JPH038375A - 電気素子 - Google Patents

電気素子

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JPH038375A
JPH038375A JP1142081A JP14208189A JPH038375A JP H038375 A JPH038375 A JP H038375A JP 1142081 A JP1142081 A JP 1142081A JP 14208189 A JP14208189 A JP 14208189A JP H038375 A JPH038375 A JP H038375A
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吉川 雅夫
Tetsuo Suzuki
哲郎 鈴木
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、有機材料を用いた太陽電池、発光素子、トラ
ンジスタ等の電気素子に関するものである。
[従来の技術] 従来、無機材料を用いていた、太陽電池、発光素子、ト
ランジスタ等に有機材料を適用する試みがなされる様に
なってきた。その理由として、有機材料の半導体特性の
改良、特性の多様化、薄膜化技術の進歩が挙げられる。
上記素子は1mA/cd以上の電流容量を持つことが望
ましい共通の必要特性を有している。例えば、太陽電池
では、太陽光下で5%以上の変換効率を達成するにはl
O+aA/c−以上の短らく光電流が必要であり、また
、有機EL素子(エレクトロルミネッセンス素子)では
1000cd/ rr?程度の高輝度を得るにはやはり
10aA/C−程度の電流密度が必要である。更にトラ
ンジスタにおいては作動時の電流が大きい方が用途が広
い。
以上のように、高い電流容量を有することが上記素子の
実用化にとって必須の技術課題である。
電荷担体として、正電荷(ホール)と電子があるが、上
記素子ではこの両者が素子の内部を抵抗なく移動する必
要がある。しかし、有機物ではその内部をホール、電子
の両方とも効率よく移動できるものがほとんどないので
電流容量が必要な素子は、電子伝導とホール伝導の層を
別けて行なうような改良が提案されている。
しかし、それでも移動の際にエネルギー障壁等があると
それが抵抗成分として作用し、電流容量が低下する。こ
の障壁は素子構成上必要な異種材料層の接合部に生成す
る。したがって、上記素子でその機能サイト(太陽電池
では光電荷が生成するサイト)以外の接合部分は電荷移
動に障壁のないオーミック接触である必要がある。
しかし、電子移動層とホール移動層を別個に備えた有機
電気素子を用いて高い電流密度を得るという課題を達成
しようと試みた報告を検討すると重大な問題があること
がわかる。それは陰電極(以下陰極という)材料に関す
るものである。
陰極材料として通常、金属が用いられており、有機半導
体とオーミック接触を達成するために仕事関数の小さな
金属が用いられていた。
例えば、太陽電池の場合、特公昭fli2−4871で
は、短らく電流として最高3a+A/cdの例が記載さ
れでいるが、この際に用いられている陰極はAgやIn
である。周知の通り、これらは耐酸化性に乏しい金属で
ある。
また、電界発光の例ではR,H,Partridgeが
ポリビニルカルバゾールを発光材料に用いた例を報告し
ており、この例では[Polymer、24.748(
1983)]陰極にセシウムを用いている。
また別の例として、C,W、 Tangが報告している
アルミニウムキノリン錯体とジアミンの複層型素子では
陰極にMg−Ag合金が用いられているが[Appl、
Phys、Lett、、51,913(1987)]こ
れらの金属材料もまた、耐酸化性に乏しい。
この種の金属でなく、仕事関数の大きなものを陰極材料
として使用できれば、電極の安定性が増し、素子の実用
化が近付くものと考えられる。しかし、直接、これらの
材料を用いると、電流密度が大幅に低下し、素子特性の
低下が起きてしまう。これは、これらの金属を用いると
、電子電導性の有機半導体と金属との間に、電子伝導に
対する障壁が生成するためと考えられる。
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、電子伝導性有機半導体を用い、かつ、電流密
度を低下させずに安定な金属を陰極として使用できる素
子を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段] 上記課題を達成するため検討した結果、陰極側の構成と
して、仕事関数の大きな金属とそこに連続してn型無機
半導体層及び電子伝導性有機物層が順次重なったもので
あると、大きな電流が安定して得られることが判明した
すなわち、本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のと
おりの電気素子である。
仕事関数の大きな金属と電子伝導性有機物層が直接接す
るとショットキー的接合が生成することがわかった。こ
の接合は、電極から電子伝導性有機層へ電子が移動する
場合や、その逆においてもエネルギー障壁となる様に作
用する。
ここにn型無機半導体を介在させると、n型無機半導体
層のバルク電流容量及びn型無機半導体と電極を接した
ことによる接合電流容量は、電子伝導性有機層のバルク
電流容量よりも大きく、また、n型無機層と電子伝導性
有機層の間はオーミック接触となり、素子全体の電流容
量の低下が生じない。
[実施例] 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
材料 電極 金、パラジウム、白金、クロム、ニッケル、カーボン等
の仕事関数の高いもの、 n型無機半導体層 n型シリコン結晶、n型a−8iSZnS。
ZnO,Zn5e、Cd55CdSe等電子伝導性有機
半導体層 テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、ジ
メチルジクロルベンズキノン、トリニトロフルオレノン
等のアクセプタ化合物、PR179、P82G、P R
189等のペリレン系顔料、PR168、PR177、
PY24等のキノン系顔料、カリウム、ナトリウム等が
ドープされたポリアセチレン、ポリチオフェン等の共役
系高分子 素子構成 上記電極、n型無機半導体層、電子伝導性有機半導体層
は順次積層されており、更にこの上に必要に応じて他の
層及び陽極がある。
例えば有機太陽電池ではホール移動性有機色素層と電極
がもうけられ、2つの有機物層の界面で光電変換がおこ
なわれる。EL素子では、発光層等が更にもうけられる
実施例I ITOガラス上に基板温度的300℃で、導入ガスとし
てアルゴンを用い、DCマグネトロンスパッタ法で酸化
亜鉛を約1300 &の厚さで設けた。
更にその上に真空蒸着法で電子伝導性化合物であるペリ
レンテトラカルボン酸メチルイミドを約2000人の厚
さで設け、その上に金を真空蒸着した。ITOと金がな
す面積は0.25cdとした。
2つの電極に銀ペーストにてリード線を取り付けた。
この素子のITO側に6 mv/sで掃引される電圧を
印加して、±IVでの電流を測定したところ−IVでの
電流密度[J(−Iv)lとして−1,3X 10’ 
A / cIiYが得られた。
比較例l ZnOをもうけないこと以外は実施例1と同様に試料を
作製して電流測定をおこなったところJ  (1v) 
=−7,OX10’A/c−であった。
実施例2 実施例1のペリレン顔料層の厚さを800人とした以外
は実施例1と同様に試料を作製し、電流測定をおこなっ
た。J  (−1V) −−2,6X10’A/c−が
得られた。
実施例3 電子伝導性化合物を実施例1のものから下記の化学構造
の化合物にかえ、その厚さを2000 Xとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流Ul定をおこなった
その結果J (−1V) −−2,2X 10−’ A
/ce’が得られた。
実施例4 電子伝導性化合物を実施例1のものから下記の化学構造
の化合物に変え、その厚さを1300 Xとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流測定をおこなった。
その結果J (−1V ) = −1,5X 10−’
 A/c+12が得られた。
実施例5 電子伝導性化合物を実施例1のものから下記の化学構造
の化合物に変え、その厚さを1300 Aとした以外は
実施例1と同様に試料を作製し電流Apl定をおこなっ
た。
その結果J (−1V) =−3,2X 10−’ A
/am2が得られた。
比較例2 ZnOをもうけないこと以外は実施例2と同様に試料を
作製したところ短らくしていた。
比較例3.4.5 ZnOをもうけないこと以外は実施例3.4.5と同様
に試料を作製し電流7111定をおこなったところ、そ
れぞれ−t、aX to−’ A/cm’  −2,3
XIQ’ A/ctx’  −4,5X 104A/c
s’が得られた。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明の電気素子の効
果を要約すると下記のとおりである。
1.電流密度の低下がおこらない。
2、電子伝導性有機半導体層が薄膜でも(薄膜の方が電
流密度が高い。有機層のバルク抵抗で電流が制限されて
いるためと考えられる。)ピンホールによる短らく確率
が低下する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  仕事関数の大きな金属、n型無機半導体層、電子伝導
    性有機半導体層が順次積層された部分を有することを特
    徴とする電気素子。
JP01142081A 1989-02-14 1989-06-06 電気素子 Expired - Lifetime JP3135899B2 (ja)

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