JP2002198172A

JP2002198172A - 有機電界発光素子の製造方法

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Publication number: JP2002198172A
Application number: JP2000397025A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Ishii; 昌彦石井; Takeshi Owaki; 健史大脇
Original assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Current assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date: 2000-12-27
Filing date: 2000-12-27
Publication date: 2002-07-12
Anticipated expiration: 2020-12-27
Also published as: JP4677670B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】最適なエージング処理を有機ＥＬ素子に施
す。【解決手段】有機膜の成膜工程、電極の形成工程及び
素子の封止工程に加え、さらにエージング工程を備え
る。エージング工程は、予め測定した素子の輝度経時変
化の測定結果を式（１）で表される輝度低下関数を用いてフィッティングし、そ
のフィッティングパラメータＡｉ、ｋｉを求め、これを
用いて経験式（２）Ｌ₀（１−ａ＋ａA_i ^min）・・・（２）（ａ＝０．３〜１．２、A_i ^min＝式（１）のｋ_iのうち最
小のｋ_iを示す項のＡ_i）からエージング処理によって低
下させる目標輝度を求め、該目標輝度まで輝度が低下す
るよう素子を駆動することで実行する。エージング工程
は、用いた有機膜の中で最も低いガラス転移温度以下か
つ５０°Ｃ以上の温度において、素子の初期輝度が１０
００〜２００００ｃｄ／ｍ²を達成する定電流または定
電圧供給条件で実行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、新規な有機電界
発光素子（以下有機ＥＬ素子）の製造方法、特に、素子
のエージングに関する。

【０００２】

【従来の技術】高輝度発光が可能で薄く、低消費電力化
が可能な有機ＥＬ素子は次世代の発光素子として着目さ
れているが、長期間の安定な発光が実現されていないと
いう問題がある。この問題に対してこれまでに有機ＥＬ
素子全体の外側を覆って外気を遮断して有機層の劣化を
防ぐ方法や、有機発光材料の耐久性の向上、電極電圧の
低下などの方法が提案されている。素子寿命の長寿命化
に関するこうした方法の一つとして、素子に対してエー
ジング処理を施して素子特性を安定化させることが知ら
れている（例えば、特開平５−１８２７６４号公報、特
開平８−１８５９７９号公報、特開平１０−２０８８８
０号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記特開平８−１８５
９７９号公報には、有機ＥＬ素子を安定化させるエージ
ング方法として、実際の素子使用時における駆動電流密
度の５〜１０００倍の電流密度でエージングする方法が
提案されている。こうしたエージング処理は、有機ＥＬ
素子は初期の輝度低下率が大きいので、製品として出荷
する前に予め初期特性を変化させて特性を安定化させて
おく目的で行われている。しかし、素子の初期特性がど
のように変化するまでエージングすればよいか、つまり
処理時間等についての考察は現在までになされていな
い。ところが、エージング処理は、これを実行すること
で処理後の発光効率は低下するから、過度にエージング
を行うと輝度の経時劣化は抑制できても、発光効率は著
しく低下し、目的輝度を実現するために素子への印加電
圧が大きくなってしまうという問題がある。

【０００４】また、特開平８−１８５９７９号公報で
は、エージング処理を室温で施している。しかし、処理
温度が室温程度では、仮に実用輝度（数百ｃｄ／ｍ²）
において、１００００時間の半減寿命を有する有機ＥＬ
素子の場合、駆動時の電流密度の１００倍の電流密度で
エージングしても、エージングに１日程度の時間を要す
る。このような長時間のエージングは素子製造工程の効
率化という点で大きな問題になる。

【０００５】また、他の問題として、従来、エージング
条件の決定のための輝度の経時変化測定においては、実
際の製品となる素子とは異なるテストピースが用いられ
ていることが挙げられる。テストピースを用いてエージ
ング条件を決定し、そのテストピースにおいてエージン
グによって、所望の長寿命化が達成されたとしても、実
際の素子に同様のエージング処理を行ってテストピース
で達成されたような長寿命化の効果が得られないという
問題があった。この原因として、テストピースと製品と
なる素子とが異なる基板、異なるバッチにて製造される
ことにより、特性が同一にならないためと考えられる。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れ、エージング処理により素子間にばらつきなく安定し
た長寿命化の達成が可能な有機ＥＬ素子の製造方法を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下のような特徴を備える。

【０００８】まず、有機ＥＬ素子の製造方法において、
有機膜の成膜工程、電極の形成工程及び素子の封止工程
に加え、さらに、エージング工程を備える。そして、こ
のエージング工程は、予め測定した素子の輝度経時変化
の測定結果を輝度低下関数でフィッティングして該輝度
低下関数におけるフィッティングパラメータを求め、該
求めたフィッティングパラメータを用い、経験式からエ
ージング処理によって初期輝度から低下させる目標輝度
を求め、該目標輝度まで前記素子の輝度が低下するよう
前記素子を駆動することで実行する。

【０００９】本発明の他の特徴は、有機ＥＬ素子の製造
方法において、有機膜の成膜工程と、電極の形成工程
と、素子の封止工程と、を含む製造工程により素子本体
と共にテスト用発光部を形成し、さらに、前記テスト用
発光部における輝度経時変化を測定し、測定結果を輝度
低下関数でフィッティングして該輝度低下関数における
フィッティングパラメータを求め、該求めたフィッティ
ングパラメータを用いて、経験式からエージング処理に
よって初期輝度から低下させる目標輝度を求め、該目標
輝度まで前記素子本体の輝度が低下するよう前記素子を
駆動するエージング工程を有することである。

【００１０】また本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法
において、前記エージング工程は、用いた前記有機膜の
中で最も低いガラス転移温度以下かつ５０°Ｃ以上の温
度において、素子の初期輝度が１０００〜２００００ｃ
ｄ／ｍ²を達成する定電流または定電圧供給条件で実行
することを特徴とする。

【００１１】さらに、本発明の他の特徴は、上記有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、前記エージング工程の条件
決定に用いられる前記フィッティングパラメータは、有
機膜成膜、電極形成及び素子封止工程を経て製造され、
かつエージング処理前の素子から、任意に選択した素子
又は定期的に選択した素子に対して測定した前記輝度経
時変化の測定結果に基づいて算出することである。

【００１２】本発明の他の特徴は、上記有機ＥＬ素子の
製造方法において、前記エージング工程におけるエージ
ング実行条件と同一条件で素子の輝度経時変化を測定
し、前記素子の発光輝度が、前記目標輝度に到達するま
での時間を測定し、求めた時間をエージング実行時間と
することである。

【００１３】以上のような手法によりエージング条件を
最適化することができ、エージング処理により最終製品
とした場合の有機ＥＬ素子の輝度の経時劣化を抑制で
き、また素子間の特性ばらつきを低減することが容易と
なる。

【００１４】また、本発明では、上述のようにエージン
グ処理における目標輝度や処理時間について、その決定
に際し、有機ＥＬ素子それ自身又は該素子内に作り込ん
だテスト用発光部の輝度の経時劣化を予め測定すること
で算出する。このため、特性が必ずしも一致しない各有
機ＥＬ素子に対しそれぞれに最適な条件でエージングを
行うことが可能となる。

【００１５】本発明の他の特徴は、上記有機ＥＬ素子の
製造方法において、前記輝度低下関数が下記式（１）

【数３】で表されることである。

【００１６】また、本発明の他の特徴は、上記有機ＥＬ
素子の製造方法において、前記経験式が、下記式（２）

【数４】Ｌ₀（１−ａ＋ａA_i ^min）・・・（２）但し、ａ＝０．３〜１．２、 A_i ^minは、式（１）のｋ_iのうち最小のｋ_iを示す項のＡ_i
で表されることである。

【００１７】このように、本発明では、エージング条件
の決定に際し、上記式（１）を用いてフィッティングす
る。上記式（１）に示されるように、輝度比Ｌ／Ｌ
₀は、複数の項の和で表され、輝度劣化は有機ＥＬ素子
の本質的な劣化と初期劣化とに分離することができる。

【００１８】本質的劣化は、式（１）中、最も小さなｋ
_iを示す項で表される劣化成分であり、素子の駆動（通
電）に伴い素子を構成する有機材料が電荷を伝搬する際
に起こる酸化・還元反応により、有機化合物の一部が発
光抑制種に変化するという化学反応に起因すると考えら
れる。

【００１９】また、式（１）中、上記以外の項が初期劣
化成分である。これらは、印加された電界による有機膜
での内部分極や不純物イオンによって内部電界が形成さ
れ実効的な電界が減少することに起因する、或いは発光
層に色素をドープすることが関与した素子構造的な原因
により発生する、などが可能性として考えられている。
現段階でその原因は明確ではないが、初期劣化が発生す
ることは事実として明らかである。

【００２０】式（１）においてフィッティングパラメー
タｋ_iは、劣化速度に対応した値であり、経験式（２）
に基づいて目標輝度を定めることにより、式（１）に表
されている初期劣化成分を除去することが可能となる。
特に、式（１）の初期劣化成分を除去するために最適な
エージング条件（目標輝度）は、式（２）においてａ＝
１、つまりＬ₀×A_i ^minの場合である。但し、素子に要求
される耐久性（輝度半減寿命）によっては、必ずしもａ
＝１の条件を満たすまでエージング処理を行う必要はな
い。また、ａ＝１を越えて過度にエージング処理を施す
と、素子の発光効率が著しく低下してしまい、かえって
駆動電圧の上昇が起こるなど好ましくない結果となる。
エージングの程度としては、ａ＝０．３〜１．２とする
のが好適である。

【００２１】有機ＥＬ素子は、高温、高輝度発光の条件
で駆動した場合であっても、輝度低下を伴う劣化のメカ
ニズムは変わらず、劣化速度のみが加速することが本出
願人の研究の結果判明した。つまり、室温、低輝度の条
件でも、高温、高輝度の条件でも、素子の輝度低下（劣
化）曲線は上記式（１）によってフィッティングするこ
とができ、各項の係数Ａ_iの値は、上記駆動条件が変化
してもほぼ同じ値を示し、ｋ_iの値のみが変化する。こ
のため、エージング工程に先立って輝度経時変化を測定
し、その結果に基づいて上述のような目標輝度や、処理
時間を決定する場合に、高温、高輝度発光などの駆動条
件を採用することができる。つまり、本発明では、この
ようないわば劣化加速条件を測定条件として採用し、最
適なエージング条件を迅速に求めることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いてこの発明の好
適な実施の形態（以下実施形態という）について説明す
る。

【００２３】図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の
構成例を示している。この素子は、ガラスなどの透明基
板１０の上に、陽極としてＩＴＯなどの透明電極１２、
発光層を含む有機膜２０、陰極として金属電極１４がこ
の順に積層されて構成されている。また、これら積層構
造を覆って保護膜１６が形成されている。また、基板１
０の素子形成側からは金属などからなる封止キャップ３
０が被せられ、接着剤３２によって基板１０に接着され
ている。また封止キャップ３０と基板上の素子との間の
封止空間内に、素子の有機膜を劣化させる原因となる水
分や、酸素などが侵入しないように、上記封止キャップ
３０の基板１０への接着は、乾燥窒素雰囲気中で行われ
る。有機ＥＬ素子は以上のように積層形成され、さらに
封止されて構成されている。

【００２４】本実施形態では、このような素子封止工程
の後、得られた素子封止体に対してエージング工程を施
す。このエージング工程は、実際のエージング処理に先
立ち、まず以下のようにしてエージング条件を求める。

【００２５】まず、封止工程を経て得られた素子封止体
を任意にサンプルとして抜き取り、所定条件下で、この
素子封止体の輝度経時変化を測定する。

【００２６】次に、得られた測定結果を式（１）

【数５】で表される輝度低下関数を用いてフィッティングし、こ
の輝度低下関数におけるフィッティングパラメータＡ_i
及びｋ_iを求める。なお、式（１）のｎは、有機ＥＬ素
子の構成によって異なり、一例としては、後述する図２
のように発光層がドーピング材料を含んでいるような素
子構成の場合、ｎ＝３とし、ノンドープタイプ素子構成
の場合ｎ＝２に設定し、実際の輝度経時変化の測定結果
との整合性を高める。

【００２７】ここで、上述の本質的劣化以外の初期劣化
成分、つまり式（１）中、最も小さなｋ_iを示す項以外
の項は、その劣化速度が本質的劣化に比較しても非常に
速く、本実施形態では、この初期劣化成分を除去する目
的でエージング処理を実行する。そこで、本実施形態で
は、上記式（１）に基づいて求めたフィッティングパラ
メータＡ_i及びｋ_iに基づいて、下記経験式（２）

【数６】Ｌ₀（１−ａ＋ａA_i ^min）・・・（２）（但し、ａは０．３〜１．２の範囲、A_i ^minは、式
（１）のｋ_iのうち最小のｋ_iを示す項のＡ_i）から、エ
ージング処理の目標輝度、つまり初期輝度から低下させ
るべき目標輝度を算出し、これをエージングの目標輝度
として設定する。

【００２８】以上のようにして目標輝度を求めた後、各
素子封止体に対して該輝度までその素子初期輝度が低下
するよう各素子を駆動し、エージング処理を実行する。
このエージング処理に際し、処理温度は、有機膜２０に
用いた有機化合物の中で最も低いガラス転移温度（Ｔ
ｇ）以下であって５０°Ｃ以上とする。さらに、素子の
初期輝度が１０００〜２００００ｃｄ／ｍ²を達成する
定電流または定電圧供給条件下で実行する。これらの処
理条件は、特に、上記数値に限られるわけではないが、
エージング処理を迅速に効率的に実行するために、素子
の輝度低下を十分加速することのできる条件とすること
が必要である。

【００２９】さらに本実施形態において、設定したエー
ジング実行条件（駆動温度、駆動電流又は電圧）と同一
の条件下にて、予め素子封止体の輝度経時変化を測定
し、その素子封止体の発光輝度が、上記目標輝度に到達
するまでの時間を測定し、その時間をエージング実行時
間とする。このように、設定したエージング実行条件の
下、目標輝度に到達するまでの時間を測定してその時間
をエージング実行時間とすることで、過不足無く、かつ
迅速に各素子にエージングを施すことができる。

【００３０】また、以上の説明では、製造した素子封止
体を任意に抜き取って、エージング条件を定めるための
輝度経時変化の測定に用いているが、これに限らず、例
えば１日又は１週間に１回など、定期的に製造した素子
封止体を抜き取って測定用に用い、その都度、エージン
グ条件を決定してもよい。さらに、素子にエージング条
件決定のためのテスト用発光部を作り込んでおき、全素
子についてそのテスト用発光部の輝度経時変化を測定し
てそれぞれの素子に適したエージング条件を決定しても
よい。このようにすれば、各素子に対してそれぞれ最適
な条件でエージングを実行することができる。さらに、
全ての素子に予めテスト用発光部を形成した場合であっ
ても、もちろん、全素子について必ず輝度低下曲線を求
めるための測定を実行しなくともよく、任意に又は定期
的に抜き取って測定に用いてもよい。

【００３１】ここで、上述のように、有機ＥＬ素子は、
高温、高輝度発光の条件で駆動した場合であっても、輝
度低下を伴う劣化メカニズムは変わらず、劣化速度のみ
が加速する。従って、エージング工程に先立って輝度経
時変化を測定し、その結果に基づいて上述の目標輝度
や、処理時間を決定する場合に、高温、高輝度発光など
の駆動条件を採用することができ、これによりエージン
グ条件の決定を含め、エージング工程の短縮化を図るこ
とが可能になる。特に、素子にテスト用発光部を作り込
んで各素子についてそれぞれエージング条件を決定しな
ければならない場合でも、条件決定のための輝度経時変
化の測定を高温、高輝度条件下で実行すれば、適切なエ
ージング条件を迅速に求めることが可能となる。

【００３２】

【実施例】以下に本発明の実施例についてそれぞれ説明
する。

【００３３】［実施例１］実施例１として、図２に示す
ような断面構造の有機ＥＬ素子を用いた。この素子は、
発光面をガラス基板上に複数個有するセグメント表示型
の素子である。この有機ＥＬ素子は、基板上に透明電極
（ＩＴＯ）、有機膜及び金属電極（ＬｉＦとＡｌの積層
体）を順に成膜し、さらに、大気にさらすことなく窒素
雰囲気中で、基板の素子形成側をステンレス製（ＳＵ
Ｓ）キャップと封止樹脂とを用いて封止し完成したもの
である。なお、ここでは、有機膜は、陽極側から順に、
正孔注入層（ＣｕＰｃ）１０ｎｍ、正孔輸送層（トリフ
ェニールアミン４量体：ＴＰＴＥ）３０ｎｍ、発光層
（キナクリドン（Ｑｄ）１％ドープのアルミキノリノー
ルＡｌｑ）２０ｎｍ、電子輸送層（Ａｌｑ）４５ｎｍの
積層構造からなる。

【００３４】完成した素子（封止体）を８５℃の恒温槽
に設置し、発光領域（発光面）の１つに配線し、該発光
領域に直流定電流を供給して発光させた。そのときの該
発光領域における輝度を恒温槽に設けられているガラス
窓を介して輝度計によりモニターした。恒温槽のガラス
窓での光損失による輝度のロスを考慮し、ガラス窓の無
い状態であれば初期輝度８０００ｃｄ／ｍ²となるよう
に定電流を流し、輝度の経時変化を測定した。その結果
を図３に示す。図３においてプロットした点が測定デー
タである。

【００３５】この測定結果を上式（１）を用いてフィッ
ティングした。その結果次式（３）

【数７】Ｌ／Ｌ₀ ＝0.668exp(-6.79×10^-6t)+0.258exp(-1.38×10^-4t)+0.074exp(-2.59×10^-3t) ・・・（３）を得た。なお、式（３）において時間ｔの単位は、秒で
ある。

【００３６】上記式（３）は図３において実線で示し
た。図３からもわかるように、実測点と実線との整合性
が高く、式（１）によるフィッティングが測定結果をよ
く再現できることがわかる。次に、式（２）においてａ
＝１の場合を選択し、初期輝度８０００ｃｄ／ｍ²に対
して輝度が５３４４ｃｄ／ｍ²に低下するまで有機ＥＬ
素子を定電流駆動することをエージング条件とした。

【００３７】次いで恒温槽内の同一素子の残りの発光面
の一つに対して輝度計を設定し、その発光面の初期輝度
が８０００ｃｄ／ｍ²となるように電流を流し、これと
同じ電流密度の電流を残りの全ての発光面についても同
時に流す。このようにして輝度をモニタしている発光面
の輝度が前述したエージング条件である５３４４ｃｄ／
ｍ²に低下するまで、全発光面を同じ電流密度で定電流
駆動し、エージング処理を行った。このエージングに要
した時間はおよそ３時間であった。

【００３８】有機ＥＬ素子を自動車の車載ディスプレイ
として用いる場合、夏場の日中ともなれば車内はかなり
の高温となるためこのような高温下での耐久性が求めら
れる。例えばこのような環境を想定し、８５℃の温度雰
囲気下で初期輝度４００ｃｄ／ｍ²、１０００時間連続
駆動後の輝度低下が３０％以内に収まることが車載のた
めの１つの基準であると考えられる。

【００３９】そこで、この８５℃に設定した恒温槽内で
輝度をモニタしていた発光面について、その輝度が４０
０ｃｄ／ｍ²となるよう電流値を設定し直し、再び定電
流駆動にて輝度の経時変化を測定した。その結果を図４
に示す。図４に示されるように１０００時間経過後にお
いて３１３ｃｄ／ｍ²の輝度を示し、輝度低下率は２２
％であり、上記基準「３０％以内」をクリアしている。

【００４０】エージングを行った同一素子の他の発光面
の内、５つの発光面を選択し、それらについても８５℃
の恒温槽内で初期輝度４００ｃｄ／ｍ²の定電流駆動を
行い輝度の経時変化の測定を行った。１０００時間経過
後の輝度は、最も高いもので３２０ｃｄ／ｍ²、最も低
いもので３０７ｃｄ／ｍ²、輝度低下率の平均は２２％
であり、同一素子内における発光面の輝度のばらつきは
±３％以内であり良好であった。

【００４１】なお、本実施例では、素子がモノカラー表
示であったため、単一のエージング条件でエージング処
理を実行したが、幾つか異なる発光色を有するエリアカ
ラー型のマルチカラー表示素子やＲＧＢ各画素を備えた
フルカラー表示素子の場合には、それぞれの発光色の発
光面に対し最適なエージング条件を選択し、エージング
処理することが望ましい。

【００４２】［比較例１］実施例１に用いた素子と同じ
工程で作成した同じ構造の素子を８５℃の恒温槽内に設
置し、その素子の１つの発光面について、エージング処
理無しで、初期輝度４００ｃｄ／ｍ²となる定電流駆動
を行い輝度の経時変化を測定した。その結果を図５に示
す。およそ７００時間で３０％の輝度低下を示し上述の
基準を満たしていないことがわかる。

【００４３】［実施例２］実施例１に用いた素子と同じ
工程で作成した同じ構造の素子を用い、実施例１と同様
に素子全体を８５℃の恒温槽内に設置し、発光面の一つ
を直流定電圧駆動にて初期輝度８０００ｃｄ／ｍ²から
その輝度の経時変化の測定を行った。このとき、輝度に
加えて発光面に印加される電圧の経時変化についても測
定を行った。その結果を図６にプロットした。図６にお
いて左縦軸は輝度比、右縦軸は電圧を示している。輝度
の測定結果に対して上記式（１）を用いてフィッティン
グを行った。その結果、次式（４）を得た。

【００４４】

【数８】Ｌ／Ｌ₀ ＝0.685exp(-7.04×10^-6t)+0.238exp(-1.45×10^-4t)+0.077exp(-2.46×10^-3t) ・・・（４）なお、時間ｔの単位としては秒を用いている。

【００４５】上記式（４）についても、上述の式（３）
と同様、図６にプロットした点との整合性が高く、式
（１）によるフィッティングにより測定結果をよく再現
できることがわかる。エージングの条件としては、式
（２）においてａ＝１の場合を選択し、初期輝度８００
０ｃｄ／ｍ²に対して輝度が５４８０ｃｄ／ｍ²に低下す
るまで有機ＥＬ素子を定電流駆動する必要があることが
ことがわかる。

【００４６】しかし、製造工程の都合上、エージング工
程中に有機ＥＬ素子の発光面の輝度をモニタできない場
合や、パッシブ駆動のドットマトリクスディスプレイの
ように全画素を同時に定電流駆動することが困難な場
合、あるいはアクティブマトリクス型ディスプレイであ
っても、電源の都合上、全画素を同じ電流密度で定電流
駆動することが困難な場合が想定される。本実施例で
は、そのような場合を想定し、定電圧駆動で、かつ、輝
度をモニターすることなくエージングを行う時間を規定
し、エージング処理を施した。図６の測定結果から、駆
動開始後５時間後においても電圧（陽極と陰極の間に印
加する電圧）の上昇は０．３Ｖ程度と極めて小さく、こ
のことから、定電圧駆動によりエージング処理を行った
としても、定電流駆動でエージングした場合にほぼ等し
いエージング効果が期待される。定電圧でのエージング
条件としては、まず、図６の測定に用いた発光面で初期
輝度８０００ｃｄ／ｍ²を得た時の電圧８．６８Ｖを印
加電圧とした。エージング時間は式（４）からＬ／Ｌ₀
＝０．６８５となるまでの時間を求め、その時間、ここ
では３時間とした。そして、この８．６８Ｖ、３時間の
条件で８５℃の恒温槽内でエージングを行った。このエ
ージングの後、５個の発光面について、８５℃、初期輝
度４００ｃｄ／ｍ²の定電流駆動にて、輝度の経時変化
を測定した。１０００時間経過後の輝度は、最も高い発
光面で３１４ｃｄ／ｍ²、最も低い発光面で３０２ｃｄ
／ｍ²、平均で３０８ｃｄ／ｍ²であり、輝度低下率の平
均は２３％であった。以上の結果から明らかなように定
電圧駆動によるエージング処理であっても車載のための
高温耐久性として、上述の基準「輝度低下３０％以内」
をクリアしている。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、有
機ＥＬ素子におけるエージング条件の最適化を行うこと
ができ、適切なエージング処理により、その後の有機Ｅ
Ｌ素子の輝度の経時劣化を抑制することができる。ま
た、素子間での特性ばらつき（電流−電圧−輝度特性及
び寿命特性のばらつき）を極力小さくすることが出来
る。また、高温下、高輝度発光させてエージング処理を
することで、短時間で効率的にエージングを実行でき
る。

【００４８】また、有機ＥＬ素子においては、その輝度
の経時劣化とは別に耐久性に関し、素子の有機膜等の短
絡による急激な輝度低下が問題となることがしばしばあ
る。本発明では、上述のようなエージング処理、つまり
別の表現では、目標輝度に到達するまで輝度低下加速条
件にて素子を駆動する処理を各有機ＥＬ素子に対して行
うため、このような急激な輝度低下をスクリーニングす
ることも可能であり、最終製品としての信頼性の向上に
寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子封止体の構成例を
示す図である。

【図２】本発明の実施例１及び２に用いた有機ＥＬ素
子の概略断面を示す図である。

【図３】本発明の実施例１の有機ＥＬ素子の輝度の経
時変化及びフィッティングにより得た式を示す図であ
る。

【図４】本発明の実施例１において用いた素子のエー
ジング処理後の輝度経時変化を示す図である。

【図５】比較例１で用いた有機ＥＬ素子の輝度の経時
変化を示す図である。

【図６】本発明の実施例２で用いた有機ＥＬ素子の輝
度及び電圧の経時変化を示す図である。

【符号の説明】

１０基板（透明基板）、１２陽極（透明電極）、１
４陰極（金属電極）、１６保護膜、２０有機膜、
３０封止キャップ、３２接着剤。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB02 AB11 AB18 BB01 BB04 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA03 FA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機電界発光素子の製造方法において、有機膜の成膜工程と、電極の形成工程と、素子の封止工程と、予め測定した素子の輝度経時変化の測定結果を輝度低下
関数でフィッティングして該輝度低下関数におけるフィ
ッティングパラメータを求め、該求めたフィッティング
パラメータを用い、経験式からエージング処理によって
初期輝度から低下させる目標輝度を求め、該目標輝度ま
で前記素子の輝度が低下するよう前記素子を駆動するエ
ージング工程と、を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項２】有機電界発光素子の製造方法において、有機膜の成膜工程と、電極の形成工程と、素子の封止工
程と、を含む製造工程により素子本体と共にテスト用発
光部を形成し、さらに、前記テスト用発光部における輝度経時変化を測
定し、測定結果を輝度低下関数でフィッティングして該
輝度低下関数におけるフィッティングパラメータを求
め、該求めたフィッティングパラメータを用いて、経験
式からエージング処理によって初期輝度から低下させる
目標輝度を求め、該目標輝度まで前記素子本体の輝度が
低下するよう前記素子を駆動するエージング工程を有す
ることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の有機電界
発光素子の製造方法において、前記エージング工程は、用いた前記有機膜の中で最も低
いガラス転移温度以下かつ５０°Ｃ以上の温度におい
て、素子の初期輝度が１０００〜２００００ｃｄ／ｍ²
を達成する定電流または定電圧供給条件で実行すること
を特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
有機電界発光素子の製造方法において、前記輝度低下関数は、下記式（１）【数１】で表されることを特徴とする有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項５】請求項４に記載の有機電界発光素子の製
造方法において、前記経験式は、下記式（２）【数２】Ｌ₀（１−ａ＋ａA_i ^min）・・・（２）但し、ａは、０．３〜１．２の範囲、 A_i ^minは、式（１）のｋ_iのうち最小のｋ_iを示す項のＡ_i
で表されることを特徴とする有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項６】請求項１〜請求項５のいずれかに記載の
有機電界発光素子の製造方法において、前記エージング工程の条件決定に用いられる前記フィッ
ティングパラメータは、有機膜成膜、電極形成及び素子
封止工程を経て製造され、かつエージング処理前の素子
から、任意に選択した素子又は定期的に選択した素子に
対して測定した前記輝度経時変化の測定結果に基づいて
算出することを特徴とする有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項７】請求項１〜請求項６のいずれかに記載の
有機電界発光素子の製造方法において、前記エージング工程におけるエージング実行条件と同一
条件で素子の輝度経時変化を測定し、前記素子の発光輝
度が、前記目標輝度に到達するまでの時間を測定し、求
めた時間をエージング実行時間とすることを特徴とする
有機電界発光素子の製造方法。