JPH07197021A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH07197021A JPH07197021A JP6000194A JP19494A JPH07197021A JP H07197021 A JPH07197021 A JP H07197021A JP 6000194 A JP6000194 A JP 6000194A JP 19494 A JP19494 A JP 19494A JP H07197021 A JPH07197021 A JP H07197021A
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- Japan
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- light emitting
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- emitting layer
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】多色化が可能な有機薄膜発光素子を提供する。
【構成】第一の発光層と第二の発光層を積層し、第一層
には式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を第二層には式（I
I）のキレート化合物を用いる。 〔式中、Ｒ1 〜Ｒ4 はそれぞれ水素原子，アルキル基，
アラルキル基等または一般式（Ｉａ）で表される基 （Ｘはアリール基、芳香族複素環基、Ｒ5 〜Ｒ7 はそれ
ぞれ水素原子、アリール基、芳香族複素環基等を表し、
ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 〔式（II）中ＭはＡｌ、Ｇａ等で示される金属元素、ｍ
は２ないし３を表す。〕
には式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を第二層には式（I
I）のキレート化合物を用いる。 〔式中、Ｒ1 〜Ｒ4 はそれぞれ水素原子，アルキル基，
アラルキル基等または一般式（Ｉａ）で表される基 （Ｘはアリール基、芳香族複素環基、Ｒ5 〜Ｒ7 はそれ
ぞれ水素原子、アリール基、芳香族複素環基等を表し、
ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 〔式（II）中ＭはＡｌ、Ｇａ等で示される金属元素、ｍ
は２ないし３を表す。〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子発光層
の構造と発光物質とに関する。
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子発光層
の構造と発光物質とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネセ
ンス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに即
するものであり、特に全固体の自発発光素子として、他
のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により注
目を集めている。現在、実用化されているものは、発光
層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素子
である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必要
な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑と
なり製造コストが高いといった問題点がある。また、青
色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難である。
これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発光
に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光材料
の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つことか
ら、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネセ
ンス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに即
するものであり、特に全固体の自発発光素子として、他
のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により注
目を集めている。現在、実用化されているものは、発光
層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素子
である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必要
な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑と
なり製造コストが高いといった問題点がある。また、青
色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難である。
これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発光
に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光材料
の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つことか
ら、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で
１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Let
t. 51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で
１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Let
t. 51,913,(1987))。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。約１万時間の長時
間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければならな
い課題である。また有機層の膜厚が１μｍ以下であるた
めに、成膜性が良好でピンホール等の電気的欠陥がな
く、電子，正孔の輸送能力に優れた有機材料の開発、有
機層への電荷の注入性に優れる電極材料の選択等があ
る。
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。約１万時間の長時
間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければならな
い課題である。また有機層の膜厚が１μｍ以下であるた
めに、成膜性が良好でピンホール等の電気的欠陥がな
く、電子，正孔の輸送能力に優れた有機材料の開発、有
機層への電荷の注入性に優れる電極材料の選択等があ
る。
【０００５】さらには量産性の観点から大量製造が可能
で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等も重要
な課題である。特に様々な色の発光を得るためにより多
くの発光物質の開発が望まれている。有機薄膜発光素子
の多色化を図る場合に従来は２色以上の発光物質とフィ
ルタを用いるために単色の場合に比して素子の調製が複
雑であり、多色化を容易にするための素子構造や駆動方
法の検討も重要である。
で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等も重要
な課題である。特に様々な色の発光を得るためにより多
くの発光物質の開発が望まれている。有機薄膜発光素子
の多色化を図る場合に従来は２色以上の発光物質とフィ
ルタを用いるために単色の場合に比して素子の調製が複
雑であり、多色化を容易にするための素子構造や駆動方
法の検討も重要である。
【０００６】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、新規な発光層の構造と発光物質の組み合わせを用
いることにより多色化が容易な有機薄膜発光素子を提供
することにある。
的は、新規な発光層の構造と発光物質の組み合わせを用
いることにより多色化が容易な有機薄膜発光素子を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた第一の発光層と第二の発光層を有し、第一の発光
層は一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を発光物質とし
て含み、第二の発光層は一般式（II）のキレート化合物
を発光物質として含み、正極、第一の発光層、第二の発
光層、負極はこの順序に順次積層されてなるとすること
により達成される。
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた第一の発光層と第二の発光層を有し、第一の発光
層は一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を発光物質とし
て含み、第二の発光層は一般式（II）のキレート化合物
を発光物質として含み、正極、第一の発光層、第二の発
光層、負極はこの順序に順次積層されてなるとすること
により達成される。
【０００８】
【化４】
【０００９】〔式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
【００１０】
【化５】
【００１１】（Ｘはアリール基，芳香族複素環基、Ｒ5,
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基を表し、ｎは０ないし３の整数）を示
す。〕
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基を表し、ｎは０ないし３の整数）を示
す。〕
【００１２】
【化６】
【００１３】〔式（II）中ＭはAl,Ga またはZnで示され
る金属元素、ｍは２ないし３を表す。〕 前述のアリール基，芳香族複素環基，シクロヘキシル
基，アリールオキシ基，アラルキル基は下記のような置
換基を含むことができる。アルキル基，アルコキシ基，
アリール基，芳香族複素環基，アリールオキシ基，アシ
ル基，カルボキシル基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，
ハロゲン原子あるいは−Ｎ（Ｒ8 ）（Ｒ9 ）（ここにＲ
8 ，Ｒ9 はそれぞれ水素原子，アルキル基，アリール
基，芳香族複素環基，アラルキル基，アリル基でＲ8 ，
Ｒ9 は互いに結合して飽和または不飽和の環を形成して
もよい）。
る金属元素、ｍは２ないし３を表す。〕 前述のアリール基，芳香族複素環基，シクロヘキシル
基，アリールオキシ基，アラルキル基は下記のような置
換基を含むことができる。アルキル基，アルコキシ基，
アリール基，芳香族複素環基，アリールオキシ基，アシ
ル基，カルボキシル基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，
ハロゲン原子あるいは−Ｎ（Ｒ8 ）（Ｒ9 ）（ここにＲ
8 ，Ｒ9 はそれぞれ水素原子，アルキル基，アリール
基，芳香族複素環基，アラルキル基，アリル基でＲ8 ，
Ｒ9 は互いに結合して飽和または不飽和の環を形成して
もよい）。
【００１４】一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体の具体
例が化学式（Ｉ−１）ないし化学式（Ｉ−１８）に示さ
れる。一般式（II）のキレート化合物の具体例が化学式
（II−１）ないし化学式（II−３）に示される。
例が化学式（Ｉ−１）ないし化学式（Ｉ−１８）に示さ
れる。一般式（II）のキレート化合物の具体例が化学式
（II−１）ないし化学式（II−３）に示される。
【００１５】
【化７】
【００１６】
【化８】
【００１７】
【化９】
【００１８】
【化１０】
【００１９】
【作用】多色化の機構は明らかではないが上述の構造と
発光物質を組み合わせて印加電圧を変化させると多色化
が可能であることが見いだされた。
発光物質を組み合わせて印加電圧を変化させると多色化
が可能であることが見いだされた。
【００２０】
【実施例】次にこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素
子を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施例
に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁
性基板、２は正極、３は第一の発光層、４は第二の発光
層、５は負極である。
子を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施例
に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁
性基板、２は正極、３は第一の発光層、４は第二の発光
層、５は負極である。
【００２１】絶縁性基板１は素子の支持体でガラス，樹
脂等を用いる。発光面となるときは透明な材料を用い
る。正極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ
酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電
膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法
により形成する。該正極２は、透明性を持たせるため
に、１０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
脂等を用いる。発光面となるときは透明な材料を用い
る。正極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ
酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電
膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法
により形成する。該正極２は、透明性を持たせるため
に、１０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
【００２２】第一の発光層３は正極から注入された正孔
と、第二の発光層４より注入された電子の再結合により
効率良く発光を行う。成膜方法はスピンコ−ト、キャス
ティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等が
あるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は２０ないし
５００ｎｍであるが好適には３０ないし８０ｎｍであ
る。
と、第二の発光層４より注入された電子の再結合により
効率良く発光を行う。成膜方法はスピンコ−ト、キャス
ティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等が
あるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は２０ないし
５００ｎｍであるが好適には３０ないし８０ｎｍであ
る。
【００２３】第二の発光層４は第一の発光層より注入さ
れた正孔と負極より注入された電子の再結合により効率
良く発光を行う。成膜方法はスピンコ−ト、キャスティ
ング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等がある
が抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は２０ないし５０
０ｎｍであるが好適には３０ないし８０ｎｍである。負
極５は電子を効率良く第二の発光層４に注入することが
必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電子ビー
ム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極５用材料として
は、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等
およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのインジウムスズ酸化物ＩＴＯを設け
た５０ｍｍ角のガラスを基板とし該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図１に示すように第一の発光層
３、第二の発光層４と順次成膜した。成膜に際して、真
空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。第一の発光層３には
化学式（Ｉ―１７）に示されるキノキサリン誘導体を用
い、ボート温度２８０ないし３１０℃にて成膜速度０．
１ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。続けて第二
の発光層４として前記化学式（II―1 ）に示されるキレ
ート化合物をボ−ト温度約２６０ないし２７０℃にて加
熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さ
に形成した。この後、基板を真空槽から取り出し、直径
５ｍｍのドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつ
け、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極５として
Ｍｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに
形成した。
れた正孔と負極より注入された電子の再結合により効率
良く発光を行う。成膜方法はスピンコ−ト、キャスティ
ング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等がある
が抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は２０ないし５０
０ｎｍであるが好適には３０ないし８０ｎｍである。負
極５は電子を効率良く第二の発光層４に注入することが
必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電子ビー
ム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極５用材料として
は、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，Ａｌ等
およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのインジウムスズ酸化物ＩＴＯを設け
た５０ｍｍ角のガラスを基板とし該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図１に示すように第一の発光層
３、第二の発光層４と順次成膜した。成膜に際して、真
空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。第一の発光層３には
化学式（Ｉ―１７）に示されるキノキサリン誘導体を用
い、ボート温度２８０ないし３１０℃にて成膜速度０．
１ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。続けて第二
の発光層４として前記化学式（II―1 ）に示されるキレ
ート化合物をボ−ト温度約２６０ないし２７０℃にて加
熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さ
に形成した。この後、基板を真空槽から取り出し、直径
５ｍｍのドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつ
け、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極５として
Ｍｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに
形成した。
【００２４】上記実施例１において、第一の発光層３と
第二の発光層４は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍ
ｍの有機薄膜発光素子に直流電圧１０Ｖを印加したとこ
ろ、黄色（発光中心波長：５６０ｎｍ）、１７Ｖ印加時
に黄緑色（発光中心波長：５４０ｎｍ）の均一な発光が
得られた。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのインジウムスズ酸化物ＩＴＯを設け
た５０ｍｍ角のガラスを基板とし該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図１に示すように第一の発光層
３、第二の発光層４と順次成膜した。成膜に際して、真
空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。第一の発光層３には
化学式（Ｉ―１２）に示されるキノキサリン誘導体を用
い、ボート温度２６０ないし２９０℃にて成膜速度０．
１ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。続けて第二
の発光層４として前記化学式（II―1 ）に示されるキレ
ート化合物をボ−ト温度約２６０ないし２７０℃にて加
熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さ
に形成した。この後、基板を真空槽から取り出し、直径
５ｍｍのドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつ
け、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極５として
Ｍｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに
形成した。
第二の発光層４は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍ
ｍの有機薄膜発光素子に直流電圧１０Ｖを印加したとこ
ろ、黄色（発光中心波長：５６０ｎｍ）、１７Ｖ印加時
に黄緑色（発光中心波長：５４０ｎｍ）の均一な発光が
得られた。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのインジウムスズ酸化物ＩＴＯを設け
た５０ｍｍ角のガラスを基板とし該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図１に示すように第一の発光層
３、第二の発光層４と順次成膜した。成膜に際して、真
空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。第一の発光層３には
化学式（Ｉ―１２）に示されるキノキサリン誘導体を用
い、ボート温度２６０ないし２９０℃にて成膜速度０．
１ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。続けて第二
の発光層４として前記化学式（II―1 ）に示されるキレ
ート化合物をボ−ト温度約２６０ないし２７０℃にて加
熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さ
に形成した。この後、基板を真空槽から取り出し、直径
５ｍｍのドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつ
け、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極５として
Ｍｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに
形成した。
【００２５】上記実施例２において、第一の発光層３と
第二の発光層４は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍ
ｍの有機薄膜発光素子に直流電圧１１Ｖを印加したとこ
ろ、橙色（発光中心波長：６２０ｎｍ）、１８Ｖ印加時
に黄緑色（発光中心波長：５４０ｎｍ）の均一な発光が
得られた。
第二の発光層４は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍ
ｍの有機薄膜発光素子に直流電圧１１Ｖを印加したとこ
ろ、橙色（発光中心波長：６２０ｎｍ）、１８Ｖ印加時
に黄緑色（発光中心波長：５４０ｎｍ）の均一な発光が
得られた。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば第一の発光層と第二の
発光層を積層して、第一の発光層にはキノキサリン誘導
体を第二の発光層にはキレート化合物を発光物質として
用いるので、印加電圧の変化により黄緑色から黄色、あ
るいは黄色から橙色の範囲に発光スペクトルを変化させ
ることの可能な多色化有機薄膜発光素子が得られる。
発光層を積層して、第一の発光層にはキノキサリン誘導
体を第二の発光層にはキレート化合物を発光物質として
用いるので、印加電圧の変化により黄緑色から黄色、あ
るいは黄色から橙色の範囲に発光スペクトルを変化させ
ることの可能な多色化有機薄膜発光素子が得られる。
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
１ 絶縁性基板 ２ 正極 ３ 第一の発光層 ４ 第二の発光層 ５ 負極
Claims (4)
- 【請求項１】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間に挟まれた第一の発光層と第二の発光層を有し、第一
の発光層は一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を発光物
質として含み、第二の発光層は一般式（II）のキレート
化合物を発光物質として含み、正極、第一の発光層、第
二の発光層、負極はこの順序に順次積層されてなること
を特徴とする有機薄膜発光素子。 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ水素
原子，アルキル基，アルコキシ基，アリール基，芳香族
複素環基，シクロヘキシル基，アリールオキシ基，アラ
ルキル基または一般式（Ｉａ）で表される基 【化２】 （Ｘはアリール基，芳香族複素環基、Ｒ5,Ｒ6,Ｒ7 はそ
れぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素環基，シアノ
基を表し、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 【化３】 〔式（II）中ＭはAl,Ga またはZnで示される金属元素、
ｍは２ないし３を表す。〕 - 【請求項２】請求項１記載の素子において、一般式
（Ｉ）で示されるキノキサリン誘導体はＲ1 とＲ3 が水
素原子であり、Ｒ2 とＲ4 が９―エチル―３―カルバゾ
リル基であることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項３】請求項１記載の素子において、一般式
（Ｉ）で示されるキノキサリン誘導体はＲ1 とＲ3 が水
素原子であり、Ｒ2 とＲ4 が５―（２，２―ジフェニル
―１―ビニル）―２―チエニル基であることを特徴とす
る有機薄膜発光素子。 - 【請求項４】請求項１記載の素子において、一般式（I
I）で示されるキレート化合物はＭがAl、ｍが３である
ことを特徴とする有機薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6000194A JPH07197021A (ja) | 1994-01-06 | 1994-01-06 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6000194A JPH07197021A (ja) | 1994-01-06 | 1994-01-06 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197021A true JPH07197021A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=11467192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6000194A Pending JPH07197021A (ja) | 1994-01-06 | 1994-01-06 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07197021A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998029244A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element fonctionnel dont la surface est pourvue d'un film moleculaire, et son procede de production |
| US8835022B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-09-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Metal complex compound and organic light emitting diode device including the same |
| US9096529B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Metal complex compound and organic light emitting diode device including the same |
-
1994
- 1994-01-06 JP JP6000194A patent/JPH07197021A/ja active Pending
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