TWI284353B

TWI284353B - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: TWI284353B
Application number: TW094141871A
Authority: TW
Inventors: Shuichi Yasuda; Masashi Kanaoka; Koji Kaneyama; Tadashi Miyagi; Kazuhito Shigemori
Original assignee: Sokudo Co Ltd
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2005-11-29
Publication date: 2007-07-21
Also published as: JP4926433B2; TW200629355A; KR100736802B1; JP2006310731A; US8585830B2; US20060147202A1; KR20060063684A; US20100136492A1

Description

1284353 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明有關於對基板進行處理之基板處理裝置和基板處理方法。【先前技術】為著對半導體基板，液晶顯示裝置用基板，電漿顯示器用基板，光碟用基板，磁碟用基板，光磁碟用基板，光罩用基板等之各種基板進行各種處理，使用有基板處理置。 ' 在此種基板處理裝置中，一般是對一片之基板連續進行多種不同之處理。日本專利特開2003_324139號公報所記載之基板處理裝置由索引器塊，防止反射㈣處理塊，& 蝕劑膜用處理塊’顯像處理塊和介面塊構成。以鄰接介面塊之方式，配置有與基板處理裝置分開之成為外部裝置之曝光裝置。在上述之基板處理裝置，從索引m之基板，在防止反射膜用處理塊和抗韻劑膜用處理塊，進行防止反射膜之形成和抗蝕劑膜之塗佑虛裡，〆丄x 、 •"佈處理，然後經由介面塊被搬運到曝光裝置。在曝光裝置對基板上之抗㈣m進行曝光處理後’經由介面塊搬運到顯像處理塊。在顯像處理塊，對基板上之抗蝕劑膜進行顯像處理藉以形成抗蝕劑圖案之後，將基板搬運到索引器塊。 ^ 近年來^者裝置之高密度化和高積體化，抗㈣圖案之微細化成為重要之課題。在先前技術之-般之曝光裝置 3UXP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 5 1284353 中’經由投影透鏡將十字標度線之圖案縮小地投影在基板上，用來進行曝光處理。但是，在此種先前技術之曝光裝置中’因為曝光圖案之線幅依照曝光裝置之光源之波長決定’所以抗姓劑圖案之微細化具有一定之限定。因此’提案有液浸法（例如，參照國際專利第99/49504 唬小冊）作為可以使曝光圖案更進一步微細化之投影曝光方法。在國際專利第99/49504號小冊之投影曝光裝置中，在投影光學系和基板之間充滿液體，可以使基板表面之曝光用光短波長化。利用此種方式，可以使曝光圖案更進一步地微細化。狀但疋，在上述國際專利第99/49504號小冊之投影曝光裝置中’因為在基板與液體接觸之狀態進行曝光處理，所以塗布在基板上之抗蝕劑之成分之一部份溶出到液體中口亥命出到液體中之抗钮劑之成分殘留在基板之表面，成為不良之原因為其問題。另外，/合出到液體中之抗蝕劑之成分會污染曝光裝置之透鏡。因此，會發生曝光圖案之尺寸不良和形狀不良為其【發明内容】以防止基板上之感光材料之成中之基板處理裝置和基板處理本發明之目的是提供可分〉谷出到曝光裝置之液體方法。 (1)依照本發明之一態樣之基板處桩祺出胩罢廿A 土伋蜒理裝置，被配置成鄰接曝先衣置’其中具備有：處理部’用來對基板進行處理； 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 1284353 和交接部，以被設置成鄰接處理部之—沪進行處理部和曝光裝置之間之基板之交接二且用來第！處理單元’用來在基板形成由感光性材性膜；第2處理單元，在利用第1處理單元形成之後，且在利用曝光裝置進行曝光處理之前，用來= 進行洗淨處理；和第3處理單元，.土板，上〜用曝光裝置進杆暖光處理之後，用來對基板進行顯像處理。 * 在該基板處理裝置中，在第丨處理單元感光性材料構成之感光性膜。然後，在第2處理單=土基板之洗淨處理。其次，經由交接部將基板從處 ^ 到曝光裝置，在曝光裝輯基板崎曝域理。曝光處= 後之基板經由交接部從曝光裝置被搬運到處理部，處理單元對基板進行顯像處理。依照此種方式，在曝光裝置進行曝光處理之前，在處理單元進行基板之洗淨處理。利用此種方式，在第工^ 理單元形成在基板之感光性膜之成分之一部份進行溶2 和被洗去。在此種情況，在曝光裝置即使以基板和液= 觸之狀悲進行曝光處理，基板上之感光性材料之成分大多不會溶出。利用此種方式，可以減少曝光裝置内之污染^ 可以防止在基板之表面殘留感光性材料之成分。其結果是可以減少在曝光裝置發生之基板之處理不良。 ^疋 (2)亦可以使處理部具備有：第1處理單位，包含有第工處理單元，對基板進行熱處理之第1熱處理單元，和用來搬運基板之第1搬運單元；和第2處理單位，包含有上述 312XP/發明說明書(補件)/95-〇3/94141871 1284353 ΐ 2=:: :上述第3處理單元’對基板進行熱處理之 … 早7^，和用來搬運基板之第2搬運單元。此種^ Ζ兄，在第1處理單位利用第1處理單元在其板第T 膜。然:麦，利用第1搬運單元將基板㈣到處理:：Γ早兀’在第1熱處理單元對基板進行指定之熱 :處理Γ位:利用第1搬運單元將基板搬運到鄰接之其他

洗：Π2處理單位，利用第2處理單元進行基板之 ♦ 4 ’、㈣交接部將基板從處理部搬運到曝光、，在曝光裝置對基板進行曝光處理。經由光處理後之基板從曝光裝置搬運到處理部。X接縣曝八次’在第2處理單位，㈣第3處理單元進行基板之 :像處理。然後’利用第2搬運單元將基板搬運到第2埶处理单π ’在第2熱處理單元對基板進行指定之敎處理。' 然後’利用第2朗單元將基板搬運到其他之處理單位。

在絲板處縣置巾’在第2處理單位進行曝光處理前之基板之洗淨處理和曝光處理後之顯像處理。亦即，在具有第1和第3處理單元之即存之基板處理裝置，在包含^ 第3處理單元之處理單位追加帛2處理單元，可以以一個之處理早位進行曝光處理前之基板之洗淨處理和曝光處理後之基板之顯像處理。其結果是可以低成本和不增加腳印（foot print)，可以減少在曝光裝置發生之基板之處理不良。 (3)亦可以使第2處理單位被配置成鄰接交接部。在此 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 8 1284353 種情況’可以在曝光虛 i 和顯像處理。利用此種則口之後進行基板之洗淨處理運到曝光"：：在將基板從第2處理單位搬可以防止環境中之灰塵等：2處理早位#，误氺走加士耆在基板。其結果可以減少告 %4處广和顯像處理時發生之基板之處理不良。田 (4)亦可以使處理部更具傷有第第4虚踩留- > 、胥啕弟J處理早位，包含有：第1處理單元形成感光性膜之前，成防止反射膜；和第3熱處理單元，用來對基板進仃无、處理，和第3_單元，用來況，因為利用第4處理單元在此種十月以可mi、—处里早疋在基板上形成防止反射膜，所，v在曝光處理時發生之駐波和光暈。利用此種方 =以更進—步地減少在曝域料發生之基板不良。立亦可以更具備有基板搬入/搬出部，被配置成鄰接處里邛之另鳊部，用來進行將基板搬入到處理部和從處理 P將基板搬出，和第3處理單元被配置成鄰接基板搬入/ 在此種情況，於將基板搬運到處理部之後，利用第3處理單位形成防止反射膜，然後，可以以第丨處理單位順= 地形成感光性膜。利用此種方式，可以在基板上順利地進行防止反射膜和感光性膜之形成。 (6)亦可以使交接部包含有：第5處理單元，用來對基板進行指定之處理；裝載部，用來暫時地裝載基板；第4搬運單元，用來在處理部，第5處理單元和裝載部之間搬運 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94^^ 9 1284353 基板；和第5搬運單元，用來運基板。載。卩和曝光裝置之間搬在此種情況，基板被第4搬運$ 處理單元。在第5處理單元於处理指運到第5 後，利用第4搬運單元將基板指^處理之被第5搬運單元從㈣部搬運料' °卩°^ ’基板行曝光處理之後，利用第5_單元將曝光裝置進運到裝載部。然後’利用第4搬曝先裝置搬運到處理部。連早兀將基板從裝載部搬之式^交?部配置第5處理單元，利用2個也運早几進彳了基板之搬運，不f要增加基板處理裝腳印（foot print)就可以追加處理内容。 (J)亦可以使第4搬運單元包含有用來保持基板之第工 2 ^持部；第4搬運單元在搬運利用曝光裝置進行曝，處理別之基板時，利用上述第i保持部保持基板；和在 =運利用曝光裝置進行曝光處理後之基板時，利用第2保持部保持基板；第5搬運單元包含有用來保持基板之第3 和第4保持部；第5搬運單元在搬運利用曝光裝置進行曝光處理前之基板時，利用第3保持部保持基板；和在搬運利用曝光裝置進行曝光處理後之基板時，利用第4保持部保持基板。在此種情況，第1和第3保持部使用在搬運曝光處理前未附著有液體之基板時，第2和第4保持部使用在搬運曝光處理後附著有液體之基板時。因此，因為在第1和第3 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 10 1284353 ”4未附著有液體’戶斤以可以防止在曝光處理前之基板、著液版。利用此種方式，可以防止由於環境中之灰塵等附著而污染基板。其結果是可以防止在曝光裝置由於解 -像性能之劣化等而發生處理不良。 .(8)亦可以使第2保持部被設在第1保持部之下方，第4 ‘保持部被設在第3保持部之下方。在此種情況，即使有液體從第2和第4保持部及該等所保持之基板落下，亦不會瘳使液體附著在第1和第3保持部及該等所保持之基板。利用此種方式可以確實，地防止液體附著在曝光處理前之基 • 板。 (9) 亦可以使第5處理單元包含有使基板之周緣部進行曝光之邊緣曝光部。在此種情況，在邊緣曝光部對基板之周緣部進行曝光處理。 1 (10) 亦可以使第2處理單元更在基板之洗淨處理後，進行基板之乾燥處理。參在此種情況，可以防止在洗淨後之基板附著環境中之灰塵等。另外，在基板之洗淨後，當在基板上殘留有洗淨液時’感光性材料之成分溶出到殘留之洗淨液中。因此，在基板之洗淨後’經由使基板乾燥’可以防止基板上之感光 *性材料之成分’溶出到殘留在基板上之洗淨液中。利用此，·種方式，可以確實地防止塗布在基板上之感光性膜之形狀 -不良之發生，和可以確實地防止曝光裝置内之污染。^等之結果是可以確實地防止基板之處理不良。 (11) 亦可以使第2處理單元具備有：基板保持裝置，用來 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 11 1284353

=保持成為大致水平；旋轉驅動裝置，用來使被基板 :持衣置保持之基板’圍繞垂直該基板之軸旋轉；洗淨液 …給部，用來將洗淨液供給到被基板保持裝置保持之基板性乳體供給部，在利用洗淨液供給部對基板上供 U之後’用來對基板上供給惰性氣體。在該第2處理單元中’利用基板保持裝置將基板保持為 f致水平’利料轉驅動裝置用來使基㈣繞垂直基板之由旋轉。另外’利用洗淨液供給部將洗淨液供給到基板人利用k性氣體供給部供給惰性氣體。在種f月況ϋ為一邊使基板旋轉一邊將洗淨液供給到 :f上，所以基板上之洗淨液由於離心力而移動和飛散到 2之周緣部°因此’可以防止溶出到洗淨液中之感光性

心ίΓ分殘留在基板上。另外，因為—邊使基板旋轉一邊^性氣體供給縣板上，所以可以有效地排除在基板 =洗淨後殘留在基板上之洗淨液。利用此種方可以確貫地防止在基板上㈣感光性材料之成分，和可以禮實地使基板乾燥。因此，在將乾燥後之基板搬運到曝光裝置之 _，可以確實地防止基板上之感光性材料之成分溶出到 h留在基板上之洗淨液巾。其結果是可以確實地防止塗布形成在基板上之感絲膜之形狀不良之發生，和可以確實地防止曝光裝置内之污染。、一（12)亦可以使惰性氣體供給部供給惰性氣體，使利用洗淨液供給部供給到基板上之洗淨液，從基板上之中心部朝向外方移動，用來從基板上將其排除。 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 12 1284353 在此種情況，因為可U U女L / u芍了以防止洗淨液殘留在基板上之中心 :，所以可:確實地防止在基板之表面發生乾燥污點。另夕’在將洗平後之基板搬運到曝光裝置之期間，可以確實地防止感光性材料之成八舌、上之洗淨液中。利用此種刀方：一：溶出到殘留在基板處理不良。细此種方式’可以更確實地防止基板之 (13) 亦可以使第2處理單元更具備有沖洗液供給部，在利用洗淨液供給部供給洗淨液之後，且利部供給惰性氣體之前，用來將沖洗液供給到基板上在此種情況，因為利用沖洗液可以確實地洗去洗淨液，所以可以更確實地防止溶出到洗淨液中之感光成分殘留在基板上。 (14) 亦可以使惰性氣體供給部供給惰性氣體，使利用洗液供給部供給到基板上之沖洗液，從基板上之中心部朝向外方移動，用來從基板上將其排除。在此種情況，因為可以防止沖洗液殘留在基板上之中心卩所以可以確貫地防止在基板之表面發生乾燥污點外，在將洗淨後之基板搬運到曝光裝置之期間，可以確者地防止基板上之感光性材料之成分更進一步地溶出到：留在基板上之沖洗液中。該等之結果是可以更確實地防止基板之處理不良。 (j5)亦可以使第2處理單元從流體噴嘴將包含有洗淨液 =氣體之混合流體供給到基板，用來進行基板之洗淨^ 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 13 1284353 在此種情》兄，從流體嘴嘴液之微細之液滴，所以即:…:體因為包含洗淨亦可以利用該微细…:板表面有凹凸之情況時，去。另冰，夜滴將附著在基板表面之污物4丨 ^另外，即使形成在基板上之膜之 / 了物剝 ::’因為利用洗淨液之微細之液滴板情況物，所以可以確實地除去基板表面之污物。表面之污因此’在曝光處理前’即使形成進行昇基，钫曰w p 人肛！极上之膜之溶劑等抑— ^幵華物再附著在基板之情況時，在第2處理 =μ可以確實地除去該附著物。利用此種方式，可以確板之處理不良。木其、。果疋可以確實地減少基另外，經由調節氣體之流量，在基板之洗淨時可以容地調=洗淨力。因此，當形成於基板上之膜具有容易破損之性質之情況時，經由使洗淨力變弱可以防止基板上之膜之皮損另外，當基板表面之污物很強固之情況時，經由鲁使洗淨力變強可以確實地除去基板表面之污物。利用此種方式，配合基板上之膜之性質和污物之程度調節洗淨力，可以一邊防止基板上之膜之破損，一邊確實地洗淨基板。 (16)亦可以使該氣體成為惰性氣體。在此種情況，即使 ' 使用藥液作為洗淨液，亦可以一邊防止對形成在基板上之 - 膜和洗淨液產生化學式影響，一邊可以更確實地除去基板 •表面之污物。 (17)亦可以使第2處理單元在基板之洗淨處理後，更進行基板之乾燥處理。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-03/94141871 14 1284353 乂在此種情況，可以防止環境中之灰塵等附著在洗淨處理，之基板。另外，當在洗淨處理後之基板上殘留有洗=液時，形成在基板上之感光性膜之成分溶出到殘留之洗淨液 /中。因此，在基板之洗淨後，經由使基板乾燥，可以防止基板上之感光性膜之成分溶出到殘留在基板上之洗淨液 •中。利用此種方式，可以確實地防止形成在基板上之性膜發生形狀不良，和可以確實地防止曝光裝置内之污染。該等之結果是可以確實地防止基板之處理不良。可 (18) 亦可以使第2處理單元包含有惰性氣體供給部，經 -由對基板上供給惰性氣體，用來進行基板之乾燥處理。在此種情況，因為使用惰性氣體，所以可以一邊防止對形成在基板上之膜之化學式影響，一邊使基板確實地乾燥。 (19) 亦可以使流體喷嘴具有作為惰性氣體供給部之功能。在此種情況，從流體喷嘴將惰性氣體供給到基板上，用來進行基板之乾燥處理。利用此種方式，不需要與流體鲁贺鳴为開地5又置惰性氣體供給部。其結果是可以以簡單之構造確實地進行基板之洗淨和乾燥處理。 (20) 亦可以使第2處理單元更包含有：基板保持裝置，用來將基板保持成為大致水平；和旋轉驅動裝置，用來使被 •基板保持裝置保持之基板，圍繞垂直該基板之軸旋轉。 - 在該第2處理單元，利用基板保持裝置將基板保持為大致水平，利用旋轉驅動裝置使基板圍繞垂直該基板之軸旋轉。另外’利用&L體嘴嘴將混合流體供給到基板上，然後，利用惰性氣體供給部供給惰性氣體。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-03/94141871 15 1284353 ^此種情況，因為—邊使基板㈣_ = :::基板上之混合流體利用離心力朝向= :飛散。因此，可以確實地防止利用混合之灰塵荨之附著物殘留在基板上。另外，因為使基板旋轉和將惰性氣，供认丨其、、 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ # 々π 一以在基板上之混合流體。利用此種方广也防止灰塵等之附著物殘留在基板上，和可 =板確實地乾燥，其結果是可以確實地防止基板之處理不艮。 (21)亦可以由第2處理單元供給惰性氣嘴供給到基板上之混合流體， ^ ^ 此口 /瓜版仉基板上之中心部朝向外方移動，用來從基板上將其排除。在此種情況，因為可以防止混合流體殘留在基板上之中心部’所以可以確實地防止在基板之表面發生乾燥污點。利用此種方式，可以確實地防止基板之處理不良。 (22)亦可以使第2處理單元更包含有沖洗液供給部，在從流體喷嘴供給混合流叙後，且湘惰減體供給部供給惰性氣體之前，用來將沖洗淨供給到基板上。在此種情況，因為利用沖洗液可以確實地洗去混合流體，所以可以更確實地防止灰塵等之附著物殘留在基板上0 (23)亦可以使流體喷嘴具有作為沖洗液供給部之功能。在此種情況，從流體喷嘴將沖洗淨供給到基板上。利用此種方式，不需要與流體喷嘴分開地設置沖洗液供給部。1 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 16 1284353 結果是可以以簡單之構造確實地進行基板之洗淨和乾燥處理。 (24)亦可以由第2處理單元供給惰性氣體，使利用沖洗 /液供給部供給到基板上之沖洗液，從基板上之中心朝向外 -方移動，用來從基板上將其排除。 • 在此種情況’因為可以防止沖洗液殘留在基板上之中心部，所以可以確實地防止在基板之表面發生乾燥污點。利籲用此種方式可以確實地防止基板之處理不良。、（25)亦可以使流體喷嘴具有：液體流路，用來使液體流 .通；氣體流路’用來使氣體流通；液體吐出口，開口成為與液體流路相通；和氣體吐出口，被設在液體吐出口之近旁’和開口成為與氣體流路相通。在此種清;兄/先淨液在液體流路流通從液體吐出口吐出，氣體在氣體流路流通從氣體吐出口吐出，用來在流體喷嘴之外部使洗淨液和氣體混合。利用此種方式，可以產 φ 生霧狀之混合流體。利用此種方式，混合流體之產生是在流體喷嘴之外部使洗淨液和氣體混合。因此’不需要在流體噴嘴之内部設置使洗淨液和氣體進行混合之空間。其結果是可以使流體 • 嘴小型化。 ' (26)依照本發明之另一態樣之基板處理方法，係被於鄰接曝光農置，且具備有第理單元，第2處理單元，和第3處理單元之基板處理裝置之中，對基板進行處理，其中所具備之步驟包含有：在利用曝光裝置進行曝光處理 312XP/發明說明書(補件)/95_03/94141871 1? 1284353 利用第！處理單元在基板上形成由感光性材料 =膜；在利用第】處理單元形成感光性膜之後，且 ,*光以進行曝光處理之前，使，洗淨處理;和在利用曝光裝置進行曝光處使用弟3處理單元對基板進行顯像處理。 =基板處理方法中，在第】處理單元於基板上形成由感先性材料構成之感光性膜之後，在第2處理單元進行基板之洗淨處理。然後，在曝光裝置對基板進行曝光處理t 在曝光處理後，利用第3處理單元進行基板之顯像處理。利用此種方式，在曝光裝置進行曝光處理之前，在第2 處理f元進行基板之洗淨處理。利用此種方式，使在第丨處理單兀形成於基板之感光性膜之成分之一部份溶出和被洗去。在此種情況’在曝光裝置即使於基板與液體接觸之狀態進行曝光處理時，基板上之感光性材料之成分亦大多不會溶出。利用此種方式，可以減少曝光裝置内之污染，和可以防止在基板之表面殘留感光性材料之成分。其結果是可以減少在曝光裝置發生之基板之處理不良。^ (27)亦可以使更具備之步驟是在利用第2處理單元進行基板之洗淨處理之步驟之後，利用曝光裝置進行曝光處理之剷，使用第2處理單元進行基板之乾燥處理。在此種情況，在第2處理單元，因為進行洗淨後之基板之乾燥，所以可以防止環境中之灰塵等附著在洗淨後之基板。另外，在基板之洗淨後，當在基板上殘留有洗淨液時，感光性材料之成分溶出到殘留之洗淨液中。因此，在基板 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 18 1284353 之洗淨後經由使基板乾燥，可以防止基板上之感光之成分溶出到殘留在基板上之洗淨液甲。利用此種方式，可以確實地防止塗布在基板上之慼光性膜之形狀不良之發生，和可以確實地防止曝光裝置内之污染。該等之結果 •是可以確實地防止基板之處理不良。，依照本發明時，在曝光裝置進行曝光處理之前，在第2 處理單元進行基板之洗淨處理。在此種情況，在曝光裝鲁置，、即使基板在與液體接觸之狀態進行曝光處理，基板上之感光f生材料之成分亦大多不會溶出。利用此種方式，可以減/曝光裝置内之污染和可以防止感光性材料之成分殘留在基板之表面。其結果是可以減少在基板之處理不良。且么王之【實施方式】理：：使：圖式用來說明本發明之一實施形態之基板處干ί=Γ下之說明中’基板是指半導體基板，液晶顯 ❹絲，料祕板，_❹絲，光罩用基板等先 =疋本發明之一實施形態之基板處理裝置之平面圖。圖上以下之各圖中，為著使位置關係明確，附加表示二又之X方向、Υ方向# Ζ方向之箭頭。X方向和Υ 水平面内互相正交，Ζ方向相當於錯直方向。另外，方向中之朝向箭頭之方向為+方向，其相反方向為_ 方向。另外’以Ζ方向為中心之旋轉方向為Θ方向。如圖1所示’基板處理裝置500包含有索引器塊9,防 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95__4141871 19 1284353 ==處：塊10 ’陶膜用處理塊11，洗淨/顯像處理塊12和介面塊13。以鄰接介面塊丨 =置14。在曝光裝置“利用液浸法進行基光處理。以下將㈣H塊9,防止反射膜用處理塊1G，抗钱劑膜用處理塊11，洗淨/顯像處理塊12和介面塊13之各個稱為處理塊。索引器塊9包含有用來控制各個處理塊之動作之主 •=器=制：)30’多個載體裝載台6"口索引器機器：，。在索引益機器人IR設有用來交接基板W之手臂IRH。防止反射膜用處理塊1〇包含有防止反射膜用熱處理部 100、101，防止反射膜用塗布處理部70和第i中央機器人CR1。反射防止膜用塗布處理部7〇以包夾第1中央機态人CR1之方式設有互相面對之防止反射膜用熱處理部 100、10卜在第1中央機器人CR1之上下設有用來交接基 _板W之手臂CRH1、CRH2。 _在索引器塊9和防止反射膜1G之間設有環境遮斷用之隔壁15。在該隔壁15之上下設有接近之基板裝載部 PASS卜PASS2’用來進行索引器塊9和防止反射膜用處理塊1〇之間之基板W之交接。上側之基板裝載部PASS1使 .用在士將基板W從索引器塊9搬運到防止反射膜用處理塊 1〇時’下側之基板裝載部PASS2使用在將基板W從防止反射膜用處理塊1 〇搬運到索引器塊9時。另外，在基板裝载部PASS1、PASS2設有用來檢測基板 312XP/發明說明書(補件)/95·〇3/9414丨! 20 1284353 w之有無之光學式之感測器（圖中未顯示）。利用此種方式行在基板裝载部PASS1、PASS2是否裳載有基板^ 另外，在基板裝載部刪、醜設有被固定广二s=支持梢。另外，在後面所述之基板裳載部 H 亦同樣地設置上述之光學式之感測器和支 li:几，膜用處理;鬼11包含有抗蝕劑膜用熱處理部、111，抗蝕劑膜用塗布處理部80和第2中央 CR2。抗蝕劑膜用塗布處理告"〇以包夾第2中央機：人 ^之方，，設有互相面對之抗職用熱處理部二亡

。在弟2中央機器人⑴之上下設有之手臂CRH3、CRH4。接土板W 在防止反射膜用處理塊10和抗蝕劑二，設有環境遮斷用之隔壁16。在該隔壁16之：下^ ίΠί板裝載部咖、咖，用來進行防止反射膜 =處理塊10和抗钱劑膜用處理塊u之間之基板％之交用=之基板褒载部PASS3使用在將基板w從防止反射、塊10搬運到抗蝕劑膜用處理塊u時，下側之基 =載部PASS4使用在將基板w從抗钱劑膜處理塊⑴般運到防止反射膜處理塊1 〇時。處理塊12包含有顯像用熱處理部12G，曝光二：：熱處，121’顯像處理部90,洗淨處理部95 二弟央機器人⑵。曝光後烘烤用處理部121鄰接於 ”面塊13之具備有如後面所述之基板裝載部PASS7、 312XP/發明說明書(補件)/95顧94⑷87〗 21 1284353 曝光後烘烤用熱處理部m。在第3中央機:二下5又有用來交接基板W之手臂CRH5、CRH6。在抗蝕劑膜處理塊u和洗淨,像處理環境遮斷狀隔壁17。在該隔壁17之上下板裝載部mS5、PASS6,用來進行抗姓劑膜用處二鬼二 ^先淨/顯像處理塊i 2之間之基板w之交接。上側之用在時’下側之基板裝載精⑽使 ==_淨_處料12㈣⑽劑膜處理介面塊13包含有第4中央機器人CR4，發 SBF ’介面用搬運機構IFR和邊緣曝光部咖。另Μ二邊緣曝光部EEW之下側設有後面所述之 ’ :基!裝載部_、細。。在第”央機上下設有用來交接基板w之手臂CRH7、crh8。在本實施形態之基板處理裝置5〇〇中，沿地設有索引器塊9’防止反射膜用處理塊^ 二：序處理塊11，洗淨/顯像處理塊12和介面塊13。几W ^用 =2是㈣方向看圖】之基板處理裝置5〇〇。在防止反射膜用處理塊10之防止反射膜圖° m荼照圖D ’上下疊層地配置3個 ::里：個塗布單元蓮具備有：自轉夾嘴71， 31發明說明書(補件)/95-03/94141871 22 J284353 和保持基板w使其射膜之塗布液供給到被’口供^喷嘴72 ’用來將防立反在抗钱劑膜用處理塊1在自轉夾嘴71上之基板W。 80(參照圖1)，上下晶之抗蝕劑膜用塗布處理部 :固塗布單元-具備:層= 保持基板W使1旋鞋.^ 水平妥勢吸著和之:布液供給到被保持在?:= 在洗淨/顯像處理塊12 上之基板w。處理部95。在顯像處單元_:各個顯像處理單^ 供仏噴嘴92^ΙΤ勢吸著和保持基板W使其旋轉；和 ^基板W。像液供給到被保持在自轉夹嘴Η sof/卜^在洗淨處理部95配置有1個之洗淨處理單元 SOAK。在祕淨處理單元_進行基板w之洗淨和乾燥著和保持基板w使其旋轉；和光照射器99，用來使被保持在自轉夾嘴98上之基板W之周緣進行曝光。处理洗淨處理單7G SOAK之詳細部份將於後面說明。，在介面塊13上下疊層地配置有2個之邊緣曝光部£別，返回緩衝器部RBF和基板裝載部PASS9、pASS〗〇，和配置有第4中央機态人CR4(參照圖1)和介面用搬運機構I{?R。各個邊緣曝光部EEW具備有：自轉夾嘴98 ,以水平姿勢吸圖3是從-X方向看圖1之基板處理裝置5〇0之側視圖。在防止反射膜用處理塊1 〇之防止反射膜用熱處理部 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 23 1284353 膜用;1=广二個:冷，單元(洗淨板)CP’在防止反射板下豐層地配置4個之加熱單元（熱理邱=個之冷卻單元CP°另外’在防止反射膜用熱處 10〇> 1〇1 ^ L^Vr? X 〇〇取上邛为別配置有用以控制冷卻單元CP 口加熱早元HP之溫度之局部控制器Lc。田膜用處理塊11之抗蝕劑膜用熱處理部110上下疊層地配置4個之;^細留-rD . β個之冷部早兀CP，在抗蝕劑膜用熱處理

上下：!：層地配置5個之加熱單元JJP。另外，在抗劑膜用熱處理部U。、⑴之最上部分別配置有用以控 j冷卻，元CP和加熱單元Hp之溫度之局部控制器LC。在洗淨/顯像處理塊〗2之顯像用熱處理部丨2〇上下疊層地配置3個之加熱單元肝和4個之冷卻單元cp，在曝光後烘烤用熱處理部12ι上下疊層地配置4個之加熱單元 HP，基板裝載部PASS7、PASS8和2個之冷卻單元邙。另外二在顯像用熱處理部〗2〇和曝光後烘烤用熱處理部j 21 之最上部分別配置有用以控制冷卻單元cp和加熱單元肝之溫度之局部控制器LC。下面說明本實施形態之基板處理裝置5〇〇之動作。將收納有多片之基板W成為多段之載體c，搬入到索引器塊9之載體裝載台60之上。索引器機器人IR使用手臂 IRH，取出被收納在載體c内之未處理之基板w。然後，索引态機态人IR在土X方向一邊移動，一邊在土 Θ方向旋轉移動，將未處理之基板W移載到基板裝載部PASS1。在本實施形態中，載體C採用F〇Up(front opening 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 24 1284353 unified pod)，但是並不只限於該種，亦可以採用 SMIF(Standard Mechanicai Inter Face)罐或使收納基板 w 1露到大氣之Oc(open cassette)等。另外，在索引器 .機器人IR ’第卜第4中央機器人⑻〜CR4和介面用搬運 .機構IFR分別使用直動型搬運機器人，以對基板w使之直線式滑動之方式進行手臂之進退動作，但是並不只限於此種方式’亦可以使用乡關節型搬運機器，利用關節之動作 _直線式地進行手臂之進退動作。被移載到基板裝載部PASS1之未處理之基板w，以防止 ^射膜用處理塊10之第1中央機器人CR1之手臂CRH1接又第1中央機器人CR1利用手臂CRH1將基板W搬入到防f反射膜用塗布處理苦"0。在該防止反射膜用塗布處理部70 11為曝光時產生之駐波和光暈減少，所以利用涂布^元B胤在基板w上塗布和形成防止反射膜。土然後’ g 1中央機器人CR1利用手臂CRH2從防止反射籲膜用塗布處理部70取出塗布處理過之基板w，將其搬入到防止反射用熱處理部1 〇〇、10 1。 “其火，第1中央機器人CR1利用手臂CRH1從防止反射膜用熱處理部100、101取出熱處理過之基板W，將其移載到基板裝載部PASS3。搜杨移載到基板I載部PASS3之基板W，以抗蝕劑膜用處 :之第2中央機器人CR2之手臂CRH3接受。第2中央機器人GR2利用手f閲將基板w搬人到抗钮劑膜用 k布處理部8〇。在該抗姓劑膜用塗布處理部8〇，在利用 31·發明說明書(補件)/95·〇3/9414187：ι 25 1284353

:布單7L RES於塗布和形成有防止反射膜之基板w上年和形成抗蝕劑膜。然後，弟2中本趨哭、， Τ天铖态人CR2利用手臂CRH4從抗蝕劑膜用塗布處理部8〇取屮、今女♦ 、取出塗布處理過之基板w，將其搬入抗蝕劑膜用熱處理部11〇、ηι。中央故裔人CR2利用手臂CRH3從抗蝕劑膜用熱處理部11 〇、1而山也士、 u1取出熱處理過之基板W，將其移葡

到基板裝載部PASS5。被移載到基板裂載部pASS5之基板W，以洗淨/顯像處理塊。1。2之第3中央機器人CR3之手臂咖5接受。第3中央機器人CR3利用手臂CRH5將基板W搬入到洗淨處理 ^在該洗淨處理冑95，依照上述之方式利用洗淨處理早兀^^進行基板w之洗淨處理和錢處理。时其久，第3中央機器人CR3利用手臂CRH5從洗淨處理早το SGAK取出處理過之基板w，將其移制基板裳載部 PASS\。被移載到基板裝載部ρ·之基板w，以介面塊 13之第4中央機器人CR4之上側之手臂CRH7接受。第4 中央機器人CR4利用手臂CRH7將基板w搬人到邊緣曝光部EEW。在該邊緣曝光部咖對基板w之周緣部施加曝光其次，帛4中央機器人CR4利用手臂CRH7從邊緣曝光 4 EEW取出邊緣曝光處理過之基板w。然後，帛4中央機器人CR4利用手臂CRH7將基板w移載到基板裝載部 PASS9 ° 312XP/發明說明書(補件)/95·〇3/94141871 26 1284353 被移載到基板裝載部PASS9之基板w，被介面用搬運機構IFR之手臂H5搬入到曝光裝置14。在曝光裝置14對基板w施加曝光處理之後，介面用搬運機構IFR利用手臂 H6將基板W移載到基板裝載部pASS1 〇。另外，關於介面用搬運機構IFR之詳細部份將於後面說明。 —被移載到基板裝載部PASS1〇之基板w，以介面塊Μ之第4中央機裔人CR4之下侧之手臂crh8接受。第*中央機器人CR4利用手臂CRH8將基板w搬入到洗淨/顯像處理塊12之曝光後烘烤用熱處理部⑵。在曝光後供烤用熱處理部12卜對基板w進行曝光後供烤（剛）。然後，第& 中央機人CR4利用手臂c刪從曝光後烘烤用熱處理部 121取出基板W，將其移載到基板裝載部pAss8。被移載到基板裝載部PASS8之基板，理，之第3中央機器人CR3之手臂圖接受央機器人CR3利用丰辟t 90。在1自❹ 基板W搬入到顯像處理部

在⑽處理部9G利用顯像處理單元猶之顯像處理。土板W 部二央機器人CR3利用手臂⑽5從顯像處理理部^像處理過之基板⑺’將其搬入到顯像用熱處其次’第3中央機器人CR3利處理部120取屮為走,利用予#⑶肋從顯像用熱部PASS6。 ^理後之餘W，將其移_基板裝载另外’當由於故障等在顯像處理部9〇暫時不能進行基 3_#0__»95·〇3/94Ι4187】 2? 1284353 板W之#像處理時’於在曝光後烘烤用熱處理部121對基板w施加熱處理之後，可將基板w時地收納和保管在ς 面塊13之返回緩衝器部RBF。被移載到基板裝載部PASS6之基板W，被抗蝕劑膜用處理塊11之第2中央機器人CR2之手臂CRH4移載到基板裝載部PASS4。被移載到基板裝載部pASS4之基板w，以防止反射膜用處理塊之第1中央機器人CR1之手臂CRH2 移載到基板裝載部pASS2。被移載到基板裝載部PASS2之基板w，經由索引器塊9 之索引器機器人1R被收納在載體C。利用此種方式，結束基板處理裝置之基板w之各個處理。下面使用圖面用來詳細地說明上述之洗淨處理 SOAK。 ^首先說明洗淨處理單U之構造。_以來說明洗淨處理單元SOAK之構造。如圖4所示，洗淨處理單元SOAK具備有自轉夾嘴621，用來將基板W保持為水平和使基板w圍繞通過基板w之中心之錯直旋轉轴進行旋轉。自轉夾嘴621被固定在旋轉軸625之上端，被爽嘴旋轉驅動機構636驅動旋轉。另外，在自轉夾嘴621形成有吸氣路徑（圖中未顯示），在將基板w裝載在自轉夾嘴621上之狀態’在吸氣路徑内進行排氣，用來將基板#之下面被真空吸著在自轉夾嘴621’可以將基板w保持為水平姿勢。在自轉夾嘴621之外方設有第i轉動馬達66〇。在第丄 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 28 1284353 2 =達_連接有W轉動軸66卜在gl轉動轴66i 有幻臂662成為依水平方向延伸之方式，在第if 之前端設有洗淨處理用噴嘴65〇。 • 1轉動馬達66G使第i轉動軸661旋轉，同時使 • 621保持之基板w之上方。㈣到被自轉夹嘴之=過第1轉動馬達66〇,第1轉動轴661和第1臂662 ❿方式设置洗淨處理用供給管咖。洗淨處理用供 =p經由㈤Va和閥Vb連接到洗淨液供給源ri和沖進控制該閥供4:=:用供給管663之處理液之選擇和圖4之構造中，經由使闕va開放可以門放可/、/於液供給到洗淨處理用供給管663 ’經由使閥Vb * σ以用來將沖洗液供給到洗淨處理用供給管剛。 =液或沖洗液從洗淨液供給源R14沖洗液供給源 ’通過洗淨處理用供給f 663供給到洗淨處理用喷嘴湘此種方式’可謂洗淨液或沖洗液供給到基反之表面。作為洗淨液者例如可以使用純水，在純水溶錯體(離子化者)之液體或氟素系藥液等。作為沖洗液产可以使用例如純水、碳酸水、氫水、電解離子水和㈣（氯氟化醚）之任一種。在自轉夾嘴621之外方設有第2轉動馬達671。在第2 轉動馬達67\連接有第2轉動轴672。另外，在第2轉動軸672連、有第2手f 673使其成為在水平方向延伸之方 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 29 1284353 式，在ί 2手臂673之前端設有乾燥處理用喷嘴670。 “用6二2轉1動馬$ 671使第2轉動軸672旋轉和使第2 用喷嘴670移動到被自轉爽嘴 :通過第2轉動馬達671，第2轉動軸仍和 673之内部之古々丁牙万式’設有乾燥處理用供給管674。齡、丨品_ =供給官674經由閥Vc連接到惰性氣體供給源R3。姐 __ 之開閉’可以用來調整 : 供給管674之惰性氣體之供給量。 ^處理用 ”在乾燥處理用噴嘴67〇被供給有經由乾燥處认，之來自惰性氣體供給㈣之情性氣體。利用此：方式，可以將惰性氣體供給到基板w之表面用例如氮氣CN2)。 π孔肢使 j對基板W之表面供給洗淨液或沖洗液時，洗淨處 =650位於基板之上方，#對基板w之表面供給情性氣肢訏，洗淨處理用噴嘴65〇退避到指定之位置。另外，當對基板W之表面供給洗淨液或沖洗液時，乾於处理用喷嘴670退避到指定之位置’當對基板？之表面：給惰性氣體時，乾燥處理用喷嘴67〇位於基板w之上方/、被自轉夾嘴62H呆持之基板w，被收容在處理杯㈣内。° 在處理杯623之内侧設有筒狀之分隔壁633。另外，

圍自轉夾嘴似之周圍之方式形成有排液空間631 對基板W之處理所使用之處理液（洗淨液或沖洗液）進排液。另外，以包圍排液空間631之方式形成有回收液^ 312XP/發明說明書(補件)/95·03/94〗4】8 7 J 1284353 2於處理杯6 2 3和分隔壁6 3 3之間，用來回收美祐 W之處理所使用之處理液。土在排液空間631連接有排液管β34用來將處理液導引到 •排，處理裝置（圖中未顯示），在回收液空間632連接有回 •收5 635用來將處理液導引到回收處理裝置（圖中未顯示）。 ”、在處理杯623之上方設有護罩624，絲防止處理液從 #基板w飛散到外方。該護罩624形成對旋轉轴625成為旋轉對稱之形&。在護罩624之上端部之内面形成有環狀之 ' 剖面為〈字狀之排液導引溝641。另外，在濩罩624之下端部之内面形成有回收液導引部 642，由傾斜到外側下方之傾斜面構成。在回收液導引部 642之上端附近形成有分隔壁收納溝643，用來杯623之分隔壁633。在該護罩624設有由滾珠螺桿機構等構成之護罩升降鲁驅動機構（圖中未顯示）。護罩升降驅動機構使護罩624在回收位置和排液位置之間上下移動，在回收位置使回收液導引部642面對被自轉夾嘴621保持之基板？之外周端面在排液位置使排液導引溝641面對被自轉夾嘴保持之基板w之外周端面。當護罩624在回收位置（圖4所示之護罩之位置）時，從基板w朝向外方飛散之處理液被回收液導引部642導引到回收液空間632，通過回收管635 被回收。另外一方面，當護軍624在排液位置之情況時，從基板w朝向外方飛散之處理液被排液導引溝641導引到 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 31 1284353 排液空間631，通過排液管634被排液。利用以上之構造進行處理液之排液和回收。 :面說明具有上述之構造之乾燥處理單元讓之處理 =作。另外，以下所說明之洗淨處理單元篇之各個構成π件之動作，被圖1之主控制器30控制。 f先，在基板w之搬入時，使護罩624下降，圖丨之第 3中央機器人⑴將基板μ載在自轉夾嘴621上。 =自轉夾嘴621上之基板^利用自轉央嘴621吸· 保持。其次’使護罩624移動到上述之排液位置，和使洗淨處 :里用賀嘴650移動到基板w之中心部上方。然後，使旋轉 “2B疋轉’隨著該旋轉使被自轉夾嘴621保持之基板⑼ 進订凝轉。然後，從洗淨處理用噴嘴65〇將洗淨液吐出到基板w之上面。利用此種方式，進行基板w之洗淨，使基板W上之抗蝕劑之成分溶出到洗淨液中。在基板％之洗淨時，一邊使基板W旋轉，-邊將洗淨液供給到基板w上。在此種情況’基板W上之洗淨液利用離心力經常朝向基板 W之周緣部移動和飛散。因此，可以防止溶出到洗淨液中之抗钱劑之成分殘留在基板Wjl。另外，上述之抗姓劑之成分’例如’亦可以在基板w上儲存純水，經由保持一定時間被溶出。另外’對基板¥上之洗淨液之供給亦可以以使用2流體噴嘴之軟式喷霧方式進行。經過指定時間後’停止洗淨液之供給，從洗淨處理用噴嘴650吐出沖洗液。利用此種方式，洗去基板你上之洗淨 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 32 1284353 液。其結果是可以確實祕止溶出到洗淨液中之抗钱劑之成分殘留在基板W上。再經過指定時間後，旋轉軸625之旋轉速度降低。依照此種方式，利用基板w之旋轉甩去之沖洗液之量減少，如圖5(a)所示，在基板W之表面全部形成沖洗液之液層匕。另外，亦可以使旋轉軸625之旋轉停止用來在基板w之表面全部形成液層L。、在本實施形態中’所採用之構造是洗淨液之供給和沖洗液之供給共用洗淨液處理用嘴嘴65G，成為可以從洗淨液處理用喷嘴65G供給洗淨液和沖洗液之任—種，但是亦可採用分開之構造’使洗淨液供給用之噴嘴和沖洗液之喷嘴分開。另外’在供給沖洗液之情況時，亦可以從圖中未顯示之背面沖洗用喷嘴對基板W之背面供給純水，使沖洗液不合轉入到基板W之背面。 Θ 另^當洗淨基板W之洗淨液使用純水之情況時，不需要進行沖洗液之供給。 ^次’停止沖洗液之供給’使洗淨處理用噴嘴㈣退避曰定之位置，和使乾燥處理用喷嘴67M多動到基板W之 :心部上方。然後，從乾燥處理用喷f 67“土出肢:利用此種方式，如圖5(b)所示，使基板w 部之沖洗液移動到基板W之周缝都士炎口士 # 部存在有液層L之狀態。表部’成為只在基W之周緣

C 其次，使旋轉軸625(參照圖4)之轉速上升，和如圖％ 312XP/發明說明書(補件)/95·〇3/94141871 33 1284353 =不’使乾燥處理用噴嘴67〇從基板w 周緣部上方逐漸蒋翻..m |工万朝向層L受到大離心力二乍:用:種方式：因為基板W上之液

之表面全體，所以ί /可以使惰性氣體吹在基板W 結果是可以你其可以確實地除去基板⑺上之液層L。其 =了使基板w確實地乾燥。护止惰性氣體之供給，乾燥處理喷嘴670退避到 ‘和圖i ::3止:=“25之旋轉。然後’護罩624下元S〇AK搬出。利用此種機方^人⑵將基板W從乾燥處理單處理動作。]用此種方式，結束洗淨處理單元SOAK處 ^外’洗淨和乾燥處理中之護罩6 2 4之位置最好依昭處液之回㈣排液之需要性進行適當之變更。洗二圖 670設置成為―體用；^㈣和Μ處理用噴嘴或乾燥處理時，因為不^月况’在基板W之洗淨處理時广踩H + 4b 為不而要使洗淨處理用喷嘴650和乾焊 ΓΓΐ㈣f別移動’所以可以使驅動機構單純化二代替乾燥處理用噴嘴670者，示之乾燥處理用喷嘴770。丨了以使用圖7所伸處理用噴嘴770具有分支管77卜772,延心:和=:=伸到斜下方。在乾燥處理用喷嘴：；0：27；Γ；70^^^λ ⑽a' 770b、770C。從各個吐出 31肩發明說明書(補件)/95·03/94141871 34 1284353 :770a、770b、770c’分別如圖7之箭頭所示，將惰性乳體吐出到錯直下方和斜下方。亦即，在乾燥處理 7 7 0中，以使吹向下方之範圍擴大 + 乃心靶固擴大之方式，吐出惰性氣體。在此處當使用乾燥處理用喷嘴77〇之情況時，洗、爭产理單元SOM利用以下所說明之動作進行基板w之乾燥^里。圖8用來說明使用有乾燥處理喷嘴77〇之情況 w之乾燥處理方法。、土首先’利用圖5(a)所說明之方法在基板w之表面形成 =層L之後’如圖8(a)所示，使乾燥處理用嘴嘴no移力到基板W之中心部上方。夕火德，你羞A φ ^ ^ ^ …後伙乾‘處理用喷嘴770 出十月性氣體。利用此種方式，如圖8⑻所示，使基板w 之中心部之沖洗㈣動縣板k周緣部，成為只在基板嘖=部存在有液層L之狀態。另夕卜這時乾燥處理用二丨7()接近基W之表面，可以使存在於基板w之中心邛之沖洗液確實移動。其次，使旋轉軸625(參照㈣之轉速上升，和如圖 =斤不装使錢相时嘴77G朝向上方移動。湘此種方二w 土/反W上之液層L党到大離心力之作用，和使吹在基之㈣氣體之範圍擴大。其結果是可以確實除去基之液層L。另外，利用被設在圖4之第2轉動轴m 轉動轴升降機構（圖中未顯示）使帛2轉動轴⑽上下升牛可以用來使乾燥處理用喷嘴770上下移動。 ==替乾燥處理料嘴77〇者，亦可以使用圖^斤不之乾域理用喷嘴870。圖9之乾燥處理用喷嘴謂具 312XP/發明說明書(補件)/95-03/941418 71 35 1284353 使其直㈣漸擴大。從該出到鉛直下方及斜下方。引不之方式，將惰性氣體吐與圖7之乾燥严理。t亦即，在乾燥處理用喷嘴870，圍擴大之方式 f g 770同樣地’以使吹向下方之範嘴870之/ D士清性氣體。因此，在使用乾燥處理用喷角«70之情況時，亦处m只之情況同樣之方法，用來進:::乾燥處理用喷嘴770 s . 用木進仃基板W之乾燥處理。另外，代替圖4所示之咮唾田抑—。使用如冃m &坏丁之冼淨處理早兀SOAK者，亦可以吏圖10所示之洗淨處理單元SOAKa。圖1〇所示之乾燥處理單元SOAKa和圖4所示之洗、、爭處理單元SOAK具有以下之不同部份。斤丁之“處 =，洗淨處理單元嶋中，在自轉夾嘴621之广又有圓板狀之遮斷板682，在中心部 2之前端附近縣直下方設有支持軸_，在該支持軸689之下端安裝有遮斷板咖，成為保持之基板W之上面。％入肖板6 8 2之開口連通之 6 9 0被供給有例如氮在支持軸689之内部插穿有與遮斷氣體供給路徑690。在氣體供給路徑氣（Ν2)。在手臂688連接有遮斷板升降驅動機構697和遮斷板旋轉驅動機構698。遮斷板升降驅動機構697使遮斷板在接近位置和遠離位置之間上下移動，在接近位置，遮斷板682接近被自轉夾嘴621保持之基板w之上面，在遠離位置，遮斷板682向上遠離自轉夾嘴621。 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 36 1284353 在圖10之洗淨處理單元S0AKa中，在基板w之乾理日士丄〜 /，如圖11所示，在使遮斷板682接近基板-之狀態，對基板w和遮斷板682之間之間隙，從氣體供給路徑69〇七、給惰性氣體。在此種情況，因為可以對基板w之中心部 J周、、彖。卩有效地供給惰性氣體，所以可以確實地除去基板 w上之液層L。另外，在上述實施形態中，在洗淨處理單元s〇AK中利 •用^轉乾燥方法對基板w施加乾燥處理，但是亦可以利用減壓乾燥方法，空氣刀乾燥方法等其他之乾燥方法對基板 w施加乾燥處理。另外，在上述實施形態中是在形成有沖洗液之液層L之狀態下從乾燥處理用喷嘴670供給惰性氣體，但是亦可以 ^未形成有沖洗液之液層L之情況或未使用有沖洗液之情況，使基板W旋轉，在一旦电去洗淨液之液層之後，立即從乾燥處理用喷嘴670供給惰性氣體，用來使基板？完馨全乾燥。依照上述之方式，本實施形態之基板處理裝置5〇〇於在曝光褒置14對基板W施加曝光處理之前，在洗淨處理單 •元SOAK進行基板W之洗淨處理。在該洗淨處理時，基板 W上之抗㈣成分之-部份’溶㈣洗淨液或沖洗液中藉 • ^先去。因此，在曝光裝置14中即使基板w與液體接觸，基板W上之抗姓劑成分亦大多不會溶出到液體卜利用此種方式，可以減少曝光裝置14内之污染，和可以防止抗 I 虫劑成分殘留在基板W之表面。其結果是可以減少在曝光 37 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 1284353 裝置14發生之基板w之處理不良。另外，在洗淨處理單元SOAK，因為在洗淨處理後進行基板w之乾燥處理，所以在搬運洗淨處理後之基板w時，；可以防止環境中之灰塵附著在基板W。利用此種方式可以 . 防止基板W之污染。另外，洗淨/顯像處理塊12被設置成鄰接介面塊13。在此種情況，在曝光裝置14之曝光處理之前和之後，可參以進行基板w之洗淨處理和顯像處理。利用此種方式，在將基板W從洗淨/顯像處理塊12搬運到曝光裝置14時， •和攸曝光裝置14搬運到洗淨/顯像處理塊丨2時，可以防 ^環境中之灰塵物著在基板w。其結果是可以充分地減少曝光處理時和顯像處理時發生之基板W之處理不良。另外在洗淨處理單元，使基板w 一邊旋轉一邊將惰性氣體從基板w之中心部吹向周緣部，用來進行基板 W之乾燥處理。在此種情況，因為可以確實地除去基板W • f之f淨液和沖洗液，所以可以確實地防止環境中之灰塵等附著在洗淨後之基板w。利用此種方式，可以禮實地防止基板W之污染，和可以防止在基板w之表面發生乾燥污點。、、卜口為可以確貫地防止在洗淨後之基板Ψ殘留洗淨液和冲洗液，所以在將基板w從洗淨處理單元搬運到曝光裝置14之期間，可以確實地防止抗餘劑之成分更步地〉谷出到洗淨液和沖洗液中。利用此種方式可以確實地防止抗餘劑膜之形狀不良之發生。和可以確實地防止 312XP/發明說明書(補件)/95-〇3/94⑷871 1284353 曝光裝置14内之污染。 =等之結果是可以確實地防止基板W之處理不良。搬：::=面用搬運機構⑽。圖12用來說明介面用做運機構IFR之構造和動作。介月介面用搬運機構iFR之構造。如圖12所示，面用搬運機構IFR之可動△ 22。% w γ σ 21以螺紋接合在螺旋軸成為m 向延伸之方式，被支持台23支持馬達Mil螺2螺㈣由22之一端部設有馬達W，利用該平=使螺旋轴22旋轉，用來使可動台㈣方向水另外’在可動台21裝载有手臂#拄△ w 方向旋轉和可以在±2方向载升:手。广可以臂支持”“i f 馬達M2’利用該馬達M2使手用又符口 24方疋轉。在手劈忐個之手臂Μ、Ηβ 漳支持σ 24設有可上下進退之2 、，用來將基板⑺保持為水平姿勢。其次說明介面用搬運機構另 IFR之動作利用岡之動作。介面用搬運機構勖作利用圖1之主控制器30控制。

面用搬運機構IFR在圖U 持台24旋轉和在+z方使手是支裝載部PASS9。在美板手臂H5進入基板隹暴扳裝载部pASS9，板W時，介面用搬運機接又到基 PASS9後退，使手臂φ I H5從基板裝載部 a 夺ϋ 24在-Z方向下降。 …面用搬運機構IFR在使手臂支持台24旋轅夺# $ A 々门移動，在位置β °手臂Η5進入到曝光裝置14之 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-03/94141871 1284353 ^板搬入部14a(參照圖1)。在將基板w搬入到基板搬入部14a之後，介面用搬運機構IFR使手臂肋從基板搬入部14 a後退。壯其次，介面用搬運機構IFR使下側之手臂H6進入曝光 =置14之基板搬出部Ub(參照圖υ。在基板搬出部丄扑當手臂H6接受到曝光處理後之基板^，介面用搬運機構IFR使手臂H6從基板搬出部後退。

然後，介面用搬運機構IFR在+χ方向移動，在位置A 使手’支持台24旋轉和在方向上升，用來使手臂H6 進入基板裝載部PASS1G ’藉以將基板w移制基板裝部 PASSin 〇另外，在將基板W從基板裝載部卩“39搬運到曝光裝置 14時’在曝光裂置14不能接受基板w之情況，將基板w 曰時收納保管在發送緩衝器部SBp。依照上述之方式’在本實施形態中，t將基板w從基板 ♦裝载部PASS9搬運到曝光裝置14時，使用介面用搬運機，IFR之手臂H5,當將基從曝光裳置14搬運到基板 1部PASS10時’使用手臂H6。亦即，在曝光處理後之附者有液體之基板w之搬運時使用手臂H6，在未附著有液肽之基板W之搬運時接用丰辟]^ ς 逆才便用予I Η5。利用此種方式，基 • 板w之液體不會附著在手臂Η5。另外，因為手臂H6被設在手臂H5之下方’所以即使有液體從手臂H6和其所保持之基板w落下時，亦不會有液體附著在手臂H5和其所保持之基板w。 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 40 1284353 處理後之附著有液1之=4 ^器人CR4’在曝光 _ "光處理別之未附著有液體之基板w之 ^基板裝载部PASS7和邊緣曝光部趣之間，及邊緣曝光部EEW采口莫北壯I a 1J m 臂cm ! 部⑽9之間)時，使用上側之手在威光：，在第4中央機器人CR4,不會有液體附著在曝先處理前之基板W。其之:果是因為可以防止液體附著在曝光處理前之 = 反，所以可以防止由於環境中之灰塵等之附著而造成之基板w之污染。利用士卜插t斗、 14 ^ ^ 種方式，可以防止由於曝光裝置象性此之劣化等造成之處理不良之發生。 IFR另二二本實施形態中是利甩1個之介面用搬運機構 =1= 搬運，但是亦可以使用多個之介面用搬運枝構IFR進行基板？之搬運。另外’亦可以依照曝光裝置14之基板搬入部14a和基板搬出部14b之位置’變更介面用搬運機構⑽之動作和構造。例如’當曝光裝置14之基板搬入部Ua和基板搬出部14b在與圖12之位置A面對之位置時，亦可以不設置圖12之螺旋軸22。另塗布單元BARC、RES、顯像處理單元dev、洗淨處理單元SOAK、力口熱單元HP f口冷卻單元CP之個數亦可以配合各個處理塊之處理速度進行適當之變更。另外，在洗淨處理單元S〇AK，代替圖4之洗淨處理用 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 41 1284353 喷嘴650和乾燥處理用喷嘴67〇之一方使用圖13所示之2流體喷嘴。 5雙方者，亦可以圖13是縱向剖面圖’用來表示洗淨和乾燥之2流體喷嘴950之内部構造之一實例。可以斤使用

2:體喷嘴950吐出氣體、液體和氣體與液體二合:二本貫施形態之2流體喷嘴950稱為外部混合型所不之外部混合型之2流體噴嘴95〇由内部本體部3 外部本體#312構成。内部本體部3n由例如石成，外部本體冑312由例如PTFE(聚四氣乙稀）等之樹脂構成。 ” 沿者内部本體部311之中心轴形成有圓筒狀之液體導入部311b。在液體導入部311b安裳有圖4之洗淨處理用供給官663。利用此種方式，從洗淨處理用供給管⑽供 6之洗淨液或沖洗液被導入到液體導入部311 b。在内4本肢部311之下端形成有與液體導入部Μη相 ^之液體吐出口 311a。内部本體部311插入到外部本體 P 312内另外，内部本體部311和外部本體部312之上端部互相接合，下端不接合。在内部本體部311和外部本體部312之間，形成有圓筒狀之氣體通過部312b。在外部本體部312之下端，形成有與氣體通過部312b相通之氣體吐出口 312a。在外部本體部312之周壁，以與氣體通過部312b相通之方式，安衣有圖4之乾燥處理用供給管674。利用此種方式，從乾秌處理用供給管674供給之惰性氣體被導入到氣體通過 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 42 1284353 部 312b 〇氣體通過部312b’在氣體吐出口 312&之近旁隨著朝向 Γ方使其直徑變小。其結果是使惰性《之流速加速，從氣體吐出口 312a吐出。 .仗液體吐出σ 311aii出之洗淨液和從氣體吐出312a吐 •出之惰性氣體’在2流體噴嘴95()之下端附近之外部混。用來產生包3洗淨液之微細液滴之霧狀之混合流體。圖14用來說明使用有圖13之2流體喷嘴950之情況時 • 之基板w之洗淨和乾燥處理方法。 ' 百先，如圖4所示’基板W被自轉夾嘴621吸著和保持，隨著旋轉軸625之旋轉進行旋轉。在此種情況，旋轉轴 625之旋轉速度例如大約為5〇〇rpm。在此種狀態，如圖14(a)所示，從2流體噴嘴95〇將由洗淨液和惰性氣體構成之霧狀之混合流體，吐出到基板w 之上面，和2流體喷嘴950從基板w之中心部上方逐漸朝籲向周緣部上方移動。利用此種方式，從2流體噴嘴95〇將混合流體吹在基板W之表面全體，用來進行基板？之洗淨。其次，如圖14(b)所示，停止混合流體之供給，使旋轉軸625之旋轉速度降低，和從2流體喷嘴95〇將沖洗液吐 •出在基板W上。在此種情況，旋轉軸625之旋轉速度成為 ' 例如大約lOrpm。利用此種方式，在基板w之表面全體形 • 成沖洗液之液層L。另外，亦可以使旋轉軸625之旋轉停止，在基板W之表面全體形成液層l。另外，在使用純水作為用以洗淨基板W之混合流體中之洗淨液之情況，不進 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 43 1284353 行沖洗液之供給。在形成液層L之後，停止沖洗液之供給。1欠，

Hm2 到基二你w 式，使絲ψ之中心部之洗淨液移動到基狀態，周緣部，成為只在基板W之周緣部存在有液層L之韓使旋轉轴625之旋轉速度上升。在此種情況，旋之旋轉速度大約為例如iOOrpm。利用此種方式，因為基板W上之液層L受到大離丰其妃W L < 1卞用，所以可以除去基板W上之液層L。其結果是使基板#乾燥。嘴=二2去基板W上之液層L時’亦可以使2流體噴攸土反W之中心部上方朝向周緣部上方逐漸移動。 =用此種方式’因為可以將惰性氣體吹在基板W之表面全版所以可以癌實地除去基板w上之液層[。其結果是可以使基板W確實地乾燥。依照上述之方式，在圖13之2流體喷嘴咖吐出之混合流體包含有洗淨液之微細液滴，;; 以即使在基板W表面有凹凸之情況時，亦可以利用洗淨液之U、田，滴來剝去附著在基板w之污物。利用此種方式，

可以確貫地除去基板w表面之污物。另外，即使在基板W t之膜之命析性很低之情況’因為由於洗淨液之微細液滴、成之基板W表面之污物被剝去，所以可以確實地除去基板W表面之污物。因此’虽在曝光處理前利用加熱單元HP對基板W施加 312XP/發明說明書(補件)/95·〇3/94141871 44 1284353 熱處理時，抗姓劑膜夕、、六令暫則胰之浴劑寻在加熱單元HP内進行異華，即使其昇華物再附著於基Μ之情況時，在單元漏亦可以確實地除去其附著物。利用此種方^ .可以確貫地防止曝光裝置14内之污染。 .另外、、工由凋節惰性氣體之流量，可以容易地調節洗淨 .基板w時之洗淨力。利用此種方式，在基板W上之有機膜 (抗I虫劑膜）具有容易破損之性質之情況時，使洗淨力變弱籲可以用來防止基板w上之有機膜之破損。另外，當基板W 表面之污物強固之情況時，使洗淨力變強可以用來石隹實地除去基板W表面之污物。利用此種方式，配合基板w上之有機膜之性質和污物之程度調節洗淨力，可以一邊防止基板W上之有機膜之破損，一邊確實地洗淨基板w。另外’在外部混合型之2流體噴嘴95〇，在2流體喷嘴 950之外部使洗淨液和惰性氣體混合，用來產生混合體。在2流體喷嘴950之内部，使惰性氣體和洗淨液分別 #在被區分為分開之流路流通。利用此種方#，在氣體通過部312b内不會殘留洗淨液，可以使惰性氣體單獨地從2 流體喷嘴950吐出。另外，經由從洗淨處理用供給管663 供給沖洗液，可以從2流體噴嘴950單獨地吐出沖洗液。 .因此，可以從2流體噴嘴950選擇性地吐出混合流體，惰 • 性氣體和沖洗液。另外，在使用2流體噴嘴950之情況時，不需要個別設置用來對基板W供給洗淨液或沖洗液之噴嘴，和用來對基板W供給惰性氣體之喷嘴。利用此種方式，可以以簡單之 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 45 1284353 構造，確實地進行基板w之洗淨和乾燥。址另外，在以上之說明中是利用2流體喷嘴95〇對基板w =沖洗液’但是亦可以使用個別之噴嘴對基板w供給沖

另外，在以上之說明中是利用2流體喷嘴950對基板W ^ Ά性1體’但是亦可以使用個別之喷嘴對基板W供給惰性氣體。在本實施形態中，防止反射膜用處理塊10,抗蝕劑膜用處理塊11和洗淨/顯像處理塊12相當於處理部，介面 f 13相f於交接部，索引器塊9相當於基板搬入/搬出 ;m元res相當於第1處理單元，抗蝕劑膜處理塊 *目—s於弟1處理單位’洗淨處理單元s〇M，卯他相 *於弟、2處理單元’顯像處理單元_相當於第3處理單兀’洗淨/顯像處理塊12相#於第2處理單位 ::相當於第4處理單元，防止反射膜用處理仙相當 ' 处理單位，抗蝕劑膜相當於感光性膜。 ::，加熱單元HP和冷卻單元⑶相當於第處理早元’第2中央機器人CR2相當於第…運單元，第、相當於第2搬運單元，第1中央機器人 4搬^ ^搬運單元，帛4中央機器人⑽相當於第 2早兀’，丨面用搬運機構⑽相當於第5搬運單元，手臂贈相當於第“呆持部，手臂；：部’手臂Η5相當於第3保持部，手臂Η6相當丄 4，基板裝載部PASS9、PA咖相#於裝載部。、 312XP/發明gg 明書(補件)/95·〇3/94141871 46 !284353 另外，自轉夾嘴621相當於基板保持裝置，旋轉軸625 和夾嘴旋轉驅動機構6 3 6相當於旋轉驅動裝置，洗淨處理用喷嘴650相當於洗淨液供給部和沖洗液供給部，乾燥處理用喷嘴670、770、870相當於惰性氣體供給部。另外，2流體喷嘴950相當於流體喷嘴，液體導入部311b 相當於液體流路，氣體通過部312b相當於氣體流路。【圖式簡單說明】鲁圖1疋本發明之一實施形態之基板處理裝置之平面圖。圖2是從+X方向看圖1之基板處理裝置之側視圖。圖3是從-X方向看圖1之基板處理裝置之側視圖。圖4用來說明洗淨處理單元之構造。圖5(a) 〜（c)用來說明洗淨處理單元之動作。圖6疋將洗淨處理用喷嘴和乾燥處理用喷嘴設置成為一體之情況時之概略圖。圖7是表示乾燥處理用噴嘴之另一實例之概略圖。、圖8(a)〜（c)用來說明使用圖7之乾燥處理用喷嘴之情況時之基板之乾燥處理方法。圖9是表示乾燥處理用噴嘴之另一實例之概略圖。圖10是表示洗淨處理單元之另一實例之概略圖。圖11用來說明使用圖10之洗淨處理單元之情況時之美板之乾燥處理方法。土圖12用來說明介面用搬運機構之構造和動作。處理圖13是縱向剖面圖，用來表示使用在洗淨和乾燥之2流體喷嘴之内部構造之一實例。 312XP/發明說明書(補件)/9543/94ΐ4ΐ87ι 47 1284353 圖14(a)〜（c)用來說明使用圖a之9 時之基板之洗淨和乾燥處理方法。肢貧^之情況【主要元件符號說明】 10 11 12 13 14 14a 14b 15 索引器塊防止反射膜用處理塊抗蝕劑膜用處理塊洗淨/顯像處理塊介面塊曝光裝置基板搬入部基板搬出部隔壁 16 隔壁 17 隔壁 21• 22 23 24 30 • 60 . 70 7卜8卜91 可動台螺旋軸支持台手臂支持台主控制器（控制部）載體裝置防止反射膜用塗布處理部自轉夾嘴 7 2、8 2、9 2 供給喷嘴 80 抗蝕劑膜用塗布處理部 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 48 1284353 90 影像處理部 - 95 洗淨處理部 98 自轉夾嘴 99 光照射器 100 、 101 熱處理部 110 、 111 抗蝕劑膜用熱處理部 120 顯像用熱處理部 121 曝光後烘烤用熱處理部 311 内部本體部 311a 液體吐出口 311b 液體導入部 312 外部本體部 312a 氣體吐出口 312b 氣體通過部 500 基板處理裝置 621 自轉夾嘴 623 處理杯 624 護罩 625 旋轉韩 631 排液空間 632 回收液空間 633 分隔壁 634 排液管 635 回收管 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 49 1284353

636 641 642 643 650 660 661 662 663 670 671 672 673 674 682 688 689 690 697 698 770 、 870 770a 、 770b 、 770c 77卜 772 870a 夾嘴旋轉驅動機構排液導引溝回收液導引部分隔壁收納溝洗淨處理用喷嘴第1轉動馬達第1轉動軸第1臂洗淨處理用供給管乾燥處理用噴嘴第2轉動馬達第2轉動軸第3手臂乾燥處理用供給管遮斷板手臂支持軸氣體供給路徑遮斷板升降驅動機構遮斷板旋轉驅動機構乾燥處理用喷嘴氣體吐出口分支管吐出口 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 50 1284353

c

CP CR1 CR2 CR3 CR4

CRH1 、 CRH2 CRH3 、 CRH4 CRH5 、 CRH6 CRH7 、 CRH8 EEW H5、H6

HP

IFR

IR

IRH

L

Ml ^ M2 PASS1〜PASS10 R1 R2

SBF SOAK 、 SOAKa Va 、 Vb 、 Vc 載體冷卻單元第1中央機器人第2中央機器人第3中央機器人第4中央機器人手臂手臂手臂手臂邊緣曝光部手臂加熱單元介面用搬運機構索引器機器人手臂液層馬達基板裝載部洗淨液供給源沖洗液供給源發送緩衝器部洗淨處理單元閥 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 51 1284353 w 基板

312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 52

Claims

1284353 申睛專利範圍：有： _種基板處縣置’被配置成鄰接曝光裝置，其具傷，理部’用來對基板進行處理；和用j部’以被設置成鄰接上述處理部之—端部之方式， H上述處理部和上料光裝置之間之基板上述處理部具備有：又接，光2處理單元，用來在基板形成由感光性材料構成之感之：2ίΓ單元，在利用第1處理單元形成上述感光性膜基板進行洗淨處理^ 進订曝先處理之前，用來對後第用3來處對理^元隹’在利用上述曝光装置進行曝光處理之俊用來對基板進行顯像處理。二專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述處埶包含有上述第1處理單元，對基板進行 ;7Γ 處理單元，和用來搬運基板之第〗搬運單理^處理單位，包含有上述第2處理單元，上述第3處早凡，對基板進行熱處理之第2 運基板之第2搬運單元。 …、處理早凡，和用來搬 3.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，立中處理早位被配置成鄰接上述交接^ ’、这第 312ΧΡ/發明說明書(補件 V95-〇3/94141871 53 1284353 .士申》月專利範圍第2項之基板處理裝置，豆中理部更具備有第3處理單位，包含有:第4置處理= 2用上述弟1處理單元形成上述感光性膜之前，在基板形 •、防射膜’和第3熱處理單元’用來對基板進行熱處 •理，和第3搬運單元，用來搬運基板。 5.如申請專利第4項之基板處㈣置，其中更且備有基板搬入/搬出部，被配置成鄰接上述處理部之另一端部，用纟進行將基板搬入到上述處理部和從上述處理部將響基板搬出；和上述第3 4理單位被配置成鄰接上述基板搬入/搬出 6.如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，其中上述接部包含有：第5處理單元，用來對基板進行指定之處理；裝載部，用來暫時地裝載基板；籲第4搬運單元，用來在上述處理部，上述第5處理單元和上述裝載部之間搬運基板；和第5搬運單元，用來在上述裝載部和上述曝光裝置之間搬運基板。 7.如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中上述第4搬運單元包含有用來保持基板之第丨和第2 持部；上述第4搬運單元為，在搬運利用上述曝光裝置進行曝光處理前之基板時，利 312XP/發明說明書(補件)/95-03/94141871 54 1284353 $1保持部保持基板；和 f搬運利用上述曝光裝置進行曝光處理用上述第2保持部保持基板； I板日寸’利持i述第5搬運單元包含有用來保持基板之第3和第4保上述第5搬運單元為，在__上料光裝置進行用上述第“呆持部保持基板；和〜之基板日.，利用上述曝光裝置進行曝光處理後之基板時，利用上述第4保持部保持基板。和 8.如申请專利範圍第7項之基板處理 2二持部被設在上如保持部之下方，上述第：= 被e又在上述第3保持部之下方。 ^、 9·如中請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中上述第 ^處理單元包含有使基板之周緣部進行曝光之邊緣曝光 10.如申請專利第i項之基板處理裝置，其中上述第2處理單元更在基板之洗淨處理後，進行基板之乾燥處理。 1 1 ·如申Μ專利範圍第1 〇項之基板處理並第2處理單元具備有：基板保持裝置，用來將基板保持成為大致水平；旋轉驅動裝置，用來使被上述基板保持裝置保持之基板’在垂直該基板之軸的周圍旋轉； 312ΧΡ/發明說明書(補件y95_03/94〗4】87】 55 1284353 置=:::r將洗淨液供給到被上述基板保持裝給=在利用上述洗淨液供給部對基板上供 …先平液之後，用來對基板上供給惰性氣體。 J2.如申請專利範圍第u項之基板處 :=、:部供給情性氣體，使利用上述洗淨液1給: 供給到基板上之洗淨液 ' ,動，用來從基板上將其排除之中心部朝向外方移 13. 如巾請專職圍第丨丨項之基板處理中苐2處理單元更具備有沖洗液供供給部供給洗淨液之後，且利用上述惰淨液惰性氣趙之前，用來將沖洗液供給到基板上？供給 14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝 == 給部供給惰性氣體，使利用上述沖洗液供給到基板上之沖洗液，從基板上之中心邻二P 動，用來從基板上將其排除。。㈤向外方移 15·如申請專利範圍第丨項之基板處理 !丄處理單元從流體喷嘴將包含有洗淨液和氣體之ΐί /瓜體供給到基板，用來進行基板之洗淨處理。_此口 16. 如申請專利範圍第15項之基板處理氣體為惰性氣體。、I ’其中上述 17. 如申請專利範圍第15項之基板處理第2處理單元在基板之洗淨處理後，其中上述理。仃基板之乾燥處 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-03/94141871 56 1284353 i:如申請專利範圍第17項之基板處弟2處ί里單元包含有惰性〃中上述惰性氣體，用來進行基板之乾㈣對基板上供給沒如申請專利範圍第以項之基板、體喷嘴具有作為上述惰性氣體供 \置/'中上述 20.如申請專利範圍第18項之基板處理^，。第2處理單位更包含有：衣置其中上述基板保持裝置，用來將基板保持成為大致旋轉驅動t置1來使被上述基 ’ σ 板，在垂直該基板之轴的周圍旋轉。保持^保持之基 21·如申請專利範圍第以項之基板處理裝 :處理單元供給情性氣體，使從上述流體喷嘴供= =之混合流體’從基板上之中心部朝向外 '絲從基板上將其排除。勒用木 22.如申請專利範圍第18項之基板處理第2處理單元更包含有沖洗液供給部，在從上述; =給，合流體之後，且利用上述惰性氣體供給部供給上述惰性氣體之前，用來將沖洗淨供給到基板上。能 23·如申明專利範圍第22項之基板處理裝置，其流體喷嘴具有作為上述沖洗液供給部之功 ^ #24·如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中上第2處理單元供給惰性氣體，使利用上述沖洗液供給部^ 給到基板上之沖洗液，從基板上之中心朝向外方移動，用來從基板上將其排除。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-03/94141871 57 1284353 ' 25.如申清專利範圍帛15 J員之基板處理裝置，其中上述 mr液體流路’用來使液體流通；氣體流路，、'吏軋肢^通’·液體吐出口 ’開口成為與上述液體流路 ••相通，和氣體吐出口.，被設在上述液體吐出口之近旁，同 *時開口成為與上述氣體流路相通。 26. 一種基板處理方法，係被配置於鄰接曝光裝置，且具備有第1處理單元，第2處理單元，和第3處理單元之基板處理裝置之中，對基板進行處理，其具備之步驟包含有：在2用上述曝光裝置進行曝光處理之前，利用上述第ι 處理單元在基板上形成由感光性材料構成之感光性膜；在利用上述第1處理單元形成上述感光性膜之後，且利用上述曝光裝置進行曝光處理之前，使用上述第2處理單元進行基板之洗淨處理；和在利用上述曝光裝置進行曝光處理之後，使用上述第3 _處理單元對基板進行顯像處理。 27·如申凊專利範圍第26項之基板處理方法，其中更具備之步驟是在利用上述第2處理單元進行基板^洗淨處理之步驟之後，利用上述曝光裝置進行曝光處理之前，使用上述第2處理單元進行基板之乾燥處理。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-03/94141871 58