JPH038375A - 電気素子 - Google Patents
電気素子Info
- Publication number
- JPH038375A JPH038375A JP1142081A JP14208189A JPH038375A JP H038375 A JPH038375 A JP H038375A JP 1142081 A JP1142081 A JP 1142081A JP 14208189 A JP14208189 A JP 14208189A JP H038375 A JPH038375 A JP H038375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- metal
- work function
- conductive organic
- type inorganic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 abstract description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 abstract description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 abstract description 2
- -1 paradium Chemical compound 0.000 abstract 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、有機材料を用いた太陽電池、発光素子、トラ
ンジスタ等の電気素子に関するものである。
ンジスタ等の電気素子に関するものである。
[従来の技術]
従来、無機材料を用いていた、太陽電池、発光素子、ト
ランジスタ等に有機材料を適用する試みがなされる様に
なってきた。その理由として、有機材料の半導体特性の
改良、特性の多様化、薄膜化技術の進歩が挙げられる。
ランジスタ等に有機材料を適用する試みがなされる様に
なってきた。その理由として、有機材料の半導体特性の
改良、特性の多様化、薄膜化技術の進歩が挙げられる。
上記素子は1mA/cd以上の電流容量を持つことが望
ましい共通の必要特性を有している。例えば、太陽電池
では、太陽光下で5%以上の変換効率を達成するにはl
O+aA/c−以上の短らく光電流が必要であり、また
、有機EL素子(エレクトロルミネッセンス素子)では
1000cd/ rr?程度の高輝度を得るにはやはり
10aA/C−程度の電流密度が必要である。更にトラ
ンジスタにおいては作動時の電流が大きい方が用途が広
い。
ましい共通の必要特性を有している。例えば、太陽電池
では、太陽光下で5%以上の変換効率を達成するにはl
O+aA/c−以上の短らく光電流が必要であり、また
、有機EL素子(エレクトロルミネッセンス素子)では
1000cd/ rr?程度の高輝度を得るにはやはり
10aA/C−程度の電流密度が必要である。更にトラ
ンジスタにおいては作動時の電流が大きい方が用途が広
い。
以上のように、高い電流容量を有することが上記素子の
実用化にとって必須の技術課題である。
実用化にとって必須の技術課題である。
電荷担体として、正電荷(ホール)と電子があるが、上
記素子ではこの両者が素子の内部を抵抗なく移動する必
要がある。しかし、有機物ではその内部をホール、電子
の両方とも効率よく移動できるものがほとんどないので
電流容量が必要な素子は、電子伝導とホール伝導の層を
別けて行なうような改良が提案されている。
記素子ではこの両者が素子の内部を抵抗なく移動する必
要がある。しかし、有機物ではその内部をホール、電子
の両方とも効率よく移動できるものがほとんどないので
電流容量が必要な素子は、電子伝導とホール伝導の層を
別けて行なうような改良が提案されている。
しかし、それでも移動の際にエネルギー障壁等があると
それが抵抗成分として作用し、電流容量が低下する。こ
の障壁は素子構成上必要な異種材料層の接合部に生成す
る。したがって、上記素子でその機能サイト(太陽電池
では光電荷が生成するサイト)以外の接合部分は電荷移
動に障壁のないオーミック接触である必要がある。
それが抵抗成分として作用し、電流容量が低下する。こ
の障壁は素子構成上必要な異種材料層の接合部に生成す
る。したがって、上記素子でその機能サイト(太陽電池
では光電荷が生成するサイト)以外の接合部分は電荷移
動に障壁のないオーミック接触である必要がある。
しかし、電子移動層とホール移動層を別個に備えた有機
電気素子を用いて高い電流密度を得るという課題を達成
しようと試みた報告を検討すると重大な問題があること
がわかる。それは陰電極(以下陰極という)材料に関す
るものである。
電気素子を用いて高い電流密度を得るという課題を達成
しようと試みた報告を検討すると重大な問題があること
がわかる。それは陰電極(以下陰極という)材料に関す
るものである。
陰極材料として通常、金属が用いられており、有機半導
体とオーミック接触を達成するために仕事関数の小さな
金属が用いられていた。
体とオーミック接触を達成するために仕事関数の小さな
金属が用いられていた。
例えば、太陽電池の場合、特公昭fli2−4871で
は、短らく電流として最高3a+A/cdの例が記載さ
れでいるが、この際に用いられている陰極はAgやIn
である。周知の通り、これらは耐酸化性に乏しい金属で
ある。
は、短らく電流として最高3a+A/cdの例が記載さ
れでいるが、この際に用いられている陰極はAgやIn
である。周知の通り、これらは耐酸化性に乏しい金属で
ある。
また、電界発光の例ではR,H,Partridgeが
ポリビニルカルバゾールを発光材料に用いた例を報告し
ており、この例では[Polymer、24.748(
1983)]陰極にセシウムを用いている。
ポリビニルカルバゾールを発光材料に用いた例を報告し
ており、この例では[Polymer、24.748(
1983)]陰極にセシウムを用いている。
また別の例として、C,W、 Tangが報告している
アルミニウムキノリン錯体とジアミンの複層型素子では
陰極にMg−Ag合金が用いられているが[Appl、
Phys、Lett、、51,913(1987)]こ
れらの金属材料もまた、耐酸化性に乏しい。
アルミニウムキノリン錯体とジアミンの複層型素子では
陰極にMg−Ag合金が用いられているが[Appl、
Phys、Lett、、51,913(1987)]こ
れらの金属材料もまた、耐酸化性に乏しい。
この種の金属でなく、仕事関数の大きなものを陰極材料
として使用できれば、電極の安定性が増し、素子の実用
化が近付くものと考えられる。しかし、直接、これらの
材料を用いると、電流密度が大幅に低下し、素子特性の
低下が起きてしまう。これは、これらの金属を用いると
、電子電導性の有機半導体と金属との間に、電子伝導に
対する障壁が生成するためと考えられる。
として使用できれば、電極の安定性が増し、素子の実用
化が近付くものと考えられる。しかし、直接、これらの
材料を用いると、電流密度が大幅に低下し、素子特性の
低下が起きてしまう。これは、これらの金属を用いると
、電子電導性の有機半導体と金属との間に、電子伝導に
対する障壁が生成するためと考えられる。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、電子伝導性有機半導体を用い、かつ、電流密
度を低下させずに安定な金属を陰極として使用できる素
子を提供しようとするものである。
度を低下させずに安定な金属を陰極として使用できる素
子を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段]
上記課題を達成するため検討した結果、陰極側の構成と
して、仕事関数の大きな金属とそこに連続してn型無機
半導体層及び電子伝導性有機物層が順次重なったもので
あると、大きな電流が安定して得られることが判明した
。
して、仕事関数の大きな金属とそこに連続してn型無機
半導体層及び電子伝導性有機物層が順次重なったもので
あると、大きな電流が安定して得られることが判明した
。
すなわち、本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のと
おりの電気素子である。
おりの電気素子である。
仕事関数の大きな金属と電子伝導性有機物層が直接接す
るとショットキー的接合が生成することがわかった。こ
の接合は、電極から電子伝導性有機層へ電子が移動する
場合や、その逆においてもエネルギー障壁となる様に作
用する。
るとショットキー的接合が生成することがわかった。こ
の接合は、電極から電子伝導性有機層へ電子が移動する
場合や、その逆においてもエネルギー障壁となる様に作
用する。
ここにn型無機半導体を介在させると、n型無機半導体
層のバルク電流容量及びn型無機半導体と電極を接した
ことによる接合電流容量は、電子伝導性有機層のバルク
電流容量よりも大きく、また、n型無機層と電子伝導性
有機層の間はオーミック接触となり、素子全体の電流容
量の低下が生じない。
層のバルク電流容量及びn型無機半導体と電極を接した
ことによる接合電流容量は、電子伝導性有機層のバルク
電流容量よりも大きく、また、n型無機層と電子伝導性
有機層の間はオーミック接触となり、素子全体の電流容
量の低下が生じない。
[実施例]
以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
材料
電極
金、パラジウム、白金、クロム、ニッケル、カーボン等
の仕事関数の高いもの、 n型無機半導体層 n型シリコン結晶、n型a−8iSZnS。
の仕事関数の高いもの、 n型無機半導体層 n型シリコン結晶、n型a−8iSZnS。
ZnO,Zn5e、Cd55CdSe等電子伝導性有機
半導体層 テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、ジ
メチルジクロルベンズキノン、トリニトロフルオレノン
等のアクセプタ化合物、PR179、P82G、P R
189等のペリレン系顔料、PR168、PR177、
PY24等のキノン系顔料、カリウム、ナトリウム等が
ドープされたポリアセチレン、ポリチオフェン等の共役
系高分子 素子構成 上記電極、n型無機半導体層、電子伝導性有機半導体層
は順次積層されており、更にこの上に必要に応じて他の
層及び陽極がある。
半導体層 テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、ジ
メチルジクロルベンズキノン、トリニトロフルオレノン
等のアクセプタ化合物、PR179、P82G、P R
189等のペリレン系顔料、PR168、PR177、
PY24等のキノン系顔料、カリウム、ナトリウム等が
ドープされたポリアセチレン、ポリチオフェン等の共役
系高分子 素子構成 上記電極、n型無機半導体層、電子伝導性有機半導体層
は順次積層されており、更にこの上に必要に応じて他の
層及び陽極がある。
例えば有機太陽電池ではホール移動性有機色素層と電極
がもうけられ、2つの有機物層の界面で光電変換がおこ
なわれる。EL素子では、発光層等が更にもうけられる
。
がもうけられ、2つの有機物層の界面で光電変換がおこ
なわれる。EL素子では、発光層等が更にもうけられる
。
実施例I
ITOガラス上に基板温度的300℃で、導入ガスとし
てアルゴンを用い、DCマグネトロンスパッタ法で酸化
亜鉛を約1300 &の厚さで設けた。
てアルゴンを用い、DCマグネトロンスパッタ法で酸化
亜鉛を約1300 &の厚さで設けた。
更にその上に真空蒸着法で電子伝導性化合物であるペリ
レンテトラカルボン酸メチルイミドを約2000人の厚
さで設け、その上に金を真空蒸着した。ITOと金がな
す面積は0.25cdとした。
レンテトラカルボン酸メチルイミドを約2000人の厚
さで設け、その上に金を真空蒸着した。ITOと金がな
す面積は0.25cdとした。
2つの電極に銀ペーストにてリード線を取り付けた。
この素子のITO側に6 mv/sで掃引される電圧を
印加して、±IVでの電流を測定したところ−IVでの
電流密度[J(−Iv)lとして−1,3X 10’
A / cIiYが得られた。
印加して、±IVでの電流を測定したところ−IVでの
電流密度[J(−Iv)lとして−1,3X 10’
A / cIiYが得られた。
比較例l
ZnOをもうけないこと以外は実施例1と同様に試料を
作製して電流測定をおこなったところJ (1v)
=−7,OX10’A/c−であった。
作製して電流測定をおこなったところJ (1v)
=−7,OX10’A/c−であった。
実施例2
実施例1のペリレン顔料層の厚さを800人とした以外
は実施例1と同様に試料を作製し、電流測定をおこなっ
た。J (−1V) −−2,6X10’A/c−が
得られた。
は実施例1と同様に試料を作製し、電流測定をおこなっ
た。J (−1V) −−2,6X10’A/c−が
得られた。
実施例3
電子伝導性化合物を実施例1のものから下記の化学構造
の化合物にかえ、その厚さを2000 Xとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流Ul定をおこなった
。
の化合物にかえ、その厚さを2000 Xとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流Ul定をおこなった
。
その結果J (−1V) −−2,2X 10−’ A
/ce’が得られた。
/ce’が得られた。
実施例4
電子伝導性化合物を実施例1のものから下記の化学構造
の化合物に変え、その厚さを1300 Xとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流測定をおこなった。
の化合物に変え、その厚さを1300 Xとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流測定をおこなった。
その結果J (−1V ) = −1,5X 10−’
A/c+12が得られた。
A/c+12が得られた。
実施例5
電子伝導性化合物を実施例1のものから下記の化学構造
の化合物に変え、その厚さを1300 Aとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流Apl定をおこなっ
た。
の化合物に変え、その厚さを1300 Aとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流Apl定をおこなっ
た。
その結果J (−1V) =−3,2X 10−’ A
/am2が得られた。
/am2が得られた。
比較例2
ZnOをもうけないこと以外は実施例2と同様に試料を
作製したところ短らくしていた。
作製したところ短らくしていた。
比較例3.4.5
ZnOをもうけないこと以外は実施例3.4.5と同様
に試料を作製し電流7111定をおこなったところ、そ
れぞれ−t、aX to−’ A/cm’ −2,3
XIQ’ A/ctx’ −4,5X 104A/c
s’が得られた。
に試料を作製し電流7111定をおこなったところ、そ
れぞれ−t、aX to−’ A/cm’ −2,3
XIQ’ A/ctx’ −4,5X 104A/c
s’が得られた。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明の電気素子の効
果を要約すると下記のとおりである。
果を要約すると下記のとおりである。
1.電流密度の低下がおこらない。
2、電子伝導性有機半導体層が薄膜でも(薄膜の方が電
流密度が高い。有機層のバルク抵抗で電流が制限されて
いるためと考えられる。)ピンホールによる短らく確率
が低下する。
流密度が高い。有機層のバルク抵抗で電流が制限されて
いるためと考えられる。)ピンホールによる短らく確率
が低下する。
Claims (1)
- 仕事関数の大きな金属、n型無機半導体層、電子伝導
性有機半導体層が順次積層された部分を有することを特
徴とする電気素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01142081A JP3135899B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電気素子 |
US07/477,484 US5006915A (en) | 1989-02-14 | 1990-02-09 | Electric device and photoelectric conversion device comprising the same |
US07/605,489 US5126802A (en) | 1989-02-14 | 1990-12-26 | Electric device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01142081A JP3135899B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電気素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH038375A true JPH038375A (ja) | 1991-01-16 |
JP3135899B2 JP3135899B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=15306996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01142081A Expired - Lifetime JP3135899B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-06-06 | 電気素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3135899B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000001204A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Ecran electroluminescent |
US6180956B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
JP2005033185A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2005045266A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Xerox Corp | n−型半導体を有する装置 |
US7005196B1 (en) | 1998-12-16 | 2006-02-28 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light-emitting devices |
WO2010119503A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
CN102383615A (zh) * | 2011-08-08 | 2012-03-21 | 谢立丰 | 组拼移动式防电防护棚 |
US8212240B2 (en) | 2002-05-02 | 2012-07-03 | Ideal Star Inc. | Line element and method of manufacturing line element |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP01142081A patent/JP3135899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000001204A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Ecran electroluminescent |
US6624571B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-09-23 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Electroluminescent display |
US7005196B1 (en) | 1998-12-16 | 2006-02-28 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light-emitting devices |
US7255939B2 (en) | 1998-12-16 | 2007-08-14 | Cambridge Display Technology Ltd. | Organic light-emitting devices |
US6180956B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US8212240B2 (en) | 2002-05-02 | 2012-07-03 | Ideal Star Inc. | Line element and method of manufacturing line element |
JP2005033185A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2005045266A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Xerox Corp | n−型半導体を有する装置 |
WO2010119503A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JPWO2010119503A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2012-10-22 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
CN102383615A (zh) * | 2011-08-08 | 2012-03-21 | 谢立丰 | 组拼移动式防电防护棚 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3135899B2 (ja) | 2001-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5698048A (en) | Photoresponsive materials | |
US6278055B1 (en) | Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration | |
US6297495B1 (en) | Organic photosensitive optoelectronic devices with a top transparent electrode | |
US6198091B1 (en) | Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration | |
US6198092B1 (en) | Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration | |
US6352777B1 (en) | Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes | |
EP2312648A1 (en) | Organic photosensitive optoelectronic device | |
US20040012018A1 (en) | Organic semiconductor device | |
JP2636341B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
TW201044616A (en) | Enhancement of organic photovoltaic cell open circuit voltage using electron/hole blocking exciton blocking layers | |
US5006915A (en) | Electric device and photoelectric conversion device comprising the same | |
US11205735B2 (en) | Low temperature p-i-n hybrid mesoporous optoelectronic device | |
JPH038375A (ja) | 電気素子 | |
Gregg | Photovoltaic properties of a molecular semiconductor modulated by an exciton‐dissociating film | |
US10090431B2 (en) | System and method for thin film photovoltaic modules and back contact for thin solar cells | |
JP2581165B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
US20230019802A1 (en) | Solar cell | |
Valaski et al. | Photovoltaic devices based on electrodeposited poly (3-methylthiophene) with tin oxide as the transparent electrode | |
CN113488594A (zh) | 基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用 | |
JP4280342B2 (ja) | 電気素子 | |
JP2763619B2 (ja) | 電気素子 | |
US11696456B2 (en) | Solar cell | |
CN216749949U (zh) | 一种基于铋基金属电极的钙钛矿太阳能电池 | |
JPH0210693A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
Siripala | Spectral responses of electrodeposited cuprous oxide thin film electrodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071201 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081201 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081201 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091201 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091201 Year of fee payment: 9 |