JP3254822B2 - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の正孔
注入層に用いられる正孔注入物質に関する。
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の正孔
注入層に用いられる正孔注入物質に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で
１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Let
t. 51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で
１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Let
t. 51,913,(1987))。
【０００４】この様に、有機材料を用いた薄膜発光素子
は低電圧駆動やフルカラ−化の可能性等を強く示唆して
いるものの、全ての要求特性を満たす有機薄膜発光素子
は未だ得られていないのが現状であり、素子構造や製造
法とともに有機発光物質，電荷注入物質等の探索開発が
精力的に進められている。発光物質としては成膜性に優
れること，発光効率が高く且つ安定であることが要求さ
れる。また電荷注入物質としては成膜性に優れること，
電荷輸送性能および発光層への電荷の注入性能が高く且
つ安定していることが必要で、特開平２−３１１５９１
号公報や特開昭５９−１９４３９３号公報には正孔注入
物質の一例が開示されている。
は低電圧駆動やフルカラ−化の可能性等を強く示唆して
いるものの、全ての要求特性を満たす有機薄膜発光素子
は未だ得られていないのが現状であり、素子構造や製造
法とともに有機発光物質，電荷注入物質等の探索開発が
精力的に進められている。発光物質としては成膜性に優
れること，発光効率が高く且つ安定であることが要求さ
れる。また電荷注入物質としては成膜性に優れること，
電荷輸送性能および発光層への電荷の注入性能が高く且
つ安定していることが必要で、特開平２−３１１５９１
号公報や特開昭５９−１９４３９３号公報には正孔注入
物質の一例が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら有機の正
孔注入物質を用いた有機薄膜発光素子は無機物質を用い
た有機薄膜発光素子に比し、多くの利点を持つが未だ全
ての要求特性を満足するものは得られていない。この発
明は上述の点に鑑みてなされ、その目的は新規な正孔注
入物質を開発することにより、成膜性が良好であるうえ
に高輝度で寿命安定性に優れる有機薄膜発光素子を提供
することにある。
孔注入物質を用いた有機薄膜発光素子は無機物質を用い
た有機薄膜発光素子に比し、多くの利点を持つが未だ全
ての要求特性を満足するものは得られていない。この発
明は上述の点に鑑みてなされ、その目的は新規な正孔注
入物質を開発することにより、成膜性が良好であるうえ
に高輝度で寿命安定性に優れる有機薄膜発光素子を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、電荷注入層は電子
注入層と正孔注入層の内の少なくとも正孔注入層からな
り、電子注入層は負極と発光層の間に挟まれ、正孔注入
層は正極と発光層の間に挟まれ、発光層は注入された電
子と正孔を再結合させて発光するものであり、正孔注入
層は下記一般式（Ｉ）のチオフェン誘導体を含む層であ
るとすることにより達成される。
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、電荷注入層は電子
注入層と正孔注入層の内の少なくとも正孔注入層からな
り、電子注入層は負極と発光層の間に挟まれ、正孔注入
層は正極と発光層の間に挟まれ、発光層は注入された電
子と正孔を再結合させて発光するものであり、正孔注入
層は下記一般式（Ｉ）のチオフェン誘導体を含む層であ
るとすることにより達成される。
【０００７】
【化２】
【０００８】〔式（Ｉ）中、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ水素
原子，ハロゲン原子，アルキル基またはアルコキシ基、
Ｒ3 は水素原子，アルキル基またはアリール基、Ａはア
リール基または置換されてもよい複素環基を表す。〕 一般式（Ｉ）で示されるチオフェン誘導体の具体例が以
下に示される。
原子，ハロゲン原子，アルキル基またはアルコキシ基、
Ｒ3 は水素原子，アルキル基またはアリール基、Ａはア
リール基または置換されてもよい複素環基を表す。〕 一般式（Ｉ）で示されるチオフェン誘導体の具体例が以
下に示される。
【０００９】
【化３】
【００１０】
【化４】
【００１１】
【作用】本発明者等は前記目的を達成するために各種物
質について多くの実験を重ねた結果、詳細は不明である
が前記一般式（Ｉ）で示されるチオフェン誘導体が有効
であることを見い出した。
質について多くの実験を重ねた結果、詳細は不明である
が前記一般式（Ｉ）で示されるチオフェン誘導体が有効
であることを見い出した。
【００１２】
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施例に
係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性
基板、２は正極、３は正孔注入層、４は発光層、５は電
子注入層、６は負極である。
する。図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施例に
係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性
基板、２は正極、３は正孔注入層、４は発光層、５は電
子注入層、６は負極である。
【００１３】絶縁性基板１は素子の支持体でガラス，樹
脂等を用いる。発光面となるときは透明な材料を用い
る。正極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ
酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電
膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法
により形成する。該正極２は、透明性を持たせるため
に、１０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
脂等を用いる。発光面となるときは透明な材料を用い
る。正極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ
酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電
膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法
により形成する。該正極２は、透明性を持たせるため
に、１０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
【００１４】正孔注入層３は正孔を効率良く輸送し、且
つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域にお
いてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法と
してスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的
である。膜厚は２０ないし２００ｎｍであり、好適には
３０ないし８０ｎｍである。
つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域にお
いてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法と
してスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的
である。膜厚は２０ないし２００ｎｍであり、好適には
３０ないし８０ｎｍである。
【００１５】発光層は正孔注入層または正極から注入さ
れた正孔と、負極または電子注入層より注入された電子
の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピン
コ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子
ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜
厚は２０ないし２００ｎｍであるが好適には３０ないし
８０ｎｍである。
れた正孔と、負極または電子注入層より注入された電子
の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピン
コ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子
ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜
厚は２０ないし２００ｎｍであるが好適には３０ないし
８０ｎｍである。
【００１６】電子注入層５は電子を効率良く発光層に注
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等
があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は２０ない
し２００ｎｍであるが好適には３０ないし８０ｎｍであ
る。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導体，ペ
リレン誘導体などが用いられる。
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等
があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は２０ない
し２００ｎｍであるが好適には３０ないし８０ｎｍであ
る。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導体，ペ
リレン誘導体などが用いられる。
【００１７】負極６は電子を効率良く有機層に注入する
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極６用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 参考例 一般式（Ｉ）に示すチオフェン誘導体は以下に示す公知
の方法により合成することができる。一般式（II) に示
すアルデヒドと一般式(III) に示すチオフェン誘導体中
間体とを例えばｎ−ブチルリチウム等の塩基存在下にジ
メトキシエタン等の有機溶媒中で３０ないし１５０℃で
反応させて容易に得ることができる。
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極６用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 参考例 一般式（Ｉ）に示すチオフェン誘導体は以下に示す公知
の方法により合成することができる。一般式（II) に示
すアルデヒドと一般式(III) に示すチオフェン誘導体中
間体とを例えばｎ−ブチルリチウム等の塩基存在下にジ
メトキシエタン等の有機溶媒中で３０ないし１５０℃で
反応させて容易に得ることができる。
【００１８】
【化５】
【００１９】〔式（III ）中、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ水
素原子，ハロゲン原子，アルキル基またはアルコキシ
基、Ｒ3 は水素原子，アルキル基またはアリール基、式
(II)中Ａはアリール基または置換されてもよい複素環基
を表す。〕 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、前
記図１に示すように正孔注入層、発光層と順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は５×１０-4Ｐａとし
た。正孔注入層には前記化学式（I −１）に示される化
合物を用いボート温度１００ないし１８０℃の範囲で加
熱し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形
成した。真空層の真空を破らずに続けて発光層としてト
リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムボート温
度１００ないし３００℃の範囲で加熱し、成膜速度０．
２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。この後、試
料を真空槽から取り出し、直径５ｍｍドットパタ−ン用
ステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装
置内にに載置し負極６として Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の
重量比率）を形成した。
素原子，ハロゲン原子，アルキル基またはアルコキシ
基、Ｒ3 は水素原子，アルキル基またはアリール基、式
(II)中Ａはアリール基または置換されてもよい複素環基
を表す。〕 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、前
記図１に示すように正孔注入層、発光層と順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は５×１０-4Ｐａとし
た。正孔注入層には前記化学式（I −１）に示される化
合物を用いボート温度１００ないし１８０℃の範囲で加
熱し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形
成した。真空層の真空を破らずに続けて発光層としてト
リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムボート温
度１００ないし３００℃の範囲で加熱し、成膜速度０．
２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。この後、試
料を真空槽から取り出し、直径５ｍｍドットパタ−ン用
ステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装
置内にに載置し負極６として Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の
重量比率）を形成した。
【００２０】上記実施例１において、化学式（Ｉ−１）
に示されるチオフェン誘導体を含む正孔注入層は均一な
蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機薄膜発光素子に
直流電圧１０Ｖを印加したところ、緑色（発光中心波長
５３０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また１００ｈを
越える連続発光においても良好な安定性が得られた。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、図２
に示すように正孔注入層、発光層、電子注入層と順次成
膜した。成膜に際して、真空槽内圧は８×１０-4Ｐａと
した。正孔注入層には前記化学式（Ｉ−３）に示される
チオフェン誘導体を用い、ボート温度１００ないし１８
０℃の範囲で加熱し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６
０ｎｍ厚さに形成した。真空層の真空を破らずに続けて
発光層としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミ
ニウムボート温度１００ないし３００℃の範囲で加熱
し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成
した。さらに真空層の真空を破らずに続けて電子注入層
として下記に示すペリレンテトラカルボン酸誘導体を７
０ｎｍの厚さに形成した。この後、基板を真空槽から取
り出し、直径５ｍｍドットパタ−ン用ステンレス製マス
クを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内にセットし負
極６として Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）を形成
した。
に示されるチオフェン誘導体を含む正孔注入層は均一な
蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機薄膜発光素子に
直流電圧１０Ｖを印加したところ、緑色（発光中心波長
５３０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また１００ｈを
越える連続発光においても良好な安定性が得られた。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、図２
に示すように正孔注入層、発光層、電子注入層と順次成
膜した。成膜に際して、真空槽内圧は８×１０-4Ｐａと
した。正孔注入層には前記化学式（Ｉ−３）に示される
チオフェン誘導体を用い、ボート温度１００ないし１８
０℃の範囲で加熱し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６
０ｎｍ厚さに形成した。真空層の真空を破らずに続けて
発光層としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミ
ニウムボート温度１００ないし３００℃の範囲で加熱
し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成
した。さらに真空層の真空を破らずに続けて電子注入層
として下記に示すペリレンテトラカルボン酸誘導体を７
０ｎｍの厚さに形成した。この後、基板を真空槽から取
り出し、直径５ｍｍドットパタ−ン用ステンレス製マス
クを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内にセットし負
極６として Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）を形成
した。
【００２１】上記実施例２において、化学式（Ｉ−３）
に示すチオフェン誘導体からなる正孔注入層は均一な蒸
着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機発光素子に直流電
圧１０Ｖを印加したところ、緑色（発光中心波長５３０
ｎｍ）の均一な発光が得られた。また１００ｈを越える
連続発光においても良好な安定性が得られた。
に示すチオフェン誘導体からなる正孔注入層は均一な蒸
着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機発光素子に直流電
圧１０Ｖを印加したところ、緑色（発光中心波長５３０
ｎｍ）の均一な発光が得られた。また１００ｈを越える
連続発光においても良好な安定性が得られた。
【００２２】
【化６】
【００２３】実施例３ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、前
記図１に示すように正孔注入層、発光層と順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は５×１０-4Ｐａとし
た。正孔注入層には前記化学式（I −５）に示される化
合物を用いボート温度１００ないし１８０℃の範囲で加
熱し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形
成した。真空層の真空を破らずに続けて発光層としてト
リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムボート温
度１００ないし３００℃の範囲で加熱し、成膜速度０．
２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。この後、試
料を真空槽から取り出し、直径５ｍｍドットパタ−ン用
ステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装
置内にに載置し負極６として Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の
重量比率）を形成した。
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、前
記図１に示すように正孔注入層、発光層と順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は５×１０-4Ｐａとし
た。正孔注入層には前記化学式（I −５）に示される化
合物を用いボート温度１００ないし１８０℃の範囲で加
熱し、成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形
成した。真空層の真空を破らずに続けて発光層としてト
リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムボート温
度１００ないし３００℃の範囲で加熱し、成膜速度０．
２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。この後、試
料を真空槽から取り出し、直径５ｍｍドットパタ−ン用
ステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装
置内にに載置し負極６として Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の
重量比率）を形成した。
【００２４】上記実施例３において、化学式（Ｉ−５）
に示されるチオフェン誘導体を含む正孔注入層は均一な
蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機薄膜発光素子に
直流電圧１０Ｖを印加したところ、緑色（発光中心波長
５３０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また１００ｈを
越える連続発光においても良好な安定性が得られた。
に示されるチオフェン誘導体を含む正孔注入層は均一な
蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機薄膜発光素子に
直流電圧１０Ｖを印加したところ、緑色（発光中心波長
５３０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また１００ｈを
越える連続発光においても良好な安定性が得られた。
【００２５】
【発明の効果】この発明によれば正極と負極とからなる
一対の電極と、その間に挟まれた電荷注入層と発光層と
を有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少
なくとも正孔注入層からなり、電子注入層は負極と発光
層の間に挟まれ、正孔注入層は正極と発光層の間に挟ま
れ、発光層は注入された電子と正孔を再結合させて発光
するものであり、正孔注入層は下記一般式（Ｉ）のチオ
フェン誘導体を含む層であるとするので、成膜性が良好
で均一発光性に優れ且つ高輝度で寿命安定性にも優れる
有機薄膜発光素子が得られる。
一対の電極と、その間に挟まれた電荷注入層と発光層と
を有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少
なくとも正孔注入層からなり、電子注入層は負極と発光
層の間に挟まれ、正孔注入層は正極と発光層の間に挟ま
れ、発光層は注入された電子と正孔を再結合させて発光
するものであり、正孔注入層は下記一般式（Ｉ）のチオ
フェン誘導体を含む層であるとするので、成膜性が良好
で均一発光性に優れ且つ高輝度で寿命安定性にも優れる
有機薄膜発光素子が得られる。
【００２６】
【化７】
【００２７】〔式（Ｉ）中、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ水素
原子，ハロゲン原子，アルキル基またはアルコキシ基、
Ｒ3 は水素原子，アルキル基またはアリール基、Ａはア
リール基または置換されてもよい複素環基を表す。〕
原子，ハロゲン原子，アルキル基またはアルコキシ基、
Ｒ3 は水素原子，アルキル基またはアリール基、Ａはア
リール基または置換されてもよい複素環基を表す。〕
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
１ 絶縁性基板 ２ 正極 ３ 正孔注入層 ４ 発光層 ５ 電子注入層 ６ 負極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−125360（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29078（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−346050（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−1972（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−188074（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/14 C09K 11/06 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間に挟まれた電荷注入層と発光層とを有し、 電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少なくとも
正孔注入層からなり、 電子注入層は負極と発光層の間に挟まれ、 正孔注入層は正極と発光層の間に挟まれ、 発光層は注入された電子と正孔を再結合させて発光する
ものであり、 正孔注入層は下記一般式（Ｉ）のチオフェン誘導体を含
む層であることを特徴とする有機薄膜発光素子。 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ水素原子，ハロゲ
ン原子，アルキル基またはアルコキシ基、Ｒ3 は水素原
子，アルキル基またはアリール基、Ａはアリール基また
は置換されてもよい複素環基を表す。〕 - 【請求項２】請求項１記載の素子において、Ａは２−メ
チル−１−ナフチル基、Ｒ1 ，Ｒ3 は水素原子、Ｒ2 は
ｐ−メチル基であることを特徴とする有機薄膜発光素
子。 - 【請求項３】請求項１記載の素子において、Ａは９−ア
ンスリル基、Ｒ1 は水素原子、Ｒ2 はｐ−メチル基、Ｒ
3 はｐ−トリル基であることを特徴とする有機薄膜発光
素子。 - 【請求項４】請求項１記載の素子において、Ａは９−フ
ェナンスリル基、Ｒ 1 はプロピル基、Ｒ2 はｐ−メチル
基、Ｒ3 はｐ−トリル基であることを特徴とする有機薄
膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15399793A JP3254822B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15399793A JP3254822B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0711245A JPH0711245A (ja) | 1995-01-13 |
| JP3254822B2 true JP3254822B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=15574663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15399793A Expired - Fee Related JP3254822B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254822B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15399793A patent/JP3254822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711245A (ja) | 1995-01-13 |
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