KR20060063684A - 기판 처리장치 및 기판 처리방법 - Google Patents

기판 처리장치 및 기판 처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060063684A
KR20060063684A KR1020050116311A KR20050116311A KR20060063684A KR 20060063684 A KR20060063684 A KR 20060063684A KR 1020050116311 A KR1020050116311 A KR 1020050116311A KR 20050116311 A KR20050116311 A KR 20050116311A KR 20060063684 A KR20060063684 A KR 20060063684A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing unit
processing
unit
board
Prior art date
Application number
KR1020050116311A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100736802B1 (ko
Inventor
슈이치 야수다
마사시 가나오카
코지 가네야마
타다시 미야기
카즈히토 시게모리
토루 아사노
유키오 도리야마
타카시 다구치
츠요시 미츠하시
츠요시 오쿠무라
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Publication of KR20060063684A publication Critical patent/KR20060063684A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100736802B1 publication Critical patent/KR100736802B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

기판 처리장치는, 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 세정/현상 처리블록 및 인터페이스 블록을 구비한다. 인터페이스 블록에 인접하도록 노광장치가 배치된다. 레지스트막용 처리블록에 있어서 기판 상에 레지스트막이 형성된다. 노광장치에서 기판에 노광처리가 행해지기 전에, 세정/현상 처리블록의 세정 처리유닛에서 기판의 세정 및 건조처리가 행해진다.
인덱서 블록, 레지스트막, 세정, 현상, 기판, 처리장치, 노광, 유닛, 인터페이스

Description

기판 처리장치 및 기판 처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
도 1은, 본 발명의 일실시형태에 관한 기판 처리장치의 평면도,
도 2는, 도 1의 기판 처리장치를 +X방향에서 본 측면도,
도 3은, 도 1의 기판 처리장치를 -X방향에서 본 측면도,
도 4는, 세정 처리유닛의 구성을 설명하기 위한 도면,
도 5는, 세정 처리유닛의 동작을 설명하기 위한 도면,
도 6은, 세정처리용 노즐과 건조처리용 노즐이 일체로 설치된 경우의 모식도,
도 7은, 건조처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도,
도 8은, 도 7의 건조처리용 노즐을 이용한 경우의 기판의 건조 처리방법을 설명하기 위한 도면,
도 9는, 건조처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도,
도 10은, 세정 처리유닛의 다른 예를 나타내는 모식도,
도 11은, 도 10의 세정 처리유닛을 이용한 경우의 기판의 건조 처리방법을 설명하기 위한 도면,
도 12는, 인터페이스용 반송기구의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면,
도 13은, 세정 및 건조처리에 이용되는 2유체 노즐의 내부(內部)구조의 일례를 나타내는 종(縱)단면도,
도 14는, 도 13의 2유체 노즐을 이용한 경우의 기판의 세정 및 건조 처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
[도면의 주요 부분에 대한 간단한 부호의 설명]
9 인덱서 블록, 10 반사방지막용 처리블록,
11 레지스트막용 처리블록, 12 세정/현상 처리블록,
13 인터페이스 블록, 14 노광장치,
30 메인 컨트롤러, 60 재치대,
500 기판 처리장치.
본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리장치 및 기판 처리방법에 관한다.
반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크(disk)용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크(photomask)용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지 처리를 행하기 위해서, 기판 처리장치가 이용되고 있다.
이러한 기판 처리장치에서는, 일반적으로, 1장의 기판에 대해서 복수의 다른 처리가 연속적으로 행해진다. 일본특허공개 2003-324139호 공보에 기재된 기판 처리장치는, 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상 처리블록 및 인터페이스 블록으로 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록, 기판 처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치가 배치된다.
상기 기판 처리장치에 있어서는, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은, 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에 있어서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포 처리가 행해진 후, 인터페이스 블록을 통해서 노광장치로 반송된다. 노광장치에서 기판 상의 레지스트막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통해서 현상 처리블록으로 반송된다. 현상 처리블록에 있어서 기판 상의 레지스트막에 현상처리가 행해지는 것에 의해 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.
최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제로 되고 있다. 종래의 일반적인 노광장치에 있어서는, 레티클 패턴을 투영렌즈를 통해서 기판 상에 축소 투영함으로써 노광처리가 행해지고 있었다. 그러나, 이러한 종래의 노광장치에 있어서는, 노광 패턴의 선(線)폭은 노광장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.
그래서, 노광 패턴의 더욱 미세화를 가능하게 하는 투영 노광방법으로서, 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광장치에 있어서는, 투영 광학계와 기판의 사이에 액체(液體)가 채워져 있고, 기판 표면에서의 노광 광(光)을 단파장화 할 수 있다. 그것에 의해, 노광 패턴의 더욱 미세화가 가능해진다.
그렇지만, 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광장치에 있어서는, 기판과 액체가 접촉한 상태에서 노광처리가 행해지므로, 기판 상에 도포된 레지스트의 성분의 일부가 액체 중에 용출한다. 이 액체 중에 용출한 레지스트의 성분이 기판의 표면에 잔류하여, 불량의 원인으로 될 염려가 있다.
또한, 액체 중에 용출한 레지스트의 성분은, 노광장치의 렌즈를 오염한다. 그것에 의해, 노광 패턴의 치수 불량 및 형상 불량이 발생할 염려가 있다.
본 발명의 목적은, 기판 상의 감광성 재료의 성분이 노광장치에서의 액체 중에 용출하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법을 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일국면에 따른 기판 처리장치는, 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부의 일단(一端)부에 인접하도록 설치되어 처리부와 노광장치의 사이에서 기판의 수수(授受)를 행하기 위한 수수부(授受部)를 구비하고, 처리부는, 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 제1의 처리유닛과, 제1의 처리유닛에 의한 감광성막의 형성 후(後)로서 노광장치에 의한 노광처리 전(前)에 기판의 세정처리를 행하는 제2의 처리유닛과, 노광장치에 의한 노광처리 후에 기판에 현상처리를 행하는 제3의 처리유닛을 구비하는 것이다.
그 기판 처리장치에 있어서는, 제1의 처리유닛에서 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막이 형성된다. 그 후, 제2의 처리유닛에서 기판의 세정처리가 행해진다. 다음에, 기판은 수수부를 통해서 처리부에서 노광장치로 반송되어, 노광장치에서 기판에 노광처리가 행해진다. 노광처리 후의 기판은 수수부를 통해서 노광장치에서 처리부로 반송되어, 제3의 처리유닛에서 기판에 현상처리가 행해진다.
이렇게, 노광장치에 있어서 노광처리가 행해지기 전에 제2의 처리유닛에서 기판의 세정처리가 행해진다. 이것에 의해, 제1의 처리유닛에서 기판에 형성된 감광성막의 성분의 일부가 용출하여, 씻어 내진다. 이 경우, 노광장치에 있어서, 기판이 액체와 접촉한 상태에서 노광처리가 행해져도, 기판 상의 감광성 재료의 성분은 거의 용출하지 않는다. 그것에 의해, 노광장치 내의 오염이 저감되는 동시에 기판의 표면에 감광성 재료의 성분이 잔류하는 것도 방지된다. 그 결과, 노광장치에서 발생하는 기판의 처리 불량을 저감할 수 있다.
(2) 처리부는, 제1의 처리유닛, 기판에 열처리를 행하는 제1의 열처리유닛 및 기판을 반송하는 제1의 반송유닛을 포함하는 제1의 처리단위와, 제2의 처리유닛, 제3의 처리유닛, 기판에 열처리를 행하는 제2의 열처리유닛 및 기판을 반송하는 제2의 반송유닛을 포함하는 제2의 처리단위를 구비하여도 좋다.
이 경우, 제1의 처리단위에 있어서, 제1의 처리유닛에 의해 기판 상에 감광성막이 형성된다. 그 후, 기판은 제1의 반송유닛에 의해 제1의 열처리유닛으로 반송되어, 제1의 열처리유닛에서 기판에 소정의 열처리가 행해진다. 그 후, 기판은 제1의 반송유닛에 의해 인접하는 다른 처리단위로 반송된다.
다음에, 제2의 처리단위에 있어서, 제2의 처리유닛에 의해 기판의 세정처리가 행해진다. 그 후, 기판은 수수부를 통해서 처리부에서 노광장치로 반송되어, 노광장치에서 기판에 노광처리가 행해진다. 노광처리 후의 기판은 수수부를 통해서 노광장치에서 처리부로 반송된다.
다음에, 제2의 처리단위에 있어서, 제3의 처리유닛에 의해 기판의 현상처리가 행해진다. 그 후, 기판은 제2의 반송유닛에 의해 제2의 열처리유닛으로 반송되어, 제2의 열처리유닛에서 기판에 소정의 열처리가 행해진다. 그 후, 기판은 제2의 반송유닛에 의해 인접하는 다른 처리단위로 반송된다.
이 기판 처리장치에 있어서는, 제2의 처리단위에 있어서, 노광처리 전의 기판의 세정처리 및 노광처리 후의 기판의 현상처리가 행해진다. 즉, 제1 및 제3의 처리유닛을 갖는 기존의 기판 처리장치에 있어서, 제3의 처리유닛이 포함되는 처리단위에 제2의 처리유닛을 추가하는 것에 의해, 노광처리 전의 기판의 세정처리 및 노광처리 후의 기판의 현상처리를 하나의 처리단위로 행하는 것이 가능해진다. 그 결과, 저코스트이면서 풋 프린트(foot print)를 증가시키는 일 없이, 노광장치에 서 발생하는 기판의 처리 불량을 저감할 수 있다.
(3) 제2의 처리단위는, 수수부에 인접하도록 배치되어도 좋다. 이 경우, 노광처리의 직전 및 직후에 기판의 세정처리 및 현상처리를 행할 수 있다. 그것에 의해, 기판을 제2의 처리단위에서 노광장치로 반송할 때 및 노광장치에서 제2의 처리단위에 반송할 때에, 기판에 분위기 중의 진애(塵埃) 등이 부착하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 노광처리시 및 현상처리시에 발생하는 기판의 처리 불량을 저감 할 수 있다.
(4) 처리부는, 제1의 처리유닛에 의한 감광성막의 형성 전에 기판에 반사방지막을 형성하는 제4의 처리유닛, 기판에 열처리를 행하는 제3의 열처리유닛 및 기판을 반송하는 제3의 반송유닛을 포함하는 제3의 처리단위를 더 구비해도 좋다. 이 경우, 제4의 처리유닛에 의해 기판 상에 반사방지막이 형성되므로, 노광처리시에 발생하는 정재파 및 헐레이션(halation)을 감소시킬 수 있다. 그것에 의해, 노광처리시에 발생하는 기판의 처리 불량을 더 저감할 수 있다.
(5) 처리부의 타단부에 인접하도록 배치되어, 처리부로의 기판의 반입 및 처리부로부터의 기판의 반출을 행하는 기판 반입반출부를 더 구비하고, 제3의 처리단위는, 기판 반입반출부에 인접하도록 배치되어도 좋다.
이 경우, 처리부로의 기판의 반송 직후에 제3의 처리단위에서 반사방지막을 형성하고, 그 후, 감광성막을 제1의 처리단위에서 순차로 형성할 수 있다. 그것에 의해, 기판 상으로의 반사방지막 및 감광성막의 형성을 원활하게 행할 수 있다.
(6) 수수부는, 기판에 소정의 처리를 행하는 제5의 처리유닛과, 기판이 일시적으로 실리는 재치부와, 처리부, 제5의 처리유닛 및 재치부의 사이에서 기판을 반송하는 제4의 반송유닛과, 재치부 및 노광장치의 사이에서 기판을 반송하는 제5의 반송유닛을 포함해도 좋다.
이 경우, 기판은 제4의 반송유닛에 의해 처리부에서 제5의 처리유닛으로 반송된다. 제5의 처리유닛에서 기판에 소정의 처리가 행해진 후, 기판은 제4의 반송유닛에 의해 재치부로 반송된다. 그 후, 기판은 제5의 반송유닛에 의해 재치부에서 노광장치로 반송된다. 노광장치에서 기판에 노광처리가 행해진 후, 기판은 제5의 반송유닛에 의해 노광장치에서 재치부로 반송된다. 그 후, 기판은 제4의 반송유닛에 의해 재치부에서 처리부로 반송된다.
이렇게, 수수부에 제5의 처리유닛을 배치하고, 2개의 반송유닛에 의해 기판의 반송을 행하는 것에 의해, 기판 처리장치의 풋 프린트를 증가시키는 일 없이 처리 내용을 추가하는 것이 가능해진다.
(7) 제4의 반송유닛은, 기판을 유지하는 제1 및 제2의 유지부를 포함하고, 제4의 반송유닛은, 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 반송할 때는 제1의 유지부에 의해 기판을 유지하며, 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 반송할 때는 제2의 유지부에 의해 기판을 유지하고, 제5의 반송유닛은, 기판을 유지하는 제3 및 제4의 유지부를 포함하며, 제5의 반송유닛은, 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 반송할 때는 제3의 유지부에 의해 기판을 유지하고, 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 반송할 때는 제4의 유지부에 의해 기판을 유지해도 좋다.
이 경우, 제1 및 제3의 유지부는 노광처리 전의 액체가 부착하고 있지 않은 기판을 반송할 때 이용되고, 제2 및 제4의 유지부는, 노광처리 후의 액체가 부착된 기판을 반송할 때 이용된다. 그 때문에, 제1 및 제3의 유지부에 액체가 부착하는 일이 없으므로, 노광처리 전의 기판에 액체가 부착하는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 분위기 중의 진애 등의 부착에 의한 기판의 오염을 방지할 수 있다. 그 결과, 노광장치에 있어서 해상(解像) 성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
(8) 제2의 유지부는 제1의 유지부보다도 하방에 설치되고, 제4의 유지부는 제3의 유지부보다도 하방에 설치되어도 좋다. 이 경우, 제2 및 제4의 유지부 및 그것들이 유지하는 기판으로부터 액체가 낙하해도, 제1 및 제3의 유지부 및 그것들이 유지하는 기판에 액체가 부착하는 일이 없다. 그것에 의해, 노광처리 전의 기판에 액체가 부착하는 것이 확실히 방지된다.
(9) 제5의 처리유닛은, 기판의 주연부를 노광하는 에지 노광부를 포함해도 좋다. 이 경우, 에지 노광부에 있어서 기판의 주연부(周緣部)에 노광처리가 행해진다.
(10) 제2의 처리유닛은, 기판의 세정처리 후에 더 기판의 건조처리를 행해도 좋다.
이 경우, 세정 후의 기판에 분위기 중의 진애 등이 부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판의 세정 후에 기판 상에 세정액이 잔류하면, 감광성 재료의 성분이 잔류한 세정액 중에 용출하는 일이 있다. 그래서, 기판의 세정 후에 기판을 건조하는 것에 의해, 기판 상의 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류한 세정액 중에 용출하는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판 상에 도포된 감광성막의 형상 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있는 동시에 노광장치 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다. 이들의 결과, 기판의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
(11) 제2의 처리유닛은, 기판을 거의 수평으로 유지하는 기판 유지장치와, 기판 유지장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위에서 회전시키는 회전 구동장치와, 기판 유지장치에 유지된 기판 상에 세정액을 공급하는 세정액 공 급부와, 세정액 공급부에 의해 기판 상에 세정액이 공급된 후에 기판 상에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스공급부를 구비하여도 좋다.
이 제2의 처리유닛에 있어서는, 기판 유지장치에 의해 기판이 거의 수평으로 유지되고, 회전 구동장치에 의해 기판이 그 기판에 수직한 축의 주위에서 회전된다. 또한, 세정액 공급부에 의해 기판 상에 세정액이 공급되고, 이어서, 불활성 가스공급부에 의해 불활성 가스가 공급된다.
이 경우, 기판을 회전시키면서 기판 상에 세정액이 공급되므로, 기판 상의 세정액은 원심력에 의해 기판의 주연부로 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액 중에 용출한 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판을 회전시키면서 기판 상에 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 세정 후에 기판 상에 잔류한 세정액이 효율적으로 배제된다. 그것에 의해, 기판 상에 감광성 재료의 성분이 잔류하는 것을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판을 확실히 건조할 수 있다. 따라서, 세정 후의 기판이 노광장치로 반송될 때까지의 동안에, 기판 상의 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류한 세정액 중에 더 용출하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 그 결과, 기판 상에 도포 형성된 감광성막의 형상 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있는 동시에 노광장치 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다.
(12) 불활성 가스공급부는, 세정액 공급부에 의해 기판 상에 공급된 세정액이 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.
이 경우, 세정액이 기판 상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 또한, 세정 후의 기판이 노광장치로 반송될 때까지의 동안에, 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류한 세정액 중에 더 용출하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 보다 확실히 방지할 수 있다.
(13) 제2의 처리유닛은, 세정액 공급부에 의해 세정액이 공급된 후로서 불활성 가스공급부에 의해 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 구비해도 좋다.
이 경우, 린스액에 의해 세정액을 확실히 씻어 낼 수 있으므로, 세정액 중에 용출한 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.
(14) 불활성 가스공급부는, 린스액 공급부에 의해 기판 상에 공급된 린스액이 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.
이 경우, 린스액이 기판 상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 또한, 세정 후의 기판이 노광장치로 반송될 때까지의 동안에, 기판 상의 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류한 린스액 중에 더 용출하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들의 결과, 기판의 처리 불량을 보다 확실히 방지할 수 있다.
(15) 제2의 처리유닛은, 유체 노즐로부터 세정액 및 기체를 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 것에 의해 기판의 세정처리를 행해도 좋다.
이 경우, 유체 노즐로부터 토출되는 혼합 유체는 세정액의 미세한 액적(液滴)을 포함하므로, 기판 표면에 요철(凹凸)이 있는 경우라도, 이 미세한 액적에 의해 기판 표면에 부착한 오염이 벗겨진다. 또한, 기판 상에 형성된 막의 습윤성이 낮은 경우라도, 세정액의 미세한 액적에 의해 기판 표면의 오염이 벗겨지므로, 기판 표면의 오염을 확실히 제거할 수 있다.
따라서, 노광처리 전에, 기판 상에 형성된 막의 용제(溶劑) 등이 승화하고, 그 승화물이 기판에 재부착한 경우라도, 제2의 처리유닛에 있어서, 그 부착물을 확실히 제거할 수 있다. 그것에 의해, 노광장치 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 확실히 저감할 수 있다.
또한, 기체의 유량을 조절하는 것에 의해, 기판을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 기판 상에 형성된 막이 파손하기 쉬운 성질을 갖는 경우에는, 세정력을 약하게 함으로써 기판 상의 막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판 표면의 오염이 강고(强固)한 경우에는, 세정력을 강하게 함으로써 기판 표면의 오염을 확실히 제거할 수 있다. 이렇게, 기판 상의 막의 성질 및 오염의 정도에 맞추어 세정력을 조절하는 것에 의해, 기판 상의 막의 파손을 방지하면서, 기판을 확실히 세정할 수 있다.
(16) 기체는 불활성 가스라도 좋다. 이 경우, 세정액으로서 약액을 이용한 경우에도, 기판 상에 형성된 막 및 세정액으로의 화학적 영향을 방지하면서 기판 표면의 오염을 보다 확실히 제거할 수 있다.
(17) 제2의 처리유닛은, 기판의 세정처리 후에 더 기판의 건조처리를 행해도 좋다.
이 경우, 세정처리 후의 기판에 분위기 중의 진애 등이 부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 세정처리 후의 기판 상에 세정액이 잔류하면, 기판 상에 형성된 감광성막의 성분이 잔류한 세정액 중에 용출하는 일이 있다. 그래서, 기판의 세정 후에 기판을 건조하는 것에 의해, 기판 상의 감광성막의 성분이 기판 상에 잔류한 세정액 중에 용출하는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판 상에 형성된 감광성막의 형상 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있는 동시에 노광장치 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다. 이들의 결과, 기판의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
(18) 제2의 처리유닛은, 기판 상에 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판의 건조처리를 행하는 불활성 가스공급부를 포함해도 좋다. 이 경우, 불활성 가스를 이용하므로, 기판 상에 형성된 막으로의 화학적 영향을 방지하면서 기판을 확실히 건조시킬 수 있다.
(19) 유체 노즐은 불활성 가스공급부로서 기능해도 좋다. 이 경우, 유체 노즐로부터 기판 상에 불활성 가스가 공급되어, 기판의 건조처리가 행해진다. 이것에 의해, 불활성 가스공급부를 유체 노즐과 별개로 설치할 필요가 없다. 그 결과, 간단한 구조로 기판의 세정 및 건조처리를 확실히 행할 수 있다.
(20) 제2의 처리유닛은, 기판을 거의 수평으로 유지하는 기판 유지장치와, 기판 유지장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위에서 회전시키는 회전 구동장치를 더 포함해도 좋다.
이 제2의 처리유닛에 있어서는, 기판 유지장치에 의해 기판이 거의 수평으로 유지되고, 회전 구동장치에 의해 기판이 그 기판에 수직한 축의 주위에서 회전된다. 또한, 유체 노즐에 의해 기판 상에 혼합 유체가 공급되고, 이어서, 불활성 가스공급부에 의해 불활성 가스가 공급된다.
이 경우, 기판을 회전시키면서 기판 상에 혼합 유체가 공급되므로, 기판 상의 혼합 유체는 원심력에 의해 기판의 주연부로 이동하여 비산한다. 따라서, 혼합 유체에 의해 제거된 진애 등의 부착물이 기판 상에 잔류하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판을 회전시키면서 기판 상에 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 세정 후에 기판 상에 잔류한 혼합 유체가 효율적으로 배제된다. 그것에 의해, 기판 상에 진애 등의 부착물이 잔류하는 것을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판을 확실히 건조할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
(21) 제2의 처리유닛은, 유체 노즐로부터 기판 상에 공급된 혼합 유체가 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.
이 경우, 혼합 유체가 기판 상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
(22) 제2의 처리유닛은, 유체 노즐로부터 혼합 유체가 공급된 후로서 불활성 가스공급부에 의해 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 포함해도 좋다.
이 경우, 린스액에 의해 혼합 유체를 확실히 씻어 낼 수 있으므로, 진애 등 의 부착물이 기판 상에 잔류하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.
(23) 유체 노즐은 린스액 공급부로서 기능해도 좋다. 이 경우, 유체 노즐로부터 기판 상에 린스액이 공급된다. 이것에 의해, 린스액 공급부를 유체 노즐과 별개로 설치할 필요가 없다. 그 결과, 간단한 구조로 기판의 세정 및 건조처리를 확실히 행할 수 있다.
(24) 제2의 처리유닛은, 린스액 공급부에 의해 기판 상에 공급된 린스액이 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.
이 경우, 린스액이 기판 상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
(25) 유체 노즐은, 액체가 유통하는 액체 유로와, 기체가 유통하는 기체 유로와, 액체 유로에 연통해서 개구하는 액체 토출구와, 액체 토출구의 근방에 설치되는 동시에 기체 유로에 연통해서 개구하는 기체 토출구를 가져도 좋다.
이 경우, 세정액은 액체 유로를 유통시켜서 액체 토출구로부터 토출시키고, 기체는 기체 유로를 유통시켜서 기체 토출구로부터 토출시키는 것에 의해, 유체 노즐의 외부에서 세정액과 기체를 혼합할 수 있다. 그것에 의해, 안개 모양의 혼합 유체를 생성할 수 있다.
이렇게, 혼합 유체는 유체 노즐의 외부에서 세정액과 기체가 혼합되는 것에 의해 생성된다. 따라서, 세정액과 기체를 혼합하기 위한 공간을 유체 노즐의 내부 에 설치할 필요가 없다. 그 결과, 유체 노즐의 소형화가 가능해진다.
(26) 본 발명의 다른 국면에 따른 기판 처리방법은, 노광장치에 인접하도록 배치되어, 제1의 처리유닛, 제2의 처리유닛 및 제3의 처리유닛을 구비한 기판 처리장치에 있어서 기판을 처리하는 방법으로서, 노광장치에 의한 노광처리 전에 제1의 처리유닛에 의해 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 공정과, 제1의 처리유닛에 의한 감광성막의 형성 후로서 노광장치에 의한 노광처리 전에 제2의 처리유닛에 의해 기판의 세정처리를 행하는 공정과, 노광장치에 의한 노광처리 후에 제3의 처리유닛에 의해 기판에 현상처리를 행하는 공정을 구비한 것이다.
그 기판 처리방법에 있어서는, 제1의 처리유닛에서 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막이 형성된 후에, 제2의 처리유닛에서 기판의 세정처리가 행해진다. 그 후, 노광장치에서 기판에 노광처리가 행해진다. 노광처리 후, 제3의 처리유닛에 의해 기판의 현상처리가 행해진다.
이렇게, 노광장치에서 노광처리가 행해지기 전에 제2의 처리유닛에서 기판의 세정처리가 행해진다. 이것에 의해, 제1의 처리유닛에서 기판에 형성된 감광성막의 성분의 일부가 용출하고, 씻어 내진다. 이 경우, 노광장치에 있어서, 기판이 액체와 접촉한 상태에서 노광처리가 행해져도, 기판 상의 감광성 재료의 성분은 거의 용출하지 않는다. 그것에 의해, 노광장치 내의 오염이 저감되는 동시에 기판의 표면에 감광성 재료의 성분이 잔류하는 것도 방지된다. 그 결과, 노광장치에 서 발생하는 기판의 처리 불량을 저감할 수 있다.
(27) 제2의 처리유닛에 의해 기판의 세정처리를 행하는 공정 후로서 노광장 치에 의한 노광처리 전에 제2의 처리유닛에 의해 기판의 건조처리를 행하는 공정을 더 구비해도 좋다.
이 경우, 제2의 처리유닛에 있어서, 세정 후의 기판의 건조가 행해지므로, 세정 후의 기판에 분위기 중의 진애 등이 부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판의 세정 후에 기판 상에 세정액이 잔류하면, 감광성 재료의 성분이 잔류한 세정액 중에 용출하는 일이 있다. 그래서, 기판의 세정 후에 기판을 건조하는 것에 의해, 기판 상의 감광성 재료의 성분이 기판 상에 잔류한 세정액 중에 용출하는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판 상에 도포된 감광성막의 형상 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있는 동시에 노광장치 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다. 이들의 결과, 기판의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 노광장치에서 노광처리가 행해지기 전에 제2의 처리유닛에서 기판의 세정처리가 행해진다. 이 경우, 노광장치에 있어서, 기판이 액체와 접촉한 상태에서 노광처리가 행해져도, 기판 상의 감광성 재료의 성분은 거의 용출하지 않는다. 그것에 의해, 노광장치 내의 오염이 저감되는 동시에 기판의 표면에 감광성 재료의 성분이 잔류하는 것도 방지된다. 그 결과, 노광장치에서 발생하는 기판의 처리 불량을 저감할 수 있다.
이하, 본 발명의 일실시형태에 관한 기판 처리장치에 대해서 도면을 이용해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.
도 1은, 본 발명의 일실시형태에 관한 기판 처리장치의 평면도이다.
도 1 이후의 각 도면에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직(鉛直)방향에 상당한다. 또, 각 방향에 있어서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대의 방향을 -방향이라고 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향이라고 하고 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리장치(500)는, 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 세정/현상 처리블록(12) 및 인터페이스 블록(13)을 포함한다. 인터페이스 블록(13)에 인접하도록 노광장치(14)가 배치된다. 노광장치(14)에서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광처리가 행해진다.
이하, 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 세정/현상 처리블록(12) 및 인터페이스 블록(13)의 각각을 처리블록이라 부른다.
인덱서 블록(9)은, 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(controller)(제어부)(30), 복수의 캐리어 재치대(60) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는, 기판(W)을 수수(授受)하기 위한 핸드(IRH)가 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용 도포 처리부(70) 및 제1의 센터 로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용 도포 처리부(70)는, 제1의 센터 로봇(CR1)을 사이에 두고 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향해서 설치된다. 제1의 센터 로봇(CR1)에는, 기판(W)을 수수하기 위한 핸드(CRH1, CRH2)가 상하로 설치된다.
인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)의 사이에는, 분위기차단용 격벽(15)이 설치된다. 이 격벽(15)에는, 인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 기판 재치부(PASS1, PASS2)가 상하로 근접해서 설치된다. 상측의 기판 재치부(PASS1)는, 기판(W)을 인덱서 블록(9)에서 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 이용되고, 하측의 기판 재치부(PASS2)는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)에서 인덱서 블록(9)으로 반송할 때 이용된다.
또한, 기판 재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그것에 의해, 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 있어서 기판(W)이 실려져 있는 것인가 아닌가의 판정을 행하는 것이 가능해진다. 또한, 기판 재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정 설치된 복수개의 지지핀이 설치되어 있다. 또, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은, 후술하는 기판 재치부(PASS3~PASS10)에도 같은 형태로 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포 처리부(80) 및 제2의 센터 로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포 처리부(80)는, 제2의 센터 로봇(CR2)을 사이에 두고 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향해서 설치된다. 제2의 센터 로봇(CR2)에는, 기판(W)을 수수하기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하로 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)의 사이에는, 분위기차단용 격벽(16)이 설치된다. 이 격벽(16)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 기판 재치부(PASS3, PASS4)가 상하로 근접해서 설치된다. 상측의 기판 재치부(PASS3)는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)에서 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때 이용되고, 하측의 기판 재치부(PASS4)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)에서 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 이용된다.
세정/현상 처리블록(12)은, 현상용 열처리부(120), 노광 후 베이크용 열처리부(121), 현상처리부(90), 세정처리부(95) 및 제3의 센터 로봇(CR3)을 포함한다. 노광 후 베이크용 열처리부(121)는 인터페이스 블록(13)에 인접하고, 후술하는 바와 같이, 기판 재치부(PASS7, PASS8)를 구비한다. 현상처리부(90) 및 세정처리부(95)는, 제3의 센터 로봇(CR3)을 사이에 두고 현상용 열처리부(120) 및 노광 후 베이크용 열처리부(121)에 대향해서 설치된다. 제3의 센터 로봇(CR3)에는, 기판(W)을 수수하기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하로 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)과 세정/현상 처리블록(12)의 사이에는, 분위기차단용 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 세정/현상 처리블록(12)의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 기판 재치부(PASS5, PASS6)가 상하로 근접해서 설치된다. 상측의 기판 재치부(PASS5)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)에서 세정/현상 처리블록(12)으로 반송할 때 이용되고, 하측의 기판 재치부(PASS6)는, 기판(W)을 세정/현상 처리블록(12)에서 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때 이용된다.
인터페이스 블록(13)은, 제4의 센터 로봇(CR4), 전송 버퍼(buffer)부(SBF), 인터페이스용 반송기구(IFR) 및 에지 노광부(EEW)를 포함한다. 또한, 에지 노광부(EEW)의 하측에는, 후술하는 리턴 버퍼부(RBF) 및 기판 재치부(PASS9, PASS10)가 설치되어 있다. 제4의 센터 로봇(CR4)에는, 기판(W)을 수수하기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하로 설치된다.
본 실시형태에 관한 기판 처리장치(500)에 있어서는, Y방향에 따라 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 세정/현상 처리블록(12) 및 인터페이스 블록(13)이 순차로 병설(竝設)되어 있다.
도 2는, 도 1의 기판 처리장치(500)를 +X방향에서 본 측면도이다.
반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포 처리부(70)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하로 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은, 기판(W)을 수평 자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(71) 및 스핀 척(71) 상에 유지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급 노즐(72)을 구비한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포 처리부(80)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하로 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은, 기판(W)을 수평 자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(81) 및 스핀 척(81) 상에 유지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급 노즐(82)을 구비한다.
세정/현상 처리블록(12)에는 현상처리부(90) 및 건조처리부(95)가 상하로 적층 배치되어 있다. 현상처리부(90)에는, 4개의 현상 처리유닛(DEV)이 상하로 적층 배치되어 있다. 각 현상 처리유닛(DEV)은, 기판(W)을 수평 자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(91) 및 스핀 척(91) 상에 유지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급 노즐(92)을 구비한다.
또한, 세정처리부(95)에는, 1개의 세정 처리유닛(SOAK)이 배치되어 있다. 이 세정 처리유닛(SOAK)에서는, 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행해진다. 세정 처리유닛(SOAK)의 상세에 대해서는 후술한다.
인터페이스 블록(13)에는, 2개의 에지 노광부(EEW), 리턴 버퍼부(RBF) 및 기판 재치부(PASS9, PASS10)가 상하로 적층 배치되는 동시에, 제4의 센터 로봇(CR4)(도 1 참조) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 배치된다. 각 에지 노광부(EEW)는, 기판(W)을 수평 자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 척(98) 및 스핀 척(98) 상에 유지된 기판(W)의 주연(周緣)을 노광하는 광 조사기(99)를 구비한다.
도 3은, 도 1의 기판 처리장치(500)를 -X방향에서 본 측면도이다.
반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100)에는, 2개의 냉각 유닛(쿨링 플레이트)(CP)이 적층 배치되고, 반사방지막용 열처리부(101)에는, 4개의 가열 유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110)에는, 4개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층 배치되고, 레지스트막용 열처리부(111)에는, 5개의 가열 유닛(HP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
세정/현상 처리블록(12)의 현상용 열처리부(120)에는, 3개의 가열 유닛(HP) 및 4개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층 배치되고, 노광 후 베이크용 열처리부(121)에는, 4개의 가열 유닛(HP), 기판 재치부(PASS7, PASS8) 및 2개의 냉각 유닛(CP)이 상하로 적층 배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120) 및 노광 후 베이크용 열처리부(121)에는, 최상부에 냉각 유닛(CP) 및 가열 유닛(HP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
다음에, 본 실시형태에 관한 기판 처리장치(500)의 동작에 대해서 설명한다.
인덱서 블록(9)의 캐리어 재치대(60) 상에는, 복수매의 기판(W)을 다단(多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서 로봇(IR)은, 핸드(IRH)를 이용해서 캐리어(C) 내에 수납된 미처리 기판(W)을 집어낸다. 그 후, 인덱서 로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하고, 미처리 기판(W)을 기판 재치부(PASS1)로 옮겨 싣는다.
본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드나 수납 기판(W)을 외기(外氣)에 노출하는 OC(open cassette)등을 이용해도 좋다. 게다가, 인덱서 로봇(IR), 제1~제4의 센터 로봇(CR1~CR4) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대해서 직선적으로 슬라이드 시켜서 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 반송 로봇을 이용하고 있지만, 이것에 한정되지 않 고, 관절을 움직이는 것에 의해 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다관절형 반송 로봇을 이용해도 좋다.
기판 재치부(PASS1)로 옮겨 실려진 미처리 기판(W)은, 반사방지막용 처리블록(10)의 제1의 센터 로봇(CR1)의 핸드(CRH1)에 의해 수취된다. 제1의 센터 로봇(CR1)은, 핸드(CRH1)에 의해 기판(W)을 반사방지막용 도포 처리부(70)로 반입한다. 이 반사방지막용 도포 처리부(70)에서는, 노광시에 발생하는 정재파 및 헐레이션을 감소시키기 위해서, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 상에 반사방지막이 도포 형성된다.
그 후, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 핸드(CRH2)에 의해 반사방지막용 도포 처리부(70)에서 도포 처리가 끝난 기판(W)을 집어내고, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로 반입한다.
다음에, 제1의 센터 로봇(CR1)은, 핸드(CRH1)에 의해 반사방지막용 열처리부(100, 101)에서 열처리가 끝난 기판(W)을 집어내고, 기판 재치부(PASS3)로 옮겨 싣는다.
기판 재치부(PASS3)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2의 센터 로봇(CR2)의 핸드(CRH3)에 의해 수취된다. 제2의 센터 로봇(CR2)은, 핸드(CRH3)에 의해 기판(W)을 레지스트막용 도포 처리부(80)로 반입한다. 이 레지스트막용 도포 처리부(80)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포 형성된 기판(W) 상에 레지스트막이 도포 형성된다.
그 후, 제2의 센터 로봇(CR2)은, 핸드(CRH4)에 의해 레지스트막용 도포 처리 부(80)로부터 도포 처리가 끝난 기판(W)을 집어내고, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로 반입한다.
다음에, 제2의 센터 로봇(CR2)은, 핸드(CRH3)에 의해 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 집어내고, 기판 재치부(PASS5)로 옮겨 싣는다.
기판 재치부(PASS5)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 세정/현상 처리블록(12)의 제3의 센터 로봇(CR3)의 핸드(CRH5)에 의해 수취된다. 제3의 센터 로봇(CR3)은, 핸드(CRH5)에 의해 기판(W)을 세정처리부(95)로 반입한다. 이 세정처리부(95)에서는, 상술한 바와 같이 세정 처리유닛(SOAK)에 의해 기판(W)의 세정처리 및 건조처리가 행해진다.
다음에, 제3의 센터 로봇(CR3)은, 핸드(CRH5)에 의해 세정 처리유닛(SOAK)에서 처리가 끝난 기판(W)을 집어내고, 기판 재치부(PASS7)로 옮겨 싣는다. 기판 재치부(PASS7)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 인터페이스 블록(13)의 제4의 센터 로봇(CR4)의 상측의 핸드(CRH7)에 의해 수취된다. 제4의 센터 로봇(CR4)은, 핸드(CRH7)에 의해 기판(W)을 에지 노광부(EEW)로 반입한다. 이 에지 노광부(EEW)에서는, 기판(W)의 주연부에 노광처리가 실시된다.
다음에, 제4의 센터 로봇(CR4)은, 핸드(CRH7)에 의해 에지 노광부(EEW)에서 에지 노광처리가 끝난 기판(W)을 집어낸다. 그 후, 제4의 센터 로봇(CR4)은, 핸드(CRH7)에 의해, 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)로 옮겨 싣는다.
기판 재치부(PASS9)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 인터페이스용 반송기구(IFR) 의 핸드(H5)에 의해 노광장치(14)로 반입된다. 노광장치(14)에 있어서 기판(W)에 노광처리가 실시된 후, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H6)에 의해 기판(W)을 기판 재치부(PASS10)로 옮겨 싣는다. 또, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 상세에 대해서는 후술한다.
기판 재치부(PASS10)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 인터페이스 블록(13)의 제4의 센터 로봇(CR4)의 하측의 핸드(CRH8)에 의해 수취된다. 제4의 센터 로봇(CR4)은, 핸드(CRH8)에 의해 기판(W)을 세정/현상 처리블록(12)의 노광 후 베이크용 열처리부(121)로 반입한다. 노광 후 베이크용 열처리부(121)에 있어서는, 기판(W)에 대해서 노광 후 베이크(PEB)가 행해진다. 그 후, 제4의 센터 로봇(CR4)은, 핸드(CRH8)에 의해 노광 후 베이크용 열처리부(121)로부터 기판(W)을 집어내고, 기판 재치부(PASS8)로 옮겨 싣는다.
기판 재치부(PASS8)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 세정/현상 처리블록(12)의 제3의 센터 로봇(CR3)의 핸드(CRH6)에 의해 수취된다. 제3의 센터 로봇(CR3)은, 핸드(CRH6)에 의해 기판(W)을 현상처리부(90)로 반입한다. 현상처리부(90)에 있어서는, 현상 처리유닛(DEV)에 의해 기판(W)의 현상처리가 행해진다.
그 후, 제3의 센터 로봇(CR3)은, 핸드(CRH5)에 의해 현상처리부(90)에서 현상처리가 끝난 기판(W)을 집어내고, 현상용 열처리부(120)로 반입한다.
다음에, 제3의 센터 로봇(CR3)은, 핸드(CRH6)에 의해 현상용 열처리부(120)에서 열처리 후의 기판(W)을 집어내고, 기판 재치부(PASS6)로 옮겨 싣는다.
또, 고장 등에 의해 현상처리부(90)에 있어서 일시적으로 기판(W)의 현상처 리를 할 수 없을 때는, 노광 후 베이크용 열처리부(121)에 있어서 기판(W)에 열처리를 실시한 후, 인터페이스 블록(13)의 리턴 버퍼부(RBF)에 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.
기판 재치부(PASS6)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2의 센터 로봇(CR2)의 핸드(CRH4)에 의해 기판 재치부(PASS4)로 옮겨 실린다. 기판 재치부(PASS4)로 옮겨 실려진 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1의 센터 로봇(CR1)의 핸드(CRH2)에 의해 기판 재치부(PASS2)로 옮겨 실린다.
기판 재치부(PASS2)로 옮겨 실려진 기판(W)은, 인덱서 블록(9)의 인덱서 로봇(IR)에 의해 캐리어(C) 내에 수납된다. 이것에 의해, 기판 처리장치에서의 기판(W)의 각 처리가 종료한다.
여기에서, 상기 세정 처리유닛(SOAK)에 대해서 도면을 이용하여 상세히 설명한다.
우선, 세정 처리유닛(SOAK)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 세정 처리유닛(SOAK)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 세정 처리유닛(SOAK)은, 기판(W)을 수평으로 유지하는 동시에 기판(W)의 중심을 통과하는 연직한 회전축의 주위에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀 척(621)을 구비한다.
스핀 척(621)은, 척 회전 구동기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀 척(621)에는 흡기로(吸氣路)(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 스핀 척(621) 상에 기판(W)을 실은 상태에서 흡기로 내를 배기하는 것에 의해, 기판(W)의 하면을 스핀 척(621)에 진공 흡착하여, 기판(W)을 수평 자세로 유지할 수 있다.
스핀 척(621)의 바깥쪽에는, 제1의 회전운동 모터(660)가 설치되어 있다. 제1의 회전운동 모터(660)에는, 제1의 회전 운동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 제1의 회전 운동축(661)에는, 제1의 암(662)이 수평방향으로 연장되도록 연결되고, 제1의 암(662)의 선단(先端)에 세정처리용 노즐(650)이 설치되어 있다.
제1의 회전운동 모터(660)에 의해 제1의 회전 운동축(661)이 회전하는 동시에 제1의 암(662)이 회전 운동하고, 세정처리용 노즐(650)이 스핀 척(621)에 의해 유지된 기판(W)의 상방으로 이동한다.
제1의 회전운동 모터(660), 제1의 회전 운동축(661) 및 제1의 암(662)의 내부를 통과하도록 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(663)은, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통해서 세정액 공급원(R1) 및 린스액 공급원(R2)에 접속되어 있다. 이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어하는 것에 의해, 세정처리용 공급관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 4의 구성에서는, 밸브(Va)를 개방하는 것에 의해, 세정처리용 공급관(663)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브(Vb)를 개방하는 것에 의해, 세정처리용 공급관(663)에 린스액을 공급할 수 있다.
세정처리용 노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이, 세정처리용 공급관(663)을 통해서 세정액 공급원(R1) 또는 린스액 공급원(R2)으로부터 공급된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예컨대, 순수, 순수에 착체(錯體)(이온화한 것)를 용해한 액 또는 불소계 약액 등이 이용된다. 린스액으로는, 예컨대, 순수, 탄산수, 수소(水素)수, 전해 이온수 및 HFE(하이드로 플루오로 에테르) 중 어느 하나가 이용된다.
스핀 척(621)의 바깥쪽에는, 제2의 회전운동 모터(671)가 설치되어 있다. 제2의 회전운동 모터(671)에는, 제2의 회전 운동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 제2의 회전 운동축(672)에는, 제2의 암(673)이 수평방향으로 연장되도록 연결되고, 제2의 암(673)의 선단에 건조처리용 노즐(670)이 설치되어 있다.
제2의 회전운동 모터(671)에 의해 제2의 회전 운동축(672)이 회전하는 동시에 제2의 암(673)이 회전 운동하고, 건조처리용 노즐(670)이 스핀 척(621)에 의해 유지된 기판(W)의 상방으로 이동한다.
제2의 회전운동 모터(671), 제2의 회전 운동축(672) 및 제2의 암(673)의 내부를 통과하도록 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 건조처리용 공급관(674)은, 밸브(Vc)를 통해서 불활성 가스 공급원(R3)에 접속되어 있다. 이 밸브(Vc)의 개폐를 제어하는 것에 의해, 건조처리용 공급관(674)으로 공급하는 불활성 가스의 공급량을 조정할 수 있다.
건조처리용 노즐(670)에는, 불활성 가스가, 건조처리용 공급관(674)을 통해서 불활성 가스 공급원(R3)으로부터 공급된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면으로 불활성 가스를 공급할 수 있다. 불활성 가스로는, 예컨대, 질소 가스(N2)를 이용된다.
기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 때에는, 세정처리용 노즐(650)은 기판의 상방에 위치하고, 기판(W)의 표면으로 불활성 가스를 공급할 때에는, 세정처리용 노즐(650)은 소정의 위치로 퇴피된다.
또한, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 때에는, 건조처리용 노즐(670)은 소정의 위치로 퇴피되고, 기판(W)의 표면으로 불활성 가스를 공급할 때에는, 건조처리용 노즐(670)은 기판(W)의 상방에 위치한다.
스핀 척(621)에 유지된 기판(W)은, 처리 컵(623) 내에 수용된다. 처리 컵(623)의 내측에는, 통(筒)모양의 칸막이 벽(633)이 설치되어 있다. 또한, 스핀 척(621)의 주위를 둘러싸도록, 기판(W)의 처리에 이용된 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액(排液)하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다. 게다가, 배액공간(631)을 둘러싸도록, 처리 컵(623)과 칸막이 벽(633)의 사이에 기판(W)의 처리에 이용된 처리액을 회수하기 위한 회수액 공간(632)이 형성되어 있다.
배액공간(631)에는, 배액 처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 인도하기 위한 배액관(634)이 접속되고, 회수액 공간(632)에는, 회수 처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 인도하기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.
처리 컵(623)의 상방에는, 기판(W)으로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 가드(624)가 설치되어 있다. 이 가드(624)는, 회전축(625)에 대해서 회전 대칭인 형상으로 되어 있다. 가드(624)의 상단부의 내면에는, 단면 "く"자 모양의 배액 안내홈(641)이 환상(環狀)으로 형성되어 있다.
또한, 가드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 하방으로 경사지는 경사면으로 이루어지는 회수액 안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액 안내부(642)의 상단 부근에는, 처리 컵(623)의 칸막이 벽(633)을 받아 넣기 위한 칸막이 벽 수납 홈(643)이 형성되어 있다.
이 가드(624)에는, 볼 나사 기구 등으로 구성된 가드 승강 구동기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 가드 승강 구동기구는, 가드(624)를, 회수액 안내부(642)가 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 회수 위치와, 배액 안내홈(641)이 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 배액 위치와의 사이에서 상하 동작한다. 가드(624)가 회수 위치(도 4에 나타내는 가드의 위치)에 있는 경우에는, 기판(W)에서 바깥쪽으로 비산한 처리액이 회수액 안내부(642)에 의해 회수액 공간(632)으로 인도되어, 회수관(635)을 통해서 회수된다. 한편, 가드(624)가 배액 위치에 있는 경우에는, 기판(W)에서 바깥쪽으로 비산한 처리액이 배액 안내홈(641)에 의해 배액 공간(631)으로 인도되어, 배액관(634)을 통해서 배액된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행해진다.
다음에, 상기의 구성을 갖는 세정 처리유닛(SOAK)의 처리 동작에 대해서 설명한다. 또, 이하에 설명하는 세정 처리유닛(SOAK)의 각 구성 요소의 동작은, 도 1의 메인 컨트롤러(30)에 의해 제어된다.
우선, 기판(W)의 반입시에는, 가드(624)가 하강하는 동시에, 도 1의 제3의 센터 로봇(CR3)이 기판(W)을 스핀 척(621) 상에 싣는다. 스핀 척(621) 상에 실려진 기판(W)은, 스핀 척(621)에 의해 흡착 유지된다.
다음에, 가드(624)가 상술한 폐액(廢液) 위치까지 이동하는 동시에, 세정처 리용 노즐(650)이 기판(W)의 중심부 상방으로 이동한다. 그 후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 수반해서 스핀 척(621)에 유지되어 있는 기판(W)이 회전한다. 그 후, 세정처리용 노즐(650)로부터 세정액이 기판(W)의 상면으로 토출된다. 이것에 의해, 기판(W)의 세정이 행해지고, 기판(W) 상의 레지스트의 성분이 세정액 중에 용출한다. 여기에서, 기판(W)의 세정에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 세정액을 공급하고 있다. 이 경우, 기판(W) 상의 세정액은 원심력에 의해 항상 기판(W)의 주연부로 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액 중에 용출한 레지스트의 성분이 기판(W) 상에 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 또, 상기의 레지스트의 성분은, 예컨대, 기판(W) 상에 순수를 담아 일정시간 유지하는 것에 의해 용출시켜도 좋다. 또한, 기판(W) 상으로의 세정액의 공급은, 2유체 노즐을 이용한 소프트 스프레이 방식에 의해 행해도 좋다.
소정시간 경과 후, 세정액의 공급이 정지되어, 세정처리용 노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이것에 의해, 기판(W) 상의 세정액이 씻어 내진다. 그 결과, 세정액 중에 용출한 레지스트의 성분이 기판(W) 상에 잔류하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
게다가 소정시간 경과 후, 회전축(625)의 회전속도가 저하한다. 이것에 의해, 기판(W)의 회전에 의해 뿌리쳐지는 린스액의 양이 감소하고, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(液層)(L)이 형성된다. 또, 회전축(625)의 회전을 정지시켜서 기판(W)의 표면 전체에 액층(L)을 형성해도 좋다.
본 실시형태에 있어서는, 세정액처리용 노즐(650)로부터 세정액 및 린스액의 어느 것이라도 공급할 수 있도록, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 세정액 처리용 노즐(650)을 공용하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액공급용 노즐과 린스액 공급용 노즐을 별개로 나눈 구성을 채용해도 좋다.
또한, 린스액을 공급하는 경우에는, 린스액이 기판(W)의 이면으로 돌아 들어가지 않도록, 기판(W)의 이면에 대해서 도시하지 않은 백 린스용 노즐로부터 순수를 공급해도 좋다.
또, 기판(W)을 세정하는 세정액에 순수를 이용하는 경우에는, 린스액의 공급을 행할 필요는 없다.
다음에, 린스액의 공급이 정지되어, 세정처리용 노즐(650)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 상방으로 이동한다. 그 후, 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주연부로 이동하여, 기판(W)의 주연부에만 액층(L)이 존재하는 상태가 된다.
다음에, 회전축(625)(도 4 참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 상방에서 주연부 상방으로 서서히 이동한다. 이것에 의해, 기판(W) 상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판(W)의 표면 전체에 불활성 가스를 내뿜을 수 있으므로, 기판(W) 상의 액층(L)을 확실히 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실히 건조시킬 수 있다.
다음에, 불활성 가스의 공급이 정지되어, 건조처리 노즐(670)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그 후, 가드(624)가 하강하는 동시에 도 1의 제3의 센터 로봇(CR3)이 기판(W)을 세정 처리유닛(SOAK)으로부터 반출한다. 이것에 의해, 세정 처리유닛(SOAK)에서의 처리 동작이 종료한다.
또, 세정 및 건조처리 중에서의 가드(624)의 위치는, 처리액의 회수 또는 폐액의 필요성에 따라 적절히 변경하는 것이 바람직하다.
또한, 도 4에 나타낸 세정 처리유닛(SOAK)에 있어서는, 세정처리용 노즐(650)과 건조처리용 노즐(670)이 별개로 설치되어 있지만, 도 6에 나타내는 바와 같이, 세정처리용 노즐(650)과 건조처리용 노즐(670)을 일체로 설치해도 좋다. 이 경우, 기판(W)의 세정처리시 또는 건조처리시에 세정처리용 노즐(650) 및 건조처리용 노즐(670)을 각각 별개로 이동시킬 필요가 없으므로, 구동기구를 단순화할 수 있다.
또한, 건조처리용 노즐(670) 대신에, 도 7에 나타내는 것과 같은 건조처리용 노즐(770)을 이용해도 좋다.
도 7의 건조처리용 노즐(770)은, 연직 하방으로 연장되는 동시에 측면으로부터 비스듬하게 하방으로 연장되는 분기관(771, 772)을 갖는다. 건조처리용 노즐(770)의 하단 및 분기관(771, 772)의 하단에는 불활성 가스를 토출하는 가스 토출구(770a, 770b, 770c)가 형성되어 있다. 각 토출구(770a, 770b, 770c)로부터는, 각각 도 7의 화살표로 나타내는 바와 같이 연직 하방 및 비스듬하게 하방으로 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조처리용 노즐(770)에 있어서는, 하방을 향해서 내뿜는 범 위를 확대하도록 불활성 가스가 토출된다.
여기에서, 건조처리용 노즐(770)을 이용하는 경우에는, 세정 처리유닛(SOAK)은 이하에 설명하는 동작에 의해 기판(W)의 건조처리를 행한다.
도 8은, 건조처리용 노즐(770)을 이용한 경우 기판(W)의 건조 처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 5의 (a)에서 설명한 방법에 의해 기판(W)의 표면에 액층(L)이 형성된 후, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 건조처리용 노즐(770)이 기판(W)의 중심부 상방으로 이동한다. 그 후, 건조처리용 노즐(770)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주연부로 이동하고, 기판(W)의 주연부에만 액층(L)이 존재하는 상태가 된다. 또, 이때, 건조처리용 노즐(770)은, 기판(W)의 중심부에 존재하는 린스액을 확실히 이동시킬 수 있도록 기판(W)의 표면에 근접시켜 둔다.
다음에, 회전축(625)(도 4 참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 건조처리용 노즐(770)이 상방으로 이동한다. 이것에 의해, 기판(W) 상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판(W) 상의 불활성 가스가 내뿜어지는 범위를 확대한다. 그 결과, 기판(W) 상의 액층(L)을 확실히 제거할 수 있다. 또, 건조처리용 노즐(770)은, 도 4의 제2의 회전 운동축(672)에 설치된 회전운동축 승강기구(도시하지 않음)에 의해 제2의 회전 운동축(672)을 상하로 승강시키는 것에 의해 상하로 이동시킬 수 있다.
또한, 건조처리용 노즐(770) 대신에, 도 9에 나타내는 것과 같은 건조처리용 노즐(870)을 이용해도 좋다. 도 9의 건조처리용 노즐(870)은, 하방을 향해서 서서히 지름이 확대하는 토출구(870a)를 갖는다. 이 토출구(870a)로부터는, 도 9의 화살표로 나타내는 바와 같이 연직 하방 및 비스듬하게 하방으로 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조처리용 노즐(870)에 있어서도, 도 7의 건조처리용 노즐(770)과 같이, 하방을 향해서 내뿜는 범위를 확대하도록 불활성 가스가 토출된다. 따라서, 건조처리용 노즐(870)을 이용하는 경우도, 건조처리용 노즐(770)을 이용하는 경우와 같은 방법에 의해 기판(W)의 건조처리를 행할 수 있다.
또한, 도 4에 나타내는 세정 처리유닛(SOAK) 대신에, 도 10에 나타내는 것과 같은 세정 처리유닛(SOAKa)을 이용해도 좋다.
도 10에 나타내는 세정 처리유닛(SOAKa)이 도 4에 나타내는 세정 처리유닛(SOAK)과 다른 것은 이하의 점이다.
도 10의 세정 처리유닛(SOAKa)에 있어서는, 스핀 척(621)의 상방에, 중심부에 개구를 갖는 원판상의 차단판(682)이 설치되어 있다. 암(688)의 선단 부근으로부터 연직 하방향에 지지축(689)이 설치되고, 그 지지축(689)의 하단에, 차단판(682)이 스핀 척(621)에 유지된 기판(W)의 상면에 대향하도록 설치되어 있다.
지지축(689)의 내부에는, 차단판(682)의 개구에 연통하는 가스 공급로(690)가 삽입 통과되어 있다. 가스 공급로(690)에는, 예컨대, 질소 가스(N2)가 공급된다.
암(688)에는, 차단판 승강 구동기구(697) 및 차단판 회전 구동기구(698)가 접속되어 있다. 차단판 승강 구동기구(697)는, 차단판(682)을 스핀 척(621)에 유지 된 기판(W)의 상면에 근접한 위치와 스핀 척(621)에서 상방으로 떨어진 위치와의 사이에서 상하 동작한다.
도 10의 세정 처리유닛(SOAKa)에 있어서는, 기판(W)의 건조처리시에, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 차단판(682)을 기판(W)에 근접시킨 상태에서, 기판(W)과 차단판(682)의 사이의 간극에 대해서 가스 공급로(690)에서 불활성 가스를 공급한다. 이 경우, 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 효율 좋게 불활성 가스를 공급 할 수 있으므로, 기판(W) 상의 액층(L)을 확실히 제거할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 세정 처리유닛(SOAK)에 있어서 스핀 건조 방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 실시하지만, 감압 건조방법, 에어 나이프 건조 방법 등의 다른 건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 실시해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 린스액의 액층(L)이 형성된 상태에서, 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급하도록 하고 있지만, 린스액의 액층(L)을 형성하지 않는 경우 혹은 린스액을 이용하지 않는 경우에는 세정액의 액층을 기판(W)을 회전시켜서 일단 뿌리친 후에, 바로 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급해서 기판(W)을 완전히 건조시키도록 해도 좋다.
상기와 같이, 본 실시형태에 관한 기판 처리장치(500)에 있어서는, 노광장치(14)에서 기판(W)에 노광처리가 실시되기 전에, 세정 처리유닛(SOAK)에서 기판(W)의 세정처리가 행해진다. 이 세정처리시에, 기판(W) 상의 레지스트의 성분의 일부가 세정액 또는 린스액 중에 용출하고, 씻어 내진다. 그 때문에, 노광장치(14)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉해도, 기판(W) 상의 레지스트의 성분은 액체 중에 거 의 용출하지 않는다. 그것에 의해, 노광장치(14) 내의 오염이 저감되는 동시에 기판(W)의 표면으로 레지스트의 성분이 잔류하는 것도 방지된다. 그 결과, 노광장치(14)에서 발생하는 기판(W)의 처리 불량을 저감할 수 있다.
또한, 세정 처리유닛(SOAK)에서는, 세정처리 후에 기판(W)의 건조처리가 행해지고 있으므로, 세정처리 후의 기판(W)을 반송할 때에, 기판(W)에 분위기 중의 진애가 부착하는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 세정/현상 처리블록(12)은 인터페이스 블록(13)에 인접하도록 설치되어 있다. 이 경우, 노광장치(14)에 있어서 노광처리의 직전 및 직후에 기판(W)의 세정처리 및 현상처리를 행할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)을 세정/현상 처리블록(12)으로부터 노광장치(14)로 반송할 때 및 노광장치(14)로부터 세정/현상 처리블록(12)으로 반송할 때에, 기판(W)에 분위기 중의 진애 등이 부착하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 노광처리시 및 현상처리시에 발생하는 기판(W)의 처리 불량을 충분히 저감할 수 있다.
또한, 세정 처리유닛(SOAK)에서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성 가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 내뿜는 것에 의해 기판(W)의 건조처리를 행하고있다. 이 경우, 기판(W) 상의 세정액 및 린스액을 확실히 제거할 수 있으므로, 세정 후의 기판(W)에 분위기 중의 진애 등이 부착하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 오염을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 세정 후의 기판(W)에 세정액 및 린스액이 잔류하는 것이 확실히 방지되므로, 세정 처리유닛(SOAK)으로부터 노광장치(14)로 기판(W)이 반송되는 동안에, 레지스트의 성분이 세정액 및 린스액 중에 더 용출하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 그것에 의해, 레지스트막의 형상 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있는 동시에 노광장치(14) 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다.
이들의 결과, 기판(W)의 처리 불량을 확실히 방지할 수 있다.
다음에, 인터페이스용 반송기구(IFR)에 대해서 설명한다. 도 12는 인터페이스용 반송기구(IFR)의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 구성에 대해서 설명한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 가동대(21)는 나선축(22)에 나사 결합된다. 나선축(22)은, X방향으로 연장되도록 지지대(23)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 나선축(22)의 일단부에는 모터(M1)가 설치되고, 이 모터(M1)에 의해 나선축(22)이 회전하고, 가동대(21)가 ±X방향으로 수평 이동한다.
또한, 가동대(21)에는 핸드 지지대(24)가 ±θ방향으로 회전 가능하고 또 ±Z방향으로 승강 가능하게 탑재된다. 핸드 지지대(24)는, 회전축(25)을 통해서 가동대(21) 내의 모터(M2)에 연결하고 있고, 이 모터(M2)에 의해 핸드 지지대(24)가 회전한다. 핸드 지지대(24)에는, 기판(W)을 수평 자세로 유지하는 2개의 핸드(H5, H6)가 진퇴 가능하게 상하로 설치된다.
다음에, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 동작에 대해서 설명한다. 인터페이스용 반송기구(IFR)의 동작은, 도 1의 메인 컨트롤러(30)에 의해 제어된다.
우선, 인터페이스용 반송기구(IFR)는, 도 12의 위치 A에 있어서 핸드 지지대(24)를 회전시키는 동시에 +Z방향으로 상승시키고, 상측의 핸드(H5)를 기판 재치부(PASS9)에 진입시킨다. 기판 재치부(PASS9)에서 핸드(H5)가 기판(W)을 받아 들이면, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H5)를 기판 재치부(PASS9)에서 후퇴시켜, 핸드 지지대(24)를 -Z방향으로 하강시킨다.
다음에, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 -X방향으로 이동하고, 위치 B에 있어서 핸드 지지대(24)를 회전시키는 동시에 핸드(H5)를 노광장치(14)의 기판 반입부(14a)(도 1 참조)에 진입시킨다. 기판(W)을 기판 반입부(14a)에 반입한 후, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H5)를 기판 반입부(14a)에서 후퇴시킨다.
다음에, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 하측의 핸드(H6)를 노광장치(14)의 기판 반출부(14b)(도 1 참조)에 진입시킨다. 기판 반출부(14b)에 있어서 핸드(H6)가 노광처리 후의 기판(W)을 받아 들이면, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H6)를 기판 반출부(14b)에서 후퇴시킨다.
그 후, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 +X방향으로 이동하고, 위치 A에 있어서 핸드 지지대(24)를 회전시키는 동시에 +Z방향으로 상승시켜, 핸드(H6)를 기판 재치부(PASS10)에 진입시켜, 기판(W)을 기판 재치부(PASS10)로 옮겨 싣는다.
또, 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)로부터 노광장치(14)로 반송할 때에, 노광장치(14)가 기판(W)의 받아 들임을 할 수 없을 경우는, 기판(W)은 전송 버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납 보관된다.
상기와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)로부터 노광장치(14)로 반송할 때는 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H5)를 이용하고, 기판(W)을 노광장치(14)로부터 기판 재치부(PASSlO)로 반송할 때는 핸드(H6)를 이용한다. 즉, 노광처리 직후의 액체가 부착된 기판(W)의 반송에는 핸드(H6)가 이용되고 액체가 부착하고 있지 않은 기판(W)의 반송에는 핸드(H5)가 이용된다. 그것에 의해, 핸드(H5)에 기판(W)의 액체가 부착하는 일이 없다.
또한, 핸드(H6)는 핸드(H5)의 하방에 설치되어 있으므로, 핸드(H6) 및 그것이 유지하는 기판(W)으로부터 액체가 낙하했다고 하여도, 핸드(H5) 및 그것이 유지하는 기판(W)에 액체가 부착하는 일이 없다.
게다가, 전술한 바와 같이, 제4의 센터 로봇(CR4)에 있어서도, 노광처리 후의 액체가 부착한 기판(W)의 반송(기판 재치부(PASS10)와 노광 후 베이크용 열처리부(121)와의 사이)에는 하측의 핸드(CRH8)가 이용되고, 노광처리 전의 액체가 부착하고 있지 않은 기판(W)의 반송(기판 재치부(PASS7)와 에지 노광부(EEW)와의 사이 및 에지 노광부(EEW)와 기판 재치부(PASS9)와의 사이)에는 상측의 핸드(CRH7)가 이용되고 있다. 그 때문에, 제4의 센터 로봇(CR4)에 있어서도, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착하는 일이 없다.
이들의 결과, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착하는 것이 방지되므로, 분위기 중의 진애 등의 부착에 의한 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 노광장치(14)에 있어서 해상 성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 1대의 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해, 기 판(W)의 반송을 행하고 있지만, 복수의 인터페이스용 반송기구(IFR)를 이용해서 기판(W)의 반송을 행해도 좋다.
또한, 노광장치(14)의 기판 반입부(14a) 및 기판 반출부(14b)의 위치에 따라, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 동작 및 구성을 변경해도 좋다. 예컨대, 노광장치(14)의 기판 반입부(14a) 및 기판 반출부(14b)가 도 12의 위치 A에 대향하는 위치에 있는 경우는, 도 12의 나선축(22)을 설치하지 않아도 좋다.
또한, 도포유닛(BARC, RES), 현상 처리유닛(DEV), 세정 처리유닛(SOAK), 가열 유닛(HP) 및 냉각 유닛(CP)의 개수는, 각 처리블록의 처리 속도에 맞추어 적절히 변경해도 좋다.
또한, 세정 처리유닛(SOAK)에 있어서는, 도 4에 나타낸 것과 같은 세정처리용 노즐(650) 및 건조처리용 노즐(670)의 한쪽 또는 양쪽 대신에 도 13에 나타내는 것과 같은 2유체 노즐을 이용해도 좋다.
도 13은, 세정 및 건조처리에 이용되는 2유체 노즐(950)의 내부구조의 일례를 나타내는 종단면도이다. 2유체 노즐(950)로부터는, 기체, 액체, 및 기체와 액체와의 혼합 유체를 선택적으로 토출 할 수 있다.
본 실시형태의 2유체 노즐(950)은 외부 혼합형이라 불린다. 도 13에 나타내는 외부 혼합형의 2유체 노즐(950)은, 내부 본체부(311) 및 외부 본체부(312)로 구성된다. 내부 본체부(311)는, 예컨대 석영 등으로 이루어지고, 외부 본체부(312)는 예컨대 PTFE(폴리테트라 플루오로 에틸렌) 등의 불소수지로 이루어진다.
내부 본체부(311)의 중심축에 따라 원통 모양의 액체도입부(311b)가 형성되 어 있다. 액체도입부(311b)에는 도 4의 세정처리용 공급관(663)이 설치된다. 이것에 의해, 세정처리용 공급관(663)으로부터 공급되는 세정액 또는 린스액이 액체도입부(311b)로 도입된다.
내부 본체부(311)의 하단에는, 액체도입부(311b)에 연통하는 액체 토출구(311a)가 형성되어 있다. 내부 본체부(311)는, 외부 본체부(312) 내에 삽입되어 있다. 또, 내부 본체부(311) 및 외부 본체부(312)의 상단(上端)부는 서로 접합되어 있고, 하단(下端)은 접합되어 있지 않다.
내부 본체부(311)와 외부 본체부(312)의 사이에는, 원통 모양의 기체 통과부(312b)가 형성되어 있다. 외부 본체부(312)의 하단에는, 기체 통과부(312b)에 연통 하는 기체 토출구(312a)가 형성되어 있다. 외부 본체부(312)의 주벽(周壁)에는, 기체 통과부(312b)에 연통하도록 도 4의 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 이것에 의해, 건조처리용 공급관(674)으로부터 공급되는 불활성 가스가 기체 통과부(312b)로 도입된다.
기체 통과부(312b)는, 기체 토출구(312a) 근방에 있어서, 하방으로 향해짐에 따라서 지름이 작아지고 있다. 그 결과, 불활성 가스의 유속이 가속되어, 기체 토출구(312a)에서 토출된다.
액체 토출구(311a)로부터 토출된 세정액과 기체 토출구(312a)로부터 토출된 불활성 가스가 2유체 노즐(950)의 하단 부근의 외부에서 혼합되어, 세정액의 미세한 액적을 포함하는 안개 모양의 혼합 유체가 생성된다.
도 14는, 도 13의 2유체 노즐(950)을 이용한 경우의 기판(W)의 세정 및 건조 처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 4에서 나타낸 바와 같이, 기판(W)은 스핀 척(621)에 의해 흡착 유지되어, 회전축(625)의 회전에 따라 회전한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대 약 500rpm이다.
이 상태에서, 도 14의 (a)에 나타내는 바와 같이, 2유체 노즐(950)로부터 세정액 및 불활성 가스로 이루어지는 안개 모양의 혼합 유체가 기판(W)의 상면에 토출되는 동시에, 2유체 노즐(950)이 기판(W)의 중심부 상방으로부터 주연부 상방으로 서서히 이동한다. 이것에 의해, 2유체 노즐(950)로부터 혼합 유체를 기판(W)의 표면 전체로 내뿜어, 기판(W)의 세정이 행해진다.
이어서, 도 14의 (b)에 나타내는 바와 같이, 혼합 유체의 공급이 정지되어, 회전축(625)의 회전속도가 저하하는 동시에, 기판(W) 상에 2유체 노즐(950)로부터 린스액이 토출된다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대 약 10rpm이다. 이것에 의해, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(L)이 형성된다. 또, 회전축(625)의 회전을 정지시켜서 기판(W)의 표면 전체에 액층(L)을 형성해도 좋다. 또한, 기판(W)을 세정하는 혼합 유체 중의 세정액으로서 순수를 이용하는 경우에는, 린스액의 공급을 행하지 않아도 좋다.
액층(L)이 형성된 후, 린스액의 공급이 정지된다. 다음에, 도 14의 (c)에 나타내는 바와 같이, 기판(W) 상에 2유체 노즐(950)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 기판(W)의 중심부의 세정액이 기판(W)의 주연부로 이동하고, 기판(W)의 주연부에만 액층(L)이 존재하는 상태가 된다.
그 후, 회전축(625)의 회전속도가 상승한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대 약 100rpm이다. 이것에 의해, 기판(W) 상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용하므로, 기판(W) 상의 액층(L)을 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)이 건조된다.
또, 기판(W) 상의 액층(L)을 제거할 때는, 2유체 노즐(950)이 기판(W)의 중심부 상방으로부터 주연부 상방으로 서서히 이동해도 좋다. 이것에 의해, 기판(W)의 표면 전체에 불활성 가스를 내뿜을 수 있으므로, 기판(W) 상의 액층(L)을 확실히 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실히 건조시킬 수 있다.
이상과 같이, 도 13의 2유체 노즐에 있어서는, 2유체 노즐(950)로부터 토출 되는 혼합 유체는 세정액의 미세한 액적을 포함하므로, 기판(W) 표면에 요철이 있는 경우라도, 세정액의 미세한 액적에 의해 기판(W)에 부착된 오염이 벗겨진다. 그것에 의해, 기판(W) 표면의 오염을 확실히 제거할 수 있다. 또한, 기판(W) 상의 막의 습윤성이 낮은 경우라도, 세정액의 미세한 액적에 의해 기판(W)표면의 오염이 벗겨지므로, 기판(W) 표면의 오염을 확실히 제거할 수 있다.
따라서, 노광처리 전에 가열 유닛(HP)에 의해 기판(W)에 열처리가 실시될 때에, 레지스트막의 용제 등이 가열 유닛(HP) 내에서 승화하고, 그 승화물이 기판(W)에 재부착한 경우라도, 세정 처리유닛(SOAK)에 있어서, 그 부착물을 확실히 제거할 수 있다. 그것에 의해, 노광장치(14) 내의 오염을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 불활성 가스의 유량을 조절하는 것에 의해, 기판(W)을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이것에 의해, 기판(W) 상의 유기막(레지스트막)이 파손하기 쉬운 성질을 갖는 경우에는 세정력을 약하게 함으로써 기판(W) 상의 유기막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판(W) 표면의 오염이 강고한 경우에는 세정력을 강하게 함으로써 기판(W) 표면의 오염을 확실히 제거할 수 있다. 이렇게, 기판(W) 상의 유기막의 성질 및 오염의 정도에 맞추어 세정력을 조절하는 것에 의해, 기판(W) 상의 유기막의 파손을 방지하면서, 기판(W)을 확실히 세정할 수 있다.
또한, 외부 혼합형의 2유체 노즐(950)에서는, 혼합 유체는 2유체 노즐(950)의 외부에서 세정액과 불활성 가스가 혼합되는 것에 의해 생성된다. 2유체 노즐(950)의 내부에 있어서는 불활성 가스와 세정액이 각각 다른 유로로 구분되어 유통한다. 그것에 의해, 기체 통과부(312b) 내에 세정액이 잔류하는 일은 없고, 불활성 가스를 단독으로 2유체 노즐(950)로부터 토출할 수 있다. 게다가, 세정처리용 공급관(663)으로부터 린스액을 공급하는 것에 의해, 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 단독으로 토출할 수 있다. 따라서, 혼합 유체, 불활성 가스 및 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 선택적으로 토출하는 것이 가능해진다.
또한, 2유체 노즐(950)을 이용한 경우에 있어서는, 기판(W)에 세정액 또는 린스액을 공급하기 위한 노즐과, 기판(W)에 불활성 가스를 공급하기 위한 노즐을 각각 별개로 설치할 필요가 없다. 그것에 의해, 간단한 구조로 기판(W)의 세정 및 건조를 확실히 행할 수 있다.
또, 상기의 설명에 있어서는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판(W)에 린스액을 공급하고 있지만, 별개의 노즐을 이용해서 기판(W)에 린스액을 공급해도 좋다.
또한, 상기의 설명에 있어서는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판(W)에 불활성 가스를 공급하고 있지만, 별개의 노즐을 이용해서 기판(W)에 불활성 가스를 공급해 도 좋다.
본 실시형태에 있어서는, 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11) 및 세정/현상 처리블록(12)이 처리부에 상당하고, 인터페이스 블록(13)이 수수부에 상당하며, 인덱서 블록(9)이 기판 반입반출부에 상당하고, 도포유닛(RES)이 제1의 처리유닛에 상당하며, 레지스트막용 처리블록(11)이 제1의 처리단위에 상당하고, 세정 처리유닛(SOAK, SOAKa)이 제2의 처리유닛에 상당하며, 현상 처리유닛(DEV)이 제3의 처리유닛에 상당하고, 세정/현상 처리블록(12)이 제2의 처리단위에 상당하며, 도포유닛(BARC)이 제4의 처리유닛에 상당하고, 반사방지막용 처리블록(10)이 제3의 처리단위에 상당하며, 레지스트막이 감광성막에 상당한다.
또한, 가열 유닛(HP) 및 냉각 유닛(CP)이 제1~제3의 열처리유닛에 상당하고, 제2의 센터 로봇(CR2)이 제1의 반송유닛에 상당하며, 제3의 센터 로봇(CR3)이 제2의 반송유닛에 상당하고, 제1의 센터 로봇(CR1)이 제3의 반송유닛에 상당하며, 제4의 센터 로봇(CR4)이 제4의 반송유닛에 상당하고, 인터페이스용 반송기구(IFR)가 제5의 반송유닛에 상당하며, 핸드(CRH7)가 제1의 유지부에 상당하고, 핸드(CRH8)가 제2의 유지부에 상당하며, 핸드(H5)가 제3의 유지부에 상당하고, 핸드(H6)가 제4의 유지부에 상당하며, 기판 재치부(PASS9, PASS10)가 재치부에 상당한다.
또한, 스핀 척(621)이 기판 유지장치에 상당하고, 회전축(625) 및 척 회전 구동기구(636)가 회전 구동장치에 상당하며, 세정처리용 노즐(650)이 세정액 공급부 및 린스액 공급부에 상당하고, 건조처리용 노즐(670, 770, 870)이 불활성 가스공급부에 상당한다.
또한, 2유체 노즐(950)이 유체 노즐에 상당하고, 액체도입부(311b)가 액체 유로에 상당하며, 기체 통과부(312b)가 기체 유로에 상당한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기판 상의 감광성 재료의 성분이 노광장치에서의 액체 중에 용출하는 것을 방지할 수 있어, 노광장치 내의 오염을 저감하는 동시에 기판의 표면에 감광성 재료의 성분이 잔류하는 것도 방지하므로, 노광장치에서 발생하는 기판의 치수 불량 및 처리 불량을 저감할 수 있다는 효과가 있다.

Claims (27)

  1. 노광(露光)장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리장치로서,
    기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 처리부의 일단(一端)부에 인접하도록 설치되어 상기 처리부와 상기 노광장치의 사이에서 기판의 수수(授受)를 행하기 위한 수수부(授受部)를 구비하고,
    상기 처리부는,
    기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 제1의 처리유닛과,
    상기 제1의 처리유닛에 의한 상기 감광성막의 형성 후(後)로서 상기 노광장치에 의한 노광처리 전(前)에 기판의 세정처리를 행하는 제2의 처리유닛과,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후에 기판에 현상처리를 행하는 제3의 처리유닛을 구비하는, 기판 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리부는,
    상기 제1의 처리유닛, 기판에 열처리를 행하는 제1의 열처리유닛 및 기판을 반송(搬送)하는 제1의 반송유닛을 포함하는 제1의 처리단위와,
    상기 제2의 처리유닛, 상기 제3의 처리유닛, 기판에 열처리를 행하는 제2의 열처리유닛 및 기판을 반송하는 제2의 반송유닛을 포함하는 제2의 처리단위를 구비하는, 기판 처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2의 처리단위는, 상기 수수부에 인접하도록 배치되는, 기판 처리장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 제1의 처리유닛에 의한 상기 감광성막의 형성 전(前)에 기판에 반사방지막을 형성하는 제4의 처리유닛, 기판에 열처리를 행하는 제3의 열처리유닛 및 기판을 반송하는 제3의 반송유닛을 포함하는 제3의 처리단위를 더 구비하는, 기판 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 처리부의 타단(他端)부에 인접하도록 배치되고, 상기 처리부로의 기판의 반입 및 상기 처리부로부터 기판의 반출을 행하는 기판 반입반출부를 더 구비하고,
    상기 제3의 처리단위는, 상기 기판 반입반출부에 인접하도록 배치되는, 기판 처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 수수부는,
    기판에 소정의 처리를 행하는 제5의 처리유닛과,
    기판이 일시적으로 실리는 재치부(載置部)와,
    상기 처리부, 상기 제5의 처리유닛 및 상기 재치부의 사이에서 기판을 반송하는 제4의 반송유닛과,
    상기 재치부 및 상기 노광장치의 사이에서 기판을 반송하는 제5의 반송유닛을 포함하는, 기판 처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제4의 반송유닛은, 기판을 유지하는 제1 및 제2의 유지부를 포함하고,
    상기 제4의 반송유닛은,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 반송할 때는 상기 제1의 유지부에 의해 기판을 유지하며,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 반송할 때는 상기 제2의 유지부에 의해 기판을 유지하고,
    상기 제5의 반송유닛은, 기판을 유지하는 제3 및 제4의 유지부를 포함하며,
    상기 제5의 반송유닛은,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 반송할 때는 상기 제3의 유지부에 의해 기판을 유지하고,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 반송할 때는 상기 제4의 유지부에 의해 기판을 유지하는, 기판 처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2의 유지부는 상기 제1의 유지부보다도 하방에 설치되고, 상기 제4의 유지부는 상기 제3의 유지부보다도 하방에 설치된, 기판 처리장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제5의 처리유닛은, 기판의 주연부(周緣部)를 노광하는 에지 노광부를 포함하는, 기판 처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은, 기판의 세정처리 후에 더 기판의 건조처리를 행하는, 기판 처리장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은,
    기판을 거의 수평으로 유지하는 기판 유지장치와,
    상기 기판 유지장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위에서 회전시키는 회전 구동장치와,
    상기 기판 유지장치에 유지된 기판 상에 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
    상기 세정액 공급부에 의해 기판 상에 세정액이 공급된 후에 기판 상에 불활성 가스(gas)를 공급하는 불활성 가스공급부를 구비하는, 기판 처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 불활성 가스공급부는, 상기 세정액 공급부에 의해 기판 상에 공급된 세정액이 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되되도록 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은,
    상기 세정액 공급부에 의해 세정액이 공급된 후로서 상기 불활성 가스공급부에 의해 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 구비하는, 기판 처리장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 불활성 가스공급부는, 상기 린스액 공급부에 의해 기판 상에 공급된 린스액이 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은, 유체(流體) 노즐로부터 세정액 및 기체를 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 것에 의해 기판의 세정처리를 행하는, 기판 처리장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기체는 불활성 가스인, 기판 처리장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은, 기판의 세정처리 후에 더 기판의 건조처리를 행하는, 기판 처리장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은, 기판 상에 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판의 건조처리를 행하는 불활성 가스공급부를 포함하는, 기판 처리장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 유체 노즐은 상기 불활성 가스공급부로서 기능하는, 기판 처리장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은,
    기판을 거의 수평으로 유지하는 기판 유지장치와,
    상기 기판 유지장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위에서 회전시키는 회전 구동장치를 더 포함하는, 기판 처리장치.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은, 상기 유체 노즐로부터 기판 상에 공급된 혼합 유체가 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리장치.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은,
    상기 유체 노즐로부터 혼합 유체가 공급된 후로서 상기 불활성 가스공급부에 의해 상기 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 포함하는, 기판 처리장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 유체 노즐은 상기 린스액 공급부로서 기능하는, 기판 처리장치.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛은, 상기 린스액 공급부에 의해 기판 상에 공급된 린스 액이 기판 상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판 상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리장치.
  25. 제 15 항에 있어서,
    상기 유체 노즐은, 액체가 유통하는 액체 유로(流路)와, 기체가 유통(流通)하는 기체 유로와, 상기 액체 유로에 연통해서 개구하는 액체 토출구와, 상기 액체 토출구의 근방에 설치되는 동시에 상기 기체 유로에 연통해서 개구하는 기체 토출구를 갖는, 기판 처리장치.
  26. 노광장치에 인접하도록 배치되어, 제1의 처리유닛, 제2의 처리유닛 및 제3의 처리유닛을 구비한 기판 처리장치에서 기판을 처리하는 방법으로서,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 상기 제1의 처리유닛에 의해 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 공정과,
    상기 제1의 처리유닛에 의한 상기 감광성막의 형성 후로서 상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 상기 제2의 처리유닛에 의해 기판의 세정처리를 행하는 공정과,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후에 상기 제3의 처리유닛에 의해 기판에 현상처리를 행하는 공정을 구비한, 기판 처리방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 제2의 처리유닛에 의해 기판의 세정처리를 행하는 공정 후로서 상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 상기 제2의 처리유닛에 의해 기판의 건조처리를 행하는 공정을 더 구비하는, 기판 처리방법.
KR1020050116311A 2004-12-06 2005-12-01 기판 처리장치 및 기판 처리방법 KR100736802B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004353119 2004-12-06
JPJP-P-2004-00353119 2004-12-06
JP2005095782 2005-03-29
JPJP-P-2005-00095782 2005-03-29
JP2005267330A JP4926433B2 (ja) 2004-12-06 2005-09-14 基板処理装置および基板処理方法
JPJP-P-2005-00267330 2005-09-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060063684A true KR20060063684A (ko) 2006-06-12
KR100736802B1 KR100736802B1 (ko) 2007-07-09

Family

ID=36640546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050116311A KR100736802B1 (ko) 2004-12-06 2005-12-01 기판 처리장치 및 기판 처리방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20060147202A1 (ko)
JP (1) JP4926433B2 (ko)
KR (1) KR100736802B1 (ko)
TW (1) TWI284353B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7641405B2 (en) 2007-02-15 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Substrate processing apparatus with integrated top and edge cleaning unit
KR100949610B1 (ko) * 2008-02-20 2010-03-25 세메스 주식회사 노광 후 웨이퍼 이송을 제어하는 방법 및 시스템
KR101042762B1 (ko) * 2007-09-13 2011-06-20 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치 및 기판처리방법
US8356424B2 (en) 2006-07-24 2013-01-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method
US10262876B2 (en) 2015-02-16 2019-04-16 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008280B2 (ja) 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154006B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4514657B2 (ja) * 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5006122B2 (ja) * 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2009135169A (ja) 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US20100192844A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP5181306B2 (ja) 2009-01-30 2013-04-10 セメス株式会社 基板処理システム、露光前後処理ユニット及び基板処理方法
RU2579533C2 (ru) * 2010-12-14 2016-04-10 МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б. В. Литографическая система и способ обработки подложек в такой литографической системе
JP5779168B2 (ja) * 2012-12-04 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661100A (en) * 1968-09-05 1972-05-09 American Air Filter Co Folding table
US3961100A (en) 1974-09-16 1976-06-01 Rca Corporation Method for developing electron beam sensitive resist films
JPS5911628A (ja) * 1982-07-12 1984-01-21 Mitsubishi Electric Corp パタ−ン形成法
US4751170A (en) 1985-07-26 1988-06-14 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Silylation method onto surface of polymer membrane and pattern formation process by the utilization of silylation method
JPS6381820A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Toshiba Corp レジストパタ−ン形成方法
US5202716A (en) 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
KR970003907B1 (ko) 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
JP2931820B2 (ja) 1991-11-05 1999-08-09 東京エレクトロン株式会社 板状体の処理装置及び搬送装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP3032999B2 (ja) 1992-11-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH08191046A (ja) 1995-01-11 1996-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法およびそれに使用する装置
JP2996127B2 (ja) * 1995-02-17 1999-12-27 日本電気株式会社 パターン形成方法
JP2896870B2 (ja) * 1995-05-19 1999-05-31 サンケン電気株式会社 レジストパタ−ンの形成方法
US5788868A (en) 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
FR2758630B1 (fr) * 1997-01-21 1999-04-09 Thomson Tubes Electroniques Procede de scellement etanche d'un detecteur de rayonnement a l'etat solide et detecteur obtenu par ce procede
JPH1145297A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Sharp Corp 料理支援装置
US6261378B1 (en) 1998-03-23 2001-07-17 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning unit and cleaning method
US6319322B1 (en) 1998-07-13 2001-11-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3642696B2 (ja) 1999-02-26 2005-04-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置およびそれを用いた基板処理装置
JP2000340544A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US6402400B1 (en) 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4170943B2 (ja) 1999-10-19 2008-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6402401B1 (en) 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100348938B1 (ko) 1999-12-06 2002-08-14 한국디엔에스 주식회사 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
JP2001203143A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp 基板処理装置
JP3698403B2 (ja) 2000-02-28 2005-09-21 東京エレクトロン株式会社 回転式液処理装置
JP4054159B2 (ja) 2000-03-08 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
US6634806B2 (en) 2000-03-13 2003-10-21 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2001357567A (ja) * 2000-04-14 2001-12-26 Tdk Corp 光ディスク原盤の製造方法
JP3559219B2 (ja) 2000-05-09 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法
TW594835B (en) * 2000-05-09 2004-06-21 Tokyo Electron Ltd System for coating and developing
US7451774B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
JP3625755B2 (ja) * 2000-09-13 2005-03-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2002148820A (ja) 2000-11-15 2002-05-22 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤
JP3841641B2 (ja) 2000-12-27 2006-11-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4124400B2 (ja) * 2001-01-19 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
WO2002063067A1 (fr) * 2001-02-07 2002-08-15 Tokyo Electron Limited Procede et appareil de depot autocatalytique
JP2002273360A (ja) 2001-03-22 2002-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6558053B2 (en) * 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
TW538472B (en) 2001-04-27 2003-06-21 Kobe Steel Ltd Method and system for processing substrate
JP3778815B2 (ja) 2001-06-21 2006-05-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP2003007664A (ja) 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP4053263B2 (ja) * 2001-08-17 2008-02-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP2003086479A (ja) 2001-09-07 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム、基板処理装置管理方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
US7280883B2 (en) 2001-09-06 2007-10-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus
JP3725809B2 (ja) * 2001-09-19 2005-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2003093943A (ja) * 2001-09-26 2003-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
TW561516B (en) 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100672632B1 (ko) * 2001-11-06 2007-02-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치
JP2003205265A (ja) 2002-01-11 2003-07-22 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
TWI261875B (en) 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
KR100469359B1 (ko) * 2002-02-20 2005-02-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자용 합착 장치
JP4570008B2 (ja) * 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4342147B2 (ja) 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004015023A (ja) 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびその方法
US6832863B2 (en) 2002-06-11 2004-12-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP3831310B2 (ja) 2002-07-18 2006-10-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4298238B2 (ja) 2002-08-27 2009-07-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP3993048B2 (ja) * 2002-08-30 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100493849B1 (ko) 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
JP2004134674A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法
JP4702920B2 (ja) 2002-11-12 2011-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US7524771B2 (en) 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
KR100974141B1 (ko) 2002-11-28 2010-08-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP4087328B2 (ja) 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
TW200421444A (en) * 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
KR100505328B1 (ko) 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
JP4170864B2 (ja) * 2003-02-03 2008-10-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法
TW200424767A (en) 2003-02-20 2004-11-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method
JP2004273894A (ja) 2003-03-11 2004-09-30 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP4307132B2 (ja) 2003-04-16 2009-08-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004342654A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN100437358C (zh) 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
JP4397646B2 (ja) * 2003-07-30 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
EP1652222A1 (en) * 2003-08-07 2006-05-03 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
JP4265766B2 (ja) 2003-08-25 2009-05-20 東京応化工業株式会社 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6873938B1 (en) 2003-09-17 2005-03-29 Asml Netherlands B.V. Adaptive lithographic critical dimension enhancement
JP3993549B2 (ja) 2003-09-30 2007-10-17 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP4194495B2 (ja) 2004-01-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP3857692B2 (ja) 2004-01-15 2006-12-13 株式会社東芝 パターン形成方法
JP4220423B2 (ja) 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4061284B2 (ja) 2004-03-31 2008-03-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4401879B2 (ja) 2004-07-07 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板の回収方法及び基板処理装置
US7259829B2 (en) 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006049757A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
JP4271109B2 (ja) 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
JP5154008B2 (ja) 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5008280B2 (ja) 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP2006310724A (ja) 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4463081B2 (ja) 2004-11-10 2010-05-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4381285B2 (ja) 2004-11-11 2009-12-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
US7362412B2 (en) * 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
JP5154006B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5008268B2 (ja) 2004-12-06 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
US7245348B2 (en) 2005-01-21 2007-07-17 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning
JP4622571B2 (ja) * 2005-02-18 2011-02-02 セイコーエプソン株式会社 液体噴射装置
JP4514657B2 (ja) 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4522329B2 (ja) 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7766565B2 (en) 2005-07-01 2010-08-03 Sokudo Co., Ltd. Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JP4761907B2 (ja) 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5192206B2 (ja) 2007-09-13 2013-05-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8356424B2 (en) 2006-07-24 2013-01-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method
US7641405B2 (en) 2007-02-15 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Substrate processing apparatus with integrated top and edge cleaning unit
KR100935990B1 (ko) * 2007-02-15 2010-01-08 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치
KR101042762B1 (ko) * 2007-09-13 2011-06-20 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치 및 기판처리방법
US10134610B2 (en) 2007-09-13 2018-11-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate processing method for drying a substrate by discharging gas to liquid layer on the substrate while rotating the substrate
KR100949610B1 (ko) * 2008-02-20 2010-03-25 세메스 주식회사 노광 후 웨이퍼 이송을 제어하는 방법 및 시스템
US10262876B2 (en) 2015-02-16 2019-04-16 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006310731A (ja) 2006-11-09
US8585830B2 (en) 2013-11-19
JP4926433B2 (ja) 2012-05-09
TW200629355A (en) 2006-08-16
US20100136492A1 (en) 2010-06-03
KR100736802B1 (ko) 2007-07-09
TWI284353B (en) 2007-07-21
US20060147202A1 (en) 2006-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100736802B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR100758623B1 (ko) 기판처리 장치 및 기판처리 방법
KR100864126B1 (ko) 기판처리 장치 및 방법
KR100684627B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR100876508B1 (ko) 기판처리장치
US9703199B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5154008B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100875788B1 (ko) 기판처리장치
KR100797666B1 (ko) 기판처리장치
JP5008280B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5154006B2 (ja) 基板処理装置
JP4794232B2 (ja) 基板処理装置
JP2007201078A (ja) 基板処理装置
JP2007189139A (ja) 基板処理装置
JP2007012998A (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理システム
JP2007012997A (ja) 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130621

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150619

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160617

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 13