JP6082314B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の模式図であり、図1(a)は、模式的断面図、図1(b)は、模式的平面図である。
図3は、第1実施形態に係る半導体装置のオン状態の動作を表す模式的断面図である。
オン状態においては、カソード・アノード間に順バイアスの電圧が印加される。すなわち、カソード電極10の電位よりも、アノード電極40の電位の方が高くなるようにカソード・アノード間に電圧が印加される。例えば、アノード電極40が正極、カソード電極10が負極となるように、カソード・アノード間に電圧が印加される。
図4は、第1実施形態に係る半導体装置のオン状態の動作を表す模式的断面図である。 図4には、半導体装置1Aの最小ユニットが表されている。
図7は、参考例に係る半導体装置のターンオフ状態の動作を表す模式的断面図である。
図8は、第1実施形態の変形例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図8(a)は、第1変形例に係る半導体装置の模式的断面図、図8(b)は、第2変形例に係る半導体装置の模式的断面図、図8(c)は、第3変形例に係る半導体装置の模式的断面図である。
例えば、図8(c)に表された半導体装置1Dにおいては、p+形アノード領域32と同程度の濃度のp+形アノード領域33(第4半導体領域)がp−形アノード領域31の一部上に設けられている。p+形アノード領域33は、アノード電極40にオーミック接合をしている。例えば、p+形アノード領域33のアノード電極40に接する面におけるp+形アノード領域33に含まれる不純物元素の濃度は、p−形アノード領域30のアノード電極40に接する面におけるp−形アノード領域30に含まれる不純物元素の濃度、およびp−形アノード領域31のアノード電極40に接する面におけるp−形アノード領域31に含まれる不純物元素の濃度よりも高い。
図9は、第2実施形態に係る半導体装置の模式図であり、図9(a)は、模式的断面図、図9(b)は、模式的平面図である。
オン状態では、アノード・カソード間に順方向のバイアスが印加される。これにより、アノード側からカソード側に正孔が流れ、カソード側からアノード側に電子が流れる。また、アノード側では、p+形アノード領域32のほか、p−形アノード領域30を設けたので、正孔の注入量が抑制される。
図10は、第2実施形態の変形例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図10(a)は、第1変形例に係る半導体装置の模式的断面図、図10(b)は、第2変形例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図10(c)は、第3変形例に係る半導体装置の模式的断面図である。
図11は、第3実施形態に係る半導体装置の模式図であり、図11(a)は、模式的断面図、図11(b)は、模式的平面図である。
図11(a)には、図11(b)のA−A’断面が表されている。
図12は、第3実施形態に係る半導体装置の製造過程を表す断面模式図である。
オン状態では、アノード・カソード間に順方向のバイアスが印加される。これにより、アノード側からカソード側に正孔が流れ、カソード側からアノード側に電子が流れる。
図13は、第3実施形態の第1変形例に係る半導体装置の模式的断面図である。
図13には、第3実施形態の第1変形例に係る半導体装置3Bの最小ユニットが表されている。
例えば、p+形アノード領域37のアノード電極40に接する面におけるp+形アノード領域37に含まれる不純物元素の濃度は、p−形アノード領域36のアノード電極40に接する面におけるp−形アノード領域36に含まれる不純物元素の濃度、およびp−形アノード領域31のアノード電極40に接する面におけるp−形アノード領域31に含まれる不純物元素の濃度よりも高い。
p+形アノード領域37は、アノード電極40にオーミック接合をしている。p−形アノード領域36は、アノード電極40に一般的にはショットキー接合をしている。しかし、p−形アノード領域36の不純物濃度が低ければ良く、必ずしもp−形アノード領域36とアノード電極40とがショットキー接合をしている必要はない。
図14は、第3実施形態の第1変形例に係る半導体装置の製造過程を表す模式的断面図である。
オン状態では、アノード・カソード間に順方向のバイアスが印加される。これにより、アノード側からカソード側に正孔が流れ、カソード側からアノード側に電子が流れる。
図15は、第3実施形態の変形例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図15(a)は、第2変形例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図15(b)は、第3変形例に係る半導体装置の模式的断面図である。
図16(a)は、第4実施形態の第1例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図16(b)は、第4実施形態の第2例に係る半導体装置の模式的断面図である。
図17(a)〜図17(c)は、第4実施形態の第1例に係る半導体装置の製造過程を表す模式的断面図である。
図18(a)は、第5実施形態の第1例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図18(b)は、第5実施形態の第2例に係る半導体装置の模式的断面図であり、図18(c)は、第5実施形態の第3例に係る半導体装置の模式的断面図である。
図19は、第6実施形態の第1例に係る半導体装置の模式的斜視図である。
図3および図18(b)においては、複数のp+形アノード領域32をp−形アノード領域30にY方向において配列させたが、複数のp+形アノード領域32を配列する方向は、Y方向とは限らない。
図19においては、p+形アノード領域32をX方向に分離し分散させたが、図20に示す半導体装置6Bのように、X方向に延在するp+形アノード領域32とアノード電極40との間に、選択的に絶縁層70を設けてよい。
図21(a)は、半導体装置の模式的断面図であり、図21(b)は、第7実施形態の第1例に係る半導体装置の不純物濃度プロファイルを表すグラフであり、図21(c)は、第7実施形態の第2例に係る半導体装置の不純物濃度プロファイルを表すグラフである。
図22は、第8実施形態に係る半導体装置の模式的断面図である。
図23は、第9実施形態に係る半導体装置の模式的平面図である。
60 半導体積層体、 70 絶縁層、 80、81 トレンチ、 80b 底面、 90、91、92 マスク、 95 活性領域、 96 周辺領域、 97 任意領域、
310 不純物濃度プロファイル
Claims (16)
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層の一部と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第1半導体領域と、
前記第2半導体層の前記一部とは別の部分と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体領域に接する第2導電形の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の少なくとも一部と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
を備え、
前記第3半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第3半導体領域の不純物濃度は、前記第1半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第1半導体領域の不純物濃度および前記第2半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第2半導体領域の不純物濃度よりも高く、
前記第3半導体領域における前記第3半導体領域と前記第2電極との接触面の直下域に配置された部分は、前記第2半導体領域における前記第2半導体領域と前記第2電極との接触面の直下域に配置された部分よりも薄く、
前記第1半導体領域と前記第1半導体層とによって挟まれた前記第2半導体層の厚さは、前記第2半導体領域と前記第1半導体層とによって挟まれた前記第2半導体層の厚さよりも薄く、
前記第1半導体領域は、前記第1半導体領域と前記第2半導体層との接合部において前記接合部が曲がった屈曲部を有し、
前記第1電極側を下側、前記第2電極側を上側としたときに、前記第3半導体領域は、前記屈曲部の少なくとも直上近傍に位置している半導体装置。 - 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層の一部と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第1半導体領域と、
前記第2半導体層の前記一部とは別の部分と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体領域に接する第2導電形の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の少なくとも一部と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
を備え、
前記第3半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第3半導体領域の不純物濃度は、前記第1半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第1半導体領域の不純物濃度および前記第2半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第2半導体領域の不純物濃度よりも高く、
前記第3半導体領域における前記第3半導体領域と前記第2電極との接触面の直下域に配置された部分は、前記第2半導体領域における前記第2半導体領域と前記第2電極との接触面の直下域に配置された部分よりも薄く、
前記第1半導体領域と前記第1半導体層とによって挟まれた前記第2半導体層の厚さは、前記第2半導体領域と前記第1半導体層とによって挟まれた前記第2半導体層の厚さよりも薄い半導体装置。 - 前記第1半導体領域は、前記第1半導体領域と前記第2半導体層との接合部において前記接合部が曲がった屈曲部を有する請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1電極側を下側、前記第2電極側を上側としたときに、前記第3半導体領域は、前記屈曲部の少なくとも直上近傍に位置している請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域および前記第2半導体領域は、前記第2電極にショットキー接合をしている請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域は、前記第2電極にオーミック接合をしている請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域の前記少なくとも一部と前記第2電極との間に設けられ、さらに前記第2半導体領域の一部と前記第2電極との間に設けられている請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域、前記第2電極および前記第3半導体領域に接する配線層をさらに備えた請求項7記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域と前記第2電極との間に接続領域をさらに備えた請求項1〜6いずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第2電極に接続され、前記第2電極に接続された部分以外が前記第3半導体領域によって取り囲まれた接続領域をさらに備えた請求項1〜6いずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記接続領域と前記第1電極との間の距離は、前記第2半導体領域と前記第1電極との間の距離よりも短い請求項9または10に記載の半導体装置。
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層の一部と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の一部と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
前記第2半導体層と前記第2電極との間のうち、前記第1半導体領域が設けられていない領域に設けられた絶縁層と、
を備え、
前記第3半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第3半導体領域の不純物濃度は、前記第1半導体領域の前記第2電極に接する面における前記第1半導体領域の不純物濃度の不純物濃度よりも高く、
前記第1半導体領域と前記第1半導体層とによって挟まれた前記第2半導体層の厚さは、前記第1半導体領域が設けられていない部分の前記第2半導体層の厚さよりも薄く、
前記第1半導体領域は、前記第2電極にショットキー接合をしている半導体装置。 - 前記第1半導体領域は、前記第1半導体領域と前記第2半導体層との接合部において前記接合部が曲がった屈曲部を有する請求項12記載の半導体装置。
- 前記第1電極を下側、前記第2電極と上側としたときに、前記第3半導体領域は、前記屈曲部の少なくとも直上近傍に位置している請求項12または13に記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域は、前記第2電極にオーミック接合をしている請求項12〜14のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域の前記一部と前記第2電極との間に設けられ、さらに前記第1半導体領域が設けられていない前記部分の前記第2半導体層と前記第2電極との間に設けられている請求項12〜15のいずれか1つに記載の半導体装置。
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