JPH08185979A - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子の製造方法Info
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】長時間安定した発光特性を示す有機電界発光素
子の製造方法を提供する。 【構成】基板上に形成された、陽極及び陰極により挟持
された有機発光層を駆動時の電流密度の５〜１０００倍
の電流密度でエージングする有機電界発光素子の製造方
法
子の製造方法を提供する。 【構成】基板上に形成された、陽極及び陰極により挟持
された有機発光層を駆動時の電流密度の５〜１０００倍
の電流密度でエージングする有機電界発光素子の製造方
法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機電界発光素子の製造
方法に関するものであり、詳しくは、有機化合物から成
る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスの
製造方法に関するものである。
方法に関するものであり、詳しくは、有機化合物から成
る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子と
しては、無機材料の〓−〓族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、 １）交流駆動が必要（５０〜１０００Ｈｚ）、 ２）駆動電圧が高い（〜２００Ｖ）、 ３）フルカラー化が困難（特に青色が問題）、 ４）周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
しては、無機材料の〓−〓族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、 １）交流駆動が必要（５０〜１０００Ｈｚ）、 ２）駆動電圧が高い（〜２００Ｖ）、 ３）フルカラー化が困難（特に青色が問題）、 ４）周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【０００３】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と８−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
とを設けた有機電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年）によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と
比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近
づいている。
有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と８−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
とを設けた有機電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年）によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と
比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近
づいている。
【０００４】上記の様な低分子材料の他にも、有機発光
層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（Ｎ
ａｔｕｒｅ，３４７巻，５３９頁，１９９０年；Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９３頁，１９
９２年）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキ
シルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８巻，１９８２頁，１９
９１年；ＴｈｉｎＳｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２１６巻，
９６頁，１９９２年；Ｎａｔｕｒｅ，３５７巻，４７７
頁，１９９２年）、ポリ（３−アルキルチオフェン）
（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，３０巻，Ｌ１９３
８頁，１９９１年；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，７２
巻，５６４頁，１９９２年）等の高分子材料の開発や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料
と電子移動材料とを混合した素子（応用物理，６１巻，
１０４４頁，１９９２年）の開発も行われている。
層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（Ｎ
ａｔｕｒｅ，３４７巻，５３９頁，１９９０年；Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９３頁，１９
９２年）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキ
シルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８巻，１９８２頁，１９
９１年；ＴｈｉｎＳｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２１６巻，
９６頁，１９９２年；Ｎａｔｕｒｅ，３５７巻，４７７
頁，１９９２年）、ポリ（３−アルキルチオフェン）
（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，３０巻，Ｌ１９３
８頁，１９９１年；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，７２
巻，５６４頁，１９９２年）等の高分子材料の開発や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料
と電子移動材料とを混合した素子（応用物理，６１巻，
１０４４頁，１９９２年）の開発も行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の様な有機電界発
光素子を光源としてまたは表示素子として用いるために
は、発光特性の安定性が要求される。しかしながら、従
来の有機電界発光素子は駆動時間とともに発光輝度が低
下し、特に、初期の輝度低下が激しく、初期輝度に対す
る輝度の半減時間として１３０時間の例が報告されてい
る（電気通信学会技術研究報告，ＥＩＤ９１−９１，４
７頁，１９９１年）。また、定電流駆動で１００時間駆
動した時、駆動電圧６〜７Ｖが１４Ｖまで増加すること
も報告されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
５１巻，９１３頁，１９８７年）。このような発光特性
の不安定性は、有機電界発光素子を実用化する上で大き
な問題である。特に駆動時の電流−電圧特性が安定しな
いことは階調性を有する表示ができないことを意味す
る。
光素子を光源としてまたは表示素子として用いるために
は、発光特性の安定性が要求される。しかしながら、従
来の有機電界発光素子は駆動時間とともに発光輝度が低
下し、特に、初期の輝度低下が激しく、初期輝度に対す
る輝度の半減時間として１３０時間の例が報告されてい
る（電気通信学会技術研究報告，ＥＩＤ９１−９１，４
７頁，１９９１年）。また、定電流駆動で１００時間駆
動した時、駆動電圧６〜７Ｖが１４Ｖまで増加すること
も報告されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
５１巻，９１３頁，１９８７年）。このような発光特性
の不安定性は、有機電界発光素子を実用化する上で大き
な問題である。特に駆動時の電流−電圧特性が安定しな
いことは階調性を有する表示ができないことを意味す
る。
【０００６】有機電界発光素子を安定化させる方法とし
て、階段状の波形で順電圧を駆動電圧の値まで印加する
ことが提案されている（特開平４−１４７９４号公報）
が、このエージング工程後も１時間後の輝度が初期輝度
の８０％程度であって輝度低下が大きく、安定化が不十
分である。また、他の安定化方法として有機電界発光素
子を５０℃以上有機化合物の融点以下で加熱処理するこ
とが提案されている（特開平５−１８２７６４号公報）
が、輝度の半減時間は１８〜２５時間と大きな改善はな
い。
て、階段状の波形で順電圧を駆動電圧の値まで印加する
ことが提案されている（特開平４−１４７９４号公報）
が、このエージング工程後も１時間後の輝度が初期輝度
の８０％程度であって輝度低下が大きく、安定化が不十
分である。また、他の安定化方法として有機電界発光素
子を５０℃以上有機化合物の融点以下で加熱処理するこ
とが提案されている（特開平５−１８２７６４号公報）
が、輝度の半減時間は１８〜２５時間と大きな改善はな
い。
【０００７】上記に示した様な発光特性（輝度または電
圧−電流特性）の不安定性は、駆動時の発熱による有機
層の結晶化や凝集、陰極と有機層とのコンタクトの劣化
等が考えられるが、これまでのところその原因はまだ明
確に解明されていないのが現状である。
圧−電流特性）の不安定性は、駆動時の発熱による有機
層の結晶化や凝集、陰極と有機層とのコンタクトの劣化
等が考えられるが、これまでのところその原因はまだ明
確に解明されていないのが現状である。
【０００８】有機電界発光素子の発光特性が不安定なこ
とは、ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバッ
クライト等の光源としては大きな問題であり、フラット
パネル・ディスプレイ等の表示素子としても好ましくな
い特性である。本発明は上記実状に鑑み、安定した発光
特性を有する有機電界発光素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
とは、ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバッ
クライト等の光源としては大きな問題であり、フラット
パネル・ディスプレイ等の表示素子としても好ましくな
い特性である。本発明は上記実状に鑑み、安定した発光
特性を有する有機電界発光素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、基板上に形成された、陽極及び陰極により挟持され
た有機発光層を駆動時の電流密度の５〜１０００倍の電
流密度でエージングすることを特徴とする有機電界発光
素子の製造方法、に存する。以下、本発明の有機電界発
光素子の製造方法について、添付図面を参照しつつ説明
する。
は、基板上に形成された、陽極及び陰極により挟持され
た有機発光層を駆動時の電流密度の５〜１０００倍の電
流密度でエージングすることを特徴とする有機電界発光
素子の製造方法、に存する。以下、本発明の有機電界発
光素子の製造方法について、添付図面を参照しつつ説明
する。
【００１０】図１は本発明に用いられる一般的な有機電
界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、１は
基板、２は陽極、３は有機発光層、４は陰極を各々表わ
す。基板１は本発明の有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられるが、ガラス
板や、ポリエステル、ポリメタアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂基板が好
ましい。
界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、１は
基板、２は陽極、３は有機発光層、４は陰極を各々表わ
す。基板１は本発明の有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられるが、ガラス
板や、ポリエステル、ポリメタアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂基板が好
ましい。
【００１１】基板１上には陽極２が設けられる。陽極２
は有機発光層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、
パラジウム、テルル等の金属、インジウム及び／または
スズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化銅、カーボンブ
ラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）等の
導電性高分子などにより構成される。陽極の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多いが、銀などの金属微粒子あるいはヨウ化銅、
カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性
高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶
液に分散し、基板上に塗布することにより形成すること
もできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合によ
り直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に塗布して形
成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。また、陽極
を異なる物質で積層することも可能である。陽極２の厚
みは、必要とする透明性により異なるが、透明性が必要
とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上、好まし
くは８０％以上であることが望ましく、この場合、厚み
は、通常、５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００
ｎｍ程度である。
は有機発光層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、
パラジウム、テルル等の金属、インジウム及び／または
スズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化銅、カーボンブ
ラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）等の
導電性高分子などにより構成される。陽極の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多いが、銀などの金属微粒子あるいはヨウ化銅、
カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性
高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶
液に分散し、基板上に塗布することにより形成すること
もできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合によ
り直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に塗布して形
成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。また、陽極
を異なる物質で積層することも可能である。陽極２の厚
みは、必要とする透明性により異なるが、透明性が必要
とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上、好まし
くは８０％以上であることが望ましく、この場合、厚み
は、通常、５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００
ｎｍ程度である。
【００１２】不透明でよい場合は陽極２は基板１と同一
でもよい。さらに、上記の陽極の上に異なる導電材料を
積層することも可能である。陽極２の上には有機発光層
３が設けられるが、有機発光層３は、電界を与えられた
電極間において、陽極から注入された正孔と陰極から注
入された電子とを効率よく輸送して再結合させ、かつ、
再結合により効率よく発光する材料から形成される。通
常、この有機発光層３は発光効率の向上のために、図２
に示すように、正孔輸送層３ａと電子輸送層３ｂとに分
割して機能分離型にすることが行われる（Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７
年）。
でもよい。さらに、上記の陽極の上に異なる導電材料を
積層することも可能である。陽極２の上には有機発光層
３が設けられるが、有機発光層３は、電界を与えられた
電極間において、陽極から注入された正孔と陰極から注
入された電子とを効率よく輸送して再結合させ、かつ、
再結合により効率よく発光する材料から形成される。通
常、この有機発光層３は発光効率の向上のために、図２
に示すように、正孔輸送層３ａと電子輸送層３ｂとに分
割して機能分離型にすることが行われる（Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７
年）。
【００１３】上記の機能分離型素子において、正孔輸送
材料としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、か
つ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材
料であることが必要である。そのためには、イオン化ポ
テンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さら
に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用
時に発生しにくいことが要求される。
材料としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、か
つ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材
料であることが必要である。そのためには、イオン化ポ
テンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さら
に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用
時に発生しにくいことが要求される。
【００１４】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連
結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９
３号公報）、４，４’−ビス［フェニル−１−ナフチル
アミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミノ
基を含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した
芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリ
フェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有す
る芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４
号）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’
−ジアミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６
４，６２５号）、α，α，α’，α’−テトラメチル−
α，α’−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）
−ｐ−キシレン（特開平３−２６９０８４号公報）、分
子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導
体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレニル基に芳
香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１
７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユ
ニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４−２６４１
８９号公報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン
（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳
香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３
０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミ
ン（特開平４−３０８６８８号公報）、ベンジルフェニ
ル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、フルオレ
ン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７
３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５
５号公報）、ビス（ジピリジルアミノ）ビフェニル（特
開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェ
ニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェ
ノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特願平５−２
９０７２８号）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘
導体（特願平６−４５６６９号）、ヒドラゾン化合物
（特開平２−３１１５９１号公報）、シラザン化合物
（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シラナミン
誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホスファミン
誘導体（特開平６−２５６５９号公報）、キナクリドン
化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用い
ても、必要に応じて、混合して用いてもよい。
ば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連
結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９
３号公報）、４，４’−ビス［フェニル−１−ナフチル
アミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミノ
基を含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した
芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリ
フェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有す
る芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４
号）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’
−ジアミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６
４，６２５号）、α，α，α’，α’−テトラメチル−
α，α’−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）
−ｐ−キシレン（特開平３−２６９０８４号公報）、分
子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導
体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレニル基に芳
香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１
７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユ
ニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４−２６４１
８９号公報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン
（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳
香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３
０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミ
ン（特開平４−３０８６８８号公報）、ベンジルフェニ
ル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、フルオレ
ン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７
３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５
５号公報）、ビス（ジピリジルアミノ）ビフェニル（特
開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェ
ニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェ
ノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特願平５−２
９０７２８号）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘
導体（特願平６−４５６６９号）、ヒドラゾン化合物
（特開平２−３１１５９１号公報）、シラザン化合物
（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シラナミン
誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホスファミン
誘導体（特開平６−２５６５９号公報）、キナクリドン
化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用い
ても、必要に応じて、混合して用いてもよい。
【００１５】上記の化合物以外に、正孔輸送性の高分子
である、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１９
９１年）、ポリホスファゼン（特開平５−３１０９４９
号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公
報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特願平５−２０
５３７７）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子
（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミ
ン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅ
ｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７巻，４１６３頁，１
９９３年）、芳香族アミン構造を含有するポリメタクリ
レート（Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｅｄ．，２１巻，９６９頁，１９８３年）等の高
分子材料が挙げられる。
である、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１９
９１年）、ポリホスファゼン（特開平５−３１０９４９
号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公
報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特願平５−２０
５３７７）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子
（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミ
ン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅ
ｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７巻，４１６３頁，１
９９３年）、芳香族アミン構造を含有するポリメタクリ
レート（Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｅｄ．，２１巻，９６９頁，１９８３年）等の高
分子材料が挙げられる。
【００１６】上記の有機正孔輸送材料を塗布法あるいは
真空蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正
孔輸送層３ａを形成する。塗布の場合は、有機正孔輸送
化合物の１種または２種以上と、必要により正孔のトラ
ップにならないバインダー樹脂やレベリング剤等の塗布
性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製
し、スピンコート法などの方法により陽極２上に塗布
し、乾燥して有機正孔輸送層３ａを形成する。バインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、
ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量
が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ま
しく、５０重量％以下が好ましい。
真空蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正
孔輸送層３ａを形成する。塗布の場合は、有機正孔輸送
化合物の１種または２種以上と、必要により正孔のトラ
ップにならないバインダー樹脂やレベリング剤等の塗布
性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製
し、スピンコート法などの方法により陽極２上に塗布
し、乾燥して有機正孔輸送層３ａを形成する。バインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、
ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量
が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ま
しく、５０重量％以下が好ましい。
【００１７】真空蒸着法の場合には、有機正孔輸送材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に層を形成させる。
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に層を形成させる。
【００１８】上記正孔輸送層３ａを形成する場合、さら
に、アクセプタとして、芳香族カルボン酸の金属錯体及
び／または金属塩（特開平４−３２０４８４号公報）、
ベンゾフェノン誘導体およびチオベンゾフェノン誘導体
（特開平５−２９５３６１号公報）、フラーレン類（特
開平５−３３１４５８号公報）を１０-3〜１０重量％の
濃度でドープして、フリーキャリアとしての正孔を生成
させ、低電圧駆動とすることが可能である。
に、アクセプタとして、芳香族カルボン酸の金属錯体及
び／または金属塩（特開平４−３２０４８４号公報）、
ベンゾフェノン誘導体およびチオベンゾフェノン誘導体
（特開平５−２９５３６１号公報）、フラーレン類（特
開平５−３３１４５８号公報）を１０-3〜１０重量％の
濃度でドープして、フリーキャリアとしての正孔を生成
させ、低電圧駆動とすることが可能である。
【００１９】正孔輸送層３ａの膜厚は、通常、１０〜３
００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。この様
に薄い膜を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく
用いられる。正孔輸送層３ａの材料としては有機化合物
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じで
ある。正孔輸送層３ａに用いられる無機材料としては、
ｐ型水素化非晶質シリコン、ｐ型水素化非晶質炭化シリ
コン、ｐ型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、ｐ
型硫化亜鉛、ｐ型セレン化亜鉛等が挙げられる。これら
の無機正孔輸送層はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、真空
蒸着法、スパッタ法等により形成される。
００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。この様
に薄い膜を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく
用いられる。正孔輸送層３ａの材料としては有機化合物
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じで
ある。正孔輸送層３ａに用いられる無機材料としては、
ｐ型水素化非晶質シリコン、ｐ型水素化非晶質炭化シリ
コン、ｐ型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、ｐ
型硫化亜鉛、ｐ型セレン化亜鉛等が挙げられる。これら
の無機正孔輸送層はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、真空
蒸着法、スパッタ法等により形成される。
【００２０】無機正孔輸送層の膜厚も有機正孔輸送層と
同様に、通常、１０〜３００ｎｍ、好ましくは３０〜１
００ｎｍである。正孔輸送層３ａの上には電子輸送層３
ｂが設けられるが、電子輸送層３ｂは、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層
３ａの方向に輸送することができる化合物より形成され
る。
同様に、通常、１０〜３００ｎｍ、好ましくは３０〜１
００ｎｍである。正孔輸送層３ａの上には電子輸送層３
ｂが設けられるが、電子輸送層３ｂは、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層
３ａの方向に輸送することができる化合物より形成され
る。
【００２１】電子輸送層３ｂに用いられる有機電子輸送
性化合物としては、陰極４からの電子注入効率が高く、
かつ、注入された電子を効率よく輸送することができる
化合物であることが必要である。そのためには、電子親
和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定
性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生
しにくい化合物であることが要求される。
性化合物としては、陰極４からの電子注入効率が高く、
かつ、注入された電子を効率よく輸送することができる
化合物であることが必要である。そのためには、電子親
和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定
性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生
しにくい化合物であることが要求される。
【００２２】このような条件を満たす材料としては、テ
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５
７−５１７８１号公報）、８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３
９３号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−
２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２
８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平
２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導
体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８
４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０
号公報、同３−７９１号公報）、クマリン化合物（特開
平２−１９１６９４号公報、同３−７９２号公報）、希
土類錯体（特開平１−２５６５８４）、ジスチリルピラ
ジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フ
ェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チア
ジアゾロピリジン誘導体（特開平３−３７２９２号公
報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号
公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２
号公報）などが挙げられる。
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５
７−５１７８１号公報）、８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３
９３号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−
２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２
８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平
２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導
体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８
４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０
号公報、同３−７９１号公報）、クマリン化合物（特開
平２−１９１６９４号公報、同３−７９２号公報）、希
土類錯体（特開平１−２５６５８４）、ジスチリルピラ
ジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フ
ェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チア
ジアゾロピリジン誘導体（特開平３−３７２９２号公
報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号
公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２
号公報）などが挙げられる。
【００２３】これらの化合物を用いた電子輸送層３ｂ
は、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結合の際に
発光をもたらす役割を同時に果している。有機正孔輸送
層３ａが発光機能を有する場合は、電子輸送層３ｂは電
子を輸送する役割だけを果たす。
は、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結合の際に
発光をもたらす役割を同時に果している。有機正孔輸送
層３ａが発光機能を有する場合は、電子輸送層３ｂは電
子を輸送する役割だけを果たす。
【００２４】素子の発光効率を向上させるとともに発光
色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンの
アルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレ
ーザ用蛍光色素をドープすること（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．，６５巻，３６１０頁，１９８９年）も行われて
いる。本発明においても上記の有機電子輸送材料をホス
ト材料として各種の蛍光色素を１０-3〜１０重量％ドー
プすることにより、素子の発光特性をさらに向上させる
ことができる。電子輸送層３ｂの膜厚は、通常、１０〜
２００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。
色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンの
アルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレ
ーザ用蛍光色素をドープすること（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．，６５巻，３６１０頁，１９８９年）も行われて
いる。本発明においても上記の有機電子輸送材料をホス
ト材料として各種の蛍光色素を１０-3〜１０重量％ドー
プすることにより、素子の発光特性をさらに向上させる
ことができる。電子輸送層３ｂの膜厚は、通常、１０〜
２００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。
【００２５】有機電子輸送層も有機正孔輸送層と同様の
方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用
いられる。有機電界発光素子の発光効率をさらに向上さ
せる方法として、電子輸送層３ｂの上にさらに他の電子
輸送層３ｃを積層することもできる（図３参照）。この
電子輸送層３ｃに用いられる化合物には、陰極からの電
子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが
要求される。この様な電子輸送材料としては、オキサジ
アゾール誘導体（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５
５巻，１４８９頁，１９８９年；Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，３１巻，１８１２頁，１９９２年）や
それらをポリメチルメタクリレート等の樹脂に分散した
系（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９
３頁，１９９２年）、フェナントロリン誘導体（特開平
５−３３１４５９号公報）、または、ｎ型水素化非晶質
炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙
げられる。電子輸送層３ｃの膜厚は、通常、５〜２００
ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用
いられる。有機電界発光素子の発光効率をさらに向上さ
せる方法として、電子輸送層３ｂの上にさらに他の電子
輸送層３ｃを積層することもできる（図３参照）。この
電子輸送層３ｃに用いられる化合物には、陰極からの電
子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが
要求される。この様な電子輸送材料としては、オキサジ
アゾール誘導体（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５
５巻，１４８９頁，１９８９年；Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，３１巻，１８１２頁，１９９２年）や
それらをポリメチルメタクリレート等の樹脂に分散した
系（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９
３頁，１９９２年）、フェナントロリン誘導体（特開平
５−３３１４５９号公報）、または、ｎ型水素化非晶質
炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙
げられる。電子輸送層３ｃの膜厚は、通常、５〜２００
ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００２６】機能分離を行わない単層型の有機発光層３
としては、先に挙げたポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
（Ｎａｔｕｒｅ，３４７巻，５３９頁，１９９０年；Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９３頁，
１９９２年）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８巻，１９８２頁，
１９９１年；ＴｈｉｎＳｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２１６
巻，９６頁，１９９２年；Ｎａｔｕｒｅ，３５７巻，４
７７頁，１９９２年）、ポリ（３−アルキルチオフェ
ン）（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，３０巻，Ｌ１
９３８頁，１９９１年；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，７
２巻，５６４頁，１９９２年）等の高分子材料や、ポリ
ビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移動材
料とを混合した系（応用物理，６１巻，１０４４頁，１
９９２年）が挙げられる。
としては、先に挙げたポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
（Ｎａｔｕｒｅ，３４７巻，５３９頁，１９９０年；Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９３頁，
１９９２年）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８巻，１９８２頁，
１９９１年；ＴｈｉｎＳｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２１６
巻，９６頁，１９９２年；Ｎａｔｕｒｅ，３５７巻，４
７７頁，１９９２年）、ポリ（３−アルキルチオフェ
ン）（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，３０巻，Ｌ１
９３８頁，１９９１年；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，７
２巻，５６４頁，１９９２年）等の高分子材料や、ポリ
ビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移動材
料とを混合した系（応用物理，６１巻，１０４４頁，１
９９２年）が挙げられる。
【００２７】陰極４は、有機発光層３に電子を注入する
役割を果たす。陰極として用いられる材料としては、前
記陽極２に使用される材料を用いることが可能である
が、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金
属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、アル
ミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用い
られる。
役割を果たす。陰極として用いられる材料としては、前
記陽極２に使用される材料を用いることが可能である
が、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金
属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、アル
ミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用い
られる。
【００２８】陰極４の膜厚は通常、陽極２と同様であ
る。また、図１には示していないが、陰極４の上にさら
に基板１と同様の基板を設けることもできる。但し、陽
極２と陰極４との少なくとも一方は透明性の良いことが
ＥＬ素子としては必要である。このことから、陽極２と
陰極４の一方は、１０〜５００ｎｍの膜厚であることが
好ましく、透明性の良いことが望まれる。
る。また、図１には示していないが、陰極４の上にさら
に基板１と同様の基板を設けることもできる。但し、陽
極２と陰極４との少なくとも一方は透明性の良いことが
ＥＬ素子としては必要である。このことから、陽極２と
陰極４の一方は、１０〜５００ｎｍの膜厚であることが
好ましく、透明性の良いことが望まれる。
【００２９】尚、図１とは逆の構造、すなわち、基板上
に陰極４、有機発光層３、陽極２の順に積層することも
可能であり、既述した様に少なくとも一方が透明性の高
い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設ける
ことも可能である。同様に、図２及び図３とは逆の構造
に積層することも可能である。
に陰極４、有機発光層３、陽極２の順に積層することも
可能であり、既述した様に少なくとも一方が透明性の高
い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設ける
ことも可能である。同様に、図２及び図３とは逆の構造
に積層することも可能である。
【００３０】第１〜３図に示した構造以外にも、例えば
以下に示すような層構成の有機電界発光素子を本発明に
用いることができる。 陽極／有機正孔輸送性発光層／電子輸送層／陰極、 陽極／正孔注入層／正孔輸送性発光層／電子輸送層／陰
極、 陽極／正孔輸送層／電子輸送層／界面層／陰極、 陽極／正孔輸送層／電子輸送層／他の電子輸送層／界面
層／陰極、 陽極／正孔注入層／正孔輸送性発光層／電子輸送層／界
面層／陰極。
以下に示すような層構成の有機電界発光素子を本発明に
用いることができる。 陽極／有機正孔輸送性発光層／電子輸送層／陰極、 陽極／正孔注入層／正孔輸送性発光層／電子輸送層／陰
極、 陽極／正孔輸送層／電子輸送層／界面層／陰極、 陽極／正孔輸送層／電子輸送層／他の電子輸送層／界面
層／陰極、 陽極／正孔注入層／正孔輸送性発光層／電子輸送層／界
面層／陰極。
【００３１】上記層構成で、正孔注入層は陽極からの正
孔注入の効率を上げ、駆動電圧を下げる機能を有するも
のである。この目的のためにイオン化ポテンシャルの低
い材料が望ましく、フタロシアニン化合物やポルフィリ
ン化合物（特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭６３
−２９５６９５号公報）が正孔注入層材料として使用さ
れる。
孔注入の効率を上げ、駆動電圧を下げる機能を有するも
のである。この目的のためにイオン化ポテンシャルの低
い材料が望ましく、フタロシアニン化合物やポルフィリ
ン化合物（特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭６３
−２９５６９５号公報）が正孔注入層材料として使用さ
れる。
【００３２】また、上記層構成で、界面層は陰極と有機
層とのコンタクトを向上させるためのもので、芳香族ジ
アミン化合物（特開平６−２６７６５８号公報）、キナ
クリドン化合物（特願平５−１１６２０４号）、ナフタ
セン誘導体（特願平５−１１６２０５号）、有機シリコ
ン化合物（特願平５−１１６２０６号）、有機リン化合
物（特願平５−１１６２０７号）、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール骨格を有する化合物（特願平６−１９９５６２
号）、Ｎ−ビニルカルバゾール重合体（特願平６−２０
０９４２号）等が挙げられる。界面層の膜厚は、通常、
２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜３０ｎｍである。界面
層を設ける代わりに、有機発光層及び電子輸送層の陰極
界面近傍に上記界面層材料を５０重量％以上含む領域を
設けてもよい。
層とのコンタクトを向上させるためのもので、芳香族ジ
アミン化合物（特開平６−２６７６５８号公報）、キナ
クリドン化合物（特願平５−１１６２０４号）、ナフタ
セン誘導体（特願平５−１１６２０５号）、有機シリコ
ン化合物（特願平５−１１６２０６号）、有機リン化合
物（特願平５−１１６２０７号）、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール骨格を有する化合物（特願平６−１９９５６２
号）、Ｎ−ビニルカルバゾール重合体（特願平６−２０
０９４２号）等が挙げられる。界面層の膜厚は、通常、
２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜３０ｎｍである。界面
層を設ける代わりに、有機発光層及び電子輸送層の陰極
界面近傍に上記界面層材料を５０重量％以上含む領域を
設けてもよい。
【００３３】有機電界発光素子を最終的な形にするため
には、保護膜を形成した後、さらに素子全体を封止する
必要がある。保護膜の材料としてはＡｌ、Ｎｉ、Ａｕ、
Ａｇ等の金属（特開平３−１４１５８８号公報、特開平
４−６７９５号公報、特開平４−１９９９３号公報、米
国特許第５，０５９，８６２号、特開平４−３６３８９
６号公報、特開平５−３１５０７８号公報）、金属の酸
化物（特開平４−２１２２８４号公報、特開平４−７３
８８６号公報、特開平５−３３５０８０号公報）、金属
のフッ化物（特開平４−２１２２８４号公報）、金属の
硫化物（特開平４−２１２２８４号公報）、金属の窒化
物（特開平４−７３８８６号公報）、高分子（特開平４
−１３７４８３号公報、特開平４−２０６３８６号公
報、特開平４−２３３１９２号公報、特開平４−２６７
０９７号公報、特開平４−３５５０９６号公報）、プラ
ズマ重合膜（特開平５−１０１８８６号公報）等が挙げ
られる。封止方法としては、素子を気密ケースに入れて
内部に酸素吸着剤や水分吸着剤を入れる方法（特開平３
−３７９９１号公報、特開平３−２６１０９１号公
報）、素子を不活性液体やオイル中に入れる方法（特開
平４−３６３８９０号公報、特開平５−３６４７５号公
報、特開平５−４１２８１号公報、特開平５−１１４４
８６号公報、特開平５−１２９０８０号公報）、光硬化
樹脂を使用する方法（特開平４−２６７０９７号公報、
特開平５−１８２７５９号公報、特開平５−２９０９７
６号公報）等が挙げられる。
には、保護膜を形成した後、さらに素子全体を封止する
必要がある。保護膜の材料としてはＡｌ、Ｎｉ、Ａｕ、
Ａｇ等の金属（特開平３−１４１５８８号公報、特開平
４−６７９５号公報、特開平４−１９９９３号公報、米
国特許第５，０５９，８６２号、特開平４−３６３８９
６号公報、特開平５−３１５０７８号公報）、金属の酸
化物（特開平４−２１２２８４号公報、特開平４−７３
８８６号公報、特開平５−３３５０８０号公報）、金属
のフッ化物（特開平４−２１２２８４号公報）、金属の
硫化物（特開平４−２１２２８４号公報）、金属の窒化
物（特開平４−７３８８６号公報）、高分子（特開平４
−１３７４８３号公報、特開平４−２０６３８６号公
報、特開平４−２３３１９２号公報、特開平４−２６７
０９７号公報、特開平４−３５５０９６号公報）、プラ
ズマ重合膜（特開平５−１０１８８６号公報）等が挙げ
られる。封止方法としては、素子を気密ケースに入れて
内部に酸素吸着剤や水分吸着剤を入れる方法（特開平３
−３７９９１号公報、特開平３−２６１０９１号公
報）、素子を不活性液体やオイル中に入れる方法（特開
平４−３６３８９０号公報、特開平５−３６４７５号公
報、特開平５−４１２８１号公報、特開平５−１１４４
８６号公報、特開平５−１２９０８０号公報）、光硬化
樹脂を使用する方法（特開平４−２６７０９７号公報、
特開平５−１８２７５９号公報、特開平５−２９０９７
６号公報）等が挙げられる。
【００３４】続いて、本発明の有機電界発光素子の製造
方法におけるエージング工程について説明する。一般
に、表示素子や光源として実用上要求される発光輝度
は、５０〜１００ｃｄ／ｍ2 である。この輝度を達成す
るために有機電界発光素子は、通常、０．１〜１００ｍ
Ａ／ｃｍ2 の範囲の電流密度で駆動される。ここで電流
密度は、パネルの場合は各画素に流れる電流を画素の面
積で割った値であり、光源の場合は全電流を発光部の面
積で割った値である。この範囲の電流密度で素子を連続
駆動した場合、発光輝度の半減時間は１８〜２５時間
（特開平５−１８２７６４号公報）、６０時間（応用物
理，６２巻，１０１５頁，１９９３年）、１３０時間
（電気通信学会技術研究報告，ＥＩＤ９１−９１，４７
頁，１９９１年）であり、その後も輝度や電流−電圧特
性は安定しない（Ｐｏｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，
Ｊａｐａｎ，４２巻，３号，６１５頁，１９９３年）。
方法におけるエージング工程について説明する。一般
に、表示素子や光源として実用上要求される発光輝度
は、５０〜１００ｃｄ／ｍ2 である。この輝度を達成す
るために有機電界発光素子は、通常、０．１〜１００ｍ
Ａ／ｃｍ2 の範囲の電流密度で駆動される。ここで電流
密度は、パネルの場合は各画素に流れる電流を画素の面
積で割った値であり、光源の場合は全電流を発光部の面
積で割った値である。この範囲の電流密度で素子を連続
駆動した場合、発光輝度の半減時間は１８〜２５時間
（特開平５−１８２７６４号公報）、６０時間（応用物
理，６２巻，１０１５頁，１９９３年）、１３０時間
（電気通信学会技術研究報告，ＥＩＤ９１−９１，４７
頁，１９９１年）であり、その後も輝度や電流−電圧特
性は安定しない（Ｐｏｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，
Ｊａｐａｎ，４２巻，３号，６１５頁，１９９３年）。
【００３５】本発明においては、これらの発光特性を短
時間で安定化させるために、有機電界発光素子の層構成
を形成させた後、エージング工程として、実際に素子を
駆動する時に用いる駆動電流密度の５〜１０００倍の電
流密度で予め駆動することを特徴とする。エージング時
の電流密度が５倍未満の場合は、エージングの効果は小
さく、発光特性の安定化も得られない。エージング時の
電流密度が１０００倍を越える場合は、絶縁破壊や素子
の局所的な融解等により素子に致命的な損傷が起こる場
合があるので好ましくない。また、エージング時の電流
密度としては０．０１〜１Ａ／ｃｍ2の範囲内にあるこ
とが好ましく、特に０．０１〜０．５Ａ／ｃｍ2の範囲
内にあることが好ましい。０．０１Ａ／ｃｍ2未満の場
合は、エージングの効果は小さく、発光特性の安定化も
得られない場合がある。エージング時の電流密度が１Ａ
／ｃｍ2を越える場合は、素子に致命的な損傷が起こる
ことがある。エージング時間は製造工程から考えて短い
ことが望ましく、エージング時の電流密度を高くすれば
短時間で完了する。実用的には１０時間以内でエージン
グ処理が終了することが好ましい。また、エージング時
の電流波形は直流、交流、パルスのいずれでもよい。本
発明のエージング工程では、素子中に存在する微少なリ
ークパスを修復するとともに、電極と有機層界面でのコ
ンタクトを向上させ、発光特性を安定化させることがで
きる。
時間で安定化させるために、有機電界発光素子の層構成
を形成させた後、エージング工程として、実際に素子を
駆動する時に用いる駆動電流密度の５〜１０００倍の電
流密度で予め駆動することを特徴とする。エージング時
の電流密度が５倍未満の場合は、エージングの効果は小
さく、発光特性の安定化も得られない。エージング時の
電流密度が１０００倍を越える場合は、絶縁破壊や素子
の局所的な融解等により素子に致命的な損傷が起こる場
合があるので好ましくない。また、エージング時の電流
密度としては０．０１〜１Ａ／ｃｍ2の範囲内にあるこ
とが好ましく、特に０．０１〜０．５Ａ／ｃｍ2の範囲
内にあることが好ましい。０．０１Ａ／ｃｍ2未満の場
合は、エージングの効果は小さく、発光特性の安定化も
得られない場合がある。エージング時の電流密度が１Ａ
／ｃｍ2を越える場合は、素子に致命的な損傷が起こる
ことがある。エージング時間は製造工程から考えて短い
ことが望ましく、エージング時の電流密度を高くすれば
短時間で完了する。実用的には１０時間以内でエージン
グ処理が終了することが好ましい。また、エージング時
の電流波形は直流、交流、パルスのいずれでもよい。本
発明のエージング工程では、素子中に存在する微少なリ
ークパスを修復するとともに、電極と有機層界面でのコ
ンタクトを向上させ、発光特性を安定化させることがで
きる。
【００３６】図４に駆動電力密度と放射温度計（ＫＥＹ
ＥＮＣＥ社製；ＩＴ２−５０型）で測定した有機電界発
光素子の発熱温度の関係を示す。前記有機電界発光素子
は図２に示した構造を有し、陽極としてはインジウム・
錫酸化物（１２０ｎｍ）、正孔輸送層としてはＮ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（６０ｎ
ｍ）、発光層としては８−ヒドロキシキノリンのアルミ
ニウム錯体（７５ｎｍ）、陰極としてはマグネシウムと
銀との合金（原子比でＭｇ：Ａｇ＝１０：１．５；膜厚
１３０ｎｍ）を各々使用した。本発明でのエージング工
程では、通常、５〜１５Ｖ程度の電圧となるので、１〜
４Ｗ／ｃｍ2程度の電力密度となることが見込まれ、素
子の発熱温度としては４０〜５０℃程度が見込まれる。
従って、本発明が適用される有機電界発光素子に使用さ
れる有機材料としては、ガラス転移温度（示差熱分析法
で通常測定され、以下、Ｔｇと記す）が６０℃以上であ
ることが好ましく、さらに好ましくは８０℃以上あるこ
とが望まれる。それ以下のＴｇを示す材料ではエージン
グ中に発生する駆動電流によるジュール熱で薄膜形状が
劣化（結晶化、凝集等）することが予想される。エージ
ング方法としてはアニールによる熱的な工程も考えられ
るが、本発明で得られる発光特性の安定化効果はアニー
ルでは得られず、駆動電流密度の５〜１０００倍の電流
密度でエージングを行うことが本質的である。
ＥＮＣＥ社製；ＩＴ２−５０型）で測定した有機電界発
光素子の発熱温度の関係を示す。前記有機電界発光素子
は図２に示した構造を有し、陽極としてはインジウム・
錫酸化物（１２０ｎｍ）、正孔輸送層としてはＮ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（６０ｎ
ｍ）、発光層としては８−ヒドロキシキノリンのアルミ
ニウム錯体（７５ｎｍ）、陰極としてはマグネシウムと
銀との合金（原子比でＭｇ：Ａｇ＝１０：１．５；膜厚
１３０ｎｍ）を各々使用した。本発明でのエージング工
程では、通常、５〜１５Ｖ程度の電圧となるので、１〜
４Ｗ／ｃｍ2程度の電力密度となることが見込まれ、素
子の発熱温度としては４０〜５０℃程度が見込まれる。
従って、本発明が適用される有機電界発光素子に使用さ
れる有機材料としては、ガラス転移温度（示差熱分析法
で通常測定され、以下、Ｔｇと記す）が６０℃以上であ
ることが好ましく、さらに好ましくは８０℃以上あるこ
とが望まれる。それ以下のＴｇを示す材料ではエージン
グ中に発生する駆動電流によるジュール熱で薄膜形状が
劣化（結晶化、凝集等）することが予想される。エージ
ング方法としてはアニールによる熱的な工程も考えられ
るが、本発明で得られる発光特性の安定化効果はアニー
ルでは得られず、駆動電流密度の５〜１０００倍の電流
密度でエージングを行うことが本質的である。
【００３７】有機電界発光素子をディスプレイパネルと
して用いるためには、一般にマトリクスアドレス方式
（特開平２−６６８７３号公報；電気通信学会技術研究
報告，ＯＭＥ８９−４６，３７，１９８９年）が採用さ
れる。この単純マトリクスパネルにおいては前記陽極及
び陰極がＸＹマトリクスを形成し、それらはＸ個のデー
タラインとＹ本のスキャンラインに対応する。この様な
単純マトリクスパネルのエージングにおいてはＸ個のデ
ータをすべてＯＮにした状態でスキャンラインを順次Ｏ
Ｎにしていく方法がとられる。このエージング方法にお
いては各スキャンラインはＹの数に応じたデューティで
パルス的に駆動されることになる。エージングをさらに
高速で行うためには、スキャンラインを外部ですべて短
絡させて行う方式でもよい。
して用いるためには、一般にマトリクスアドレス方式
（特開平２−６６８７３号公報；電気通信学会技術研究
報告，ＯＭＥ８９−４６，３７，１９８９年）が採用さ
れる。この単純マトリクスパネルにおいては前記陽極及
び陰極がＸＹマトリクスを形成し、それらはＸ個のデー
タラインとＹ本のスキャンラインに対応する。この様な
単純マトリクスパネルのエージングにおいてはＸ個のデ
ータをすべてＯＮにした状態でスキャンラインを順次Ｏ
Ｎにしていく方法がとられる。このエージング方法にお
いては各スキャンラインはＹの数に応じたデューティで
パルス的に駆動されることになる。エージングをさらに
高速で行うためには、スキャンラインを外部ですべて短
絡させて行う方式でもよい。
【００３８】上記の単純マトリクス型のパネルではクロ
ストークの問題や画素数が増えたときのデューティが非
常に小さくなるために発光輝度が低下する問題がある
が、これらの問題を解決するためにアクティブ・マトリ
クス回路で駆動することが考えられる（特開平２−１４
８６８７号公報、特願平５−１１６２０８号）。上記の
アクティブ・マトリクス型パネルの場合は、各画素に対
応するデータをすべてＯＮにしてエージングすればよ
い。
ストークの問題や画素数が増えたときのデューティが非
常に小さくなるために発光輝度が低下する問題がある
が、これらの問題を解決するためにアクティブ・マトリ
クス回路で駆動することが考えられる（特開平２−１４
８６８７号公報、特願平５−１１６２０８号）。上記の
アクティブ・マトリクス型パネルの場合は、各画素に対
応するデータをすべてＯＮにしてエージングすればよ
い。
【００３９】
【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。 参考例１ （エージング前の有機電界発光素子の作成例
１） 図２に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。 参考例１ （エージング前の有機電界発光素子の作成例
１） 図２に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
【００４０】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積したもの（ジオ
マテック社製；電子ビーム成膜品）を、フォトリソグラ
フィと塩酸エッチングで２ｍｍ幅のストライプにパター
ニングして陽極を形成した後、アセトンで超音波洗浄、
純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾
燥窒素で乾燥、ＵＶ／オゾン洗浄を経て、真空蒸着装置
内に設置して、装置内の真空度が２×１０-6Torr以下に
なるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用い
て排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼ
に入れたＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミン（Ｈ１）：
（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積したもの（ジオ
マテック社製；電子ビーム成膜品）を、フォトリソグラ
フィと塩酸エッチングで２ｍｍ幅のストライプにパター
ニングして陽極を形成した後、アセトンで超音波洗浄、
純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾
燥窒素で乾燥、ＵＶ／オゾン洗浄を経て、真空蒸着装置
内に設置して、装置内の真空度が２×１０-6Torr以下に
なるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用い
て排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼ
に入れたＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミン（Ｈ１）：
【００４１】
【化１】
【００４２】をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加
熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、１６０
〜１７０℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１
０-6Ｔｏｒｒで、蒸着時間２分１０秒で膜厚６０ｎｍの
正孔輸送層３ａを得た。次に、発光機能を有する電子輸
送層３ｂの材料として、以下の構造式のアルミニウムの
８−ヒドロキシキノリン錯体、Ａl（Ｃ9Ｈ6ＮＯ）3（Ｅ
１）：
熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、１６０
〜１７０℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１
０-6Ｔｏｒｒで、蒸着時間２分１０秒で膜厚６０ｎｍの
正孔輸送層３ａを得た。次に、発光機能を有する電子輸
送層３ｂの材料として、以下の構造式のアルミニウムの
８−ヒドロキシキノリン錯体、Ａl（Ｃ9Ｈ6ＮＯ）3（Ｅ
１）：
【００４３】
【化２】
【００４４】を上記正孔輸送層３ａの上に同様にして蒸
着を行なった。この時のるつぼの温度は２３０〜２７０
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１０-6Ｔｏ
ｒｒ、蒸着時間は２分４０秒、膜厚は７５ｎｍであっ
た。
着を行なった。この時のるつぼの温度は２３０〜２７０
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１０-6Ｔｏ
ｒｒ、蒸着時間は２分４０秒、膜厚は７５ｎｍであっ
た。
【００４５】最後に、陰極４として、マグネシウムと銀
の合金電極を２元同時蒸着法によって膜厚１５０ｎｍで
蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は
５×１０-6Ｔｏｒｒ、蒸着時間は３分３０秒で光沢のあ
る膜が得られた。マグネシウムと銀の原子比は１０：
１．５であった。この時、陰極はシャドーマスクを用い
て２ｍｍ幅のストライプ状に蒸着し、陽極のＩＴＯスト
ライプとは直交するようにした。従って、素子のサイズ
としては２ｍｍ×２ｍｍとなる。
の合金電極を２元同時蒸着法によって膜厚１５０ｎｍで
蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は
５×１０-6Ｔｏｒｒ、蒸着時間は３分３０秒で光沢のあ
る膜が得られた。マグネシウムと銀の原子比は１０：
１．５であった。この時、陰極はシャドーマスクを用い
て２ｍｍ幅のストライプ状に蒸着し、陽極のＩＴＯスト
ライプとは直交するようにした。従って、素子のサイズ
としては２ｍｍ×２ｍｍとなる。
【００４６】尚、上記の素子に用いた有機化合物につい
て走査型示差熱分析装置（セイコー電子工業社製；ＤＳ
Ｃ−２０）により示差熱分析を行ったところ、正孔輸送
材料（Ｈ１）のＴｇは６３℃、発光材料（Ｅ１）のＴｇ
は１０３℃であった。以上の様にして作製した素子を乾
燥窒素雰囲気下で、別のガラス板とガラス製のスペーサ
とを用いてエポキシ樹脂（チバガイギー社製；アラルダ
イト）により貼り合わせて封止した。この時、２枚のガ
ラス板に挟まれたスペーサの空間に減圧下で加熱乾燥し
たシリカゲル粉末（純正化学社製青色５〜１０メッシュ
をメノウ乳鉢ですりつぶしたもの）を吸湿剤として適量
入れた。
て走査型示差熱分析装置（セイコー電子工業社製；ＤＳ
Ｃ−２０）により示差熱分析を行ったところ、正孔輸送
材料（Ｈ１）のＴｇは６３℃、発光材料（Ｅ１）のＴｇ
は１０３℃であった。以上の様にして作製した素子を乾
燥窒素雰囲気下で、別のガラス板とガラス製のスペーサ
とを用いてエポキシ樹脂（チバガイギー社製；アラルダ
イト）により貼り合わせて封止した。この時、２枚のガ
ラス板に挟まれたスペーサの空間に減圧下で加熱乾燥し
たシリカゲル粉末（純正化学社製青色５〜１０メッシュ
をメノウ乳鉢ですりつぶしたもの）を吸湿剤として適量
入れた。
【００４７】実施例１ 参考例１で作製した有機電界発光素子をＩＴＯ電極（陽
極）にプラス、マグネシウム・銀合金電極（陰極）にマ
イナスの直流電圧を印加して、定電流駆動で電流密度を
９０ｍＡ／ｃｍ2として４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は９９ｃｄ／ｍ2であった。輝度の
減衰特性を図５に示す。エージング後からの輝度の半減
時間は１０００時間であった。素子の駆動は大気下２５
℃で行った。
極）にプラス、マグネシウム・銀合金電極（陰極）にマ
イナスの直流電圧を印加して、定電流駆動で電流密度を
９０ｍＡ／ｃｍ2として４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は９９ｃｄ／ｍ2であった。輝度の
減衰特性を図５に示す。エージング後からの輝度の半減
時間は１０００時間であった。素子の駆動は大気下２５
℃で行った。
【００４８】比較例１ 参考例１で作製した素子を、定電流駆動で電流密度を１
５ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は１５７ｃｄ／ｍ2であった。輝度
の減衰特性を図５に示す。エージング後からの輝度の半
減時間は４５０時間であった。
５ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は１５７ｃｄ／ｍ2であった。輝度
の減衰特性を図５に示す。エージング後からの輝度の半
減時間は４５０時間であった。
【００４９】比較例２ 参考例１で作製した素子を、定電流駆動で電流密度を７
５ｍＡ／ｃｍ2として４時間４０分エージングした。エ
ージング終了後、電流密度を２２．５ｍＡ／ｃｍ2とし
て連続駆動した時の初期輝度は１５９ｃｄ／ｍ2であっ
た。エージング後からの輝度の半減時間は４３０時間で
あった。
５ｍＡ／ｃｍ2として４時間４０分エージングした。エ
ージング終了後、電流密度を２２．５ｍＡ／ｃｍ2とし
て連続駆動した時の初期輝度は１５９ｃｄ／ｍ2であっ
た。エージング後からの輝度の半減時間は４３０時間で
あった。
【００５０】比較例３ 参考例１で作製した素子をエージング工程を省略して、
１５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で連続駆動した時の初期輝
度は３５０ｃｄ／ｍ2で、輝度の半減時間は２０時間で
あった。
１５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で連続駆動した時の初期輝
度は３５０ｃｄ／ｍ2で、輝度の半減時間は２０時間で
あった。
【００５１】参考例２ （エージング前の有機電界発光
素子の製造例２） 正孔輸送層の材料として以下に示すジアミノフェニルフ
ェナントリジン誘導体（Ｈ２）：
素子の製造例２） 正孔輸送層の材料として以下に示すジアミノフェニルフ
ェナントリジン誘導体（Ｈ２）：
【００５２】
【化３】
【００５３】を用いた他は、参考例１と同様にして有機
電界発光素子を作製した。尚、この正孔輸送材料（Ｈ
２）のＴｇは１０１℃であった。
電界発光素子を作製した。尚、この正孔輸送材料（Ｈ
２）のＴｇは１０１℃であった。
【００５４】実施例２ 参考例２で作製した有機電界発光素子を、定電流駆動で
電流密度を７５ｍＡ／ｃｍ2として５時間エージングし
た。エージング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2と
して連続駆動した時の初期輝度は４５ｃｄ／ｍ2であっ
た。エージング後の輝度の減衰特性を図６に示す。
電流密度を７５ｍＡ／ｃｍ2として５時間エージングし
た。エージング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2と
して連続駆動した時の初期輝度は４５ｃｄ／ｍ2であっ
た。エージング後の輝度の減衰特性を図６に示す。
【００５５】比較例４ 参考例２で作製した素子を、定電流駆動で電流密度を１
５ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は８２ｃｄ／ｍ2であった。エージ
ング後の輝度の減衰特性を図６に示す。
５ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は８２ｃｄ／ｍ2であった。エージ
ング後の輝度の減衰特性を図６に示す。
【００５６】参考例３ （エージング前の有機電界発光
素子の製造例３） 正孔輸送層の材料として以下に示す芳香族ジアミン（Ｈ
３）：
素子の製造例３） 正孔輸送層の材料として以下に示す芳香族ジアミン（Ｈ
３）：
【００５７】
【化４】
【００５８】を用いた他は、参考例１と同様にして有機
電界発光素子を作製した。尚、正孔輸送材料（Ｈ３）の
Ｔｇは９６℃であった。
電界発光素子を作製した。尚、正孔輸送材料（Ｈ３）の
Ｔｇは９６℃であった。
【００５９】実施例３ 参考例３で作製した有機電界発光素子を、定電流駆動で
電流密度を９０ｍＡ／ｃｍ2として４時間エージングし
た。エージング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2と
して連続駆動した時の初期輝度は１２３ｃｄ／ｍ2であ
り、エージング後の輝度の半減時間は４０００時間であ
った。エージング後の輝度の減衰特性を図７に示す。
電流密度を９０ｍＡ／ｃｍ2として４時間エージングし
た。エージング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2と
して連続駆動した時の初期輝度は１２３ｃｄ／ｍ2であ
り、エージング後の輝度の半減時間は４０００時間であ
った。エージング後の輝度の減衰特性を図７に示す。
【００６０】比較例５ 参考例３で作製した素子を、定電流駆動で電流密度を１
５ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は１７１ｃｄ／ｍ2であった。輝度
の減衰特性を図７に示す。エージング後からの輝度の半
減時間は１０００時間であった。
５ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージ
ング終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2として連続駆
動した時の初期輝度は１７１ｃｄ／ｍ2であった。輝度
の減衰特性を図７に示す。エージング後からの輝度の半
減時間は１０００時間であった。
【００６１】比較例６ 参考例３で作製した素子をエージング工程を省略して、
１５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で連続駆動した時の初期輝
度は３３２ｃｄ／ｍ2で、輝度の半減時間は３０時間で
あった。
１５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で連続駆動した時の初期輝
度は３３２ｃｄ／ｍ2で、輝度の半減時間は３０時間で
あった。
【００６２】比較例７ 参考例３で作製した素子を、５０℃で４時間アニールし
た。アニール終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2とし
て連続駆動した時の初期輝度は３４２ｃｄ／ｍ2であっ
た。アニール後からの輝度の半減時間は４５時間であっ
た。このアニール処理では、高電流密度でのエージング
による輝度の安定効果は得られなかった。
た。アニール終了後、電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ2とし
て連続駆動した時の初期輝度は３４２ｃｄ／ｍ2であっ
た。アニール後からの輝度の半減時間は４５時間であっ
た。このアニール処理では、高電流密度でのエージング
による輝度の安定効果は得られなかった。
【００６３】実施例４ 参考例３で作製した素子を、９０ｍＡ／ｃｍ2の電流密
度で１時間エージングした後、引続き、５ｍＡ／ｃｍ2
の電流密度で連続駆動した時の発光特性を図８に示す。
この時のエージング後の初期輝度は４９ｃｄ／ｍ2であ
り、輝度の半減時間は外挿により３００００時間以上と
なった。
度で１時間エージングした後、引続き、５ｍＡ／ｃｍ2
の電流密度で連続駆動した時の発光特性を図８に示す。
この時のエージング後の初期輝度は４９ｃｄ／ｍ2であ
り、輝度の半減時間は外挿により３００００時間以上と
なった。
【００６４】比較例８ 参考例３で作製した素子を、定電流駆動で電流密度を５
ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージン
グ終了後、引続き、電流密度を５ｍＡ／ｃｍ2として連
続駆動した時の初期輝度は７６ｃｄ／ｍ2であった。輝
度の減衰特性を図８に示す。エージング後からの輝度の
半減時間は３０００時間であった。
ｍＡ／ｃｍ2として２４時間エージングした。エージン
グ終了後、引続き、電流密度を５ｍＡ／ｃｍ2として連
続駆動した時の初期輝度は７６ｃｄ／ｍ2であった。輝
度の減衰特性を図８に示す。エージング後からの輝度の
半減時間は３０００時間であった。
【００６５】比較例９ 参考例３で作製した素子をエージング工程を省略して、
５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で連続駆動した時の初期輝度
は１１４ｃｄ／ｍ2で、輝度の半減時間は２００時間で
あった。
５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で連続駆動した時の初期輝度
は１１４ｃｄ／ｍ2で、輝度の半減時間は２００時間で
あった。
【００６６】
【発明の効果】本発明の有機電界発光素子の製造方法に
より、駆動時に安定した発光特性を示す素子を得ること
ができる。従って、本発明による有機電界発光素子はフ
ラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ
用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした
光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器
類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考
えられ、その技術的価値は大きいものである。
より、駆動時に安定した発光特性を示す素子を得ること
ができる。従って、本発明による有機電界発光素子はフ
ラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ
用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした
光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器
類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考
えられ、その技術的価値は大きいものである。
【図１】本発明における有機電界発光素子の構造例を示
した模式断面図。
した模式断面図。
【図２】本発明における有機電界発光素子の別の構造例
を示した模式断面図。
を示した模式断面図。
【図３】本発明における有機電界発光素子のさらに別の
構造例を示した模式断面図。
構造例を示した模式断面図。
【図４】有機電界発光素子の発熱温度と駆動電力密度の
測定例。
測定例。
【図５】実施例１及び比較例１における有機電界発光素
子の駆動特性。
子の駆動特性。
【図６】実施例２及び比較例４における有機電界発光素
子の駆動特性。
子の駆動特性。
【図７】実施例３及び比較例５における有機電界発光素
子の駆動特性。
子の駆動特性。
【図８】実施例４及び比較例８における有機電界発光素
子の駆動特性。
子の駆動特性。
１ 基板 ２ 陽極 ３ 有機発光層 ４ 陰極 ３ａ 正孔輸送層 ３ｂ 電子輸送層 ３ｃ ３ｂとは異なる電子輸送層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された、陽極及び陰極によ
り挟持された有機発光層を駆動時の電流密度の５〜１０
００倍の電流密度でエージングすることを特徴とする有
機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 有機発光層を０．０１ 〜１Ａ／ｃｍ2
の電流密度でエージングする請求項１に記載の有機電界
発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00031895A JP3552317B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00031895A JP3552317B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08185979A true JPH08185979A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3552317B2 JP3552317B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=11470568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00031895A Expired - Lifetime JP3552317B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3552317B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845925A3 (en) * | 1996-11-27 | 1998-12-30 | TDK Corporation | Organic electroluminescent light emitting device |
| JP2002198172A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2002313582A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
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| JP2007109629A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子 |
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| WO2010058787A1 (ja) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP2011204625A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光素子点灯装置及びこれを用いた灯具並びに照明器具 |
| JP2011253829A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
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| US9318728B2 (en) | 2011-05-27 | 2016-04-19 | Joled Inc. | Method for producing organic light-emitting element, method for aging organic light-emitting element, organic light-emitting element, organic light-emitting device, organic display panel, and organic display device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032426A (ja) | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-01-05 JP JP00031895A patent/JP3552317B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| KR100458999B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2004-12-03 | 가부시키가이샤 덴소 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
| US8273583B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US8980660B2 (en) | 2000-12-28 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US9412948B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2011253829A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US8367439B2 (en) | 2000-12-28 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
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| JP3552317B2 (ja) | 2004-08-11 |
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