TW200827342A - Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent device using the same - Google Patents

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200827342 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關芳香族胺衍生物及使用其之有機電致發 光（EL)元件’特別是關於將具有特定取代基的芳香族胺衍 生物用於電洞輸送材料，使驅動電壓降低，同時抑制分子 之結晶化，提高製造有機EL元件時之良率，改善有機EL 元件的壽命的芳香族胺衍生物。 【先前技術】 有機EL元件係利用藉由外加電場，以由陽極注入之 電洞與由陰極注入電子之再結合能量，使螢光性物質產生 發光之原理的自行發光元件。自伊斯曼柯達公司之 C.W.Tang等發表藉由層合型元件之低電壓驅動有機EL元 件之報告（C.W· Tang，S.A· Vanslyke，應用物理論壇 (Applied Physics Letters)，51 卷，913 頁，1 987 年等）以來， 有關以有機材料爲構成材料之有機EL元件之硏究正盛 行。Tang等人將三（8-喹啉酚）鋁用於發光層，將三苯基二 胺衍生物用於電洞輸送層。層合結構之優點，例如有提高 電洞注入發光層之注入效率；提高捕捉由陰極注入的電 子，以再結合產生之激發子的生成效率；封閉在發光層內 生成的激發子等。如上述例中，有機EL元件之元件構造 例如有以電洞輸送（注入）層、電子輸送發光層之二層型’ 或電洞輸送（注入）層、發光層、電子輸送（注入）層之三層 型等爲人所熟知。這種層合型構造元件爲了提高被注入之 -5- 200827342 電洞與電子之再結合效率，因此在元件構造或形成方法方 面下工夫。 通常，在高溫環境下驅動或保管有機EL元件時，會 產生發光色變化、發光效率降低、驅動電壓上升、發光壽 命縮短等不良影響。爲了防止這些問題’必須提高電洞輸 送材料之玻璃轉化溫度（Tg)。因此，電洞輸送材料之分子 內必須具有大量之芳香族基（例如專利文獻1之芳香族二 胺衍生物、專利文獻2之芳香族縮合環二胺衍生物），通 常可使用具有8〜1 2個苯環的結構。 但是分子內具有大量芳香族基時’使用這些電洞輸送 材料形成薄膜，製作有機EL元件時，容易產生結晶化， 堵塞蒸鍍用之乾堝的出口，或因結晶化造成薄膜缺陷，導 致有機E L元件之良率降低等的問題。又，分子內具有許 多芳香族基之化合物，一般玻璃轉化溫度（Tg)較高，但是 昇華溫度高，產生蒸鍍時之分解或蒸鍍不均勻等現象，因 此有壽命較短的問題。 另外，有揭示非對稱之芳香族胺衍生物之公知文獻。 例如，專利文獻3中記載具有非對稱結構的芳香族胺衍生 物，但是無具體的實施例，也完全未記載非對稱化合物的 特徴。又，專利文獻4中雖記載具有菲之非對稱之芳香族 胺衍生物的實施例，但是與對稱化合物同樣處理，且完全 未記載非對稱化合物的特徴。又，縱使非對稱化合物需要 特殊的合成法，但是此等專利中並未明確記載非對稱化合 物的製造方法。專利文獻5中雖記載具有非對稱結構之芳 -6 - 200827342 香族胺衍生物的製造方法，但是未記載非對稱化合物的特 徴。專利文獻6中雖記載玻璃轉化溫度較高之熱安定的非 對稱化合物，但僅列舉具有咔唑的化合物。 又，具有呋喃之化合物例如有專利文獻7，但是僅記 載呋喃直接與胺鍵結。專利文獻7〜9雖記載呋喃介於芳 基與氮鍵結的化合物，但無法得到充分的性能。因此，強 烈期望開發具有更優異性能的有機EL元件。 [專利文獻1]美國專利第4,720,432號說明書 [專利文獻2]美國專利第5,061，5 69號說明書 [專利文獻3]特開平8 -48 65 6號公報 [專利文獻4 ]特開平1 1 - 1 3 5 2 6 1號公報 [專利文獻5 ]特開2 0 0 3 - 1 7 1 3 6 6號公報 [專利文獻6]美國專利第6,242，1 15號說明書 [專利文獻7 ]特開2 0 0 0 - 3 1 9 2 7 3號公報 [專利文獻8 ]特開平1 0 - 1 2 5 4 6 8號公報 [專利文獻9]特開平4-224572號公報 【發明內容】 [發明欲解決的問題] 本發明係爲了解決上述課題而完成者，本發明之目的 係使驅動電壓降低，同時提供分子不易結晶化，提高製造 有機EL元件時之良率，壽命長的有機EL元件及實現此 目的之芳香族胺衍生物。 200827342 [解決問題的方法] 本發明人等爲達成前述目的，精心硏究結果’發現下 述一般式（1)所示具有特定取代基的新穎芳香族胺衍生物 作爲有機EL元件用材料使用，特別是作爲電洞輸送材料 使用時，可解決上述課題，而完成本發明。 又，發現一般式（2)所示之具有呋喃結構之芳基所取 代的胺基適合作爲具有特定取代基的胺單位。此胺單位因 具有極性基，因此可與電極相互作用，電荷注入變得容 易，及具有呋喃結構，移動度高，具有驅動電壓降低的效 果，同時具有立體障礙性，因此分子間的相互作用較小， 可抑制結晶化，具有提高製造有機EL元件之良率，延長 製得之有機EL元件的壽命的效果，特別是與藍色發光元 件組合，可得到顯著低電壓及長壽命的效果。在大分子量 之化合物中，具有非對稱結構之化合物可降低蒸鍍溫度， 因此抑制蒸鍍時之分解，可延長壽命。 換言之，本發明係提供下述一般式（1)表示之芳香族 胺胺衍生物。 [化1]

[式中’ L 1係取代或無取代之核原子數6〜5 0之伸芳

Ari〜Ar4之中至少丨個係以下述一般式（2)表示， 200827342 [化2] (Ri)a—一 (2) {式中，Rl係氫原子、取代或無取代之核原子數ό〜 5〇之方基、取代或無取代之碳數1〜50之烷基、取代或 ’、、取代之碳數1〜5 〇之烷氧基、取代或無取代之碳數ό〜 50之方k基、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳氧 土 、取代或無取代之核原子數5〜5 〇之芳硫基、取代或無 、之碳數2 50之院氧鑛基、鹵原子、氰基、硝基、羥 基、或羧基。 a係0〜3的整數。L2係取代或無取代之核原子數6〜 5 〇之伸芳基}。 一般式（1)中，Ari〜A。之中非一般式（2)者係分別獨 立爲取代或無取代之核原子數6〜50之芳基。但是Ari〜 Α“之取代基係取代或無取代之核原子數6〜5 〇之芳基、 取代或無取代之碳數丨〜5 〇之烷基、取代或無取代之碳數 1〜5 〇之烷氧基、取代或無取代之碳數6〜5 〇之芳院基、 取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳氧基、取代或無取代 之核原子數5〜5 0之芳硫基、取代或無取代之碳數2〜5 〇 之欠兀氧鑛基、鹵原子、氰基、硝基、經基、或竣其〕 本發明係提供以下述一般式⑷〜（6)中任—表示之芳 香族胺衍生物。 (4) 200827342 [化3]

Are-

Ar”

(5)

[式中，L5〜L12係取代或無取代之核原子數6〜50之 伸芳基。

Ar 5〜Ar 9之中至少1個爲下述一般式（7)表示。 ΑΓι〇〜Ar152中至少1個爲下述一般式（7)表示。 八^6〜人1：21之中至少1個爲下述一般式（7)表示。 [化4] (Ri)a

L2 (7) -10- 200827342 {式中’ R i係氫原子、取代 X ^無取代之核原子數6〜 5 〇之芳基、取代或無取代之碳數 厭敷1〜5〇之烷基、取代或 無取代之碳數1〜5 0之烷氧基、伴 '^ 取代或無取代之碳數6〜 50之芳院基、取代或無取代之 ^ ^ _ 基、取代或無取代之核原子數 取代之碳數2〜50之烷氧羰基 基、或羧基。 心·仪原于數5〜5 0之芳氧 〜5 〇之芳硫基、取代或無 _原子、氰基、硝基、羥 a係0〜3的整數。 L2係取代或無取代之核原子數6〜5〇之伸芳基}。 式中，Ah〜係分別獨立爲取代或無取代之核原 子數6〜50之方基，但是A。〜之取代基係分別獨立 爲取代或無取代之核原子數6〜5 〇之芳基、取代或無取代 之碳數1〜5 0之烷基、取代或無取代之碳數丨〜5 〇之烷氧 基、取代或無取代之碳數6〜5 0之芳烷基、取代或無取代 之核原子數5〜50之芳氧基、取代或無取代之核原子數5 〜50之芳硫基、取代或無取代之碳數2〜5〇之烷氧鑛 基、鹵原子、氰基、硝基、羥基、或羧基〕。 本發明係提供一種有機EL元件，其係於陰極與陽極 間挾持至少含有發光層之一層或多層所構成之有機薄膜層 的有機EL元件，其特徵係該有機薄膜層之至少一層爲含 有該芳香族胺衍生物作爲單獨或混合物的成分。 [發明效果] 本發明之芳香族胺衍生物及使用其之有機EL元件係 -11 - 200827342 使驅動電壓降低，同時分子不易結晶化，提高製造有機 EL元件時之良率，壽命長。 [實施發明之最佳形態] 本發明之芳香族胺衍生物係下述一般式（1 )袠示者。 [化5]

—般式（1)中，L!係取代或無取代之核原子數6〜5〇 之伸芳基。Ari〜Ai：4之中至少丨個係以下述一般式（2)表 示。 [化6] (^i)a

k (2) 一般式（2)中，R!係氫原子、取代或無取代之核原子 數6〜5 〇之芳基、取代或無取代之碳數丨〜5 〇之烷基、取 7或無取代之碳數1〜5〇之烷氧基、取代或無取代之碳數 6〜5〇之芳烷基、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳氧 基、、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳硫基、取代或無 弋之fc數2〜50之院氧幾基、鹵原子、氰基、硝、 其、 a、或羧基。a係0〜3的整數。L2係取代或無取代之核 -12- 200827342 原子數6〜50之伸芳基。 一般式（1)中’ ΑΓ1〜ΑΓ4之中非—般式（2)者係分別獨 立爲取代或無取代之核原子數6〜5〇之芳基。彳日是〜

Aq之取代基係取代或無取代之核原子數6〜5〇之芳基、 取代或無取代之碳數 取代或無取代之碳數1〜5 0之烷基 5〇之烷氧基、取代或無取代之碳數6〜5()之芳院基

取代或無取代之核原子數5〜50之芳氧基、取代或無取代 之核原子數5〜50之芳硫基、取代或無取代之碳數2〜5〇 之院氧羰基、鹵原子、氰基、硝基、羥基、或竣基。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（2)爲下述一般 式（3 )表示者較佳。 [化7]

一般式（3)中，Ri係取代或無取代之核原子數6〜5〇 之芳基或取代或無取代之碳數1〜5 〇之烷基。L2係取代 或無取代之核原子數6〜50之伸芳基。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1)中，Ari爲該 一般式（2)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1 )中，Ar!與 Ah爲分別獨立以該一般式（2)表示者較佳。 -13- 200827342 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1)中，Ari與 Ar3爲分別獨立以該一般式（2)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1)中，Ar^〜Ar4 之中3個以上係互相不同，且非對稱者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1)中，Ari〜Ar4 之中3個相同，且非對稱者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1)中，Ari〜Ar4 係分別獨立爲苯基、聯苯基、三聯苯基或芴基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1 )中，L i爲伸 聯苯基、伸三聯苯基或伸荀基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（2)中，L2爲伸 苯基、伸聯苯基或伸荀基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（2)中，Rl爲苯 基、萘基或菲基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物係該一般式（1)中，Ari〜Ar4 係分別獨立爲苯基、聯苯基、二聯苯基或苟基，L1爲伸 聯苯基、伸三聯苯基或伸芴基，該一般式（2)中，l2爲伸 苯基、伸聯苯基或伸芴基較佳。 本發明係提供以下述一般式（4)〜（6)中任一表示之芳 香族胺衍生物。 -14- (4) 200827342 [化8] ί

\ 一般式（4)〜（6)中，L5〜L12係取代或無取代之 數6〜50之伸芳基。Ar 5〜Ar 9之中至少1個爲下述 (7)表示。Ar1()〜Ar15之中至少1個爲下述一般〕 不。Ari6〜Ar2i之中至少1個爲下述一般式（7)表不 :原子 -般式 ⑺表 -15- 200827342 i：化 9] (Ri)a

L2

一般式（7)中，Ri係氫原子、取代或無取代之核原子 數6〜50之芳基、取代或無取代之碳數1〜5〇之院取 代或無取代之碳數1〜5 0之烷氧基、取代或 狀代驭無取代之碳數 6〜50之芳烷基、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳氧 基、取代或無取代之核原子數5〜5 〇之宅：讲宜 D υ乙方硫基、取代或無 取代之碳數2〜50之烷氧羰基、鹵原 …、 圓跟于、氰基、硝基、羥 基、或羧基。a係0〜3的整數。I炫 ^ L2係取代或無取代之核 原子數6〜50之伸芳基。 —般式⑷〜（6)中分別獨立爲取代或趣 取代之核原子數6〜5°之芳基。但是一r21之取代基 係取代或無取代之核原子數6〜s n ^ _甘 50之方基、取代或無取代 之碳數1〜5 0之烷基、取代碏输％… _…、取代之碳數1〜5 〇之院氧 基、取代或無取代之碳數6〜^ _ 50之方烷基、取代或無取代 之核原子數5〜50之芳氧基、而上 取代或無取代之核原子數5 〜50之芳硫基、取代或無取 、与又代之碳數2〜50之烷氧羰 基、鹵原子、氰基、硝基、_甘 匕基、或羧基。 本發明之芳香族胺衍生物# ~ 、 物係該一般式（7)爲下述〜般 式（8)表示者較佳。 -16- (8) 200827342 [化 10]

Ri -般式⑴中，Rl係取代或無取代之核原子數 之芳基或取代或無取代之碳數1〜5〇之烷基。L2 ^ 或無取代之核原子數6〜5〇之伸芳其。 本發明之芳香族胺衍生物’其中該一般式（4)中 〜之中至少丨個係以一般式（7)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（4)中 爲該一般式（7)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（4)中 與Αι*8爲各自獨以該一*般式（7)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（5)中 〜Ar152中至少1個係以一般式（γ)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（5)中 與Ar15爲各自獨立以該一般式（7)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（5)中 與人1*13爲各自獨立以該一般式（7)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（6)中 〜Ar21之中至少1個係以一般式（7)表示者較佳。 本發明之芳香族胺衍生物’其中該一般式（6)中 與An 8與Αγ2〇爲各自獨立以該一般式（7)表示者較佳 本發明之芳香族胺衍生物’其中該一般式（4)、 6〜50 U又代 ，Ar5 ，Ar5 ，Ar6 ，Ar10 ，A r 1 〇 ，Ar i i Ar16 ，Ar16 o (5)及 -17- 200827342 (6)中’ Ah〜Ai*2!係分別獨立爲苯基、聯苯基、三聯苯基 或荀基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（4 )、（ 5 )及 (6)中’ L5〜L 1 2係分別獨立爲伸苯基、伸聯苯基、伸三聯 苯基或伸芴基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（7)中，L 2 爲伸苯基、伸聯苯基或伸芴基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（7)中，Rl 爲苯基、萘基或菲基較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，其中該一般式（4)、（5)、 (6)及（7)中，〜Ar^係各自獨立爲苯基、聯苯基、三聯 苯基或芴基，Ls〜L1：z係各自獨立爲伸苯基、伸聯苯基、 伸三聯苯基或伸芴基，L2爲伸苯基、伸聯苯基或伸荀基 較佳。 一般式（1)之An〜Aq中，非一般式（2)之取代或無取 代之核原子數6〜50之芳基、一般式（2)、（3)、（7)及（8)之 Ri之取代或無取代之核原子數6〜50之芳基、Ari〜Ar4 之取代基之取代或無取代之核原子數6〜50之芳基，例如 有苯基、卜萘基、2_萘基、丨-蒽基、2-蒽基、9·蒽基、卜 菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-非基、b丁省基、2_ 丁省基、9-丁省基、1-芘基、2_芘基、4_芘基、2-聯苯 基、3 -聯苯基、4 -聯苯基、對聯三苯_4 -基、對聯三苯_ 3 -基、對聯三苯-2-基、間聯三苯_4_基、間聯三苯-3-基、間 聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲本基、對甲苯基、對第三 -18 - 200827342 丁基苯基、對- (2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4_甲 基-1-萘基、4 -甲基-1-葱基、4’-甲基聯苯基、4”-第二丁基 對聯三苯-4-基、癸蒽基、荀基等。 其中較佳爲本基、蔡基、聯苯基、聯三苯基、勿基。 一般式（1)之Li、一般式（2)、（3)、（7)及（8)之L2及 一般式（4)〜（6)之L5〜L12之取代或無取代之核原子數6〜 5 0之伸芳基’例如有使前述芳基之例成爲2價基者。 一般式（2)、（3)、（7)及（8)之L、及一般式⑴、（4)、 (5)及（6)之八^〜人^之取代基之取代或無取代之碳數 50之烷基，例如有甲基、乙基、拆# m ^基、異丙基、正丁 疋戊基、正己基、正 2 -羥乙基、2 -羥異丁 基、第二丁基、異丁基、第三丁基、 庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、 基、1，2-二羥乙基、1,3-二羥異丙基、，。 ^ 楚 2,3_二羥基第三丁 基、I，2,3-三羥丙基、氯甲基、1-氯乙 甘1 G基、2-氯乙基、2- 氯異丁基、I，2-二氯乙基、I，3-二氯毖 勒異丙基、2,3-二氯第 -溴乙基、2-溴乙 溴異丙基、2,3-二 三丁基、1，2,3-三氯丙基、溴甲基、 基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3、 溴基第三丁基、I，2,3-三溴丙基、碘甲其、 碘乙基、2_碘異丁基、I，2-二碘乙基、 -職乙基、2 - ，3- 2,3-二碘第三丁基、1，2,3-三碘丙其 _ η蔘、胺甲基、1 -胺乙 基、2 -胺乙基、2 -胺異丁基、1，2-二日势 〜岐乙基、1，3-二胺異 丙基、2,3-二胺基第三丁基、1，2,3、二 〜胺丙基、氰甲基、 1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、1 〇 ^ i，2"·二氰乙基、1，3-二 氰異丙基、2,3-二氰基第三丁基、1 ，2,3_二氰丙基、硝基 -19- 200827342 2-硝基異丁基、1，2-二 甲基、1 _硝基乙基、2 -硝基乙基、 2,3 - _•硝基第二丁基 丁基、環戊基、環己基 金剛烷基、1 -降冰片基 硝基乙基、1，3 -二硝基異丙基 1，2,3-三硝基丙基、環丙基、環 4 -甲基環己基、1 -金剛烷基 2-降冰片基等。 一般式（2)及（7)之Ri及〜 般式（1)、（4)、（5)及（6)之 細…之取代基之取代或無取代之碳數M0之院氧 基係以·〇Υ表示之基，Υ之你丨炫 < Μ 1糸與前述烷基所說明者相同 的例。

一般式（2)及（7)之R 及一般式（1)、（4)、（5)及（6)之

An〜Ar2i之取代基之取仵 K或無取代之碳數6〜5 0之芳烷 基，例如有苄基、1 -苯基> _ <匕基、2-苯基乙基、1-苯基異丙 基、2-苯基異丙基、苯 弟二丁基、α-萘基甲基、l-α-萘 基乙基、2-α-萘基乙基、】 萘基異丙基、2_^萘基異丙 基、β-萘基甲基、Ι-β-華货 、赛乙基、2-β-萘基乙基、l-β-萘 基異丙基、2-β-萘基異汽数 赛、1 -吡咯基甲基、2 - (1 -吡咯基） 乙基、對甲基苄基、間_ > 基苄基、鄰甲基苄基、對氯苄 基、間氯节基、鄰氯节碁、& 封溴予基、間溴亨基、鄰溴卞 基、對碘:节基、間碘：节_、 _ 鄰碘苄基、對羥基苄基、間羥 基苄基、鄰羥基苄基、對胳# +甘 收基苄基、間胺基苄基、鄰胺基 苄基、對硝基苄基、間砲货_ ^ _ 艰基苄基、鄰硝基苄基、對氰卞 基、間気辛基、鄰氰节基 资、羥基-2-苯基異丙基、卜氯- 2-苯基異丙基等。 一般式（2)及（7)之反 η 及一般式（1)、（4)、（5)及（6)之 -20- 200827342

An〜Ar^之取代基之取代或無取代之核原子義 芳氧基係以_〇Y’表示，γ，之例可舉出與前述芳 相同例。 一般式（2)及（7)之Ri及一般式（1)、（4)、

An〜Ar^之取代基之取代或無取代之核原子霍 芳硫基係以- SY’表示，Y，之例子可舉出與前述 者相同例。 一般式（2)及（7)之Ri及一般式（1)、（4)、 An-Ar^之取代基之取代或無取代之碳數2^ 羰基係以- COOY所示之基，γ之例可舉出與前 明者相同例。 一般式（2)及（7)之Ri及一般式（丨）、（4)、 Αη〜Ar^之取代基之鹵原子，例如有氟原子 溴原子、碘原子等。 —般式（2)及（7)中，a係表示〇〜3的整數 本發明之一般式（1 )表示之芳香族胺衍生 如下述，但是不受此例示化合物所限定。 之6〜5 0之 基所說明者 (5)及（6)之 ^ 6〜50之 芳基所說明 (5)及（6)之 〃 5 0之垸氧 述院基所說 (5)及（6)之 、氯原子、 f勿之具體例 -21 - 200827342 [化 11]

-22- 200827342

#發明之芳香族胺衍生物係有機電致發光元件用材半斗 爲佳。 本發明之芳香族胺衍生物係有機電致發光元件用電涧 輸送材料爲佳。 本發明係提供一種有機元件’其係於陰極與陽極 間挾持至少含有發光層之一層或多層所構成之有機薄膜層 的有機EL元件，其中該有機薄膜層之至少一層爲含有該 芳香族胺衍生物作爲單獨或混合物的成分。 本發明之有機EL元件較佳爲該有機薄膜層具有電洞 -23- 200827342 輸送層，該電洞輸送層中含有該芳香族胺衍生物。 本發明之有機EL元件係該有機薄膜具有多層之電洞 輸送層，來直接與發光層接觸之層含有該芳香族胺衍生物 較佳。 本發明之有機EL元件較佳爲該有機薄膜層具有電洞 注入層，該電洞注入層中含有該芳香族胺衍生物。 本發明之有機EL元件較佳爲電洞注入層中含有該芳 香族胺衍生物作爲主成分。 螢光性摻雜劑係配合要求之發光色可選自例如有胺系 化合物、芳香族化合物、三（8-喹啉酚）鋁錯合物等之螯合 錯合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、雙苯乙燃 基伸芳基衍生物、噁二唑衍生物等的化合物，特別理想爲 芳基胺化合物、芳基二胺化合物，其中更佳爲苯乙烯胺化 合物、苯乙烯二胺化合物、芳香族胺化合物、芳香族二胺 化合物。縮合多環芳香族化合物（不含胺化合物）更佳。這 些螢光性摻雜劑可單獨或組合多種以上使用。 這種苯乙烯胺化合物及苯乙儲二胺化合物較佳爲下述 一般式（A)表示者。 [化 13]

/ Ar4 aP4n Λν (A) (式中，Ar3爲選自苯基、萘基、聯苯基、聯三苯基、 -24- 200827342 二苯乙烯基、二苯乙烯基芳基之基，Ar4及Ar5爲各自爲 碳數6〜20之芳香族烴基，Ar3、Ar4及Ar5爲可被取代。 p爲1〜4之整數’其中較佳爲p係1〜2的整數。Ar 3〜 Ar5中任一係含有苯乙烯基之基。較佳爲Ar4或Ar5中g 少一^個被本乙嫌基所取代）。 其中，碳數6〜20之芳香族烴基，例如有苯基、秀 基、蒽基、菲基、聯三苯基等。 芳香族胺化合物及芳香族二胺化合物較佳爲下述_般 式（B )表不者。 [化 14]

(式中，Ar6〜Ar8係取代或無取代之核碳數5〜4〇之 芳基。q係1〜4之整數，其中q較佳爲1〜2之整數）。 核碳數5〜40之芳基，例如有苯基、萘基、蒽基、菲 基、芘基、暈苯基、聯苯基、聯三苯基、吡咯基、咲喃 基、噻吩基、苯並噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、D引口朵 基、昨哩基、卩比P定基、苯並陸啉基、熒恩基、苊並熒蒽 基、二苯乙烯基、茈基、蒽基、茜基、三苯基、玉紅省 基、苯並蒽基、苯基蒽基、雙蒽基或下述一般式（C)、（D) 表不之芳基等，其中較佳爲萘基、蒽基、窟基、IE基或下 述一般式（D)表示之芳基。 -25- 200827342 [化 15]

(一般式（C)中，r係1〜3之整數）。 則述芳基所取代之較佳之取代基，例如有扭 之烷基（乙基、甲基、異丙基、正丙基、第二丁 丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等）、碳數 氧基（乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、 基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環戊氧基、 等）、核碳數5〜40之芳基、核碳數5〜40芳基 胺基、具有核碳數5〜40之芳基之酯基、具有石 之烷基之酯基、氰基、硝基、鹵原子等。 縮合多環芳香族化合物（不含胺化合物），較 有萘、蒽、菲、拓、暈苯、聯苯、聯三苯、卩比咯 噻吩、苯並噻吩、噁二唑、吲哚、咔唑、吡啶 啉、熒蒽、苯並熒蒽、苊並熒蒽、二苯乙烯、 茜、三苯、玉紅省、苯並蒽等之縮合多環芳香族 其衍生物。 本發明之有機EL元件，其中與該電洞注入 接觸的層爲含有受體材料的層較佳。 本發明之芳香族胺衍生物，特別理想爲用於 $數1〜6 基、第三 1〜6之院 第二丁氧 環己氧基 所取代之 爱數1〜6 佳爲例如 、呋喃、 、苯並喹 茈、蓆、 化合物及 層之陽極 藍色系發 -26- 200827342 光之有機EL元件。 以下說明本發明之有機EL元件的元件構成。 (1)有機EL元件之構成 本發明之有機EL元件之代表性的元件構成，例如 (1) 陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (4) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (5) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/ 陰極 (9) 陽極/含受體之層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/ 電子輸送層/電子注入層/陰極 (1 〇)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (1 1)陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (12) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (13) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/絕 緣層/陰極 (14) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電 子注入層/陰極等的構造。 其中通常使用（8)之構成較佳，但不受此限定。 本發明之芳香族胺衍生物可用於有機EL元件之任一 -27- 200827342 有機薄膜層，可用於發光帶域或電洞輸送帶域中，藉由用 於電洞輸送帶域，特別是用於電洞注入層，分子不易結晶 化，可提高製造有機EL元件時的良率。 有機薄膜層含有本發明之芳香族胺衍生物的量，較佳 爲30〜100莫耳％。 (2) 透光性基板 本發明之有機EL元件係製作於透光性之基板上。此 透光性基板係支撐有機EL元件的基板，較佳爲400〜 700nm之可見光範圍之光穿透率爲50%以上，且平滑之基 板。 具體而言，例如有玻璃板、聚合物板等。玻璃板特別 是鈉鈣玻璃、含鋇•緦之玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼 矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等。另外，聚合物板例如 有聚碳酸酯、丙烯酸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚硫醚樹 脂、聚碾等。 (3) 陽極 本發明之有機EL元件之陽極係具有將電洞注入電洞 輸送層或發光層的功能者，具有4.5 eV以上之功函數者效 果較佳。本發明用之陽極材料之具體例爲氧化銦錫合金 (ITO)、氧化銦鋅合金（IZO)、氧化錫（NESA)、金、銀、 舶、銅等。 這些電極物質可以蒸鍍法或濺鍍法等形成薄膜來製作 陽極。 如上述由陽極取出發光層之發光時，陽極對於發光之 -28- 200827342 透過率爲大於10%較佳。又，陽極之薄片電阻爲數百Ω/ □以下較佳。陽極之膜厚係因材料而異，但是通常爲 10nm〜Ιμπι，較佳爲10〜200nm的範圍。 (4)發光層 有機EL元件之發光層兼具下述（1)〜（3)的功能。 (1) 注入功能；外加電場時，可由陽極或電洞注入層 注入電洞，且可由陰極或電子注入層注入電子的功能。 (2) 輸送功能；以電場的力量移動注入之電荷（電子與 電洞）的功能。 (3 )發光功能；提供電子與電洞之再結合的場所，以 此提供發光的功能。 但是電洞注入之容易度與電子注入之容易度可不相 同，以電洞與電子之移動度表示之輸送能可具有大小，但 是移動其中一方的電荷較佳。 形成此發光層的方法，可使用例如蒸鍍法、旋轉塗佈 法、L B ( L a n g m u i r B r 〇 z e t)法等公知方法。發光層特別是以 分子堆積膜爲佳。此處所謂分子堆積膜係指由氣相狀態之 材料化合物所沈澱形成的薄膜或由溶液狀態或液相狀態之 材料化合物固化所形成的膜，通常此分子堆積膜係與LB 法所形成之薄膜（分子累積膜）可藉由凝集構造、高次構造 之不同，或因該構造所產生之功能性不同來區別。 又，如日本特開昭5 7-5 1 7 8 1號所揭示，將樹脂等之 黏結劑與材料化合物溶解於溶劑中形成溶液後，使用旋轉 塗佈法等將此溶液製成薄膜，也可形成發光層。 -29- 200827342 本發明之化合物用於發光層時，在不影響本發明之目 的之範圍內，視需要在發光層內可含有本發明之芳香族胺 衍生物所構成之發光材料以外之其他公知的發光材料，而 且可將含有其他公知的發光材料的發光層層合於含有本發 明之芳香族胺衍生物所構成之發光材料的發光層上。 與本發明之化合物組合使用之發光材料，主要是有機 化合物，可使用的摻雜劑材料，例如有蒽、萘、菲、东、 丁省、暈苯、窟、熒光素、茈、酞茈、萘茈、茈酮、酞茈 酮、萘芘酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、嚼 二唑、醛連氮、雙苯并噁唑啉、聯苯乙烯、吡嗪、環戊二 傭、喹琳金屬錯合物、胺基嗤琳金屬錯合物、苯幷喹u林金 屬錯合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯蒽、二胺基味哇、啦 喃、噻喃、聚次甲基、部花青、咪唑螯合化羥基嗤啉化合 物、喹吖D定酮、紅榮烯及螢光色素等，但不限於此。 可與本發明之化合物組合使用的主（host)材料，較佳 爲下述⑴〜（ix)表示之化合物。 下述一般式（i)表示之非對稱蒽。

⑴ (式中，Ar係取代或無取代之核碳數10〜5〇之縮合 -30- 200827342 芳香族基。

Ar係取代或無取代之核碳數6〜5 0之芳香族基。 X係取代或無取代之核碳數6〜50之芳香族基、取代 或無取代之核原子數5〜50之芳香族雜環基、取代或無取 代之碳數1〜50之烷基、取代或無取代之碳數1〜5〇之烷 氧基、取代或無取代之碳數6〜5 0之芳烷基、取代或無取 代之核原子數5〜5〇之芳氧基、取代或無取代之核原子數 5〜5〇之芳硫基、取代或無取代之碳數1〜5〇之烷氧羰 基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。 a、b及c係分別爲〇〜4之整數。 η爲1〜3之整數。又，11爲2以上時，在□內，可相 同或不相同）。 下述一般式（ii)所示之非對稱單蔥衍生物。 [化 17] R1 R8

(式中’ Ar1及Ar2係分別獨立爲取代或無取代之核碳 數6〜50之方香S矢環基’ m及η係分別1〜4之整數。但 是m = n=l且Ar1與Ar2在苯環之結合位置爲左右對稱型 時，Ar1與Ar2爲不相同，瓜或^爲2〜4之整數時， η爲不同之整數。 -31 - 200827342 R1〜R1G係分別獨立爲氫原子、取代或 數6〜50之芳香族環基、取代或無取代之卷 之芳香族雜環基、取代或無取代之碳數1〜 代或無取代之環烷基 '取代或無取代之碳數 基、取代或無取代之碳數6〜5 0之芳垸基、 之核原子數5〜5〇之芳氧基、取代或無取f 〜50之芳硫基、取代或無取代之碳數i 〃 基、取代或無取代之甲矽烷基、羧基、鹵眉 基、羥基）。 下述一般式（iii)所示之非對稱芘衍生物 無取代之核碳 〔原子數5〜5 0 5 〇之烷基、取 1〜5 0之烷氧 取代或無取代 ：；之核原子數5 -5 0之烷氧羰 子、氰基、硝

(iii) [式中，Ar及ar 5 〇之芳香族基。 L及L’係分別取代或無取代之伸苯 之伸萘基、取代或無取代之伸芴基或取 並伸甲矽烷基。 m爲0〜2之整數，11爲丨〜4之整養 數，t爲0〜4之整數。 係分別爲取代或無 之核碳數6〜 取代或無取代 無取代之二苯 -32- 200827342 又，L或A r係鍵結於蓝之1〜5位中任一位置，L'或 Arf係鍵結於芘之6〜10位中任一位置。 但是n + t爲偶數時，Ar、Ar，、L、L1係滿足下述（1)或 (2)〇 (1) Ar^Ar’及/或L#L’（此#表示不同構造之基） (2) Ar = Arf 且 L = L’時 (2-1 )m#s 及 /或 n#t，或 (2-2)m = s 且 n = t 時， (2-2-l)L及L’或芘分別鍵結於Ar及Ar’上之不同鍵 結位置，或（2-2-2)L及L’或芘在Ar及Ar’上之相同鍵結 位置鍵結時，無L及L’或Ar及A。在芘之取代位置爲1 位與6位，或2位與7位的情形]。 下述一般式（W)所示之非對稱蒽衍生物。 [化 19]

(式中’ A1及A2係分別獨立爲取代或無取代之核碳數 10〜20之縮合芳香族環基。

Ar1及Ar2係分別獨立爲氫原子或取代或無取代之核 -33- 200827342 碳數6〜50之芳香族環基。 R〜R係分別獨立之氫原子、取代或無取代之核碳 數6〜5 0之方香族環基、取代或無取代之核原子數$〜〇 之方香族雜環基、取代或無取代之碳數丨〜5〇之烷基、取 代或無取代之環烷基、取代或無取代之碳數丨〜5〇之烷氧 基、取代或無取代之碳數6〜5 〇之芳烷基、取代或無取代 之核原子數5〜50之芳氧基、取代或無取代之核原子數$ 5 0之方硫基、取代或無取代之碳數1〜5 〇之院氧羰 基、取代或無取代之甲矽烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝 基或羥基。

Ar1、Ar2、R9及R1G分別可爲多數，相鄰者彼此可形 成飽和或不飽和之環狀結構。 但是一般式（1)中，在中心之蒽之9位及10位未鍵結 對於該蒽上所示之X-Y軸成爲對稱型之基的情形）。 下述一般式（v)所示之蒽衍生物。 [化 20]

(式中，R1〜R1G係分別獨立表示氫原子、烷基、環烷 基、可取代之芳基、烷氧基、芳氧基、烷基胺基、烯基、 -34- 200827342 芳胺基或可取代之雜環基，a及b係分別表示1〜5之整 數，這些爲2以上時，R1彼此或R2彼此可分別相同或不 相同，又R1彼此或R2彼此間鍵結可形成環，或R3與 R4、R5與R6、R7與R8、R9與Ri〇可互相鍵結形成環。Li 爲單鍵、-〇-、-S-、-N(R)-(R爲烷基或可取代之芳基）、 伸烷基或伸芳基）。 下述一般式（v i)所示之蒽衍生物。 [化 21]

(式中，R11〜R2G係分別獨立表示氫原子、烷基、環 院基、芳基、院氧基、芳氧基、烷基胺基、芳胺基或可取 代之雜環基，c、d、£及f係分別爲1〜5之整數，這些爲 2以上時，R11彼此、R!2彼此、Rl6彼此或Rl?彼此間分 別可相同或不相同，又Rm彼此、Rl2彼此、Rl0彼此或 R彼此間可鍵結形成環，R1 3與R 1 4、R 1 8與R 1 9可互相鍵 結形成環。L2爲單鍵、-〇…· s-、-N(R)_(R爲烷基或可取 代之芳基）、伸烷基或伸芳基）。 -35- 200827342 下述一般式（vii)所示之螺芴衍生物。 [化 22]

(vii) 聯苯基 (式中，A5〜A8係分別獨立爲取代或_取代 或取代或無取代之萘基）。 下述一般式（viii)所示之含縮合環化合物。 [化 23]

(式中，A9〜A14係與前述相同，R21〜R23係各 表示氫原子、碳數1〜6之烷基、碳數3〜6之環院 數1〜6之院氧基、碳數5〜18之芳氧基、碳數7 芳烷氧基、碳數5〜16之芳胺基、硝基、氰基、碳 之酯基或鹵原子，A9〜A14中至少之一係具有3環 縮合芳香族環之基）。 下述一般式（ix)所示之荀化合物。 自獨立 基、碳 〜18之 數1〜6 以上之 -36- 200827342

(式中，Rl 及 及係表不氫原子、取代或無取 基、取代或無取代之芳焼基、取代或無取代之芳基、取^ 絲取代之雜環基、取代胺基、氰《鹵原子。 冋勿基2 Rl彼此、R2彼此可相同或不同，鍵結於相同芴 之Rl及R2可相同或不同。R3及R4表示氫原子、取代或 無取代之烷基、取代或無取代之芳烷基、取代或無取代之 方基或取代或無取代之雜環基，鍵結於不同芴基之尺3彼 此、R4彼此可相同或不同，鍵結於相同芴基之R3及R4可 相同或不同。Ari及係表示苯環合計爲3個以上之取 代或無取代之縮合多環芳香族基或苯環與雜環之合計爲3 個以上之取代或無取代之碳鍵結於芴基之縮合多環雜環 基’八^及Ah可相同或不同。^表示1至10之整數）。 下述一般式（X)所示具有蒽中心骨架之化合物。 [化 25]

(X) -37- 200827342 (式（x)中，Ai及A2係分別獨立爲取代或無取代之核 碳數6〜20之芳香族環所衍生之基。前述芳香族環可被丄 或2以上之取代基取代。 前述取代基係選自取代或無取代之核碳數6〜5 〇之芳 基、取代或無取代之碳數1〜5 〇之烷基、取代或無取代之 碳數3〜50之環烷基、取代或無取代之碳數之烷氧 基、取代或無取代之碳數6〜5 0之芳烷基、取代或無取代 之核原子數5〜50之芳氧基、取代或無取代之核原子數5 〜5 0之芳硫基、取代或無取代之碳數1〜5 〇之烷氧羰 基、取代或無取代之甲砂垸基、竣基、鹵原子、氰基、硝 基、羥基。 前述芳香族環被2以上之取代基取代時，前述取代基 可相同或不同’鄰接之取代基彼此可互相鍵結形成飽和或 不飽和的環狀結構。

Ri〜Rs係分別獨立選自氫原子、取代或無取代之核 碳數6〜5 0之芳基、取代或無取代之核原子數5〜5 〇之雜 芳基、取代或無取代之碳數1〜5 〇之烷基、取代或無取代 之碳數3〜5 0之環烷基、取代或無取代之碳數丨〜5 〇之垸 氧基、取代或無取代之碳數6〜5 0之芳烷基、取代或無取 代之核原子數5〜50之芳氧基、取代或無取代之核原子數 5〜50之芳硫基、取代或無取代之碳數1〜5〇之烷氧· 基、取代或無取代之甲矽烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝 基、經基）。 具有前述一般式（X)中，人1與A2不同之基之下述一般 -38- 200827342 式（X i)表示之結構的化合物。 [化 26]

(xi) (式（X i)中，A 1及A 2、R i〜R 8係分別獨 相同。 但是在中心之蒽之9位及1 〇位未鍵結 示之X-Y軸成爲對稱型之基的情形）。 以上之主材料中，較佳爲蒽衍生物，更 物，特佳爲非對稱蒽衍生物。 適合於含咔唑環之化合物所構成之磷 (ho st)材料係由其激態狀態向磷光發光性化 移動的結果，具有可使磷光發光性化合物發 合物。主體化合物只要是可將激發子能量移 性化合物的化合物時，則無特別限制，可 擇。除咔唑環外，也可具有任意的雜環等。 這種主體化合物之具體例有咔唑衍生 物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生 生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯 芳胺衍生物、胺基取代苯基乙烯酮衍生物、 生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍 立與一般式（X) 對於該蒽上所 佳爲單蒽衍生 光發光的主體 合物產生能量 光之功能的化 動至磷光發光 依據目適當選 物、三唑衍生 物、聚芳烷衍 二胺衍生物、 苯乙嫌基蒽衍 生物、矽胺烷 - 39- 200827342 衍生物、芳香族第三胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香 族亞甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌並二甲烷衍生 物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生 物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基 吡嗪衍生物、萘茈等雜環四羧酸酸酐；酞菁衍生物、8-喹 啉酚衍生物之金屬錯合物或金屬酞菁、以苯並噁唑或苯並 噻唑爲配位基之金屬錯合物所代表之各種金屬錯合物聚矽 烷系化合物、聚（N -乙烯基咔唑）衍生物、苯胺系共聚物、 噻吩寡聚物、聚噻吩等之導電性高分子寡聚物、聚噻吩衍 生物、聚伸苯基衍生物、聚伸苯基乙烯衍生物、聚芴衍生 物等高分子化合物等。主體化合物可單獨使用或倂用2種 以上。 具體例有如下述的化合物。 [化 27]

磷光發光性之摻雜劑係可由三重態激發子發光的化合 物。只要可由三重態激發子發光時，並無特別限定，但是 -40- 200827342 以含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os及Re所成群之至少一種 金屬的金屬錯合物較佳，卟啉金屬錯合物或鄰位金屬化金 屬錯合物爲佳。卩卜琳金屬錯合物較佳爲P卜琳銷錯合物。憐 光發光性化合物可單獨或倂用2種以上。 形成鄰位金屬化金屬錯合物之配位基有許多種類，較 佳之配位基例如有2 -苯基吡啶衍生物、7，8 -苯並喹啉衍生 物、2-(2-噻吩基）吡啶衍生物、2-(1-萘基）吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物必要時可具有取代基。特 別是導入氟化物、三氟甲基者適合作爲藍色系摻雜劑。可 具有作爲補助配位基之乙醯基丙酮合基、苦味酸等上述配 位基以外的配位基。 磷光發光性之摻雜劑在發光層中之含量並無特別限 制，可依目的適當選擇，例如0 . 1〜7 0質量％，較佳爲1 〜3 0質量％。磷光發光性化合物之含量若未達0 · 1質量％ 時，發光微弱無法充分發揮其之含有效果，若超過質 量°/。時，所謂的濃度消光的現象顯著，降低元件性能。 發光層在必要時可含有電洞輸送材、電子輸送、聚合 物黏合劑。 發光層之膜厚較佳爲5〜50nm，更佳爲7〜50nm，最 佳爲10〜50nm。若未達5nm時難以形成發光層，有時色 度調整可能困難，若超過50nm時，驅動電壓可能上升。 (5)電洞注入·輸送層（電洞輸送帶域） 電洞注入•輸送層係幫助電洞注入發光層，輸送至發 光區域的層，電洞移動度大，電離勢低通常爲5.6eV以 -41 - 200827342 下。這種電洞注入•輸送層係以更低電場強度，將電洞輸 送至發光層的材料爲佳，電洞之移動度，例如外加1 04〜 106V/cm的電場時，至少l(T4c m2 / V ·秒爲佳。 本發明之芳香族胺衍生物用於電洞輸送帶域時，本發 明之芳香族胺衍生物可單獨形成電洞注入、輸送層，也可 與其他材料混合使用。 與本發明之芳香族胺衍生物混合形成電洞注入•輸送 層的材料只要是具有前述較佳特性者即無特別限制，可選 擇使用過去慣用於光導體材料中作爲電洞之電荷輸送材料 者、或使用於有機EL元件之電洞注入•輸送層之公知者 中任意者。本發明中，具有電洞輸送能，可用於電洞輸送 帶域的材料稱爲電洞輸送材料。 具體例有三唑衍生物（參照美國專利3,1 12,197號說明 書等）、噁二唑衍生物（參照美國專利3,189，447號說明書 等）、咪唑衍生物（參照特公昭3 7 - 1 6 0 9 6號公報等）、聚芳 基鏈烷衍生物（參照美國專利3,6 1 5,402號說明書、同第 3,820,9 8 9號說明書、同第3,542,544號說明書、特公昭 4 5 - 5 5 5號公報、同5 1 -109 8 3號公報、日本特開昭SI-93224 號公報 、同 55-17105 號公報 、同 56-4148 號 公報、 同 55-108667 號公報、同 55-156953 號公報、同 56-36656 號公報等）、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物（參照美國專 利第3, 180,729號說明書、同第4,278,746號說明書、日 本特開昭55-88064號公報、同55-88065號公報、同49-105537號公報、同55-51086號公報、同56-80051號公 -42- 200827342 報、同5 6- 88 1 4 1號公報、同5 7 -4 5 545號公報、同54-1 1 263 7號公報、同5 5 -74 546號公報等）、苯二胺衍生物 (參照美國專利第3,6 1 5,404號說明書、特公昭51-10105 號公報、同46-3 7 1 2號公報、同47-25 3 3 6號公報、日本 特開昭54- 1 1 9925號公報等）、芳胺衍生物（參照美國專利 第3,5 67,4 5 0號說明書、同第3,240,5 97號說明書、同第 3,6 5 8,5 20號說明書、同第 4,232，103號說明書、同第 4，1 75,96 1號說明書、同第4,0 1 2,376號說明書、特公昭 49-3 5 702號公報、同3 9-275 77號公報、日本特開昭55-144250號公報、同56-119132號公報、同56-22437號公 報、西德專利第1，1 1〇,518號說明書等）、胺基取代苯基乙 烯酮衍生物（參照美國專利第3，5 2 6，5 0 1號說明書等）、噁 唑衍生物（美國專利第3,25 7,203號說明書等所揭示者）、 苯乙烯基蒽衍生物（參照日本特開昭56_46234號公報 等）、芴酮衍生物（參照日本特開昭5 4 - Π 0 8 3 7號公報等）、 腙衍生物（參照美國專利第3,7 1 7,462號說明書、日本特開 昭54-59143號公報、同55-52〇63號公報、同55_52〇64 號公報、同5 5-46760號公報、同5 7- 1 1 3 50號公報、同 57- 1 48749號公報、日本特開平2-3 1 1591號公報等）、二 苯乙·衍生物（參照日本特開昭61-210363號公報、同第 6 1 -22845 1號公報、同61- 1 4642號公報、同61_7225 5號 公報、同62-47646號公報、同62-36674號公報、同62-1 0652號公報、同62-3 02 5 5號公報、同00-93 45 5號公 報、同60-94462號公報、同6〇- 1 74749號公報、同6〇_ -43- 200827342 175052號公報等）、矽胺烷衍生物（美國專利第4,95〇,95〇 號s兌明書）、聚矽烷系（日本特開平2_2〇4996號公報）、苯 胺系共聚物（日本特開平2-282263號公報）等。 電洞注入·輸送層之材料可使用上述者，但是較佳爲 使用卩卜咐化合物（日本特開昭6 3 - 2 9 5 6 9 6 5號公報等所揭示 者）、芳香族三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物（參照美國 專利桌4,127,412號說明書、日本特開昭53-27033號公 報、同54-5 8445號公報、同5 5 -79450號公報、同55-144250號公報、同56-119132號公報、同61-295558號公 報、同6 1 -983 5 3號公報、同63 -295 695號公報等），特別 使用芳香族三級胺化合物爲佳。 又，美國專利第5,061，569號所記載之分子內具有2 個縮合芳香族環，例如4,4’-雙（N-(l-萘基）-Ν·苯基胺基） 聯苯基（以下簡稱爲NPD)、日本特開平4-3 0 8 6 8 8號公報 所記載之三苯基胺單位連接成3個星芒型之4,4’，4’’-三 (Ν-(3-甲基苯基）-Ν-苯基胺基）三苯胺（以下簡稱爲 MTDATA)等。 其他也可使用專利3 5 7 1 977號所揭示之下述式）表示 之含氮雜環衍生物等。 44- 200827342

式中，R1 2 1〜R12 6係分別表示取代或無取代之院基、 取代或無取代之芳基、取代或無取代之芳烷基、取代或無 取代之雜環基中任一。但是R 1 2 1〜R 1 2 6可相同或不同。 與 R122、R123 與 R124、Rn5 與 Rl26、Rl22 與 r123、 k124與R125可形成縮合環。 也可使用美國公開2004/0113547所記載之下述式化 合物。 [化 29]

(式中，Rl3i〜係取代基，較佳爲氰基、硝基、 ^_基 '鑛基、三氟甲基、鹵素等之電子吸引基）。 ϋ 料所代表，受體性材料也可作爲電洞注入材 -45- 200827342 料使用。這些具體例如上述。 除了以發光層之材料表示之前述芳香族二亞甲基系化 合物外，P型s i、p型S i C等之無機化合物也可作爲電洞 注入·輸送層的材料使用。 電洞注入·輸送層係將本發明之芳香族胺衍生物使用 例如真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、鑄模法LB法等公知方法 進行薄膜化來形成。電洞注入•輸送層之膜厚並無特別限 定，一般爲5nm〜5μηι。此電洞注入•輸送層在電洞輸送 帶域中含有本發明之芳香族胺衍生物時，可以上述材料之 一種或二種以上所成一層構成，也可爲將與前述電洞注 入•輸送層不同之化合物所成之電洞注入·輸送層予以層 合者。 又，也可設置作爲幫助電洞注入發光層之層的有機半 導體層，以具有l〇_1()S/Cm以上之導電率者較佳。這種有 機半導體層之材料可使用含噻吩寡聚物或日本特開平8-1 93 1 9 1號公報所揭示之含芳胺寡聚物等之導電性寡聚 物、含芳胺樹枝狀聚合物等之導電性樹枝狀聚合物等。 (6)電子注入·輸送層 其次電子注入層•輸送層係幫助電子注入發光層，輸 送至發光區域的層，電子移動度大，附著改善層係在此電 子注入層中，特別是由與陰極之附著良好的材料所形成的 層。 有機EL元件係因發光的光藉由電極（此時爲陰極）反 射，因此與直接由陽極所取出之發光與經由電極反射取出 -46- 200827342 之發光會產生干涉。欲有效利用此干涉效果’電子輸送層 可選擇數nm〜數μιη之膜厚，特別是膜厚較厚時，欲避 免電壓上昇，在外加104〜l〇6V/cm之電場時，電子移動 度至少1(T5C m2 /Vs以上爲佳。 電子注入層所用之材料，較佳爲8-羥基喹啉或其衍 生物之金屬錯合物或噁二唑衍生物。上述8-羥基喹啉或 其衍生物之金屬錯合物之具體例，含有羥基喹啉 (oxine)(—般爲8-喹啉酚或8-羥基喹啉）之螯合物之金屬 螯合物氧化物類化合物，例如三（8-喹啉酚）鋁可作爲電子 注入材料使用。 噁二唑衍生物例如有以下之一般式所示之電子傳達化 合物。 [化 30]

Ο—A

Ar

ΑΓ、〜、Ar”系各自表示取 (式中，Ar1、Ar2、 代或無取代之芳基，彼此可相同或不同。Ar4、A , 〇 係表示取代或無取代之伸芳基，彼此可相同或不同）。Γ 芳基例如有苯基、聯苯基、蒽基、茈 比垂。伸方 基例如有伸苯基、伸萘基、伸聯苯 土伸悤基、伸茈基、 伸芘基等。取代基例如有碳數1〜1 〇 Z ;兀基、碳數1〜1 0 -47- 200827342 之丨完氧基或氰基等。此電子傳達化合物係薄膜形成性者爲 佳。 ±述電子傳達性化合物之具體例有下述者。 [化 31]

電子注入層及電子輸送層所用之材料，可使用下述一 般式（A)〜（F)所示者。 [化 32]

(一般式（A)及（B)中，Al〜八3係分別獨立表示氮原子 (A) (B) 或碳原子。

Ar1係式（A)中，舆gv件十 局取代或無取代之核碳數6〜6 0之芳 -48 - 200827342 基、或取代或無取代之核碳數3〜60之雜芳基，式（b) 中，Ar1係將式（A)之Arl形成2價之伸芳基，A,係氫原 子、取代或無取代之核碳_ 6〜基、取代或無取代 之核碳數3〜60之雜芳基 '取代或無取代之碳數之 烷基、或取代或無取代之碳數丨〜20之烷氧基，或這些之 2價基。但是Ar丨R Αγ2其中之—係取代或無取代之核碳 數10〜60之縮合環基、或取代或無取代之核碳數3〜⑼ 之單雜縮合環基或這些之2價基。 L1、L2及L係各自獨立爲單鍵 '取代或無取代之核 碳數6〜60之伸芳基、取代或無取代之核碳數3〜6〇之雜 伸芳基、或取代或無取代之伸芴基。 R係氫原子、取代或無取代之核碳數6〜6〇之芳基、 取代或無取代之核碳數3〜60之雜芳基、取代或無取代之 碳數1〜20之烷基、或取代或無取代之碳數ι〜2〇之烷氧 基，η爲。〜5之整數，^ 2以上時，多個之R可相= 不同’又’鄰接之多個R基彼此鍵結，可形成碳環脂肪族 環或碳環芳香族環。 R1係氫原子、取代或無取代之核碳數6〜6〇之芳 基、取代或無取代之核碳數3〜6〇之雜芳基、取代或無取 代之碳數1〜20之烷基、或取代或無取代之碳數^〜⑶之 烷氧基U-A’-AP)表示之含氮雜環衍生物。 H Ar—L—Ar1—Ar2 (C) -49- 200827342 (式中，HAr係可具有取代基之碳數3〜4〇之含氮雜 環，L係單鍵、可具有取代基之碳數6〜60之伸芳基、可 具有取代基之碳數3〜60之雜伸芳基或可具有取代基之伸 荀基’ Ar1係可具有取代基之碳數6〜60之2價芳香族煙 基’ Ar2表示可具有取代基之碳數6〜60之芳基或可具有 取代基之碳數3〜60之雜芳基）所示之含氮雜環衍生物。 [化 33]

(式中，X及Y係各自獨立爲碳數1〜6之飽和或不飽 和之烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或無取 代之芳基、取代或無取代之雜環或X與Y鍵結可形成飽 和或不飽和之環的結構，Ri〜R4各自獨立表示氫、鹵原 子、取代或無取代之碳數1〜6之烷基、烷氧基、芳氧 基、全氟院基、全氟垸氧基、胺基、垸基幾基、芳基鑛 基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基鑛 氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、亞磺醯基、擴醯 基、磺基、甲矽烷基、胺甲醯基、芳基、雜環基、鏈燒 基、炔基、硝基、甲醯基、亞硝基、甲醯氧基、異氰基、 氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰 基或2個取代基鄰接時，分別鍵結形成取代或無取代之飽 和或不飽和之環之結構）所示之矽環戊二烯衍生物。 -50- 200827342 [化 34] (E) (式中，Ri〜R8及Z2係各自獨立表示氫原子、飽和或 不飽和之烴基、芳香族基、雜環基、取代胺基、取代硼

基、烷氧基或芳氧基，X、Y及2!係各自獨立表示飽和或 不飽和之烴基、芳香族基、雜環基、取代胺基、院氧基或 方氧基’ Z1與Z 2之取代基互相鍵結可形成縮合環，η表 示1〜3之整數，η爲2以上時，2!可不相同。但是不包 含η爲1，Χ、Υ及R2爲甲基，〜爲氫原子或取代硼基的 情形及η爲3，且Zi爲甲基的情形）所示之硼烷衍生物。 [化 35]

(F) 〔式中，Q及Q2係各自獨立表示下述一般式（G)所 不之配位基，L係鹵原子、取代或無取代之烷基、取代或 無取代之環烷基、取代或無取代之芳基、 雜環基、一系氮原子、取代或無取代之院基： 或無取代之環烷基、取代或無取代之芳基、取代或無取代 之雜環基）、或-〇-Ga-Q3(Q4)(Q3及Q4係與…及Q2相 -51 - 200827342 所示之配位基〕。 [化 36]

I I VVJ/ V ·〆/ 〔式中，環A1及A2爲可具有取代基之彼此縮合之6 員芳基環結構〕。 此金屬錯合物爲η型半導體之性質強，電子注入能力 大。因錯合物形成時之生成能較低，因此與形成之金屬錯 合物之金屬與配位基之結合性變得強固，發光材料之螢光 量子效率也變大。 形成一般式（G)之配位基之環Α1及Α2之取代基之具 體例有氯、溴、碘、氟之鹵原子、甲基、乙基、丙基、丁 基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬 脂醯基、三氯甲基等之取代或無取代之烷基、苯基、萘 基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三氯甲基 苯基、3 -三氟甲基苯基、3 -硝基苯基等之取代或無取代之 芳基、甲氧基 '正丁執基、弟二丁氧基、三氯甲氧基、三 氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3,3-四氟丙氧基、 1，1，1，3,3,3 -六氟丙氧基、6-(全氟乙基）己氧基等之取代 或無取代之烷氧基、苯氧基、對硝基苯氧基、對第三丁基 苯氧基、3 -氟苯氧基、五氟苯基、3 -三氟甲基苯氧基等之 -52- 200827342 取代或無取代之芳氧基、由甘_ _ ^ _ ^ ^ 甲基硫基、乙基硫基、第三丁基 硫基、己基硫基、辛其硫发 、三氟甲基硫基等之取代或無 取代之院基硫基、苯其 +碁硫基、對硝基苯基硫基、對第三丁 基苯基硫基、3 -氟苯某硫盆 +基硫基、五氟苯基硫基、3-三氟甲基 苯基硫基等之取代或無取代之芳硫基、氰基、硝基、胺 基甲基胺基〜乙基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、二 丙基fe基、一丁基胺基、二苯基胺基等之單或二取代胺 基、雙（乙醯氧基甲基）胺基、雙（乙醯氧基乙基）胺基、雙 乙醯氧基丙基）胺基、雙（乙醯氧基丁基）胺基等之醯基胺 基、經基、砂院氧基、酶基、甲基胺甲醯基、二甲基胺甲 醯基、乙基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、丙基胺甲醯基、 丁基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等之胺甲醯基、羧酸基、磺 酸基、酸亞胺基、環戊烷基、環己基等之環烷基、苯基、 萘基、聯苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等之芳基、吡啶 基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉 基、吖啶基、吡咯基、二噁烷基、哌啶基、嗎啉二基、哌 曝基、咔唑基、呋喃基、噻吩基、噁唑基、噁二唑基、苯 並噁唑基、噻唑基、噻二唑基、苯並噻唑基、三唑基、咪 唑基、苯並咪唑基、呋喃基等之雜環基等。又，以上之取 代基彼此鍵結可形成6員芳基環或雜環。 本發明有機EL元件之較佳形態例如有輸送電子之區 域或陰極與有機層之界面區域含有還原性摻雜劑的元件。 還原性摻雜劑係定義爲可還原電子輸送性化合物的物質。 因此只要具有一定還原性者，皆可使用，例如較佳爲使用 -53- 200827342 至少一種選自鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬之氧 化物、鹼金屬之鹵化物、鹼土金屬之氧化物、鹼土金屬之 鹵化物、稀土金屬之氧化物或稀土金屬之鹵化物、鹼金屬 之有機錯合物、鹼土金屬之有機錯合物、稀土金屬之有機 錯合物所成群之物質。 又，更具體而言，較佳之還原性摻雜劑例如有至少一 種選自 Li(功函數：2.9eV)、Na(功函數：2_36eV)、K(功函 數：2.28eV)、Rb(功函數：2.16eV)及 Cs(功函數：1.95eV)所 成群之鹼金屬，或至少一種選自 Ca(功函數：2.9eV)、 Sr(功函數：2.0〜2.5eV)及Ba(功函數：2.52eV)所成群之一 種鹼土金屬。特佳爲功函數爲2.9eV以下者。其中更佳之 還原性摻雜劑爲至少一種選自K、Rb及Cs所成群之鹼金 屬，更佳爲Rb或Cs，最佳爲Cs。該等鹼金屬特別是還 原能力高，藉由添加少量至電子注入域可提高有機EL元 件中發光亮度及延長壽命。又，功函數爲2.9eV以下之還 原性摻雜劑，較佳爲組合這些2種以上之鹼金屬，特別理 想爲含有Cs之組合，例如Cs與Na、Cs與K、Cs與Rb 或Cs與Na與K之組合。藉由含有Cs之組合，可有效發 揮還原能力，藉由添加於電子注入域，可提高有機EL元 件之發光亮度或達到長壽命化。 本發明係在陰極與有機層之間可再設置以絕緣體或/半 導體所構成之電子注入層。此時，有效防止漏電流，可提 高電子注入性。這種絕緣體可使用例如至少一種選自鹼金 屬硫屬化合、鹼土金屬硫屬化合物、鹼金屬之鹵化物及鹼 -54- 土金 這些 因此 Li20 化合 又， LiC 1 如有 以外 Yb、 中至 一種 機化 該等 減少 驗金 物及 使用 物及 體例 鋁、 200827342 屬之鹵化物所成群之金屬化合物爲佳。電子注入層 鹼金屬硫屬化合物等構成時，可更提高電子注入性 較佳。具體而言，較佳之鹼金屬硫屬化合物，例如 、K20、Na2S、Na2Se及Na20，較佳之鹼土金屬硫 物例如有 CaO、BaO、SrO、BeO > BaS 及 CaSe 較佳之鹼金屬之鹵化物例如有 LiF、NaF、KF 、KC1及NaCl等。又，較佳之鹼土金屬之鹵化物 CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2之氟化物或氟化 之鹵化物。 構成電子輸送層之半導體例如有含有Ba、Ca、Sr A 1、G a、I η、L i、N a、C d、M g、S i、T a、S b 及 少一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等之單 或二種以上之組合。又，較佳爲構成電子輸送層之 合物爲微結晶或非晶質之絕緣性薄膜。電子輸送層 絕緣性薄膜所構成時，可形成更均質的薄膜，因此 暗點等像素缺陷。此外，這種無機化合物例如有上 屬硫屬化合物、鹼土金屬硫屬化合物、鹼金屬之鹵 驗土金屬之鹵化物等。 (7)陰極 陰極係將電子注入電子注入•輸送層或發光層中’ 功函數較小（4 eV以下）之金屬、合金、電傳導性化 該等混合物作爲電極物質者。作爲如此電極物質之 有鈉、鈉·鉀合金、鎂、鋰、鎂·銀合金、鋁/氧 鋁·鋰合金、銦、稀土金屬等。 爲 有 屬 例 物 、 Zn 獨 Μ j\\\ 爲 可 述 化 可 合 具 化 -55- 200827342 此陰極可藉由蒸鍍或濺鍍等之方法將該等 成薄膜來製作。 其中，將來自發光層之發光由陰極取出時 光的透過率大於10%較佳。 又，陰極之薄片電阻較佳爲數百Ω/□以 般爲10nm〜Ιμπι，較佳爲50〜200nm。 (8) 絕緣層 有機EL元件係將電場施加於超薄膜上， 生因漏電流或短路造成之像素缺陷。爲了防止 一對電極間插入絕緣性之薄膜層爲佳。 絕緣層所用之材料例如有氧化鋁、氟化鋰 氟化鉋、氧化鉋、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、 化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化矽、氮 鉬、氧化釕、氧化釩等，也可使用這些之混 物。 (9) 有機EL元件之製造方法 以上例舉之材料及形成方法形成陽極、發 時形成電洞注入•輸送層及電子注入•輸送層 極，可製作有機EL元件。也可由陰極至陽極 相反順序製作有機EL元件。 以下係敘述在透光性基板上依陽極/電洞ί 層/電子注入層/陰極之順序設置之構成的有機 製作例。 首先，以蒸鍍或濺鍍等之方法於適當的透 電極物質形 ，陰極對發 下，膜厚一 因此容易產 此缺陷，在 、氧化鋰、 氟化鈣、氮 化硼、氧化 合物或層合 光層，必要 ，再形成陰 ，或與前述 入層/發光 EL元件之 光性基板上 -56- 200827342 形成由陽極材料所構成之薄膜Ιμπι以下，較佳爲10〜 2 OOnm之膜厚製作陽極。接著，在此陽極上設置電洞注入 層。電洞注入層之形成如前述，可使用真空蒸鍍法、旋轉 塗佈法、鑄模法、LB法等方法，可容易得到均質的膜， 且不易產生針孔等的觀點，以真空蒸鍍法形成較佳。以真 空蒸鍍法形成電洞注入層時，其蒸鍍條件係因使用之化合 物（電洞注入層之材料）、目的之電洞注入層之結晶結構或 再結合結構等而異，但一般在蒸鍍源溫度5 0〜4 5 0 °C、真 空度ΙΟ·7〜l(T3Torr、蒸鍍速度0.0 1〜5 Onm/秒、基板溫 度-50〜3 00 °C、膜厚5nm〜5μπι之範圍作適宜選擇爲佳。 其次，於電洞注入層上設置發光層之發光層之形成也 可使用所要的有機發光材料，藉由真空蒸鍍法、濺鍍、旋 轉塗佈法、鑄模法等之方法，使有機發光材料形成薄膜化 來形成，但從易於獲得均質膜，且不易產生針孔等的觀 點’使用真空蒸鍍法來形成較佳。藉由真空蒸鍍法形成發 光層時，其蒸鍍條件係依使用之化合物而異，但一般可選 自與電洞注入層相同之條件。 接著，於此發光層上設置電子注入層。與電洞注入 層、發光層同樣地，爲了得到均質膜，因此以真空蒸鍍法 來形成較佳。蒸鍍條件可選自與電洞注入層、發光層同樣 的條件範圍。 本發明之芳香族胺衍生物係因存在於發光帶域或電洞 輸送帶域其中一層而異，使用真空蒸鍍法時，可與其他材 料進行共蒸鍍。又，使用旋轉塗佈法時，可藉由由與其他 -57- 200827342 材料混合而含於其中。 最後層合陰極可得到有機EL元件。 陰極係由金屬所構成，故可使用蒸鍍法、濺鍍。但欲 保護在製膜時損傷基底之有機物層時’以真空蒸鍍法爲 佳。 該有機EL元件之製作係於一次抽真空下，由陽極至 陰極進行一貫製作爲佳。 本發明之有機EL元件之各層之形成方法並無特別特 定。可使用習知之真空蒸鍍法、旋轉塗佈法等之形成方 法。本發明之有機EL元件所用之含有前述一般式（1)所示 之化合物的有機薄膜層可藉由真空蒸鍍法、分子線蒸鍍法 (MBE法）或溶解於溶劑之溶液的浸漬法、旋轉塗佈法、鑄 膜法、棒塗佈法、輥塗佈法等之塗佈法等公知方法來形 成。 本發明之有機EL元件的各有機層之膜厚並無特別限 定’但一般膜厚過薄時容易產生針孔等之缺陷，相反地， 過厚時因需要較高之外加電壓，因此效率變差，一般以數 nm〜1 μπι之範圍爲佳。 對有機EL元件施加直流電壓時，陽極爲+，陰極爲-之極性，外加5〜40 V之電壓時，可觀測到發光。又，以 相反極性即使施加電壓時，電流也不會流通，完全不會發 光。施加交流電壓時，僅在陽極爲+，陰極爲-之極性時可 觀 '測到均勻的發光。施加之交流的波形可爲任意波形。 -58- 200827342 【實施方式】 實施例 以下，依據合成例及實施例更詳細說明本發明。 合成例1〜1 7製造之中間體1〜1 7的結構式如下述。 中間體1 中間體2 中間體3 中間體4

中間體6 中間體7 中間體8 中間體9

中間體1 〇

中間體1 1 中間體1 2 中間體1 3 中間體1 4

中間體1 5 合成例1(中間體丨之合成） 氬氣流下’將4-溴聯苯47g、碘23g、過碘酸2水合

物 9.4g、水 42mL、乙酸 36〇mL、硫酸 1 lmL 投入 lOOOmL 的三口燒瓶中，65它下攪拌3〇分鐘後，以9(TC反應6小 時。將反應物注入冰水中，進行過濾。以水洗淨後，再以 -59- 200827342 甲醇洗淨得到67g的白色粉末。藉由FD-MS分析得到對 C12H15BrI = 359，m/z = 358與360的主波峰，因此鑑定爲中 間體1。 合成例2(中間體2之合成） 氬氣流下，將對聯三苯l〇g、碘12g、過碘酸2水合 物 4.9g、水 20mL、乙酸 170mL、硫酸 22mL 投入 3 00mL 的三口燒瓶中，65°C下攪拌30分鐘後，90°C下反應6小 時。將反應物注入冰水中，然後過濾。以水洗淨後，以甲 醇洗淨得到1 8 g的白色粉末。藉由 F D - M S (場解析-質 譜）之分析得到對C18H12I2 = 482，m/z = 482的主波峰，因 此鑑定爲中間體2。 合成例3 (中間體3的合成） 氬氣流下，將苯基硼酸750g、2-溴噻吩900g、四（三 苯基膦）鈀（Pd(PPh3)4)142g、2M之碳酸鈉（Na2C03)溶液 9L、二甲氧基乙烷15L投入50L之反應容器內，然後以 8〇°C反應8小時。反應液以甲苯/水進行萃取，以無水硫 酸鈉乾燥。再於減壓下濃縮得到之粗生成物以柱（clumn) 純化，得到708g之白色粉末。 氬氣流下，將上述製得之化合物70 8g與N，N-二甲基 甲醯胺（DMF) 8L投入20L之反應容器內後，慢慢添加 N-溴琥珀醯亞胺（NBS ) 960g，然後室溫反應12小時。 以己烷/水進行萃取，以無水硫酸鈉乾燥。再於減壓下濃 -60- 200827342 縮得到之粗生成物以柱（clumn)純化，得到632g之白色粉 末。藉由FD-MS (場解析-質譜）之分析鑑定爲中間體 合成例4(中間體4的合成） 氬氣流下，將中間體（3 )632g、脫水四氫呋喃（THF ) 7L添加於20L之反應容器內，冷卻至-30°C。添加正丁基 鋰（n-BuLi，1.6M己烷溶液）2.3L，反應1小時。冷卻 至-70 °C後，添加硼酸三異丙酯（Boric Acid Triisopropyl Ester，東京化成公司製）1 65 8g。慢慢昇溫，在室溫下攪 拌1小時。添加10%鹽酸1.7L進行攪拌。使用乙酸乙酯 與水萃取，有機層用水洗淨。以無水硫酸鈉乾燥，餾去溶 劑。以己烷洗淨得到3 3 0g之白色粉末。 氬氣流下，將上述所得之5-苯基-2-噻吩硼酸466g、 4-碘溴苯600g、四（三苯基膦）鈀（Pd(PPh3)4)41g、2M之碳 酸鈉（Na2C03)溶液2.6L、二甲氧基乙烷10L投入20L之 反應容器內，然後以80 °C反應8小時。反應液以甲苯/水 進行萃取，以無水硫酸鈉乾燥。再於減壓下濃縮得到之粗 生成物以柱（clumn)純化，得到263g之白色粉末。藉由 FD-MS(場解析-質譜）之分析鑑定爲中間體4。 合成例5 (中間體5的合成） 除了使用中間體1取代中間體4之合成之4-碘溴苯 外，同樣進行反應，得到274g之白色粉末。藉由 FD- -61 - 200827342 MS (場解析-質譜）之分析鑑定爲中間體5。 合成例6(中間體6的合成） 氬氣流下，投入苯胺5.5g、中間體（4)14.9g、第三丁 氧基鈉（廣島和光公司製）6.8g、三（二苯亞甲基丙酮）二鈀 (0)(Aldrich公司製）0.46g及脫水甲苯3 00mL，在80°C下 反應8小時。 冷卻後，添加水500mL，將混合物以矽藻鹽過濾，以 甲苯萃取濾液，以無水硫酸鎂乾燥。再於減壓下濃縮所得 之粗生成物以管柱純化，使用甲苯再結晶，經濾過取得 後，乾燥得到8.6g之淡黃色粉末。藉由FD-MS(場解析_ 質譜）之分析鑑定爲中間體6。 合成例7 (中間體7的合成） 氬氣流下，投入乙醯胺185g(東京化成公司製）、中間 體（4)300g、碳酸鉀 544g(和光純藥公司製）、銅粉 12.5g(和光純藥公司製）及十氫化萘2L，以190°C反應4 曰。反應後冷卻，添加甲苯2L，濾取不溶份。將濾取物 溶解於氯仿4· 5L中，除去不溶份後，以活性碳處理濃 縮。此濃縮物中添加丙酮3 L，濾取析出晶1 6 5 g。 將此析出晶懸浮於乙二醇5L(和光純藥公司製）、水 5 OmL中，添加85%氫氧化鉀水溶液21 0g後，在120 °C下 反應8小時。反應後，將反應液注入水1 0L中，濾取析出 之結晶，以水、甲醇洗淨。將得到的結晶加熱溶解於四氫 -62- 200827342 呋喃3 L中，以活性碳處理後濃縮，添加丙酮使結晶析 出。濾取析出之結晶，得到127g的白色粉末。藉由FD-MS (場解析-質譜）分析鑑定爲中間體7。 合成例8(中間體8的合成） Μ氣流下，投入乙醯胺185g(東京化成公司製）、4 -溴 聯苯25 3 g(和光純藥公司製）、碳酸鉀544g(和光純藥公司 製）、銅粉 12.5 g(和光純藥公司製）及十氫化萘 2L，以 19 0°C反應4日。反應後冷卻，添加甲苯2L，濾取不溶 份。將濾取物溶解於氯仿4· 5L中，除去不溶份後，以活 性碳處理濃縮。其中添加丙酮3 L，濾取析出結晶2 0 5 g。 上述結晶中添加中間體（4)168g、碳酸鈉3 80g(和光純 藥公司製）、銅粉8.8g(和光純藥公司製）及十氫化萘2L， 以190°C反應4日。反應後冷卻，添加甲苯1.4L，濾取不 溶份。將濾取物溶解於氯仿3 L中，除去不溶份後，以活 性碳處理濃縮。此濃縮物中添加丙酮3 L，濾取析出之結 晶224g。將此析出晶懸浮於乙二醇3.5L(和光純藥公司 製）、水35mL中，添加85%氫氧化鉀水溶液lUg後，在 1 2 0 °C下反應8小時。反應後，將反應液注入水1 0 L中， 濾取析出之結晶，以水、甲醇洗淨。將得到的結晶加熱溶 解於四氫呋喃3 L中，以活性碳處理後濃縮，添加丙酮使 結晶析出。濾取析出之結晶，得到1 2 1 g的白色粉末。藉 由FD-MS (場解析-質譜）分析鑑定爲中間體8。 -63- 200827342 合成例9(中間體9的合成） 除了將中間體7之合成之中間體4由3 0 0g改爲600g 外，同樣進行反應，得到 212g的白色粉末。藉由 FD-MS(場解析-質譜）分析鑑定爲中間體9。 合成例1〇(中間體10的合成） 除了使用1-溴萘取代中間體8之合成之4-溴聯苯 外，同樣進行反應，得到 9.2g的白色粉末。藉由FD-MS(場解析-質譜）分析鑑定爲中間體10。 合成例1 1 (中間體1 1的合成） 氬氣流下，投入乙醯胺185g(東京化成公司製）、中間 體（4)3 00g、碳酸鉀 544g(和光純藥公司製）、銅粉 12.5g(和光純藥公司製）及十氫化萘2L，以190°C反應4 曰。反應後冷卻，添加甲苯2L，濾取不溶份。將濾取物 溶解於氯仿4· 5L中，除去不溶份後，以活性碳處理濃 縮。此濃縮物中添加丙酮3 L，濾取析出結晶1 6 5 g。 上述結晶中添加4,4’-二碘聯苯120g(和光純藥公司 製）、碳酸鉀163g(和光純藥公司製）、銅粉3.8g(和光純藥 公司製）及十氫化萘600mL，以190°C反應4日。 反應後冷卻’添加甲苯6 0 0 m L，濾取不溶份。將濾取 物溶解於氯仿1 · 4 L中’除去不溶份後，以活性碳處理濃 縮。此濃縮物中添加丙酮1 L，濾取析出之結晶3 6 1 g。 將此析出晶懸浮於乙二醇1 · 5 L(和光純藥公司製）、水 -64- 200827342 1 5 m L中，添加8 5 %氫氧化鉀水溶液4 4 g後，在1 2 0 °c下 反應8小時。反應後’將反應液注入水1 〇 L中’濾取析出 之結晶，以水、甲醇洗淨。將得到的結晶加熱溶解於四氫 呋喃1L中，以活性碳處理後濃縮，添加丙酮使結晶析 出。濾取析出之結晶，得到l〇7g的白色粉末。藉由FD-MS (場解析-質譜）分析鑑定爲中間體11。 合成例12(中間體12的合成） 氬氣流下，投入 1-乙醯胺萘 547 g(東京化成公司 製）、4,4’-二碘聯苯 400g(和光純藥公司製）、碳酸鉀 544g(和光純藥公司製）、銅粉12.5g(和光純藥公司製）及十 氫化萘2L，以190°C反應4日。 反應後冷卻，添加甲苯2L，濾取不溶份。將濾取物 溶解於氯仿4.5 L中，除去不溶份後，以活性碳處理濃 縮。其中添加丙酮3L，濾取析出結晶382g。將此析出晶 懸浮於乙二醇5L(和光純藥公司製）、水50mL中，添加85 %氫氧化鉀水溶液145g後，在120°C下反應8小時。反應 後，將反應液注入水1 0L中，濾取析出之結晶，以水、甲 醇洗淨。將得到的結晶加熱溶解於四氫呋喃3 L中，以活 性碳處理後濃縮，添加丙酮使結晶析出。濾取析出之結 晶，得到264g的白色粉末。藉由FD-MS(場解析-質譜）分 析鑑定爲中間體1 2。 合成例1 3 (中間體1 3的合成） -65- 200827342 氬氣流下，投入二苯胺5 . 1 g、中間體（1) 1 〇 · 8 g、第三 丁氧基鈉3g(廣島和光公司製）、雙（三苯基膦）氯化鈀 (II)0.5g(東京化成公司製）及二甲苯500mL，以130°C下反 應24小時。 冷卻後，添加水100 OmL，將混合物以矽藻鹽過濾， 使用甲苯萃取濾液，以無水硫酸鎂乾燥。再於減壓下濃 縮，所得之粗生成物以管柱純化，使用甲苯再結晶，經過 濾取得後，乾燥得到3.4g之淡黃色粉末。藉由FD-MS (場 解析-質譜）之分析鑑定爲中間體13。 合成例1 4 (中間體1 4的合成） 除了使用4-碘溴苯取代中間體13之合成之中間體1 外，同樣進行反應，得到2.8g之白色粉末。藉由FD-MS(場解析-質譜）之分析鑑定爲中間體14。 合成例1 5 (中間體1 5的合成） 200mL之三口燒瓶中加入4-溴聯苯2〇.Og(東京化成公 司品）、第三丁氧基鈉8 · 64 g (和光純藥公司製）、乙酸鈀 8 4mg (和光純藥公司製）。放入攪拌子，於燒瓶之兩側設 置橡膠套（rubber cap)，中央口設置迴流用蛇管，其上設 置三向旋塞（cock)與封入氬氣之氣球’使用真空幫浦將體 系內以氣球內之氬氣3次取代。 其次，以注射器通過橡膠隔壁（sePtum)添加脫水甲苯 120mL(廣島和光公司製）、苄胺4.08mL(東京化成公司 -66 - 200827342 製）、二第三丁基膦338pL(aldrich公司製，2.22mol/L甲 苯溶液）’室溫下攪拌5分鐘。將燒瓶設置於油浴上，溶 液邊攪拌下緩慢升溫至1 2(TC。7小時後，將燒瓶自油浴 移開’結束反應，在氬氣氛下放置1 2小時。將反應溶液 移至分液漏斗中，添加之二氯甲烷600mL，使沈澱物溶 解’以飽和食鹽水120mL洗淨後，將有機層以無水碳酸 鉀乾燥。過濾碳酸鉀，餾去所得之有機層的溶劑，所得之 殘渣中添加甲苯400mL、乙醇 80mL，附上乾燥管並加熱 至80°C，使殘渣完全溶解後放置1 2小時，慢速冷卻至室 溫使其再結晶。過濾析出之結晶，以60 °C真空乾燥得到 N，N-二-(4-聯苯基）-苄胺13.5g。3 00ml之一 口燒瓶中添加 1.3 5g之N，N-二-(4-聯苯基）-苄胺、鈀-活性碳135mg(廣島 和光公司製，鈀含量10重量％)，再添加氯仿l〇〇mL、乙 醇2 OmL進行溶解。其次，將攪拌子放入燒瓶中，將安裝 塡充氫氣2L之氣球的三方向旋塞裝置於燒瓶上，使用真 空幫浦將燒瓶體系內以氫氣10次取代。重新塡充減少的 氫氣，使氫氣之容積再度成爲2L後，室溫下將溶液劇烈 攪拌。攪拌30小時後，添加二氯甲烷lOOmL，將觸媒過 濾。接著將所得之溶液移至分液漏斗，以碳酸氫鈉飽和水 溶液5 Om L洗淨後，分離有機層後，以無水碳酸鉀乾燥。 過濾後餾去溶劑，所得之殘渣中添加甲苯5 OmL再進行再 結晶。過濾析出之結晶，於5 0 °C下進行真空乾燥後得到 〇.99g之二-4-聯苯胺。 氬氣流下，投入二-4-聯苯胺l〇g、4,4’-二溴聯苯 -67- 200827342 9.7g(東京化成公司製）、第三丁氧基鈉3g(廣島和光公司 製）、雙（三苯基膦）氯化鈀（II)〇.5g(東京化成公司製）及二 甲苯500mL，以130°C下反應24小時。冷卻後，添加水 lOOOmL，將混合物以矽藻鹽過濾，使用甲苯萃取濾液， 以無水硫酸鎂乾燥。再於減壓下濃縮，所得之粗生成物以 管柱純化，使用甲苯再結晶，經過濾取得後，乾燥得到 9.1g之4，-溴-N，N-二聯苯基-4 -胺基聯苯（中間體 15) 〇 合成實施例1〜1 5所製造之本發明之芳香族胺衍生物 的化合物Η 1〜Η 1 6的結構式如下述。

-68- 9 200827342

H12

Hll

合成實施例1(化合物HI之合成） 氬氣流下，投入N5N’-二苯基聯苯胺3.4g、中間體 (4)6.3g、第三丁氧基鈉2.6g(廣島和光公司製）、三（二苯 亞甲基丙酮）二IG(〇)(Aldrich公司製）92mg、三第三丁基膦 4 2mg及脫水甲苯100mL，在80°C下反應8小時。 冷卻後，添加水5 0 0 m L，將混合物以砂藻鹽過濾’以 甲苯萃取濾液，以無水硫酸鎂乾燥。再於減壓下濃縮’所 得之粗生成物以管柱純化，使用甲苯再結晶’經濾過取得 後，乾燥得到3.2g之淡黃色粉末。藉由FD-MS(場解析_ 質譜）之分析鑑定爲化合物Η 1。 -69- 200827342 合成實施例2(化合物H2之合成） 氬氣流下，投入 4,4’-二碘聯苯 4.1g、中間體 (8)8.1g、第三丁氧基鈉2.6g(廣島和光公司製）、三（二苯 亞甲基丙酮）二鈀（0) (Aldrich公司製）92mg、三第三丁基膦 42mg及脫水甲苯lOOmL，在8(TC下反應8小時。 冷卻後，添加水500mL，將混合物以矽藻鹽過濾，以 甲苯萃取濾液，以無水硫酸鎂乾燥。再於減壓下濃縮，所 得之粗生成物以管柱純化，使用甲苯再結晶，經濾過取得 後，乾燥得到3.9g之淡黃色粉末。藉由FD-MS (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物H2。 合成實施例3(化合物H3之合成） 除了使用中間體（12)4.4g取代合成實施例1之N，N’-二苯基聯苯胺外，進行同樣反應得到5 . 1 g之淡黃色粉 末。藉由FD-MS (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物H3。 合成實施例4(化合物H4之合成） 除了使用中間體（5)7· 8g取代合成實施例丨之中間體4 外，進行同樣反應得到4· 7g之淡黃色粉末。藉由FD-M S (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物η 4。 合成實施例5(化合物Η5之合成） 氬氣流下，投入中間體（8 ) 7.7 g、中間體（1 5 ) 1 1 . 0 g、 第三丁氧基鈉2.6g(廣島和光公司製）、三（二苯亞甲基丙 -70 - 200827342 酮）二絕（〇)(Aldrich公司製）92mg、三第三丁基膦42mg及 脫水甲苯100mL，在80°C下反應8小時。 冷卻後，添加水5 0 0 m L·，將混合物以砂藻鹽過濾，以 甲苯萃取濾液，以無水硫酸鎂乾燥。再於減壓下濃縮，所 得之粗生成物以管柱純化’使用甲苯再結晶’經濾過取得 後，乾燥得到9.1g之淡黃色粉末。藉由FD-MS(場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物H5。 合成實施例6(化合物H6之合成） 除了使用中間體（6)6.2g取代合成實施例5之中間體8 外，進行同樣反應得到 6.1g之淡黃色粉末。藉由FD-MS (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物H6。 合成實施例7(化合物H7之合成） 除了使用中間體（l〇)7.2g取代合成實施例5之中間體 8外，進行同樣反應得到5.5g之淡黃色粉末。藉由FD-M S (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物Η 7。 合成實施例8(化合物Η8之合成） 除了使用中間體（9) 9.1g取代合成實施例5之中間體8 外，進行同樣反應得到7.2g之淡黃色粉末。藉由FD-M S (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物η 8。 合成實施例9(化合物Η9之合成） -71 - 200827342 除了使用中間體（9)9.5g取代合成實施例2之中間體8 外，進行同樣反應得到4 · 1 g之淡黃色粉末。藉由fd _ MS(場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物H9。 合成實施例1〇(化合物H10之合成） 除了使用中間體（2)4.8g取代合成實施例2之4,4，_二 捵聯苯，使用中間體（6 ) 6.5 g取代中間體8外，進行同樣 反應得到3 · 2 g之淡黃色粉末。藉由F D - M S (場解析_質譜） 之分析鑑定爲化合物Η 1 〇。 合成實施例1 1 (化合物Η 1 1之合成） 除了使用1，4-二碘苯3.3g取代合成實施例2之4,4,_ 二碘聯苯，使用中間體（6)6· 5g取代中間體8外，進行同 樣反應得到2 · 5 g之淡黃色粉末。藉由f D _ M S (場解析·質 譜）之分析鑑定爲化合物Η 1 1。 合成實施例12(化合物Η12之合成） 除了使用2,7-二溴_9,9-二甲基芴3.5g取代合成實施 例2之4，4 ’ -二碘聯苯’使用中間體（6 ) 6.5 g取代中間體8 外，進行同樣反應得到3 · 1 g之淡黃色粉末。藉由FD _ M S (場解析-質譜）之分析鑑定爲化合物η 1 2。 合成實施例1 3 (化合物Η 1 3之合成） 除了使用中間體（7)2.3g取代合成實施例1之Ν，Ν，-二 -72- 200827342 苯基聯苯胺，使用中間體（1 3 ) 8 · 〇 g取代中間體4外，進行 同樣反應得到1.9g之淡黃色粉末。藉由FD-MS(場解析_ 質譜）之分析鑑定爲化合物H1 3。 合成實施例1 4 (化合物Η 1 4之合成） 除了使用中間體（U)6.2g取代合成實施例1之ν，Ν，-二苯基聯苯胺，使用中間體（13)8 .〇g取代中間體4外，進 行同樣反應得到6.2g之淡黃色粉末。藉由(場解 析-質譜）之分析鑑定爲化合物H1 4。 合成實施例1 5 (化合物Η 1 5之合成） 除了使用中間體（1 1) 6 · 5 g取代合成實施例1之ν ,Ν，-二苯基聯苯胺，使用中間體（1 4) 6.5 g取代中間體4外，進 行同樣反應得到4.1 g之淡黃色粉末。藉由ρ D _ μ S (場解 析-質譜）之分析鑑定爲化合物HI 5。 合成實施例16(化合物H16之合成） 除了使用中間體（6 ) 9 · 3 g取代合成實施例1之4，4，-二 碘聯苯，使用三（4 -溴苯基）胺4 · 8 g取代中間體1 2外，進 行同樣反應得到4.1 g之淡黃色粉末。藉由FD-MS (場解 析-質譜）之分析鑑定爲化合物H16。 實施例1(有機EL元件之製造） 將25mmx75mmxl.lmm厚之附有ITO透明電極之玻璃 -73- 200827342 基板（Geomatic公司製）在異丙基醇中進行超音波洗淨5分 鐘後，進行UV臭氧洗淨30分鐘。 將洗淨後之附透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍 裝置之基板保持架，首先在形成透明電極線之側的面上形 成膜厚60nm之上述化合物H1覆蓋前述透明電極。此H1 膜具有電洞注入層的功能。此H1膜上形成膜厚20nm之 下述化合物層TBDB。此膜具有電洞輸送層的功能。再蒸 鍍膜厚40nm之下述化合物EM1形成膜。同時以EM1與 D 1之重量比成爲40 : 2的狀態蒸鍍具有下述苯乙烯基之胺 化合物D 1作爲發光分子。此膜係具有發光層的功能。 此膜上形成膜厚l〇nm之下述Alq膜。此膜具有電子 注入層的功能。然後，將還原性摻雜劑之 Li(Li源： SAYESGETTER公司製）與A1 q進行二元蒸鍍，形成作爲 電子注入層（陰極）之Alq:Li膜（膜厚l〇nm)。此Alq:Li膜 上蒸鍍金屬A1，形成金屬陰極，製作有機EL元件。 對於製得之有機EL元件測定發光效率，觀察發光 色。發光效率係使用Minolta製CS 1 000測定亮度，計算 10mA/cm2之發光效率。再於初期亮度5000cd/m2、室溫、 DC定電流驅動下測定發光減半壽命’結果如表1所示。 [化 40]

T B D B -74- 200827342

實施例2〜4(有機EL元件之製造） 除了使用表1記載之化合物取代實施例1中作爲電洞 輸送材料的化合物Η 1外，其他同樣製造有機EL元件。 對於製得之有機EL元件測定其發光效率，觀察發光 色，再於初期亮度5000cd/m2、室溫、DC定電流驅動下 測定發光減半壽命，結果如表1所示。 比較例1 除了使用比較化合物1取代實施例1中，作爲電洞輸 送材料之化合物Η 1外’其餘同樣製造有機EL元件。 對於製得之有機E L元件測定其發光效率，並觀察其 發光色。測定初期売度5〇〇〇cd/m2，室溫，DC定電流驅 動之發光減半壽命之結果如表1所示。 [化 41]

-75- 200827342 [表i] 實施例 電洞輸送材料 電壓(V) 發光色 減半壽命(h) 1 Η1 6.3 藍色 380 2 Η3 6.2 藍色 320 3 Η5 6.5 藍色 350 4 Η6 6.4 藍色 340 5 Η1 6.4 藍色 370 比較例1 比較化合物1 7.1 藍色 280 比較例2 比較化合物1 7.0 藍色 270 實施例5(有機EL元件之製造） 除了使用下述芳基胺化合物D2取代實施例1中，具 有苯乙烯基之胺化合物D 1外，其他同樣製造有機EL元 件。Me表不甲基。 對於製得之有機EL元件測定其發光效率，並觀察其 發光色，測定初期亮度5 000cd/m2、室溫、DC定電流驅 動之發光減半壽命之結果如表1所示。 [化 42]

比較例2 除了使用比較化合物1取代實施例8中，作爲電洞輸 送材料之化合物Η 1外，其餘同樣製造有機EL元件。 -76- 200827342 對於製得之有機EL元件測定其發光效率，並觀察其 發光色，測定初期亮度5000cd/m2、室溫、DC定電流驅 動之發光減半壽命之結果如表1所示。 產業上之利用性 如上述詳細說明，本發明之芳香族胺衍生物係使驅動 電壓降低，同時分子不易結晶化，有機薄膜層中含有此芳 香族胺衍生物時’可提高製造有機EL元件時之良率’得 到長壽命之有機EL元件。 I, -77-

Claims (1)

1. 200827342 十、申請專利範圍 其特徵係以下述一般式（1)表 i一種芳香族胺衍生物 示， [化1]

   [式中

   係取代或無取代之核原子數6〜5 0之伸芳 個係以下述一般式（2)表示， Ari〜Ar4之中至少 [化2] (Ri)a—^—Lz ( 2) (式中，Rl係氫原子、取代或無取代之核原子數6〜 之方基、取代或無取代之碳數1〜5 0之烷基、取代或 無取代之碳數丨〜50之烷氧基、取代或無取代之碳數6〜 50之芳烷基、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳氧 基取代或無取代之核原子數5〜5 〇之芳硫基、取代或無 取代之碳數2〜50之烷氧羰基、鹵原子、氰基、硝基、羥 基、或羧基， a係0〜3的整數，L2係取代或無取代之核原子數6〜 5 0之伸芳基} -78 - 200827342 一般式（1 )中，Ar !〜Ar4之中非一般式 _ 取瓦（2)者係分別獨 立爲取代或無取代之核原子數6〜50之芳其 心万棊，但是Ari〜 Aq之取代基係取代或無取代之核原子數6〜5〇之芳基、 取代或無取代之碳數卜50之院基、取代或無取代之：數 1〜50之烷氧基、取代或無取代之碳數6〜之芳烷基、 取代或無取代之核原子數5〜5G之芳氧基、取代或無取代 之核原子數5〜5〇之芳硫基、取代或無取代之碳數2〜5〇 之烷氧羰基、鹵原子、氰基、硝基、羥基、或羧基〕。 2·如申請專利範圍第丨項之芳香族胺衍生物，其中該 一般式（2)爲下述一般式（3)表示， [化3] {式中’ Ri係取代或無取代之核原子數6〜50之芳基 或取代或無取代之碳數丨〜“之烷基，“係取代或無取 代之核原子數6〜50之伸芳基}。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之芳香族胺衍生物，其 中該一般式（1)中，Ari爲該一般式（2)表示。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之芳香族胺衍生物，其 中該一般式（1)中，Ari與Ah爲分別獨立以該一般式（2)表 示。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之芳香族胺衍生物，其 中该一般式（1)中，八^與An爲分別獨立以該一般式（2)表 -79- 200827342 示。 6 ·如申請專利範圍第丨或2項之芳香族胺衍生物，其 中該一般式（1)中，Aq〜Ar4之中3個以上係互相不同， 且非對稱。 7 ·如申請專利範圍第1或2項之芳香族胺衍生物，其 中該一般式（1)中，Ar^Aq之中3個相同，且非對稱。 8·如申請專利範圍第1〜7項中任一項之芳香族胺衍 生物，其中該一般式（1)中，An〜Ar4係分別獨立爲苯 基、聯苯基、三聯苯基或芴基。 9 ·如申請專利範圍第1〜8項中任一項之芳香族胺衍 生物’其中該一般式（1)中，L i爲伸聯苯基、伸三聯苯基 或伸芴基。 1 〇.如申g靑專利範圍第1〜9項中任一項之芳香族胺衍 生物’其中該一般式（1 2)中，L2爲伸苯基、伸聯苯基或伸 芴基。 1 1 ·如申請專利範圍第1〜1 0項中任一項之芳香族胺 衍生物’其中該一般式（2)中，Rl爲苯基、萘基或菲基。 12.如申請專利範圍第1〜11項中任一項之芳香族胺 衍生物，其中該-般式⑴中，係分別獨立爲苯 伸苯基、伸聯苯基 基、聯苯基、三聯苯基或㈣，Li爲伸聯苯基、伸三聯 苯基或伸芴基，該一般式（2)中，l2爲 或伸荀基。 其^徵係以述一般式（4)〜 -80- 1 3 · —種芳香族胺衍生物 2 (6)中任一表示， (4)200827342 [化4]

   (5)

   [式中，L5〜L12係取代或無取代之核原子數6〜50之 伸芳基， Ar5〜Ar9之中至少1個爲一般式（7)表不， Ar1()〜Ar152中至少1個爲一般式（7)表示， Ari6〜Ar2i之中至少1個爲一般式（7)表不， [化5] L2 —⑺ -81 - 200827342 {式中，Ri係氫原子、取代或無取代之核原子數6〜 50之芳基、取代或無取代之碳數丨〜“之烷基、取代或 無取代之碳數1〜50之烷氧基、取代或無取代之碳數6〜 50之芳烷基、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳氧 基、取代或無取代之核原子數5〜5〇之芳硫基、取代或無 取代之碳數2〜5G之垸氧簾基、鹵原子、氰基、硝基、經 基、或羧基， a係0〜3的整數，L2係取代或無取代之核原子數6〜 50之伸芳基} 式中，Ars〜Ar^係分別獨立爲取代或無取代之核原 子數6〜50之芳基，但是A。〜Ar^之取代基係分別獨立 爲取代或無取代之核原子數6〜5〇之芳基、取代或無取代 之碳數1〜5〇之烷基、取代或無取代之碳數π之烷氧 基、取代或無取代之碳數6〜5 〇之芳烷基、取代或無取代 之核原子數5〜50之芳氧基、取代或無取代之核原子數5 〜5 0之方硫基、取代或無取代之碳數2〜5 〇之烷氧羰 基、鹵原子、氰基、硝基、羥基、或羧基〕。 14·如申請專利範圍第13項之芳香族胺衍生物，其中 該一般式（7)爲下述一般式（8)表示， [化6] -82- 200827342 {式中，係取代或無取代之核原子數6〜50之芳基 或取代或無取代之碳數1〜5 〇之烷基，L2係取代或無取 代之核原子數6〜50之伸芳基}。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3或1 4項之芳香族胺衍生 物，其中該一般式（4)中， Aq〜Ar9之中至少丨個係以一般式（7)表示。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3或1 4項之芳香族胺衍生 物’其中該一般式（4)中，Ar 5爲該一般式（7)表示。 1 7 .如申請專利範圍第1 3或1 4項之芳香族胺衍生 物’其中該一般式（4)中，Ar6與Ar8爲各自獨立以該一般 式（7)表示。 1 8 ·如申請專利範圍第丨3或1 4項之芳香族胺衍生 物’其中該一般式（5)中，Ar1G〜Αγ15之中至少1個係以一 般式（7)表示。 1 9 ·如申請專利範圍第1 3或1 4項之芳香族胺衍生 物’其中該一般式（5)中，AnG與Ar15爲各自獨立以該一 般式（7)表示。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 3或1 4項之芳香族胺衍生 物’其中該一般式（5)中，Am與Ar13爲各自獨立以該一 般式（7)表示。 2 1 ·如申請專利範圍第1 3或1 4項之芳香族胺衍生 物’其中該一般式（6)中，八!；16〜人1*21之中至少1個係以一 般式（7)表示。 2 2 .如申請專利範圍第丨3或1 4項之芳香族胺衍生 -83- 200827342 物，其中該一般式（6)中，人1*16與Ar18與Ar2〇爲各自獨立 以該一般式（7)表示。 23·如申請專利範圍第13〜22項中任一項之芳香族胺 衍生物，其中該一般式（4)、（5)及（6)中，Ar5〜Ar21係分 別獨立爲苯基、聯苯基、三聯苯基或芴基。 24.如申請專利範圍第13〜23項中任一項之芳香族胺 衍生物，其中該一般式（4)、（5)及（6)中，L5〜L12係分別 獨立爲伸苯基、伸聯苯基、伸三聯苯基或伸芴基。 25·如申請專利範圍第13〜24項中任一項之芳香族胺 衍生物，其中該一般式（7)中，L2爲伸苯基、伸聯苯基或 伸芴基。 2 6 ·如申請專利範圍第1 3〜2 5項中任一項之芳香族胺 衍生物，其中該一般式（7)中，Ri爲苯基、萘基或菲基。 27·如申請專利範圍第13〜26項中任一項之芳香族胺 衍生物，其中該一般式（4)、（5)、（6)及（7)中，Ar5〜Ar21 係各自獨立爲苯基、聯苯基、三聯苯基或芴基，l5〜l12 係各自獨立爲伸苯基、伸聯苯基、伸三聯苯基或伸荀基， L2爲伸苯基、伸聯苯基或伸芴基。 2 8 ·如申g靑專利範圍第1〜2 7項中任—^項之芳香族胺 衍生物，其係有機電致發光元件用材料。 2 9 ·如申g靑專利範圍第1〜2 7項中任一項之芳香族胺 衍生物，其係有機電致發光元件用電洞輸送材料。 3 0 · —種有機電致發光元件，其係於陰極與陽極間挾 持至少含有發光層之一層或多層所構成之有機薄膜層的有 -84- 200827342 機電致發光元件，其特徵係該有機薄膜層之至少一層爲含 有申請專利範圍第1〜27項中任一項之芳香族胺衍生物作 爲單獨或混合物的成分。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之有機電致發光元件，其 中該有機薄膜層具有電洞輸送層，該電洞輸送層中含有申 請專利範圍第i〜27項中任一項之芳香族胺衍生物。 3 2 .如申請專利範圍第3 0項之有機電致發光元件，其 中該有機薄膜層具有多層之電洞輸送層，未直接接觸發光 層的層中含有申請專利範圍第1〜27項中任一項之芳香族 胺衍生物。 3 3 ·如申請專利範圍第3 0項之有機電致發光元件，其 中該有機薄膜層具有電洞注入層，該電洞注入層中含有申 請專利範圍第1〜27項中任一項之芳香族胺衍生物。 34·如申請專利範圍第30項之有機電致發光元件，其 中電洞注入層中含有申請專利範圍第1〜27項中任一項之 芳香族胺衍生物作爲主成分。 3 5 .如申請專利範圍第3 0〜3 4項中任一項之有機電致 發光元件，其中發光層中含有苯乙烯基胺化合物及/或芳 基胺化合物。 3 6 ·如申請專利範圍第3 0〜3 5項中任一項之有機電致 發光元件，其中與該電洞注入層之陽極接觸之層爲含有受 體材料的層。 3 7 ·如申請專利範圍第3 0〜3 6項中任一項之有機電致 發光元件，其係發藍色系光。 -85- 200827342 七、 八、 指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：無 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式··化1 [化1]

   Ar^

   (1) -4-