CN107304984B - 波长转换部件以及投光灯 - Google Patents

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Abstract

本申请提供能提高发光效率或调整发光色的波长转换部件。波长转换部件具备基板及具有与该基板接触的第一面和位于与该第一面相反侧的第二面的波长转换层。所述波长转换层包含放射波长比激发光长的荧光的第一荧光体材料和放射波长比所述激发光长的荧光且导热系数比该第一荧光体材料高的第二荧光体材料。另外，所述波长转换层包含具有所述第二面的第二部分和具有所述第一面且比该第二部分更靠近所述基板侧的第一部分。所述第一部分与所述第二部分直接接触。所述第一部分与所述第二部分的厚度相等。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。

Description

波长转换部件以及投光灯
技术领域
本申请涉及具备将激发光波长转换为波长更长的光的荧光体的波长转换部件以及投光灯。
背景技术
以往存在一种车辆用灯具，其是产生光的灯具，其具备：半导体发光器件，该半导体发光器件产生光；荧光体，该荧光体以与半导体发光器件相隔的方式设置而成；第一光学部件，该第一光学部件将半导体发光器件所产生的光聚光到荧光体；第二光学部件，该第二光学部件在设置了荧光体的位置具有光学中心，并且根据被第一光学部件聚光的光将荧光体所产生的光照射到灯具的外部(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-150041号公报
发明内容
发明要解决的问题
本申请提供能够提高发光效率或调整发光色的波长转换部件以及投光灯。
用于解决问题的手段
本申请的一个方案的波长转换部件具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面。所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高。在所述波长转换层内，第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大。另外，所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧。所述第一部分与所述第二部分直接接触。所述第一部分与所述第二部分的厚度相等。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。
发明效果
通过本申请，能够提高发光效率或调整发光色。
附图说明
图1是表示第一实施方式的光源的示意构成的剖视构成图。
图2是表示第一实施方式的光源的示意构成的正视构成图。
图3是表示第二实施方式的光源的示意构成的剖视构成图。
图4是表示第二实施方式的光源的示意构成的正视构成图。
图5是表示第三实施方式的光源的示意构成的剖视构成图。
图6是表示第三实施方式的光源的示意构成的正视构成图。
图7是表示第四实施方式的照明用投光灯的示意构成的构成图。
符号说明
10、40、70 光源
11、41、71 波长转换部件
12、42、72 半导体发光器件
19、49、79 入射光学系统
20、50、80 波长转换层
21、51、81 基板
30、60、90 第一荧光体颗粒
31、61 第二荧光体颗粒
32 基体材料
63 第三荧光体颗粒
91 烧结性陶瓷荧光体
120 投光灯
121 波长截止滤光片
122 出射光学系统
具体实施方式
本申请的一个方案的波长转换部件具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面。所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高。在所述波长转换层内，第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大。另外，所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧。所述第一部分与所述第二部分直接接触。所述第一部分与所述第二部分的厚度相等。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。
所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率可以为0。所述波长转换层的所述第二面可以为来自半导体发光器件的所述激发光射入的面。所述第二面也可以为放射所述第一荧光体材料和所述第二荧光体材料中的至少一者的所述荧光的面。所述第一荧光体材料的发光的峰值波长可以比所述第二荧光体材料的发光的峰值波长短。所述第一荧光体材料可以为(Sr1-xBax)5P3O12Cl:Eu2+[0≤x≤1]荧光体。所述第二荧光体材料可以为(Y1-yGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+[0≤y<1、0≤z<1]荧光体。所述第二部分可以包含所述第一荧光体材料的至少一部分和所述第二荧光体材料的至少一部分。
本申请的一个方案的投光灯具备：半导体发光器件，该半导体发光器件射出峰值波长为380nm以上且420nm以下的所述激发光；以及所述激发光射入的所述波长转换部件。
下面，参照附图对本申请的多个实施方式进行说明。此外，附图中所示的各种要素只不过是为了理解本申请而示意性地示出的，尺寸比和外观等可以与实物不同。另外，对于同一或相同的构成，附上同一符号，有时会省略其说明。
(第一实施方式)
图1和图2示出了本申请的第一实施方式的光源10的示意构成。光源10具备波长转换部件11和半导体发光器件12。半导体发光器件12射出激发光，波长转换部件11接收激发光，并且放射波长比激发光长的荧光。半导体发光器件12例如可以为发光二极管(LED)、超辐射发光二极管(SLD)或激光二极管(LD)等。本实施方式是对半导体发光器件12为激光二极管的情况进行说明。半导体发光器件12可以为一个激光二极管；另外，也可以是将多个激光二极管光耦合而成的。半导体发光器件12例如射出蓝紫光。本申请中，蓝紫光是指峰值波长为380nm以上且420nm以下的光。光源10还可以具备入射光学系统19，入射光学系统19位于半导体发光器件12所射出的激发光的光程上。入射光学系统19例如具备透镜、反射镜、光纤或它们的任意组合。
如上所述，波长转换部件11将来自半导体发光器件12的激发光转换为波长更长的荧光。波长转换部件11具备波长转换层20和基板21。基板21支撑波长转换层20。另外，将在波长转换层20所产生的热传递到波长转换部件11的外部，抑制波长转换层20的温度过度上升。基板21例如为金属基板(例如铝、铁等)、晶体基板(例如硅基板、蓝宝石、GaN等)、陶瓷基板(例如氧化铝等)等。为了提高基板21的反射率，也可以在基板21与波长转换层20之间设置金属膜(例如银、铝等)、电介质多层膜或金属薄膜和电介质膜的层叠结构。
基板21优选具有比波长转换层20高的导热系数。基板21更优选具有比以下进行说明的波长转换层20所含的第二荧光体材料31的导热系数高的导热系数。
波长转换层20具有与基板21接触的第一面20a和位于与第一面20a相反侧的第二面20b。另外，波长转换层20包含第一部分20c和第二部分20d。第一部分20c和第二部分20d分别具有层形状。第一部分20c具有第一面20a，并且位于比第二面20b更靠基板21侧。第二部分20d包含第二面20b，并且与第一部分20c直接接触。第一部分20c的厚度和第二部分20d的厚度相等。第一部分20c和第二部分20d可以为在制作波长转换层20时以不同的工序制得的两个层。另外，第一部分20c和第二部分20d也可以一体地形成。此外，波长转换层20也可以通过层叠两个以上的层来形成，所层叠的两个以上的层的边界的位置可以与第一部分20c和第二部分20d的边界的位置不一致。即，第一部分20c和第二部分20d只要厚度相等就行，可以被虚拟的边界所区别。
波长转换层20至少包含第一荧光体材料30和第二荧光体材料31。波长转换层20还可以包含基体材料32，该基体材料32用于固定第一荧光体材料30和第二荧光体材料31。基体材料32例如可以为玻璃、硅树脂、有机无机杂化材料、Al2O3、ZnO等透明无机材料。
第一部分20c中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料31的体积比率比第二部分20d中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料31的体积比率小。例如，如图1所示，第一部分20c可以不包含第一荧光体材料30，第二部分20d可以包含第一荧光体材料30和第二荧光体材料31这两者。另外，第一部分20c和第二部分20d可以分别包含第一荧光体材料30和第二荧光体材料31这两者，体积比率满足上述条件。
将第一部分20c中的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31的体积分别设定为v11和v12，将第二部分20d中的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31的体积分别设定为v21和v22。在该情况下，第一部分20c中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料31的体积比率由v11/v12来表示，第二部分20d中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料31的体积比率由v21/v22来表示。因此，第一部分20c和第二部分20d中的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31满足下述关系。
v11/v12<v21/v22 (1)
优选进一步满足下述关系。
0≤v11/v12<v21/v22 (2)
只要是满足(1)的关系，则第一荧光体材料30和第二荧光体材料31在第一部分20c和第二部分20d可以均匀地分布，也可以不均匀地分布。第二部分20d中第一荧光体材料30优选以体积密度在第二面20b侧比在与第一部分20c接触的面20e侧高的方式来分布。例如，第一荧光体材料30可以仅分布在第二面20b附近。
此外，在波长转换层20内，第一荧光体材料30和第二荧光体材料31满足下述关系。
v11+v21<v12+v22 (3)
即，第二荧光体材料的体积比第一荧光体材料30的体积大。
第一部分20c和第二部分20d中的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31的体积比率例如可以通过以电子显微镜等来观察波长转换层20的截面而求出。具体来说，形成与波长转换层20的第一面20a和第二面20b垂直的截面，以电子显微镜等来观察，由此求出截面的第一部分20c中的第一荧光体材料30的面积s11和第二荧光体材料31的面积s12。在与第一面20a和第二面20b平行的面内，在第一荧光体材料30和第二荧光体材料31分别可视为无规则性且均匀地分布的情况下，面积比s11/s12与v11/v12实质上是一致的。同样地，求出第二部分20d中的面积比s21/s22，其可以作为v21/v22的值。
另外，在将第一部分20c和第二部分20d作为不同层来形成的情况下，可以将用于形成各部分的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31的容积之比作为v11/v12和v21/v22来使用。
图2示意性地示出了由第二面20b观察到的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31在第二面20b附近的分布。第二面20b附近是指例如从第二面20b到深度为约20μm左右的区域。如图2所示，第一荧光体材料30和第二荧光体材料31这两者位于第二面20b附近。图2是示出成第一荧光体材料30和第二荧光体材料31的颗粒规则性地配置，但第一荧光体材料30和第二荧光体材料31可以规则性地配置在第二面20b附近，也可以不规则性地配置在第二面20b附近。
本实施方式是第一荧光体材料30的导热系数比第二荧光体材料31的导热系数小。第一荧光体材料30的发射光谱的峰值波长可以为波长比第二荧光体材料31的发射光谱的峰值波长短。第一荧光体材料30例如为蓝色荧光体。本申请中，蓝色荧光体是指发射光谱的峰值波长为420nm以上且480nm以下的荧光体。例如，第一荧光体材料30可以为(Sr1-xBax)5P3O12Cl:Eu2+[0≤x≤1]荧光体，导热系数为3W/m·K。作为第一荧光体材料30，可以为(Sr1- nBan)3MgSi2O8:Eu2+[0≤n≤1]荧光体，导热系数为2W/m·K。
第二荧光体材料31例如为黄色荧光体。本申请中，黄色荧光体是指发射光谱的峰值波长为510nm以上且580nm以下的荧光体。例如，第二荧光体材料31为(Y1-yGdy)3(Al1- zGaz)5O12:Ce3+[0≤y<1、0≤z<1]荧光体，导热系数为11W/m·K。第二荧光体材料31可以为Lu3Al5O12:Ce3+荧光体，导热系数为11W/m·K。
包含第一部分20c和第二部分20d的波长转换层20例如可以按照下述步骤来进行制作。首先，作为基体材料32的原料准备硅树脂组合物，制备使第二荧光体材料31分散在硅树脂组合物中的第一原料以及以规定比率使第一荧光体材料30和第二荧光体材料31分散在硅树脂组合物中的第二原料。
首先，以印刷等在基板21上涂布第一原料来形成第一层。接着，在第一层上以印刷涂布第二原料来形成第二层。其后，赋予热或紫外线等能量，使第一层和第二层固化。由此，能够形成包含第一部分20c和第二部分20d的波长转换层20。此外，此时可以由第一层形成第一部分20c，由第二层形成第二部分20d。或者，第一层的一部分可以包含在第二部分20d中，第二层的一部分可以包含在第一部分20c中。
接着，对光源10的工作进行说明。由半导体发光器件12射出的激发光从入射光学系统19通过而射入波长转换部件11的不与基板21接触侧的波长转换层20的第二面20b。该激发光的一部分激发第一荧光体材料30并被转换为蓝色光。转换后的蓝色光的一部分直接放射到波长转换部件11的外部，或经过波长转换部件11之中的散射、基板21上的反射从第二面20b放射。另外，蓝色光的另一部分在波长转换部件11的内部激发第二荧光体材料31并被转换为黄色光。此外，由半导体发光器件12射出的激发光的另一部分直接激发第二荧光体材料31并被转换为黄色光，而且直接放射到波长转换部件11的外部，或经过波长转换部件11之中的散射、基板21上的反射从第二面20b放射。这些黄色光和蓝色光混合而形成白色光。白色光的色度可以通过改变波长转换层20的主要是第二部分20d中的第一荧光体材料30与第二荧光体材料31的体积比率来适当调整。
第一部分20c中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料31的体积比率比第二部分20d中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料31的体积比率小。另外，第二荧光体材料具有比第一荧光体材料高的导热系数。因此，第一部分20c具有比第二部分20d高的导热系数。其结果是，在第一部分20c和第二部分20d的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31，由激发光生成的热从第二部分20d向第一部分20c传导，进而传导到基板21。由此，能够高效地将所产生的热放出到波长转换部件11的外部。
这样，根据本申请的第一实施方式，通过使与基板21接触的第一部分20c具有比第二部分20d高的导热系数，能够将波长转换时所产生的热高效地传导到基板21，向外部排热。另外，在包含由波长转换部件11的半导体发光器件12射出的激发光射入的第二面20b的第二部分20d，存在作为第一荧光体材料30的蓝色发光荧光体和作为第二荧光体材料31的黄色发光荧光体这两者，从而由半导体发光器件12射出的激发光不仅使作为第一荧光体材料30的蓝色发光荧光体被直接激发，而且使作为第二荧光体材料31的黄色发光荧光体的一部分也被直接激发，由此黄色发光成分的一部分会不经由蓝色发光成分而转换，因此能够以高转换效率进行波长转换。所以，发光效率提高。另外，能够抑制波长转换部件11的温度上升。另外，通过变化主要是第二部分20d中的第一荧光体材料30和第二荧光体材料31的体积比率，能够调整从波长转换部件11放射的光的颜色。
(第二实施方式)
图3和图4示出了本申请的第二实施方式的光源40的示意构成。第二实施方式与第一实施方式的不同点在于：波长转换部件41包含第一荧光体材料30、第二荧光体材料31和第三荧光体材料33。
就导热系数来说，对第三荧光体材料33没有特别限制。第一部分20c中的第一荧光体材料30和第三荧光体材料33的总计相对于第二荧光体材料31的体积比率比第二部分20d中的第一荧光体材料30和第三荧光体材料33的总计相对于第二荧光体材料31的体积比率小。
图4示意性地示出了从第二面20b观察到的第一荧光体材料30、第二荧光体材料31和第三荧光体材料33在第二面20b附近的分布。如图4所示，第一荧光体材料30、第二荧光体材料31和第三荧光体材料33位于第二面20b附近。图4是示出成第一荧光体材料30、第二荧光体材料31和第三荧光体材料33的颗粒规则性地配置，但第一荧光体材料30、第二荧光体材料31和第三荧光体材料33可以规则性地配置在第二面20b附近，也可以不规则性地配置在第二面20b附近。
本实施方式是第一荧光体材料30的发射光谱的峰值波长可以为波长比第二荧光体材料31的发射光谱的峰值波长短。另外，第三荧光体材料33的发射光谱的峰值波长可以为波长比第二荧光体材料31的发射光谱长。
第一荧光体材料30和第二荧光体材料31例如分别为蓝色荧光体和黄色荧光体，可以使用与第一实施方式相同的材料。第三荧光体材料33例如为红色荧光体。本申请中，红色荧光体是指发射光谱的峰值波长为580nm以上且680nm以下的荧光体。对红色荧光体的材料组成没有特别限定，例如可以为将Eu2+、Eu3+、Ce3+中的任一个作为发光中心的荧光体材料。
接着，对光源40的工作进行说明。由半导体发光器件12射出的激发光从入射光学系统19通过而射入波长转换部件41的不与基板21接触侧的波长转换层20的第二面20b。该激发光的一部分激发第一荧光体材料30并被转换为蓝色光。转换后的蓝色光的一部分直接放射到波长转换部件41的外部，或经过波长转换部件41之中的散射、基板21上的反射从第二面20b放射。另外，蓝色光的另一部分在波长转换部件41的内部激发第二荧光体材料31和第三荧光体材料33并被转换为黄色光和红色光。此外，由半导体发光器件12射出的激发光的另一部分直接激发第二荧光体材料31并被转换为黄色光，而且直接放射到波长转换部件41的外部，或经过波长转换部件41之中的散射、基板21上的反射而放射。
另外，黄色光的一部分在波长转换部件41的内部激发第三荧光体材料33并被转换为红色光。此外，由半导体发光器件12射出的激发光的又一部分直接激发第三荧光体材料33并被转换为红色光，而且直接放射到波长转换部件41的外部，或经过波长转换部件41之中的散射、基板21上的反射而放射。这些红色光、黄色光和蓝色光混合而成的混合色的光从第二面20b放射。混合色的颜色可以通过改变波长转换层20的主要是第二部分20d中的第一荧光体材料30、第二荧光体材料31与第三荧光体材料33的比率来适当调整。
如上所述，通过本申请的第二实施方式，不仅可以与第一实施方式同样地通过以高效率进行的波长转换来实现高发光效率以及抑制波长转换部件41的温度上升，而且可以实现能够由黄色光和蓝色光合成的颜色以外的光色。
(第三实施方式)
图5和图6示出了本申请的第三实施方式的光源70的示意构成。第三实施方式是对构成波长转换部件71的第二荧光体材料不是颗粒状荧光体材料而是烧结性陶瓷的情况进行说明。光源70具备波长转换部件71和半导体发光器件12。
波长转换部件71将来自半导体发光器件12的光波长转换为波长更长的光。波长转换部件71由波长转换层80和支撑波长转换层80的基板81构成，该波长转换层80含有至少包含第一荧光体材料30和第二荧光体材料91的两种以上的荧光体材料。第一荧光体材料30例如为由与第一实施方式相同的材料构成的颗粒状荧光体。波长转换层80可以包含用于固定第一荧光体材料30的基体材料32。
与第一实施方式同样地，波长转换层80包含与基板81接触的第一面80a和位于与第一面80a相反侧的第二面80b。另外，波长转换层80包含第一部分80c和第二部分80d。第一部分80c和第二部分80d分别包含第一面80a和第二面80b。第二部分80d与第一部分80c接触。第一部分80c中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料91的体积比率比第二部分80d中的第一荧光体材料30相对于第二荧光体材料91的体积比率小。第一荧光体材料30的导热系数比第二荧光体材料91的导热系数低。另外，第一荧光体材料30的发射光谱的峰值波长为波长比第二荧光体材料91的发射光谱的峰值波长短。
第二荧光体材料91为烧结性陶瓷。烧结性陶瓷可以为多晶陶瓷与单晶陶瓷中的任一种。第二荧光体材料91例如为黄色荧光体。与第一实施方式同样地，例如第二荧光体材料91也可以为(Y1-yGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+[0≤y<1、0≤z<1]荧光体。
图6示意性地示出了从第二面80b观察到的第一荧光体材料30和第二荧光体材料91在第二面80b附近的分布。如图6所示，第一荧光体材料30和第二荧光体材料91这两者位于第二面80b附近。图6是示出成第一荧光体材料30在第二荧光体材料91中规则性地配置，但第一荧光体材料30可以规则性地配置在第二面80b附近，也可以不规则性地配置在第二面80b附近。
波长转换层80例如可以按照下述步骤来进行制作。首先，根据常规性的陶瓷的合成步骤，准备包含第二荧光体材料91的元素的氧化物等，将原料混合来造粒，制作成型体，使成型体烧结。由此，得到具有波长转换层80的外形的第二荧光体材料91。另行准备硅树脂组合物作为基体材料32的原料，制备使第一荧光体材料30分散在硅树脂组合物中的第一原料。之后，在第二荧光体材料91的表面形成掩模等。在形成了掩模等的表面，以丝网印刷等涂布第一原料。由于陶瓷的表面为粗糙面，因此第一原料的一部分从表面埋入内部。之后，使第一原料的硅树脂组合物固化，由此完成波长转换层80。
接着，对光源70的工作进行说明。由半导体发光器件12射出的激发光从入射光学系统19通过而射入波长转换部件71的不与基板81接触侧的波长转换层80的第二面80b。该激发光的一部分激发第一荧光体材料30并被转换为蓝色光。转换后的蓝色光的一部分直接放射到波长转换部件71的外部，或经过波长转换部件71之中的散射、基板81上的反射而从第二面80b放射。另外，蓝色光的另一部分在波长转换部件71的内部激发第二荧光体材料91并被转换为黄色光。另外，由半导体发光器件12射出的激发光的另一部分直接激发第二荧光体材料91并被转换为黄色光，而且直接放射到波长转换部件71的外部，或经过波长转换部件71之中的散射、基板81上的反射从第二面80b放射。这些黄色光和蓝色光混合而形成白色光。白色光的色度可以通过波长转换层80的主要是第二部分80d中的第一荧光体材料30与第二荧光体材料91的体积比率来适当调整。
另外，本实施方式是与第二实施方式同样地将作为第三荧光体材料的红色荧光体材料与第一荧光体材料混合，由此可以实现能够由黄色光和蓝色光合成的颜色以外的光色。
如上所述，根据本申请的第三实施方式，通过使与基板81接触的第一部分80c具有比第二部分80d高的导热系数，能够将波长转换时所产生的热高效地传导到基板81，向外部排热。另外，在由波长转换部件71的半导体发光器件12射出的激发光射入的第二面80b，存在作为第一荧光体材料30的蓝色发光荧光体和作为第二荧光体材料91的黄色发光荧光体这两者，由此由半导体发光器件12射出的激发光不仅使作为第一荧光体材料30的蓝色发光荧光体被直接激发，而且使作为第二荧光体材料91的黄色发光荧光体的一部分也被直接激发。由此，黄色发光成分的一部分不经由蓝色发光成分而转换，能够以高转换效率进行波长转换。因此，发光效率提高。另外，能够抑制波长转换部件71的温度上升。
(第四实施方式)
图7示出了本申请的第四实施方式的投光灯120的示意构成。本实施方式的投光灯120具备：第一～第三实施方式的光源10、40和70中的任一种：以及将来自该光源的光导向前方的出射光学系统122。为了使来自光源的半导体发光器件的蓝紫光不出到外部，也可以设置进行吸收或反射的波长截止滤光片121。出射光学系统122例如为反射器。出射光学系统122具有在例如Al、Ag等的金属膜或表面形成了保护膜的Ag膜。投光灯120可以为所谓的反射型；另外，也可以为投影型。
通过第四实施方式，在投光灯中能够得到第一～第三实施方式的效果。
产业上的可利用性
本申请的波长转换部件例如可以用于特殊照明、平视显示器、投影机和车辆用前照灯等光源。

Claims (9)

1.一种波长转换部件，其具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面，
其中，所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高，
在所述波长转换层内，所述第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大，
所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧，
所述第一部分与所述第二部分直接接触，
所述第一部分与所述第二部分的厚度相等，
所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小，
所述波长转换层的所述第二面为来自半导体发光器件的所述激发光射入的面，
所述第一荧光体材料的发光的峰值波长比所述第二荧光体材料的发光的峰值波长短。
2.根据权利要求1所述的波长转换部件，其中，所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率为0。
3.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述第二面为放射所述第一荧光体材料和所述第二荧光体材料中的至少一者的所述荧光的面。
4.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述第一荧光体材料为(Sr1-xBax)5P3O12Cl:Eu2+荧光体，并且0≤x≤1。
5.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述第一荧光体材料为(Sr1-xBax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体，并且0≤x≤1。
6.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述第二荧光体材料为(Y1-yGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+荧光体，并且0≤y<1、0≤z<1。
7.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述第二荧光体材料为Lu3Al5O12:Ce3 +荧光体。
8.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述第二部分包含所述第一荧光体材料的至少一部分和所述第二荧光体材料的至少一部分。
9.一种投光灯，其具备：
半导体发光器件，该半导体发光器件射出峰值波长为380nm以上且420nm以下的激发光；以及
波长转换部件，该波长转换部件为权利要求1～8中任一项所述的波长转换部件，而且被射入所述激发光并发出荧光。
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