JP4403201B2 - 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し、特に、特定の置換基を有する芳香族アミン誘導体を正孔輸送材料に用いることにより、駆動電圧を低下させるとともに分子の結晶化を抑制し、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りを向上させ、有機ＥＬ素子の寿命を改善する芳香族アミン誘導体に関するものである。

有機ＥＬ素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。

通常、高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管すると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには正孔輸送材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要があった。そのために正孔輸送材料の分子内に多くの芳香族基を有する必要があり（例えば、特許文献１の芳香族ジアミン誘導体、特許文献２の芳香族縮合環ジアミン誘導体）、通常８〜１２個のベンゼン環を有する構造が好ましく用いられている。
しかしながら、分子内に多くの芳香族基を有すると、これらの正孔輸送材料を用いて薄膜を形成して有機ＥＬ素子を作製する際に結晶化が起こりやすく、蒸着に用いるるつぼの出口を塞いだり、結晶化に起因する薄膜の欠陥が発生し、有機ＥＬ素子の歩留り低下を招くなどの問題が生じていた。また、分子内に多くの芳香族基を有する化合物は、一般的にガラス転移温度（Ｔｇ）は高いものの、昇華温度が高く、蒸着時の分解や蒸着が不均一に形成される等の現象が起こると考えられるために寿命が短いという問題があった。
一方、非対称な芳香族アミン誘導体が開示された公知文献がある。例えば、特許文献３に、非対称な構造を有する芳香族アミン誘導体が記載されているものの具体的な実施例はなく、非対称化合物の特徴についても一切記載されていない。また、特許文献４には、フェナントレンを有する非対称な芳香族アミン誘導体が実施例として記載されているが、対称の化合物と同列に扱われているとともに、非対称化合物の特徴については一切記載されていない。また、非対称化合物は特殊な合成法が必要であるにもかかわらず、これらの特許には非対称化合物の製造方法に関する記載が明示されていない。さらに、特許文献５には、非対称な構造を有する芳香族アミン誘導体の製造法については記載されているものの、非対称化合物の特徴については記載されていない。特許文献６には、ガラス転移温度の高い熱的に安定な非対称化合物の記載があるが、カルバゾールを有する化合物しか例示がない。

また、チオフェンを有するアミン化合物の報告としては、特許文献７〜８があるが、これらはジアミン化合物の中心骨格にチオフェンを有する化合物である。また、特許文献７はチオフェンが直接アミンと結合している。ジアミン化合物の末端にチオフェンを有する化合物の報告としては、特許文献９〜１０があるが、これらはアミンに直接チオフェンが結合している。これらの化合物は不安定であり、精製が困難であるため純度が向上しない。また、チオフェンがアミンと直接結合するとアミンの電子状態が大きく変わるため十分な性能が出ない。一方、特許文献１１では、チオフェンがアリール基を介してアミンに結合している化合物の記載がある。しかしながら、これらの化合物は2位もしくは5位が無置換のチオフェンを含んだ構造である。チオフェンの2位もしくは5位は反応性が高く、電気的にも不安定なため、分子内にこれらが存在すると素子評価において電圧上昇するため好ましくない。多量体アミンとしては特許文献１２があるが、具体例のみであり、チオフェンがアリール基を介して窒素に結合したアミン化合物の特徴についての記載が一切ない。高分子として特許文献１３〜２２があるが、蒸着できない。また、重合に必要な極性基は寿命等に素子性能を低下させることから好ましくない。

以上のように、チオフェン構造を有する化合物は移動度が高いことが一般的に知られてはいるものの、単にアミン構造と組み合わせるだけでは、十分な性能はでない。そのため、より優れた性能を有する有機ＥＬ材料の開発が強く望まれていた。

米国特許第４，７２０，４３２号明細書 米国特許第５，０６１，５６９号明細書 特開平８−４８６５６号公報 特開平１１−１３５２６１号公報 特開２００３−１７１３６６号公報 米国特許第６，２４２，１１５号明細書 ＷＯ２００４−０５８７４０ 特開平４−３０４４６６号公報 ＷＯ２００１−０５３２８６ 特開平７−２８７４０８号公報 特開２００３−２６７９７２号公報 特開２００４−１５５７０５号公報 特開２００５−０４２００４号公報 特開２００５−２５９４４１号公報 特開２００５−２５９４４２号公報 特開２００５−２３５６４５号公報 特開２００５−２３５６４６号公報 特開２００５−０８２６５５号公報 特開２００４−２８８５３１号公報 特開２００４−１９９９３５号公報 特開２００４−１１１１３４号公報 特開２００２−３１３５７４号公報

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、駆動電圧を低下させるとともに、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表される特定の置換基を有する新規な芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に正孔輸送材料として用いると、前記の課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。
また特定の置換基を有するアミンユニットとして、一般式（２）で表されるチオフェン構造を有するアリール基で置換されたアミノ基が好適であることを見出した。このアミンユニットは極性基を有していることから電極と相互作用が可能なため、電荷の注入が容易となること、およびチオフェン構造を有しているため移動度が高いことにより駆動電圧が低下する効果があるとともに、立体障害性があるため分子間の相互作用が小さいことから、結晶化が抑制され、有機ＥＬ素子を製造する歩留を向上させ、得られる有機ＥＬ素子の寿命を長くする効果があり、特に青色発光素子と組み合わせることにより、顕著な低電圧化と長寿命効果が得られることが判った。更に分子量が大きい化合物において、非対称な構造を有する化合物は、蒸着温度を下げることが可能なため、蒸着時の分解を抑制し、長寿命化が可能である。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。

［式中、Ｌ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。
Ａｒ₁〜Ａｒ₄のうち少なくとも１つは下記一般式（２）で表される。

｛式中、Ｒ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａは１〜３の整数である。
Ｌ₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。｝
一般式（１）において、Ａｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基である。但し、Ａｒ₁〜Ａｒ₄の置換基は核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
但し、ａ＝２で二つのＲ₁が環形成し、ベンゾチオフェニル基になることはない。］

さらに、本発明は、下記一般式（４）〜（６）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。

［式中、Ｌ₅〜L₁₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。
Ａｒ₅〜Ａｒ₉のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。
Ａｒ₁₀〜Ａｒ₁₅のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。
Ａｒ₁₆〜Ａｒ₂₁のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。

｛式中、Ｒ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａは１〜３の整数である。
Ｌ₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。ただし、ａ＝２で二つのＲ₁が環形成し、ベンゾチオフェニル基になることはない。｝
一般式（４）〜（６）において、Ａｒ₅〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基である。但し、Ａｒ₅〜Ａｒ₂₁の置換基は核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ただし、一般式（５）において、Ａｒ₁₁とＡｒ₁₄が同時にチエニルアリール基である場合はない。］

また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。

本発明の芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機ＥＬ素子は、駆動電圧を低下させるとともに、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、寿命が長い。

本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１）で表されるものである。

式中、Ｌ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。Ａｒ₁〜Ａｒ₄のうち少なくとも１つは下記一般式（２）で表される。

一般式（２）中、Ｒ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。ａは１〜３の整数である。Ｌ₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。
一般式（１）において、Ａｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基である。但し、Ａｒ₁〜Ａｒ₄の置換基は核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。但し、ａ＝２で二つのＲ₁が環形成し、ベンゾチオフェニル基になることはない。

一般式（１）で表される本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（２）が下記一般式（３）で表されると好ましい。

一般式（３）中、Ｒ₁は置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基又は炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基である。Ｌ₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。

本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁が前記一般式（２）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁とＡｒ₂が前記一般式（２）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁とＡｒ₃が前記一般式（２）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち３つ以上は互いに異なり、非対称であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち３つが同一であり、非対称であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものが、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＬ₁がビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（２）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（２）においてＲ₁がフェニル基、ナフチル基又はフェナントレン基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものが、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基であり、Ｌ₁がビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基であり、前記一般式（２）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基であると好ましい。

さらに、本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（４）〜（６）のいずれかで表される。

一般式（４）〜（６）において、Ｌ₅〜L₁₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。Ａｒ₅〜Ａｒ₉のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。Ａｒ₁₀〜Ａｒ₁₅のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。Ａｒ₁₆〜Ａｒ₂₁のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。

一般式（７）中、Ｒ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。ａは１〜３の整数である。Ｌ₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。ただし、ａ＝２で二つのＲ₁が環形成し、ベンゾチオフェニル基になることはない。
一般式（４）〜（６）において、Ａｒ₅〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基である。但し、Ａｒ₅〜Ａｒ₂₁の置換基は核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ただし、一般式（５）において、Ａｒ₁₁とＡｒ₁₄が同時にチエニルアリール基である場合はない。

一般式（４）〜（６）で表される本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（７）が下記一般式（８）で表されると好ましい。

一般式（８）中、Ｒ₁は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基又は炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基である。Ｌ₂は、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基を表す。

本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（４）においてＡｒ₅〜Ａｒ₉のうち少なくとも１つは一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（４）においてＡｒ₅が前記一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（４）においてＡｒ₆とＡｒ₈が前記一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（５）においてＡｒ₁₀〜Ａｒ₁₅のうち少なくとも１つは一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（５）においてＡｒ₁₀とＡｒ₁₅が前記一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（５）においてＡｒ₁₁とＡｒ₁₃が前記一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（６）においてＡｒ₁₆〜Ａｒ₂₁のうち少なくとも１つは一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（６）においてＡｒ₁₆とＡｒ₁₈とＡｒ₂₀が前記一般式（７）で表されると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（４）〜（６）においてＡｒ₅〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものが、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（４）〜（６）においてＬ₅〜Ｌ₁₂が、それぞれ独立に、フェニレン、ビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（７）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（７）においてＲ₁がフェニル基、ナフチル基又はフェナントレン基であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は前記一般式（４）〜（６）においてＡｒ₅〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものが、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基であり、Ｌ₅〜Ｌ₁₂がフェニレン、ビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基であり、一般式（７）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基であると好ましい。

一般式（１）及び（４）〜（６）におけるＡｒ₁〜Ａｒ₂₁及び一般式（２）、（３）、（７）及び（８）におけるＲ₁である置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアリール基としては例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニリル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくはフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、テルフェニルイル基、フルオレニル基である。
チオフェン化合物は２位と５位の反応性が高いため、この置換位置を保護することが望ましい。公知文献としてはMacromol. Rapid Commun., 2001, 22, 266-270があり、電気的に不安定で重合が進行することが報告されている。置換基としてはアルキル基もしくはアリール基が望ましいが、化合物の安定性からアリール基が好ましく、更に無置換のアリール基が好ましい。

一般式（１）及び（４）〜（６）におけるＬ₁及びＬ₅〜Ｌ₁₂、また一般式（２）、（３）、（７）及び（８）におけるＬ₂である置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリーレン基としては前記アリール基の例を２価基としたものが挙げられる。

一般式（２）、（３）、（７）及び（８）におけるＲ₁である置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。好ましくは、炭化水素からなる飽和の鎖状、分岐状または環状のアルキル基であり、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。

一般式（２）、（３）、（７）及び（８）におけるＲ₁であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

Ａｒ₁〜Ａｒ₂₁の置換基である核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子及びシアノ基の例は前記と同じものが挙げられる。

一般式（２）及び（７）において、ａは１〜３の整数である。ａが２以上のとき、複数のＲ₁は、互いに結合して、飽和もしくは不飽和の置換されてもよい５員環又は６員環の環状構造を形成してもよい。但し、芳香族環を除く。
この形成してもよい５員環又は６員環の環状構造としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数４〜１２のシクロアルカン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の炭素数４〜１２のシクロアルケン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン等の炭素数６〜１２のシクロアルカジエンなどが挙げられる。

本発明の一般式（１）及び（４）〜（６）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。

本発明の芳香族アミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は、蒸着用有機エレクトロルミネッセンス素子用材料であると好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料であると好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
本発明の有機ＥＬ素子は、該有機薄膜層が正孔輸送層を有し、前記芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層に含有されていると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、該有機薄膜層が複数の正孔輸送層を有し、発光層に直接接しない層に前記芳香族アミン誘導体が含有されていると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔注入層を有し、前記芳香族アミン誘導体が該正孔注入層に含有すると好ましい。さらに、前記芳香族アミン誘導体が前記正孔注入層に主成分として含有されていると好ましい。

蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、特に、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物が挙げられ、その中でもスチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物がさらに好ましい。また、縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。

このようなスチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ³ は、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、ジスチリルアリール基から選ばれる基であり、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵はそれぞれ炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ³、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は置換されていてもよい。ｐは１〜４の整数であり、そのなかでもｐは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ³〜Ａｒ⁵のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ⁴又はＡｒ⁵の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。

芳香族アミン化合物及び芳香族ジアミン化合物としては、下記一般式（Ｂ）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ⁶〜Ａｒ⁸は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、そのなかでもｑは１〜２の整数であるのが好ましい。）
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基、又は下記一般式（Ｃ），（Ｄ）で示されるアリール基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は一般式（Ｄ）で示されるアリール基が好ましい。

(一般式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。)

なお、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）としては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、コロネン、ビフェニル、ターフェニル、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾール、インドール、カルバゾール、ピリジン、ベンゾキノリン、フルオランテニン、ベンゾフルオランテン、アセナフトフルオランテニン、スチルベン、ペリレン、クリセン、ピセン、トリフェニレニン、ルビセン、ベンゾアントラセン等の縮合多環芳香族化合物およびその誘導体が好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層を構成する各層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する層であると好ましい。
アクセプターは、易還元性の有機化合物である。
化合物の還元しやすさは、還元電位で測定することができる。本発明では飽和カロメル（ＳＣＥ）電極を参照電極とした還元電位において、−０．８Ｖ以上が好ましく、特に好ましくはテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）の還元電位（約０Ｖ）より大きな値を持つ化合物が好ましい。
易還元性の有機化合物として、好ましくは電子吸引性の置換基を有する有機化合物である。具体的には、キノイド誘導体、ピラジン誘導体、アリールボラン誘導体、イミド誘導体等である。キノイド誘導体には、キノジメタン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、チオキサンテンジオキシド誘導体及びキノン誘導体等が含まれる。
本発明の芳香族アミン誘導体は、特に青色系発光する有機ＥＬ素子に用いると好ましい。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
（１）有機ＥＬ素子の構成
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
(1) 陽極／発光層／陰極
(2) 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
(3) 陽極／発光層／電子注入層／陰極
(4) 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
(5) 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
(6) 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
(7) 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
(8) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(9) 陽極／アクセプター含有層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
(10)陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(11)陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(12)陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(13)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
(14)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子のどの有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域又は正孔輸送帯域に用いることができ、好ましくは正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔注入層に用いることにより、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上する。
本発明の芳香族アミン誘導体を、有機薄膜層に含有させる量としては、３０〜１００モル％が好ましい。

（２）透光性基板
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。

（３）陽極
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。

（４）発光層
有機ＥＬ素子の発光層は以下(1) 〜(3) の機能を併せ持つものである。
(1) 注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、
陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明の化合物を発光層に用いる場合、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本発明の芳香族アミン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の芳香族アミン誘導体からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。

本発明の化合物と組み合わせて用いられる発光材料は主に有機化合物であり、使用できるドーピング材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の化合物と組み合わせて使用できるホスト材料としては、下記（ｉ）〜（xi）で表される化合物が好ましい。
下記一般式（ｉ）で表される非対称アントラセン。

（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。
Ａｒ’は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｘは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。
ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。
ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［ ］内は、同じでも異なっていてもよい。）

下記一般式（ii）で表される非対称モノアントラセン誘導体。

（式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ¹とＡｒ²のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ¹とＡｒ²は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。）

下記一般式(iii) で表される非対称ピレン誘導体。

［式中、Ａｒ及びＡｒ’は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｌ及びＬ’は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ’又はＡｒ’は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ，Ａｒ’，Ｌ，Ｌ’は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ≠Ａｒ’及び／又はＬ≠Ｌ’（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ＝Ａｒ’かつＬ＝Ｌ’の時
(2-1) ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
(2-2) ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
(2-2-1) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、それぞれＡｒ及びＡｒ’上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、Ａｒ及びＡｒ’上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ及びＬ’又はＡｒ及びＡｒ’のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］

下記一般式(iv)で表される非対称アントラセン誘導体。

（式中、Ａ¹及びＡ²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基である。
Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。
Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、一般式（１）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）

下記一般式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換しても良いアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換しても良い複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ¹同士又はＲ²同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ¹同士またはＲ²同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ³とＲ⁴，Ｒ⁵とＲ⁶，Ｒ⁷とＲ⁸，Ｒ⁹とＲ¹⁰がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ¹は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）

下記一般式（vi）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒ¹¹〜Ｒ²⁰は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換しても良い複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ¹¹同士，Ｒ¹²同士，Ｒ¹⁶同士又はＲ¹⁷同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ¹¹同士，Ｒ¹²同士，Ｒ¹⁶同士又はＲ¹⁷同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ¹³とＲ¹⁴，Ｒ¹⁸とＲ¹⁹がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ²は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）

下記一般式(vii) で表されるスピロフルオレン誘導体。

（式中、Ａ⁵〜Ａ⁸は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）

下記一般式(viii)で表される縮合環含有化合物。

（式中、Ａ⁹〜Ａ¹⁴は前記と同じ、Ｒ²¹〜Ｒ²³は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ⁹〜Ａ¹⁴のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）

下記一般式（ix）で表されるフルオレン化合物。

（式中、Ｒ₁およびＲ₂は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ₁同士、Ｒ₂同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₁およびＲ₂は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ₃およびＲ₄は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ₃同士、Ｒ₄同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₃およびＲ₄は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ₁およびＡｒ₂は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ₁およびＡｒ₂は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）

下記一般式（x）で表されるアントラセン中心骨格を有する化合物。

（式（x）中、Ａ₁及びＡ₂は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。
前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。
前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Ｒ₁〜Ｒ₈は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。）

前記一般式（x）でＡ₁とＡ₂とが異なる基である下記一般式（xi）で表される構造を有する化合物。

（式（xi）中、Ａ₁及びＡ₂、Ｒ₁〜Ｒ₈は、それぞれ独立に、一般式（x）と同じである。
ただし、中心のアントラセンの９位及び10位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）

以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していても良い。

このようなホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（N-ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。

りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（1−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。
また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。

（５）正孔注入・輸送層（正孔輸送帯域）
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．６ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^-4ｃｍ²／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発明においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。

具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同 ５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）等を挙げることができる。

正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。

この他に特許３５７１９７７号で開示されている下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。

式中、Ｒ¹²¹〜Ｒ¹²⁶は、それぞれ置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ¹²¹〜Ｒ¹²⁶は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ¹²¹とＲ¹²²、Ｒ¹²³とＲ¹²⁴、Ｒ¹²⁵とＲ¹²⁶、Ｒ¹²¹とＲ¹²⁶、Ｒ¹²²とＲ¹²³、Ｒ¹²⁴とＲ¹²⁵が縮合環を形成していてもよい。）

さらに、米国公開２００４／０１１３５４７で記載されている下記式の化合物も用いることができる。

（式中、Ｒ¹³¹〜Ｒ¹³⁶は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。）

これらの材料に代表されるように、アクセプター性材料も正孔注入材料として用いることができる。これらの具体例は上述した通りである。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用することができる。

正孔注入・輸送層は本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０^-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。

（６）電子注入・輸送層
次に、電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
また、有機ＥＬ素子は発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０^-5ｃｍ²／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。

一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。

（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²，Ａｒ³，Ａｒ⁵，Ａｒ⁶，Ａｒ⁹はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ⁴，Ａｒ⁷，Ａｒ⁸は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニリル基、アントリル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、アントリレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。

上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。

さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記一般式（Ａ）〜（Ｆ）で表されるものも用いることができる。

（一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ａ¹〜Ａ³は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ¹は、（Ａ）式においては、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基であり、（Ｂ）式においてＡｒ¹は（Ａ）式のＡｒ¹を２価のアリーレン基にしたものであり、Ａｒ²は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、あるいはこれらの２価の基である。ただし、Ａｒ¹及びＡｒ²のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のモノヘテロ縮合環基、あるいはこれらの２価の基である。
Ｌ¹、Ｌ²及びＬは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接する複数のＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ｒ¹は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は―Ｌ―Ａｒ¹―Ａｒ²である。）で表される含窒素複素環誘導体。

ＨＡｒ−Ｌ−Ａｒ¹−Ａｒ² （Ｃ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌは、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ¹は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ²は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。

（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ₁〜Ｒ₄は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は、二つの置換基が隣接している場合は、それぞれが結合し、置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成する構造である。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。

（式中、Ｒ₁〜Ｒ₈及びＺ₂は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ、Ｙ及びＺ₁は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を示し、Ｚ₁とＺ₂の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎが２以上の場合、Ｚ₁は異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ₂がメチル基であって、Ｒ₈が、水素原子又は置換ボリル基の場合、及びｎが３でＺ₁がメチル基の場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。

［式中、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｇ）で示される配位子を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ¹（Ｒ¹は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）または−Ｏ−Ｇａ−Ｑ³（Ｑ⁴）（Ｑ³及びＱ⁴は、Ｑ¹及びＱ²と同じ）で示される配位子を表す。］

［式中、環Ａ¹およびＡ²は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］

この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。
一般式（Ｇ）の配位子を形成する環Ａ¹及びＡ²の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s-ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。

本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｌｉ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。

本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｓ、Ｎａ₂ＳｅおよびＮａ₂Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂およびＢｅＦ₂といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。

（７）陰極
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。

（８）絶縁層
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。

（９）有機ＥＬ素子の製造方法
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０^-7〜１０^-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。

次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の芳香族アミン誘導体は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
この有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。

以下、本発明を合成例及び実施例に基づいてさらに詳細に説明する。
合成例１〜２１で製造する中間体１〜２１の構造式は下記の通りである。

合成例１（中間体１の合成）
アルゴン気流下、１０００ｍＬの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ｍＬ、酢酸を３６０ｍＬ、硫酸を１１ｍＬ入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、C₁₂H₁₅BrI=359 に対し、m/z=358と360 の主ピークが得られたので、中間体１と同定した。

合成例２（中間体２の合成）
アルゴン気流下、３００ｍＬの三つ口フラスコにｐ−ターフェニルを１０ｇ、ヨウ素を１２ｇ、過ヨウ素酸２水和物を４．９ｇ、水を２０ｍＬ、酢酸を１７０ｍＬ、硫酸を２２ｍＬ入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより１８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、C₁₈H₁₂I₂=482 に対し、m/z=482の主ピークが得られたので、中間体２と同定した。

合成例３（中間体３の合成）
アルゴン気流下、５０Ｌの反応容器にフェニルボロン酸を７５０ｇ、２−ブロモチオフェンを１０００ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄）を１４２ｇ、２Ｍの炭酸ナトリウム（Ｎａ₂ＣＯ₃）溶液を９Ｌ、ジメトキシエタンを１５Ｌ入れた後、８０℃で８時間反応した。反応液をトルエン／水で抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製することで７８６ｇの白色粉末を得た。
アルゴン気流下、２０Ｌの反応容器に上記で得られた化合物７８６ｇとＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）を８Ｌ入れた後、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）を９６０ｇゆっくり添加し、室温で１２時間反応した。ヘキサン／水で抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製することで７０３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３と同定した。

合成例４（中間体４の合成）
アルゴン気流下、２０Ｌの反応容器に中間体3を７０３g、脱水ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を７Ｌ加え、−３０℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ、１．６Ｍヘキサン溶液）を２．３Ｌ入れ、１時間反応した。−７０℃に冷却した後、ホウ酸トリイソプロピル（東京化成社製）を１６５８ｇ入れた。ゆっくり昇温し、室温で１時間撹拌した。１０％塩酸溶液１．７Lを加え撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。ヘキサンで洗浄することにより白色粉末を３５９ｇ得た。
アルゴン気流下、２０Ｌの反応容器に上記で得られた５−フェニル−２−チオフェンボロン酸を５０６ｇ、４−ヨードブロモベンゼンを６００ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄）を４１ｇ、２Ｍの炭酸ナトリウム（Ｎａ₂ＣＯ₃）溶液を２．６Ｌ、ジメトキシエタンを１０Ｌ入れた後、８０℃で８時間反応した。反応液をトルエン／水で抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製することで２７７ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体４と同定した。

合成例５（中間体５の合成）
中間体４の合成において４−ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、３４２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体５と同定した。

合成例６（中間体６の合成）
中間体４の合成において５−フェニル−２−チオフェンボロン酸の代わりに５−メチル−２−チオフェンボロン酸を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２０３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。

合成例７（中間体８の合成）
アルゴン気流下、アニリンを５．５ｇ、中間体４を１５．７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６．８ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．４６ｇ （アルドリッチ社製）及び脱水トルエン３００ｍＬ を入れ、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１０．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体８と同定した。

合成例８（中間体９の合成）
中間体８の合成において中間体４の代わりに中間体６用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体９と同定した。

合成例９（中間体１１の合成）
アルゴン気流下、アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体４を３１５ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）およびデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１７５ｇ濾取した。
これをエチレングリコール５Ｌ（和光純薬社製）、水５０ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液２１０gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１４５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１１と同定した。

合成例１０（中間体１２の合成）
アルゴン気流下、アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、４−ブロモビフェニルを２５３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）およびデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を２０５ｇ濾取した。
これに中間体４を１７７ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム３８０ｇ（和光純薬社製）、銅粉８．８ｇ（和光純薬社製）およびデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン１．４Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム３Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を２２４ｇ濾取した。これをエチレングリコール３．５Ｌ（和光純薬社製）、水３５ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液１４７gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１４１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１２と同定した。

合成例１１（中間体１３の合成）
中間体１１の合成において中間体４を３１５ｇから６３０ｇに変更した以外は同様に反応を行ったところ、２４０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１３と同定した。

合成例１２（中間体１４の合成）
中間体１３の合成において中間体４の代わりに中間体６用いた以外は同様に反応を行ったところ、１４０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１４と同定した。

合成例１３（中間体１６の合成）
中間体８の合成においてアニリンの代わりに中間体１１用い、中間体４の代わりに１−ブロモナフタレンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、１２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１６と同定した。

合成例１４（中間体１７の合成）
アルゴン気流下、アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体４を３１５ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）およびデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１７５ｇ濾取した。
これに４，４’−ジヨードビフェニル１２０ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム１６３ｇ（和光純薬社製）、銅粉３．８ｇ（和光純薬社製）およびデカリン６００ｍＬを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。
反応後冷却し、トルエン６００ｍＬを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム１．４Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン１Ｌを加え、析出晶を３８２ｇ濾取した。
これをエチレングリコール１．５Ｌ（和光純薬社製）、水１５ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液４４gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン１Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１３０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１７と同定した。

合成例１５（中間体１８の合成）
アルゴン気流下、１−アセトアミドナフタレン５４７ｇ（東京化成社製）、４，４’−ジヨードビフェニル４００ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）およびデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。
反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を３８２ｇ濾取した。これをエチレングリコール５Ｌ（和光純薬社製）、水５０ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液１４５gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、２６４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１８と同定した。

合成例１６（中間体１９の合成）
アルゴン気流下、ジフェニルアミンを５．１ｇ、中間体１を１０．８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム３ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（II）０．５ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、３．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１９と同定した。

合成例１７（中間体２０の合成）
中間体１９の合成において中間体１の代わりに４−ヨードブロモベンゼン用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２０と同定した。

合成例１８（中間体２１の合成）
２００ｍＬの三つ口フラスコに、４−ブロモビフェニル２０．０ｇ （東京化成社品）、ｔ−ブトキシナトリウム８．６４ｇ （和光純薬社製）、酢酸パラジウム８４ｍｇ（和光純薬社製）を入れた。さらに攪拌子を入れ、フラスコの両側にラバーキャップをセットし、中央の口に還流用蛇管、その上に三方コックとアルゴンガスを封入した風船をセットし、系内を真空ポンプを用いて３回、風船内のアルゴンガスで置換した。
次に、脱水トルエン１２０ｍＬ（広島和光社製）、ベンジルアミン４．０８ｍＬ（東京化成社製）、トリス−ｔ−ブチルホスフィン３３８ μＬ （アルドリッチ社製、２．２２ｍｏｌ／Ｌ トルエン溶液）、をシリンジでラバーセプタムを通して加え、５分間室温で攪拌した。次に、フラスコをオイルバスにセットし、溶液を攪拌しながら徐々に１２０℃まで昇温した。７時間後、オイルバスからフラスコを外し反応を終了させ、アルゴン雰囲気下、１２時間放置した。反応溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタン６００ｍＬを加えて沈殿物を溶解させ、飽和食塩水１２０ｍＬで洗浄後、有機層を無水炭酸カリウムで乾燥した。炭酸カリウムを濾別して得られた有機層の溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン４００ｍＬ、エタノール８０ｍＬを加え、乾燥管を付けて８０℃に加熱し、残渣を完全に溶解した。その後、１２時間放置し、室温まで除冷することにより再結晶化させた。析出した結晶を濾別し、６０℃で真空乾燥することにより１３．５ｇ のＮ，Ｎ−ジ−（４−ビフェニリル）−ベンジルアミンを得た。３００ｍＬ の一口フラスコに、１．３５ｇ のＮ，Ｎ−ジ−（４−ビフェニリル）−ベンジルアミン、パラジウム−活性炭素１３５ｍｇ（広島和光社製、パラジウム含有量１０重量％）を入れ、クロロホルム１００ｍＬ、エタノール２０ｍＬを加えて溶解した。次に、フラスコに攪拌子を入れた後、水素ガス２Ｌが充填された風船を装着した三方コックをフラスコに取り付け、真空ポンプを用いてフラスコ系内を水素ガスで１０回置換した。減った水素ガスを新たに充填し、水素ガスの容積を再び２Ｌにした後、室温で激しく溶液を攪拌した。３０時間攪拌後、ジクロロメタン１００ｍＬを加え、触媒を濾別した。次に、得られた溶液を分液ロートに移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液５０ｍＬで洗浄後、有機層を分別し、無水炭酸カリウムで乾燥した。濾過後、溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン５０ｍＬを加え、再結晶化させた。析出した結晶を濾別し、５０℃で真空乾燥することにより０．９９ｇ のジ−４−ビフェニリルアミンを得た。
アルゴン気流下、ジ−４−ビフェニリルアミン１０ｇ、４，４’−ジブロモビフェニル９．７ｇ（東京化成社製）、ｔ−ブトキシナトリウム３ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（II）０．５ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応した。冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、９．１ｇの下記４’−ブロモ−Ｎ，Ｎ−ジビフェニリル−４−アミノ−１，１’−ビフェニル（中間体２１）を得た

合成実施例１〜２０で製造する本発明の芳香族アミン誘導体である化合物Ｈ１〜Ｈ２０の構造式は下記の通りである。

合成実施例１（化合物Ｈ１の合成）
アルゴン気流下、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを３．４ｇ、中間体４を６．６ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．６ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）９２ｍｇ （アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン４２ｍｇ及び脱水トルエン１００ｍＬ を入れ、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、化合物Ｈ１と同定した。

合成実施例２（化合物Ｈ２の合成）
アルゴン気流下、４，４’−ジヨードビフェニルを４．１ｇ、中間体１２を８．４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．６ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）９２ｍｇ （アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン４２ｍｇ及び脱水トルエン１００ｍＬ を入れ、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、化合物Ｈ２と同定した。

合成実施例３（化合物Ｈ３の合成）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの代わりに中間体１８を４．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ３と同定した。

合成実施例４（化合物Ｈ４の合成）
合成実施例１において、中間体４の代わりに中間体５を８．１ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ４と同定した。

合成実施例５（化合物Ｈ５の合成）
アルゴン気流下、中間体１２を８．１ｇ、中間体２１を１１．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．６ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）９２ｍｇ （アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン４２ｍｇ及び脱水トルエン１００ｍＬ を入れ、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１３．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、化合物Ｈ５と同定した。

合成実施例６（化合物Ｈ６の合成）
合成実施例５において、中間体１２の代わりに中間体８を６．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ６と同定した。

合成実施例７（化合物Ｈ７の合成）
合成実施例５において、中間体１２の代わりに中間体１６を７．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ７と同定した。

合成実施例８（化合物Ｈ８の合成）
合成実施例５において、中間体１２の代わりに中間体１３を９．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１０．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ８と同定した。

合成実施例９（化合物Ｈ９の合成）
合成実施例２において、中間体１２の代わりに中間体１３を９．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ９と同定した。

合成実施例１０（化合物Ｈ１０の合成）
合成実施例２において、中間体１２の代わりに中間体９を７．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１０と同定した。

合成実施例１１（化合物Ｈ１２の合成）
合成実施例２において、中間体１２の代わりに中間体１４を７．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１２と同定した。

合成実施例１２（化合物Ｈ１４の合成）
合成実施例２において、４，４’−ジヨードビフェニルの代わりに中間体２を４．８ｇ、中間体１２の代わりに中間体８を６．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１４と同定した。

合成実施例１３（化合物Ｈ１５の合成）
合成実施例２において、４，４’−ジヨードビフェニルの代わりに１，４−ジヨードベンゼンを３．３ｇ、中間体１２の代わりに中間体８を６．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１５と同定した。

合成実施例１４（化合物Ｈ１６の合成）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの代わりに中間体１１を２．５ｇ、中間体４の代わりに中間体１９を８．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１６と同定した。

合成実施例１５（化合物Ｈ１７の合成）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの代わりに中間体１７を６．５ｇ、中間体４の代わりに中間体１９を８．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１７と同定した。

合成実施例１６（化合物Ｈ１８の合成）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの代わりに中間体１７を６．５ｇ、中間体４の代わりに中間体２０を６．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１８と同定した。

合成実施例１７（化合物Ｈ１９の合成）
合成実施例２において、４，４’−ジヨードビフェニルの代わりに２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを３．５ｇ、中間体１２の代わりに中間体８を６．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１９と同定した。

合成実施例１８（化合物Ｈ２０の合成）
合成実施例２において、４，４’−ジヨードビフェニルの代わりにトリス(4−ブロモフェニル)アミンを４．８ｇ、中間体１２の代わりに中間体８を９．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ２０と同定した。

実施例１（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの上記化合物Ｈ１膜を成膜した。このＨ１膜は、正孔注入層として機能する。このＨ１膜上に膜厚２０ｎｍの下記化合物層ＴＢＤＢを成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらに膜厚４０ｎｍの下記化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。
この膜上に膜厚１０ｎｍの下記Ａｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察した。発光効率はミノルタ製ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ² における発光効率を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

実施例２〜１２（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

比較例１〜７
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりにそれぞれ比較化合物１〜比較化合物７を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

実施例１３（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

比較例８
実施例１３において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに上記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

実施例１４（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１において、陽極と上記化合物Ｈ１の間に下記アクセプター化合物を1０ｎｍ成膜し、上記化合物Ｈ１の厚膜を５０ｎｍに変えた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

比較例９
実施例１４において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに上記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

Ｈ１とＨ１２及び比較化合物４のそれぞれについて、寿命測定後２００時間での電圧上昇（ΔＶ＝（２００時間後の電圧）−（初期電圧））を確認したところ、Ｈ１では０．２Ｖ、Ｈ１２では０．４Ｖ、比較化合物５では０．７Ｖであった。電気的に不安定な化合物程、電圧上昇が大きいと考えられる。

以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体は駆動電圧を低下させるとともに、分子が結晶化しにくく、これを有機薄膜層に含有させることによって、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、寿命が長い有機ＥＬ素子を実現できる。

Claims (36)

1. 下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
   

   

   ［式中、Ｌ₁は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニリル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基を２価の基としたものを表す。
   Ａｒ₁〜Ａｒ₄のうち少なくとも１つは下記一般式（２）で表される。
   

   

   ｛式中、Ｒ₁は、核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   ａは１〜３の整数である。
   Ｌ₂は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基を２価の基としたものを表す。｝
   一般式（１）において、Ａｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものは、それぞれ独立に、核炭素数６〜５０のアリール基である。但し、Ａｒ₁〜Ａｒ ₄ は、核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を置換基として有してもよい。
   但し、ａ＝２で二つのＲ₁が環形成し、ベンゾチオフェニル基になることはない。］
2. 前記一般式（２）が下記一般式（３）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   ｛式中、Ｒ₁は、核原子数６〜５０のアリール基又は炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   Ｌ₂は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基を２価の基としたものを表す。｝
3. 前記一般式（１）においてＡｒ₁が前記一般式（２）で表される請求項１又は２記載の芳香族アミン誘導体。
4. 前記一般式（１）においてＡｒ₁とＡｒ₂が前記一般式（２）で表される請求項１又は２記載の芳香族アミン誘導体。
5. 前記一般式（１）においてＡｒ₁とＡｒ₃が前記一般式（２）で表される請求項１又は２記載の芳香族アミン誘導体。
6. 前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち３つ以上は互いに異なり、非対称である請求項１又は２記載の芳香族アミン誘導体。
7. 前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち３つが同一であり、非対称である請求項１又は２記載の芳香族アミン誘導体。
8. 前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものが、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
9. 前記一般式（１）においてＬ₁がビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基である請求項１〜８のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
10. 前記一般式（２）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基である請求項１〜９のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
11. 前記一般式（２）においてＲ₁がフェニル基、ナフチル基又はフェナントレン基である請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
12. 前記一般式（１）においてＡｒ₁〜Ａｒ₄のうち一般式（２）でないものが、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基であり、Ｌ₁がビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基であり、前記一般式（２）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基である請求項１〜１１のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
13. 下記一般式（４）または（６）で表される芳香族アミン誘導体。
    

    

    ［式中、Ｌ₅ 、Ｌ ₆ およびＬ ₁₀ 〜Ｌ₁₂は、それぞれ独立に、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基を２価の基としたものを表す。
    Ａｒ₅〜Ａｒ₉のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。
    Ａｒ₁₆〜Ａｒ₂₁のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される。
    

    

    ｛式中、Ｒ₁は、核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    ａは１〜３の整数である。
    Ｌ₂は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基を２価の基としたものを表す。ただし、ａ＝２で二つのＲ₁が環形成し、ベンゾチオフェニル基になることはない。｝
    一般式（４）または（６）において、Ａｒ₅〜Ａｒ ₉ 、Ａｒ ₁₆ 〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものは、それぞれ独立に、核炭素数６〜５０のアリール基である。但し、Ａｒ₅〜Ａｒ ₉ 、Ａｒ ₁₆ 〜Ａｒ₂₁ は、核原子数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を置換基として有してもよい。］
14. 前記一般式（７）が下記一般式（８）で表される請求項１３記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    ｛式中、Ｒ₁は、核原子数６〜５０のアリール基又は炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    Ｌ₂は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基を２価の基としたものを表す。｝
15. 前記一般式（４）においてＡｒ₅〜Ａｒ₉のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される請求項１３又は１４記載の芳香族アミン誘導体。
16. 前記一般式（４）においてＡｒ₅が前記一般式（７）で表される請求項１３又は１４記載の芳香族アミン誘導体。
17. 前記一般式（４）においてＡｒ₆とＡｒ₈が前記一般式（７）で表される請求項１３又は１４記載の芳香族アミン誘導体。
18. 前記一般式（６）においてＡｒ₁₆〜Ａｒ₂₁のうち少なくとも１つは一般式（７）で表される請求項１３又は１４記載の芳香族アミン誘導体。
19. 前記一般式（６）においてＡｒ₁₆とＡｒ₁₈とＡｒ₂₀が前記一般式（７）で表される請求項１３又は１４記載の芳香族アミン誘導体。
20. 前記一般式（４）または（６）においてＡｒ₅〜Ａｒ ₉ およびＡｒ ₁₆ 〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものが、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基である請求項１３〜１９のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
21. 前記一般式（４）または（６）においてＬ₅ 、Ｌ ₆ およびＬ ₁₀ 〜Ｌ₁₂が、それぞれ独立に、フェニレン、ビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基である請求項１３〜２０のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
22. 前記一般式（７）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基である請求項１３〜２１のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
23. 前記一般式（７）においてＲ₁がフェニル基、ナフチル基又はフェナントレン基である請求項１３〜２２のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
24. 前記一般式（４）または（６）においてＡｒ₅〜Ａｒ ₉ およびＡｒ ₁₆ 〜Ａｒ₂₁のうち一般式（７）でないものが、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基又はフルオレニル基であり、Ｌ₅ 、Ｌ ₆ およびＬ ₁₀ 〜Ｌ₁₂がそれぞれ独立にフェニレン、ビフェニリレン基、テルフェニリレン基又はフルオレニレン基であり、一般式（７）においてＬ₂がフェニレン基、ビフェニリレン基又はフルオレニレン基である請求項１３〜２３のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
25. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜２４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
26. 蒸着用有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜２４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
27. 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項１〜２４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
28. 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜２４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
29. 該有機薄膜層が正孔輸送層を有し、前記芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層に含有されている請求項２８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
30. 該有機薄膜層が複数の正孔輸送層を有し、発光層に直接接しない層に前記芳香族アミン誘導体が含有されている請求項２８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
31. 該有機薄膜層が正孔注入層を有し、前記芳香族アミン誘導体が該正孔注入層に含有されている請求項２８載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
32. 前記芳香族アミン誘導体が主成分として正孔注入層に含有されている請求項２８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
33. 発光層にスチリルアミン化合物及び／又はアリールアミン化合物を含有する請求項２８〜３２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
34. 前記正孔注入層及び正孔輸送層を構成する各層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する層である請求項２８〜３３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
35. 青色系発光する請求項２８〜３４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
36. 下記式
    

    

    

    

    

    

    のいずれかで表わされる芳香族アミン誘導体。