TWI477392B - A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device - Google Patents

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Description

成形體、其製造方法、電子裝置用元件及電子裝置
本發明關於成形體、其製造方法、由此成形體所成的電子裝置用元件、及具備此電子裝置用元件的電子裝置。
以往，塑膠薄膜等的高分子成形體，由於低價格、加工性優異，故賦予所欲的機能而使用於各種區域。
又，近年來於液晶顯示器或電致發光(EL)顯示器等的顯示器中，為了實現薄型化、輕量化、可撓化等，作為具有電極的基板，檢討使用透明塑膠薄膜代替玻璃板。然而，與玻璃板相比，塑膠薄膜係容易穿透水蒸氣或氧等，有容易引起顯示器內部的元件之劣化的問題。
為了解決此問題，專利文獻1中提案在聚酯系樹脂薄膜上層積阻氣性無機化合物薄膜之阻氣性薄膜。
然而，此文獻記載的阻氣性薄膜係有如以下的問題。
(i)此薄膜之阻氣性係未達到實用上可滿足的水平。
(ii)所層積的無機化合物薄膜係表面平滑性差，於阻氣層上形成其它層時，在所形成的其它層中容易發生針孔，有針孔發生部的阻氣性極度降低之情況。
(iii)此薄膜由於係在由聚酯系樹脂所成的基礎薄膜上，藉由蒸鍍法、電子束法、濺鍍法等，層積有由無機化合物所成的阻氣層者，故若該將層積薄膜弄圓或彎折，則在阻氣層中發生龜裂，而有阻氣性降低之情況因此，為了提高耐彎折性，亦有提案使無機膜與有機膜交互層積的手法，但製程的繁雜化、密接性的降低、材料成本的上升等係成為問題。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：特開平10-305542號公報
本發明係鑒於上述先前技術而完成者，其課題為提供阻氣性、耐彎折性、密接性及表面平滑性皆優異的成形體，其製造方法，由此成形體所成的電子裝置用元件，及具備此電子裝置用元件的電子裝置。
本發明者們為了解決上述問題，進行專心致力的檢討，結果發現一種具有至少2種類的部分區域之成形體，其係至少具有由含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成之阻氣層的成形體，其中前述阻氣層係含有自表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子的存在比例逐漸增加的區域(A)者，前述區域(A)含有特定比例的氧原子、碳原子及矽原子，該成形體係阻氣性、耐彎折性、密接性及表面平滑性皆優異。
又，發現如此的成形體，係可藉由對表面部具有含聚矽烷化合物的層之成形物的前述含聚矽烷化合物的層注入離子，而簡便且高效率地製造，終於完成本發明如此地，依照本發明的第1點，提供下述(1)～(7)的成形體。
(1)一種成形體，其係至少具有由含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成之阻氣層的成形體，其特徵在於：前述阻氣層係含有自表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子之存在比例逐漸增加的區域(A)者，前述區域(A)具有相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為20～55%，碳原子之存在比例為25～70%，矽原子之存在比例為5～20%的部分區域(A1)，及氧原子之存在比例為1～15%，碳原子之存在比例為72～87%，矽原子之存在比例為7～18%的部分區域(A2)。
(2)如(1)記載的成形體，其中前述區域(A)係形成在含聚矽烷化合物的層之表層部。
(3)一種成形體，其特徵在於：具有對含聚矽烷化合物的層，注入離子而得之阻氣層。
(4)如(2)或(3)記載的成形體，其中前述聚矽烷化合物係含有下述式(1)所示重複單位的化合物。
(式中，R1 、R2 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、環烷基、環烯基、芳基、羥基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、可有取代基的胺基、矽烷基或鹵素原子，複數之R1 、R2 可各自相同或不同)。
(5)如(3)或(4)記載的成形體，其中具有藉由電漿離子注入法，對前述含聚矽烷化合物的層，注入離子而得之阻氣層。
(6)如(3)記載的成形體，其中前述離子係由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種氣體經離子化者。
(7)如(1)或(3)記載的成形體，其在40℃、相對濕度90%環境下的水蒸氣透過率係低於0.5g/m2 /day。
依照本發明的第2點，提供下述(8)～(10)的成形體之製造方法。
(8)一種(3)記載的成形體之製造方法，其具有對表面部具有含聚矽烷化合物的層之成形物的前述含聚矽烷化合物的層，注入離子之步驟。
(9)如(8)記載的成形體之製造方法，其中前述注入離子之步驟係將由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種之氣體離子化及注入之步驟。
(10)如(8)記載的成形體之製造方法，其中前述注入離子之步驟係一邊在一定方向中搬送表面部具有含聚矽烷化合物的層之長條狀成形物，一邊對前述含聚矽烷化合物的層，注入離子之步驟。
依照本發明的第3點，提供下述(11)記載的電子裝置用元件。
(11)一種電子裝置用元件，其係由(1)～(7)中任一項記載的成形體所成。
依照本發明的第4點，提供下述(12)記載的電子裝置。
(12)一種電子裝置，其具有(11)記載的電子裝置用元件。
本發明的成形體具有優異的阻氣性能，耐彎折性、表面平滑性優異，密接性良好。因此，本發明的成形體係可適用作為撓性顯示器或太陽電池等的電子裝置用元件(例如太陽電池背板)。
依照本發明的製造方法，可簡便且高效率地製造具有優異阻氣性的本發明之成形體。又，與成膜為無機膜的方法相比，可低成本地容易地謀求大面積化。
本發明的電子裝置用元件，由於具有優異的阻氣性、耐彎折性等，故可適用於顯示器、太陽電池等的電子裝置。
以下分項為(1)成形體、(2)成形體之製造方法、(3)電子裝置用元件及電子裝置來詳細說明本發明。
(1)成形體
本發明的成形體係一種具有至少2種類的部分區域之成形體，其係至少具有由含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成之阻氣層的成形體，其中前述阻氣層係含有自表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子之存在比例逐漸增加的區域(A)者，前述區域(A)含有特定比例的氧原子、碳原子及矽原子。
具有如此阻氣層的成形體，係阻氣性、耐彎折性、密接性及表面平滑性皆優異。
本發明的成形體係至少具有由含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成之阻氣層的成形體。
又，前述阻氣層係由含有有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成，具有自表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子之存在比例逐漸增加的區域(A)。
此處，表面係不僅包含成形體中，阻氣層存在於成形體的最表面時之阻氣層的表面，亦包含在阻氣層上層積有其它層時的阻氣層與其它層之邊界面。
前述阻氣層係可僅由區域(A)所構成，也可為在阻氣層的一部分(較佳為表層部)具有區域(A)者，從製造容易性的觀點來看，較佳為後者。
前述區在域(A)的厚度通常為5～100nm，較佳為10～50nm。
於本發明的成形體中，區域(A)含有相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為20～55%，碳原子之存在比例為25～70%，矽原子之存在比例為5～20%的部分區域(A1)，及氧原子之存在比例為1～15%，碳原子之存在比例為72～87%，矽原子之存在比例為7～18%的部分區域(A2)。
氧原子、碳原子及矽原子的存在比例之測定係以後述實施例中說明的方法來進行。
具有含部分區域(A1)與部分區域(A2)的區域(A)之層，係成具有優異阻氣性的阻氣層。
部分區域(A1)係在區域(A)內，碳原子之存在比例最小、氧原子之存在比例最大的區域，相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為20～55%，碳原子之存在比例為25～70%，矽原子之存在比例為5～20%。通常，位於阻氣層的表面部。部分區域(A1)的厚度通常為1～10nm。
部分區域(A2)係相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為1～15%，碳原子之存在比例為72～87%，矽原子之存在比例為7～18%，部分區域(A2)通常係與前述部分區域(A1)鄰接而存在的區域，係位於部分區域(A1)的深度方向之區域。
部分區域(A2)的厚度通常為5～100nm。
區域(A)係含有部分區域(A1)與部分區域(A2)者，上述範圍內，自表面起朝向深度方向，氧原子之存在比例係逐漸減少，碳原子之存在比例係逐漸增加。
作為本發明的成形體之阻氣層，例如可舉出在含聚矽烷化合物的層之表層部形成有區域(A)者。更具體地，可舉出如後述地，對含聚矽烷化合物的層注入離子而得之層(以下亦稱為「注入層」)，或對含聚矽烷化合物的層施予電漿處理而得之層。
於本發明中，前述區域(A)較佳為形成在含聚矽烷化合物的層之表層部者，更佳為對含聚矽烷化合物的層之表層部注入離子而得者。
又，前述聚矽烷化合物較佳為具有由後述式(1)所示構造單位所選出的至少一種重複單位之化合物。
本發明的成形體亦可具有對含聚矽烷化合物的層注入離子而得之阻氣層(以下亦稱為「離子注入層」。
本發明中所用的聚矽烷化合物係在分子內具有含(-Si-Si-)鍵結的重複單位之高分子化合物。作為該聚矽烷化合物，可舉出具有由下述式(1)所示構造單位所選出的至少一種重複單位之化合物。
式(1)中，R1 、R2 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、環烷基、環烯基、芳基、羥基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、可有取代基的胺基、矽烷基或鹵素原子；複數之R1 、R2 可各自相同或不同。
作為前述R1 及R2 的烷基，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基等之碳數1～10的烷基。
作為烯基，可舉出乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基等之碳數2～10的烯基。
作為環烷基，可舉出環戊基、環己基、環辛基等之碳數3～10的環烯基。
作為環烯基，可舉出環戊烯基、環己烯基等之碳數4～10的環烯基。
作為芳基，可舉出苯基、α-萘基、β-萘基等之碳數6～20的芳基。
作為烷氧基，可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、戊氧基等之碳數1～10的烷氧基。
作為環烷氧基，可舉出環戊氧基、環己氧基等之碳數3～10的環烷氧基。
作為芳氧基，可舉出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等之碳數6～20的芳氧基。
作為芳烷氧基，可舉出苄氧基、苯乙氧基、苯基丙氧基等之碳數7～12的芳烷氧基。
作為可有取代基的胺基，可舉出胺基，經碳數1～10的烷基、碳數3～10的環烷基、芳基、芳烷基、醯基等取代的N-單或N,N-二取代胺基等。
作為矽烷基，可舉出矽烷基、二矽烷基、三矽烷基等之Si1-10 矽烷基(較佳為Si1-6 矽烷基)、取代矽烷基(例如經烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基等取代的取代矽烷基)等。
作為鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
又，當R1 及R2 所示的基為烷基或烯基時，該烷基係在任意的位置可具有苯基、4-甲基苯基等的取代基之芳基，也可具有甲氧基、乙氧基等的烷氧基，苯氧基等的芳氧基，氟原子、氯原子等的鹵素原子，硝基，氰基等之取代基。
還有，當R1 及R2 所示的基為環烷基、環烯基、芳基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳烷氧基時，此等基係在任意的位置可具有甲基、乙基等的烷基，也可具有苯基、4-甲基苯基等的取代基之芳基，甲氧基、乙氧基等的烷氧基，苯氧基等的芳氧基，氟原子、氯原子等的鹵素原子，硝基，氰基等之取代基。
作為本發明中所用的聚矽烷化合物，較佳含為式(1)中R1 及R2 各自獨立地係氫原子、烷基、芳基、羥基、烷氧基、胺基或矽烷基的重複單位之聚矽烷化合物，更佳為含有R1 及R2 各自獨立地係氫原子、烷基或芳基的重複單位之聚矽烷化合物，特佳為含有R1 及R2 各自獨立地係碳數1～4的烷基或芳基的重複單位之聚矽烷化合物。
所用的聚矽烷化合物之形態係沒有特別的限制，可為非環狀聚矽烷(直鏈狀聚矽烷、支鏈狀聚矽烷、網目狀聚矽烷等)或環狀聚矽烷等的均聚物，也可為無規共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、梳型共聚物等的共聚物。
當前述聚矽烷化合物為非環狀聚矽烷時，聚矽烷化合物的末端基(末端取代基)可為氫原子，也可為鹵素原子(氯原子等)、烷基、羥基、烷氧基、矽烷基等。
作為聚矽烷化合物的具體例，可舉出聚二甲基矽烷、聚(甲基丙基矽烷)、聚(甲基丁基矽烷)、聚(甲基戊基矽烷)、聚(二丁基矽烷)、聚(二己基矽烷)等的聚二烷基矽烷、聚(二苯基矽烷)等的聚二芳基矽烷、聚(甲基苯基矽烷)等的聚(烷基芳基矽烷)等的均聚物；二甲基矽烷-甲基己基矽烷共聚物等的二烷基矽烷與其它二烷基矽烷的共聚物、苯基矽烷-甲基苯基矽烷共聚物等的芳基矽烷-烷基芳基矽烷共聚合物、二甲基矽烷-甲基苯基矽烷共聚物、二甲基矽烷-苯基己基矽烷共聚物、二甲基矽烷-甲基萘基矽烷共聚物、甲基丙基矽烷-甲基苯基矽烷共聚物等的二烷基矽烷-烷基芳基矽烷共聚物等的共聚物等。
此等聚矽烷化合物可為單獨一種或組合二種以上使用。
關於聚矽烷化合物，更詳細地，在R. D. MiIler,J. Michl;Chemical Review,第89卷,1359頁(1989)、N. Matsumoto;Japanese Journal of Physics,第37卷,5425頁(1998)等中有記載。於本發明中，可使用此等文獻中記載的聚矽烷化合物。
聚矽烷化合物的重量平均分子量係沒有特別的限定，較佳為300～100,000，更佳為400～50,000，特佳為500～30,000。
多數的聚矽烷化合物係眾所周知的物質，可使用眾所周知的方法來製造。例如，可舉出以鎂當作還原劑而使鹵矽烷類進行脫鹵素縮聚合的方法(「鎂還原法」，WO98/29476號公報等)，於鹼金屬的存在下使鹵矽烷類進行脫鹵素縮聚合的方法(「奇賓法」,J. Am. Chem. Soc.,110,124(1988)、Macromolecules,23,3423(1990)等)，藉由電極還原而使鹵矽烷類進行脫鹵素縮聚合的方法(J. Chem. Soc.,Chem. Commun.,1161(1990)、J. Chem. Soc.,Chem. Commun. 897(1992)等)，於特定的聚合用金層觸媒之存在下使氫矽烷類進行脫氫縮合的方法(特開平4-334551號公報等)、經聯苯等交聯的二矽烷之陰離子聚合的方法(Macromolecules,23,4494(1990)等)，環狀矽烷類的開環聚合之方法等。
含聚矽烷化合物的層，除了含有聚矽烷化合物，在不妨礙本發明目的之範圍內，亦可含有其它成分。
作為其它成分，可舉出硬化劑、其它高分子、防老化劑、光安定劑、難燃劑等。
含聚矽烷化合物的層中之聚矽烷化合物的含量，從可形成具有優異的阻氣性之離子注入層的觀點來看，較佳為50重量%以上，更佳為70重量%以上。
形成含聚矽烷化合物的層之方法，係沒有特別的限制，例如可舉出將含有聚矽烷化合物的至少一種、依所欲的其它成分及溶劑等之層形成用組成物塗佈在適當的支持體上，將所得之塗膜適度地乾燥而形成之方法。
作為塗佈裝置，可使用旋塗機、刀塗機、凹槽輥塗佈機等眾所周知的裝置。
為了所得之塗膜的乾燥、成形體的阻氣性提高，較佳為將塗膜加熱。加熱係在80～150℃進行數十秒至數十分鐘。
所形成之含聚矽烷化合物的層之厚度係沒有特別的限制，通常為20nm～1000nm，較佳為30～500nm，更佳為40～200nm。
於本發明中，含聚矽烷化合物的層即使為奈米等級，也可得到具有充分的阻氣性能之成形體。
於本發明的成形體中，離子注入層係含有聚矽烷化合物的至少一種之層，只要是在該層中注入離子而成者，則沒有特別的限制。
前述離子注入層係對含聚矽烷化合物的層注入離子而成者。
離子的注入量係可配合所形成的成形體之使用目的(必要的阻氣性、耐彎折性等)等來適宜決定。
作為所注入的離子，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體之離子；碳氟化合物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等之離子；甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等的烷系氣體類之離子；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等的烯系氣體類之離子；戊二烯、丁二烯等的烷二烯系氣體類之離子；乙炔、甲基乙炔等的炔系氣體類之離子；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等的芳香族烴系氣體類之離子；環丙烷、環己烷等的環烷系氣體類之離子；環戊烯、環己烯等的環烯系氣體類之離子；(烴之離子)金、銀、銅、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等的金屬之離子；矽烷(SiH4 )、有機矽化合物等的矽化合物之離子；等。
作為有機矽化合物，可舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷、四第三丁氧基矽烷等的四烷氧基矽烷；二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷等的無取代或具有取代基的烷基烷氧基矽烷；二苯基二甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等的芳基烷氧基矽烷；六甲基二矽氧烷(HMDSO)等的二矽氧烷；雙(二甲胺基)二甲基矽烷、雙(二甲胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(乙胺基)二甲基矽烷、二乙胺基三甲基矽烷、二甲胺基二甲基矽烷、四個二甲胺基矽烷、三(二甲胺基)矽烷等的胺基矽烷；六甲基二矽氮烷、六甲基環三矽氮烷、七甲基二矽氮烷、九甲基三矽氮烷、八甲基環四矽氮烷、四甲基二矽氮烷等的矽氮烷：四異氰酸基矽烷等的異氰酸基矽烷；三乙氧基氟矽烷等的鹵基矽烷：二烯丙基二甲基矽烷、烯丙基三甲基矽烷等的烯基矽烷；二第三丁基矽烷、1,3-二矽丁烷、雙(三甲基矽烷基)甲烷、三甲基矽烷、四甲基矽烷、三(三甲基矽烷基)甲烷、三(三甲基矽烷基)矽烷、苄基三甲基矽烷等的無取代或具有取代基的烷基矽烷；雙(三甲基矽烷基)乙炔、三甲基矽烷基乙炔、1-(三甲基矽烷基)-1-丙炔等的矽烷基炔；1,4-雙三甲基矽烷基-1,3丁二炔、環戊二烯基三甲基矽烷等的矽烷基烯；苯基二甲基矽烷、苯基三甲基矽烷等的芳基烷基矽烷；炔丙基三甲基矽烷等的炔基烷基矽烷；乙烯基三甲基矽烷等的烯基烷基矽烷；六甲基二矽烷等的二矽烷：八甲基環四矽氧烷、四甲基環四矽氧烷、六甲基環四矽氧烷等的矽氧烷；N,O-雙(三甲基矽烷基)乙醯胺；雙(三甲基矽烷基)碳化二亞胺；等。
此等離子可為單獨一種或組合二種以上使用。
於本發明的此等之中，從可更簡便地注入，得到具有特別優異的阻氣性與耐彎折性之離子注入層來看，較佳為由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種之離子，更佳為由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪所組成族群所選出的至少一種之離子注入離子的方法係沒有特別的限定，例如可舉出在形成含聚矽烷化合物的層後，對該含聚矽烷化合物的層注入離子之方法。更具體地，可舉出照射經電場加速的離子(離子束)之方法，將電漿中的離子注入之方法(電漿離子注入法)等。特別地，於本發明中，從可簡便且高效率地得到阻氣性成形體來看，較佳為後者之電漿離子注入法。
電漿離子注入例如係可藉由在含有電漿生成氣體之環境下使產生電漿，對含聚矽烷化合物的層施加負的高電壓脈衝，以將該電漿中的離子(陽離子)注入含聚矽烷化合物的層而形成離子注入層。
形成離子注入層的部分之厚度，係可藉由離子的種類或外加電壓、處理時間等的注入條件來控制，可按照含聚矽烷化合物的層之厚度、成形體之使用目的等來決定，通常為10～1000nm。
離子的注入係可藉由使用X射線光電子分光(XPS)分析，對自層表面起10nm附近深度的元素進行分析測定而確認。
本發明的成形體之形狀係沒有特別的限制，例如可舉出薄膜狀、薄片狀、長方體狀、多角柱狀、筒狀等。如後述地作為電子裝置用元件使用時，較佳為薄膜狀、薄片狀。
該薄膜的厚度係可按照目的之電子裝置的用途來適宜決定。
本發明的成形體係可僅由阻氣層所構成，也可更含有其它層。其它層可為單層，也可為同種或異種的2層以上。
作為其它層，例如可舉出由聚烷化合物以外的材料所成的支持體、無機薄膜層、導電體層、衝擊吸收層、底塗層等
所用的支持體之原材料，只要符合成形體之目的，則沒有特別的限制，例如可舉出聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、環烯系聚合物、芳香族系聚合物等。
於此等之中，從具有泛用性來看，較佳為聚酯、聚醯胺或環烯系聚合物，更佳為聚酯。
作為聚酯，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯等。
作為聚醯胺，可舉出全芳香族聚醯胺、耐隆6、耐隆66、耐隆共聚物等。
作為環烯系聚合物，可舉出原冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物及此等的氫化物。作為其具體例，可舉出Appel(三井化學公司製的乙烯-環烯共聚物)、Arton(JSR公司製的原冰片烯系聚合物)、Zeonor(日本ZEON公司製的原冰片烯系聚合物)等。
支持體的厚度係沒有特別的限定，通常為5～1000μm，較佳為10～300μm。
無機薄膜層係由無機化合物的一種或二種以上所構成的層。作為無機化合物，一般為可真空成膜、具有阻氣性者，例如可舉出無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物、無機硫化物、此等的複合體之無機氧化氮化物、無機氧化碳化物、無機氮化碳化物、無機氧化氮化碳化物等。
無機薄膜層的厚度通常為10～1000nm，較佳為20～500nm，更佳為20～100nm的範圍。
作為構成導電體層的材料，可舉出金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、此等的混合物等。具體地，可舉出摻雜有銻的氧化錫(ATO)，摻雜有氟的氧化錫(FTO)，氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等的半導電性金屬氧化物，金、銀、鉻、鎳等的金屬，此等金屬與導電性金屬氧化物的混合物，碘化銅、硫化銅等的無機導電性物質，聚苯胺、聚吩、聚吡咯等的有機導電性材料等。
導電體層的形成方法係沒有特別的限制。例如，可舉出蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等。
導電體層的厚度係可按照其用途等而適宜選擇。通常為10nm～50μm，較佳為20nm～20μm。
衝擊吸收層係在對前述無機薄膜層加以衝擊之際，達成防止破裂的任務。作為形成衝擊吸收層的原材料，並沒有特別的限定，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、橡膠系材料等。
又，亦可使用以黏著劑、塗覆劑、密封劑等所市售者，特佳為丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、橡膠系黏著劑等的黏著劑。
衝擊吸收層的形成方法係沒有特別的限制，例如可舉出與前述含聚矽烷化合物的層之形成方法同樣地，將含有前述形成衝擊吸收層的原材料(黏著劑等)及依所欲的溶劑等之其它成分的衝擊吸收層形成溶液，塗佈在應該層積的層上，將所得之塗膜乾燥，視需要進行加熱等而形成的方法。
又，亦可另途在剝離基材上形成衝擊吸收層的膜，將所得之膜轉印層積到應該層積的層上。
衝擊吸收層的厚度通常為1～100μm，較佳為5～50μm。
底塗層係達成提高支持體與阻氣層之層間密接性的任務。藉由設置底塗層，可得到層間密接性及表面平滑性極優異的成形體。
作為構成底塗層的材料，並沒有特別的限定，可使用眾所周知者。例如，可舉出含矽的化合物，由光聚合性單體及/或光聚合性預聚物所成的光聚合性化合物，及至少含有以可見光範圍的光可產生自由基的聚合引發劑之光聚合性組成物，聚酯系樹脂、聚胺甲酸酯系樹脂(尤其聚丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等與異氰酸酯化合物的2液硬化型樹脂)、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯縮丁醛系樹脂、硝基纖維素系樹脂等的樹脂類，鈦酸烷酯，伸乙亞胺等。此等材料可為單獨一種，或組合二種以上使用。
底塗層係可藉由將構成底塗層的材料溶解或分散在適當的溶劑中而形成底塗層形成用溶液，將此溶液塗附在支持體的一面或兩面，使所得之塗膜乾燥，依所欲進行加熱而形成。
作為將底塗層形成用溶液塗附在支持體上之方法，可使用通常的濕式塗佈方法。例如，可舉出浸塗、輥塗、凹槽輥塗佈、刀塗、氣刀塗佈、輥刀塗佈、口模式塗佈、網版印刷法、噴塗、凹版膠印法等。
作為將底塗層形成用溶液的塗膜乾燥之方法，可採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等習知的乾燥方法。底塗層的厚度通常為10～1000nm。
又，亦可對所得之底塗層，藉由與後述的在離子注入層中注入離子之方法同樣的方法來進行離子注入。藉由對底塗層亦進行離子注入，可得到阻氣性更優異的成形體。
當本發明的成形體係含有其它層的層積體時，前述阻氣層的配置位置係沒有特別的限定，而且阻氣層可為1層或複數層。
本發明的成形體係具有優異的阻氣性，而且當其形狀為薄膜狀或薄片狀(以下稱為「薄膜狀」)時，耐彎折性優異，且即使進行彎折等，也維持阻氣性而較宜。
本發明的成形體具有優異的阻氣性者，係可由本發明的成形體之水蒸氣等的氣體之透過率小來確認。例如，在40℃、相對濕度90%環境下，水蒸氣透過率通常低於0.50g/m2 /day，較佳為0.35g/m2 /day以下。
再者，成形體的水蒸氣等之透過率，係可使用眾所周知的氣體透過率測定裝置來測定。
本發明的成形體係耐彎折性優異，即使進行彎折等也可維持阻氣性，此係可藉由將薄膜狀的成形體彎折成兩半，施予壓力，再打開後水蒸氣透過率也幾乎沒有降低來確認。本發明的薄膜狀成形體，與相同厚度的無機膜比較下，即使彎折後，也可維持阻氣性而優異。
又，本發明的成形體亦表面平滑性優異。本發明的成形體之表面平滑性優異者，例如可藉由使用原子力顯微鏡(AFM)，對測定範圍1×1μm的表面粗糙度Ra值(nm)進行測定而確認。1×1μm的Ra值較佳為0.45nm以下，更佳為0.40nm以下。
(2)成形體的製造方法
本發明的成形體之製造方法的特徵為具有對表面部具有含聚矽烷化合物的層之成形物之前述含聚矽烷化合物的層，注入離子之步驟。
於本發明的成形體之製造方法中，前述注入離子之步驟較佳係將由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種之氣體離子化及注入之步驟。
又，前述注入離子之步驟較佳係一邊在一定方向中搬送表面部具有含聚矽烷化合物的層之長條狀成形物，一邊對前述含聚矽烷化合物的層注入離子之步驟。
依照此製造方法，例如由於可由捲出輥來捲出長條狀成形物，一邊在一定方向中搬送其，一邊注入離子，以捲取輥來捲取，故可連續地製造由離子注入而得之成形體。
長條狀成形物的形狀係薄膜狀，可僅為含聚矽烷化合物的層，也可含有其它層。作為其它層，可舉出由前述聚矽烷化合物以外的材料所成的支持體。
從捲出、捲取及搬送的操作性之觀點來看，成形物的厚度較佳為1μm～500μm，更佳為5μm～300μm。
對含聚矽烷化合物的層注入離子之方法係沒有特別的限定。其中，特佳為藉由電漿離子注入法在前述層的表面部形成離子注入層的方法。
電漿離子注入法係藉由對暴露於電漿中的在表面具有含聚矽烷化合物的層之成形物，施加負的高電壓脈衝，以將電漿中的離子注入前述層的表面部，而形成離子注入層之方法。
作為電漿離子注入法，較佳為(A)將使用外部電場而產生的電漿中所存在的離子，注入前述層的表面部之方法，或(B)不使用外部電場，將僅藉由施加於前述層的負高電壓脈衝所致的電場而產生的電漿中所存在之離子，注入前述層的表面部之方法。
於前述(A)的方法中，離子注入之際的壓力(電漿離子注入時的壓力)較佳為0.01～1Pa。電漿離子注入時的壓力若在如此的範圍，則可簡便且高效率地形成均勻的離子注入層，可高效率地形成兼具耐彎折性、阻氣性的離子注入層。
前述(B)的方法係不需要提高減壓度，處理操作簡便，處理時間亦可大幅縮短。又，可對前述層全體進行均一的處理，在負的高電壓脈衝施加時，可以高能量將電漿中的離子連續地注入層的表面部。再者，不需要射頻(高頻，以下簡稱「RF」)或微波等的高頻電力源等之特別的其它手段，可僅對層施加負的高電壓脈衝，而在層的表面部均勻地形成良質的離子注入層。
於前述(A)及(B)的任一方法中，當施加負的高電壓脈衝時，即離子注入時的脈衝寬度，較佳為1～15μsec。脈衝寬度在如此的範圍時，可更簡便且高效率地形成均勻的離子注入層。
又，產生電漿時的施加電壓較佳為-1kV～-50kV，更佳為-1kV～-30kV，特佳為-5kV～20kV。若以施加電壓大於-1kV之值來進行離子注入，則離子注入量(劑量)變不足，得不到所欲的性能。另一方面，若以小於-50kV之值進行離子注入，則離子注入時成形體會帶電，且發生對成形體的著色等不良情況而不宜。
作為電漿離子注入的離子種，可舉出與作為前述注入的離子所例示的同樣者。
於對層的表面部注入電漿中的離子之際，使用電漿離子注入裝置。
作為電漿離子注入裝置，具體地可舉出(α)在對含聚矽烷化合物的層(以下亦稱為「離子注入層」)施加負的高電壓脈衝之饋通上重疊高頻電力，均等地以電漿包圍離子注入層的周圍，誘導、注入電漿中的離子及使衝撞、沈積的裝置(特開2001-26887號公報)，(β)在室內設置天線，給予高頻電力而使產生電漿，在電漿到達離子注入層的周圍後，藉由對離子注入層交互地施加正與負的脈衝，而以正的脈衝誘導衝撞電漿中的電子，以加熱離子注入層，控制脈衝常數，一邊進行溫度控制，一邊施加負的脈衝而誘導、注入電漿中的離子之裝置(特開2001-156013號公報)，(γ)使用微波等的高頻電力源等之外部電場而使產生電漿，施加高電壓脈衝而誘導、注入電漿中的離子之電漿離子注入裝置，(δ)不用外部電場，僅藉由高電壓脈衝的施加所產生的電場，而將電漿中的離子注入之電漿離子注入裝置等。
於此等之中，從處理操作簡便、處理時間亦大幅縮短、適合於連續使用來看，較佳為使用(γ)或(δ)的電漿離子注入裝置。
以下，邊參照圖面邊詳細說明使用前述(γ)及(δ)的電漿離子注入置之方法。
圖1係顯示具備前述(γ)的電漿離子注入裝置之連續電漿離子注入裝置的概要之圖。
圖1(a)中，1a係表面部具有含聚矽烷化合物的層之長條薄膜狀的成形物(以下稱為「薄膜」)，11a係室，20a係油擴散泵，3a係送出離子注入前的薄膜1a之捲出輥，5a係將離子注入後的薄膜(成形體)1b捲繞成輥狀的捲取輥，2a係高電壓施加旋轉罐(can)、6a係薄膜的送出輥，10a係氣體導入口，7a係高電壓脈衝電源，4係電漿放電用電極(外部電場)。圖1(b)係前述高電壓施加旋轉罐2a的斜視圖，15係高電壓導入端子(饋通)。
所用之表面部具有含聚矽烷化合物的層之長條狀薄膜1a，係在支持體(其它層)上形成有含聚矽烷化合物的層之薄膜。
於圖1所示的連續電漿離子注入裝置中，薄膜1a係在室11a內，由捲出輥3a往圖1中箭號X方向搬送，通過高電壓施加旋轉罐2a，捲繞在捲取輥5a上。薄膜1a的捲繞方法或搬送薄膜1a的方法等係沒有特別的限制，於本實施形態中，藉由以一定速度使高電壓施加旋轉罐2a旋轉，以進行薄膜1a的搬送。又，高電壓施加旋轉罐2a的旋轉係藉由馬達使高電壓導入端子15的中心軸13旋轉而進行。
高電壓導入端子15及薄膜1a所接觸的複數之送出用輥6a等係由絕緣體所構成，例如氧化鋁的表面經聚四氟乙烯等的樹脂所被覆而形成。又，高電壓施加旋轉罐2a係由導體所構成，例如可由不銹鋼等所形成。
薄膜1a的搬送速度係可適宜設定。在由捲出輥3a搬送出薄膜1a到捲繞在捲取輥5a上為止之間，對薄膜1a的表面部(含聚矽烷化合物的層)注入離子，速度只要是能確保形成所欲之離子注入層的時間，則沒有特別的限制。薄膜的捲繞速度(搬送速度)亦取決於外加電壓、裝置規模等，通常為0.1～3m/min，較佳為0.2～2.5m/min。
首先，藉由連接於旋轉泵的油擴散泵20a，將室11a內排氣而成為減壓。減壓度通常為1×10-2 Pa以下，較佳為1×10-3 Pa以下。
其次，經由氣體導入口10a在室11a內導入氮等的離子注入用之氣體(以下亦稱為「離子注入用氣體」)，而使室11a內成為減壓離子注入用氣體環境。再者，離子注入用氣體亦為電漿生成氣體。
接著，藉由電漿放電用電極4(外部電場)使產生電漿。作為使產生電漿的方法，可舉出藉由微波或RF等的高頻電力源等眾所周知的方法。
另一方面，經由高電壓導入端子15，由連接於高電壓施加旋轉罐2a的高電壓脈衝電源7a來施加負的高電壓脈衝9a。若對高電壓施加旋轉罐2a施加負的高電壓脈衝，則誘導電漿中的離子，注入高電壓施加旋轉罐2a的周圍之薄膜的表面(圖1(a)中,箭號Y)，得到薄膜狀的成形體1b。
如前述地，離子注入之際的壓力(室11a內的電漿氣體之壓力)較佳為0.01～1Pa，離子注入時的脈衝寬度較佳為1～15μsec，對高電壓施加旋轉罐2a施加負的高電壓時之外加電壓較佳為-1kV～-50kV。
其次，說明使用圖2所示的連續電漿離子注入裝置，對表面部具有含聚矽烷化合物的層之薄膜的前述含聚矽烷化合物的層進行離子注入的方法。
圖2所示的裝置具備前述(δ)的電漿離子注入裝置。此電漿離子注入裝置係不用外部電場(即圖1中的電漿放電用電極4)，而僅藉由所施加的高電壓脈衝之電場來產生電漿。
於圖2所示的連續電漿離子注入裝置中，薄膜(薄膜狀的成形物)1c係藉由與前述圖1的裝置同樣地使高電壓施加旋轉罐2b旋轉，而由捲出輥3b往圖2中箭號X方向搬送，捲繞在捲取輥5b上。
於圖2所示的連續電漿離子注入裝置中，對前述薄膜之含聚矽烷化合物的層之表面部的離子注入係如以下地進行。
首先，與圖1中所示的電漿離子注入裝置同樣地，在室11b內設置薄膜1c，藉由連接於旋轉泵的油擴散泵20b，將室11b內排氣而成為減壓。對該處，經由氣體導入口10b對室11b內，導入氮等的離子注入用氣體，而使室11b內成為減壓離子注入用氣體環境。
離子注入之際的壓力(室11b內的電漿氣體之壓力)為10Pa以下，較佳為0.01～5Pa，更佳為0.01～1Pa。
其次，一邊在圖2中X的方向中搬送薄膜1c，一邊經由高電壓導入端子(未圖示)，由連接於高電壓施加旋轉罐2b的高電壓脈衝電源7b來施加高電壓脈衝9b。
若對高電壓施加旋轉罐2b施加負的高電壓，則沿著高電壓施加旋轉罐2b的周圍之薄膜1c產生電漿，誘導該電漿中的離子，注入高電壓施加旋轉罐2b的周圍之成形體薄膜1c的表面(圖2中，箭號Y)。若對薄膜1c之含聚矽烷化合物的層之表面部注入離子，則在薄膜表面部形成離子注入層，得到薄膜狀的成形體1d。
對高電壓施加旋轉罐2b施加負的高電壓之際的外加電壓、脈衝寬度及離子注入之際的壓力，係與圖1所示的連續電漿離子注入裝置之情況同樣。
於圖2所示的電漿離子注入裝置中，由於以高電壓脈衝電源來兼用作使電漿產生的電漿產生手段，故不需要RF或微波等的高頻電力源等特別的其它手段，藉由僅施加負的高電壓脈衝，而使產生電漿，對薄膜之含聚矽烷化合物的層之表面部注入電漿中的離子，連續形成離子注入層，可量產在薄膜的表面部形成有離子注入層的成形體。
(3)電子裝置用元件及電子裝置
本發明的電子裝置用元件之特徵為由本發明的成形體所構成。因此，本發明的電子裝置用元件，由於具有優異的阻氣性，故可防止水蒸氣等的氣體所致的元件之劣化。再者，由於光的透過性高，故適合作為液晶顯示器、EL顯示器等的顯示器元件、太陽電池用背板等。
本發明的電子裝置具備本發明的電子裝置用元件。作為具體例，可舉出液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
本發明的電子裝置，由於具備由本發明的成形體所成的電子裝置用元件，故具有優異的阻氣性和耐彎折性。
實施例
以下，舉出實施例來更詳細說明本發明。惟，本發明完全不受以下的實施例所限定。
所用的電漿離子注入裝置、水蒸氣透過率測定裝置及測定條件、彎折試驗、表面平滑性評價方法以及密接性評價方法係如以下。
(電漿離子注入裝置)
RF電源：日本電子公司製，型號「RF」56000
高電壓脈衝電源：栗田製作所公司製，「PV-3-HSHV-0835」
(水蒸氣透過率的測定裝置)
透過率測定器：LYSSY公司製，「L80-5000」
測定條件：相對濕度90%、40℃
(彎折試驗)
使所得之成形體的離子注入面(比較例2係含聚矽烷化合物的層側，比較例4係氮化矽膜側)成為外側，在中央部分彎折成一半，於層積速度5m/min、溫度23℃的條件下通過層積機(FUJIPLA公司製「LAMIPACKER LPC1502」)的2支輥間。
尚且，使1mm厚的硬板紙夾在成形體的內側，進行上述彎折試驗。
(表面平滑性評價方法)
使用原子力顯微鏡(AFM)(SII奈米科技公司製,「SPA300 HV」)，在測定範圍1×1μm(1μm□)測定表面粗糙度Ra值(nm)。
(密接性評價方法)
使用賽珞玢膠帶，藉由十字切割試驗來評價基材薄膜與阻氣層之密接性(JISK5600-5-6)。將密接性良好時當作0，將非常差時當作5，以6階段進行評價。
(實施例1)
於作為支持體的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱樹脂公司製,「PET38 T-100」,厚度38μm,以下稱為「PET薄膜」)上，塗佈在甲苯/乙基甲基酮混合溶劑(甲苯：乙基甲基酮=7:3,濃度5wt%)中溶解有當作聚矽烷化合物的含有前述式(1)中R1 =C6 H5 、R2 =CH3 的重複單位之聚矽烷化合物(大阪瓦斯化學公司，Ogsol SI10,Mw=22,100)之溶液，在120℃加熱1分鐘，以在PET薄膜上形成厚度100nm(膜厚)之含聚矽烷化合物的層(以下稱為「聚矽烷層」)，而得到成形物。接著，使用圖2所示的電漿離子注入裝置，對聚矽烷層的表面，電漿離子注入氬(Ar)，以製作成形體1。
以下顯示電漿離子注入的條件。
‧氣體(氬)流量：100sccm
‧負載(Duty)比：0.5%
‧重複頻率：1000Hz
‧外加電壓：-10kV
‧RF電源：頻率13.56MHz，外加電力1000W
‧室內壓：0.2Pa
‧脈衝寬度：5μsec
‧處理時間(離子注入時間)：5分鐘
‧搬送速度：0.2m/min
(實施例2)
除了作為電漿生成氣體，使用氦(He)代替氬以外，與實施例1同樣地製作成形體2。
(實施例3)
除了作為電漿生成氣體，使用氮(N2 )代替氬以外，與實施例1同樣地製作成形體3。
(實施例4)
除了作為電漿生成氣體，使用氧(O2 )代替氬以外，與實施例1同樣地製作成形體4。
(實施例5)
除了作為電漿生成氣體，使用氪(Kr)代替氬以外，與實施例1同樣地製作成形體5。
(實施例6)
除了進行離子注入之際的外加電壓為-15kV以外，與實施例1同樣地製作成形體6。
(實施例7)
除了進行離子注入之際的外加電壓為-20kV以外，與實施例1同樣地製作成形體7。
(實施例8)
除了使用在以聚苯基矽烷骨架與聚烷基矽烷骨架當作主骨架的聚矽烷化合物(Mw=1,300)中，混合有當作交聯劑的環氧樹脂者(大阪瓦斯化學公司，Ogsol SI-10-12)以外，與實施例1同樣地製作成形體8。
(比較例1)
使PET薄膜照原樣地成為成形體9。
(比較例2)
與實施例1同樣地在PET薄膜上形成聚矽烷層，以製作成形體10。
(比較例3)
除了不形成聚矽烷層以外，與實施例1同樣地製作成形體。即，對PET薄膜，與實施例1同樣地進行離子注入，而成為成形體11。
(比較例4)
於PET薄膜上，藉由濺鍍法來形成厚度50nm的氮化矽(SiN)之膜，以製作成形體12。
(比較例5)
除了代替聚矽烷層，形成膜厚1μm的胺甲酸酯丙烯酸酯層(胺甲酸酯丙烯酸酯575BC,荒川化學工業公司製)，對該胺甲酸酯丙烯酸酯層，與實施例1同樣地進行離子注入，以製作成形體13。
對於實施例1～8、比較例2所得之各成形體1～8及10，進行藉由X射線光電子分光分析(XPS)裝置(Ulvac-Phi公司製,Quantum 2000)的元素分析測定，自阻氣層的表面起朝向深度方向，分析氧原子、碳原子及矽原子的存在比例。深度方向的各原子之存在比例，係藉由使用氬氣進行濺鍍，測定在露出面的存在比例，重複此操作，而測定深度方向的存在比例。圖3～11中顯示其結果。
X射線源：AlKα
X射線束直徑：100μm
電力值：25W
電壓：15kV
取出角度：45°
真空度：5.0×10-8 Pa
圖3～11中，縱軸表示當氧原子、碳原子及矽原子的存在量之合計為100時的原子之存在比例(%)，橫軸表示濺鍍的累計時間(Sputter Time,分鐘)。由於濺鍍的速度係固定，故濺鍍的累計時間(Sputter Time)係對應於深度。圖3～11中，四角圖(C1s)係碳原子的存在比例，圓圖(O1s)係氧原子的存在比例，三角圖(Si2p)係矽原子的存在比例。
又，下述表1中顯示在電漿離子注入面(比較例2的成形體中，聚矽烷層的表面)的測定值(測定氧原子、碳原子及矽原子的存在比例之結果)。
如表1、圖3～10所示，確認於成形體1～8中，自表面起朝向深度方向，具有層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子之存在比例逐漸增加的區域，該區域含有相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為20～55%，碳原子之存在比例為25～70%，矽原子之存在比例為5～20%的部分區域(A1)，及氧原子之存在比例為1～15%，碳原子之存在比例為72～87%，矽原子之存在比例為7～18%的部分區域(A2)。
另一方面，如表1及圖11所示，於比較例2的成形體10中，如上述的部分區域(A1)係不存在。
對於實施例1～8及比較例1～5所得之成形體1～13，進行水蒸氣透過率的測定、表面粗糙度Ra值的測定及密接性試驗。下述表2中顯示測定結果及評價結果。
其次，對於成形體1～13進行彎折試驗，對於試驗後的成形體1～13測定水蒸氣透過率。表2中顯示測定結果。
由表2可知，與比較例1～5的成形體9～13相比，實施例1～8的成形體1～8係水蒸氣透過率小，具有高的阻氣性。又，成形體1～8係表面平滑性及密接性亦優異。再者，可知於彎折試驗後，水蒸氣透過率的上升也少，耐彎折性也優異。
1a、1c．．．薄膜狀的成形物
1b、1d．．．薄膜狀的成形體
2a、2b．．．旋轉罐
3a、3b．．．捲出輥
4．．．電漿放電用電極
5a、5b．．．捲取輥
6a、6b．．．送出用輥
7a、7b．．．脈衝電源
9a、9b．．．高電壓脈衝
10a、10b．．．氣體導入口
11a、11b．．．室
13．．．中心軸
15．．．高電壓導入端子
20a、20b．．．油擴散泵
圖1係顯示本發明中使用的電漿離子注入裝置之概略構成的圖。
圖2係顯示本發明中使用的電漿離子注入裝置之概略構成的圖。
圖3係表示實施例1的成形體1之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖4係表示實施例2的成形體2之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖5係表示實施例3的成形體3之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖6係表示實施例4的成形體4之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖7係表示實施例5的成形體5之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖8係表示實施例6的成形體6之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖9係表示實施例7的成形體7之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖10係表示實施例8的成形體8之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖11係表示比較例2的成形體10之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。

Claims (11)

  1. 一種成形體，至少具有由含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成之阻氣層，其特徵在於：前述阻氣層係含有自表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子之存在比例逐漸增加的區域(A)者，前述區域(A)具有相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子之存在比例為20~55%，碳原子之存在比例為25~70%，矽原子之存在比例為5~20%的部分區域(A1)，及氧原子之存在比例為1~15%，碳原子之存在比例為72~87%，矽原子之存在比例為7~18%的部分區域(A2)，前述部分區域(A1)的厚度為1~10nm。
  2. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中前述區域(A)係形成在含聚矽烷化合物的層之表層部。
  3. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中前述阻氣層，是對含聚矽烷化合物的層，藉由電漿離子注入法，注入由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種之離子而得。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之成形體，其中前述聚矽烷化合物係含有下述式(1)所示重複單位的化合物， 式中，R1 、R2 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、環烷基、環烯基、芳基、羥基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、可有取代基的胺基、矽烷基或鹵素原子，複數之R1 、R2 可各自相同或不同。
  5. 如申請專利範圍第3項之成形體，其中前述離子係由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種氣體經離子化者。
  6. 如申請專利範圍第1項之成形體，其在40℃、相對濕度90%環境下的水蒸氣透過率係低於0.5g/m2 /day。
  7. 一種申請專利範圍第3項之成形體之製造方法，其具有對表面部具有含聚矽烷化合物的層之成形物的前述含聚矽烷化合物的層，藉由電漿離子注入法，注入由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種之氣體經離子化的離子之步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之成形體之製造方法，其中前述電漿離子注入法，係藉由對暴露於電漿中的前述成形物施加負的高電壓脈衝，以將前述電漿中的離子注入前述層的表面部，而形成離子注入層之方法；產生電漿時的施加電壓為-1kV~-50kV。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之成形體之製造方法，其中前述注入離子之步驟係一邊在一定方向中搬送表面部 具有含聚矽烷化合物的層之長條狀成形物，一邊對前述含聚矽烷化合物的層，藉由電漿離子注入法，注入由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、矽化合物及烴所組成族群所選出的至少一種之氣體經離子化的離子之步驟。
  10. 一種電子裝置用元件，由申請專利範圍第1至6項中任一項之成形體所成。
  11. 一種電子裝置，具有申請專利範圍第10項之電子裝置用元件。
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