JPH0485388A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0485388A JPH0485388A JP2197869A JP19786990A JPH0485388A JP H0485388 A JPH0485388 A JP H0485388A JP 2197869 A JP2197869 A JP 2197869A JP 19786990 A JP19786990 A JP 19786990A JP H0485388 A JPH0485388 A JP H0485388A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
（従来の技術）
電界発光を利用したエレクトロルミネッセンス（以下、
ＥＬと略す）素子は、薄型平面デイスプレィ素子、液晶
デイスプレィの背面光源、平面光源などに用いられてい
る。現在、実用に供されているＥＬ素子は、蛍光体を分
散させた発光層に交流電圧を印加して発光させる、いわ
ゆる分散型ＥＬ素子である。分散型ＥＬ素子では、数１
０ｖ１１０ｋＨｚ以上の交流電圧を印加する必要がある
ため、その駆動電源が、ＥＬ素子が組み込まれる小型パ
ーソナルコンピュータなどの電子回路の雑音源となり、
機器の本来の機能を阻害する原因となっている。
ＥＬと略す）素子は、薄型平面デイスプレィ素子、液晶
デイスプレィの背面光源、平面光源などに用いられてい
る。現在、実用に供されているＥＬ素子は、蛍光体を分
散させた発光層に交流電圧を印加して発光させる、いわ
ゆる分散型ＥＬ素子である。分散型ＥＬ素子では、数１
０ｖ１１０ｋＨｚ以上の交流電圧を印加する必要がある
ため、その駆動電源が、ＥＬ素子が組み込まれる小型パ
ーソナルコンピュータなどの電子回路の雑音源となり、
機器の本来の機能を阻害する原因となっている。
近年、発光層材料として有機化合物を用い、１０Ｖ程度
の低い直流電圧で駆動でき、従来の分散型ＥＬ素子と同
等の輝度を有する有機ＥＬ素子が開発され、分散型ＥＬ
素子の欠点を克服できる新たな素子として注目を集めて
いる（ ＣＪ、Ｔａｎｇ ａｎｄＳ、 Ａ、ＶａｎＳｌ
ｙｋｅ、 Ａｐｐｌ 、 Ｐｈｙｓ 、Ｌｅｔｔ、、
、 ｖｏｌ 、 ５１ 、 ｐｐ、９１３−９１５（１
９８７） ；特開昭６３−２６４６２９号公報）。有機
ＥＬ素子においては、発光層に用いる有機化合物を変化
させることにより、発光の色調を変化させることができ
る。特に、分散型ＥＬ素子では困難であった、青色の発
光を得ることも容易である。このように種々の利点を有
するため、有機ＥＬ素子はフルカラー平面デイスプレー
素子として非常に有望である。
の低い直流電圧で駆動でき、従来の分散型ＥＬ素子と同
等の輝度を有する有機ＥＬ素子が開発され、分散型ＥＬ
素子の欠点を克服できる新たな素子として注目を集めて
いる（ ＣＪ、Ｔａｎｇ ａｎｄＳ、 Ａ、ＶａｎＳｌ
ｙｋｅ、 Ａｐｐｌ 、 Ｐｈｙｓ 、Ｌｅｔｔ、、
、 ｖｏｌ 、 ５１ 、 ｐｐ、９１３−９１５（１
９８７） ；特開昭６３−２６４６２９号公報）。有機
ＥＬ素子においては、発光層に用いる有機化合物を変化
させることにより、発光の色調を変化させることができ
る。特に、分散型ＥＬ素子では困難であった、青色の発
光を得ることも容易である。このように種々の利点を有
するため、有機ＥＬ素子はフルカラー平面デイスプレー
素子として非常に有望である。
しかし、有機ＥＬ素子は、寿命が短いという重大な欠点
を持っている。現在のところ、連続的に駆動させて初期
の輝度を維持できる時間は、数１００時間が限度である
。また、平面デイスプレィへ応用する場合、素子の輝度
を向上することも大きな課題である。
を持っている。現在のところ、連続的に駆動させて初期
の輝度を維持できる時間は、数１００時間が限度である
。また、平面デイスプレィへ応用する場合、素子の輝度
を向上することも大きな課題である。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、高輝度で寿命の長い有機ＥＬ素子番提
供することにある。
供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光物
質としてアミノキノリン錯ｔ、％を用いた有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記アミノキノリン錯
体の立体構造かフェイシャル構造とメリジオナル構造と
からなり、フェイシャル構造を有する分子の数がメリジ
オナル構造を有する分子の数よりも多いことを特徴とす
るものである。
質としてアミノキノリン錯ｔ、％を用いた有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記アミノキノリン錯
体の立体構造かフェイシャル構造とメリジオナル構造と
からなり、フェイシャル構造を有する分子の数がメリジ
オナル構造を有する分子の数よりも多いことを特徴とす
るものである。
本発明における有機ＥＬ素子は、透明基板上に、透明導
電膜電極、発光層、及び金属膜電極が順次形成された構
造を有している。透明基板としては例えばガラス基板が
用いられる。透明導電膜電極の材料としては例えばイン
ジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。発光層の
材料としては各種有機化合物が用いられる。発光層の構
成は、正孔輸送層と電子輸送層（狭義の発光層）とを積
層したものが一般的である。金属膜電極の材料としては
各種の金属、合金が用いられる。透明導電膜電極、発光
層、及び金属膜電極は、スパッタリング法や真空蒸着法
（抵抗加熱方式、電子ビーム加熱方式）などの製膜法に
より、形成される。
電膜電極、発光層、及び金属膜電極が順次形成された構
造を有している。透明基板としては例えばガラス基板が
用いられる。透明導電膜電極の材料としては例えばイン
ジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。発光層の
材料としては各種有機化合物が用いられる。発光層の構
成は、正孔輸送層と電子輸送層（狭義の発光層）とを積
層したものが一般的である。金属膜電極の材料としては
各種の金属、合金が用いられる。透明導電膜電極、発光
層、及び金属膜電極は、スパッタリング法や真空蒸着法
（抵抗加熱方式、電子ビーム加熱方式）などの製膜法に
より、形成される。
このような構造を有する有機ＥＬ素子は、１対の電極か
らそれぞれ注入された電子と正孔とか発光層で再結合す
ることによる発光現象を利用した素子であり、動作的に
は発光ダイオードと類似している。
らそれぞれ注入された電子と正孔とか発光層で再結合す
ることによる発光現象を利用した素子であり、動作的に
は発光ダイオードと類似している。
有機ＥＬ素子の発光材料としては、現在知られているも
ののうちでは、下記１式で表わされるアミノキノリン錯
体すなわちトリス（８−キノリツール）アルミニウム（
以下、ＡＦｑ３と略す）か最も実用性が高い。すなわち
、ＡＦｑ３は、成膜性、電気伝導性、発光スペクトルな
ど、有機ＥＬ素子の発光材料に求められる条件を充分に
満たしてい記弐■で示されるメリジオナル構造という２
つの異なる立体構造を持っている。これらの立体構造の
違いか、ＥＬ素子の発光特性、寿命に大きく影響してい
ることが判明した。
ののうちでは、下記１式で表わされるアミノキノリン錯
体すなわちトリス（８−キノリツール）アルミニウム（
以下、ＡＦｑ３と略す）か最も実用性が高い。すなわち
、ＡＦｑ３は、成膜性、電気伝導性、発光スペクトルな
ど、有機ＥＬ素子の発光材料に求められる条件を充分に
満たしてい記弐■で示されるメリジオナル構造という２
つの異なる立体構造を持っている。これらの立体構造の
違いか、ＥＬ素子の発光特性、寿命に大きく影響してい
ることが判明した。
本発明者は、赤外吸収スペクトル、Ｎ Ｍ Ｒスペクト
ルなどの分析手法を用い、ＡΩｑ３の固体薄膜状態にお
ける立体構造を詳細に検討した結果、以下のような結論
に達した。ＡＪ？Ｑ３は、オキシン分子とアルミニウム
との配位状態の違いに応じて、下記式■で示されるフェ
イシャル構造と、下すなわち、フェイシャル構造では、
ＡΩｑ３の対称性か高いため、非発光性遷移の原因とな
る振動モードか少なく、電極から注入された電子と正孔
とが発光性の再結合を行う確率か高い。これに対して、
メリジオナル構造では、フェイシャル構造よりも、非発
光性遷移の原因となる振動モードの数が多い。非発光性
遷移のエネルギーは、熱の形で素子内部に放出され、素
子の発熱をもたらす。
ルなどの分析手法を用い、ＡΩｑ３の固体薄膜状態にお
ける立体構造を詳細に検討した結果、以下のような結論
に達した。ＡＪ？Ｑ３は、オキシン分子とアルミニウム
との配位状態の違いに応じて、下記式■で示されるフェ
イシャル構造と、下すなわち、フェイシャル構造では、
ＡΩｑ３の対称性か高いため、非発光性遷移の原因とな
る振動モードか少なく、電極から注入された電子と正孔
とが発光性の再結合を行う確率か高い。これに対して、
メリジオナル構造では、フェイシャル構造よりも、非発
光性遷移の原因となる振動モードの数が多い。非発光性
遷移のエネルギーは、熱の形で素子内部に放出され、素
子の発熱をもたらす。
素子の発熱は、ＡΩｑ３及び正孔輸送層として用いられ
ている有機化合物の酸化、結晶化による膜構造の変化な
どをもたらし、素子劣化の原因となる。したがって、フ
ェイシャル構造のＡｇｑ３て構成されるＥＬ素子は、メ
リジオナル構造のＡＦＱ３で構成されるＥＬ素子と比較
して、一定の投入エネルギーに対して高い輝度を実現す
ることかできる。逆に、一定輝度の発光条件下では投入
エネルギーか少なくてすむため、素子の発熱に起因する
劣化か少なく、寿命の点ても有利である。
ている有機化合物の酸化、結晶化による膜構造の変化な
どをもたらし、素子劣化の原因となる。したがって、フ
ェイシャル構造のＡｇｑ３て構成されるＥＬ素子は、メ
リジオナル構造のＡＦＱ３で構成されるＥＬ素子と比較
して、一定の投入エネルギーに対して高い輝度を実現す
ることかできる。逆に、一定輝度の発光条件下では投入
エネルギーか少なくてすむため、素子の発熱に起因する
劣化か少なく、寿命の点ても有利である。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
最初に、発光層材料として用いられるフェイシャル構造
を有する分子の数がメリジオナル構造を有する分子の数
よりも多いＡＦＱ３の合成法、及びその同定結果につい
て説明する。
を有する分子の数がメリジオナル構造を有する分子の数
よりも多いＡＦＱ３の合成法、及びその同定結果につい
て説明する。
通常のＡＩＱ３の合成法によりメリジオナル構造を多く
含む（以下、ｍｅｒ−ｒｉｃｈと略す）ＡＮｑ３を合成
した。このｍｅｒ−ｒｉｃｈＡＩ） Ｑ ３ １ ｇを
５０ Ｄｅｃのアセトンに溶解し、３日間還流した。溶
液を濃縮し結晶を生成させた。結晶はｌｌ１ｅｒ−ｒｉ
ｃｈＡＩｑ。
含む（以下、ｍｅｒ−ｒｉｃｈと略す）ＡＮｑ３を合成
した。このｍｅｒ−ｒｉｃｈＡＩ） Ｑ ３ １ ｇを
５０ Ｄｅｃのアセトンに溶解し、３日間還流した。溶
液を濃縮し結晶を生成させた。結晶はｌｌ１ｅｒ−ｒｉ
ｃｈＡＩｑ。
よりも緑色がかっていた。
同定
ＫＨ２−５板上に、蒸着法により、得られた結晶の薄膜
を形成した。この薄膜の遠赤外透過スペクトルを測定し
た結果を第２図に示す。第２図において、４００〜４２
０ｃｍ−’のピークは、Ｅ、Ａ、の振動モードであり、
Ｃ３ｖの対称性を示すフェイシャル構造ＡＩＪｑ３のへ
Ω−〇伸縮振動に帰属される。４４０〜４８０ｃｍ−’
のピークは、Ａ Ｉｘｒ 、Ｂ ２ｘｙ、Ａ１．８の振
動モードであり、Ｃ２，の対称性を示すメリジオナル構
造ＡｆｆｑｓのＡｊｌｌ−０伸縮振動に帰属される。そ
れぞれのピーク比から、このスペクトルは、［ａｃ−ｒ
ｉｃｈＡＩＩｑ ３のもノテあルコとがわかる。
を形成した。この薄膜の遠赤外透過スペクトルを測定し
た結果を第２図に示す。第２図において、４００〜４２
０ｃｍ−’のピークは、Ｅ、Ａ、の振動モードであり、
Ｃ３ｖの対称性を示すフェイシャル構造ＡＩＪｑ３のへ
Ω−〇伸縮振動に帰属される。４４０〜４８０ｃｍ−’
のピークは、Ａ Ｉｘｒ 、Ｂ ２ｘｙ、Ａ１．８の振
動モードであり、Ｃ２，の対称性を示すメリジオナル構
造ＡｆｆｑｓのＡｊｌｌ−０伸縮振動に帰属される。そ
れぞれのピーク比から、このスペクトルは、［ａｃ−ｒ
ｉｃｈＡＩＩｑ ３のもノテあルコとがわかる。
第３図にｍｅｒ−ｒｉｃｈＡｊ？ Ｑ ３とｆａｃ−ｒ
ｉｃｈＡＩｑ３とのプロトンＮＭＲスペクトルを示す。
ｉｃｈＡＩｑ３とのプロトンＮＭＲスペクトルを示す。
いずれも両方の立体構造か混在している試料であるため
、帰属を決定することは困難であるが、ｒａｃ−ｒｉｃ
ｈＡＮｑ３では７．２ｐｐｍ付近に鋭いピークか現われ
る。
、帰属を決定することは困難であるが、ｒａｃ−ｒｉｃ
ｈＡＮｑ３では７．２ｐｐｍ付近に鋭いピークか現われ
る。
ＥＬ素子の作製
第１図に本実施例で作製した直流駆動有機ＥＬ素子の構
造を示す。透明基板１上に、透明導電膜型８ｉｉ２、正
孔輸送層３、電子輸送層４、金属膜電極５か順次積層さ
れてＥＬセルが構成されている。
造を示す。透明基板１上に、透明導電膜型８ｉｉ２、正
孔輸送層３、電子輸送層４、金属膜電極５か順次積層さ
れてＥＬセルが構成されている。
本実施例においては、このようなＥＬセルは以下のよう
にして作製された。
にして作製された。
透明基板としてガラス基板を用い、このガラス基板を有
機溶剤により脱脂洗浄しておいた。透明導電膜電極材料
としてインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を用いた。ガ
ラス基板上に、スパッタリング法により、平均膜厚３０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した。更に、ランプ加熱によ
り、真空中３００℃で３０分間熱処理して、膜抵抗を５
０Ω／口に調整した。
機溶剤により脱脂洗浄しておいた。透明導電膜電極材料
としてインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を用いた。ガ
ラス基板上に、スパッタリング法により、平均膜厚３０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した。更に、ランプ加熱によ
り、真空中３００℃で３０分間熱処理して、膜抵抗を５
０Ω／口に調整した。
正孔輸送層材料としては、下記■式で表わされるジアミ
ン化合物を用いた。ＩＴＯ電極上に、抵抗加熱真空蒸着
法により、膜厚１００ｎａのジアミン化合物の薄膜を形
成した。蒸着時のボート温度は、予備実験により決定さ
れた、ジアミン化合物の熱分解が生じない温度を採用し
た。また、水晶振動子式膜厚モニターにより監視しなが
ら、蒸着ボートに通電する時間を調整することにより、
ジアミン化合物薄膜の膜厚を制御した。
ン化合物を用いた。ＩＴＯ電極上に、抵抗加熱真空蒸着
法により、膜厚１００ｎａのジアミン化合物の薄膜を形
成した。蒸着時のボート温度は、予備実験により決定さ
れた、ジアミン化合物の熱分解が生じない温度を採用し
た。また、水晶振動子式膜厚モニターにより監視しなが
ら、蒸着ボートに通電する時間を調整することにより、
ジアミン化合物薄膜の膜厚を制御した。
電子輸送層材料としては、前述した方法で合成されたｆ
ａｃ−ｒｉｃｈＡＮ Ｑ ３を用いた。正孔輸送層上に
、前記と同様に、抵抗加熱真空蒸着法により、膜厚１０
０ｎａ＋のｆａｃ−ｒｉｃｈ／ｌ Ｑ ３の薄膜を形成
した。
ａｃ−ｒｉｃｈＡＮ Ｑ ３を用いた。正孔輸送層上に
、前記と同様に、抵抗加熱真空蒸着法により、膜厚１０
０ｎａ＋のｆａｃ−ｒｉｃｈ／ｌ Ｑ ３の薄膜を形成
した。
金属膜電極材料としては、Ｍｇ−Ａｇ合金（Ｍｇ／Ａ
ｇ −１／１０）を使用した。この合金のペレットを蒸
発源とし、所定形状のマスクを用いて電子ビーム蒸着法
により、膜厚３００ｎＩ１１、面積４Ｘ４＋＋＋ｍ２の
薄膜電極を形成した。この際、蒸発源を収容したルツボ
には、アルミ製のカバーを設け、電子源であるフィラメ
ント力？らの輻射熱が有機膜に達するのを防止した。
ｇ −１／１０）を使用した。この合金のペレットを蒸
発源とし、所定形状のマスクを用いて電子ビーム蒸着法
により、膜厚３００ｎＩ１１、面積４Ｘ４＋＋＋ｍ２の
薄膜電極を形成した。この際、蒸発源を収容したルツボ
には、アルミ製のカバーを設け、電子源であるフィラメ
ント力？らの輻射熱が有機膜に達するのを防止した。
有機膜及び金属膜電極は、スパッタ槽、抵抗加熱蒸着槽
、電子ビーム蒸着槽を連結した製膜装置を用いて形成し
、一連の工程の間に、素子を外気に触れさせることなく
各真空槽を移動させた。このように素子を外気にさらさ
ないようにすれば、有機層の酸化、膜へのゴミの付着な
ど、素子特性を劣化させる要因を除去する点で有利であ
る。
、電子ビーム蒸着槽を連結した製膜装置を用いて形成し
、一連の工程の間に、素子を外気に触れさせることなく
各真空槽を移動させた。このように素子を外気にさらさ
ないようにすれば、有機層の酸化、膜へのゴミの付着な
ど、素子特性を劣化させる要因を除去する点で有利であ
る。
比較のために、電子輸送層材料として１ｌｅｒ−ｒｊｅ
ｈＡＮｑｉを用いた以外は、前記と全く同様にしてＥＬ
セルを作製した。
ｈＡＮｑｉを用いた以外は、前記と全く同様にしてＥＬ
セルを作製した。
以上のようにして作製された各ＥＬセルについて、気温
２５℃、相対湿度５０％において、ＩＴＯ電極側を正、
金属電極側を負として電圧を印加し、発光特性を測定し
た。測定内容は、ＩＯＶを印加した発光時の電流、輝度
計により測定した電圧印加直後の発光輝度、及び発光輝
度か通電開始時の半分になる時間で定義される寿命であ
る。これらの結果を表１に示す。
２５℃、相対湿度５０％において、ＩＴＯ電極側を正、
金属電極側を負として電圧を印加し、発光特性を測定し
た。測定内容は、ＩＯＶを印加した発光時の電流、輝度
計により測定した電圧印加直後の発光輝度、及び発光輝
度か通電開始時の半分になる時間で定義される寿命であ
る。これらの結果を表１に示す。
表
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、輝度か高く、かつ
寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を得るこ
とかできる。
寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を得るこ
とかできる。
第１図は本発明の実施例における有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の構成を示す図、第２図は本発明の実施例
におけるｆａｃ−ｒｉｃｈＡＩＪ Ｑ ３の遠赤外透過
スペクトルを示す図、第３図は本発明の実施例における
ｆａｃ−ｒｉｃｈＡＮ Ｑ ３及びＩＩｅｒ−ｒｉｃｈ
ＡＮＱ３のプロトンＮＭＲスペクトルを示す図である。 １・・・透明基板、２・・・透明導電膜電極、３・・・
正孔輸送層、４・・・電子輸送層、５・・・金属膜電極
。 ５釧【咲電詩 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
ッセンス素子の構成を示す図、第２図は本発明の実施例
におけるｆａｃ−ｒｉｃｈＡＩＪ Ｑ ３の遠赤外透過
スペクトルを示す図、第３図は本発明の実施例における
ｆａｃ−ｒｉｃｈＡＮ Ｑ ３及びＩＩｅｒ−ｒｉｃｈ
ＡＮＱ３のプロトンＮＭＲスペクトルを示す図である。 １・・・透明基板、２・・・透明導電膜電極、３・・・
正孔輸送層、４・・・電子輸送層、５・・・金属膜電極
。 ５釧【咲電詩 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (1)
- 発光物質としてアミノキノリン錯体を用いた有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、前記アミノキノリ
ン錯体の立体構造がフェイシャル構造とメリジオナル構
造とからなり、フェイシャル構造を有する分子の数がメ
リジオナル構造を有する分子の数よりも多いことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197869A JP2902745B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197869A JP2902745B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485388A true JPH0485388A (ja) | 1992-03-18 |
| JP2902745B2 JP2902745B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16381685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197869A Expired - Fee Related JP2902745B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902745B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04372688A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| WO2003106422A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | BLUE EMITTING TRIS (8-OXOQUINOLINE) ALUMINUM (III) (AlQ3) |
| US7169484B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-01-30 | Eastman Kodak Company | Process for forming a composite including an aluminum trisquinoline complex |
| KR100787757B1 (ko) * | 2004-12-21 | 2007-12-24 | 제일모직주식회사 | 발광재료 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 |
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| JP4564588B1 (ja) * | 2009-08-31 | 2010-10-20 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子 |
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| TW585895B (en) | 1999-09-02 | 2004-05-01 | Nippon Steel Chemical Co | Organic EL material |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP2197869A patent/JP2902745B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP2011068848A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2902745B2 (ja) | 1999-06-07 |
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