JP2712634B2 - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、電気的な発光、すなわちEL（エレクトロル
ミネセンス）を用いたEL素子に関し、更に詳しくは陽
極、正孔注入輸送層、有機電子輸送発光層、陰極の順で
構成される有機薄膜EL素子に関するものである。
ミネセンス）を用いたEL素子に関し、更に詳しくは陽
極、正孔注入輸送層、有機電子輸送発光層、陰極の順で
構成される有機薄膜EL素子に関するものである。
＜従来技術とその問題点＞ 従来のEL素子は、電極間に高抵抗な絶縁層を設けた交
流駆動型のものが主流で、それらは分散型EL素子と薄膜
型EL素子に大きく分類される。分散型EL素子の構造は、
樹脂バインダー中に分散させた高誘導率のチタン酸バリ
ウム等の粉末を背面電極としてなるアルミ箔上に数10μ
ｍの厚さにコーティングして絶縁層とし、その上に樹脂
バインダー中に分散した硫化亜鉛系の発光体層を設け、
更にその上に透明電極を積層したものである。この型の
素子は、安価で大面積、厚さ1mm以下の面発光体を得ら
れ、液晶表示装置用バックライト等の用途があるが、輝
度が低下しやすい。
流駆動型のものが主流で、それらは分散型EL素子と薄膜
型EL素子に大きく分類される。分散型EL素子の構造は、
樹脂バインダー中に分散させた高誘導率のチタン酸バリ
ウム等の粉末を背面電極としてなるアルミ箔上に数10μ
ｍの厚さにコーティングして絶縁層とし、その上に樹脂
バインダー中に分散した硫化亜鉛系の発光体層を設け、
更にその上に透明電極を積層したものである。この型の
素子は、安価で大面積、厚さ1mm以下の面発光体を得ら
れ、液晶表示装置用バックライト等の用途があるが、輝
度が低下しやすい。
薄膜EL素子は、ガラス板に酸化インジウム錫（以後、
ITO）等を被覆した透明電極基板上に、絶縁層としてス
パッタリング法等により酸化イットリウム等の誘導体薄
膜層を数千Å形成し、その上にZnS系、ZnSe系、SrS系、
CaS系等の蛍光体薄膜を電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ法等で数千Å程度積層し、さらに誘電体薄膜層、アル
ミ等の背面電極の順に積層された構造になっている。電
極間の膜厚は１〜２μｍ以下である。薄膜型EL素子は長
寿命で高精細な表示が可能でポータブル型コンピュータ
用ディスプレイ等の用途に適しているが高価である。
ITO）等を被覆した透明電極基板上に、絶縁層としてス
パッタリング法等により酸化イットリウム等の誘導体薄
膜層を数千Å形成し、その上にZnS系、ZnSe系、SrS系、
CaS系等の蛍光体薄膜を電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ法等で数千Å程度積層し、さらに誘電体薄膜層、アル
ミ等の背面電極の順に積層された構造になっている。電
極間の膜厚は１〜２μｍ以下である。薄膜型EL素子は長
寿命で高精細な表示が可能でポータブル型コンピュータ
用ディスプレイ等の用途に適しているが高価である。
どちらの型のEL素子の場合も十分な輝度を得るために
は100V以上の交流高電圧を要する。例えば、電池でEL素
子を発光させる際には昇圧トランスを要するためEL素子
が1mm以下の薄型であっても組み込まれた機器全体の厚
さを薄くするのは困難であった。
は100V以上の交流高電圧を要する。例えば、電池でEL素
子を発光させる際には昇圧トランスを要するためEL素子
が1mm以下の薄型であっても組み込まれた機器全体の厚
さを薄くするのは困難であった。
そこで近年、昇圧トランス等の不要な低電圧直流駆動
のEL素子を目指した研究が行われており、その一つとし
て有機薄膜EL素子の研究が行われている。
のEL素子を目指した研究が行われており、その一つとし
て有機薄膜EL素子の研究が行われている。
特開昭57−51781号公報、ジャパニーズ・ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス第25巻第９号773頁
（1986年）、アプライド・フィジィックス・レター第51
巻第12号913頁（1987年）、ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス第65巻第９号3610頁（1989年）等に
よれば、従来、この種の有機薄膜EL素子は、以下のよう
に作られている。まず、ガラス等の透明絶縁体（１）上
に蒸着又はスパッタリング法等で形成した金やITOの透
明導電性被膜（２）上に、まず正孔注入輸送層（３）と
して銅フタロシアニン、ポリ３−メチルチオフェン、又
は式（２）で示される 1,1−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シ
クロヘキサン、式（３）で示される N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミン等のテトラ
フェニルジアミン誘導体の層を蒸着や電解重合法等で１
μｍ程度以下の厚さに単層又は積層して形成する。
・オブ・アプライド・フィジックス第25巻第９号773頁
（1986年）、アプライド・フィジィックス・レター第51
巻第12号913頁（1987年）、ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス第65巻第９号3610頁（1989年）等に
よれば、従来、この種の有機薄膜EL素子は、以下のよう
に作られている。まず、ガラス等の透明絶縁体（１）上
に蒸着又はスパッタリング法等で形成した金やITOの透
明導電性被膜（２）上に、まず正孔注入輸送層（３）と
して銅フタロシアニン、ポリ３−メチルチオフェン、又
は式（２）で示される 1,1−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シ
クロヘキサン、式（３）で示される N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミン等のテトラ
フェニルジアミン誘導体の層を蒸着や電解重合法等で１
μｍ程度以下の厚さに単層又は積層して形成する。
次に正孔注入輸送層上に、テトラフェニルブタジエ
ン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロペ
リノン誘導体、トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム等の有機蛍光体を蒸着、又は樹脂バインダー中に分散
させてコーティングすることにより電子輸送発光層
（４）を0.1μｍ程度以下の厚さで形成する。最後に、
その上に陰極（５）として銀、インジウム、アルミニウ
ム、マグネシウム等の単体金属、又は合金を蒸着する。
ン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロペ
リノン誘導体、トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム等の有機蛍光体を蒸着、又は樹脂バインダー中に分散
させてコーティングすることにより電子輸送発光層
（４）を0.1μｍ程度以下の厚さで形成する。最後に、
その上に陰極（５）として銀、インジウム、アルミニウ
ム、マグネシウム等の単体金属、又は合金を蒸着する。
以上のように作られた素子は、電源（６）にリード線
（７）で接続し、透明電極側を陽極として20〜30V以下
の直流低電圧を印加することにより発光層に正孔と電子
が注入され、その再結合により発光する。
（７）で接続し、透明電極側を陽極として20〜30V以下
の直流低電圧を印加することにより発光層に正孔と電子
が注入され、その再結合により発光する。
しかし、この種の有機薄膜EL素子は、10V程度の低電
圧100cd/m2以上の高輝度で発光されるためには各層の有
機薄膜を0.1μｍ程度以下に形成する必要がある。そこ
で蒸着法で形成する場合の正孔注入輸送材料としては、
素子の絶縁破壊を防ぐため、トリフェニルアミンのよう
な結晶性の物質は使えず、（２）式、（３）式で表した
ような非品質で平滑な膜を形成できるテトラフェニルジ
アミン誘導体が主に用いられてきた。
圧100cd/m2以上の高輝度で発光されるためには各層の有
機薄膜を0.1μｍ程度以下に形成する必要がある。そこ
で蒸着法で形成する場合の正孔注入輸送材料としては、
素子の絶縁破壊を防ぐため、トリフェニルアミンのよう
な結晶性の物質は使えず、（２）式、（３）式で表した
ような非品質で平滑な膜を形成できるテトラフェニルジ
アミン誘導体が主に用いられてきた。
電子輸送発光層も、平滑な膜を形成し、強い蛍光を有
するトリス（８−キノリノール）アルミニウムのような
材料が望ましいが、平滑な膜を形成する正孔注入輸送層
と組み合わせることにより、多結晶性で多少凹凸を生じ
る蛍光体層を用いてもEL素子の絶縁破壊を防ぐことがで
きる。
するトリス（８−キノリノール）アルミニウムのような
材料が望ましいが、平滑な膜を形成する正孔注入輸送層
と組み合わせることにより、多結晶性で多少凹凸を生じ
る蛍光体層を用いてもEL素子の絶縁破壊を防ぐことがで
きる。
以上に述べたように、有機薄膜EL素子用正孔注入輸送
材料としては、蒸着法により平滑な膜を形成でき、正孔
輸送能力の優れた化合物が必要である。
材料としては、蒸着法により平滑な膜を形成でき、正孔
輸送能力の優れた化合物が必要である。
しかし、現在のところ、高輝度の有機薄膜EL素子に使
える正孔注入輸送材料は銅フタロシアニン、無金属フタ
ロシアニン、および数種のテトラフェニルジアミン誘導
体以外知られておらず、より優れた発光輝度、寿命を与
える有機薄膜EL素子用正孔注入輸送材料を分子設計する
ための知見を得る上でも、従来のものと異なる構造で、
かつ成膜性の良い正孔注入輸送材料が求められていた。
える正孔注入輸送材料は銅フタロシアニン、無金属フタ
ロシアニン、および数種のテトラフェニルジアミン誘導
体以外知られておらず、より優れた発光輝度、寿命を与
える有機薄膜EL素子用正孔注入輸送材料を分子設計する
ための知見を得る上でも、従来のものと異なる構造で、
かつ成膜性の良い正孔注入輸送材料が求められていた。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明は、高輝度EL発光を実現した正孔注入輸送材料
の種類が少ない現状を鑑みて、0.1μｍ以下の平滑な蒸
着膜を形成でき、絶縁破壊しにくい高輝度有機薄膜EL素
子を実現するための新規な正孔注入輸送材料を提供する
ことを目的としてなされたものである。
の種類が少ない現状を鑑みて、0.1μｍ以下の平滑な蒸
着膜を形成でき、絶縁破壊しにくい高輝度有機薄膜EL素
子を実現するための新規な正孔注入輸送材料を提供する
ことを目的としてなされたものである。
＜課題を解決するための手段＞ すなわち、本発明は、陽極、正孔注入輸送層、有機電
子輸送発光層、陰極の順で構成される有機薄膜EL素子に
おいて、該正孔注入輸送層に、式（１）で示されるパラ
−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−トリルアニリ
ン（以下単にANTAという）を用いることを特徴とする有
機薄膜EL素子である。
子輸送発光層、陰極の順で構成される有機薄膜EL素子に
おいて、該正孔注入輸送層に、式（１）で示されるパラ
−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−トリルアニリ
ン（以下単にANTAという）を用いることを特徴とする有
機薄膜EL素子である。
＜作用＞ 有機薄膜EL素子に用いる正孔注入輸送材料の正孔移動
度をできるだけ大きくするためには、次の条件を満たす
ことが重要であると考えられる。
度をできるだけ大きくするためには、次の条件を満たす
ことが重要であると考えられる。
1.隣接分子間においてダイマートラップラジカルイオン
のような正孔の構造的トラップを形成し難い非平面構造
の化合物であること。
のような正孔の構造的トラップを形成し難い非平面構造
の化合物であること。
2.分子中にＮ−フェニル基等の正孔注入輸送単位を多く
含む化合物であること。
含む化合物であること。
また、平滑な蒸着膜を形成するためには、微結晶状
態、もしくはアモルファス状態に蒸着されることが重要
で、そのためには分子構造が非平面的であり、かつ立体
障害により分子間の重なりを防ぎ結晶成長を妨げる置換
基が導入されることが重要であると考えられる。
態、もしくはアモルファス状態に蒸着されることが重要
で、そのためには分子構造が非平面的であり、かつ立体
障害により分子間の重なりを防ぎ結晶成長を妨げる置換
基が導入されることが重要であると考えられる。
本発明では、非平面構造を持つトリフェニルアミンを
骨格とし、蒸着膜の結晶化をう防ぐために３つのフェニ
ル基のパラ位のうち２つにメチル基を、ひとつに９−ア
ントリル基を導入したANTAを有機薄膜EL素子の正孔注入
輸送材料として用いることにより、平滑な正孔注入輸送
層を形成できるようにしたものである。
骨格とし、蒸着膜の結晶化をう防ぐために３つのフェニ
ル基のパラ位のうち２つにメチル基を、ひとつに９−ア
ントリル基を導入したANTAを有機薄膜EL素子の正孔注入
輸送材料として用いることにより、平滑な正孔注入輸送
層を形成できるようにしたものである。
＜発明の詳述＞ 以下、本発明における有機薄膜EL素子を陽極から順に
構成する場合について説明するが、同様の構成を陰極か
ら構成することもできる。（第１図参照） 陽極（２）は、ガラス等の透明絶縁体（１）上にITO
や酸化亜鉛アルミニウムのような透明導電物質を蒸着や
スパッタ等で被覆した表面抵抗10〜50Ω／平方、可視光
線透過率80％以上の透明電極、又は金を薄く蒸着した半
透明電極が望ましい。
構成する場合について説明するが、同様の構成を陰極か
ら構成することもできる。（第１図参照） 陽極（２）は、ガラス等の透明絶縁体（１）上にITO
や酸化亜鉛アルミニウムのような透明導電物質を蒸着や
スパッタ等で被覆した表面抵抗10〜50Ω／平方、可視光
線透過率80％以上の透明電極、又は金を薄く蒸着した半
透明電極が望ましい。
しかし、別の場合には、陽極（２）は不透明で、発光
層（４）へ正孔注入し易い仕事関数の大きい金属、好ま
しくは金、ニッケル等の板、又はそれらの金属の絶縁体
（１）の板上に被覆した陽極（２）を用い、陰極を透明
電極又は半透明電極とすることもできる。陰極（５）も
不透明であれば発光層（４）の少なくとも一端が透明で
ある必要がある。
層（４）へ正孔注入し易い仕事関数の大きい金属、好ま
しくは金、ニッケル等の板、又はそれらの金属の絶縁体
（１）の板上に被覆した陽極（２）を用い、陰極を透明
電極又は半透明電極とすることもできる。陰極（５）も
不透明であれば発光層（４）の少なくとも一端が透明で
ある必要がある。
次に透明な陽極（12）上に正孔注入輸送層（３）を形
成するが、正孔注入輸送材料の好ましい条件は、酸化還
元に対して安定で正孔移動度が大、イオン化エネルギー
が陽極材料と発光材料の中間にあり、成膜性が良く、少
なくとも発光層材料の蛍光波長領域において実質的に透
明である必要があり、本発明においては、ANTAを単層
で、またはテトラフェニルジアミン誘導体等と積層して
使用する。テトラフェニルジアミン誘導体の代表的な材
料としては、１、１−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミ
ノフェニル）シクロヘキサン、N,N′−ジフェニル−N,
N′−ビス（３−メチルフェニル）−1,1′−ビフェニル
−4,4′−ジアミン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス
（パラ−トリル）−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラ（パラ−トリル）−4,4′−ジ
アミノビフェニル等があげられるが、上記例に特に限定
されるものではない。
成するが、正孔注入輸送材料の好ましい条件は、酸化還
元に対して安定で正孔移動度が大、イオン化エネルギー
が陽極材料と発光材料の中間にあり、成膜性が良く、少
なくとも発光層材料の蛍光波長領域において実質的に透
明である必要があり、本発明においては、ANTAを単層
で、またはテトラフェニルジアミン誘導体等と積層して
使用する。テトラフェニルジアミン誘導体の代表的な材
料としては、１、１−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミ
ノフェニル）シクロヘキサン、N,N′−ジフェニル−N,
N′−ビス（３−メチルフェニル）−1,1′−ビフェニル
−4,4′−ジアミン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス
（パラ−トリル）−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラ（パラ−トリル）−4,4′−ジ
アミノビフェニル等があげられるが、上記例に特に限定
されるものではない。
これらの化合物を用いた正孔注入輸送層（３）の成膜
は、透明電極の陽極（２）上に主に蒸着により形成され
るが、ポリエステル、ポリカーボネート等の樹脂中に、
分散させてスピンコート等の方法でコーティングするこ
とによって形成することも可能である。
は、透明電極の陽極（２）上に主に蒸着により形成され
るが、ポリエステル、ポリカーボネート等の樹脂中に、
分散させてスピンコート等の方法でコーティングするこ
とによって形成することも可能である。
正孔注入輸送層（３）の膜厚は、単層または積層によ
り形成する場合においても１μｍ以下であり、好ましく
は0.05〜0.1μｍである。
り形成する場合においても１μｍ以下であり、好ましく
は0.05〜0.1μｍである。
次に正孔注入輸送層（３）上に、電子輸送発光層
（４）を形成するが、電子輸送発光層（４）に用いる蛍
光体は、可視領域に蛍光を有し、適当な方法で成膜でき
る任意の蛍光体が可能である。例えば、アントラセン、
サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、テトラフ
ェニルブタジエン、9,10−ビス（フェニルエーテル）ア
ントラセン、トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム、ビス（８−キノリノール）亜鉛、トリス（５−オク
チルオキシメチル−８−キノリノール）アルミニウム錯
体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛
およびカドミウム錯体等があげられる。
（４）を形成するが、電子輸送発光層（４）に用いる蛍
光体は、可視領域に蛍光を有し、適当な方法で成膜でき
る任意の蛍光体が可能である。例えば、アントラセン、
サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、テトラフ
ェニルブタジエン、9,10−ビス（フェニルエーテル）ア
ントラセン、トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム、ビス（８−キノリノール）亜鉛、トリス（５−オク
チルオキシメチル−８−キノリノール）アルミニウム錯
体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛
およびカドミウム錯体等があげられる。
電子輸送発光層（４）中の蛍光体は、発光波長を変え
るために２種類以上の蛍光体を混合するか、他種類の蛍
光体の発光層を２層以上積層してもよく、そのうちの一
方は赤外域または紫外域に蛍光を示すものであってもよ
い。
るために２種類以上の蛍光体を混合するか、他種類の蛍
光体の発光層を２層以上積層してもよく、そのうちの一
方は赤外域または紫外域に蛍光を示すものであってもよ
い。
電子輸送発光層（４）の成膜方法は、蒸着法、累積膜
法、又は適当な樹脂バインダー中に分散させてスピンコ
ートなどの方法でコーティングすることにより行なわれ
る。
法、又は適当な樹脂バインダー中に分散させてスピンコ
ートなどの方法でコーティングすることにより行なわれ
る。
電子輸送発光層（４）の膜厚は、単層または積層によ
り形成する場合においても１μｍ以下であり、好ましく
は0.05〜0.1μｍである。
り形成する場合においても１μｍ以下であり、好ましく
は0.05〜0.1μｍである。
最後に陰極（５）を電子輸送発光層（４）上に形成す
る。陰極（５）は電子を放出しやすい低仕事関数の金属
がふさわしく、アルミニウム、銀、インジウム、マグネ
シウム、エルビウム等が単体で又はそれらの合金が蒸
着、スパッタリング等の方法で発光層（４）上に形成さ
れる。
る。陰極（５）は電子を放出しやすい低仕事関数の金属
がふさわしく、アルミニウム、銀、インジウム、マグネ
シウム、エルビウム等が単体で又はそれらの合金が蒸
着、スパッタリング等の方法で発光層（４）上に形成さ
れる。
以上のように構成した有機薄膜EL素子は、正孔注入輸
送層側を正として直流電圧を印加することにより発光す
るが、交流電圧を印加した場合にも正孔注入輸送層
（３）側の電極が正に電圧印加されている間は発光す
る。
送層側を正として直流電圧を印加することにより発光す
るが、交流電圧を印加した場合にも正孔注入輸送層
（３）側の電極が正に電圧印加されている間は発光す
る。
＜実施例１＞ 以下、本発明のEL素子の実施例を第１図に従って、説
明する。まず、透明絶縁体（１）として、厚さ1.1mmの
ガラス板を用い、この上にITOを被覆して陽極（２）と
した。この透明導電圧ガラス基板をアルコールで洗浄
後、約400℃で10分間加熱し脱脂を行った。次に正孔注
入輸送層（３）として、ANTAを750Å蒸着した。次に、
電子輸送発光層（４）としてトリス（８−キノリノー
ル）アルミニウムを500Å蒸着し、その上面にマグネシ
ウム銀合金を陰極（５）として約2000Å蒸着した。
明する。まず、透明絶縁体（１）として、厚さ1.1mmの
ガラス板を用い、この上にITOを被覆して陽極（２）と
した。この透明導電圧ガラス基板をアルコールで洗浄
後、約400℃で10分間加熱し脱脂を行った。次に正孔注
入輸送層（３）として、ANTAを750Å蒸着した。次に、
電子輸送発光層（４）としてトリス（８−キノリノー
ル）アルミニウムを500Å蒸着し、その上面にマグネシ
ウム銀合金を陰極（５）として約2000Å蒸着した。
この素子は、7V以上の直流電圧を印加することにより
黄緑色の安定な面発光をした。最高輝度は21Vにおいて9
30cd/m2であった。
黄緑色の安定な面発光をした。最高輝度は21Vにおいて9
30cd/m2であった。
＜実施例２＞ 実施例１と同様に処理を行った陽極（２）上にテトラ
フェニルジアミン誘導体層として、N,N′−ジフェニル
−N,N′−ビス（３−メチルフェニル）−1,1′−ビフェ
ニル−4,4′−ジアミンを500Å蒸着した。次にANTA層を
150Å蒸着し、次に電子輸送発光層（４）として、トリ
ス（８−キノリノール）アルミニウムを500Å蒸着し、
その上面にマグネシウム銀合金を陰極（５）として約20
00Å蒸着した。
フェニルジアミン誘導体層として、N,N′−ジフェニル
−N,N′−ビス（３−メチルフェニル）−1,1′−ビフェ
ニル−4,4′−ジアミンを500Å蒸着した。次にANTA層を
150Å蒸着し、次に電子輸送発光層（４）として、トリ
ス（８−キノリノール）アルミニウムを500Å蒸着し、
その上面にマグネシウム銀合金を陰極（５）として約20
00Å蒸着した。
この素子は、7Vの以上の直流電圧を印加することによ
り緑色の安定な面発光をした。最高輝度は25Vにおいて1
360cd/m2であった。
り緑色の安定な面発光をした。最高輝度は25Vにおいて1
360cd/m2であった。
＜実施例３＞ 実施例１と同様に処理を行った陽極（２）上にANTA層
を350Å蒸着し、次にテトラフェニルジアミン層とし
て、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス（３−メチルフェ
ニル）−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミンを350Å
蒸着した。次に電子輸送発光層（４）として、トリス
（８−キノリノール）アルミニウムを425Å蒸着し、そ
の上面にマグネシウム銀合金を陰極（５）として約2000
Å蒸着した。
を350Å蒸着し、次にテトラフェニルジアミン層とし
て、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス（３−メチルフェ
ニル）−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミンを350Å
蒸着した。次に電子輸送発光層（４）として、トリス
（８−キノリノール）アルミニウムを425Å蒸着し、そ
の上面にマグネシウム銀合金を陰極（５）として約2000
Å蒸着した。
この素子は、7Vの以上の直流電圧を印加することによ
り緑色の安定な面発光をした。最高輝度は23Vにおいて1
200cd/m2であった。
り緑色の安定な面発光をした。最高輝度は23Vにおいて1
200cd/m2であった。
また、使用したANTAの赤外線吸収スペクトル（KBr錠
剤法）を第２図に示し、石英ガラス上に1100Åの厚さに
蒸着した薄膜の吸収スペクトルを第３図に示す。
剤法）を第２図に示し、石英ガラス上に1100Åの厚さに
蒸着した薄膜の吸収スペクトルを第３図に示す。
＜発明の効果＞ 以上述べた様に有機薄膜EL素子の正孔注入輸送層とし
てパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−トリル
アニリンを用いることにより、絶縁破壊しにくい平滑な
蒸着膜が得られ、高輝度の有機薄膜EL素子を得るのに効
果がある。
てパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−トリル
アニリンを用いることにより、絶縁破壊しにくい平滑な
蒸着膜が得られ、高輝度の有機薄膜EL素子を得るのに効
果がある。
第１図は電源に連結された本発明の有機薄膜EL素子の一
実施例を示す図である。 第２図はパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−
トリルアニリンの赤外吸収スペクトルである。 第３図はパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−
トリルアニリン蒸着膜の吸収スペクトルである。 １……透明絶縁体、２……陽極 ３……正孔注入輸送層、４……電子輸送発光層 ５……陰極、６……電源、７……リード線
実施例を示す図である。 第２図はパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−
トリルアニリンの赤外吸収スペクトルである。 第３図はパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−
トリルアニリン蒸着膜の吸収スペクトルである。 １……透明絶縁体、２……陽極 ３……正孔注入輸送層、４……電子輸送発光層 ５……陰極、６……電源、７……リード線
Claims (3)
- 【請求項１】陽極、正孔注入輸送層、有機電子輸送発光
層、陰極の順で構成される有機薄膜EL素子において、該
正孔注入輸送層が、式（１）で示されるパラ−（９−ア
ントリル）−N,N−ジ−パラ−トリルアニリンからなる
ことを特徴とする有機薄膜EL素子。 - 【請求項２】正孔注入輸送層が、陽極側に接するテトラ
フェニルジアミン誘導体層と有機電子輸送発光層に接す
るパラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−トリル
アニリン）層の２層からなることを特徴とする請求項
（１）記載の有機薄膜EL素子。 - 【請求項３】該正孔注入輸送層が、該陽極側に接するパ
ラ−（９−アントリル）−N,N−ジ−パラ−トリルアニ
リン）層と該有機電子輸送発光層に接するテトラフェニ
ルジアミン誘導体層の２層からなることを特徴とする請
求項（１）記載の有機薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24971189A JP2712634B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24971189A JP2712634B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111485A JPH03111485A (ja) | 1991-05-13 |
| JP2712634B2 true JP2712634B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=17197064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24971189A Expired - Lifetime JP2712634B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712634B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465115B2 (en) * | 1998-12-09 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP24971189A patent/JP2712634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03111485A (ja) | 1991-05-13 |
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