JPH11283934A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH11283934A5
JPH11283934A5 JP1998086291A JP8629198A JPH11283934A5 JP H11283934 A5 JPH11283934 A5 JP H11283934A5 JP 1998086291 A JP1998086291 A JP 1998086291A JP 8629198 A JP8629198 A JP 8629198A JP H11283934 A5 JPH11283934 A5 JP H11283934A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
forming
thin film
film transistor
liquid crystal
interlayer insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1998086291A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4458563B2 (ja
JPH11283934A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP08629198A priority Critical patent/JP4458563B2/ja
Priority claimed from JP08629198A external-priority patent/JP4458563B2/ja
Priority to US09/153,332 priority patent/US6218206B1/en
Priority to TW087118035A priority patent/TW406311B/zh
Priority to KR10-1998-0051372A priority patent/KR100375435B1/ko
Publication of JPH11283934A publication Critical patent/JPH11283934A/ja
Publication of JPH11283934A5 publication Critical patent/JPH11283934A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4458563B2 publication Critical patent/JP4458563B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP08629198A 1998-03-31 1998-03-31 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4458563B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08629198A JP4458563B2 (ja) 1998-03-31 1998-03-31 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
US09/153,332 US6218206B1 (en) 1998-03-31 1998-09-15 Method for producing thin film transistor and thin film transistor using the same
TW087118035A TW406311B (en) 1998-03-31 1998-10-30 Manufacturing method of thin-film transistor and liquid crystal display device using the same
KR10-1998-0051372A KR100375435B1 (ko) 1998-03-31 1998-11-27 박막트랜지스터의제조방법및이것을이용한액정표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08629198A JP4458563B2 (ja) 1998-03-31 1998-03-31 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007034064A Division JP4800236B2 (ja) 2007-02-14 2007-02-14 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH11283934A JPH11283934A (ja) 1999-10-15
JPH11283934A5 true JPH11283934A5 (https=) 2004-11-18
JP4458563B2 JP4458563B2 (ja) 2010-04-28

Family

ID=13882746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08629198A Expired - Fee Related JP4458563B2 (ja) 1998-03-31 1998-03-31 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6218206B1 (https=)
JP (1) JP4458563B2 (https=)
KR (1) KR100375435B1 (https=)
TW (1) TW406311B (https=)

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7145536B1 (en) 1999-03-26 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6475836B1 (en) * 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3479023B2 (ja) * 1999-05-18 2003-12-15 シャープ株式会社 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器
JP2001053283A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
TW451447B (en) * 1999-12-31 2001-08-21 Samsung Electronics Co Ltd Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6568978B2 (en) 2000-03-31 2003-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode substrate, method for producing the same, and display device including the same
JP4769997B2 (ja) * 2000-04-06 2011-09-07 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
JP4677654B2 (ja) * 2000-04-19 2011-04-27 日本電気株式会社 透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP2001337624A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Toshiba Corp アレイ基板及びその製造方法
US6444505B1 (en) * 2000-10-04 2002-09-03 Industrial Technology Research Institute Thin film transistor (TFT) structure with planarized gate electrode
JP4954366B2 (ja) * 2000-11-28 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100783696B1 (ko) * 2000-12-27 2007-12-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100606963B1 (ko) * 2000-12-27 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그의 제조방법
KR100752212B1 (ko) * 2000-12-29 2007-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조방법
KR100683526B1 (ko) * 2000-12-29 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스-선 검출소자 및 그의 제조방법
US6893887B2 (en) 2001-01-18 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for producing a light emitting device
JP2002237594A (ja) 2001-02-02 2002-08-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを含むディスプレイ・デバイス
SG143945A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6720198B2 (en) 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2002296609A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100803177B1 (ko) * 2001-05-14 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100421480B1 (ko) 2001-06-01 2004-03-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기절연막의 표면처리 방법 및 그를 이용한박막트랜지스터 기판 제조방법
KR20030058615A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 제조 방법
JP2003302649A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP4060125B2 (ja) * 2002-05-30 2008-03-12 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
TWI227806B (en) 2002-05-30 2005-02-11 Fujitsu Display Tech Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
AU2003260959A1 (en) * 2002-09-11 2004-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
JP2006339666A (ja) * 2002-12-19 2006-12-14 Kobe Steel Ltd アルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット
JP4886285B2 (ja) * 2002-12-19 2012-02-29 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
US7300829B2 (en) * 2003-06-02 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Low temperature process for TFT fabrication
WO2005008757A1 (en) * 2003-07-16 2005-01-27 Showa Denko K.K. n-TYPE OHMIC ELECTRODE FOR n-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH THE ELECTRODE, AND METHOD FOR FORMING n-TYPE OHMIC ELECTRODE
KR101045462B1 (ko) 2003-12-27 2011-06-30 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터의 제조방법
JP4434809B2 (ja) * 2004-03-29 2010-03-17 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2005303003A (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
KR101034744B1 (ko) * 2004-06-25 2011-05-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 박막트랜지스터 구조
JP4541787B2 (ja) 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
KR101219038B1 (ko) 2004-10-26 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
KR101054344B1 (ko) 2004-11-17 2011-08-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4579709B2 (ja) 2005-02-15 2010-11-10 株式会社神戸製鋼所 Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP2006316339A (ja) * 2005-04-12 2006-11-24 Kobe Steel Ltd Ａｌ系スパッタリングターゲット
JP4542008B2 (ja) * 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
US7381586B2 (en) * 2005-06-16 2008-06-03 Industrial Technology Research Institute Methods for manufacturing thin film transistors that include selectively forming an active channel layer from a solution
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
US7411298B2 (en) 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
WO2007102988A2 (en) * 2006-03-06 2007-09-13 Tosoh Smd, Inc. Electronic device, method of manufacture of same and sputtering target
US20090008786A1 (en) * 2006-03-06 2009-01-08 Tosoh Smd, Inc. Sputtering Target
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP5214858B2 (ja) * 2006-06-22 2013-06-19 三菱電機株式会社 Ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法
JP2008098611A (ja) 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
WO2008047726A1 (fr) 2006-10-13 2008-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Substrat de transistor en film mince et dispositif d'affichage
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP2009004518A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP5143649B2 (ja) 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
KR101432109B1 (ko) * 2007-10-31 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법
JP4611417B2 (ja) 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
WO2009104769A1 (ja) * 2008-02-22 2009-08-27 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサー
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5139134B2 (ja) 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2009123217A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 株式会社神戸製鋼所 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット
JP5475260B2 (ja) 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
KR20100127290A (ko) 2008-04-23 2010-12-03 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Ａｌ 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
KR101703511B1 (ko) * 2008-06-27 2017-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터
WO2010001998A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
KR101493224B1 (ko) * 2008-09-22 2015-02-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
WO2010071160A1 (ja) * 2008-12-19 2010-06-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、および、液晶表示装置の製造方法
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
TWI383232B (zh) 2009-03-19 2013-01-21 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板
CN102473732B (zh) 2009-07-27 2015-09-16 株式会社神户制钢所 布线结构以及具备布线结构的显示装置
US8338240B2 (en) * 2010-10-01 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
JP2011203762A (ja) * 2011-07-14 2011-10-13 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2012134519A (ja) * 2012-02-13 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI595621B (zh) 2012-07-03 2017-08-11 元太科技工業股份有限公司 畫素結構及其製造方法
KR102114314B1 (ko) * 2013-06-26 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
CN106842744B (zh) * 2017-02-14 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法
CN107272232B (zh) * 2017-07-20 2020-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板的制造方法
KR102826508B1 (ko) * 2020-06-02 2025-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5648663A (en) * 1985-08-05 1997-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor structure having transistor and other elements on a common substrate and process for producing the same
JPH01253715A (ja) 1988-04-01 1989-10-11 Toppan Printing Co Ltd 博膜トランジスタの製造方法
US5243202A (en) * 1990-04-25 1993-09-07 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor and a liquid crystal matrix display device using thin-film transistors of this type
JPH04257826A (ja) 1991-02-13 1992-09-14 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH0590590A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ電極配線の製造方法
JP2755376B2 (ja) * 1994-06-03 1998-05-20 株式会社フロンテック 電気光学素子の製造方法
JP3209317B2 (ja) 1995-10-31 2001-09-17 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
EP0775931B1 (en) * 1995-11-21 2005-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display
JPH09258247A (ja) 1996-03-26 1997-10-03 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法および成膜装置
JP3593212B2 (ja) * 1996-04-27 2004-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPH1074948A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Toshiba Corp 液晶表示装置の製造方法
TW418432B (en) * 1996-12-18 2001-01-11 Nippon Electric Co Manufacturing method of thin film transistor array
KR100262953B1 (ko) * 1997-06-11 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US5998229A (en) * 1998-01-30 1999-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing thin film transistors and liquid crystal displays by plasma treatment of undoped amorphous silicon
US5976902A (en) * 1998-08-03 1999-11-02 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a fully self-aligned TFT-LCD

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11283934A5 (https=)
JP4458563B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
KR100898694B1 (ko) Ｔｆｔ ｌｃｄ 어레이 기판 및 이를 제조하는 방법
US5677240A (en) Method for forming a semiconductor device
TW482938B (en) Display device and manufacturing method thereof
JP4169811B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6151878A (ja) 表示用パネルの製造方法
JP2004145333A5 (https=)
CN113725157B (zh) 阵列基板及其制作方法
JPS60103676A (ja) 薄膜トランジスタアレイの製造方法
CN1913146B (zh) 薄膜导体及其制造方法
US20070218576A1 (en) Method for fabricating polysilicon liquid crystal display device
KR20010095001A (ko) 전극 기판, 전극 기판 제조 방법 및 전극 기판을 포함한표시 장치
JP3708150B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板
JP2007140556A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
JP4201883B2 (ja) Ｔｆｔアレイ基板及びこれを用いた液晶表示装置並びにｔｆｔアレイ基板の製造方法
JP3438178B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイとこれを用いた液晶表示装置
US6861301B2 (en) Method of forming a thin film transistor on a transparent plate
JP2002026335A (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20020054848A (ko) 액정표시장치의 제조방법
JPH10177968A (ja) 薄膜素子、薄膜素子の形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法
JP3865823B2 (ja) 透明電極基板の作製方法及び液晶表示装置の製造方法
JP4593551B2 (ja) 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器
JP2514166B2 (ja) アクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法
JPS62169125A (ja) 液晶表示パネルの製造方法