JPH04304466A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH04304466A JPH04304466A JP6865891A JP6865891A JPH04304466A JP H04304466 A JPH04304466 A JP H04304466A JP 6865891 A JP6865891 A JP 6865891A JP 6865891 A JP6865891 A JP 6865891A JP H04304466 A JPH04304466 A JP H04304466A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は有機薄膜発光素子の正
孔注入層に係わり、特に正孔注入層の成膜性に優れる発
光素子に関する。
孔注入層に係わり、特に正孔注入層の成膜性に優れる発
光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。有機薄膜発光素子も
こうしたニーズに即応するものであり、とくに全固体の
自発発光素子として、他のディスプレイにはない高解像
度及び高視認性により注目を集めている。現在、実用化
されているものは、発光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無
機材料からなるエレクトロルミネセンス素子（ＥＬ素子
）である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が２００Ｖ程度と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラー化が困難である
。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発
光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光物
質の添加によりフルカラー化の可能性を充分に持つこと
から、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。有機薄膜発光素子も
こうしたニーズに即応するものであり、とくに全固体の
自発発光素子として、他のディスプレイにはない高解像
度及び高視認性により注目を集めている。現在、実用化
されているものは、発光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無
機材料からなるエレクトロルミネセンス素子（ＥＬ素子
）である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が２００Ｖ程度と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラー化が困難である
。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発
光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光物
質の添加によりフルカラー化の可能性を充分に持つこと
から、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光剤にトリス（８−ヒドロキ
シキノリン）アルミニウムを、正孔注入剤に１，１，
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シクロヘ
キサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で１
０００ｃｄ／ｍ２ 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた。（アプライドフ
ィジックスレターＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１
，９１３，（１９８７））。
らなる積層型において、発光剤にトリス（８−ヒドロキ
シキノリン）アルミニウムを、正孔注入剤に１，１，
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シクロヘ
キサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で１
０００ｃｄ／ｍ２ 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた。（アプライドフ
ィジックスレターＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１
，９１３，（１９８７））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜ＥＬ素子は低電圧駆動やフルカラー化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されており、特に１万時間程度
の長時間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければ
ならないハードルである。また、該有機薄膜の膜厚は１
μｍ以下であるため、ピンホール等の電気的欠陥が発生
しやすく量産性に欠けるという問題があった。
用いた薄膜ＥＬ素子は低電圧駆動やフルカラー化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されており、特に１万時間程度
の長時間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければ
ならないハードルである。また、該有機薄膜の膜厚は１
μｍ以下であるため、ピンホール等の電気的欠陥が発生
しやすく量産性に欠けるという問題があった。
【０００５】この発明は上述の点に鑑みてなされ、その
目的は成膜性の良好な正孔注入物質を開発することによ
り、量産性に優れる有機薄膜発光素子を提供することに
ある。
目的は成膜性の良好な正孔注入物質を開発することによ
り、量産性に優れる有機薄膜発光素子を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間には
さまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入層は電
子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔注入層か
らなり、この際正孔注入層は一般式 （Ｉ） ， （Ｉ
Ｉ），または（ＩＩＩ）で示されるチオフェン系ジアミ
ン化合物を正孔注入物質として含むものであるとするこ
とにより達成される。
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間には
さまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入層は電
子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔注入層か
らなり、この際正孔注入層は一般式 （Ｉ） ， （Ｉ
Ｉ），または（ＩＩＩ）で示されるチオフェン系ジアミ
ン化合物を正孔注入物質として含むものであるとするこ
とにより達成される。
【０００７】
【化４】
【０００８】（ｎは１，２，３・・・の整数、Ｒ１ ，
Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ は、置換されてもよいアルキル
基，アリル基，アリール基、アラルキル基，テニル基、
Ｒ３ ，Ｒ４ は水素原子，置換されてもよいアルキル
基，アリール基を表す。）
Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ は、置換されてもよいアルキル
基，アリル基，アリール基、アラルキル基，テニル基、
Ｒ３ ，Ｒ４ は水素原子，置換されてもよいアルキル
基，アリール基を表す。）
【０００９】一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例が
化学式Ｉ−１から化学式Ｉ−３０に示される。一般式（
ＩＩ）で示される化合物の具体例が化学式ＩＩ−１から
化学式ＩＩ−３０に示される。一般式 （ＩＩＩ）で示
される化合物の具体例が化学式ＩＩＩ −１から化学式
ＩＩＩ −３０に示される。
化学式Ｉ−１から化学式Ｉ−３０に示される。一般式（
ＩＩ）で示される化合物の具体例が化学式ＩＩ−１から
化学式ＩＩ−３０に示される。一般式 （ＩＩＩ）で示
される化合物の具体例が化学式ＩＩＩ −１から化学式
ＩＩＩ −３０に示される。
【００１０】
【化５】
【００１１】
【化６】
【００１２】
【化７】
【００１３】
【化８】
【００１４】
【化９】
【００１５】
【化１０】
【００１６】
【化１１】
【００１７】
【化１２】
【００１８】
【化１３】
【００１９】
【作用】一般式（Ｉ），（ＩＩ）または （ＩＩＩ）の
化合物を用いて成膜すると、基板との密着性がよく、凹
凸の少ない薄膜が得られる。
化合物を用いて成膜すると、基板との密着性がよく、凹
凸の少ない薄膜が得られる。
【００２０】
【実施例】一般式（Ｉ），（ＩＩ），（ＩＩＩ） で示
されるチオフェン系ジアミン化合物はＲ１ ＝Ｒ２ ＝
Ｒ５ ＝Ｒ６ ＝Ｒの場合には化学式ＩＡ，ＩＩＡ，Ｉ
ＩＩ Ａで示される化合物とハロゲン化アルキルＲＸと
をアルカリ（例えば炭酸カリウムなど）の存在下、必要
に応じて銅などの金属触媒を用い、ニトロベンゼンなど
の有機溶剤中で反応させることにより合成することがで
きる。
されるチオフェン系ジアミン化合物はＲ１ ＝Ｒ２ ＝
Ｒ５ ＝Ｒ６ ＝Ｒの場合には化学式ＩＡ，ＩＩＡ，Ｉ
ＩＩ Ａで示される化合物とハロゲン化アルキルＲＸと
をアルカリ（例えば炭酸カリウムなど）の存在下、必要
に応じて銅などの金属触媒を用い、ニトロベンゼンなど
の有機溶剤中で反応させることにより合成することがで
きる。
【００２１】
【化１４】
【００２２】（ここにＲはＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５ また
はＲ６ で、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ は、置換
されてもよいアルキル基，アリル基，アリール基、アラ
ルキル基，テニル基、Ｒ３ ，Ｒ４ は水素原子，置換
されてもよいアルキル基，アリール基、ｎは１，２，３
・・・の整数。）
はＲ６ で、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ は、置換
されてもよいアルキル基，アリル基，アリール基、アラ
ルキル基，テニル基、Ｒ３ ，Ｒ４ は水素原子，置換
されてもよいアルキル基，アリール基、ｎは１，２，３
・・・の整数。）
【００２３】図１は請求項１，３，５
で定義された発明の実施例に係る発光素子を示す断面図
である（発光は図中の矢印に示す方向に進む）。ガラス
等の透明基板１上に金，ニッケル等の半透膜やインジウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化錫（ＳｎＯ２ ）等の透明
導電膜からなる正極２を抵抗加熱蒸着，電子ビーム蒸着
，スパッタ法により形成する。該正極２は、透明性をも
たせるために、１００〜３０００Åの厚さにすることが
望ましい。次に正孔注入層３、発光層４と順次有機薄膜
を成膜する。両層ともにスピンコート，キャスティング
，ＬＢ法，抵抗加熱蒸着，電子ビーム蒸着等により正膜
できるが、膜の均一性から抵抗加熱蒸着が好ましい。ま
た、両層の膜厚は、それぞれ２００〜２０００Å、好適
には３００〜８００Åである。最後に負極５を蒸着にて
形成する。なお、負極５に用いる材料としては、仕事関
数の小さいＭｇ，Ｍｇ／Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等が用
いられる。
で定義された発明の実施例に係る発光素子を示す断面図
である（発光は図中の矢印に示す方向に進む）。ガラス
等の透明基板１上に金，ニッケル等の半透膜やインジウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化錫（ＳｎＯ２ ）等の透明
導電膜からなる正極２を抵抗加熱蒸着，電子ビーム蒸着
，スパッタ法により形成する。該正極２は、透明性をも
たせるために、１００〜３０００Åの厚さにすることが
望ましい。次に正孔注入層３、発光層４と順次有機薄膜
を成膜する。両層ともにスピンコート，キャスティング
，ＬＢ法，抵抗加熱蒸着，電子ビーム蒸着等により正膜
できるが、膜の均一性から抵抗加熱蒸着が好ましい。ま
た、両層の膜厚は、それぞれ２００〜２０００Å、好適
には３００〜８００Åである。最後に負極５を蒸着にて
形成する。なお、負極５に用いる材料としては、仕事関
数の小さいＭｇ，Ｍｇ／Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等が用
いられる。
【００２４】図２は請求項１，３，５で定義された発明
の異なる実施例に係る発光素子を示す断面図である（発
光は図中の矢印に示す方向に進む）。ガラス等の透明基
板１上に金，ニッケル等の半透膜やインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ），酸化錫（ＳｎＯ２）等の透明導電膜からな
る正極２を、前図と同様に形成し、正孔注入層３，発光
層４さらに電子注入層７の３層を成膜する。該正孔注入
層３，発光層４および電子注入層７の膜厚はすべて前図
の場合と同様にそれぞれ２００〜２０００Å，好適には
３００〜８００Åである。最後に負極５をＭｇ，Ｍｇ／
Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等を用いて蒸着する。
の異なる実施例に係る発光素子を示す断面図である（発
光は図中の矢印に示す方向に進む）。ガラス等の透明基
板１上に金，ニッケル等の半透膜やインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ），酸化錫（ＳｎＯ２）等の透明導電膜からな
る正極２を、前図と同様に形成し、正孔注入層３，発光
層４さらに電子注入層７の３層を成膜する。該正孔注入
層３，発光層４および電子注入層７の膜厚はすべて前図
の場合と同様にそれぞれ２００〜２０００Å，好適には
３００〜８００Åである。最後に負極５をＭｇ，Ｍｇ／
Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等を用いて蒸着する。
【００２５】上記発明の実施例に係る発光素子の製法を
さらに詳述すると次の通りである。即ち膜厚〜１０００
ÅのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラスを基板とし該基
板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、正孔注入層、発光
層と順次成膜した。成膜に際して、真空槽内は６×１０
−６Ｔｏｒｒまで減圧した。正孔注入層には、前記チオ
フェン系ジアミン化合物のうち、Ｉ−１，ＩＩ−１，ま
たはＩＩＩ −１を用い、ボート温度１５０℃〜３００
℃の範囲で加熱し成膜速度を２Å／秒として６００Å形
成した。 次に、真空槽の真空を破らずに、続けて発光層としてト
リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムをボート
温度１００℃〜３００℃の範囲で加熱し、成膜速度を２
Å／秒として６００Å形成した。この後、試料を真空層
から取り出し、直径５ｍｍのドットパターンからなるス
テンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置
内にセットし負極としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）
を形成した。
さらに詳述すると次の通りである。即ち膜厚〜１０００
ÅのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラスを基板とし該基
板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、正孔注入層、発光
層と順次成膜した。成膜に際して、真空槽内は６×１０
−６Ｔｏｒｒまで減圧した。正孔注入層には、前記チオ
フェン系ジアミン化合物のうち、Ｉ−１，ＩＩ−１，ま
たはＩＩＩ −１を用い、ボート温度１５０℃〜３００
℃の範囲で加熱し成膜速度を２Å／秒として６００Å形
成した。 次に、真空槽の真空を破らずに、続けて発光層としてト
リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムをボート
温度１００℃〜３００℃の範囲で加熱し、成膜速度を２
Å／秒として６００Å形成した。この後、試料を真空層
から取り出し、直径５ｍｍのドットパターンからなるス
テンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置
内にセットし負極としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）
を形成した。
【００２６】上述のようにして得られた正孔注入層，発
光層は均一な蒸着膜となり２０Ｖの直流電圧を印加する
と電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２ のもと１５００ｃｄ／
ｍ２ の均一な緑色発光（発光中心波長５５０ｎｍ）が
得られた。
光層は均一な蒸着膜となり２０Ｖの直流電圧を印加する
と電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２ のもと１５００ｃｄ／
ｍ２ の均一な緑色発光（発光中心波長５５０ｎｍ）が
得られた。
【００２７】上記発明の異なる実施例に係る発光素子の
製法をさらに詳述するとつぎの通りである。即ち膜厚〜
１０００ÅのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラスを基板
とし該基板を抵抗加熱熱蒸着装置内にセットし、正孔注
入層、発光層、電子注入層と順次成膜した。成膜に際し
て、真空槽内は６×１０−６Ｔｏｒｒまで減圧した。正
孔注入層には、前記チオフェン系ジアミンのうちＩ−１
，ＩＩ−１，またはＩＩＩ −１を用い、ボート温度１
５０℃〜３００℃の範囲で加熱し成膜速度を２Å／秒と
して６００Åを形成した。次に、真空槽の真空を破らず
に、続けて発光層としてトリス（８−ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウムをボート温度１００〜３００℃の範囲
で加熱し、成膜速度を２Å／秒として６００Åを形成し
た。さらに、同じく真空槽の真空を破らず、続けて電子
注入層として下記化学式（ＩＶ）のペリレンテトラカル
ボン酸誘導体を７００Å形成した。この後、試料を真空
槽から取り出し、直径５ｍｍのドットパターンからなる
スンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置
内にセットし負極としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）
を形成した。
製法をさらに詳述するとつぎの通りである。即ち膜厚〜
１０００ÅのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラスを基板
とし該基板を抵抗加熱熱蒸着装置内にセットし、正孔注
入層、発光層、電子注入層と順次成膜した。成膜に際し
て、真空槽内は６×１０−６Ｔｏｒｒまで減圧した。正
孔注入層には、前記チオフェン系ジアミンのうちＩ−１
，ＩＩ−１，またはＩＩＩ −１を用い、ボート温度１
５０℃〜３００℃の範囲で加熱し成膜速度を２Å／秒と
して６００Åを形成した。次に、真空槽の真空を破らず
に、続けて発光層としてトリス（８−ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウムをボート温度１００〜３００℃の範囲
で加熱し、成膜速度を２Å／秒として６００Åを形成し
た。さらに、同じく真空槽の真空を破らず、続けて電子
注入層として下記化学式（ＩＶ）のペリレンテトラカル
ボン酸誘導体を７００Å形成した。この後、試料を真空
槽から取り出し、直径５ｍｍのドットパターンからなる
スンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置
内にセットし負極としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の比率）
を形成した。
【００２８】
【化１５】
【００２９】上述のようにして得られた正孔注入層，発
光層，電子注入層は、均一な蒸着膜となり２０Ｖの直流
電圧を印加すると、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２ のも
と１７００ｃｄ／ｍ２ の均一な緑色発光（発光中心波
長５５０ｎｍ）が得られた。
光層，電子注入層は、均一な蒸着膜となり２０Ｖの直流
電圧を印加すると、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２ のも
と１７００ｃｄ／ｍ２ の均一な緑色発光（発光中心波
長５５０ｎｍ）が得られた。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば正極と負極とからなる
一対の電極と、その間にはさまれた発光層と電荷注入層
とを有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層のうち
の少なくとも正孔注入層からなり、この際正孔注入層は
一般式（Ｉ），（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示されるチ
オフェン系ジアミン化合物を正孔注入物質として含むの
で、均一性に優れる正孔注入層が得られ、量産性の良い
有機薄膜発光素子が得られる。
一対の電極と、その間にはさまれた発光層と電荷注入層
とを有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層のうち
の少なくとも正孔注入層からなり、この際正孔注入層は
一般式（Ｉ），（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示されるチ
オフェン系ジアミン化合物を正孔注入物質として含むの
で、均一性に優れる正孔注入層が得られ、量産性の良い
有機薄膜発光素子が得られる。
【図１】請求項１，３，５で定義された発明の実施例に
係る有機薄膜発光素子を示す断面図
係る有機薄膜発光素子を示す断面図
【図２】請求項１，３，５で定義された発明の異なる実
施例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図
施例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図
Claims (8)
- 【請求項１】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間にはさまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入
層は、電子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔
注入層からなり、この際正孔注入層は一般式（Ｉ）で示
されるチオフェン系ジアミン化合物を正孔注入物質とし
て含むものであることを特徴とする有機薄膜発光素子。 【化１】 （Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ は、置換されてもよ
いアルキル基，アリル基，アリール基、アラルキル基，
テニル基、Ｒ３ ，Ｒ４ は水素原子，置換されてもよ
いアルキル基，アリール基を表す。） - 【請求項２】請求項１記載の発光素子において一般式（
Ｉ）の化合物はＲ１，Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ がそれぞ
れＣＨ３基、Ｒ３ ，Ｒ４ がそれぞれ水素原子である
ことを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項３】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間にはさまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入
層は電子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔注
入層からなり、この際正孔注入層は一般式（ＩＩ）で示
されるチオフェン系ジアミン化合物を正孔注入物質とし
て含むものであることを特徴とする有機薄膜発光素子。 【化２】 （ｎは１，２，３・・・の整数、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５
，Ｒ６ は置換されてもよいアルキル基，アリル基，
アリール基、アラルキル基，テニル基、Ｒ３ ，Ｒ４
は水素原子，置換されてもよいアルキル基，アリール基
を表す。） - 【請求項４】請求項３記載の発光素子におい
て一般式（ＩＩ） の化合物はＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５
，Ｒ６ がそれぞれＣ６ Ｈ５ 基、Ｒ３ ，Ｒ４ が
それぞれ水素原子，ｎ＝１であることを特徴とする有機
薄膜発光素子。 - 【請求項５】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間にはさまれた発光層と電荷注入層とを有し、電荷注入
層は電子注入層と正孔注入層のうちの少なくとも正孔注
入層からなり、この際正孔注入層は一般式 （ＩＩＩ）
で示されるチオフェン系ジアミン化合物を正孔注入物質
として含むものであることを特徴とする有機薄膜発光素
子。 【化３】 （Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ は、置換されてもよ
いアルキル基，アリル基，アリール基、アラルキル基，
テニル基、Ｒ３ ，Ｒ４ は水素原子，置換されてもよ
いアルキル基，アリール基を表す。） - 【請求項６】請求項５記載の発光素子において一般式（
ＩＩＩ）の化合物はＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ５ ，Ｒ６ が
それぞれＣ６ Ｈ４ −ＣＨ３ 基、Ｒ３ ，Ｒ４ が
それぞれ水素原子であることを特徴とする有機薄膜発光
素子。 - 【請求項７】請求項１，３，５記載の素子において、発
光層はトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム
であることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項８】請求項１，３，５記載の素子において電子
注入層はペリレンテトラカルボン酸誘導体であることを
特徴とする有機薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6865891A JPH04304466A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6865891A JPH04304466A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304466A true JPH04304466A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=13380024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6865891A Pending JPH04304466A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304466A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-04-02 JP JP6865891A patent/JPH04304466A/ja active Pending
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