JP6276560B2 - バイポーラ半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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-
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-
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Description
第1導電型の炭化珪素半導体であるドリフト層と、
上記ドリフト層上に形成された第2導電型の炭化珪素半導体である第1半導体層と、
上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成されるか、または、上記ドリフト層に対して上記第1半導体層と反対の側に形成された上記第1導電型の第2半導体層のうち、
少なくとも上記ドリフト層と上記第1半導体層を備え、
上記第1半導体層内、上記ドリフト層内、上記第2半導体層内、上記ドリフト層と上記第2半導体層との間の界面のうちの少なくとも1つに、キャリアの再結合を促進する再結合促進面となる不純物濃度が急峻に変化する不連続成長面が形成され、
上記第1半導体層と上記ドリフト層との界面または上記第1半導体層と上記第2半導体層との界面に上記再結合促進面が形成されていない構成としたことを特徴とする。
上記第2半導体層は、上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成されており、
上記ドリフト層と上記第2半導体層との界面にキャリアの再結合を促進する上記再結合促進面が形成されている。
上記第2半導体層は、
上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成され、
上記ドリフト層に連なるように形成された第1の半導体層部と、
上記第1の半導体層部に連なるように形成された第2の半導体層部と
を有し、
上記ドリフト層は、第1の不純物濃度であり、
上記第2半導体層の第1の半導体層部は、厚さが100nm未満であり、かつ、上記第2の半導体層部側の端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端の間で上記第2の不純物濃度とは異なる第3の不純物濃度であり、
上記第2半導体層の第2の半導体層部は、上記第2の不純物濃度であると共に、
上記第3の不純物濃度は、上記第2の不純物濃度の10倍もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下であり、
上記第2半導体層の第1の半導体層部内にキャリアの再結合を促進する上記再結合促進面が形成されている。
上記半導体層は、
上記ドリフト層に連なるように形成されるか、または、上記ドリフト層上に形成された中間層に連なるように形成された第1の半導体層部と、
上記第1の半導体層部に連なるように形成された第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部に連なるように形成された第3の半導体層部と
を有し、
上記第1,第2,第3の半導体層部は、互いに同じ導電型であって、かつ、上記ドリフト層と異なる導電型であり、
上記第1半導体層の第1の半導体層部は、第1の不純物濃度であり、
上記第1半導体層の第2の半導体層部は、厚さが100nm未満であり、かつ、上記第3の半導体層部側の端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第2の不純物濃度とは異なる第3の不純物濃度であり、
上記第1半導体層の第3の半導体層部は、上記第2の不純物濃度であると共に、
上記第3の不純物濃度は、上記第2の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下であり、
上記第1半導体層の第2の半導体層部内に上記再結合促進面を有する。
原料ガスを結晶成長表面に供給して上記第1の半導体層部を形成した後、原料ガスの供給を1分間以上停止してから、原料ガスを供給して、上記第2の半導体層部と上記第3の半導体層部とを形成したものである。
原料ガスを結晶成長表面に供給して予め定められた成長速度で上記第1の半導体層部を形成した後、炭化珪素の成長速度を1分間以上零としてから、原料ガスを供給して、予め定められた成長速度で上記第2の半導体層部と上記第3の半導体層部とを形成したものである。
原料ガスを結晶成長表面に供給して1500℃以上の雰囲気温度で上記第1の半導体層部を形成した後、雰囲気温度を1400℃以下に降温させてから、再び1500℃以上の雰囲気温度に昇温して原料ガスを供給して、上記第2の半導体層部と上記第3の半導体層部とを形成したものである。
上記バイポーラ半導体装置の製造方法であって、
原料ガスを結晶成長表面に供給して、炭化珪素半導体で作製されていると共に第1の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第1の半導体層部を形成し、
上記第1の半導体層部を形成した後、上記原料ガスの供給を1分間以上停止してから、上記原料ガスを供給して、
上記第1の半導体層部上に上記第1の半導体層部に連なるように形成されていて上記第1の半導体層部と同じ導電型であり、厚さが100nm未満であり、かつ、上端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第2の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下である第3の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部上に上記第2の半導体層部に連なるように形成されていて上記第2の半導体層部と同じ導電型であると共に上記第2の不純物濃度である上記第1半導体層の第3の半導体層部と
を形成することを特徴としている。
上記バイポーラ半導体装置の製造方法であって、
原料ガスを予め定められた供給速度で結晶成長表面に供給して、炭化珪素半導体で作製されていると共に第1の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第1の半導体層部を形成し、
上記第1の半導体層部を形成した後、1分間以上、炭化珪素の成長速度を略零とするように原料ガスの供給速度を制御してから、
原料ガスを予め定められた供給速度で供給して、
上記第1の半導体層部上に上記第1の半導体層部に連なるように形成されていて上記第1の半導体層部と同じ導電型であり、厚さが100nm未満であり、かつ、上端で上記第1の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第1の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第1の不純物濃度の10分の1以下である第2の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部上に上記第2の半導体層部に連なるように形成されていて上記第2の半導体層部と同じ導電型であると共に上記第1の不純物濃度である上記第1半導体層の第3の半導体層部と
を形成することを特徴としている。
上記バイポーラ半導体装置の製造方法であって、
原料ガスを結晶成長表面に供給して、1500℃以上の雰囲気温度で、炭化珪素半導体で作製されていると共に第1の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第1の半導体層部を形成し、
上記第1の半導体層部を形成した後、雰囲気温度を1400℃以下に降温させてから、1500℃以上の雰囲気温度に昇温して、上記原料ガスを供給し、
上記第1の半導体層部上に上記第1の半導体層部に連なるように形成されていて上記第1の半導体層部と同じ導電型であり、厚さが100nm未満であり、かつ、上端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第2の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下である第3の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部上に上記第2の半導体層部に連なるように形成されていて上記第2の半導体層部と同じ導電型であると共に上記第2の不純物濃度である上記第1半導体層の第3の半導体層部と
を形成することを特徴としている。
図1は、この発明のバイポーラ半導体装置の第1実施形態としてのSiC ダイオード20の断面図である。この第1実施形態では、第1の導電型としてのn型の4H型SiCで作製した基板21の上に、以下に説明する半導体層を形成する。なお、4H型の「H」は六方晶を表し、4H型の「4」は原子積層が4層周期となる結晶構造を表している。また、この第1実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型としている。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1550℃から1400℃まで15分で降温する。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1400℃から1550℃まで30分で昇温する。
図4は、上記第1実施形態の変形例であるpn接合ダイオード40の断面図である。この変形例では、前述の第1実施形態の第1のp型接合層24と第2のp型接合層25に替えて、1層のp型接合層41を備えた点だけが、前述の第1実施形態と異なる。よって、この変形例では、前述の第1実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、前述の第1実施形態と異なる部分を主に説明する。
50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、トリメチルアルミニウム(30sccm)および水素(10slm)を供給して、第1半導体層の第1の半導体層部としてのp型SiC部41Aを成膜する。この第1の工程の処理時間は8分である。
次に、上記p型SiC膜の成長速度を1分間以上(例えば3分間)零にする。ここで、原料ガスを停止すると、上記水素によるキャリアガスの影響でもって成長させたp型SiC膜が極く低速でエッチングされて削られて行く。このため、上記極く低速のエッチング速度で削られた分を補うように原料ガスを供給することによって、上記p型SiC膜の成長速度を零にする。
次に、50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、トリメチルアルミニウム(30sccm)および水素(10slm)を供給して、p型SiC膜を成膜する。このp型SiC膜は、第1半導体層の第2の半導体層部としてのp型SiC部41Bと第1半導体層の第3の半導体層部としてのp型SiC部41Cとで構成されている。この第3の工程の処理時間は2分である。
次に、図5に、この発明のバイポーラ半導体装置の第2実施形態を示す。図5は、第2実施形態としてのnpnバイポーラトランジスタ60の断面図である。この第2実施形態でも、n型の4H型SiCの基板を採用している。このn型の4H型SiCの基板上に、n型4H−SiC、p型4H−SiC、n型4H−SiCの順番で連続的にエピタキシャル成長させ、npnバイポーラトランジスタ60を作製した。なお、この第2実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型としている。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1550℃から1400℃まで15分で降温する。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1400℃から1550℃まで30分で昇温する。
図6は、上記第2実施形態の変形例であるnpnバイポーラトランジスタ80の断面図である。この変形例では、前述の第2実施形態の第1のp型成長層64と第2のp型成長層65に替えて、1層のp型成長層85を備えた点だけが、前述の第2実施形態と異なる。よって、この変形例では、前述の第2実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、前述の第2実施形態と異なる部分を主に説明する。
50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、トリメチルアルミニウム(30sccm)および水素(10slm)を供給して、第1半導体層の第1の半導体層部としてのp型SiC部85Aを成膜する。この第1の工程の処理時間は2分である。
次に、上記p型SiC膜の成長速度を1分間以上(例えば3分間)零にする。ここで、原料ガスを停止してしまうと、上記水素によるキャリアガスの影響でもって成長させたp型SiCが極く低速でエッチングされて削られて行く。このため、上記極く低速のエッチング速度で削られた分を補うように微量の原料ガスを供給することによって、上記p型SiC膜の成長速度を零にする。
次に、50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、トリメチルアルミニウム(30sccm)および水素(10slm)を供給して、p型SiC膜を成膜する。このp型SiC膜は、第1半導体層の第2の半導体層部としてのp型SiC部85Bと第1半導体層の第3の半導体層部としてのp型SiC部85Cとで構成されている。この第3の工程の処理時間は2分である。
次に、図7に、この発明のバイポーラ半導体素子の第3実施形態としてのIGBT(インシュレーテッド・ゲート・バイポーラトランジスタ)101の断面を示す。なお、この第3実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型としている。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1550℃から1400℃まで15分で降温する。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1400℃から1550℃まで30分で昇温する。
図8は、上記第3実施形態の変形例であるIGBT121の断面図である。この変形例では、前述の第3実施形態のn型成長層94とn型成長層95に替えて、1層のn型成長層115を備えた点だけが、前述の第3実施形態と異なる。よって、この変形例では、前述の第3実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、前述の第3実施形態と異なる部分を主に説明する。
50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、窒素(45sccm)および水素(10slm)を供給して、第1半導体層の第1の半導体層部としてのn型SiC部115Aを成膜する。この第1の工程の処理時間は4分である。
次に、上記n型SiC膜の成長速度を1分間以上(例えば3分間)零にする。ここで、原料ガスを停止してしまうと、上記水素によるキャリアガスの影響でもって成長させたn型SiCが極く低速でエッチングされて削られて行く。このため、上記極く低速のエッチング速度で削られた分を補うように微量の原料ガスを供給することによって、上記n型SiC膜の成長速度を零にする。
次に、50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、窒素(45sccm)および水素(10slm)を供給して、p型SiC膜を成膜する。このp型SiC膜は、第1半導体層の第2の半導体層部としてのn型SiC部115Bと第1半導体層の第3の半導体層部としてのn型SiC部115Cとで構成されている。この第3の工程の処理時間は4分である。
次に、図9に、この発明のバイポーラ半導体素子の第4実施形態としてのGTO(ゲート・ターンオフ・バイポーラトランジスタ)220の断面を示す。なお、この第4実施形態のGTO220に用いられるn型SiC基板は、第3実施形態のIGBT101に用いられたn型の4H型SiC基板と同じものである。なお、この第4実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型としている。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1550℃から1400℃まで15分で降温する。
次に、H2雰囲気において、50Torrで、1400℃から1550℃まで30分で昇温する。
次に、イオン注入によりn型成長層205にn型のゲートコンタクト領域206を形成する。
図10は、上記第4実施形態の変形例であるGTO221の断面図である。この変形例では、前述の第4実施形態のn型ベース層204とn型成長層205に替えて、1層のn型成長層215を備えた点だけが、前述の第4実施形態と異なる。よって、この変形例では、前述の第4実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、前述の第4実施形態と異なる部分を主に説明する。
50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、窒素(45sccm)および水素(10slm)を供給して、第1半導体層の第1の半導体層部としてのn型SiC部215Aを成膜する。この第1の工程の処理時間は4分である。
次に、上記n型SiC膜の成長速度を1分間以上(例えば3分間)零にする。ここで、原料ガスを停止してしまうと、上記水素によるキャリアガスの影響でもって成長させたn型SiCが極く低速でエッチングされて削られて行く。このため、上記極く低速のエッチング速度で削られた分を補うように微量の原料ガスを供給することによって、上記n型SiC膜の成長速度を零にする。
次に、50Torr、1550℃で、シラン(30sccm)、プロパン(12sccm)、窒素(45sccm)および水素(10slm)を供給して、p型SiC膜を成膜する。このp型SiC膜は、第1半導体層の第2の半導体層部としてのn型SiC部215Bと第1半導体層の第3の半導体層部としてのn型SiC部215Cとで構成されている。この第3の工程の処理時間は4分である。
21 n型の4H型SiC基板
22 n型バッファ層
23 n型ドリフト層
24 第1のp型接合層
25 第2のp型接合層
25A 第2の半導体層部
25A‐1 上端
25A‐2 下端
25B 第3の半導体層部
26 p+型コンタクト層
27 p型JTE
28 熱酸化膜
29 カソード電極
30 アノード電極
30a Ti層
30b Al層
31 絶縁保護膜
40 pn接合ダイオード
41 p型接合層
41A p型SiC部
41B p型SiC部
41B‐1 上端
41B‐2 下端
41C p型SiC部
56 p型ガードリング
58 酸化膜
59B ベース電極
59C コレクタ電極
60 npnバイポーラトランジスタ
61 n型の4H型SiC基板
62 n型バッファ層
63 n型ドリフト層
64 第1のp型成長層
65 第2のp型成長層
65A p型成長層部
65A‐1 上端
65A‐2 下端
65B p型成長層部
66 n型成長層
68 コンタクト領域
69 エミッタ電極
70 Ti/Au電極
80 npnバイポーラトランジスタ
85 p型成長層
85A,85B,85C p型SiC部
90 孔
91 n型の4H型SiC基板
92 p型バッファ層
93 p型ドリフト層
94,95 n型成長層
95A n型SiC部
95B n型SiC部
95A‐1 上端
95A‐2 下端
96 p型成長層
97 コンタクト領域
98 絶縁膜
99 ゲート電極
101,121 IGBT
102 コレクタ電極
103 エミッタ電極
115 n型成長層
115A,115B,115C n型SiC部
115B‐1 上端
115B‐2 下端
201 n型の4H型SiC基板
202 p型バッファ層
203 p型ドリフト層
204 n型ベース層
205 n型成長層
205A n型SiC部
205B n型SiC部
206 n型のゲートコンタクト領域
207 p型アノードエミッタ層
208 アノード電極
210 ゲート電極
215 n型成長層
215A n型SiC部
215B n型SiC部
215C n型SiC部
220,221 GTO
299 カソード電極
Claims (16)
- 第1導電型の炭化珪素半導体であるドリフト層と、
上記ドリフト層上に形成された第2導電型の炭化珪素半導体である第1半導体層と、
上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成されるか、または、上記ドリフト層に対して上記第1半導体層と反対の側に形成された上記第1導電型の第2半導体層のうち、
少なくとも上記ドリフト層と上記第1半導体層を備え、
上記第1半導体層内、上記ドリフト層内、上記第2半導体層内、上記ドリフト層と上記第2半導体層との間の界面のうちの少なくとも1つに、キャリアの再結合を促進する再結合促進面となる不純物濃度が急峻に変化する不連続成長面が形成され、
上記第1半導体層と上記ドリフト層との界面または上記第1半導体層と上記第2半導体層との界面に上記再結合促進面が形成されていない構成としたことを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項1に記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第2半導体層は、上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成されており、
上記ドリフト層と上記第2半導体層との界面にキャリアの再結合を促進する上記再結合促進面が形成されていることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項1に記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第2半導体層は、
上記ドリフト層と上記第1半導体層との間に形成され、
上記ドリフト層に連なるように形成された第1の半導体層部と、
上記第1の半導体層部に連なるように形成された第2の半導体層部と
を有し、
上記ドリフト層は、第1の不純物濃度であり、
上記第2半導体層の第1の半導体層部は、厚さが100nm未満であり、かつ、上記第2の半導体層部側の端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端の間で上記第2の不純物濃度とは異なる第3の不純物濃度であり、
上記第2半導体層の第2の半導体層部は、上記第2の不純物濃度であると共に、
上記第3の不純物濃度は、上記第2の不純物濃度の10倍もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下であり、
上記第2半導体層の第1の半導体層部内にキャリアの再結合を促進する上記再結合促進面が形成されていることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項1または2に記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1半導体層は、
上記ドリフト層に連なるように形成されるか、または、上記ドリフト層上に形成された上記第2半導体層に連なるように形成された第1の半導体層部と、
上記第1の半導体層部に連なるように形成された第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部に連なるように形成された第3の半導体層部と
を有し、
上記第1半導体層の第1の半導体層部は、第1の不純物濃度であり、
上記第1半導体層の第2の半導体層部は、厚さが100nm未満であり、かつ、上記第3の半導体層部側の端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第2の不純物濃度とは異なる第3の不純物濃度であり、
上記第1半導体層の第3の半導体層部は、上記第2の不純物濃度であると共に、
上記第3の不純物濃度は、上記第2の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下であり、
上記第1半導体層の第2の半導体層部内に上記再結合促進面を有することを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項4に記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1の不純物濃度と上記第2の不純物濃度とは、互いに異なることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項4または5に記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1の不純物濃度と上記第2の不純物濃度とは、略同一であることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項4から6のいずれか1つに記載のバイポーラ半導体装置の製造方法であって、
上記第1半導体層は、
原料ガスを結晶成長表面に供給して上記第1の半導体層部を形成した後、原料ガスの供給を1分間以上停止してから、原料ガスを供給して、上記第2の半導体層部と上記第3の半導体層部とを形成したものであることを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載のバイポーラ半導体装置の製造方法であって、
上記第1半導体層は、
原料ガスを結晶成長表面に供給して予め定められた成長速度で上記第1の半導体層部を形成した後、炭化珪素の成長速度を1分間以上零としてから、原料ガスを供給して、予め定められた成長速度で上記第2の半導体層部と上記第3の半導体層部とを形成したものであることを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法。 - 請求項4から6のいずれか1つに記載のバイポーラ半導体装置の製造方法であって、
上記第1半導体層は、
原料ガスを結晶成長表面に供給して1500℃以上の雰囲気温度で上記第1の半導体層部を形成した後、雰囲気温度を1400℃以下に降温させてから、再び1500℃以上の雰囲気温度に昇温して原料ガスを供給して、上記第2の半導体層部と上記第3の半導体層部とを形成したものであることを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法。 - 請求項1から6のいずれか1つに記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1半導体層がアノード層を構成しているダイオードであることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか1つに記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1半導体層がベース層を構成しているトランジスタであることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか1つに記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1半導体層がエミッタ層を構成しているIGBTであることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか1つに記載のバイポーラ半導体装置において、
上記第1半導体層がベース層を構成しているGTOであることを特徴とするバイポーラ半導体装置。 - 請求項4に記載のバイポーラ半導体装置の製造方法であって、
原料ガスを結晶成長表面に供給して、炭化珪素半導体で作製されていると共に第1の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第1の半導体層部を形成し、
上記第1の半導体層部を形成した後、上記原料ガスの供給を1分間以上停止してから、上記原料ガスを供給して、
上記第1の半導体層部上に上記第1の半導体層部に連なるように形成されていて上記第1の半導体層部と同じ導電型であり、厚さが100nm未満であり、かつ、上端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第2の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下である第3の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部上に上記第2の半導体層部に連なるように形成されていて上記第2の半導体層部と同じ導電型であると共に上記第2の不純物濃度である上記第1半導体層の第3の半導体層部と
を形成することを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載のバイポーラ半導体装置の製造方法であって、
原料ガスを予め定められた供給速度で結晶成長表面に供給して、炭化珪素半導体で作製されていると共に第1の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第1の半導体層部を形成し、
上記第1の半導体層部を形成した後、1分間以上、炭化珪素の成長速度を略零とするように原料ガスの供給速度を制御してから、
原料ガスを予め定められた供給速度で供給して、
上記第1の半導体層部上に上記第1の半導体層部に連なるように形成されていて上記第1の半導体層部と同じ導電型であり、厚さが100nm未満であり、かつ、上端で上記第1の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第1の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第1の不純物濃度の10分の1以下である第2の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部上に上記第2の半導体層部に連なるように形成されていて上記第2の半導体層部と同じ導電型であると共に上記第1の不純物濃度である上記第1半導体層の第3の半導体層部と
を形成することを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載のバイポーラ半導体装置の製造方法であって、
原料ガスを結晶成長表面に供給して、1500℃以上の雰囲気温度で、炭化珪素半導体で作製されていると共に第1の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第1の半導体層部を形成し、
上記第1の半導体層部を形成した後、雰囲気温度を1400℃以下に降温させてから、1500℃以上の雰囲気温度に昇温して、上記原料ガスを供給し、
上記第1の半導体層部上に上記第1の半導体層部に連なるように形成されていて上記第1の半導体層部と同じ導電型であり、厚さが100nm未満であり、かつ、上端で第2の不純物濃度に達していると共に下端と上端との間で上記第2の不純物濃度の10倍以上もしくは上記第2の不純物濃度の10分の1以下である第3の不純物濃度を有する上記第1半導体層の第2の半導体層部と、
上記第2の半導体層部上に上記第2の半導体層部に連なるように形成されていて上記第2の半導体層部と同じ導電型であると共に上記第2の不純物濃度である上記第1半導体層の第3の半導体層部と
を形成することを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法。
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