、聚酯、聋 1石風' •麵石風、平贫技*卜 醚、聚芳酯、丙烯酸系指 糸I合物、芳香族系聚合物等。 等之中，從1女、< m ",性來看，較佳為聚酯、聚酿 糸聚&物，更佳為聚酯。 聚酯，可舉出聚 ^ 了本—甲酸乙二酯、聚對苯二〒 、聚萘二曱酸 欠G —酉曰、聚芳酯等。 聚醯胺，可舉Ψ + 共聚物等。i方香族聚醯胺、耐隆6、_ 環稀系聚合物，可兴 牛出原冰片烯系聚合物、單拜 18 201041735 的％狀烯系聚合物、環狀共耗二稀系聚合物、乙稀基脂 環式烴聚合物及此等的氫化物。作為其具體例，可舉出 ΑΡΡ/1( —井化學公司製的乙烯-環烯共聚物）、ArtonCJSR 公司製的原冰片烯系聚合物)、Ze〇n〇r(日本z_公司製的 原冰片烯系聚合物）等。 支持體的厚度係沒有特別的限定，通常為5〜l〇_m ’較佳為10〜 Ο 無機薄膜層係由無機化合物的一種或二種以上所構成 的層。作為無機化合物，一般為可真空成膜、具有阻氣性 者，例如可舉出無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物、 無機硫化物、此等的複合體之無機氧化氮化物、無機氧化 碳化物、無機氮化碳化物、無機氧化氮化碳化物等。 無機薄膜層的厚度通常為1〇〜1〇〇〇nm， —更佳為20—範圍。 作為構成導電體層的材料，可舉出金屬、合金、金屬 氧化物、導電性化合物、此等的混合物等。具體地，可舉 出摻雜㈣的氧化錫⑽），摻料氟的氧化錫⑽），氧 化錫、氧化辞、氧化！a、氧化銦錫（IT())、氧化鋅銦（ 等的半導電性金屬氧化物4、銀、鉻、錦等的金屬，此 等金屬與導電性金屬氧化物的混合物，破化銅、硫化鋼等 的無機導電性物質，聚苯胺、聚㈣、聚^各等的有機導 電性材料等。 、 導電體層的形成方法係沒有特別的限制。例如，可兴 出蒸鍍法、賤鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電聚㈣法等牛。 201041735 導電體層的厚度係可按照其用途等而適 為1-:5—，較佳為u"。 擇… 衝擊吸收層係在對前述無機薄臈層加 成防止破裂的任務。作A 擊之際，達 有特別的限定，例如收層的原材料，並沒 脂、聚妙氧李㈣说 烯酸系樹脂、胺甲酸I系樹 乳系树月曰、烯烴系樹脂、橡膠系材料等。 又，亦可使用以黏著劑、塗覆劑' ，特佳為丙烯醆李黏|朱丨s 等斤市售者 劑等㈣著劑㈣卜聚福黏著劑、橡嶋著 :::收層的形成方法係沒有特別的限制， 含…化合物的層之形成方法同樣 耸夕甘—A \ 月J寻J及依所欲的溶劑 ::其“：的衝擊吸收層形成溶液，塗佈在應該層積: 法。 膜“，視需要進行加熱“形成的方 所得二T在剝離基材上形成衝擊吸收層的獏，將 所件之膜轉印層積到應該層積的層上。 較佳為5 衝擊吸收層的厚度通常為i〜

5〇^m〇 U 底塗層係達成提高支持體盘P日友B 兹文锊體與阻軋層之層間密接性的任 藉由6又置底塗層，可得 倍1W ㈣層間岔接性及表面平滑性極 優異的成形體。 作為構成底塗層的材料，並、力 ^ 並/又有特別的限定，可使用 π所周知者。例如，可舉 出3矽的化合物，由光聚合性單 20 201041735 體及/或光聚合性預聚物 ❹ 0 有以可見光範圍的光可產生自由基的聚合引發劑之光聚合 性組成物，聚酯系樹脂、聚胺甲酸酯系樹脂（尤其聚丙烯酸 多儿醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等與異氰酸酯化合物的 2液硬化型樹脂）、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氣乙 烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯縮丁醛系樹脂、硝基纖維素 系樹脂等的樹脂類’鈦酸錢’ #乙亞胺等。此等材料可 為單獨一種，或組合二種以上使用。 底塗層係可藉由將構成底塗層的材料溶解或分散在適 當的溶劑中而形成底塗層形成用溶液將此溶液塗附在支 持體的-面或兩面，使所得之塗膜乾燥，依所欲進行加熱 而形成。 作為將底塗層形成用溶液塗附在支持體上之方法，可 使用通常的濕式塗佈方法。例如，可舉出浸塗 槽輥塗佈、刀塗、氣刀塗 凹 膝㈣丨、也 伸視刀塗佈、口模式塗佈、網 版P刷法、噴塗、凹版膠印法等。 料將底塗層形成用溶液的塗膜乾燥之方法， …風乾燥、熱輥乾燥、紅外線昭 ^ m ^ ^ ^ 、、射4習知的乾燥方法。启 塗層的厚度通常為10〜1〇〇〇ηπ]。 无底 又’亦可對所得之庙涂 _ 層中注入離子之方法層，精由與後述的在離子注入 丁心万击同樣的方法爽 底塗層亦進行離子〜 仃離子注入。藉由對 當本發明的放开、 到阻氣性更優異的成形體。 田个各明的成形體係含有其 氣層的配置位置係沒有特別的限心、層積體時，前述阻 疋而且阻氣層可為】層 21 201041735 或複數層。 本發月的成形體係具有優異的阻氣性，而且當盆形狀 為薄膜狀或薄片狀（以下 ^ 稱马溥膜狀」）時，耐彎折性優 異’且即使進行-折等，也維持阻氣性而較宜。 本發明的成形體具有優異的阻氣性者’係可由本發明 的成形體之水蒸氣等的氣體之透過率小來確認。例如，在 4 0 C相對’属度9 0 %環境下，水孓洛，悉玄 兄卜水蒸就透過率通常低於 〇. g m /day，較佳為 〇. 35g/m2/day 以下。 再者’成形體的水蔘翁蓉夕.泰、 μ尸_ 、乱等之透過率，係可使用眾所周 知的氣體透過率測定裝置來測定。 本發明的成形體係耐彎折 〃 驾折性優異，即使進行彎折等也 町維持阻氣性，此係可藉 龙，祐早厭士 曰由將4膜狀的成形體彎折成兩 二=力，再打開後水蒸氣透過率也幾 二 =薄膜狀成形體，與相同厚度的無機膜比較 下即使彎折後，也可維持阻氣性而優異。 又’本發明的成形體亦表面平 M Jr Φ J- τ r生優異。本發明的成 形體之表面平滑性優異者，例如 (AW，對測定範圍1χ1…志错由使用原子力顯微鏡 定而確切^】 Μ®— 值㈣進行測 疋而確涊。lxl//m的Ka值較 0.4〇nm以下。 為0.45nm以下，更佳為 (2 )成形體的製造方法 本發明的成形體之製造方法的 有含聚石夕院化合物的層^㈣^ ^為具有對表面部具 層，注入離子之步驟。 則迷含聚矽烷化合物的 201041735 體之製造方法中 、氧、氬、氦、 選出的至少一種 於本發明的成形 驟較佳係將由氫、氮 物及烴所組成族群所 之步驟。 ’前述注入離子之步 氖、氙、氪、矽化合 之氣體離子化及注入 送…入離子之步驟較佳係一邊在一定方向中搬 、表面邛具有含聚矽烷化合物的 對命s 層之長條狀成形物，一邊 Ο 對-述含聚魏合物的層注入離子之步驟。 依照此製造方法，例如由― 成开^ 、了由捲出輥來捲出長條狀 取‘來捲：定方向中搬送其，—邊注入離子，以捲 故可連續地製造由離子注入而得之成形體。 物靜 形物的形狀㈣膜狀，可僅為含聚料化合 物的層，也可含有其 矽炫m 乍為其匕層’可舉出由前述聚 夕说化合物以外的材料所成的支持體。 從捲出、捲取及搬送的操作性 厚度較佳為1“〜50η δ 覜點來看成形物的 β m ’ 更佳為 5# m〜300 // m。 對含聚矽烷化合物的層 限定。豆中m 一 丁〈万法係沒有特別的 為精由1㈣子注人法在前述層的表面 ㈣成離子注入層的方法。 的表面 電篥離子注入法传拉 含聚㈣化合物的層=Γ::Γ中的在表面具有 將電聚中的離子注人』= _脈衝1 之方法。 則述層的表面部，而形成離子注入層 乍為電裝離子注人法’較佳為⑴將使用 生的電漿中所存在的離％而產 m ^ /主入别述層的表面部之方、去 23 201041735 或（B)不使用外都带4日 屯劳，將僅藉由施加於前述 脈衝所致的電場 4曰的負-電麼 層的表面部之方法。電聚令所存在之離子，注入前述 注入=ΪΓ:的方法中’離子注入之際㈣力(電漿離子 wy ^佳為G.G1〜1Pa。電漿離子注人時的璧力 右在如此的範圍，則 入層门忒丰地形成均勻的離子注 層。㈤…:土形成兼具耐彎折性、阻氣性的離子注入 處理方法係不需要提高減麼度’處理操作簡便， ί時間亦可大幅縮短。又，可對前述層全體進行均一的 理，在負的尚電壓脈衝施加時， 離子連續地注入層的表面邻丄心量將電襞中的 ^ 層的表面部。再者’不需要射頻（高頻，以 :間稱「…）或微波等的高頻電力源等之特別的其它手 奴，可僅對層施加負的高電麼脈衝，而在 地形成良質的離子注入層。 丨勺勾 於前述⑴及⑻的任-方法中，當施加負的高電厂堡脈 的，即離子注入時的脈衝寬度，較佳為！〜…sec。脈 衝寬度在如此的範圍時’可更簡便且高效率地形成均勾的 離子注入層。 又，產生電浆時的施加電壓較佳為_lkv〜_5〇kv，更佳

HkV〜，kV’特佳為_5kv〜㈣。若以施加電壓大於 -ikv之值來進行離子注入，則離子注入量（劑量）變不足， 得不到所欲的性能。另一方面，若以小於—5〇kv之值進行 離子注入’則離子注入時成形體會帶電，且發生對成形體 24 201041735 的著色等不良情況而不宜。 作為電聚離子注人MM 钫 沾缺立 入的離子種，可舉出與作為前述、、主入 的離子所例不的同樣者。 < 於對層的表面部注入電衆中的離 子注入裝置。 乏際，使用電漿離 作為電聚離子注入梦罾 功、^人 凌置具體地可舉出U)在對含聚 、元化&物的層（以下亦稱為「 Ο 〇 ^ ^ 八增」）施加查66茸 一壓脈衝之饋通上重疊高 ' 注入居的_ q Ή力均等地以電漿包圍離子 庄入層的周圍，誘導 的駐罢冤聚中的離子及使衝撞、沈積 的裝置（特開2G(U-26887號公報），（幻 ^ ^ ^ ^ 、p ^隹至内设置天線， 電力而使產生電漿’在電装到達離子注入層的周 圍後，藉由對離子注入層交 θ τ ^ , 又互地施加正與負的脈衝，而以 正的脈衝誘導衝撞電漿中 J电于以加熱離子注入層，抻 制脈衝常數，一邊進行溫度控— 二 ^ 邊施加負的脈衝而誘 導、注入電漿中的離子裝 裝置（特開2001-1 5601 3號公 報）’（r )使用微波等的高頻電 雪將 > 门^力，原#之外部t場而使產生 電漿，轭加高電壓脈衝而誘導 ， 王入電漿中的離子之電漿 離子注入裝置，（（5)不用 ^ ^ ^ ^ I丨4%，僅藉由高電壓脈衝的 把加所產生的電場，而 漿中的離子注入之電漿離子注 八裝置專。 於此等之中’從處理操作 、 作間便、處理時間亦大幅縮短、 於連續使用來看，較伟盔蚀兩， 、±壯 ^為使用（r)或（5)的電漿離子 注入裝置。 以下，邊參照圖面邊詳細說明使用前述& )及⑷的 25 201041735 電装離子注入置之方法。 圖1係顯示具備前述（τ)的電漿離子注入裝置之連續 電漿離子注入裝置的概要之圖。 圖1(a)中，la係表面部具有含聚矽烷化合物的層之長 條薄膜狀的成形物（以下稱為「薄膜」），Ua係室，2〇&係 油擴散泵’ 3a係送出離子注入前的薄膜la之捲出輥，h 係將離子注入後的薄膜（成形體）11}捲繞成親狀的捲取概， 2a 4系高電壓施加旋轉罐(can)、6a係薄膜的送出輥，— 係氣體導人口，7a係高電壓脈衝電源，4係電聚放電用電3 極（外部電場）。圖丨⑻係前述高電壓施加旋轉罐“的 視圖’ 15係高電壓導入端子（饋通）。 所用之表面部具有含聚石夕烧化合物的層之長條狀薄膜 ^係在支持體（其它層）上形成有含聚Μ化合物的層之 於圖1所示的連續電漿離子注入裂置 室山内，由捲出輥3a往圖i中箭號χ方向搬、，：糸士 電壓施加旋轉罐2a，捲繞在捲取輥 、過為 方法或搬送薄…方法等係沒有二 =捲繞 進行薄膜13的搬送。/姨轉罐旋轉，以 阿電壓施加旋榦碰 藉由馬達使高電壓導人端子15的中心 旋轉係 高電壓導入端子15及薄獏18所 旋轉而進行。 輕6a等係由絕緣體所構成，例如氧化！8的/數之送出用 烯等的樹脂所被覆而形成。又古表面經聚四氟乙 间電垄施加旋轉罐2a係由 201041735 導體所構成，例如可由不銹鋼等所形成。 薄膜1a的搬送速度係、可適㈣定。在由捲出觀3&搬 送出薄膜1&到捲繞在捲取輥5a上為止之間，對薄膜“的 表面部（含聚矽烷化合物的層） q w增h主入離子，逮度只要是能 保形成所欲之離子注人展& & t卜丄 層的時間，則沒有特別的限制。薄 膜的捲繞速度（搬送祿；s：彳f 耸…η 決於外加電壓、裝置規模 …為 °·1 〜3m/min，較佳為 0.2〜2.5ffl/min。 Ο 〇 首先，藉由連接於旋轉果的油擴散I 20a，將室Ua 内排氣而成為減壓。減壓度通常為ixi〇_2pa以下， lxl0-3Pa 以下。 ’ 其次，經由氣體導入口 1〇a在室Ua内導入氮等的離 主入用之氣體（以下亦稱為「離子注入用氣體」），而使 室内成為減壓料注人用氣料境。再者，離子注入 用氣體亦為電漿生成氣體。 接著’藉由電漿放電用電極4(外部電場）使產生電聚。 作為使產生電漿的方法， 羋出藉由微波或RF 4的高頻電 力源專眾所周知的方法。 另-方面，經由高電壓導人端子15，由連接於高電壓 施加旋轉罐2a的离雷厭i . ^電壓脈衝電源7a來施加負的高電壓脈 8 若對尚電壓施加旋轉罐2 # Λσ自Μ ·*· β r~ 得罐么施加負的尚電壓脈衝， 則誘導電漿中的離子， 離子主入间電壓施加旋轉罐29的周圍之 薄膜的表面（圖XT \ ’前遗Y ) ’得到薄膜狀的成形體1 b。 如月1j述地’離子注入之際的愚六「玄彳彳 ^的壓力（至1 la内的電漿氣體 之及力）較佳為〇〇1〜ipa，雜工 ' Pa離子〉主入時的脈衝寬度較佳為 27 201041735 1〜15#sec’對高電壓施加旋轉罐2a施加負的高電壓時之 外加電壓較佳為—lkv〜_5()kv。 其次，說明使用圖2所示的連續電聚離子注入裝置， ， 卩八有3髹矽烷化合物的層之薄膜的前述含聚矽烷 化合物的層進行離子注入的方法。 圖2所示的裝晋呈供_ a、+、，p、 展置具備别述（3)的電漿離子注入裝置。 此電聚離子注人農置係、不用外部電場（即_工中的電Μ 電用私極4)’而僅藉由所施加的高電壓脈衝之電場來產生 電漿·。 於圖2所示的連續„離子注人裝置中，薄膜（薄膜狀 的成形物Me係藉由與前述β !的裝置同樣地使高電壓施 加疑轉罐2b旋轉’而由捲出賴允圍0丄 俺出輥仆彺圖2中箭號x方向搬 送，捲繞在捲取輥5b上。 於圖2所示的連續電漿離子注 之含聚石夕院化合物的層之表面部 行。 入裝置中，對前述薄膜 的離子注入係如以下地進 '、一 ...........电眾離子注入農置同樣地， 室lib内設置薄膜lc，藉由連接於旌

逆拱於奴轉泵的油擴散泵2C 將室11 b内排氣而成為減壓。對訪考 耵这處，經由氣體導入口] 對室lib内，導入氮等的離子注入用 ^ ιικ π礼體，而使室11 b 成為減壓離子注入用氣體環境。 離子注入之際的壓力（室11h肉从兩 至Ub内的電漿氣體之壓力： l〇Pa以下’較佳為〇.〇1〜5Pa，更佳為。.〇1〜心。 其次’一邊在圖2中X的方向中搬送薄膜lc，一 il 28 201041735 由高電壓導人媸早、 2b的高電屋脈衝㈣二，由連接於高電壓施加旋轉罐 ^ ^衝電，原7b來施加高電壓脈衝9b。 右對向電壓施加旋轉罐2b施加負的 電屢施加旋轉罐2b的周圍之薄膜lc ，則沿著高 漿中的離子，注入古電《漿’誘導該電 膜lc的表^ 罐⑼的周圍之成形體薄 膜卜的表面（圖2中，箭號γ)。若對薄膜^之含聚専 化合物的層之表面部注入離子，則 / 元 Ο

注入層，得到薄膜狀的成形體Id。、面部形成離子 電二電=:::2b施加負的高電壓之際的外加 連續電漿離子=::::壓力，係與圖㈣ 於圖2所示的電漿離子注人裝置中，由於以 衝電源來兼用作使電浆產生的電聚產生手段，故不需要RF 或微波等的高頻電力源等特別的其它手段，藉由僅施加負 的兩電屢脈衝’而使產生電漿’對薄膜之含聚石夕烧化合物 =之表，部注人電漿中的離子，連續形成離子注入層， 可！產在薄膜的表面部形成有離子注入層的成形體。 (3)電子裝置用元件及電子裝置 本發明的電子裝置用元件之特徵為由本發明的成形體 所構成。因此，本發明的電子裝置用元件，由於具有優異 、氣14故可防止水蒸氣等的氣體所致的元件之劣化。 再由於光的透過性高，故適合作為液晶顯示器、以顯 不器等的顯示器元件、太陽電池用背板等。 本發明的電子裝置具備本發明的電子裝置用元件。作 29 201041735

_ 可舉出液晶顯不器、有機EL顯示器、無機EL 顯不器、電子紙、太陽電池等。 本發明的電子裝置，由於具備由本發明的成形體所成 的電子裝置用元件，故具有優異的阻氣性和耐彎折性。 實施例 以下，舉出實施例來更詳細說明本發明。惟，本發明 完全不受以下的實施例所限定。 所用的f襞離子注入裝置、水蒸氣透過率測定裝置及 測定條件、彎折試驗、表面平滑性評價方法以及密接性評 價方法係如以下。 (電漿離子注入裝置） RF電源：日本電子公司製，型號「RF」56〇〇〇 高電壓脈衝電源：栗田製作所公司製，「pv_3—HSHV一 0835」 (水蒸氣透過率的測定裝置） 透過率測定器：LYSSY公司製，「L80-5000」

測定條件：相對濕度90%、4(TC (彎折試驗） 使所得之成形體的離子注入面（比較例2係含聚石夕烧 化合物的層側，比較例4係氮化矽膜側）成為外側，在中央 部分彎折成一半’於層積速度5m/miη、溫度23°C的條件下 通過層積機（FUJIPLA公司製「LAMIPACKERLPC1 502」）的2 支輥*間。 尚且，使1 mm厚的硬板紙夾在成形體的内側，進行上 30 201041735 , 述彎折試驗。 (表面平滑性評價方法） • 使用原子力顯微鏡（jFM)(SII奈米科技公司製，「 .SPA3〇〇 HV」），在測定範圍lxl // m(l # mC])測定表面粗糙 度 Ra 值（nm)。 (密接性評價方法） 使用賽珞玢膠帶，藉由十字切割試驗來評價基材薄膜 ◎ 與P氣層之岔接性（JISK5600-5-6)。將密接性良好時當作 〇 ’將非常差時當作5 ’以6 Pi段進行評價。 (實施例1) 於作為支持體的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜（三菱樹脂

公司製，「PET38 T-100」，厚度38/zm，以下稱為rpET 薄膜」）上’塗佈在甲苯/乙基曱基酮混合溶劑（甲苯：乙基 甲基酿1=7:3，濃度5wt%)中溶解有當作聚矽烷化合物的含 有刖述式（1)中Ri = CeII5、R2 = CH3的重複單位之聚矽烷化合物 〇 (大阪瓦斯化學公司，Ogsol SI10, Mw=22, 1 00)之溶液，在 12〇°C加熱i分鐘，以在pET薄膜上形成厚度1〇〇龍（膜厚） 之含聚矽烷化合物的層（以下稱為「聚矽烷層」），而得到 成形物。接著，使用圖2所示的電漿離子注入裝置，對聚 矽烷層的表面，電漿離子注入氬（Ar)，以製作成形體1。 以下顯示電漿離子注入的條件。 •氣體（氬）流量：lOOsccm •負載（Duty)比：〇.5% •重複頻率：1 000 H z 31 201041735 •外加電壓：—10kv •奸電源：頻率13·56ΜΗζ，外加電力i〇〇〇w •室内壓：0. 2Pa 脈衝寬度：S^sec •處理時間（離子注入時間）：5分鐘 •搬送速度：0. 2m/min (實施例2) 除了作為電衆生成氣體，使用氦（He)代替氬以外，與 實施例1同樣地製作成形體2。 (實施例3) 除了作為電漿生成氣體，使用氮（N〇代替氬以外，與 實施例1同樣地製作成形體3。 (實施例4) 除了作為電漿生成氣體，使用氧（〇2)代替氬以外， 實施例1同樣地製作成形體4。 與 (實施例5) 與 輿 與 除了作為電漿生成氣體’使用氪（Kr)代替氬以外 實施例1同樣地製作成形體5。 (實施例6) 除了進行離子注入之際的外加電壓為-1 5kV以外 實施例1同樣地製作成形體6。 (實施例7) 除了進行離子注入之際的外加電壓為-20kV以％ 實施例1同樣地製作成形體7。 32 201041735 (實施例8) 除了使用在以聚苯基矽烷骨架與聚烷基矽烷骨架當作 主骨架的聚矽烷化合物（Mw=l，300)中，混合有當作交聯劑 的環氧樹脂者（大阪瓦斯化學公司，〇gsol SI-10-12)以外 ’與實施例1同樣地製作成形體8。 (比較例1) 使PET薄膜照原樣地成為成形體9。

(比較例2) 與實施例1同樣地在PET薄膜上形成聚矽烷層，以製 作成形體1 〇。 (比較例3) 除了不形成聚矽烷層以外’與實施例1同樣地製作成 • 形體。即’對PET薄膜’與實施例1同樣地進行離子注入 ，而成為成形體11。 (比較例4) 〇 於PET薄膜上，藉由濺鍍法來形成厚度50nm的氮化矽 (SiN)之膜，以製作成形體12。 (比較例5) 除了代替聚矽烷層，形成膜厚lym的胺曱酸酯丙烯酸 酯層（胺甲酸酯丙烯酸酯575BC，荒川化學工業公司製）， '對該胺甲酸酯丙烯酸酯層，與實施例丨同樣地進行離子注 入’以製作成形體13。 對於實施例1〜8、比較例2所得之各成形體丨〜8及 1〇’進行藉由X射線光電子分光分析（XPS)裝置（Ulvac_phi 33 201041735 公司製，Q刪tum2_)的元素分析測定，自阻氣層的表面 起朝向深度方向，分析氧原子、碳原子及 你子的存在比 例。深度方向的各原子之存在比例，係藉由使用氬氣進行 賤錢’測定在露出面的存在比例，重複此操作，而測定深 度方向的存在比例。圖3〜11中顯示其結果。 X射線源：A1Κ α X射線束直徑：l〇〇# m 電力值：25W 電壓：15kV 取出角度：45。 真空度：5. Oxl〇_8Pa 圖3〜11中，縱軸表示當氧原子、碳原子及矽原子的 存在量之合計為100時的原子之存在比例（％)，橫軸表示濺 鍍的累計時間（Sputter Time， 分鐘）。由於濺鍍的速度係 固定，故濺鍍的累計時間（Sputter Time)係對應於深度。 圖3〜U中，四角圖（Cls)係碳原子的存在比例，圓圖 係氧原子的存在比例，三角圖（Si2p)係矽原子的存在比例’ 又，下述表1中顯示在電漿離子注入面（比較例2的成 形體中，聚矽烷層的表面）的測定值（測定氧原子、碳原子 及矽原子的存在比例之結果）。 34 201041735 [表1] 成形體 -_ 存在比你丨P/n) 奴原子 氧原子 石夕片+ 貫施例1 1 67.6 24.1 / 々丁、4^ 8~3 貝施例2 2 58,9 30.8 10.3 實施例3_ 實施例4 3 4 38.9 ~28T^J 45.3 ~~5279~ 15.8 18.3 實施例5 5 62.5 26.8 10.7 貫施例6 6 Γ 58.8 30.6 10 6 實施例7 實施例8 卜7 57.1 31.6 11.2 8 56.8 31.4 11.8 比較例2 9 86.5 2.4 11.1 如表1、圖3〜10所示，確認於成形體J〜8中，自表 面起朝向深度方向’具有層中的氧原子之存在比例逐漸減 少、碳原子之存在比例逐漸增加的區域，該區域含有相對 於氧原子、碳原子及石夕原子的存在量全體而言，氧原子之 存在比例為20〜55%，碳原子之存在比例為25〜7〇%，矽原 子之存在比例為5〜20%的部分區域（A1)，及氧原子之存在 比例為1〜15%，碳原子之存在比例為72〜87%，矽原子之 Ο 存在比例為7〜18%的部分區域（A2)。 另一方面，如表1及圖11所示，於比較例2的成形體 10中，如上述的部分區域（A1)係不存在。 對於實施例1〜8及比較例1〜5所得之成形體1〜1 3 ，進行水蒸氣透過率的測定、表面粗糙度Ra值的測定及密 接性試驗。下述表2中顯示測定結果及評價結果。 其次’對於成形體1〜1 3進行彎折試驗，對於試驗後 的成形體1〜13測定水蒸氣透過率。表2中顯示測定結果 35 201041735 [表2] 成形體 水蒸氣透過率(g/m2/day) Ra(nm) 彎折試驗前 彎折試驗後 實施例1 1 0.20 0.62 0.23 實施例2 2 0.15 0.55 0.19 實施例3 3 0.24 0.58 0.40 實施例4 4 0.18 0.44 0.32 實施例5 5 0.20 0.52 0.14 實施例6 6 0.13 0.34 0.12 實施例7 7 0.12 0.30 0.10 實施例8 8 0.15 0.20 0.30 比較例1 9 13.7 14.0 0. 98 比較例2 10 13.5 13.5 1.05 比較例3 11 7.98 9.37 0.33 比較例4 12 0. 55 1.21 1.60 比較例5 13 10.0 13.3 0.55

由表2可知，與比較例1〜5的成形體9〜1 3相比，實 施例1〜8的成形體1〜8係水蒸氣透過率小，具有高的阻 氣性。又’成形體1〜8係表面平滑性及密接性亦優異。再 者’可知於彎折試驗後，水蒸氣透過率的上升也少，耐彎 折性也優異。

【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明中使用的電漿離子注入裝置之概略 構成的圖。 圖2係顯示本發明中使用的電漿離子注入裝置之概略 構成的圖。 圖3係表示實施例1的成形體1之阻氣層中，氧原子 、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 36 201041735 ，圖4係表示實施例2的成形體2之阻氣層中，氧原子 、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 - 圖5係表示實施例3的成形體3之阻氣層中，氧原子 . 、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 圖6係表示實施例4的成形體4之阻氣層中，氧原子 、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 圖7係表示實施例5的成形體5之阻氣層中，氧原子 ^ 、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 ❹ 圖8係表示實施例6的成形體6之阻氣層中，氧原子 、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 圖9係表示實施例7的成形體7之阻氣層中，氧原子 、碳原子及石夕原子的存在比例（％)之圖。 圖1 0係表示實施例8的成形體8之阻氣層中，氧原子 、碳原子及石夕原子的存在比例（％)之圖。 圖11係表示比較例2的成形體1 0之阻氣層中，氧原 〇 子、碳原子及矽原子的存在比例（％)之圖。 【主要元件符號說明】 1 a、1 c ~薄膜狀的成形物； lb、Id〜薄膜狀的成形體； 2a、2b〜旋轉罐； 3a、3b〜捲出輥； 4〜電漿放電用電極； 5a、5b〜捲取報； 37 201041735 6a、6b〜送出用輥； 7 a、7 b ~脈衝電源； 9a、9b〜高電壓脈衝； 10a、10b〜氣體導入口； 11 a、11室； 1 3 ~中心轴； 15〜高電壓導入端子； 2 0 a、2 0 b ~油擴散泵。

Claims (1)

1. 201041735 七、申請專利範圍·· 1.-種成形體，至少具有由含有氧原子、碳原子切 原子的材料所構成之阻氣層， 其特徵在於·· 前述阻氣層係含有自表面起朝向深度方向，層中的氧 原子之存在比例逐漸減少、破原子之存在比例逐漸增加的 區域（A)者， Ο Ο 前述區域(A)具有相對於氧原子、碳原子及矽原子的存 在量全體而言， 氧原子之存在比例為20〜55%，碳原子之存在比例為 〜7〇%，秒原子之存在比例為5〜m的部分區域（A1)， 及 ^、之存在比例為1〜15%，碳原子之存在比例為72 〜公矽原子之存在比例》7〜18%的部分區域(A2)。 2二申請專利範圍第1項之成形體，其中前述區域⑴ 係形成在含聚矽烷化合物的層之表層部。 3. 一種成形體，1炷+ 沾涵、+ ，、特徵在於：具有對含聚矽烷化合物 的層’注入離子而得之阻氣層。 石夕尸化人物月專利圍第2或3項之成形體，其中前述聚 二物係含有下述式⑴所示重複單位的化合物，

   (1) 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、 39 201041735 環烷基、環烯基、芳基、羥基、烷氧基、環烷氧基、芳氧 基、芳炫•氧基、可有取代基的胺基、石夕烧基或鹵素原子， 複數之R1、！^可各自相同或不同。 5.如申請專利範圍第3項之成形體，其中具有藉由電 黎·離子注入法，對前述含聚矽烷化合物的層，注入離子而 得之阻氣層。 6·如申請專利範圍第3項之成形體，其中前述離子係 由氫、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組 成族群所選出的至少一種氣體經離子化者。 7.如申請專利範圍第1至3、5或6項中任一項之成形 體’其在4Gt、相對錢9G%環境下的水蒸氣透過率係低 於 〇. 5g/m2/day。 梗甲請專利範 =對表面部具有含聚錢化合物的層之成形物的前述^ A矽烷化合物的層，注入離子之步驟。 9.如申請專利範圍第8項之成形體 -述注入離子之步驟係將由氫、氣、 法/: 、氪、矽化合物及庐 "氖、㈤ 视夂大工所組成族群所選出的至 離子化及注入之步驟。 種之軋楚 其中-Γ、+、、+ 或9項之成形體之製造j 中刚述注入離子之步 Ik 2 且亡a β /娜你邊在一定方向中珈，主主 具有含聚矽烷化合物+搬达表 雙功& 層之長條狀成形物，~ H、, 糸矽烷化合物的層 邊對珂 疋入離子之步驟。 U.—種電子裝置用 ，由申請專利範圍第i至 4〇 201041735 0 ，中任一項之成形體所成。 12. —種電子裝置，具有申請專利範圍第11項之電子 裝置用元件。 ❹

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