JPH0210693A - 有機薄膜el素子 - Google Patents

有機薄膜el素子

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JPH0210693A
JPH0210693A JP63158141A JP15814188A JPH0210693A JP H0210693 A JPH0210693 A JP H0210693A JP 63158141 A JP63158141 A JP 63158141A JP 15814188 A JP15814188 A JP 15814188A JP H0210693 A JPH0210693 A JP H0210693A
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JP
Japan
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thin film
organic
organic fluorescent
semiconductor thin
transparent
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Pending
Application number
JP63158141A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayasu Ishiko
雅康 石子
Katsumi Tanigaki
勝己 谷垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0210693A publication Critical patent/JPH0210693A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、おもに平面光源やデイスプレィに利用される
有機薄膜EL素子に関するものである。
[従来の技術] 有機物質を原料としたEL(電界発光)素子は、安価な
大面積フルカラー表示素子を実現するものとして注目を
集めている。この有11EL素子は、−時期活発に研究
されたものの、ZnS : Hn系の無機薄膜EL素子
に比べて輝度が低く、特性劣化も激しかったため実用に
到らなかった。また、その駆動電圧がDC100V程度
から数kVと高かったことも実用化への障害になってい
た。
ところが、最近有機薄膜を2層構造にした新しいタイプ
の有機薄膜EL素子が報告され、強い関心を集めている
(アプライド・フィジックス・レターズ、51巻、91
3ページ、 1987年)。報告によれば、この有機薄
膜EL素子は、第3図に示すように、蛍光性金属キレー
ト錯体を有機蛍光体薄膜層34に、アミン系材料を正孔
伝導を示す電荷注入層33に使用して2層構造とし、こ
れを透明電極32および背面電極35で挟むことにより
;明るい緑色発光を17たことが開示されており、6〜
7vの直流電圧印加で数百cd/m2の輝度を得ている
。また、最大発光効率は1.51m/−と、実用レベル
に近い性能を持っている。
[発明が解決しようとする課題] 前述したように、有機蛍光体薄膜と正孔伝導層との2層
構造をした有機薄膜EL素子は、初期特性としては不十
分ながらも一応実用レベルの発光特性を持っているもの
の、発光特性が異常に早く劣化するという問題点があっ
た。例えば、該素子を乾燥アルゴン中で5 mA/cm
2の一定電流で駆動したところ、初期に50cd/m2
であった輝度が、100時間後には15〜20Cd/m
2に低下した。
この間印加電圧は約5Vより14Vに上昇している。こ
の劣化を防止することは、素子製造過程に充分注意して
も、さらに、素子にシールをしても困難であった。
実用化のためには、少なくとも一定電圧印加のもとて輝
度半減時間が1000時間である必要がおり、従来の有
機薄膜El素子はこの点で不十分なものであると共に、
発光輝度や効率も一応実用レベルにあるものの、なおい
っそうの向上が望まれていた。
本発明は、以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、発光特性の劣化の少ない有機薄膜EL素子
を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明は、少なくとも一方が透明である電極間に、有機
蛍光体薄膜層と電子伝導性の半導体薄膜層とを交互に2
層以上積層した構造を有してなることを特徴とする有機
薄膜EL素子である。
本発明は、例えば第3図に示した従来の2層有機薄膜E
L素子において正孔伝導性を示す低分子有機半導体材料
からなる電荷注入層33と、電子伝導性を示し、かつ強
い蛍光を発する金属キレート材料からなる有機蛍光体薄
膜層34とを、それぞれ500人程度積層し、ガラスで
充分にシールをした素子を乾燥アルゴン中でエージング
試験をすると、輝度低下・発光閾値電圧の上昇という劣
化が速い速度で生じるのを改善するためになされたもの
で、有機蛍光体薄膜と電子伝導性の半導体@膜を積層し
た素子構造で前記劣化現象を抑えることを特徴とする。
電子伝導性の半導体薄膜の導入で劣化が大幅に抑止でき
る理由は未だ明確ではないが、おそらく次のようであろ
う。■背面電極およびガラスシール形成時に有機蛍光体
薄膜層が大気にふれ、このとき酸素や湿気を吸着するた
め有機蛍光体の発光効率が低下することと、■マグネシ
ウム等化学的活性の高い金属を使用しているため、電極
界面で電気化学反応が生じていること、および■有機蛍
光体薄膜背面での電子注入効率が低下することなどに由
来している劣化原因が除去できるからであろう。
本発明は、従来の電荷注入電極材料の代りに電子伝導性
の半導体を電子注入層として使用した結果、安定な発光
特性を有する素子が得られたことによっており、ざらに
有機蛍光体薄膜層と電子伝導性半導体薄膜を2層以上積
層することによって発光強度と効率を向上させることが
できる。
電子伝導性の半導体材料としては、無機材料と有機材料
がある。このうち無機半導体材料としては、S i 1
−x cx(0≦X≦1)が実用的に優れていた。非晶
質あるいは微結晶のS + 1−X cxiI膜は大面
積成膜も容易であり、ドーピングによりPN制御するこ
とも簡単である。また、通電や温度による電気特性の変
化も少なく、電極材料との電気化学的反応もない。従来
の素子は電子注入金属材料に依存していたが、本発明に
よる素子はそのような依存性が無いためアルミニウム等
の金属も使用できる。ざらに透光性も優れている。また
、有機蛍光体薄膜を形成後、真空中で連続して電子注入
層を形成することができるため素子形成後のシール工程
を大幅に短縮できる。
無機半導体材料としてはSi1−x Cx以外にCuI
、  CuSやGaAS、 ZnTeなどIII−V、
 II−Vl族化合物をはじめとする、各種N型無機半
導体を使用することができる。
電子伝導性有機半導体材料としては、キノン構造を有す
る化合物、テトラシアノジメタン、テトラシアノエチレ
ン、ペリレン、臭素錯体、TCNQおよびその誘導体等
、電子伝導性のものならば使用することが可能である。
従来の有機薄膜EL素子は直流低駆動電圧という特徴が
あり、また、有機蛍光体材料を使用しているため多色発
光が容易と期待されていたものの、信頼性・寿命が十分
でなかった。本発明では、N型無機あるいは有機半導体
薄膜より安定にキャリアを注入することにより有機薄膜
EL素子の特徴を生かしたまま、従来より大幅に信頼性
を高めた素子を提供することが可能となった。有機蛍光
体薄膜層を形成する材料は強い蛍光を示す有機化合物で
あれば一般に使用することができる。例えば、アルミニ
ウムのキノリンキレート錯体をはじめ、銅、カドミウム
、マグネシウム等のキノリン鏡体や、金属フタロシアニ
ン錯体等や、アントラセン、テトラセン、ナフタセン等
の縮合多環化合物全般とその誘導体が使用できる。
背面電極としては、アルミニウムのほか、マグネシウム
、インジウム、スズ、金、白金や銀が使用可能である。
[実施例] 以下実施例によって本発明の詳細な説明する。
実施例1 第1図に示すように、ガラス基板1上に透明電極2 (
ITO)、有機蛍光体薄膜層3.511−x c。
半導体薄膜層4、背面電極5を順次積層し、シール用カ
バー6をかける。S 11−x cx(0≦X≦1)は
ECRプラズマCVD法で形成した。電気伝導率は10
−3〜101S101S−程度のN型半導体薄膜である
。膜厚は100〜1000人であり、はとんど透明であ
る。有機蛍光体薄膜3の膜厚は50〜i ooo人形酸
形成。ここで使用した材料は蛍光性金属キノリンキレー
ト錯体で、その化学式は次のようである。
背面電極5の材料はアルミニウムで、電子ビーム蒸着で
約2000人形成した。
この素子にITO側を正、アルミニウム側を負として約
10Vの直流電圧を印加することにより、約500Cd
/m2の明るい緑色発光を得ることができた。また定電
圧印加の状態で100時間エージングを行ったところ、
輝度低下は10%程度であり、格段に安定性が向上した
。また、周囲温度が70℃、湿度が60%RHであって
も劣化は非常に少なかった。
発光閾値電圧も従来の素子に比べて低くなっていた。
実施例2 第2図に示すように、ガラス基板21の上に透明電極2
2を形成し、十分に脱脂洗浄する。基板表面にゴミ等が
付着しないように注意しながら、成膜装置に導入する。
その後、有機蛍光体薄膜層23a、 23bとテトラシ
アノエチレン半導体薄膜層24a、 24bを交互に4
層積層した。最後に背面電極25を蒸着して素子が完成
する。
ここで有機蛍光体としては、実施例1と同じトリス(8
−オキシキノリン)アルミニウムを使用した。また電子
伝導性半導体薄膜としてテトラシアノエチレンを使用し
た。それぞれの膜厚は200人、100人であった。
この素子に6■の直流電圧を印加したところ、約500
Cd/m2の発光を示した。このときの電流は約3 m
A/CllI2であった。また定電圧印加の状態で10
0時間エージングを行ったところ、輝度低下は10%程
度であり、格段に安定性が向上した。また、周囲温度が
70’C1湿度が60%RHであっても劣化は非常に少
なかった。発光閾値電圧も従来の素子に比べて低くなっ
ていた。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明による有機薄膜EL素子は
従来の有機薄膜EL素子に比べて、発光特性の劣化が少
なく、即ち発光特性が向上したものであると共に、非常
に安定なものである。また、従来の有機薄膜EL素子に
比べて、低電圧で有効に電子を注入できるようになった
ため、駆動電圧を低くすることができる。例えば、DC
6Vでも実用レベルの輝度が得られる。
このように、本発明により有機簿膜EL素子を実用レベ
ルまで引き上げることができ、安価、かつ大面積のEL
素子を実現するものとしてその工業的価値は高い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
別の一実施例の断面図、第3図は従来の有機薄膜EL素
子の断面図である。 1 、21.31・・・ガラス基板 2.22.32・・・透明電極 3、 23a、  23b、 34・・・有機蛍光体薄
膜層4・・・S’1−x CX半導体薄膜層5、25.
35・・・背面電極 6・・・シール用カバー 24a、24b・・・テトラシアノエチレン半導体薄膜
層 33・・・電荷注入層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に、
    有機蛍光体薄膜層と電子伝導性の半導体薄膜層とを交互
    に2層以上積層した構造を有してなることを特徴とする
    有機薄膜EL素子。
JP63158141A 1988-06-28 1988-06-28 有機薄膜el素子 Pending JPH0210693A (ja)

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