JPH0419993A - 有機薄膜発光素子とその製造方法 - Google Patents
有機薄膜発光素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0419993A JPH0419993A JP2119779A JP11977990A JPH0419993A JP H0419993 A JPH0419993 A JP H0419993A JP 2119779 A JP2119779 A JP 2119779A JP 11977990 A JP11977990 A JP 11977990A JP H0419993 A JPH0419993 A JP H0419993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- work function
- light emitting
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WISWLZYHZLVSMO-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-2-(4-phenylphenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2OC3=CC(=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WISWLZYHZLVSMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MASVCBBIUQRUKL-UHFFFAOYSA-N POPOP Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2OC(=CN=2)C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 MASVCBBIUQRUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical class C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- -1 polysilylene Polymers 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は平面光源やデイスプレィに使用される有機薄膜
発光素子とその製造方法に関するものである。
発光素子とその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
有機物質を原料とした電界発光素子は、その豊富な材料
数と分子レベルの合成技術で、安価な大面積フィルム状
フルカラー表示素子を実現するものとして注目を集めて
いる。例えばアントラセンやペリレン等の縮合多環芳香
族系を原料としてLB法や真空蒸着法等で薄膜化した直
流駆動の有機薄膜発光素子が製造され、その発光特性が
研究されている。
数と分子レベルの合成技術で、安価な大面積フィルム状
フルカラー表示素子を実現するものとして注目を集めて
いる。例えばアントラセンやペリレン等の縮合多環芳香
族系を原料としてLB法や真空蒸着法等で薄膜化した直
流駆動の有機薄膜発光素子が製造され、その発光特性が
研究されている。
ざらに、最近有機薄膜を2層構造にした新しいタイプの
有機薄膜発光素子が報告され、強い関心を集めている(
アプライド・フィジックス・レターズ、51巻、913
ページ、1987年)。報告によれば、第4図に示すよ
うに、強い蛍光を発する金属キレート化合物を発光層4
4に、アミン系材料を正孔伝導性有機物の正孔注入層4
3に使用し、これらをガラス基板41上に形成された透
明電極42と金属電極45との間に挿入することにより
、明るい緑色発光を1qたことか開示されており、6〜
7Vの直流印加で約100 cd/m2の輝度を得てい
る。
有機薄膜発光素子が報告され、強い関心を集めている(
アプライド・フィジックス・レターズ、51巻、913
ページ、1987年)。報告によれば、第4図に示すよ
うに、強い蛍光を発する金属キレート化合物を発光層4
4に、アミン系材料を正孔伝導性有機物の正孔注入層4
3に使用し、これらをガラス基板41上に形成された透
明電極42と金属電極45との間に挿入することにより
、明るい緑色発光を1qたことか開示されており、6〜
7Vの直流印加で約100 cd/m2の輝度を得てい
る。
この有機薄膜発光素子は、簡便な真空蒸着法と100℃
以下の低混成膜プロセスで製造でき、かつ赤から青まで
の発光素子を安価に提供できる可能性を秘めている。
以下の低混成膜プロセスで製造でき、かつ赤から青まで
の発光素子を安価に提供できる可能性を秘めている。
[発明が解決しようとする課題1
しかしながら、第4図に示したような構造をもつ有機薄
膜発光素子の印加電圧に対する発光特性は、電圧印加時
間と共に高電圧側にシフトするという現象があり、この
現象は、有機材料を取り替えても観測され、素子構造や
製造プロセス自体に原因があると考えられている。この
ような素子の駆動と共に発光特性が変化してしまう現象
は、次のような問題を引き起こしている。即ち、発光閾
値電圧の上昇は、容易な駆動法である定電圧駆動を困難
にし、更に発光効率の低下をIBいていた。
膜発光素子の印加電圧に対する発光特性は、電圧印加時
間と共に高電圧側にシフトするという現象があり、この
現象は、有機材料を取り替えても観測され、素子構造や
製造プロセス自体に原因があると考えられている。この
ような素子の駆動と共に発光特性が変化してしまう現象
は、次のような問題を引き起こしている。即ち、発光閾
値電圧の上昇は、容易な駆動法である定電圧駆動を困難
にし、更に発光効率の低下をIBいていた。
また、輝度低下を補償するために駆動電圧を上げること
は、素子発光効率、絶縁破壊、発熱による素子劣化の加
速を招いていた。
は、素子発光効率、絶縁破壊、発熱による素子劣化の加
速を招いていた。
また、素子の高効率化や低電圧化など発光特性向上には
、MgやInなど4.0eV以下の仕事関数をもつ金属
電極を使用することが必要でめった。従来は、Mgに接
着性向上のためAgを10原子%添加した金属電極を共
蒸着法で形成したり、MにIln合金ベレットを電子ビ
ーム蒸着で形成していた。しかし、前者は金属の蒸気圧
が大きく異なるため蒸着条件のコントロールに問題かお
り、また実用的な方法でもない。後者は、成膜工程か簡
略化されるものの、蒸着による組成ずれが問題であった
。
、MgやInなど4.0eV以下の仕事関数をもつ金属
電極を使用することが必要でめった。従来は、Mgに接
着性向上のためAgを10原子%添加した金属電極を共
蒸着法で形成したり、MにIln合金ベレットを電子ビ
ーム蒸着で形成していた。しかし、前者は金属の蒸気圧
が大きく異なるため蒸着条件のコントロールに問題かお
り、また実用的な方法でもない。後者は、成膜工程か簡
略化されるものの、蒸着による組成ずれが問題であった
。
また、MCIやInなど4.0eV以下の仕事関数をも
つ金属は大気中で容易に酸化される。このため、低仕事
関数を用いた有機薄膜発光素子は素子保管中に素子特性
のドリフトが発生した。
つ金属は大気中で容易に酸化される。このため、低仕事
関数を用いた有機薄膜発光素子は素子保管中に素子特性
のドリフトが発生した。
本発明は以上述べたような課題を克服して、定電圧で多
色・高輝度発光が可能であって、素子劣化が小さく長寿
命で実用性のめる有機薄膜発光素子を提供することを目
的とする。
色・高輝度発光が可能であって、素子劣化が小さく長寿
命で実用性のめる有機薄膜発光素子を提供することを目
的とする。
[課題を解決するための手段]
前述の課題解決のために本発明か提供する手段は、少な
くとも一方が透明である一対の電極間に、少なくとも1
以上の電荷注入層と少なくとも1以上の有機蛍光体から
なる発光層との積層膜が形成された有機薄膜発光素子に
おいて、発光層に接する電極は、該発光層に接する第1
の金属層とその上部に形成された第2の金属層とで構成
され、前記第1の金属層は、仕事関数か4.0eV以下
の金属を一つ以上含む合金よりなり、前記第2の金属層
は、前記第1の金属層の仕事関数より高い仕事関数を有
する金属よりなることを特徴とする有機薄膜発光素子で
ある。
くとも一方が透明である一対の電極間に、少なくとも1
以上の電荷注入層と少なくとも1以上の有機蛍光体から
なる発光層との積層膜が形成された有機薄膜発光素子に
おいて、発光層に接する電極は、該発光層に接する第1
の金属層とその上部に形成された第2の金属層とで構成
され、前記第1の金属層は、仕事関数か4.0eV以下
の金属を一つ以上含む合金よりなり、前記第2の金属層
は、前記第1の金属層の仕事関数より高い仕事関数を有
する金属よりなることを特徴とする有機薄膜発光素子で
ある。
また、その製造方法は、仕事関数が4.0eV以下の金
属を一つ以上含む合金に不活性ガスイオンを照射してス
パッタ蒸発させることにより、発光層に接する第1の金
属層を形成する工程を少なくとも備えてなることを特徴
とする。
属を一つ以上含む合金に不活性ガスイオンを照射してス
パッタ蒸発させることにより、発光層に接する第1の金
属層を形成する工程を少なくとも備えてなることを特徴
とする。
1作用]
いろいろな金属で実験したところ、仕事関数か高いほど
酸化による素子劣化は防止できるが、発光層に接する金
属電極面はできるだけ仕事関数か低いほうか素子駆動電
圧の低減や発光効率の向上に効果かあった。そこで、大
気にさらされる面を貴金属などの金属を用い、発光層に
接する面にだけ仕事関数の低い金属を用いると、素子特
性を変えずに特性の安定した素子が提供できる。
酸化による素子劣化は防止できるが、発光層に接する金
属電極面はできるだけ仕事関数か低いほうか素子駆動電
圧の低減や発光効率の向上に効果かあった。そこで、大
気にさらされる面を貴金属などの金属を用い、発光層に
接する面にだけ仕事関数の低い金属を用いると、素子特
性を変えずに特性の安定した素子が提供できる。
一方、有機薄膜発光素子の印加電圧に対する発光特性は
電圧印加時間と共に高電圧側にドリフトする。この現象
は、有機薄膜発光素子に使用している有機材料依存性は
少なく、むしろ素子構造自体に原因かめると考えられて
いる。
電圧印加時間と共に高電圧側にドリフトする。この現象
は、有機薄膜発光素子に使用している有機材料依存性は
少なく、むしろ素子構造自体に原因かめると考えられて
いる。
この原因を鋭意検討した結果、素子発光特性のドリフト
現象の主装置として次のことか明らかになった。即ち、
第4図における金属電極45と発光層44との接着性か
悪いため、電圧印加時間と共に発光層/電極接触界面に
注入電荷と同極の電荷層、すなわちホモ電荷層が形成さ
れ易いことか判明した。新たに形成されたホモ電荷層は
界面のエネルキー障壁を高くする。また、ホモ電荷層か
形成されると発光層7/電極接触面に反発九が発生し、
接触界面の剥離か生じ易くなる。以上の結果、金属電極
45からの電子注入が困難になり、発光特性のドリフト
が発生する。
現象の主装置として次のことか明らかになった。即ち、
第4図における金属電極45と発光層44との接着性か
悪いため、電圧印加時間と共に発光層/電極接触界面に
注入電荷と同極の電荷層、すなわちホモ電荷層が形成さ
れ易いことか判明した。新たに形成されたホモ電荷層は
界面のエネルキー障壁を高くする。また、ホモ電荷層か
形成されると発光層7/電極接触面に反発九が発生し、
接触界面の剥離か生じ易くなる。以上の結果、金属電極
45からの電子注入が困難になり、発光特性のドリフト
が発生する。
有機薄膜発光素子に使用する金属はMCIなど仕事関数
の低い金属でなければ十分な発光特性が得られない。し
かし、このような仕事関数の低い金属と有機物の接着性
は悪い。特に、従来の真空蒸着法で作製した金属電極の
接着性は、セロテープによるピーリング試験で容易に有
機の発光層44から剥離するほど弱いものであった。こ
のような状況では信頼性ある素子が得られない。有機薄
膜発光素子に使用する金属電極45と有機の発光層44
との密着性を改善することが是非とも必要であった。
の低い金属でなければ十分な発光特性が得られない。し
かし、このような仕事関数の低い金属と有機物の接着性
は悪い。特に、従来の真空蒸着法で作製した金属電極の
接着性は、セロテープによるピーリング試験で容易に有
機の発光層44から剥離するほど弱いものであった。こ
のような状況では信頼性ある素子が得られない。有機薄
膜発光素子に使用する金属電極45と有機の発光層44
との密着性を改善することが是非とも必要であった。
真空蒸着法の場合、蒸発分子あるいは原子の持つ運動エ
ネルギーはぜいビい1 eV前後て必る。
ネルギーはぜいビい1 eV前後て必る。
通常、素子作製時の基板温度は100 ’C以下である
ので、蒸発分子あるいは原子のマイグレーションか少な
く、基板としっかり密着した薄膜か得にくい。
ので、蒸発分子あるいは原子のマイグレーションか少な
く、基板としっかり密着した薄膜か得にくい。
本発明者は有機薄膜発光素子に使用するMCJなと仕事
関数の低い金属と有機物との密着性がよい金属蒸着方法
を検討した結果、本発明に至った。
関数の低い金属と有機物との密着性がよい金属蒸着方法
を検討した結果、本発明に至った。
即ち、イオンブレーティング法あるいはスパッタリング
法など蒸着物質を不活性ガスイオンでスパッタする成膜
方法は、数ev以上の運動エネルギーを持つイオンを成
膜に用いているために表面マイグレーションが大きく、
基板との密着性に優れた成膜が可能である。成膜条件を
適当に選ぶことによって有機の発光層44へのダメージ
を少なくし、かつ従来より密着性か格段に向上した金属
電極45を形成することができる。
法など蒸着物質を不活性ガスイオンでスパッタする成膜
方法は、数ev以上の運動エネルギーを持つイオンを成
膜に用いているために表面マイグレーションが大きく、
基板との密着性に優れた成膜が可能である。成膜条件を
適当に選ぶことによって有機の発光層44へのダメージ
を少なくし、かつ従来より密着性か格段に向上した金属
電極45を形成することができる。
また、スパッタによる金属電極形成では、蒸気圧が大き
く異なる金属の混合物をターゲットとして用いてもター
ゲットと金属電極の組成すれは少なく、また大きな基板
を用いても均一に電極か形成できるため、実用的である
。ざらに、本発明によれば従来MΩとAQの共蒸着法に
よる金属電極形成で問題となっていた蒸着条件のコント
ロールの困難性が解決できる。
く異なる金属の混合物をターゲットとして用いてもター
ゲットと金属電極の組成すれは少なく、また大きな基板
を用いても均一に電極か形成できるため、実用的である
。ざらに、本発明によれば従来MΩとAQの共蒸着法に
よる金属電極形成で問題となっていた蒸着条件のコント
ロールの困難性が解決できる。
[実施例1
以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。
実施例1
第1図に示すように、ガラス基板1上にITOなどから
なる透明電極2を形成してから、N、N、N 、N−テ
トラフェニル−4,4°−ジアミノビフェニル(以下、
ジアミンと略記する。)からなる正孔注入層3を600
人、有機蛍光体としてトリス(8−ハイドロキシキノリ
ン)アルミニウム(以下、アルミキノリンと略記する。
なる透明電極2を形成してから、N、N、N 、N−テ
トラフェニル−4,4°−ジアミノビフェニル(以下、
ジアミンと略記する。)からなる正孔注入層3を600
人、有機蛍光体としてトリス(8−ハイドロキシキノリ
ン)アルミニウム(以下、アルミキノリンと略記する。
)を使用して発光層4を500人形成した。
引き続いて、第2図に示すイオンビームスパッタリング
装置を用いて金属電極を形成した。このイオンビームス
パッタリング装置は、基板201を保持する基板ホルダ
202と、ターゲット208を収容するホルダ20つと
、不活性ガス204のイオン源206と、ターゲット2
08と基板201との間に設けられたシャッタ203と
がペルジャー205内に設けられている。該装置を用い
て、まずMQとInを原子数比で10:1に混合した合
金をターゲットに用いて金属電極5を1000人形成し
、その後、Auをターゲットとして金属電極6を100
0人形成して有機薄膜発光素子が完成する。スパッタリ
ングガスとしてはアルゴンを用い、成膜中の基板温度は
50℃を超えないようにした。
装置を用いて金属電極を形成した。このイオンビームス
パッタリング装置は、基板201を保持する基板ホルダ
202と、ターゲット208を収容するホルダ20つと
、不活性ガス204のイオン源206と、ターゲット2
08と基板201との間に設けられたシャッタ203と
がペルジャー205内に設けられている。該装置を用い
て、まずMQとInを原子数比で10:1に混合した合
金をターゲットに用いて金属電極5を1000人形成し
、その後、Auをターゲットとして金属電極6を100
0人形成して有機薄膜発光素子が完成する。スパッタリ
ングガスとしてはアルゴンを用い、成膜中の基板温度は
50℃を超えないようにした。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、約
5Vの直流電圧の印加で300 Cd/;mの緑色の発
光か得られた。この有機薄膜発光素子を電流密度0.5
mA /cm2の状態でエージング試験をしなところ
、輝度半減時間は1000時間以上であった。従来の素
子では100がら500時間であったから、この素子の
信頼性は大幅に改善されている。
5Vの直流電圧の印加で300 Cd/;mの緑色の発
光か得られた。この有機薄膜発光素子を電流密度0.5
mA /cm2の状態でエージング試験をしなところ
、輝度半減時間は1000時間以上であった。従来の素
子では100がら500時間であったから、この素子の
信頼性は大幅に改善されている。
また、電気特性のシフトも5V程度と、従来より大幅に
低下した。
低下した。
本発明はトリス(8−ハイドロキシキノリン)アルミニ
ウム有機蛍光体ばかりでなく、アントラセン誘導体、ピ
レン誘導体、テトラセン誘導体、スチルベン誘導体、ペ
リレン誘導体、キノン誘導体、フェナンスレン誘導体、
ナフタン誘導体、ナフタルイミド誘導体、フタロペリノ
ン誘導体、シクロペンタジェン誘導体、シアニン誘導体
、その伯可視領域で強い蛍光を発する有機物を発光層5
の材料に使用しても同様な効果が認められた。また、こ
の有機蛍光一体に10−5から10−2 mol程度の
ローダミン、シアニン、ピラン、クマリン、フルオレン
、POPOP、PBBO等、他の蛍光の強い有機分子を
更に添加して、発光波長を変えることができる。
ウム有機蛍光体ばかりでなく、アントラセン誘導体、ピ
レン誘導体、テトラセン誘導体、スチルベン誘導体、ペ
リレン誘導体、キノン誘導体、フェナンスレン誘導体、
ナフタン誘導体、ナフタルイミド誘導体、フタロペリノ
ン誘導体、シクロペンタジェン誘導体、シアニン誘導体
、その伯可視領域で強い蛍光を発する有機物を発光層5
の材料に使用しても同様な効果が認められた。また、こ
の有機蛍光一体に10−5から10−2 mol程度の
ローダミン、シアニン、ピラン、クマリン、フルオレン
、POPOP、PBBO等、他の蛍光の強い有機分子を
更に添加して、発光波長を変えることができる。
正孔注入層材料としては、ジアミンおよびその誘導体ば
かりでなく、ジアゾール誘導体やポリシリレン等を使用
しても同様な効果が得られた。
かりでなく、ジアゾール誘導体やポリシリレン等を使用
しても同様な効果が得られた。
透明電極2はITO以外に、Zr1O:AJ7ヤSnO
2:Sb、In2O3、Au、CuIx、Ptなと仕事
関数か4.5eV以上おる導電性材料であればよい。
2:Sb、In2O3、Au、CuIx、Ptなと仕事
関数か4.5eV以上おる導電性材料であればよい。
金属電極5の材料としては、Mg以外に、T1゜Na、
に、Ca、In、Cs、Li、Rb、Sc。
に、Ca、In、Cs、Li、Rb、Sc。
Sr、V、Y、Hf等を含む合金であれば同様な効果が
認められた。
認められた。
実施例2
第1図と同じ構造で、610 nmから630 nmに
強い蛍光を発するペリレン誘導体を発光層4に用い、正
孔注入層3としてトリフェニルメタン誘導体を用いた有
機薄膜発光素子を作製した。
強い蛍光を発するペリレン誘導体を発光層4に用い、正
孔注入層3としてトリフェニルメタン誘導体を用いた有
機薄膜発光素子を作製した。
金属電極は第3図に示すような装置を用いて作製した。
この装置は、基板301を保持する基板ホルダ302と
、ターゲット208を収容する水冷ホルダ309と、タ
ーゲット30Bと基板301との間に設けられたシャッ
タ303とがベルジt −305内(設けられてあり、
不活性ガスの導入系としてのアルゴンガス供給管304
とリーク調整弁306が付設されている。該装置を用い
て、まずMgとInが10:1で混合した合金よりなる
金属電極5をスパッタリング法で1000人形成し、引
き続き同方法てNiを金属電極6として1000 A形
成した。
、ターゲット208を収容する水冷ホルダ309と、タ
ーゲット30Bと基板301との間に設けられたシャッ
タ303とがベルジt −305内(設けられてあり、
不活性ガスの導入系としてのアルゴンガス供給管304
とリーク調整弁306が付設されている。該装置を用い
て、まずMgとInが10:1で混合した合金よりなる
金属電極5をスパッタリング法で1000人形成し、引
き続き同方法てNiを金属電極6として1000 A形
成した。
このようにして作製した有機薄膜発光素子は金属電極と
有機発光層の密着性に優れ、長時間駆動しても電極の剥
離は観測できなかった。
有機発光層の密着性に優れ、長時間駆動しても電極の剥
離は観測できなかった。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明によれば従来の有機薄膜発光
素子に比べ、発光特性の駆動時間に対する特性のドリフ
トが少ない優れた素子を提供することが可能となった。
素子に比べ、発光特性の駆動時間に対する特性のドリフ
トが少ない優れた素子を提供することが可能となった。
更に、電極の酸化や剥離による素子劣化も減少し、10
00時間程度の寿命がある素子が提供できる。
00時間程度の寿命がある素子が提供できる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図および第3
図はそれぞれ本発明による有機薄膜発光素子の製造に使
用する装置の一例の構成図、第4図は従来の有機薄膜発
光素子の断面図である。 1.41・・・ガラス基板 2,4?・・・透明電
極3.43・・・正孔注入層 4.44・・・発光
層6.45・・・金属電極 201 .302・・・基板ホルダ 、303・・・シャッタ 204 .305・・・ベルジャ ・・・イオン源 207 .308・・・ターゲット ・・・アルゴンガス供給管 ・・・リーク調整弁 307 ・・・水冷ホルダ ・・・基板 ・・・不活性カス ・・・イオン ・・・真空計
図はそれぞれ本発明による有機薄膜発光素子の製造に使
用する装置の一例の構成図、第4図は従来の有機薄膜発
光素子の断面図である。 1.41・・・ガラス基板 2,4?・・・透明電
極3.43・・・正孔注入層 4.44・・・発光
層6.45・・・金属電極 201 .302・・・基板ホルダ 、303・・・シャッタ 204 .305・・・ベルジャ ・・・イオン源 207 .308・・・ターゲット ・・・アルゴンガス供給管 ・・・リーク調整弁 307 ・・・水冷ホルダ ・・・基板 ・・・不活性カス ・・・イオン ・・・真空計
Claims (2)
- (1)少なくとも一方が透明である一対の電極間に、少
なくとも1以上の電荷注入層と少なくとも1以上の有機
蛍光体からなる発光層との積層膜が形成された有機薄膜
発光素子において、発光層に接する電極は、該発光層に
接する第1の金属層とその上部に形成された第2の金属
層とで構成され、前記第1の金属層は、仕事関数が4.
0eV以下の金属を一つ以上含む合金よりなり、前記第
2の金属層は、前記第1の金属層の仕事関数より高い仕
事関数を有する金属よりなることを特徴とする有機薄膜
発光素子。 - (2)仕事関数が4.0eV以下の金属を一つ以上含む
合金に不活性ガスイオンを照射してスパッタ蒸発させる
ことにより、発光層に接する第1の金属層を形成する工
程を少なくとも備えてなることを特徴とする請求項(1
)に記載の有機薄膜発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2119779A JPH0419993A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 有機薄膜発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2119779A JPH0419993A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 有機薄膜発光素子とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0419993A true JPH0419993A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14770016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2119779A Pending JPH0419993A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 有機薄膜発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0419993A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5747930A (en) * | 1994-05-17 | 1998-05-05 | Nec Corporation | Organic thin film electroluminescent device |
JPH10335060A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
US5896006A (en) * | 1996-09-27 | 1999-04-20 | Nec Corporation | Organic thin film light-emitting device having second electrodes layer covering periphery of first electrodes layer |
US6818324B1 (en) | 1997-10-09 | 2004-11-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic thin-film EL device |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2119779A patent/JPH0419993A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5747930A (en) * | 1994-05-17 | 1998-05-05 | Nec Corporation | Organic thin film electroluminescent device |
US5896006A (en) * | 1996-09-27 | 1999-04-20 | Nec Corporation | Organic thin film light-emitting device having second electrodes layer covering periphery of first electrodes layer |
JPH10335060A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
US6818324B1 (en) | 1997-10-09 | 2004-11-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic thin-film EL device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2926845B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JP2701738B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JP2773297B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JP2727620B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JPH03152184A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
TW585012B (en) | Organic electroluminescence device having current injection layer between light emitting layer and cathode | |
JP2797905B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JPH02139892A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JPH04363896A (ja) | 有機薄膜el素子とその製造方法 | |
JPH03274694A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JPH0696858A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
US6917158B2 (en) | High-qualty aluminum-doped zinc oxide layer as transparent conductive electrode for organic light-emitting devices | |
JP3463364B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
WO2004045254A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 | |
JP3284766B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH0419993A (ja) | 有機薄膜発光素子とその製造方法 | |
JPH0337994A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
JPH10208880A (ja) | 発光素子 | |
JPH0485388A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3189376B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH0762526A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
JP3253368B2 (ja) | 電界発光素子 | |
JP2000068064A (ja) | 発光素子 | |
JPH06119973A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2000348865A (ja) | 有機el素子 |