JP2015149346A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、エピタキシャル成長層を複数回に分けて成膜し、特定のエピタキシャル成長層を成膜する際にのみ、選択的に所定の金属元素を含有した有機金属ガスの濃度を高くした原料ガスを使用して、半導体基板を製造するフローについて説明する。
ここでは、縦型のパワー半導体装置の一例として、IGBTの製造方法について説明する。
Claims (8)
- 半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の表面上に、それぞれエピタキシャル成長によって複数のエピタキシャル層を形成する工程と
を有し、
前記複数のエピタキシャル層を形成する工程は、有機金属ガスを含む材料ガスによって金属元素を含有するエピタキシャル層を形成する工程を備え、
前記金属元素として、前記半導体基板の温度を175℃とした場合の拡散係数が2.8×10-21cm2/sよりも低い金属元素が適用される、半導体装置の製造方法。 - 前記複数のエピタキシャル層を形成する工程は、
前記金属元素を含有する前記エピタキシャル層として、第1導電型の第1エピタキシャル層を形成する工程と、
第2導電型の第2エピタキシャル層を形成する工程と
を含む、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記金属元素として、チタン(Ti)、白金(Pt)および金(Au)からなる群から選ばれる、少なくともいずれかの金属元素が適用される、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を用意する工程では、前記半導体基板として、シリコン、炭化シリコン(SiC)および窒化ガリウム(GaN)からなる群から選ばれるいずれかの基板が用意される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に対して、互いに対向する第1表面の側と第2表面の側との間で電流の導通が図られる半導体装置であって、
互いに対向する前記第1表面および前記第2表面を有する前記半導体基板と、
前記半導体基板における少なくとも前記第1表面の側に形成された複数のエピタキシャル層と、
を有し、
前記複数のエピタキシャル層は、前記半導体基板の前記第1表面の側の全面において、第1深さから前記第1深さよりも深い第2深さにわたり形成された、金属元素を含有するエピタキシャル層を備え、
前記金属元素として、前記半導体基板の温度を175℃とした場合の拡散係数が2.8×10-21cm2/sよりも低い金属元素が適用された、半導体装置。 - 前記複数のエピタキシャル層は、
前記エピタキシャル層として、第1導電型の第1エピタキシャル層と、
第2導電型の第2エピタキシャル層と
を含む、請求項5記載の半導体装置。 - 前記金属元素として、チタン(Ti)、白金(Pt)および金(Au)からなる群から選ばれる、少なくともいずれかの金属元素が適用された、請求項5または6に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板として、シリコン、炭化シリコン(SiC)および窒化ガリウム(GaN)からなる群から選ばれるいずれかの基板が適用される、請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。
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