JPH0753954A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH0753954A JPH0753954A JP5205463A JP20546393A JPH0753954A JP H0753954 A JPH0753954 A JP H0753954A JP 5205463 A JP5205463 A JP 5205463A JP 20546393 A JP20546393 A JP 20546393A JP H0753954 A JPH0753954 A JP H0753954A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】高輝度発光が安定して得られる有機薄膜発光素
子を得る。 【構成】正極と負極とからなる一対の電極と、その間に
挟まれた発光層を有し、発光層は一般式（Ｉ）のキノキ
サリン誘導体を発光物質として含むことを特徴とする有
機薄膜発光素子。 〔式（Ｉ）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、芳香族
複素環基、シクロヘキシル基、アリールオキシ基、アラ
ルキル基または一般式（Ｉａ）で表される基 （Ｘはアリール基、芳香族複素環基、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７
はそれぞれ水素原子、アリール基、芳香族複素環基、シ
アノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕
子を得る。 【構成】正極と負極とからなる一対の電極と、その間に
挟まれた発光層を有し、発光層は一般式（Ｉ）のキノキ
サリン誘導体を発光物質として含むことを特徴とする有
機薄膜発光素子。 〔式（Ｉ）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、芳香族
複素環基、シクロヘキシル基、アリールオキシ基、アラ
ルキル基または一般式（Ｉａ）で表される基 （Ｘはアリール基、芳香族複素環基、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７
はそれぞれ水素原子、アリール基、芳香族複素環基、シ
アノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の発光
層に用いられる発光物質に関する。
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の発光
層に用いられる発光物質に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネセ
ンス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに即
するものであり、特に全固体の自発発光素子として、他
のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により注
目を集めている。現在、実用化されているものは、発光
層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素子
である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必要
な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑と
なり製造コストが高いといった問題点がある。また、青
色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難である。
これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発光
に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光材料
の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つことか
ら、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネセ
ンス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに即
するものであり、特に全固体の自発発光素子として、他
のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により注
目を集めている。現在、実用化されているものは、発光
層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素子
である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必要
な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑と
なり製造コストが高いといった問題点がある。また、青
色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難である。
これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発光
に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光材料
の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つことか
ら、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で
１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Let
t. 51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で
１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報告が
なされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Let
t. 51,913,(1987))。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。約１万時間の長時
間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければならな
い課題である。また有機層の膜厚が１μｍ以下であるた
めに、成膜性が良好でピンホール等の電気的欠陥がな
く、電子，正孔の輸送能力に優れた有機材料の開発、有
機層への電荷の注入性に優れる電極材料の選択等があ
る。
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。約１万時間の長時
間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければならな
い課題である。また有機層の膜厚が１μｍ以下であるた
めに、成膜性が良好でピンホール等の電気的欠陥がな
く、電子，正孔の輸送能力に優れた有機材料の開発、有
機層への電荷の注入性に優れる電極材料の選択等があ
る。
【０００５】さらには量産性の観点から大量製造が可能
で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等も重要
な課題である。特に様々な色の発光を得るためにより多
くの発光物質の開発が望まれている。この発明は上述の
点に鑑みてなされその目的は、新規な発光物質を開発す
ることにより高輝度で発光安定性に優れる有機薄膜発光
素子を提供することにある。
で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等も重要
な課題である。特に様々な色の発光を得るためにより多
くの発光物質の開発が望まれている。この発明は上述の
点に鑑みてなされその目的は、新規な発光物質を開発す
ることにより高輝度で発光安定性に優れる有機薄膜発光
素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた発光層を有し、発光層は一般式（Ｉ）のキノキサ
リン誘導体を発光物質として含むとすることにより達成
される。
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた発光層を有し、発光層は一般式（Ｉ）のキノキサ
リン誘導体を発光物質として含むとすることにより達成
される。
【０００７】
【化３】
【０００８】〔式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
【０００９】
【化４】
【００１０】（Ｘはアリール基，芳香族複素環基、Ｒ5,
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 前述のアリール基，芳香族複素環基，シクロヘキシル
基，アリールオキシ基，アラルキル基は下記のような置
換基を含むことができる。アルキル基，アルコキシ基，
アリール基，芳香族複素環基，アリールオキシ基，アシ
ル基，カルボキシル基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，
ハロゲン原子あるいは−Ｎ（Ｒ8 ）（Ｒ9 ）（ここにＲ
8 ，Ｒ9 はそれぞれ水素原子，アルキル基，アリール
基，芳香族複素環基，アラルキル基，アリル基でＲ8 ，
Ｒ9 は互いに結合して飽和または不飽和の環を形成して
もよい）。
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 前述のアリール基，芳香族複素環基，シクロヘキシル
基，アリールオキシ基，アラルキル基は下記のような置
換基を含むことができる。アルキル基，アルコキシ基，
アリール基，芳香族複素環基，アリールオキシ基，アシ
ル基，カルボキシル基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，
ハロゲン原子あるいは−Ｎ（Ｒ8 ）（Ｒ9 ）（ここにＲ
8 ，Ｒ9 はそれぞれ水素原子，アルキル基，アリール
基，芳香族複素環基，アラルキル基，アリル基でＲ8 ，
Ｒ9 は互いに結合して飽和または不飽和の環を形成して
もよい）。
【００１１】一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体の具体
例が化学式（Ｉ−１）ないし化学式（Ｉ−５２）に示さ
れる。
例が化学式（Ｉ−１）ないし化学式（Ｉ−５２）に示さ
れる。
【００１２】
【化５】
【００１３】
【化６】
【００１４】
【化７】
【００１５】
【化８】
【００１６】
【化９】
【００１７】
【化１０】
【００１８】
【化１１】
【００１９】
【化１２】
【００２０】
【化１３】
【００２１】
【作用】一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体は黄色を中
心にする発色をなす。
心にする発色をなす。
【００２２】
【実施例】次にキノキサリン誘導体を用いた有機薄膜発
光素子の実施例を図面に基づいて説明する。一般式
（Ｉ）に示すキノキサリン誘導体は一般式（II）に示す
Wittig試薬と一般式（III ) または一般式（IV）に示さ
れる化合物とのWittig反応により合成することができ
る。
光素子の実施例を図面に基づいて説明する。一般式
（Ｉ）に示すキノキサリン誘導体は一般式（II）に示す
Wittig試薬と一般式（III ) または一般式（IV）に示さ
れる化合物とのWittig反応により合成することができ
る。
【００２３】
【化１４】
【００２４】〔式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
【００２５】
【化１５】
【００２６】（Ｘはアリール基，芳香族複素環基、Ｒ5,
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 上述のアリール基，芳香族複素環基，シクロヘキシル
基，アリールオキシ基，アラルキル基は下記のような置
換基を含むことができる。アルキル基，アルコキシ基，
アリール基，芳香族複素環基，アリールオキシ基，アシ
ル基，カルボキシル基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，
ハロゲン原子あるいは−Ｎ（Ｒ8 ）（Ｒ9 ）（ここにＲ
8 ，Ｒ9 はそれぞれ水素原子，アルキル基，アリール
基，芳香族複素環基，アラルキル基，アリル基でＲ8 ，
Ｒ9 は互いに結合して飽和または不飽和の環を形成して
もよい）。
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 上述のアリール基，芳香族複素環基，シクロヘキシル
基，アリールオキシ基，アラルキル基は下記のような置
換基を含むことができる。アルキル基，アルコキシ基，
アリール基，芳香族複素環基，アリールオキシ基，アシ
ル基，カルボキシル基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，
ハロゲン原子あるいは−Ｎ（Ｒ8 ）（Ｒ9 ）（ここにＲ
8 ，Ｒ9 はそれぞれ水素原子，アルキル基，アリール
基，芳香族複素環基，アラルキル基，アリル基でＲ8 ，
Ｒ9 は互いに結合して飽和または不飽和の環を形成して
もよい）。
【００２７】図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発
光素子を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実
施例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３
はこの発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図である。１は絶縁性基板、２は正極、３
は正孔注入層、４は発光層、５は電子注入層、６は負極
である。
光素子を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実
施例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３
はこの発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図である。１は絶縁性基板、２は正極、３
は正孔注入層、４は発光層、５は電子注入層、６は負極
である。
【００２８】絶縁性基板１は素子の支持体でガラス，樹
脂等を用いる。発光面となるときは透明な材料を用い
る。正極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ
酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電
膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法
により形成する。該正極２は、透明性を持たせるため
に、１０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
脂等を用いる。発光面となるときは透明な材料を用い
る。正極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ
酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電
膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法
により形成する。該正極２は、透明性を持たせるため
に、１０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
【００２９】正孔注入層３は正孔を効率良く輸送し、且
つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域にお
いてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法と
してスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的
である。膜厚は１０ないし５００ｎｍであり、好適には
２０ないし８０ｎｍである。正孔注入物質としてはヒド
ラゾン化合物，ピラゾリン化合物，スチルベン化合物，
アミン系化合物，非晶質Ｓｉ系物質等あるいはこれらの
混合物，積層体等が用いられる。代表的な正孔注入物質
が化学式（Ｖ−１）ないし化学式（Ｖ−６）に示され
る。
つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域にお
いてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法と
してスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的
である。膜厚は１０ないし５００ｎｍであり、好適には
２０ないし８０ｎｍである。正孔注入物質としてはヒド
ラゾン化合物，ピラゾリン化合物，スチルベン化合物，
アミン系化合物，非晶質Ｓｉ系物質等あるいはこれらの
混合物，積層体等が用いられる。代表的な正孔注入物質
が化学式（Ｖ−１）ないし化学式（Ｖ−６）に示され
る。
【００３０】
【化１６】
【００３１】発光層４は正孔注入層または正極から注入
された正孔と、負極または電子注入層より注入された電
子の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピ
ンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電
子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。
膜厚は１０ないし５００ｎｍであるが好適には２０ない
し８０ｎｍである。
された正孔と、負極または電子注入層より注入された電
子の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピ
ンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電
子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。
膜厚は１０ないし５００ｎｍであるが好適には２０ない
し８０ｎｍである。
【００３２】電子注入層５は電子を効率良く発光層に注
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等
があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０ない
し５００ｎｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍであ
る。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導体，ペ
リレン誘導体，ｎ−ＧａＡｓ，ｎ−ＺｎＳｅ等あるいは
これらの混合物，積層体が用いられる。代表的な電子注
入物質が化学式（VI−１）ないし化学式（VI−４）に示
される。
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等
があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０ない
し５００ｎｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍであ
る。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導体，ペ
リレン誘導体，ｎ−ＧａＡｓ，ｎ−ＺｎＳｅ等あるいは
これらの混合物，積層体が用いられる。代表的な電子注
入物質が化学式（VI−１）ないし化学式（VI−４）に示
される。
【００３３】
【化１７】
【００３４】負極６は電子を効率良く有機層に注入する
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極６用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、前記
図１に示すように正孔注入層３、発光層４を順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は８×１０-4Ｐａとし
た。正孔注入層には化学式（Ｖ−１）に示されるトリフ
ェニルジアミン誘導体を用い、ボート温度３００℃にて
成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成し
た。続けて発光層として前記化学式（Ｉ−４）に示され
るキノキサリン誘導体をボ−ト温度約２００℃にて加熱
し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに
形成した。この後、基板を真空槽から取り出し、直径５
ｍｍのドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつ
け、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極６として
Ｍｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに
形成した。
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極６用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、前記
図１に示すように正孔注入層３、発光層４を順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は８×１０-4Ｐａとし
た。正孔注入層には化学式（Ｖ−１）に示されるトリフ
ェニルジアミン誘導体を用い、ボート温度３００℃にて
成膜速度０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成し
た。続けて発光層として前記化学式（Ｉ−４）に示され
るキノキサリン誘導体をボ−ト温度約２００℃にて加熱
し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに
形成した。この後、基板を真空槽から取り出し、直径５
ｍｍのドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつ
け、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極６として
Ｍｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに
形成した。
【００３５】上記実施例１において、該化合物からなる
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度５
０／ｃｄ／ｍ2 以上で黄色（発光中心波長５７０〜５８
０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む有
機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定で
あった。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、図２
に示すように発光層４、電子注入層５と順次成膜した。
真空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。発光層には化学式
（Ｉ−４）で示されるキノキサリン誘導体を用い、ボ−
ト温度約３００℃にて加熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ
／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。続いて電子注入層
として化学式（VI−４）で示されるオキサジアゾール誘
導体を用い６０ｎｍ厚さに形成した。この後該基板を真
空槽から取り出し、直径５ｍｍのドットパタ−ンからな
るステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着
装置内に載置し負極６としてＭｇ／Ｉｎ（１０：１の比
率）を１００ｎｍ厚さに形成した。
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度５
０／ｃｄ／ｍ2 以上で黄色（発光中心波長５７０〜５８
０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む有
機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定で
あった。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、図２
に示すように発光層４、電子注入層５と順次成膜した。
真空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。発光層には化学式
（Ｉ−４）で示されるキノキサリン誘導体を用い、ボ−
ト温度約３００℃にて加熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ
／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。続いて電子注入層
として化学式（VI−４）で示されるオキサジアゾール誘
導体を用い６０ｎｍ厚さに形成した。この後該基板を真
空槽から取り出し、直径５ｍｍのドットパタ−ンからな
るステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着
装置内に載置し負極６としてＭｇ／Ｉｎ（１０：１の比
率）を１００ｎｍ厚さに形成した。
【００３６】前記実施例２において、該化合物からなる
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度１
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄色（発光中心波長５７０〜５８
０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む有
機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定で
あった。 実施例３ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、前記
図３に示すように正孔注入層３、発光層４、電子注入層
５を順次成膜した。成膜に際して、真空槽内圧は８×１
０-4Ｐａとした。正孔注入層には化学式（Ｖ−１）に示
されるテトラフェニルベンチジン誘導体を用い、実施例
１と同様にして６０ｎｍ厚さに形成した。続けて発光層
として前記化学式（Ｉ−４）に示されるキノキサリン誘
導体をボ−ト温度約３００℃にて加熱し、成膜速度を約
０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。さらに
続けて電子注入層として化学式（VI−４）に示されるオ
キサジアゾール誘導体を用い、６０ｎｍ厚さに形成し
た。この後、基板を真空槽から取り出し、直径５ｍｍの
ドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつけ、新た
に抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極６として Ｍｇ／Ｉ
ｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに形成し
た。
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度１
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄色（発光中心波長５７０〜５８
０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む有
機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定で
あった。 実施例３ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、前記
図３に示すように正孔注入層３、発光層４、電子注入層
５を順次成膜した。成膜に際して、真空槽内圧は８×１
０-4Ｐａとした。正孔注入層には化学式（Ｖ−１）に示
されるテトラフェニルベンチジン誘導体を用い、実施例
１と同様にして６０ｎｍ厚さに形成した。続けて発光層
として前記化学式（Ｉ−４）に示されるキノキサリン誘
導体をボ−ト温度約３００℃にて加熱し、成膜速度を約
０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。さらに
続けて電子注入層として化学式（VI−４）に示されるオ
キサジアゾール誘導体を用い、６０ｎｍ厚さに形成し
た。この後、基板を真空槽から取り出し、直径５ｍｍの
ドットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつけ、新た
に抵抗加熱蒸着装置内に載置し負極６として Ｍｇ／Ｉ
ｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚さに形成し
た。
【００３７】前記実施例３において、該化合物からなる
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度１
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄色（発光中心波長５７０〜５８
０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む有
機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定で
あった。 実施例４ 発光層に前記化学式（Ｉ−２２）で示されるキノキサリ
ン誘導体を用いる以外は実施例１と同様にして素子を製
造した。
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度１
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄色（発光中心波長５７０〜５８
０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む有
機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定で
あった。 実施例４ 発光層に前記化学式（Ｉ−２２）で示されるキノキサリ
ン誘導体を用いる以外は実施例１と同様にして素子を製
造した。
【００３８】上記実施例４において、該化合物からなる
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度２
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄赤色（発光中心波長５９０〜６
００ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む
有機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定
であった。 実施例５ 発光層に前記化学式（Ｉ−３３）で示されるキノキサリ
ン誘導体を用いる以外は実施例１と同様にして素子を製
造した。
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度２
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄赤色（発光中心波長５９０〜６
００ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む
有機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定
であった。 実施例５ 発光層に前記化学式（Ｉ−３３）で示されるキノキサリ
ン誘導体を用いる以外は実施例１と同様にして素子を製
造した。
【００３９】上記実施例５において、該化合物からなる
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度２
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄赤色（発光中心波長６００〜６
１０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む
有機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定
であった。 実施例６ 発光層に前記化学式（Ｉ−４４）で示されるキノキサリ
ン誘導体を用いる以外は実施例１と同様にして素子を製
造した。
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度２
００ｃｄ／ｍ2 以上で黄赤色（発光中心波長６００〜６
１０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含む
有機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安定
であった。 実施例６ 発光層に前記化学式（Ｉ−４４）で示されるキノキサリ
ン誘導体を用いる以外は実施例１と同様にして素子を製
造した。
【００４０】上記実施例６において、該化合物からなる
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度１
０００ｃｄ／ｍ2 以上で黄緑色（発光中心波長５７０〜
５９０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含
む有機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安
定であった。
発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径５ｍｍの有機
薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、最高輝度１
０００ｃｄ／ｍ2 以上で黄緑色（発光中心波長５７０〜
５９０ｎｍ）の均一な発光が得られた。また発光層を含
む有機薄膜発光素子は大気中に保存しても結晶化せず安
定であった。
【００４１】以上に結果が纏めて表１に示される。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１に示すようにキノキサリン誘導体を用
いる有機薄膜発光素子は高輝度発光を示すことがわか
る。
いる有機薄膜発光素子は高輝度発光を示すことがわか
る。
【００４４】
【発明の効果】この発明によれば正極と負極とからなる
一対の電極と、その間に挟まれた発光層を有し、発光層
は一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を発光物質として
含むので、高輝度で安定した発光の有機薄膜発光素子が
得られる。
一対の電極と、その間に挟まれた発光層を有し、発光層
は一般式（Ｉ）のキノキサリン誘導体を発光物質として
含むので、高輝度で安定した発光の有機薄膜発光素子が
得られる。
【００４５】
【化１８】
【００４６】〔式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
それぞれ水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アリー
ル基，芳香族複素環基，シクロヘキシル基，アリールオ
キシ基，アラルキル基または一般式（Ｉａ）で表される
基
【００４７】
【化１９】
【００４８】（Ｘはアリール基，芳香族複素環基、Ｒ5,
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕
Ｒ6,Ｒ7 はそれぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素
環基，シアノ基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
【図３】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
１ 絶縁性基板 ２ 正極 ３ 正孔注入層 ４ 発光層 ５ 電子注入層 ６ 負極
Claims (8)
- 【請求項１】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間に挟まれた発光層を有し、発光層は一般式（Ｉ）のキ
ノキサリン誘導体を発光物質として含むことを特徴とす
る有機薄膜発光素子。 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ水素
原子，アルキル基，アルコキシ基，アリール基，芳香族
複素環基，シクロヘキシル基，アリールオキシ基，アラ
ルキル基または一般式（Ｉａ）で表される基 【化２】 （Ｘはアリール基，芳香族複素環基、Ｒ5,Ｒ6,Ｒ7 はそ
れぞれ水素原子，アリール基，芳香族複素環基，シアノ
基、ｎは０ないし３の整数）を示す。〕 - 【請求項２】請求項１記載の素子において、正極と発光
層の間に正孔注入層を有することを特徴とする有機薄膜
発光素子。 - 【請求項３】請求項１記載の素子において、負極と発光
層の間に電子注入層を有することを特徴とする有機薄膜
発光素子。 - 【請求項４】請求項１記載の素子において、正極と発光
層の間に正孔注入層をまた負極と発光層の間に電子注入
層を有することを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４記載の素子にお
いて、一般式（Ｉ）で示されるキノキサリン誘導体はＲ
1 とＲ3 が水素原子であり、Ｒ2 とＲ4 が４−エチルフ
ェニル基であることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項６】請求項１、２、３または４記載の素子にお
いて、一般式（Ｉ）で示されるキノキサリン誘導体はＲ
1 とＲ3 が水素原子であり、Ｒ2 とＲ4 が１０−ピレニ
ル基であることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項７】請求項１、２、３または４記載の素子にお
いて、一般式（Ｉ）で示されるキノキサリン誘導体はＲ
1 とＲ3 が水素原子であり、Ｒ2 とＲ4 が４−Ｎ，Ｎ−
ジトリルアミノフェニル基であることを特徴とする有機
薄膜発光素子。 - 【請求項８】請求項１、２、３または４記載の素子にお
いて、一般式（Ｉ）で示されるキノキサリン誘導体はＲ
1 とＲ3 が水素原子であり、Ｒ2 とＲ4 が９−エチル−
６−カルバゾリル基であることを特徴とする有機薄膜発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5205463A JPH0753954A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5205463A JPH0753954A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0753954A true JPH0753954A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16507294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5205463A Pending JPH0753954A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0753954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7993761B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using the same |
| US8178216B2 (en) | 2007-02-28 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including quinoxaline derivative |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP5205463A patent/JPH0753954A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178216B2 (en) | 2007-02-28 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including quinoxaline derivative |
| US7993761B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using the same |
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