|
JP3545633B2
(ja)
*
|
1999-03-11 |
2004-07-21 |
株式会社東芝 |
高耐圧型半導体装置及びその製造方法
|
|
JP4862207B2
(ja)
*
|
1999-11-26 |
2012-01-25 |
富士電機株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
US6482681B1
(en)
*
|
2000-05-05 |
2002-11-19 |
International Rectifier Corporation |
Hydrogen implant for buffer zone of punch-through non epi IGBT
|
|
JP2002026307A
(ja)
*
|
2000-07-05 |
2002-01-25 |
Sansha Electric Mfg Co Ltd |
電力用半導体素子の製造方法
|
|
JP4736180B2
(ja)
|
2000-11-29 |
2011-07-27 |
株式会社デンソー |
半導体装置およびその製造方法
|
|
DE10147307A1
(de)
*
|
2001-09-26 |
2003-04-24 |
Infineon Technologies Ag |
IGBT mit integriertem Freilaufelement
|
|
DE10154658B4
(de)
*
|
2001-11-07 |
2008-11-06 |
X-Fab Semiconductor Foundries Ag |
Integrierter Leistungsschaltkreis mit verbessertem elektrischen und thermischen Durchgangswiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung
|
|
AU2002351686B2
(en)
*
|
2002-01-15 |
2008-04-10 |
Robert Bosch Gmbh |
Semiconductor arrangement comprising a pn-transition and method for producing a semiconductor arrangement
|
|
JP2003303966A
(ja)
*
|
2002-04-11 |
2003-10-24 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体装置およびその製造方法
|
|
DE10217610B4
(de)
*
|
2002-04-19 |
2005-11-03 |
Infineon Technologies Ag |
Metall-Halbleiter-Kontakt, Halbleiterbauelement, integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren
|
|
DE10262169B4
(de)
*
|
2002-04-19 |
2016-11-03 |
Infineon Technologies Ag |
Halbleiterbauelement und integrierte Schaltungsanordnung damit
|
|
US7169634B2
(en)
*
|
2003-01-15 |
2007-01-30 |
Advanced Power Technology, Inc. |
Design and fabrication of rugged FRED
|
|
WO2004066391A1
(ja)
*
|
2003-01-20 |
2004-08-05 |
Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha |
半導体装置
|
|
JP2004281949A
(ja)
*
|
2003-03-19 |
2004-10-07 |
Nippon Inter Electronics Corp |
半導体装置及びその製造方法
|
|
JP2004342718A
(ja)
*
|
2003-05-14 |
2004-12-02 |
Toshiba Corp |
半導体装置及びコンバータ
|
|
EP1723680A1
(de)
*
|
2004-03-11 |
2006-11-22 |
Siemens Aktiengesellschaft |
Pn-diode auf der basis von siliciumcarbid und verfahren zu deren herstellung
|
|
JP4815885B2
(ja)
*
|
2005-06-09 |
2011-11-16 |
トヨタ自動車株式会社 |
半導体装置の制御方法
|
|
KR101007478B1
(ko)
*
|
2006-02-07 |
2011-01-12 |
미쓰비시덴키 가부시키가이샤 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
JP2008066694A
(ja)
*
|
2006-03-16 |
2008-03-21 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体装置及びその製造方法
|
|
EP1873837B1
(en)
*
|
2006-06-28 |
2013-03-27 |
STMicroelectronics Srl |
Semiconductor power device having an edge-termination structure and manufacturing method thereof
|
|
JP2008103529A
(ja)
*
|
2006-10-19 |
2008-05-01 |
Toyota Central R&D Labs Inc |
半導体装置
|
|
JP4973418B2
(ja)
|
2007-09-26 |
2012-07-11 |
サンケン電気株式会社 |
半導体装置
|
|
EP2073271A1
(en)
*
|
2007-12-19 |
2009-06-24 |
ABB Technology AG |
Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing such a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor
|
|
EP2086012A1
(en)
*
|
2007-12-19 |
2009-08-05 |
ABB Technology AG |
Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing such a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor
|
|
EP2081233A1
(de)
*
|
2007-12-21 |
2009-07-22 |
SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG |
Leistungsdiode mit grabenförmigen Anodenkontaktbereich
|
|
JP4544313B2
(ja)
*
|
2008-02-19 |
2010-09-15 |
トヨタ自動車株式会社 |
Igbtとその製造方法
|
|
TW201015718A
(en)
*
|
2008-10-03 |
2010-04-16 |
Sanyo Electric Co |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
WO2010046997A1
(ja)
*
|
2008-10-24 |
2010-04-29 |
株式会社アドバンテスト |
電子デバイスおよび製造方法
|
|
US8507352B2
(en)
|
2008-12-10 |
2013-08-13 |
Denso Corporation |
Method of manufacturing semiconductor device including insulated gate bipolar transistor and diode
|
|
JP4947111B2
(ja)
*
|
2008-12-10 |
2012-06-06 |
株式会社デンソー |
半導体装置の製造方法
|
|
WO2011027474A1
(ja)
|
2009-09-07 |
2011-03-10 |
トヨタ自動車株式会社 |
ダイオード領域とigbt領域を有する半導体基板を備える半導体装置
|
|
JP5409247B2
(ja)
*
|
2009-10-13 |
2014-02-05 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
EP2515328B1
(en)
*
|
2009-12-15 |
2016-05-04 |
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
CN102754213B
(zh)
*
|
2010-02-23 |
2015-08-05 |
菅原良孝 |
半导体装置
|
|
US8786024B2
(en)
|
2010-04-15 |
2014-07-22 |
Yoshitaka Sugawara |
Semiconductor device comprising bipolar and unipolar transistors including a concave and convex portion
|
|
JP2012023199A
(ja)
*
|
2010-07-14 |
2012-02-02 |
Rohm Co Ltd |
ショットキバリアダイオード
|
|
JP5434961B2
(ja)
*
|
2010-08-04 |
2014-03-05 |
株式会社デンソー |
横型ダイオードを有する半導体装置
|
|
JP5605073B2
(ja)
*
|
2010-08-17 |
2014-10-15 |
株式会社デンソー |
半導体装置
|
|
JP5606240B2
(ja)
|
2010-09-22 |
2014-10-15 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5547022B2
(ja)
*
|
2010-10-01 |
2014-07-09 |
トヨタ自動車株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5708124B2
(ja)
*
|
2011-03-25 |
2015-04-30 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5995435B2
(ja)
*
|
2011-08-02 |
2016-09-21 |
ローム株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP6284565B2
(ja)
*
|
2011-08-02 |
2018-02-28 |
ローム株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
US9379224B2
(en)
|
2011-08-30 |
2016-06-28 |
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha |
Semiconductor device
|
|
JP5733417B2
(ja)
*
|
2011-11-15 |
2015-06-10 |
富士電機株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
JP5756041B2
(ja)
*
|
2012-03-06 |
2015-07-29 |
株式会社豊田中央研究所 |
半導体装置
|
|
CN104247025B
(zh)
|
2012-04-25 |
2017-05-03 |
Abb 瑞士有限公司 |
具有高发射极栅极电容的绝缘栅双极晶体管
|
|
CN104285298A
(zh)
*
|
2012-09-13 |
2015-01-14 |
富士电机株式会社 |
半导体装置及半导体装置的制造方法
|
|
JP6082314B2
(ja)
*
|
2012-11-06 |
2017-02-15 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
JP6150542B2
(ja)
*
|
2013-02-04 |
2017-06-21 |
ラピスセミコンダクタ株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
JP2014187080A
(ja)
*
|
2013-03-22 |
2014-10-02 |
Panasonic Corp |
半導体素子、半導体装置及び複合モジュール
|
|
JP2014204038A
(ja)
|
2013-04-08 |
2014-10-27 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置及びその製造方法
|
|
CN104253151B
(zh)
|
2013-06-27 |
2017-06-27 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
|
|
JP6127820B2
(ja)
*
|
2013-08-02 |
2017-05-17 |
トヨタ自動車株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5867484B2
(ja)
|
2013-11-14 |
2016-02-24 |
トヨタ自動車株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
US20160322342A1
(en)
*
|
2014-01-15 |
2016-11-03 |
Panasonic Intellectual Property Management Co. Lt |
Semiconductor device
|
|
JP2015204375A
(ja)
|
2014-04-14 |
2015-11-16 |
株式会社ジェイテクト |
半導体装置
|
|
JP2015204374A
(ja)
|
2014-04-14 |
2015-11-16 |
株式会社ジェイテクト |
半導体装置
|
|
DE112015000206T5
(de)
*
|
2014-10-03 |
2016-08-25 |
Fuji Electric Co., Ltd. |
Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
|
|
JP6319151B2
(ja)
*
|
2015-03-23 |
2018-05-09 |
豊田合成株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
JP6384425B2
(ja)
*
|
2015-08-21 |
2018-09-05 |
株式会社デンソー |
半導体装置
|
|
TWI563570B
(en)
*
|
2015-11-23 |
2016-12-21 |
Pfc Device Holdings Ltd |
Low-temperature oxide method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor (IGBT)
|
|
CN106935498B
(zh)
*
|
2015-12-30 |
2019-09-13 |
节能元件控股有限公司 |
绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法
|
|
JP6540563B2
(ja)
*
|
2016-03-15 |
2019-07-10 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP6531731B2
(ja)
*
|
2016-07-21 |
2019-06-19 |
株式会社デンソー |
半導体装置
|
|
JP6891560B2
(ja)
|
2017-03-15 |
2021-06-18 |
富士電機株式会社 |
半導体装置
|
|
CN110660658B
(zh)
*
|
2018-06-28 |
2022-02-18 |
上海先进半导体制造有限公司 |
Vdmos及其制造方法
|
|
JP6935373B2
(ja)
|
2018-08-21 |
2021-09-15 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
JP7027287B2
(ja)
*
|
2018-09-19 |
2022-03-01 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
|
CN109411528B
(zh)
*
|
2018-10-26 |
2020-12-22 |
珠海格力电器股份有限公司 |
一种电阻等效二极管结构
|
|
US11411099B2
(en)
*
|
2019-05-28 |
2022-08-09 |
Glc Semiconductor Group (Cq) Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US11158703B2
(en)
*
|
2019-06-05 |
2021-10-26 |
Microchip Technology Inc. |
Space efficient high-voltage termination and process for fabricating same
|
|
JP7647042B2
(ja)
*
|
2020-09-17 |
2025-03-18 |
富士電機株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
|
JP7609010B2
(ja)
|
2021-08-16 |
2025-01-07 |
三菱電機株式会社 |
半導体装置
|
|
JP7742782B2
(ja)
*
|
2022-02-01 |
2025-09-22 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
WO2025169440A1
(ja)
*
|
2024-02-09 |
2025-08-14 |
三菱電機株式会社 |
炭化珪素半導体装置および電力変換装置
|