KR20050117165A - 발광물질 - Google Patents

발광물질 Download PDF

Info

Publication number
KR20050117165A
KR20050117165A KR1020040042397A KR20040042397A KR20050117165A KR 20050117165 A KR20050117165 A KR 20050117165A KR 1020040042397 A KR1020040042397 A KR 1020040042397A KR 20040042397 A KR20040042397 A KR 20040042397A KR 20050117165 A KR20050117165 A KR 20050117165A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
components selected
copper
lead
components
Prior art date
Application number
KR1020040042397A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100665299B1 (ko
Inventor
로스 군둘라
월터 튜스
Original Assignee
서울반도체 주식회사
월터 튜스
로스 군둘라
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사, 월터 튜스, 로스 군둘라 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020040042397A priority Critical patent/KR100665299B1/ko
Priority to EP10164970A priority patent/EP2248871B1/en
Priority to ES04106880.0T priority patent/ES2567436T3/es
Priority to EP10177817.3A priority patent/EP2253689B1/en
Priority to EP04106880.0A priority patent/EP1674548B8/en
Priority to ES10164970T priority patent/ES2388953T3/es
Priority to JP2004376632A priority patent/JP4221358B2/ja
Priority to TW093140902A priority patent/TWI283264B/zh
Priority to US11/024,722 priority patent/US8070983B2/en
Priority to CN201010185274.4A priority patent/CN101870868B/zh
Priority to CN200810146781.XA priority patent/CN101358131B/zh
Priority to CN201010185318.3A priority patent/CN101864304B/zh
Priority to CN201010185300.3A priority patent/CN101864301B/zh
Priority to CN200510002304.2A priority patent/CN1706910B/zh
Priority to CN201010185246.2A priority patent/CN101967376B/zh
Priority to RU2007127911/15A priority patent/RU2398809C2/ru
Priority to BRPI0517575A priority patent/BRPI0517575B1/pt
Priority to ATA1545/2010A priority patent/AT508302B1/de
Priority to ATA9514/2005A priority patent/AT504861B1/de
Priority to PCT/KR2005/002333 priority patent/WO2006068360A1/en
Publication of KR20050117165A publication Critical patent/KR20050117165A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100665299B1 publication Critical patent/KR100665299B1/ko
Priority to US11/948,813 priority patent/US8070984B2/en
Priority to JP2008263832A priority patent/JP5449737B2/ja
Priority to JP2008309889A priority patent/JP5276962B2/ja
Priority to RU2010107024/05A priority patent/RU2572996C2/ru
Priority to US12/731,811 priority patent/US8075802B2/en
Priority to US13/004,554 priority patent/US8158028B2/en
Priority to US13/099,879 priority patent/US8252203B2/en
Priority to US13/555,882 priority patent/US8883040B2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/58—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing copper, silver or gold
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • C09K11/592—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/666—Aluminates; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/7457—Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/751—Chalcogenides
    • C09K11/753—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/755—Halogenides
    • C09K11/756—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/757—Aluminates; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/758—Vandates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7707—Germanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7709—Phosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7714—Antimonates; Arsenates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77344—Aluminosilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7735—Germanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C09K11/7738—Phosphates with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C09K11/7738—Phosphates with alkaline earth metals
    • C09K11/7739—Phosphates with alkaline earth metals with halogens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774—Borates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7742—Antimonates; Arsenates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77922—Silicates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 자외선광 또는 가시광 여기용 발광물질에 관한 것으로서, 희토류 성분을 포함하며, 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 사용하는 것을 특징으로 한다. 화합물은, 발광소자로부터 방출된 광의 일부를 흡수하여 흡수광과 다른 파장의 광을 방출하며, 알루미네이트계, 실리케이트계, 안티모네이트계, 거머네이트(Germanate) 및/또는 거머네이트-실리케이트(Germanate-silicate)계, 및 포스페이트계 화합물중 어느 하나 또는 하나 이상의 화합물을 혼합시켜 구성가능하다. 이에 따르면, 발광피크를 장파장 또는 단파장 영역으로 이전시킬 수 있는 알칼리토 이온을 대체가능한 을 가지는 납 및 구리를 함유하는 발광물질이 제공된다. 본 발광물질은, 색온도의 범위가 넓고 연색성이 우수하며, 물, 습기, 및 극성용매에 강한 특성을 제공한다.

Description

발광물질{Luminescent material}
본 발명은 희토류 성분을 구비하는 형광물질에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 희토류 성분에 의해 활성화된 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 포함하는 자외선 및/또는 가시광선 여기용 발광물질에 관한 것이다.
저압 수은램프를 예로서 설명하면, 납으로 활성화된 물질 즉, 납으로 활성화된 바륨 디실리케이트(barium disilicate, Keith H. Butler, The Pennsylvania State University Press, 1980, S 175), 오소실리케이트(orthosilicate, Keith H. Butler, The Pennsylvania State University Press, 1980, S 181), 또는 아커매나이트(akermanites), 또는 Pb2+에 의해 활성화된 칼슘-메타실리케이트(Ca-metasilicate) 등이 단파장 여기를 위해 사용되고 있다.
납으로 활성화된 형광체의 최대 발광대역은 통상적으로, 254nm 여기조건에서 290nm 내지 370nm 를 나타낸다. 따라서, 납으로 활성화된 바륨 디실리케이트는 현재 자외선(UV)용 형광체로서 거실 또는 테라스 등에 설치되는 자연광 램프에 채용되고 있다.
납은 바닥상태(1S0)에서 두개의 가전자를 가진다. 그 전자배치는 d10s2이고, 최저 들뜬 상태에서는 d10sp의 구조를 가진다. 들뜬 sp구조는 4개의 에너지준위 즉, 3P0, 3P1, 3P2 및 1 P1으로 표현되는 에너지상태를 가지며, 이들은 자유이온에 의해 104.88nm(1P1) 내지 165.57nm(3P0) 범위 대역의 파장을 제공가능하다. 1S0와 1P1 상호간의 에너지준위 변화는 많은 법칙들 중에서 선택하여 달성가능하다. 하지만, 1S0 와 3P0 의 에너지준위 변화는 가장 낮은 대칭상태에서만 가능하고, 한편, 1S0 및 3P2의 변화는 특정한 조건하에서만 이루어질 수 있다. 180nm 내지 370nm 범위에서의 여기는 발광 비슷하다. 그러나, 370nm 보다 긴 파장을 가지는 여기는 불가능하다.
한편, 발광물질 중에는 납을 호스트 래티스 요소(host lattice component)로서 함유하는 것들도 있다. 예를 들면, 1995년에 소개된 MoO4 2-를 중심구조로 포함하는 몰리브데이트 형광체(Molybdate phosphors)가 그 한 예이다(Bernhardt, H.J., Phys. Stat. Sol. (a), 91,643, 1985). PbMoO4는 약 20℃의 실온상태에서 360nm 여기조건하에 620nm의 최대 발광피크를 가지는 레드색 광을 발광한다.
하지만, 몰리브데이트에서의 발광은 납 자체에 의해서만 달성되는 것은 아니다. 다시 말하면, 몰리브데이트에서의 발광특성은 금속이온 M2+(M2+MoO4 단, M2+는 Ca, Sr, Cd, Zn, Ba, Pb등에 의해 대체가능)에 의해 결정되는 것은 아니다. 그 이유는 중심구조인 MoO4 2-이온에 결합되는 O2-이온이 부족하기 때문에 발생되는 문제로 파악된다. 그럼에도 불구하고, Pb2+이온이 호스트 래티스를 안정화시키기 때문에, 양호한 발광특성을 나타낼 수 있는 것이다.
비근한 예로서, 크리스탈이 함유된 텅스텐산염(tungstates) (Ca, Pb)WO4 는 75% 이상의 높은 양자 출력을 가지는 강력한 그린색 발광을 나타낸다(Blasse, G., Radiationless processes in luminescent materials, in Radiationless Processes, Dibartolo, B., Ed. Plenum Press, New york, 1980, 287). 250nm 여기에서 PbWO4는 블루색을 발광하고, 313nm 여기에서 PbWO4는 오렌지색 발광대역을 가진다. 이러한 결과는 쇼트키 결함(Schottky defects) 또는 불순물 이온(impurity ions)에 의해 야기될 수 있다(Phosphor Handbook, edited under the Auspice f phosphor Research Society, CRC Press New York, 1998, S 205).
한편, 구리는 490nm의 최대 발광피크를 가지는 오소포스페이트(orthophosphates)에서 1가 활성체로 사용된다(Wanmaker, W.L. and Bakker, C., J. Elhem. Soc., 106,1027,1959). 바닥상태(1S0)에서의 1가 구리는 최외각 껍질이 전부채워진다(3d10). 그 구조는 2가지 형태 즉, 3D와 1D로 표현된다. 한편, 1가의 구리가 들뜬 상태가 되면 그 전자 배치는 3d94s가 된다. 여기서, 3d94p의 구조는 6가지의 형태 즉, 3P0, 3F0, 3D0, 1F0, 1D0 또는 1P0의 형태를 가진다. 1S0과 1D 또는 3D 사이의 에너지전이는 패리티(parity) 또는 스핀(spin)에 의해 나타나지 않는다. 구리이온에서dd)상태에서 바닥상태로 직접 복귀하는 경우, 혹은 오드상태에서 바닥상태로 복귀하는 1차 전이와 그 후 3d94s 구조의 3D 또는 1D 상태에서 바닥상태로의 2차 전이하는 경우에 발생한다.
2가 구리의 바닥상태(2D5/2)는 3d9 구조를 가진다. 2가 구리에서는, d전자중 하나가 4s 또는 4p 오비탈로 여기가능하다. 최저 여기구조의 전자배치는 2개의 쿼데트(quartet) 4F, 4P 및 4개의 더블렛 2F, 2D, 2P, 및 2G을 구비하는 3d84s 형태로, 숨겨진 전이에 의해 발광이 유발되진 않는다. 가장 들뜬 형태는 4가지 형태 즉, 4D0, 4G0, 4F0, 및 4P0를 가지는 3d84p의 전자배치를 가지며, 발광이 일어난다.
활성체 또는 보조활성체로서 작용하는 구리에 의해 활성화된 설파이드 형광체(sulphide-phosphors)가 음극선관에 상업적으로 이용되고 있다는 사실은 이미 잘 알려져 있다. 그린색 발광 ZnS:Cu, Al(여기서, Cu는 활성체로 사용되고, Al은 보조활성체로 사용됨)는 CRT 응용제품에 매우 중요하게 사용되고 있다.
아연 설파이드 형광체(zinc-sulphide phosphors)에서는, 발광물질을 활성체와 보조활성체의 농도비율에 따라 5가지 종류로 분류할 수 있다(van Gool, W., Philips Res. Rept. Suppl., 3, 1, 1962). 여기서, 발광중심은 딥 도우너(deep donors)나 딥 억셉터(deep acceptors), 또는 인접한 위치에 있는 그들 상호간의 협력에 의해 형성된다(Phosphor Handbook, edited under the Auspice of Phosphor Research Society, CRC Press New York, 1988, S. 238).
구리에 의해 활성화된 오소포스페이트(orthophosphates, Wanmaker, W.L., and Spier, H.L., JECS 109(1962), 109), 및 파이로포스페이트(pyrophosphates), 알루모실리케이트(alumosilicates), 실리케이트(silicates), 트리폴리포스페이트(tripolyphosphate) 등은 펜실베니아 주립대학의 출판물에 개시되어 있다(Keith H. Butler, The Pennsylvania State University Press, 1980, S. 281). 하지만, 이러한 형광체는 단지 단파장 UV 여기용으로만 사용가능하다. 즉, 화학적 특성 및 온도조건에 대한 불안정성 때문에, 이들 형광체는 형광램프에 채용되지 못하고 있는 것이다.
한편, 희토류 이온 예를 들면, Eu2+, Ce3+, 및 기타 다른 성분에 의해 활성화된 산소 지배하의 화합물에서, 납 및/또는 구리를 호스트 래티스 요소로 사용함으로써 제공되는 효과에 대해서는 아직 설명된 바 없다. 납 및/또는 구리를 호스트 래티스 요소로 혼합하는 경우, 발광세기(luminescent intensity)의 향상뿐만 아니라 발광피크, 색좌표, 및 발광스페트럼의 바람직한 방향으로 변화, 그리고, 래티스의 안정화 등 양호한 발광특성을 제공할 수 있다는 긍정적인 효과가 기대된다.
호스트 래티스 요소로 포함되는 납이온 및/또는 구리이온은 360nm 보다 장파장 여기용으로 발광특성을 향상시키는 효과를 제공한다. 이러한 파장영역에서, 양 측 이온은 그들 전자구조의 에너지레벨 때문에, 자체적인 발광특성 변화는 보이지 않으며, 따라서, 여기발광특성의 저하는 전혀 염려되지 않는다.
납 및 구리를 함유하는 발광물질은 호스트 래티스에 이들 성분을 함유하지 아니하는 발광물질과 비교하여 발광세기가 우수하다. 이러한 납 및 구리를 함유하는 발광물질의 더욱 바람직한 효과는 발광파장의 변화를 높게 또는 낮게 조절할 수 있는 것이다. 이들 이온들은 납 또는 구리를 함유하는 화합물에 악영향을 미치는 활성체로 작용하지는 않지만, 경우에 따라서는 크리스탈 구조의 예기치 않은 분열(splitting) 또는 결합(covalency)을 유발시킬 수는 있다.
이온반경이 119pm인 납이온은 알칼리토 이온(alkaline earth ion) 즉, 이온반경이 100pm인 Ca, 또는 118pm인 Sr을 매우 쉽게 대체할 수 있다. 전기음성도가 1.55인 납은 Ca의 1.04 및 Sr의 0.99 보다 훨씬 크다. 납을 포함하는 물질의 제안은 이들 이온의 산화가능성으로 환경에 악영향을 미칠 수 있기 때문에 매우 복잡한 문제이다. 따라서 납을 함유하는 화합물은 특별한 제조공정이 요구된다.
크리스탈 필드(crystal field)에서는 일반적으로, 납이 어떤 이온을 대체하는가에 따라 그 발광특성의 차이가 있다. 납이 Eu로 활성화된 알루미네이트 및/또는 실리케이트의 Sr 또는 Ba를 대체하는 경우에는, Pb의 이온반경이 Ba 및 Sr 이온반경보다 작기 때문에 최대 발광파장이 장파장측으로 이전된다. 이것은 활성체 이온을 둘러싸는 강력한 크리스탈 필드를 나타낸다.
구리 또한 알칼리토 이온을 대체하여 동일 효과를 나타낸다. 이러한 경우 구리는 추가의 효과를 더 제공한다. 전하수(ionic charge) 및 이온반경등의 요인으로 상대적으로 큰 알칼리토 이온에 비해 쉽게 이온화 가능한 구리는, 이웃하는 산소이온와의 결합력이 알칼리토 이온보다 더 강하다. 따라서, 발광스펙트럼의 형상에 더 큰 영향을 미쳐 피크파장을 장파장으로 변형시키는 동시에 그 발광대역내의 발광스펙트럼 곡선을 더 넓게 확장시키는 효과를 제공한다. 부가적으로, 구리 및/또는 납이온으로 대체함으로써, 발광세기를 증가시킬 수 있다. 발광피크를 장파장 또는 단파장으로 이전시킬 수 있다는 사실은 LED 발광 기술분야에 긍적적인 영향을 미칠것이다. 왜냐하면, 광학 장치에서는 그 밝기의 향상이나 소망하는 색좌표를 가지는 특정한 파장을 얻기 위해서는 구체적인 미세조정이 필요하다. 이러한 미세조정은 양이온(cations) 구리 및 납을 적절히 사용하여 달성할 수 있을 것이다.
한편, 대부분의 발광물질 및 형광체가 물, 습기, 수증기 또는 극성용매에 의해 불안정하게 된다는 것은 익히 알려져 있다. 예를 들어, 스핀넬(spinelle) 구조의 알루미네이트 및 사방정계(orthorhombic) 혹은 아커매나이트(akermanite) 구조의 실리케이트는 그 높은 염기도(basicity) 때문에, 물, 습기, 수증기, 또는 극성용매에 다소 민감한 성질을 나타낸다. 하지만, 납 및/또는 구리는 결합력(covalency)이 크고 염기성이 낮기 때문에, 높은 염기도를 가지는 양이온을 대체하는 경우 호스트 래티스 내에 혼합되어 물, 수증기, 극성용매에 강한 발광물질의 특성을 나타낸다.
본 발명의 목적은, 상기 종래의 문제점들을 고려하여, 발광피크를 장파장 또는 단파장 영역으로 이전시킬 수 있는 알칼리토 이온을 대체가능한 높은 효율성을 가지는 납 및/또는 구리를 함유하는 발광물질을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 색온도의 범위가 넓고 연색성이 우수한 발광물질을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 발광특성을 향상시킬 수 있는 것은 물론, 물, 습기, 및 극성용매에 강한 구리 및/또는 납을 함유하는 발광물질을 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따르면, 자외선광 또는 가시광 여기용 발광물질에 있어서, 희토류 성분을 포함하며, 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광물질에 의하여 달성된다.
여기서, 상기 화합물은 다음의 (화학식 1), (화학식 2) 또는 (화학식 3)으로 표현되는 알루미네이트(Aluminate), (화학식 4)로 표현되는 실리케이트(Silicate), (화학식 5)로 표현되는 안티모네이트(Antimonate), (화학식 6)로 표현되는 저머네이트(Germanate) 및/또는 저머네이트-실리케이트(Germanate-silicate), 및 (화학식 7)로 표현되는 포스페이트(Phosphate) 중 어느 하나 혹은 선택된 복수개를 혼합하여 구성할 수 있다.
(화학식 1)
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O 3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)
(화학식 2)
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b-c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2 O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M''''xOy)
(화학식 3)
a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2 )·f(M'''''xOy)
(화학식 4)
a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''o OP)·g(SiO2)·h(M''''''xOy)
(화학식 5)
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''x Oy)
(화학식 6)
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M''''' oOp)·h(M''''''xOy)
(화학식 7)
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O 3)·g(M'''''O2)·h(M''''"xOy)
한편, 상기 화합물은 다음의 (화학식 1)을 구체적으로 표현 하면 하기와 같다.
(화학식 1)
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O 3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)
여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다. 이때, a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤8, 0<e≤4, 0≤f≤3, 0≤g≤8, 0<h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
한편, 상기 화합물들은, 발광장치내에 실장된 하나 또는 하나 이상의 소자로부터 발생되는 380nm 내지 400nm 파장영역의 초기 자외선광 및/또는 380nm 내지 500nm 파장영역의 초기 블루광을 연색성(CRI)이 90 이상인 가시광 스펙트럼영역의 광으로 파장변환시켜서, 가구, 사진, 현미경, 의학기술, 또는 박물관내의 일반 조명용 백라이팅 장치등에 적용할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
상기 발광물질은 또한, 연색성이 향상된 백색광을 구현하기 위해 단일 화합물 및 또는 복수개의 단일 화합물이 혼합된 상태로 LED용 형광체로에 적용가능하다.
이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시예를 구체적으로 설명한다.
제 1실시예
본 제 1실시예의 납 및/또는 구리를 함유하는 알루미네이트의 화학식은, a(M'O)b(M''2O)c(M''X)4-a-b-c(M'''O)7(Al2O3)d(B2O3 )e(Ga2O3)f(SiO2)g(GeO2) h (M''''xOy)로 표현된다.
여기서, 금속 M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분(element)으로 구성되고, 금속 M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), Au(금), 및 Ag(은)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 1가 성분으로 구성되고, 금속 M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 2가 성분으로 구성되고, 금속 M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 인듐(In), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다.
한편, a, b, c, d, e, f, g, h, x, y는 각각 0<a≤4, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤g≤1, 0<h≤0.5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5의 범위에서 선택적이다.
구리 및 납을 함유하는 발광물질의 제조는 기본적으로, 고체상태에서의 혼합반응을 포함한다. 처음에는 불순물 즉, 이온이 전혀 없는 순수한 초기물질들을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 열처리 공정을 통해 산화물로 변형될 수 있는 물질들을 처음에 사용하는 것이 바람직한 것이다. 이것은 산소가 우월한 형광체 구조를 제공하기 위한 기본 원칙이다.
제조의 실시예
하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,
Cu0.02Sr3.98Al14O25 : Eu
초기물질은 CuO, SrCO3, Al(OH)3, 또는 Eu2O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides), 하이드록사이드(hydroxide), 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 H3BO3와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1200℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 1시간 동안 가열된다. 그런 다음, 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 1450℃의 공기가 희박한 상태에서 약 4시간 동안 가열된다. 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 494nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 1은 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 표로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 1]
구리 함유된 화합물 구리 함유하지 않는 화합물
Cu0.02Sr3.98Al14O25 : Eu Sr4Al14O25 : Eu
발광세기(%) 103.1 100
파장(nm) 494 493
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Pb0.05 Sr3.95Al14O25 : Eu
초기물질을 PbO, SrCO3, Al2O3, Eu2O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate), 또는 다른 성분 즉, 옥사이드로 분해될 수 있는 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면, H3BO3와 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1200℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 1시간 동안 공기가 공급되는 상태에서 가열된다. 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 공기가 충분한 1450℃의 상태에서 약 2시간 동안 가열한 후, 공기가 희박한 상태에서 약 2시간동안 가열한다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 494.5nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 2에는 400nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트와, 납을 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성, 즉, 발광세기 및 발광파장이 각각 비교되어 있다.
[표 2]
납 함유된 화합물 납 함유하지 않는 화합물
Pb0.05 Sr3.95Al14O25 : Eu Sr4Al14O25 : Eu
발광세기(%) 101.4 100
파장(nm) 494.5 493
본 제 1실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 알루미네이트를 UV 및/또는 가시광에 적용시켜 얻은 광학적 발광특성 결과는 표 3과 같다.
[표 3]
조성 여기범위(nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납을 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기(%) 구리/납을 함유하는 화합물의 피크파장(nm) 구리/납을 함유하지 않은 화합물의 피크파장(nm)
Cu0.5Sr3.5Al14O25 : Eu 360-430 101.2 495 493
Cu0.02Sr3.98Al14O25 : Eu 360-430 103.1 494 493
Pb0.05 Sr3.95Al14 360-430 101.4 494.5 493
Cu0.01Sr3.99Al13.995 Si0.005 O25 : Eu 360-430 103 494 492
Cu0.01Sr3.395Ba0.595 Al14O25 : Eu. Dy 360-430 100.8 494 493
Pb0.05Sr3.95Al13.95Ga0.05O25 : Eu 360-430 101.5 494 494
실시예 2
본 제 2실시예의 납 및/또는 구리를 함유하는 알루미네이트의 화학식은,
a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2 )·f(M'''''xOy)로 표현된다.
여기서, 금속 M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, 금속 M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 2가 성분으로 구성되고, M'''는 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다.
한편, a, b, c, d, e, f, x, y는 각각 0<a≤1, 0≤b≤2, 0<c≤8, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0<f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5의 범위에서 선택적이다.
본 실시예 2의 발광피크와 발광세기는 후술하는 표 7에 기재되어 있다.
제조의 실시예
하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,
Cu 0.05 Sr 0.95 Al 1.9997 Si 0.0003 O 4 : Eu
초기물질은 CuO, SrCO3, Al2O3, SiO2, Eu2O 3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 AlF3와 혼합된다. 혼합된 물질은 1250℃의 공기가 희박한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 3시간 동안 가열된다. 가열된 물질은 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 이에 따르면, 최대 발광파장이 521.5nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 4는 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 4]
구리함유 화합물 구리함유하지 않는 화합물
Cu0.05 Sr0.95 Al1.9997 Si0.0003 O4 : Eu SrAl2O4 : Eu
발광세기(%) 106 100
파장(nm) 521.5 519
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Cu 0.12BaMg1.88Al16 O27 : Eu
초기물질을 CuO, MgO, BaCO3, Al(OH)3, Eu2O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides), 히드록사이드(hydroxides), 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) AlF3와 혼합된다. 혼합된 물질은 1420℃의 공기가 희박한 분위기의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 가열된 물질은 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 이에 따르면, 최대 발광파장이 452nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 5는 400nm 여기파장을 가지는 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 5]
구리 함유된 화합물 구리 함유하지 않는 화합물
Cu0.12BaMg1.88Al16 O27 : Eu BaMg2Al16O27 : Eu
발광세기(%) 101 100
파장(nm) 452 450
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Pb 0.1Sr 0.9Al2O4 : Eu
초기물질을 PbO, SrCO3, Al(OH)3, Eu2O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate), 또는 다른 성분 즉, 옥사이드로 분해될 수 있는 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 H3BO3와 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1000℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 공기가 공급되는 상태에서 가열된다. 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 공기가 충분한 1420℃의 상태에서 약 1시간 동안 가열한 후, 공기가 희박한 상태에서 약 2시간동안 가열한다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 521nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 6은 400nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트와, 납을 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성을 비교한 표로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 6]
납 함유된 화합물 납 함유하지 않는 화합물
Pb0.1Sr0.9Al2O4 : Eu SrAl2O4 : Eu
발광세기(%) 101 100
파장(nm) 521 519
본 제 2실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 알루미네이트의 광학적 발광특성 결과는 표 7과 같다.
[표 7]
조성 여기범위(nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기(%) 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장(nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장(nm)
Cu0.05 Sr0.95 Al1.9997 Si0.0003 O4 : Eu 360-440 106 521.5 519
Cu0.2 Mg0.7995 Li0.0005Al1.9 Ga0.1O4 : Eu, Dy 360-440 101.2 482 480
Pb0.1Sr0.9Al2O4 : Eu 360-440 102 521 519
Cu0.05BaMg1.95Al16O27 : Eu, Mn 360-400 100.5 451,515 450,515
Cu0.12BaMg1.88Al16 O27 : Eu 360-400 101 452 450
Cu0.01BaMg0.99Al10O17 : Eu 360-400 102.5 451 449
Pb0.1BaMg0.9Al9.5Ga0.5O17 : Eu, Dy 360-400 100.8 448 450
Pb0.08Sr0.902Al2O4 : Eu, Dy 360-440 102.4 521 519
Pb0.2Sr0.8Al2O4: Mn 360-440 100.8 658 655
Cu0.06Sr0.94Al2O4 : Eu 360-440 102.3 521 519
Cu0.05Ba0.94Pb0.06Mg0.95Al10O17: Eu 360-400 100.4 451 449
Pb0.3Ba0.7Cu0.1Mg1.9Al16O27 : Eu 360-400 100.8 452 450
Pb0.3Ba0.7Cu0.1Mg1.9Al16O27 : Eu; Mn 360-400 100.4 452,515 450,515
실시예 3
본 제 3실시예의 납 및/또는 구리를 함유하는 실리케이트의 화학식은,
a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''o OP)·g(SiO2)·h(M''''''xOy)로 표현된다.
여기서, 금속 M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, 금속 M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 2가 성분으로 구성되고, M'''는 니켈(Ni), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), Au(금), 및 Ag(은)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 1가 성분으로 구성되고, M''''는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M'''''는 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다.
한편, a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 각각 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5의 범위에서 선택적이다.
본 실시예 3의 매우 우수한 발광세기는 하기에서 볼 수 있다.
제조의 실시예
하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,
Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4 : Eu
초기물질은 CuO, SrCO3, CaCO3, SiO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.
매우 순수한 옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정에서, 불활성 가스(N2 또는 부식되지 않는 가스)가 공급되는 1200℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1단계 가열후에 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정에서, 공기가 다소 희박한 분위기의 1200℃ 알루미나 도가니에서 약 2시간동안 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 그러면, 최대 발광파장이 592nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 8은 450nm 여기파장을 가지는 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 실리케이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 8]
구리 함유된 화합물 구리 함유하지 않는 화합물
Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4 : Eu Sr1.7Ca0.3SiO4: Eu
발광세기(%) 104 100
파장(nm) 592 588
그리고, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Cu 0.2Ba 2Zn 0.2Mg 0.6Si 2O7 : Eu
초기물질을 CuO, BaCO3, ZnO, MgO, SiO2, Eu2O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정에서, 공기가 희박한 1100℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1단계 가열후에 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정에서, 공기가 다소 희박한 상태의 1235℃ 알루미나 도가니에서 약 2시간동안 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 그러면, 최대 발광파장이 467nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 9은 400nm 여기파장을 가지는 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 실리케이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 9]
구리 함유된 화합물 구리 함유하지 않는 화합물
Cu0.2Sr2Zn0.2Mg0.6Si 2O7:Eu Sr2Zn2Mg0.6Si2O7:Eu
발광세기(%) 101.5 100
파장(nm) 467 465
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Pb 0.1Ba 0.95Sr0.95Si 0.998Ge 0.002O4 : Eu
초기물질을 PbO, SrCO3, BaCO3, SiO2, GeO2, Eu2 O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정에서, 공기가 충분한 1000℃의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1단계 공정에서 가열된 물질은 2단계 공정에서, 역시 공기가 충분한 1220℃의 알루미나 도가니에서 약 4시간동안 가열한 후, 연속적으로 공기가 희박한 상태에서 2시간 더 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 그러면, 최대 발광파장이 527nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 10은 450nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 실리케이트와, 납을 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 10]
납 함유된 화합물 납 함유하지 않는 화합물
Pb0.1Ba0.95Sr0.95Si0.998Ge0.002O4 : Eu BaSrSiO4 : Eu
발광세기(%) 101.3 100
파장(nm) 527 525
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Pb0.25Sr3.75Si3O8Cl4 : Eu
초기물질을 PbO, SrCO3, SrCl2, SiO2, GeO2, Eu2 O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides), 클로라이드(chlorides), 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 화학량론적인 비율로 소량 융제(Flux) 예를 들면 NH4Cl 와 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1100℃의 공기가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 1차 가열된 물질은 2단계 공정에서 역시 공기가 충분한 1220℃에서 4시간동안 가열된 후 연속적으로 공기가 희박한 상태에서 1시간동안 더 가열된다. 이 후, 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)공정을 순차적으로 거친다. 이에 따르면, 최대 발광파장이 492nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 11은 400nm 여기파장을 가지는 납을 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 클로로실리케이트와 납을 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 클로로실리케이트의 발광특성을 비교한 것으로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 11]
납 함유된 화합물 납 함유하지 않는 화합물
Pb0.25Sr3.75Si3O8Cl4 : Eu Sr4Si3O8Cl2 : Eu
발광세기(%) 100.6 100
파장(nm) 492 490
본 제 3실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 실리케이트의 광학적 발광특성 결과는 표 12와 같다.
[표 12]
조성 여기범위(nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기(%) 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장(nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)
Pb0.1Ba0.95Sr0.95Si0.998Ge0.002O4: Eu 360-470 101.3 527 525
Cu0.02(Ba,Sr,Ca,Zn)1.98SiO4 : Eu 360-500 108.2 565 560
Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4 : Eu 360-470 104 592 588
Cu0.05Li0.002Sr 1.5Ba0.448SiO4: Gd,Eu 360-470 102.5 557 555
Cu0.2Sr2Zn0.2Mg0.6Si2O7: Eu 360-450 101.5 467 465
Cu0.02Ba2.8Sr0.2Mg0.98Si2O8: Eu, Mn 360-420 100.8 440, 660 438, 660
Pb0.25Sr3.75Si3O8Cl4: Eu 360-470 100.6 492 490
Cu0.2Ba2.2Sr0.75Pb0.05Zn0.8Si2O8 : Eu, 360-430 100.8 448 445
Cu0.2Ba3Mg0.8Si1.99Ge0.01O8: Eu, 360-430 101 444 440
Cu0.5Zn0.5Ba2Ge0.2Si1.8O7 : Eu 360-420 102.5 435 433
Cu0.8Mg0.2Ba3Si2O8 : Eu, Mn 360-430 103 438, 670 435, 670
Pb0.15Ba1.84Zn0.01Si0.99Zr0.01O4:Eu, 360-500 101 512 510
Cu0.2Ba5Ca2.8Si4O16: Eu 360-470 101.8 495 491
실시예 4
본 제 4실시예의 납 및/또는 구리를 함유하는 안티모네이트(antimonate)의 화학식은,
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''x Oy)로 표현된다.
여기서, 금속 M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, 금속 M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), Au(금), 및 Ag(은)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 1가 성분으로 구성되고, 금속 M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 2가 성분으로 구성되고, 금속 M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 및 가돌리늄(Gd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다.
한편, a, b, c, d, e, f, x, y는 각각 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤4, 0<d≤8, 0≤e≤8, 0≤f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5의 범위에서 선택적이다.
본 제 4실시예는 400nm 여기상태에서 표 15에서 볼 수 있는 바와 같은 발광세기를 제공한다.
제조의 실시예
하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,
Cu0.2Mg1.7Li0.2Sb2O7 : Mn
초기물질은 CuO, MgO, Li2O, Sb2O5, 및 MnCO3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 형태의 초기물질은 소량의 융제(Flux)와 화학량론적인 비율로 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 985℃의 공기가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1차 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 초기 가열된 물질은 2단계 공정 즉, 1200℃의 산소가 충분한 상태에서 약 8시간 동안 가열된다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 626nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 13은 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 안티모네이트의 발광특성을 비교한 표로, 발광세기 및 발광파장이 각각 기재되어 있다.
[표 13]
구리 함유된 화합물 구리 함유하지 않는 화합물
Cu0.2Mg1.7Li0.2Sb2O7 : Mn Mg2Li0.2Sb2O7 : Mn
발광세기(%) 101.8 100
파장 (nm) 652 650
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Pb0.006Ca0.6Sr0.394Sb2O6
초기물질을 PbO, CaCO3, SrCO3, Sb2O5를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량의 융제(Flux)와 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 975℃의 공기가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 초기 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정 즉, 공기가 충분한 1175℃ 상태에서 알루미나 도가니에서 약 4시간 동안 가열한 후, 연속적으로 산소를 공급하면서 4시간 동안 더 가열한다. 이 후, 1단계 및 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 637nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 14에는 400nm 여기파장에서 납을 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 안티모네이트와 납를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 알루미네이트의 발광특성, 즉, 발광세기 및 발광파장이 각각 비교되어 있다.
[표 14]
납 함유된 화합물 납 함유하지 않는 화합물
Pb0.006Ca0.6Sr0.394Sb2O6 Ca0.6Sr0.4Sb2O6
발광세기 (%) 102 100
파장 (nm) 637 638
본 제 4실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 안티모네이트의 발광특성 결과는 표 15와 같다.
[표 15]
조성 여기범위(nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기 (%) 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장(nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)
Pb0.2Mg0.002Ca1.798Sb2O6F2: Mn 360-400 102 645 649
Cu0.15Ca1.845Sr0.005Sb1.998Si0.002O7:Mn 360-400 101.5 660 658
Cu0.2Mg1.7Li0.2Sb2O7 : Mn 360-400 101.8 652 650
Cu0.2Pb0.01Ca0.79Sb1.98Nb0.02O6: Mn 360-400 98.5 658 658
Cu0.01Ca1.99Sb1.9995V0.0005O7: Mn 360-400 100.5 660 657
Pb0.006Ca0.6Sr0.394Sb2O6 360-400 102 641 640
Cu0.02Ca0.9Sr0.5Ba0.4Mg0.18Sb2O7 360-400 102.5 649 645
Pb0.198Mg0.004Ca1.798Sb2O6F2 360-400 101.8 628 630
제 5실시예
본 제 5실시예의 납 및/또는 구리를 함유하는 저머네이트(germanates) 및/또는 저메내이트-실리케이트(germanat-silicates)의 화학식은,
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M''''' oOp)·h(M''''''xOy)로 표현된다.
여기서, 금속 M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, 금속 M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 1가 성분으로 구성되고, 금속 M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 2가 성분으로 구성되고, 금속 M''''는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 붕소(B), 알루미늄(Al), 란탄(La), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 3가 성분으로 구성되고, M'''''는 규소(Si), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 및 디스프로슘(Dy)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다.
한편, a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 각각 0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤10, 0<d≤10, 0≤e≤14, 0≤f≤14, 0≤g≤10, 0≤h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5의 범위에서 선택적이다.
본 제 5실시예는, 표 18을 참조하면, 납 및/또는 구리를 함유하지 아니하는 화합물과 비교하여 우수한 발광세기를 제공함을 알 수 있다.
제조의 실시예
하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,
Pb0.004Ca1.99Zn0.006Ge0.8Si0.2O4 : Mn
초기물질은 PbO, CaCO3, ZnO, GeO2, SiO2, 및 MnCO3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질은 소량의 융제(Flux) 예를 들면, NH4Cl과 화학량론적인 비율로 혼합된다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1200℃의 산소가 충분한 상태의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 2시간 동안 가열된다. 1차 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 2단계 공정 즉, 1200℃의 산소가 충분한 상태에서 다시 약 2시간 동안 더 가열된다. 이 후, 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved) 된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 655nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 16에는 400nm 여기파장에서 납을 함유하는 Mn에 의해 활성화된 저머네이트와, 납을 함유하지 않은 Mn에 의해 활성화된 저머네이트의 발광특성이 비교되어 있다.
[표 16]
납 함유된 화합물 납 함유하지 않는 화합물
Pb0.004Ca1.99Zn0.006Ge0.8Si0.2O4: Mn Ca1.99Zn0.01Ge0.8Si0.2O4 : Mn
발광세기/% 101.5 100
파장/nm 655 657
한편, 하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위해서는,
Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3 : Mn
초기물질을 CuO, SrCO3, GeO2, SiO2, 및 MnCO3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides) 및 카보네이트(carbonate) 형태의 초기물질을 화학량론적인 비율로 소량의 융제(Flux) 예를 들면, NH4Cl 과 혼합시킨다. 혼합된 물질은 1단계 공정 즉, 1100℃의 산소가 충분한 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 초기 가열된 물질은 분쇄된다. 그런 다음, 1차 가열된 물질은 분쇄된다. 이 후, 2단계 공정 즉, 산소가 충분한 1180℃ 상태의 알루미나 도가니에서 약 4시간 동안 가열한다. 2단계 공정을 거친 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved)된다. 그러면, 최대 발광파장이 658nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 17에는 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Mn에 의해 활성화된 저머네이트-실리케이트와 구리를 함유하지 않은 Mn에 의해 활성화된 저머네이트-실리케이트의 발광특성이 비교되어 있다.
[표 17]
구리 함유된 화합물 구리 함유하지 않는 화합물
Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3 : Mn SrGe0.6Si0.4O3 : Mn
발광세기 (%) 103 100
파장 (nm0 658 655
본 제 5실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 저머네이트 또는 저머네이트-실리케이트와 관련하여 얻은 결과가 표 18에 나타내져 있다.
[표 18]
조성 여기범위(nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기 (%) 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장(nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장 (nm)
Pb0.004Ca1.99Zn0.006Ge0.8Si0.2O4:Mn 360-400 101.5 655 657
Pb0.002Sr0.954Ca1.044Ge0.93Si0.07O4 : Mn 360-400 101.5 660 661
Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3: Mn 360-400 103 658 655
Cu0.002Sr0.998Ba0.99Ca0.01Si0.98Ge0.02O4:Eu 360-470 102 538 533
Cu1.45Mg26.55Ge9.4Si0.6O48 : Mn 360-400 102 660 657
Cu1.2Mg26.8Ge8.9Si1.1O48 : Mn 360-400 103.8 670 656
Cu4Mg20Zn4Ge5Si2.5O38F10 : Mn 360-400 101.5 658 655
Pb0.001Ba0.849Zn0.05Sr1.1Ge0.04Si0.96O4 : Eu 360-470 101.8 550 545
Cu0.05Mg4.95GeO6F2 : Mn 360-400 100.5 655 653
Cu0.05Mg3.95GeO5.5F : Mn 360-400 100.8 657 653
실시예 6
본 제 6실시예의 납 및/또는 구리를 함유하는 포스페이트(phosphates)의 화학식은,
a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O 3)·g(M'''''O2)·h(M''''''xOy)로 표현된다.
여기서, 금속 M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, 금속 M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 1가 성분으로 구성되고, 금속 M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 망간(Mn) 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 그룹에서 선택한 하나 또는 그 이상의 2가 성분으로 구성되고, 금속 M''''는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 붕소(B), 알루미늄(Al), 및 란탄(La)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 3가 성분으로 구성되고, M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프뮴(Hf), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 디스프로슘(Dy), 세륨(Ce), 및 데뷰륨(Td)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고, X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성된다.
한편, a, b, c, d, e, f, g, h, x, y는 각각 0<a≤2, 0≤b≤12, 0≤c≤16, 0<d≤3, 0≤e≤5, 0≤f≤3, 0≤g≤2, 0≤g≤2, 0<h≤2, 및 1≤y≤5의 범위에서 선택적이다.
본 제 6실시예는, 발광장치에서 UV용 화합물로서 사용될 수 있다.
제조의 실시예
하기의 화학식을 가지는 발광물질을 제조하기 위하여,
Cu0.02Ca4.98(PO4)3Cl : Eu
초기물질은 CuO, CaCO3, Ca3(PO4)2, CaCl2, 또는 Eu2O3를 사용할 수 있다.
옥사이드(oxides), 포스페이트(Phosphates), 설파이트(sulfates) 뿐만아니라 카보네이트(carbonate) 및 클로라이드(chlorides) 형태의 초기물질은 소량의 융제(Flux)와 화학량론적인 비율로 혼합된다. 혼합된 물질은 1240℃의 공기가 희박한 상태의 알루미나 도가니(alumina crucible)에서 약 2시간 동안 가열된다. 가열된 물질은 분쇄, 세척, 건조, 및 체질(sieved) 된다. 이러한 공정으로 최대 발광파장이 450nm인 발광물질이 제공된다.
다음의 표 19에는 400nm 여기파장에서 구리를 함유하는 Eu2+에 의해 활성화된 클로로포스페이트(chlorophosphate)와, 구리를 함유하지 않은 Eu2+에 의해 활성화된 클로로포스페이트의 발광특성이 비교되어 있다.
[표 19]
구리함유된 화합물 구리함유하지 않는 화합물
Cu0.02Ca4.98(PO4)3Cl : Eu Ca5(PO4)3Cl : Eu
발광세기/% 101.5 100
파장/nm 450 447
한편, 본 제 6실시예에 따른 구리 및/또는 납을 함유하는 희토류 성분에 의해 활성화된 발광물질의 특성결과는 표 20에서 확인가능하다.
[표 20]
조성 여기범위(nm) 여기파장 400nm에서의 구리/납 함유하지 않는 화합물에 대한 구리/납 함유 화합물의 발광세기 (%) 구리/납 함유하는 화합물의 피크파장 (nm) 구리/납 함유하지 않은 화합물의 피크파장(nm)
Cu0.02Sr4.98(PO4)3Cl : Eu 360-410 101.5 450 447
Cu0.2Mg0.8BaP2O7 : Eu, Mn 360-400 102 638 635
Pb0.5Sr1.5P1.84B0.16O6.84 : Eu 360-400 102 425 420
Cu0.5Mg0.5Ba2(P,Si)2O8 : Eu 360-400 101 573 570
Cu0.5Sr9.5(P,B)6O24Cl2 : Eu 360-410 102 460 456
Cu0.5Ba3Sr6.5P6O24(F,Cl)2 : Eu 360-410 102 443 442
Cu0.05(Ca,Sr,Ba)4.95P3O12Cl : Eu, Mn 360-410 101.5 438, 641 435, 640
Pb0.1Ba2.9P2O8 : Eu 361-400 103 421 419
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 발광장치(light emitting devices) 예를 들어, UV LED 및 블루 LED 뿐만 아니라, 백라이트(back lights)나 도장안료(painting pigments)로서 적용가능한 납 및/또는 구리를 함유하는 발광물질이 제공된다. 본 발광물질은 UV광 및 블루색광으로부터의 여기파장을 가시광영역의 장파장으로 전환시킨다. 그리고, 혼색으로 구현되는 백색광의 전범위 영역에 걸친 색온도(color temperatures) 및 색좌표를 제공가능하다

Claims (10)

  1. 자외선광 또는 가시광 여기용 발광물질에 있어서,
    희토류 성분을 가지며, 납 및/또는 구리를 함유하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 1)로 표현되는 알루미네이트(Aluminate)를 포함하는 것을 특징으로 발광물질.
    (화학식 1)
    a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O 3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤8, 0<e≤4, 0≤f≤3, 0≤g≤8, 0<h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 2)로 표현되는 알루미네이트(Aluminate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
    (화학식 2)
    a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b-c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2 O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M''''xOy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 인듐(In), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤4, 0≤b≤2, 0≤c≤2, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤g≤1, 0<h≤0.5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 3)으로 표현되는 알루미네이트(Aluminate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
    (화학식 3)
    a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2 )·f(M'''''xOy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 붕소(B), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤1, 0≤b≤2, 0<c≤8, 0≤d≤1, 0≤e≤1, 0<f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 4)로 표현되는 실리케이트(Silicate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
    (화학식 4)
    a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''o OP)·g(SiO2)·h(M''''''xOy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고,;
    M'''''는 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프뮴(Hf)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 5)로 표현되는 안티모네이트(Antimonate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
    (화학식 5)
    a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''x Oy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 프라세오디뮴(Pr), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 및 가돌리늄(Gd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤4, 0<d≤8, 0≤e≤8, 0≤f≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 6)로 표현되는 저머네이트(Germanate) 및/또는 저머네이트-실리케이트(Germanate-silicate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
    (화학식 6)
    a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M''''' oOp)·h(M''''''xOy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), Au(금), 및 Ag(은)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 스칸듐(Sc), 붕소(B), 이트륨(Y), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 및 란탄(La)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''''는 규소(Si), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''''는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 및 디스프로슘(Dy)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤2, 0≤b≤2, 0≤c≤10, 0<d≤10, 0≤e≤14, 0≤f≤14, 0≤g≤10, 0≤h≤2, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 화합물은 다음의 (화학식 7)로 표현되는 포스페이트(Phosphate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광물질.
    (화학식 7)
    a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O 3)·g(M'''''O2)·h(M''''"xOy)
    여기서, M'은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 붕소(B), 알루미늄(Al), 란탄(La), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M'''''는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    M''''"는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 프라세오디뮴(Pr), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 디스프로슘(Dy), 세륨(Ce), 및 테르븀(Tb)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되고;
    X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분으로 구성되며;
    0<a≤2, 0≤b≤12, 0≤c≤16, 0<d≤3, 0≤e≤5, 0≤f≤3, 0≤g≤2, 0<h≤2, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5이다.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한항에 있어서, 상기 화합물들은,
    발광장치내에 실장된 하나 또는 하나 이상의 소자로부터 발생되는 300nm 내지 400nm 파장영역의 초기 자외선광 및/또는 380nm 내지 500nm 파장영역의 초기 블루광을 연색성(CRI)이 90 이상인 가시광 스펙트럼영역의 광으로 파장변환시키는 것을 특징으로 하는 발광물질.
  10. 제 1항 내지 제 9항중 어느 한항에 있어서,
    상기 발광물질은, 연색성이 향상된 백색광을 구현하기 위해 단일 화합물 및/또는 복수개의 단일 화합물이 혼합된 상태로 LED에 적용되는 것을 특징으로 하는 발광물질.
KR1020040042397A 2004-06-10 2004-06-10 발광물질 KR100665299B1 (ko)

Priority Applications (28)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040042397A KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2004-06-10 발광물질
EP10164970A EP2248871B1 (en) 2004-06-10 2004-12-22 Luminescent material
ES04106880.0T ES2567436T3 (es) 2004-06-10 2004-12-22 Material luminiscente
EP10177817.3A EP2253689B1 (en) 2004-06-10 2004-12-22 Luminescent material
EP04106880.0A EP1674548B8 (en) 2004-06-10 2004-12-22 Luminescent material
ES10164970T ES2388953T3 (es) 2004-06-10 2004-12-22 Material luminiscente
JP2004376632A JP4221358B2 (ja) 2004-06-10 2004-12-27 発光物質
TW093140902A TWI283264B (en) 2004-06-10 2004-12-28 Luminescent material
US11/024,722 US8070983B2 (en) 2004-06-10 2004-12-30 Luminescent material
CN201010185246.2A CN101967376B (zh) 2004-06-10 2005-01-17 发光物质
CN200810146781.XA CN101358131B (zh) 2004-06-10 2005-01-17 发光物质
CN201010185318.3A CN101864304B (zh) 2004-06-10 2005-01-17 发光物质
CN201010185300.3A CN101864301B (zh) 2004-06-10 2005-01-17 发光物质
CN200510002304.2A CN1706910B (zh) 2004-06-10 2005-01-17 发光物质
CN201010185274.4A CN101870868B (zh) 2004-06-10 2005-01-17 发光物质
RU2007127911/15A RU2398809C2 (ru) 2004-06-10 2005-07-20 Люминесцентный материал
BRPI0517575A BRPI0517575B1 (pt) 2004-06-10 2005-07-20 material luminescente
ATA1545/2010A AT508302B1 (de) 2004-06-10 2005-07-20 Lumineszierendes material
ATA9514/2005A AT504861B1 (de) 2004-06-10 2005-07-20 Lumineszierendes material
PCT/KR2005/002333 WO2006068360A1 (en) 2004-06-10 2005-07-20 Luminescent material
US11/948,813 US8070984B2 (en) 2004-06-10 2007-11-30 Luminescent material
JP2008263832A JP5449737B2 (ja) 2004-06-10 2008-10-10 発光物質
JP2008309889A JP5276962B2 (ja) 2004-06-10 2008-12-04 発光物質
RU2010107024/05A RU2572996C2 (ru) 2004-06-10 2010-02-25 Люминесцентный материал для светодиода
US12/731,811 US8075802B2 (en) 2004-06-10 2010-03-25 Luminescent material
US13/004,554 US8158028B2 (en) 2004-06-10 2011-01-11 Luminescent material
US13/099,879 US8252203B2 (en) 2004-06-10 2011-05-03 Luminescent material
US13/555,882 US8883040B2 (en) 2004-06-10 2012-07-23 Luminescent material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040042397A KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2004-06-10 발광물질

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060059678A Division KR101001240B1 (ko) 2006-06-29 2006-06-29 발광물질

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050117165A true KR20050117165A (ko) 2005-12-14
KR100665299B1 KR100665299B1 (ko) 2007-01-04

Family

ID=37309318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040042397A KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2004-06-10 발광물질

Country Status (11)

Country Link
US (6) US8070983B2 (ko)
EP (3) EP2248871B1 (ko)
JP (3) JP4221358B2 (ko)
KR (1) KR100665299B1 (ko)
CN (6) CN101967376B (ko)
AT (2) AT508302B1 (ko)
BR (1) BRPI0517575B1 (ko)
ES (2) ES2567436T3 (ko)
RU (2) RU2398809C2 (ko)
TW (1) TWI283264B (ko)
WO (1) WO2006068360A1 (ko)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007018351A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Red phosphor, method for manufacturing the same and light emitting diode for using the same
US7842961B2 (en) 2005-06-17 2010-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Red phosphor and luminous element using the same
US7959321B2 (en) 2005-03-31 2011-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor
US8017961B2 (en) 2005-05-24 2011-09-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
US8070984B2 (en) 2004-06-10 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US8454184B2 (en) 2006-12-28 2013-06-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Back lighting unit having phosphor film structure
US8847254B2 (en) 2005-12-15 2014-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US9209162B2 (en) 2004-05-13 2015-12-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US9287241B2 (en) 2005-09-30 2016-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US9576939B2 (en) 2006-03-31 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
CN109574506A (zh) * 2018-12-20 2019-04-05 温州大学 一种CsPb1-xTixBr3量子点微晶玻璃及其制备方法
CN114774127A (zh) * 2022-03-12 2022-07-22 陕西师范大学 一种Eu3+掺杂的多锂氮氧化物硅酸盐红光材料的制备方法

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US8318044B2 (en) 2004-06-10 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
CN100427566C (zh) * 2006-04-13 2008-10-22 复旦大学 一种碱土金属硅酸盐荧光粉及其制备方法和应用
JP2007314644A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 蛍光体用複合酸化物および蛍光体
KR100939936B1 (ko) * 2006-06-21 2010-02-04 대주전자재료 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 형광체 및 그제조방법
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7666378B2 (en) * 2007-07-05 2010-02-23 University Of Georgia Research Foundation, Inc. High quantum yield white phosphors and methods of making
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
JP5574314B2 (ja) * 2008-05-30 2014-08-20 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体、その製造方法、それを用いた複合材料及びレベルセンサー
CN101463254B (zh) * 2009-01-07 2013-04-17 兰州大学 一种蓝光激发的白光led用黄橙色荧光粉及其制备方法
CN101475802B (zh) * 2009-01-09 2013-04-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 用于白光led的多种锑酸盐荧光材料及其制备方法
CN101475801B (zh) * 2009-01-09 2013-04-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 用于白光led的锑酸盐系列荧光材料及其制备方法
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
CN102666781B (zh) 2009-12-21 2016-02-24 首尔半导体株式会社 具有氧正硅酸锶型磷光体的发光装置
DE102009059798A1 (de) 2009-12-21 2011-06-22 LITEC-LP GmbH, 17489 Mittel zur Verbesserung der Stabilität gegenüber der auftretenden Strahlenbelastung sowie Resistenz gegenüber dem Einfluß von Luftfeuchtigkeit bei Strontiumoxyorthosilikat-Leuchtstoffen
DE102009055185A1 (de) 2009-12-22 2011-06-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff
CN102585804A (zh) * 2011-12-26 2012-07-18 天津理工大学 蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法
CN104781369B (zh) * 2012-05-22 2017-07-07 皇家飞利浦有限公司 用于固态照明的诸如新窄带红色发射磷光体的新磷光体
RU2516657C2 (ru) * 2012-07-27 2014-05-20 Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "ЛЮМ" Фотостимулируемый люминофор сине-зеленого цвета свечения на основе алюмината стронция
CN103232847A (zh) * 2013-01-23 2013-08-07 苏州大学 一种led用锑酸盐红色荧光粉及其制备方法
DE102013109313A1 (de) 2013-08-28 2015-03-05 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Verbesserter Granatleuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung
BR112016006754A8 (pt) * 2013-09-26 2018-05-29 Koninklijke Philips Nv Novo nitridoalumossilicato de fósforo para iluminação de estado sólido
EP3070145B1 (en) * 2013-11-13 2020-06-24 LG Innotek Co., Ltd. Blue-green phosphor, and light-emitting device package
JP6156114B2 (ja) * 2013-12-13 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 赤色発光蛍光体
CN104087300B (zh) * 2014-03-20 2017-03-15 王海容 一种硫代磷酸盐荧光体及其应用
RU2648080C1 (ru) * 2014-09-11 2018-03-22 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Сид-модуль с преобразованием люминофором с улучшенными передачей белого цвета и эффективностью преобразования
CN104316214A (zh) * 2014-09-22 2015-01-28 西北大学 Er3+和Yb3+掺杂的ALn(MoO4)2上转换发光材料在光学温度传感器中的应用
JP6519746B2 (ja) * 2014-10-23 2019-05-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体材料及び発光装置
CN105885835B (zh) * 2014-12-17 2018-03-06 温州大学 一种以卤磷酸盐为基质的红光材料及其制备方法
EP3085752B1 (en) * 2015-04-21 2020-01-15 LumiNova AG, Schweiz Luminescent material comprising a strontium aluminate matrix
CN105419798B (zh) * 2015-12-23 2017-08-25 江苏师范大学 一种橙红色锑酸盐荧光材料的制备方法及应用
CN108603111B (zh) 2016-03-14 2021-07-30 三井金属矿业株式会社 荧光体
CN107304984B (zh) * 2016-04-22 2020-06-09 松下电器产业株式会社 波长转换部件以及投光灯
CN106904652B (zh) * 2017-01-23 2018-03-16 浙江大学 一种五元硫锑化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN108504357B (zh) * 2017-02-28 2021-02-09 江苏师范大学 一种钛铝酸盐基上转换发光材料、制备方法及应用
JP6920727B2 (ja) * 2017-09-08 2021-08-18 国立大学法人宇都宮大学 蛍光体、蛍光体を含む光源、および新規無機酸化物
CN108300454A (zh) * 2017-12-31 2018-07-20 安徽普发照明有限公司 高散热性半导体照明用荧光粉材料
JP6865333B1 (ja) * 2018-04-24 2021-04-28 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 発光材料
CN111607392A (zh) * 2019-04-04 2020-09-01 中建材创新科技研究院有限公司 一种矿棉板及其制备方法
CN110357591A (zh) * 2019-08-02 2019-10-22 贵州赛义光电科技有限公司 一种Mn4+离子激活刚玉相红色发光荧光陶瓷及其制备方法
CN111040356B (zh) * 2019-12-25 2023-05-16 青岛大学 一种三原色光致发光器件及其制备方法
CN111892924B (zh) * 2020-08-14 2022-06-14 合肥工业大学 一种Cu离子掺杂镓酸盐基橙红色发光材料及其制备方法
CN112521944B (zh) * 2020-12-07 2022-09-23 常州工程职业技术学院 一种稀土Eu3+离子激活的红色发光材料、制备方法及应用
CN116925760A (zh) * 2023-07-12 2023-10-24 安徽三联学院 一种Mn4+激活锑酸盐红色荧光材料及其制备方法

Family Cites Families (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) * 1938-03-08 Luminescent material
US862794A (en) * 1906-01-09 1907-08-06 Agnes L Black Facial bandage.
US1289454A (en) * 1918-01-04 1918-12-31 John W Hyatt Elastic bookbinding.
US1434521A (en) * 1920-03-16 1922-11-07 United Shoe Machinery Corp Method of making soles
US2402760A (en) * 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US2617773A (en) * 1948-09-10 1952-11-11 Westinghouse Electric Corp Lead activated calcium tungstate phosphor
US2570136A (en) * 1949-12-22 1951-10-02 Du Pont Infrared phosphors
US2719128A (en) * 1950-06-21 1955-09-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Luminescent material
US2780600A (en) * 1955-01-24 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Lead-and manganese-activated cadmium-sodium fluorophosphate phosphor
US3143510A (en) * 1959-06-12 1964-08-04 Philips Corp Copper and tin activated orthophosphate phosphors
US3598752A (en) * 1967-04-14 1971-08-10 Itt Ultraviolet emitting cathodoluminescent material
JPS476258Y1 (ko) 1968-05-17 1972-03-04
BE754982A (fr) * 1969-08-21 1971-02-01 Westinghouse Electric Corp Silicogermanate de zinc-magnesium ameliore
JPS4938994Y1 (ko) 1970-01-16 1974-10-25
NL7013516A (ko) * 1970-09-12 1972-03-14
US3644212A (en) * 1971-02-18 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Zinc-magnesium silico-germanate phosphor composition and method of preparing same
JPS4938994A (ko) 1972-08-19 1974-04-11
US3893939A (en) * 1973-01-04 1975-07-08 Us Energy Activated phosphors having matrices of yttrium-transition metal compound
US3905911A (en) * 1974-09-25 1975-09-16 Gte Sylvania Inc Copper activated hafnium phosphate phosphors and method of making
NL7807274A (nl) 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190U (ko) 1979-03-20 1980-09-25
JPS55135190A (en) * 1979-04-06 1980-10-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and its manufacture
DE3029389C2 (de) 1979-08-03 1986-04-24 Kasei Optonix, Ltd., Tokio/Tokyo Borat-Leuchtstoff
NL8006223A (nl) * 1980-11-14 1982-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS57109886U (ko) 1980-12-26 1982-07-07
NL8201943A (nl) * 1982-05-12 1983-12-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPS6198926A (ja) 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Electric Corp ガスタービンの圧縮機翼汚損検出装置
JPS61258892A (ja) 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPS62197487A (ja) 1986-02-25 1987-09-01 Hitachi Ltd 蛍光体の製造方法
JPS62218476A (ja) * 1986-03-18 1987-09-25 Murata Mfg Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
JPS62197487U (ko) 1986-06-07 1987-12-15
US5188763A (en) 1986-08-29 1993-02-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor
JPH07110941B2 (ja) * 1987-10-19 1995-11-29 化成オプトニクス株式会社 発光組成物
US4972086A (en) * 1989-02-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company X-ray intensifying screen including a titanium activated hafnium dioxide phosphor containing erbium to reduce afterglow
DE69002470T2 (de) 1989-02-07 1994-03-03 Agfa Gevaert Nv Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff.
US5060118A (en) 1989-04-06 1991-10-22 Frank A. Arone Apparatus for daylight color duplication
KR950001661B1 (ko) * 1990-03-27 1995-02-28 아사히가세이고오교가부시끼가이샤 알루미늄계 산화물, 그의 성형품 및 알루미늄계 산화물의 제조방법
JPH0578659A (ja) 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
US5518808A (en) * 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
RU2090954C1 (ru) * 1993-01-11 1997-09-20 Анатолий Сергеевич Соболев Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей керамики
KR940019586A (ko) 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
US5905171A (en) * 1995-06-22 1999-05-18 Novus International, Inc. Process for the preparation of 3-(methylthio)propanal
RU94008750A (ru) * 1994-03-14 1996-04-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" Окрашенный монокристалл
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
US5472636A (en) * 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
DE69617850T2 (de) * 1995-04-14 2002-10-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho Yamato Leuchtstoff mit nachleuchtzeitcharakteristik
JPH0940946A (ja) * 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) * 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
KR200150839Y1 (ko) 1995-12-11 1999-07-15 정몽규 버스차량의 사이드 고정 유리 장착구조
JP3686159B2 (ja) 1996-04-09 2005-08-24 日本放送協会 低速電子線励起用蛍光体
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5965192A (en) * 1996-09-03 1999-10-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Processes for oxide based phosphors
DE69627334T2 (de) * 1996-10-10 2003-12-11 Agfa Gevaert Nv Neuer Photostimulierbarer Leuchtstoff
US5853614A (en) * 1996-12-17 1998-12-29 Beijing Hongye Coating Materials Company Long decay luminescent material
DE59814117D1 (de) 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
EP0972815B1 (en) 1997-03-26 2004-10-06 Zhiguo Xiao Silicate phosphor with a long afterglow and manufacturing method thereof
JPH10321914A (ja) 1997-05-19 1998-12-04 Tec Corp 発光装置及びこの発光装置を使用した照明装置
DE69818675T2 (de) * 1997-07-29 2004-07-29 Alcon Laboratories, Inc., Fort Worth Galaktomannanpolymere und borat enthaltende augenarzneimittel
JP2992254B2 (ja) * 1997-08-11 1999-12-20 北京市豊台区宏業塗装輔料廠 高速励起・高輝度低減衰性発光材料の製造方法
CN1085719C (zh) 1997-11-21 2002-05-29 中国科学院长春应用化学研究所 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法
US5952681A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
JPH11177143A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオードを用いた照明用光源および照明装置
US6278832B1 (en) 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6855515B1 (en) * 1998-04-22 2005-02-15 Merck & Co., Inc. Autoantigenic fragments, methods and assays
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
KR100702273B1 (ko) 1998-09-28 2007-03-30 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명 시스템
JP2000260580A (ja) 1999-03-09 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 室内照明装置
JP2000294387A (ja) 1999-04-09 2000-10-20 Sekisui House Ltd 照明制御方法および照明システム
KR100355456B1 (ko) * 1999-07-30 2002-10-11 한국전자통신연구원 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6565771B1 (en) * 1999-10-06 2003-05-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing aluminate-based phosphor
JP2001115157A (ja) 1999-10-15 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 蛍光体およびその製造方法
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
JP3809760B2 (ja) 2000-02-18 2006-08-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2001320845A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Mitsubishi Electric Corp 回転電機の固定子
GB0012377D0 (en) * 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
US6724655B2 (en) * 2000-06-22 2004-04-20 Progressant Technologies, Inc. Memory cell using negative differential resistance field effect transistors
TW574343B (en) * 2000-06-27 2004-02-01 Sumitomo Chemical Co Method of producing aluminate fluorescent substance, a fluorescent substance and a device containing a fluorescent substance
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
TW459403B (en) * 2000-07-28 2001-10-11 Lee Jeong Hoon White light-emitting diode
JP2002050795A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Kansai Tlo Kk ＩｎＧａＮ系発光ダイオード
JP4396016B2 (ja) 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
JP2002097465A (ja) 2000-09-25 2002-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4210743B2 (ja) 2000-10-17 2009-01-21 シャープ株式会社 酸化物材料、酸化物薄膜の製造方法及び該材料を用いた素子
KR100403612B1 (ko) * 2000-11-08 2003-11-01 삼성전자주식회사 비트라인 프리차아지 시간(ｔＲＰ)을 개선하는 메모리 셀어레이 구조를 갖는 반도체 메모리 장치 및 그 개선 방법
JP2002173677A (ja) * 2000-12-04 2002-06-21 Tokin Corp 真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた蛍光体ペースト
KR100392363B1 (ko) 2000-12-26 2003-07-22 한국전자통신연구원 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
CN1187428C (zh) 2001-02-12 2005-02-02 湖南师范大学 单基双能转光剂及其制造方法和应用方法
JP2002254273A (ja) * 2001-02-23 2002-09-10 Mori Seiki Co Ltd 切削工機の制御装置、切削工機及びその切削方法
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
FI110729B (fi) 2001-04-11 2003-03-14 Nokia Corp Menetelmä pakatun audiosignaalin purkamiseksi
US7019335B2 (en) * 2001-04-17 2006-03-28 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
US6620195B2 (en) * 2001-04-18 2003-09-16 Medicinelodge, Inc. Apparatus and method for attaching a graft ligament to a bone
US6588630B2 (en) * 2001-05-21 2003-07-08 Access Global, Inc. Continuous-flow drinking fluid dispenser
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4055373B2 (ja) 2001-05-31 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2002368277A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US20030030063A1 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
JP4638146B2 (ja) * 2001-08-14 2011-02-23 ワシントン ユニバーシティ イン セント ルイス 医薬化合物をスクリーニングするためのシステムと方法
KR200253975Y1 (ko) 2001-08-18 2001-11-23 허성유 곤충관찰통
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US7189340B2 (en) * 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
EP2017901A1 (en) * 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
US6770398B1 (en) * 2001-09-11 2004-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Potassium stabilized manganese dioxide for lithium rechargeable batteries
JPWO2003030274A1 (ja) 2001-09-27 2005-01-20 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US7184090B2 (en) * 2001-09-28 2007-02-27 Nikon Corporation Camera
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2003133595A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ、これに用いられる赤色蛍光体及びこれに用いられるフィルタ
CN1152114C (zh) 2001-10-26 2004-06-02 中国科学院长春应用化学研究所 蓝紫色、绿色硅铝锌体系长余辉发光材料的制备方法
JP2003152229A (ja) 2001-11-16 2003-05-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4092911B2 (ja) * 2001-12-21 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイ装置の製造方法
CN1266776C (zh) 2002-01-21 2006-07-26 诠兴开发科技股份有限公司 白色发光二极管的制造方法
TWI243339B (en) 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
AU2003221442A1 (en) 2002-03-22 2003-10-08 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP4280038B2 (ja) * 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4868685B2 (ja) * 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
JP2003306674A (ja) 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
TW546854B (en) 2002-05-21 2003-08-11 Harvatek Corp White light emitting device
JP2003344966A (ja) * 2002-05-23 2003-12-03 Konica Minolta Holdings Inc ハロゲン化銀写真乳剤及びそれを用いたハロゲン化銀写真感光材料
US20040010786A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Microsoft Corporation System and method for automatically upgrading a software application
DE10233050B4 (de) 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
JP2004071807A (ja) 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
JP4309106B2 (ja) 2002-08-21 2009-08-05 士郎 酒井 ＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法
JP3978102B2 (ja) 2002-08-29 2007-09-19 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
DE60305958T2 (de) 2002-10-14 2007-01-25 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lichtemittierendes bauelement mit einem eu(ii)-aktivierten leuchtstoff
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
MY149573A (en) 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP3929885B2 (ja) 2002-12-06 2007-06-13 シーケーディ株式会社 Ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明装置の製造装置、及び、ｌｅｄ照明装置の製造方法
DE10259946A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
CN2624578Y (zh) 2003-01-21 2004-07-07 夏志清 一种交直流两用的led灯
KR100499079B1 (ko) * 2003-02-10 2005-07-01 엘지전자 주식회사 녹색 산화물 형광체
JP4387119B2 (ja) * 2003-03-27 2009-12-16 三菱電機株式会社 半導体装置
CN100412156C (zh) 2003-03-28 2008-08-20 韩国化学研究所 硅酸锶基磷光体、其制造方法和使用该磷光体的led
US7320531B2 (en) 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TW200501456A (en) * 2003-04-23 2005-01-01 Hoya Corp Light-emitting diode
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
TWI307945B (en) 2003-07-15 2009-03-21 Macroblock Inc A light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diodes and current-driving integrated circuits
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
CN100395897C (zh) 2003-08-08 2008-06-18 厦门三安电子有限公司 一种氮化物器件倒装的方法
US7204607B2 (en) 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
JP2005101296A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオード素子及び可変色発光ダイオードモジュール及び可変色発光ダイオード照明器具
JP2005100800A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明光源
JP2005100799A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオードモジュール及び可変色発光ダイオード照明器具
JP4222192B2 (ja) 2003-11-21 2009-02-12 豊田合成株式会社 照明装置
TWI263356B (en) * 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US7066623B2 (en) 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
KR20050070349A (ko) 2003-12-30 2005-07-07 서울옵토디바이스주식회사 다색 발광 다이오드의 제조 방법
EP1715023B1 (en) * 2004-01-16 2012-10-24 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
US7100723B2 (en) * 2004-02-01 2006-09-05 Ford Global Technologies, Llc Multiple pressure mode operation for hydraulic hybrid vehicle powertrain
CN2690724Y (zh) 2004-03-05 2005-04-06 深圳市蓝科电子有限公司 高亮度发光二极管照明装置
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) * 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
CN100397544C (zh) 2004-05-27 2008-06-25 株式会社日立制作所 发光装置以及使用该发光装置的图像显示装置
JP2006012770A (ja) 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
WO2006068359A1 (en) 2004-12-22 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8318044B2 (en) 2004-06-10 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7601276B2 (en) 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
US7338049B2 (en) * 2004-08-26 2008-03-04 Ferrotec (Usa) Corporation Self-cooling ferrfluid seal
JP5081370B2 (ja) 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN101010413B (zh) 2004-09-07 2010-08-25 住友化学株式会社 荧光体、荧光体糊剂及发光元件
KR20040088418A (ko) 2004-09-15 2004-10-16 박재익 삼파장 백색 발광다이오드
DE102004050221A1 (de) * 2004-10-15 2006-04-27 Robert Bosch Gmbh Elektromagnetisch betätigbares Ventil, insbesondere für Bremskraftanlagen in Fahrzeugen
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP4836429B2 (ja) * 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
KR100666265B1 (ko) 2004-10-18 2007-01-09 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광소자
JP2006173433A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
US20060135026A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Composite cleaning products having shape resilient layer
US7138770B2 (en) 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
US7541728B2 (en) 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
KR200382395Y1 (ko) 2005-01-20 2005-04-20 한일이화주식회사 자동차용 도어포켓의 칸막이장치
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
JP4878439B2 (ja) 2005-03-10 2012-02-15 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP4868499B2 (ja) 2005-04-08 2012-02-01 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体とその製造方法およびそれを含む複合材料、並びに応力発光体の母体構造
JP4938994B2 (ja) 2005-04-22 2012-05-23 ペンタックスリコーイメージング株式会社 シリカエアロゲル膜及びその製造方法
KR100697822B1 (ko) 2005-06-23 2007-03-20 한국화학연구원 Ｕｖ ｌｅｄ용 스트론튬마그네슘실리케이트계 청색 형광체 및 이의 제조방법
KR100927154B1 (ko) * 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
CN1317537C (zh) 2005-09-08 2007-05-23 上海交通大学 跨临界二氧化碳制冷系统节流短管
KR100666211B1 (ko) 2005-09-22 2007-01-09 한국화학연구원 자외선 및 장파장 여기용 규산염계 형광체
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
US7585436B2 (en) 2005-12-14 2009-09-08 Solutia Incorporated Polymer films comprising stabilized infrared absorbing agents
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100626272B1 (ko) 2006-01-20 2006-09-20 씨엠에스테크놀로지(주) 바륨실리케이트계 형광체, 그의 제조 방법, 및 이를 이용한백색 발광소자 및 발광필름
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7820075B2 (en) 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
KR20080046789A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 인터매틱스 코포레이션 2상 실리케이트계 옐로우 형광체
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
JP5521273B2 (ja) 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
WO2009013171A2 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 F. Hoffmann-La Roche Ag Heterocyclic antiviral compounds
RU2467051C2 (ru) * 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
JP5133201B2 (ja) * 2008-10-28 2013-01-30 Ｎｓｋワーナー株式会社 ローラ型ワンウェイクラッチ
DE102009059798A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 LITEC-LP GmbH, 17489 Mittel zur Verbesserung der Stabilität gegenüber der auftretenden Strahlenbelastung sowie Resistenz gegenüber dem Einfluß von Luftfeuchtigkeit bei Strontiumoxyorthosilikat-Leuchtstoffen

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9209162B2 (en) 2004-05-13 2015-12-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US11605762B2 (en) 2004-05-13 2023-03-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10916684B2 (en) 2004-05-13 2021-02-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10672956B2 (en) 2004-05-13 2020-06-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10186642B2 (en) 2004-05-13 2019-01-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US8070984B2 (en) 2004-06-10 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US7959321B2 (en) 2005-03-31 2011-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor
US8132952B2 (en) 2005-03-31 2012-03-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor
US8088302B2 (en) 2005-05-24 2012-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
US8017961B2 (en) 2005-05-24 2011-09-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
US7842961B2 (en) 2005-06-17 2010-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Red phosphor and luminous element using the same
US8177999B2 (en) 2005-08-10 2012-05-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Red phosphor, method for manufacturing the same and light emitting diode for using the same
WO2007018351A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Red phosphor, method for manufacturing the same and light emitting diode for using the same
US9287241B2 (en) 2005-09-30 2016-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US9576940B2 (en) 2005-09-30 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US8847254B2 (en) 2005-12-15 2014-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US9576939B2 (en) 2006-03-31 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US8454184B2 (en) 2006-12-28 2013-06-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Back lighting unit having phosphor film structure
CN109574506A (zh) * 2018-12-20 2019-04-05 温州大学 一种CsPb1-xTixBr3量子点微晶玻璃及其制备方法
CN114774127A (zh) * 2022-03-12 2022-07-22 陕西师范大学 一种Eu3+掺杂的多锂氮氧化物硅酸盐红光材料的制备方法
CN114774127B (zh) * 2022-03-12 2023-09-01 陕西师范大学 一种Eu3+掺杂的多锂氮氧化物硅酸盐红光材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2248871B1 (en) 2012-07-04
ES2388953T3 (es) 2012-10-22
CN101358131A (zh) 2009-02-04
AT504861B1 (de) 2012-09-15
EP1674548A1 (en) 2006-06-28
TWI283264B (en) 2007-07-01
JP2009132928A (ja) 2009-06-18
US8075802B2 (en) 2011-12-13
BRPI0517575B1 (pt) 2019-12-31
BRPI0517575A8 (pt) 2018-04-24
EP2253689A2 (en) 2010-11-24
RU2572996C2 (ru) 2016-01-20
RU2398809C2 (ru) 2010-09-10
US8070983B2 (en) 2011-12-06
US20080067472A1 (en) 2008-03-20
AT508302A3 (de) 2011-11-15
EP2253689B1 (en) 2017-10-04
CN101864301B (zh) 2014-11-26
EP1674548B1 (en) 2016-03-09
JP5449737B2 (ja) 2014-03-19
AT508302A2 (de) 2010-12-15
US8252203B2 (en) 2012-08-28
WO2006068360A1 (en) 2006-06-29
CN101967376A (zh) 2011-02-09
JP2009132875A (ja) 2009-06-18
CN101864304A (zh) 2010-10-20
KR100665299B1 (ko) 2007-01-04
RU2007127911A (ru) 2009-01-27
CN101870868A (zh) 2010-10-27
US20100176342A1 (en) 2010-07-15
CN1706910B (zh) 2014-05-14
CN101864304B (zh) 2014-11-26
CN101967376B (zh) 2016-04-27
EP1674548B8 (en) 2016-05-18
EP2253689A3 (en) 2011-03-16
CN101870868B (zh) 2014-11-26
US20110204291A1 (en) 2011-08-25
US20050274930A1 (en) 2005-12-15
AT508302B1 (de) 2012-09-15
BRPI0517575A (pt) 2008-10-14
AT504861A1 (de) 2008-08-15
ES2567436T3 (es) 2016-04-22
CN1706910A (zh) 2005-12-14
US8158028B2 (en) 2012-04-17
JP5276962B2 (ja) 2013-08-28
US20110101275A1 (en) 2011-05-05
EP2248871A1 (en) 2010-11-10
US8070984B2 (en) 2011-12-06
JP2005350649A (ja) 2005-12-22
RU2010107024A (ru) 2011-08-27
US20120286207A1 (en) 2012-11-15
TW200540257A (en) 2005-12-16
CN101358131B (zh) 2015-10-21
JP4221358B2 (ja) 2009-02-12
US8883040B2 (en) 2014-11-11
CN101864301A (zh) 2010-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100665299B1 (ko) 발광물질
KR101258397B1 (ko) 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101001240B1 (ko) 발광물질
KR101106178B1 (ko) 발광물질
KR101028170B1 (ko) 발광물질
KR20100033392A (ko) 발광물질

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120917

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130911

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140912

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150902

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160907

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 14