JP6400202B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6400202B2 JP6400202B2 JP2017528315A JP2017528315A JP6400202B2 JP 6400202 B2 JP6400202 B2 JP 6400202B2 JP 2017528315 A JP2017528315 A JP 2017528315A JP 2017528315 A JP2017528315 A JP 2017528315A JP 6400202 B2 JP6400202 B2 JP 6400202B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trench
- region
- semiconductor region
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 182
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 92
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 32
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 88
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
(装置構成)
図1および図2のそれぞれは、本実施の形態におけるMOSFET91(電力用半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図および部分平面図である。なお、図1の断面は、図2の線I−Iに沿っている。また図2においては、図1におけるソース電極32および層間絶縁膜21の図示を省略している。
次に、MOSFET91の製造方法について、以下に説明する。
次にMOSFET91の動作について、以下に説明する。
図13を参照して、比較例のMOSFET90においては、MOSFET91(図1)と異なり、複合トレンチTR2が設けられておらず、ショットキー電極34はn-ドリフト領域11の最表面上に配置されている。言い換えれば、ショットキー電極34が、MOSトレンチTR1の開口部の高さに配置されている。これに伴って、ショットキー電極34によって構成されるショットキーバリアダイオードの電流経路には、MOSトレンチTR1の深さに応じた抵抗成分が発生する。特に、n-ドリフト領域11中を通る電流経路のうちショットキー電極34のすぐ下方の、pベース領域12によって挟まれた部分SQは、pベース領域12から延びる空乏層による狭窄を受ける。よってこの部分の存在による抵抗成分の増大は特に大きい。ショットキーバリアダイオードの電流経路の抵抗成分が大きくなるほど、ショットキーバリアダイオードのオン抵抗が増大し、その結果、寄生pnダイオードによる電流が流れ始めやすくなる。よって最大ユニポーラ電流が小さくなる。
本実施の形態のMOSFET91によれば、第1に、MOSFET91がオフ状態のとき、n-ドリフト領域11とp保護拡散領域14との間のpn接合から空乏層が延びることにより、MOSトレンチTR1の底部においてゲート絶縁膜20に加わる電界が緩和される。これにより、オフ状態におけるゲート絶縁膜20の絶縁破壊を防止することができる。第2に、ショットキー電極34がn-ドリフト領域11に複合トレンチTR2の底部上でショットキー接続されている。これにより、ショットキー電極34がトレンチの外部においてn-ドリフト領域11にショットキー接続される場合と異なり、n-ドリフト領域11とp保護拡散領域14とによる寄生pnダイオードの電流経路と同様に、ショットキーバリアダイオードの電流経路は、複合トレンチTR2の深さに対応した抵抗成分を有しない。これにより、ショットキー電極34によってMOSFET91に内蔵されるショットキーバリアダイオードの最大ユニポーラ電流を大きくすることができる。以上から、オフ状態におけるゲート絶縁膜20の絶縁破壊を防止することができ、かつ内蔵ショットキーバリアダイオードの最大ユニポーラ電流を大きくすることができる。
図17を参照して、本実施の形態におけるMOSFET92(電力用半導体装置)は、実施の形態1においてn-ドリフト領域11d(図1)が配置されていた領域に、n型のn領域11A(第1の半導体領域)を有している。n領域11Aは、n-ドリフト領域11e(ドリフト領域)と、n+高濃度領域11h(高濃度領域)とを有している。
図18を参照して、本実施の形態におけるMOSFET93(電力用半導体装置)は、n+高濃度領域11hに代わりn+高濃度領域11iを有している。n+高濃度領域11iは、ショットキー電極34に接する箇所から、p保護拡散領域14の下方へと延びている。言い換えれば、n+高濃度領域11iは、ショットキー電極34に接する箇所から、p保護拡散領域14によって複合トレンチTR2の底部と隔てられた箇所へと延びている。
図19は、本実施の形態におけるMOSFET94(電力用半導体装置)の構成を概略的に示す部分平面図である。図20〜図22のそれぞれは、図19の線XX−XX、線XXI−XXIおよび線XXII−XXIIに沿う概略断面図である。なお、図19においては、ソース電極32および層間絶縁膜21の図示を省略している。
図23を参照して、変形例のMOSFET94S(電力用半導体装置)は、コンタクト領域RG2Sを有している。コンタクト領域RG2Sには複合トレンチTR2S(第2のトレンチ)が設けられている。コンタクト領域RG2Sは、前述したコンタクト領域RG2Rを、その長辺方向において延長したものであり、長辺方向の端にMOS領域RG1が存在していない。よって、コンタクト領域RG2Sの形状、すなわち複合トレンチTR2Sの概形、は、ストライプ形状を有している。言い換えれば、複合トレンチTR2Sは、平面視でストライプ状の配置を有している。よって、コンタクト領域RG2Sおよび複合トレンチTR2Sの各々は、このストライプ形状の延在方向に沿った長手方向(図中、横方向)と、それに垂直な幅方向(図中、縦方向)とを有している。図中、MOSトレンチTR1は、縦方向に沿って延びる部分と横方向に沿って延びる部分とを有しており、複合トレンチTR2Sのストライプ形状の延在方向は、MOSトレンチTR1が延びる方向のひとつである横方向に沿っている。幅方向(図中、縦方向)において、MOSトレンチTR1は、複合トレンチTR2Sと異なる位置にのみ配置されている。
Claims (9)
- 第1の導電型を有する第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域上に設けられ、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有する第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域上に設けられ、前記第2の半導体領域によって前記第1の半導体領域から隔てられ、前記第1の導電型を有する第3の半導体領域と、
前記第1の半導体領域と接し、前記第2の半導体領域よりも深く設けられた部分を有し、前記第2の導電型を有する第4の半導体領域と、
前記第3の半導体領域と前記第2の半導体領域と前記第1の半導体領域とに面する内面を有し、その第1トレンチ底部に前記第4の半導体領域を有する第1のトレンチ内に設けられ、前記第1のトレンチの前記内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記第1のトレンチ内で前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記第1の半導体領域に電気的に接続された第1の主電極と、
前記第1の主電極から離れて設けられ、前記第3の半導体領域にオーミック接続され、前記第1の半導体領域および前記第4の半導体領域に面する第2トレンチ底部を有する第2のトレンチ内に配置された部分を有し、前記第2のトレンチの前記第2トレンチ底部上で前記第4の半導体領域にオーミック接続された第2の主電極と、
前記第2の主電極と短絡され、前記第2のトレンチの前記第2トレンチ底部上で前記第1の半導体領域にショットキー接続されたショットキー電極と、
を備え、
前記第1のトレンチは、前記第1のトレンチの下部に設けられた前記第4の半導体領域の幅と同じ幅を有し、
前記第2のトレンチは、前記第3の半導体領域と前記第2の半導体領域と前記第1の半導体領域とに面する側部を有し、前記ゲート絶縁膜は、前記第2のトレンチの前記側部を覆う部分を有し、前記ゲート電極は、前記第2のトレンチ内で前記ゲート絶縁膜上に設けられた部分を有し、
前記第2のトレンチの前記第2トレンチ底部で前記ショットキー電極と接する前記第1の半導体領域は、前記第2のトレンチの前記第2トレンチ底部で前記第2の主電極とオーミック接続された前記第4の半導体領域に囲まれ、
前記第2のトレンチは長手方向を有し、
前記第2のトレンチには前記長手方向において、前記第2の主電極が前記第4の半導体領域にオーミック接続された領域と、前記ショットキー電極が前記第1の半導体領域にショットキー接続された領域とが交互に配置されており、
前記第2の主電極によるショットキー接合に順方向の電界が印加された状態においては、前記ショットキー電極と前記第1の半導体領域との間のショットキー接合に順方向のユニポーラ電流が流れ、前記電界が大きくなることによって前記第1の半導体領域と前記第4の半導体領域との間のpn接合に印加される順バイアスが前記pn接合の拡散電位を超えると、前記ユニポーラ電流だけでなく、前記pn接合にバイポーラ電流が流れる、電力用半導体装置。 - 前記第1の半導体領域は、
ドリフト領域と、
前記ショットキー電極に接し、前記ドリフト領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度領域と、
を含む、請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記高濃度領域の不純物濃度は、前記第4の半導体領域の不純物濃度よりも低い、請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 前記高濃度領域は、前記ショットキー電極に接する箇所から、前記第4の半導体領域によって前記第2のトレンチの前記第2トレンチ底部と隔てられた箇所へと延びている、請求項2または3に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1のトレンチは、平面視で格子状の配置を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1のトレンチは、平面視で千鳥格子状の配置を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1のトレンチは、平面視で櫛状の配置を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記第2のトレンチは、平面視でストライプ状の配置を有する、請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1の半導体領域はワイドバンドギャップ半導体から作られている、請求項1から8のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015141006 | 2015-07-15 | ||
JP2015141006 | 2015-07-15 | ||
PCT/JP2016/064634 WO2017010164A1 (ja) | 2015-07-15 | 2016-05-17 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017010164A1 JPWO2017010164A1 (ja) | 2018-01-25 |
JP6400202B2 true JP6400202B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=57756924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017528315A Active JP6400202B2 (ja) | 2015-07-15 | 2016-05-17 | 電力用半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6400202B2 (ja) |
WO (1) | WO2017010164A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7112898B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-08-04 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7003019B2 (ja) | 2018-09-15 | 2022-01-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN116741825A (zh) * | 2022-03-02 | 2023-09-12 | 华为数字能源技术有限公司 | 一种SiC MOSFET、其制备方法及集成电路 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2682272B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1997-11-26 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ |
US6621107B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-16 | General Semiconductor, Inc. | Trench DMOS transistor with embedded trench schottky rectifier |
DE102004057235B4 (de) * | 2004-11-26 | 2007-12-27 | Infineon Technologies Ag | Vertikaler Trenchtransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP1906449A4 (en) * | 2005-07-08 | 2009-05-06 | Panasonic Corp | SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND ELECTRICAL EQUIPMENT |
JP2009043966A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011114027A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP5710644B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-04-30 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2012105609A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2014178262A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-05-17 WO PCT/JP2016/064634 patent/WO2017010164A1/ja active Application Filing
- 2016-05-17 JP JP2017528315A patent/JP6400202B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017010164A1 (ja) | 2017-01-19 |
JPWO2017010164A1 (ja) | 2018-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6926869B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7190144B2 (ja) | 超接合炭化珪素半導体装置および超接合炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6049784B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP7471267B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5002148B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4621708B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP7059555B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6996082B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5449094B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6369173B2 (ja) | 縦型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4843843B2 (ja) | 超接合半導体素子 | |
JP7243094B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006269720A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2019165206A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 | |
JP6109444B1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7459975B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
JP7293750B2 (ja) | 超接合炭化珪素半導体装置および超接合炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JPWO2018037701A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7155641B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6400202B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP7290973B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6984347B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2015107614A1 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2019003966A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2019102556A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170928 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180703 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6400202 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |