JP5450490B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
図1から図3を用いて、本発明の第1の実施形態に係る電力用半導体装置について説明する。図1は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の、ダイオード構造が形成され電流が流れる素子領域における要部断面図を示す。図2は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の深さ方向の正孔濃度プロファイルを示す。図3は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の電圧−電流特性を示す。第1の実施形態に係る電力用半導体装置は、FRDを例に説明する。半導体層は、シリコンを例に説明する。なお、例えばp形不純物濃度という場合は、半導体層中に含まれる実際のp形不純物の濃度を意味し、正味のp形不純物濃度という場合は、半導体層中に含まれるn形不純物との補償後の濃度を意味するものとする。n形不純物濃度と正味のn形不純物濃度に関しても同様である。
第2の実施の形態に係る電力用半導体装置を図4を用いて説明する。図4は、第2の実施形態に係る電力用半導体装置の要部断面図である。なお、第1の実施の形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法との相異点について主に説明する。
第3の実施の形態に係る電力用半導体装置を図5を用いて説明する。図5は、第3の実施形態に係る電力用半導体装置の要部断面図である。なお、第2の実施の形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法との相異点について主に説明する。
2 n−形半導体層
3 p−形半導体層
4 p+形半導体層
5 カソード電極
6 アノード電極
6A フィールドプレート
7 キャリアライフタイム低減領域
8 p−形ガードリング層
9 絶縁膜
10 層間絶縁膜
100、200、300 FRD
Claims (10)
- 第1導電形の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層の第1導電形不純物の濃度よりも低い第1導電形不純物の濃度を有する第1導電形の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の表面に設けられた第2導電形の第3の半導体層と、
前記第3の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側に選択的に設けられ、前記第3の半導体層の第2導電形不純物の濃度よりも高い第2導電形不純物の濃度を有する第2導電形の第4の半導体層と、
前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の主電極と、
前記第4の半導体層に電気的に接続された第2の主電極と、
を備え、
前記第3の半導体層は、前記第4の半導体層の前記第1の半導体層側の底面と隣接し、前記第2の半導体層とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記キャリアライフタイム低減領域は、前記第3の半導体層のうち前記キャリアライフタイム低減領域を除く部分より結晶欠陥密度が高いことを特徴とする請求項1記載の電力用半導体装置。
- 前記キャリアライフタイム低減領域は、水素原子又はヘリウム原子を含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。
- 前記キャリアライフタイム低減領域は、白金、金、及び銀のうちのいずれか1つを含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。
- 前記第3の半導体層の正味の第2導電形不純物濃度は、前記第2の半導体層の正味の第1導電形不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。
- 逆方向の定格電圧が前記第1の半導体層と前記第4の半導体層の間に印加されたときに、前記第3の半導体層と前記第2の半導体層との接合部から前記第3の半導体層に向かって延びる空乏層が前記キャリアライフタイム低減領域に到達しないように、前記第3の半導体層の正味の第2導電形不純物濃度が設定されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。
- 前記第3の半導体層は、前記第2の半導体層の前記表面に選択的に形成されており、
前記第4の半導体層は、前記第3の半導体層の前記表面に選択的に形成されており、
前記第4の半導体層の外周に隣接し、前記第4の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の表面から前記第3の半導体層中に延伸し、前記第4の半導体層の外周を囲んだ環状構造の絶縁膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。 - 前記絶縁膜は、前記第4の半導体層の前記表面から前記第3の半導体層の前記キャリアライフタイム低減領域中に延伸していることを特徴とする請求項7記載の電力用半導体装置。
- 前記第4の半導体層の前記表面を含む平面において、前記第3の半導体層と前記第4の半導体層との間に前記絶縁膜が配置されることを特徴とする請求項7又は8に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜、前記第3の半導体層、及び前記第2の半導体層の表面上に形成された層間絶縁膜をさらに備えたことを特徴とする請求項7〜9のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。
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